JP2007279214A - フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007279214A JP2007279214A JP2006103146A JP2006103146A JP2007279214A JP 2007279214 A JP2007279214 A JP 2007279214A JP 2006103146 A JP2006103146 A JP 2006103146A JP 2006103146 A JP2006103146 A JP 2006103146A JP 2007279214 A JP2007279214 A JP 2007279214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inorganic film
- photomask
- manufacturing
- film
- photomask blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも、基板上に無機膜を成膜する無機膜成膜工程を含むフォトマスクブランクの製造方法において、前記無機膜成膜工程後に少なくとも前記無機膜の表面を平滑化処理することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【選択図】なし
Description
RP=k1λ/NA ・・・・・(1)
DOF=k2λ/NA2 ・・・(2)
従って、上式(1)から分かるように、リソグラフィー技術における微細化のためには、上述した短波長化に加え、開口数(NA)を高くする必要がある。
特に前記無機膜が位相シフターである場合は、特に重要な干渉効果を担う位相シフトパターンの境界部周辺の部位の膜厚のばらつきを低減して、期待の位相干渉効果を得ることができるようになるため、より微細なパターンを形成することが可能となる。従って、より微細な加工が可能なフォトマスクおよび該フォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクを製造することができる。
このように微細な欠陥を検出する場合、表面の反射に対しノイズを与える因子の存在は、実際には欠陥ではない擬似欠陥を欠陥として検出する原因となる。
これによって、無機膜の表面が高度に平坦化された膜厚均一性もよい高品質なフォトマスクブランクを製造することができる。
まず、フォトマスクブランク製造に用いる基板を用意する。
フォトマスクブランクの基板は、石英硝子、フッ化カルシウム等公知のものが使用されるが、一般的には長方形の石英硝子が用いられる。
無機膜の成膜方法は特に限定されないが、たとえばスパッタ法、特に反応性スパッタリング法を用いることができる。反応性スパッタリング法は、多層膜等を効率的に成膜できる方法であるものの、成膜中に粒成長が大きく表面が荒れやすい。従って、後述する平滑化処理を行うことで無機膜の表面粗さを大きく改善することができる。
位相シフターは、特に微細なパターンの形成に用いられる。前記無機膜が位相シフターであれば、本発明の平滑化処理により特に重要な干渉効果を担う位相シフトパターンの境界部周辺の部位の膜厚のばらつきを低減して、期待の位相干渉効果を得ることができるようになるため、面内の微少な領域における急激な位相変化がなくなり、転写パターンを良好にすることができる。
平滑化処理の手段としては、たとえば研磨やエッチングなどが挙げられる。
膜表面を微細かつ効率的に検査しようとした場合、通常光学的な方法が用いられるが、光学的な方法でより微細な欠陥を検査しようとすると、表面の微細な凹凸が欠陥検査するために照射される検査光を反射してノイズとなり、欠陥検出の感度を下げたり、擬似欠陥として検出されるようになる。特により小さなパターンを露光するためのマスクを作製するためのフォトマスク用ブランクでは、より微細な欠陥がないことが求められ、そのため検査波長も短波長のものを使う必要がある。一方、検査波長が短波長化すると、より小さな表面の変化によって反射光変化が影響を受けるようになる。例えば400nm以下の光を用いた場合には、十分なS/N比を持って検査を行うためには表面粗さ(Ra)が0.2nm以下であることが好ましく、0.15nm以下であることが、より好ましい。
ここで使用されるレジスト膜材料としては、例えば、化学増幅型が挙げられ、ネガ型でもポジ型でも良い。
さらに、前記無機膜が位相シフターである場合は、上記平滑化処理により無機膜の膜厚のばらつきを低減して、期待する干渉効果を得ることができるので、転写パターンを良好にすることができる。従って、より微細な加工が可能なフォトマスクとすることができる。
基板上に無機膜を成膜する無機膜成膜工程として、スパッタ法でMoSiターゲットを用いて、石英ガラス基板上にMoSiONハーフトーン膜を110nm成膜した。このときの膜の表面粗さをAFMで測定したところRms:0.42nm、Ra:0.34nmであった。このときのAFMによる測定結果を図1(a)に示す。
回転数[rpm(TP/TT)]:50/50
研磨圧[hPa]:100(100g/cm2)
研磨剤:コロイダルシリカ
研磨布:スウェード系クロス
このような無機膜の表面粗さが改善されたフォトマスクブランクであれば、微細なパターンが形成可能な高品質なフォトマスクを作製することができる。
Claims (13)
- 少なくとも、基板上に無機膜を成膜する無機膜成膜工程を含むフォトマスクブランクの製造方法において、前記無機膜成膜工程後に少なくとも前記無機膜の表面を平滑化処理することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記平滑化処理を研磨により行うことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記平滑化処理により、前記無機膜の表面粗さ(Ra)を0.2nm以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記平滑化処理により、前記無機膜の表面粗さ(Ra)を0.15nm以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記研磨をケミカルメカニカルポリッシュにより行うことを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記研磨を研磨量を20nm以下として行うことを特徴とする請求項2乃至請求項5のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記無機膜をスパッタ法により成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記無機膜が位相シフターであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記無機膜をシリコンを含む材料を用いて成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記無機膜の主成分をMoSiの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかとすることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法により製造された前記無機膜の表面が平滑化されたものであるフォトマスクブランク。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の方法で製造したフォトマスクブランクにリソグラフィーによりパターンを形成し、フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 請求項12に記載のフォトマスクの製造方法により製造されたものであるフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006103146A JP2007279214A (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006103146A JP2007279214A (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007279214A true JP2007279214A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38680750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006103146A Pending JP2007279214A (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007279214A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012008606A (ja) * | 2008-02-27 | 2012-01-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 |
JP2016206668A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
CN107870507A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 信越化学工业株式会社 | 半色调相移掩模坯和半色调相移掩模 |
WO2020054131A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社ニコン | 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
JP2020074053A (ja) * | 2015-02-16 | 2020-05-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスクブランクス、およびフォトマスクの製造方法 |
WO2022163434A1 (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130646A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスクの製造方法 |
JPH07140635A (ja) * | 1992-11-21 | 1995-06-02 | Ulvac Seibaku Kk | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
JPH11237727A (ja) * | 1995-07-19 | 1999-08-31 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2003050453A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2003114514A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sharp Corp | マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法 |
JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
JP2004258463A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトレチクルの製造方法および位相シフター欠陥修正方法 |
JP2007114536A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 |
-
2006
- 2006-04-04 JP JP2006103146A patent/JP2007279214A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140635A (ja) * | 1992-11-21 | 1995-06-02 | Ulvac Seibaku Kk | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
JPH07130646A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X線マスクの製造方法 |
JPH11237727A (ja) * | 1995-07-19 | 1999-08-31 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2003050453A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2003114514A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sharp Corp | マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法 |
JP2004029736A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-29 | Hoya Corp | 電子デバイス用基板の平坦度決定方法および製造方法、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
JP2004258463A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトレチクルの製造方法および位相シフター欠陥修正方法 |
JP2007114536A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012008606A (ja) * | 2008-02-27 | 2012-01-12 | Hoya Corp | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 |
JP2020074053A (ja) * | 2015-02-16 | 2020-05-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク、フォトマスクブランクス、およびフォトマスクの製造方法 |
JP2016206668A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
US10989999B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-04-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
KR20180035146A (ko) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
US10466583B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-11-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
JP2018054836A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
KR102228886B1 (ko) | 2016-09-28 | 2021-03-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
CN107870507A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 信越化学工业株式会社 | 半色调相移掩模坯和半色调相移掩模 |
CN107870507B (zh) * | 2016-09-28 | 2023-02-28 | 信越化学工业株式会社 | 半色调相移掩模坯和半色调相移掩模 |
WO2020054131A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社ニコン | 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
JPWO2020054131A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-08-30 | 株式会社ニコン | 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、露光方法、デバイスの製造方法、位相シフトマスクブランクスの製造方法、及び、位相シフトマスクの製造方法 |
JP7151774B2 (ja) | 2018-09-14 | 2022-10-12 | 株式会社ニコン | 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、露光方法、デバイスの製造方法、位相シフトマスクブランクスの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
WO2022163434A1 (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8039178B2 (en) | Manufacturing method of transparent substrate for mask blanks, manufacturing method of mask blanks, manufacturing method of exposure masks, manufacturing method of semiconductor devices, manufacturing method of liquid crystal display devices, and defect correction method of exposure masks | |
TWI607277B (zh) | Photomask substrate substrate, substrate with multilayer reflection film, transmission type photomask substrate, reflection type photomask substrate, transmission type photomask, reflection type photomask, and method for manufacturing semiconductor device | |
TWI446102B (zh) | Mask blank and mask | |
US7901842B2 (en) | Photomask blank and method of producing the same, method of producing photomask, and method of producing semiconductor device | |
TWI666509B (zh) | 光罩基底、相位偏移光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法 | |
JP6594742B2 (ja) | フォトマスクブランク及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
TWI451191B (zh) | A manufacturing method of a mask blank and a mask, and a method of manufacturing the semiconductor device | |
JP7059234B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
TW202303262A (zh) | 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
JP2007279214A (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 | |
TW201708940A (zh) | 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
TW201638651A (zh) | 光罩基底及使用其之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法 | |
CN106019817B (zh) | 光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法 | |
JP5161419B2 (ja) | グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスクの製造方法 | |
JP4798401B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2009086389A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JPH07261369A (ja) | 上シフター型位相シフトフオトマスク用ブランクス及び上シフター型位相シフトフオトマスクとそれらの製造方法 | |
JP2000010255A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
JPH07209849A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
JPH08194303A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
JP7204979B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
JP2003195474A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにこれらの製造方法 | |
TW202422210A (zh) | 光罩基底、光罩及顯示裝置之製造方法 | |
JP2008275934A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JPH10307382A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク及びそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110316 |