JPWO2004086496A1 - 熱処理用ウェーハ支持具及び熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 polycrystal) Substances 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
しかし、この手法では加工できる形状に制限を受けるため、曲面など複雑な形状の加工は困難である。また、切削加工中に溝面にバリが発生しやすい問題もある。さらに、発生したバリを除去するための追加工が困難であることや、ウェーハが接触する溝の表面の粗度を低減するための研磨が困難であるため、熱処理中にウェーハとの接触部にキズやスリップ転位が発生する問題がある(特開平7−161654号公報、特開平8−107081号公報)。また、加工中に支柱が破損しやすく大きな労力と加工時間が必要であるため、生産性が悪くコストの低減が困難である。
上記バッチ式熱処理は抵抗加熱(ヒータ加熱)により多数枚のウェーハを一度に熱処理するものであるが、このようなバッチ式熱処理装置のほか、最近では、主に枚葉処理に用いられ、ランプ加熱式などにより急速加熱・急速冷却熱処理を行なうRTP(Rapid Thermal Processing)装置も頻繁に用いられるようになってきた。
RTP装置を用いた熱処理としては、例えば、ウェーハ表面の欠陥を消滅させるための熱処理、酸素ドナーを消滅させるための熱処理、浅い拡散層を形成するための熱処理(RTA:Rapid Thermal Annealing)、あるいは薄い酸化膜を形成するための熱処理(RTO:Rapid Thermal Oxidation)などを挙げることができる。また、ランプ加熱を用いた枚葉式のエピタキシャル成長や絶縁膜などの気相成長も、広義にはRTP装置を用いた熱処理に含めることができる。
このようなRTP処理においてもバッチ式熱処理装置と同様に、熱処理するためのウェーハ支持具(サセプタと呼ばれることもある)が用いられ、ウェーハ支持具とウェーハとの接点においてスリップ転位が発生しやすいという問題がある(特開2002−164300号公報)。
上記課題を解決するために、本発明の熱処理用ウェーハ支持具は、少なくとも、熱処理するウェーハを支持する複数のウェーハ支持部材と、該支持部材を保持する支持部材ホルダとを有する熱処理用ウェーハ支持具であって、前記複数のウェーハ支持部材のうち少なくとも一部の支持部材は、前記ウェーハとの接触部が、前記支持部材ホルダに対して可動であることを特徴とする。
前記接触部の形状が、前記熱処理するウェーハに対して凸の曲面であり、特に球形または楕円球形であるのが好ましい。前記ウェーハ支持部材がピンからなり、前記支持部材ホルダが前記ピンを保持するピンホルダからなり、前記ピンは該ピンホルダに形成されたピン孔に嵌め込んで配置される構成とするのが好適である。前記ピンは前記ピンホルダから取り外し可能に構成されるのが好ましく、さらに円柱状の素材を加工して形成されるのが好ましい。前記ピンおよびピンホルダの素材としては、SiC、シリコンまたは石英を挙げることができる。前記ピン孔は、好ましくは複数個設けられかつこのピン孔の形状はスリット状とされるのが好ましい。前記スリット状ピン孔は前記ピンホルダの中心から放射状に配置されるのが望ましい。前記ピンホルダは、好ましくは円板状または円環状であり、このピンホルダが円板状の場合には、その中心位置に円状ピン孔を設けた構成とするのが好適である。
前記ウェーハ支持部材としては、前記熱処理するウェーハとの接触部としての回転体を含み、該回転体は、前記ウェーハ支持部材または前記支持部材ホルダに形成された回転体収容孔に収容され、前記熱処理するウェーハとの摩擦力により回転可能に構成することもできる。
前記回転体は、球形、楕円球形、円筒形又は円柱形のいずれかの形状とするのが好ましい。前記回転体収容孔がスリット溝状であるのが望ましく、このスリット溝状の回転体収容孔が、好ましくは前記支持部材ホルダの中心から放射状に配置される。前記支持部材ホルダが円板状または円環状であるのが好ましい。前記回転体の素材としては、SiC、シリコンまたは石英を用いることができる。
本発明の熱処理用ウェーハ支持具としては、前記支持部材ホルダを複数保持する支柱と、該支柱を保持するベースとを更に有する構成とすることができる。前記支持部材ホルダは前記支柱から取り外し可能に構成されるのが好適である。前記支柱およびベースの素材としては、SiC、シリコンまたは石英を用いることができる。
本発明の熱処理装置は、上記した本発明の熱処理用ウェーハ支持具を具備するものである。
図2は、図1の構造から上ベース及び上側のウェーハを取り外した状態を示す上面説明図である。
図3は、ピンの製造態様を示す説明図で、(a)は円柱状のピン素材及び(b1)はピンの完成品の1例及び(b2)はピンの完成品の他の例をそれぞれ示す。
図4は、本発明の熱処理用ウェーハ支持具に用いられるピンホルダの一つの構造例を示す上面図である。
図5は、図2のV−V線拡大断面図である。
図6は、図2のVI−VI線拡大断面図で、(a)はピンが直立している状態、(b)はピンが外周方向に傾斜した状態、(c)はピンが中心方向に傾斜した状態、(d)はピンの下端部にアール(R)を形成した形状をそれぞれ示す。
図7は、本発明の熱処理用ウェーハ支持具の第2の実施の形態を示す側面説明図である。
図8は、本発明の熱処理用ウェーハ支持具に用いられるピンホルダの他の構造例を示す上面図である。
図9は、本発明の熱処理用ウェーハ支持具の第3の実施の形態を示す要部の側面的説明図で、(a)はウェーハ支持状態の一例、(b)は(a)の状態からウェーハが伸長してウェーハ支持部材である回転体が回転した状態をそれぞれ示す。
図10は、ウェーハ支持部材である種々の形状の回転体の上面図で、(a)は球形、(b)は楕円球形、(c)は円柱形又は円筒形をそれぞれ示す。
図11は、本発明の熱処理用ウェーハ支持具の第4の実施の形態を示す要部の側面的説明図で、(a)はウェーハ支持状態の一例、(b)は(a)の状態からウェーハが伸長してウェーハ支持部材である回転体が回転した状態をそれぞれ示す。
図12は、縦型熱処理炉の一例を示す概略説明図である。
図13は、RTP装置の一例を示す概略説明図である。
図14は、実施例2の説明図で、(a)は使用した熱処理用ウェーハ支持具の上面図、(b)は熱処理後のウェーハをX線トポグラフ法を用いて観察した結果を示す写真である。
図15は、比較例1の説明図で、(a)は使用したウェーハホルダにウェーハを載せた状態を示す断面的説明図、(b)は熱処理後のウェーハをX線トポグラフ法を用いて観察した結果を示す写真である。
図16は、実施例3の説明図で、(a)は使用した熱処理用ウェーハ支持具の上面図、(b)は熱処理後のウェーハをX線トポグラフ法を用いて観察した結果を示す写真である。
図1において、10は本発明に係る熱処理用ウェーハ支持具である。該ウェーハ支持具10は上下方向に相対向して設けられた上下一対のベース12,14、及び該上下のベース12,14の間に立設された複数本(図2の例では3本)の支柱16を有している。
該上ベース12の下面に穿設された受け孔18及び該下ベース14の上面に穿設された受け孔20に該支柱16の上端部及び下端部がそれぞれ嵌着する構造とすることによって該支柱16は該ベース12,14に取り外し可能に保持されている。
22は熱処理するウェーハWを支持するために用いられるウェーハ支持部材としてのピンである。該ピン22は図3(b1)(b2)によく示されるごとく、先端部にはウェーハWを支持する接触部26が設けられ、かつ基端部には嵌着部28が設けられている。
上記ピン22の接触部26の形状は、支持されるウェーハWに対して凸の曲面であることが好ましい。図1、図2及び図3(b1)に示した例では、該接触部26の形状は球形である場合が示されている。
この接触部26の形状は、上述したように支持されるウェーハWに対して凸の曲面であれば、球形以外の形状を採用することができることはいうまでもなく、図3(b2)及び図7の第2の実施の形態において示されるごとく、接触部26を楕円球形とすることも可能である。なお、図7において、図1との相違点はピン22の形状だけであり、構造についての再度の説明は省略するが、図1の部材と同一又は類似部材は同一の符号で示されている。
前記支柱16の側面には同一の高さに挿入溝30が設けられている。32は上記ピン22を着脱可能に保持する支持部材ホルダとしてのピンホルダで、その形状は特別な限定はないが、図2及び図4には円板状とした場合が示されている。前記挿入溝30にピンホルダ32を挿入することにより、ピンホルダ32は支柱16に対して取り外し可能に挿入保持される。また、ピンホルダ32は図2及び図4に示したように円板状とするほか、図8に示したように中央部に開口部33を穿設した円環状に形成することもできる。
図2及び図4に示すように、前記円板状ピンホルダ32には該ピン22の嵌着部28に対応して円状嵌着孔34aおよびスリット状嵌着孔34bが穿設されている。これらの嵌着孔(ピン孔)は貫通孔又は有底孔のいずれであってもよい。該円板状ピンホルダ32の中心部に設けた該円状嵌着孔34aに該嵌着部28を嵌め込むことによって該ピン22は該円板状ピンホルダ32に取り外し可能に保持される。また、該円板状ピンホルダ32の中心部から放射状に設けたスリット状嵌着孔34bに嵌着されたピン22は、熱処理プロセス中のウェーハWの伸縮方向の動きに対してピン22とウェーハWとの接触面に発生する応力を緩和するようにウェーハWの伸縮方向、即ち、円板状ピンホルダ32の中心から外周方向[図6(b)]、または、その反対方向、即ち中心方向[図6(c)]に、円板状ピンホルダ32に対して相対的に数mm程度動くことができる構造となっている。この場合、ピン22を動きやすくするため、その嵌着部28の下端部の周縁には、図6(d)に示すようにアール(R)と呼ばれる丸みを形成しておくことが好ましい。
また、図2、図4及び図8に示した例においては、支柱16の設置本数を3本とした場合を示したが、支柱16の設置本数はベース12,14を支持可能な本数であれば特別な限定はない。
前記ピン22は、図3(a)(b1)(b2)に示したように、円柱状のピン素材22aを旋盤にて研磨加工することによって容易に得ることができ、かつピン22、特にその接触部26の表面粗度を容易に制御することが可能となる。ピン素材22aとしては、直径1〜7mm程度で、長さ5〜10mm程度のSiC、Si(単結晶、多結晶)、石英などを用いることができる。また、支柱16及びベース12,14の素材としても、SiC、シリコン又は石英を用いるのが好適である。
図2及び図4に示した円板状ピンホルダ32の中心部に設けた円状嵌着孔34aは直径1〜7mm程度の円形で、ピンホルダ32の中心部から放射状に設けたスリット状嵌着孔34bは幅1〜7mm、長さ4〜21mm程度となる。スリット状嵌着孔34bはそのスリットの長さ方向をピンホルダ32の中心部から放射状に3〜24箇所程度配置される(図2及び図4では6箇所)。ピンホルダ32を図8のように円環状とした場合には、ピンホルダ32の中心部に設ける嵌着孔34aは省略されることは勿論であるが、ピンホルダ32を図4のような円板とした場合でも嵌着孔34aを省略することもできる。
上述したように、本発明のウェーハ支持具においては、ピンの先端部のウェーハとの接触部の形状が、ウェーハに対して凸の曲面となるように構成してあるので、熱処理中にウェーハとの接触部にキズやスリップ転位が発生することがなくなり、したがって生産性が向上してコスト低減が可能となるものである。
ピン22のウェーハWとの接触部26は、その接触部26の表面粗度を別途追加工して接触部26のみを所望の表面粗度にしてもよい。さらに、ピン22の形状と嵌着孔34a,34bを適切に選択することにより、ウェーハWがピン22と接触する位置(ウェーハWの面内の位置)や接触部26の形状を任意に設計できる。そして、ピン22のみをピンホルダ32から取り外すことが可能な構成を採用する場合には、洗浄や交換が容易であり、また、表面を再加工してリサイクルしたりすることも可能である。
上記各実施の形態においては、ピン22はピンホルダ32に対して嵌着孔34a,34bを介して着脱可能に保持され、ピンホルダ32は支柱16に対して挿入溝30を介して着脱可能に保持され、また支柱16はベース12,14に対して受け孔18,20を介して着脱可能に保持される構造を例示したが、必要に応じて、ピン22をピンホルダ32に対して着脱不能に固定し、ピンホルダ32を支柱16に対して着脱不能に固定し、また支柱16をベース12,14に対して着脱不能に固定することもできる。
図1〜図8に示した例においては、ウェーハ支持部材としてピン22を用いた場合を示したが、ウェーハ支持部材としてはピン22以外の部材を用いることも可能であり、図9〜11に基づいて以下に説明する。
図9(a)(b)において、40はウェーハ支持部材ホルダで、本発明に係る熱処理用ウェーハ支持具を構成する。該支持部材ホルダ40はウェーハ支持部材42を保持している。このウェーハ支持部材42は、支持部材ホルダ40の上面に設置された台形部材44を有している。この台形部材44の上面には回転体収容孔46が穿設されている。この回転体収容孔46には、熱処理するウェーハWとの接触部としての回転体48が回転可能に嵌入されている。矢印50は回転体48の所定位置を示すものである。この回転体48の形状については、特別の限定はないが、図10に示したように、上面から見て(a)球形、(b)楕円球形、(c)円柱形又は円筒形等の形状を採用することができる。
上記した構成により、図9(a)に示したように、ウェーハWが回転体48によって接触支持されている状態でウェーハWの熱処理を行うと、矢印52で示したウェーハWの伸び方向にウェーハが伸長し、上記回転体48は、矢印50の位置から明らかなように、図9(b)に示したように回転するので、熱処理中のウェーハWの回転体との接触部にキズやスリップ転位が発生するのを抑制することができる。
なお、図9(a)(b)の例では、台形部材44の上面に回転体収容孔46を穿設したが、この台形部材44を省略して支持部材ホルダ40の上面に回転体収容孔46を穿設し、この回転体収容孔46に回転体48を直接嵌入する構成とすることもできる。また、台形部材44の代わりに他の形状の部材としてもよい。
図9(a)(b)の例では、回転体48を台形部材44の回転体収容孔46に嵌入した場合を示したが、図11(a)(b)に示したようにこの回転体収容孔46の形状をスリット溝状とし、このスリット溝状回転体収容孔46に回転体48を遊動回転可能に収容する構成とすることもできる。この場合、スリット溝状回転体収容孔46は、支持部材ホルダ40の中心から放射線状に配置されるのが好適である。この構成により、図11(a)に示したように、ウェーハWが回転体48によって接触支持されている状態でウェーハWの熱処理を行うと、矢印52で示したウェーハWの伸び方向にウェーハWが伸長し、上記回転体48は、矢印50の位置から明らかなように、図11(b)に示したように回転するので、図9の場合と同様に熱処理中のウェーハWの回転体との接触部にキズやスリップ転位が発生するのを抑制することができる。特に、図11の構成においては、上記回転体48が転がることを利用することになるので、この場合の転がり摩擦は極めて小さく、摩擦に起因するキズやスリップ転位の発生を防ぐ上で大きな効果がある。
なお、図11(a)(b)の例でも、この台形部材44の上面にスリット溝状回転体収容孔46を穿設したが、この台形部材44を省略して支持部材ホルダ40の上面にスリット溝状回転体収容孔46を穿設し、このスリット溝状回転体収容孔46に回転体48を直接遊動回転可能に収容する構成とすることもできる。
本発明の熱処理装置は、上記第1から第4の実施の形態において例示した本発明の熱処理用ウェーハ支持具を備えた熱処理装置である。
この種の熱処理装置としては、例えば図12に示したような縦型熱処理炉が知られている。同図において、110は縦型熱処理炉である。この熱処理炉110は、同心状に配置されたヒータ112と、その内側に配置されたプロセスチューブ114と、ウェーハを複数枚載置するボート116と、そのボート116を着脱自在に装着する保温筒118と、その下部にあって熱処理時にプロセスチューブ114の下端の炉口部120を塞ぐ蓋体122と、該ボート116、保温筒118及び蓋体122をプロセスチューブ114の内部に向かって上下させる不図示の昇降手段とからなっている。なお、115はプロセスチューブ114の下端部に設けられたフランジ部である。この縦型熱処理炉110において、上記ボート116に本発明の熱処理用ウェーハ支持具を適用することによって、この縦型熱処理炉110を本発明の熱処理装置として用いることができる。
また、この種の熱処理装置として急速加熱、急速冷却(RTP)装置を用いることもできる。RTP装置の一例を図13によって説明する。図13はRTP装置の一例を示す概略説明図である。図13において、210は熱処理装置、換言すれば、RTP装置である。この熱処理装置210は、石英からなるチャンバー211を有し、このチャンバー211内でウェーハWを熱処理するようになっている。加熱は、チャンバー211を上下左右から囲繞するよう配置された加熱ランプ212によって行う。この加熱ランプ212はそれぞれ独立に供給される電力を制御できるようになっている。
このチャンバー211のガスの導入側にはガス導入口219が設けられ、ガスの排気側には、オートシャッター213が装備され、外気を封鎖している。オートシャッター213には、ゲートバルブによって開閉可能に構成される不図示のウェーハ挿入口が設けられている。また、オートシャッター213にはガス排気口220が設けられており、炉内雰囲気を調整できるようになっている。
そして、ウェーハWは支持治具、例えば石英トレイ214に形成された3点支持部215の上に配置される。石英トレイ214のガス導入口側には、石英製のバッファ216が設けられており、ガス導入口219から導入されたガスがウェーハWに直接当たるのを防ぐことができる。
また、チャンバー211には不図示の温度測定用特殊窓が設けられており、チャンバー211の外部に設置されたパイロメータ217により、その特殊窓を通してウェーハWの温度を測定することができる。
このRTA装置210において、ウェーハ支持具、例えば石英トレイ214の代わりに本発明の熱処理用ウェーハ支持具を適用することによって、このRTA装置210を本発明の熱処理装置として用いることができる。
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的にするが、実施例は例示として示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
このような熱処理用ウェーハ支持具を用い、直径300mm、結晶方位<100>、p型、約10ΩcmのCZシリコン単結晶ウェーハの熱処理を行った。ウェーハとの接触部におけるキズやスリップ転位の発生状況を調査した。
熱処理条件は、アルゴン100%雰囲気下、1200℃、1時間とし、ウェーハの投入及び取出温度は700℃とした。
熱処理後のウェーハは、X線トポグラフ法を用いて、ウェーハ支持具とウェーハとの接触部におけるキズやスリップ転位の発生状況を調査した結果、これらの発生はほとんど見られなかった。
このような熱処理用ウェーハ支持具を用い、直径300mm、結晶方位<100>、p型、約10ΩcmのCZシリコン単結晶ウェーハの熱処理を行い、ウェーハとの接触部におけるスリップ転位の発生状況を調査した。
熱処理条件は、SIMOXウェーハ作製用の高温長時間熱処理を想定し、アルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下、1350℃、8時間とし、ウェーハの投入及び取出温度は600℃とした。なお、SIMOX(Separation by Ion−implanted Oxygen)とは、SOI(Silicon On Insulator)ウェーハの作製方法の一つであり、シリコン単結晶ウェーハ中に酸素イオンを注入して熱処理することによりシリコン単結晶ウェーハ内部にSiO2層を形成する方法である。熱処理後のウェーハを、X線トポグラフ法を用いて観察した結果を図14(b)に示す。図14(b)によれば、熱処理条件が1350℃、8時間と極めて過酷であるにもかかわらず、スリップ転位の発生はほとんど見られなかった。なお、図14(a)(b)において、60はウェーハのノッチ位置を示す矢印である。
(比較例1)
図15(a)に示すような従来のウェーハホルダ70(ウェーハとの接触部はリング状であり、接触面積は約25000mm2)を用い、実施例2と同一仕様のウェーハWを用い同一の熱処理条件で熱処理を行い、X線トポグラフ法を用いてスリップ転位を観察した結果を図15(b)に示す。
図15(b)から明らかなように、従来のウェーハホルダを用いた場合にはスリップ転位が多発していることがわかる。また、図14(b)と比較するとその差は顕著であり、本発明のウェーハ支持具の耐スリップ特性が極めて高いことがわかる。
図16(b)によれば、9ヶ所全部を可動ピンとした場合の図14(b)に比べて若干のスリップ転位の発生が見られ、そのスリップ転位の発生位置は固定ピンの位置とほぼ一致していることがわかる。従って、ウェーハ支持具のウェーハとの接触部の可動性がスリップ転位抑制効果を有することが確認された。
このように、ウェーハ支持具のウェーハとの接触部を可動性にすればスリップ転位抑制効果が得られるので、従来のウェーハ支持具のように接触部全てが固定されている場合と比較すると、実施例3のように少なくとも接触部の一部を可動性にすれば、スリップ転位の低減という本発明の効果を得ることができる。もちろん、全ての接触部を可動性にすることが最も効果的である。
また、このような熱処理用ウェーハ支持具を具備した本発明の熱処理装置によれば、高温熱処理後にキズやスリップ転位の少ないウェーハを提供することができるので、このウェーハを用いて製造されるデバイスの品質や歩留を向上させることができる。
Claims (22)
- 少なくとも、熱処理するウェーハを支持する複数のウェーハ支持部材と、該支持部材を保持する支持部材ホルダとを有する熱処理用ウェーハ支持具であって、前記複数のウェーハ支持部材のうち少なくとも一部の支持部材は、前記ウェーハとの接触部が、前記支持部材ホルダに対して可動であることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記接触部の形状が、前記熱処理するウェーハに対して凸の曲面であることを特徴とする請求項1に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記接触部の形状が、球形または楕円球形であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ウェーハ支持部材がピンからなり、前記支持部材ホルダが前記ピンを保持するピンホルダからなり、前記ピンは該ピンホルダに形成されたピン孔に嵌め込んで配置されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピンは前記ピンホルダから取り外し可能に構成されることを特徴とする請求項4に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピンは円柱状の素材を加工したものであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピンおよびピンホルダの素材はSiC、シリコンまたは石英であることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピン孔を複数個設けたことを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピン孔がスリット状であることを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記スリット状ピン孔が前記ピンホルダの中心から放射状に配置されていることを特徴とする請求項9に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピンホルダが円板状または円環状であることを特徴とする請求項4から請求項10のいずれか一項記載の熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ピンホルダが円板状であり、その中心位置に円状ピン孔を設けたことを特徴とする請求項11に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記ウェーハ支持部材は、前記熱処理するウェーハとの接触部としての回転体を含み、該回転体は、前記ウェーハ支持部材または前記支持部材ホルダに形成された回転体収容孔に収容され、前記熱処理するウェーハとの摩擦力により回転可能に構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記回転体は、球形、楕円球形、円筒形又は円柱形のいずれかの形状であることを特徴とする請求項13に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記回転体収容孔がスリット溝状であることを特徴とする請求項13または請求項14に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記スリット溝状の回転体収容孔が、前記支持部材ホルダの中心から放射状に配置されていることを特徴とする請求項15に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記支持部材ホルダが円板状または円環状であることを特徴とする請求項13から請求項16のいずれか一項記載の熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記回転体の素材はSiC、シリコンまたは石英であることを特徴とする請求項13から請求項17のいずれか一項記載の熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記支持部材ホルダを複数保持する支柱と、該支柱を保持するベースとを更に有することを特徴とする請求項1から請求項18のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記支持部材ホルダは前記支柱から取り外し可能に構成されることを特徴とする請求項19に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 前記支柱およびベースの素材はSiC、シリコンまたは石英であることを特徴とする請求項19または請求項20に記載された熱処理用ウェーハ支持具。
- 請求項1から請求項21のいずれか一項に記載された熱処理用ウェーハ支持具を有する熱処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003085137 | 2003-03-26 | ||
JP2003085137 | 2003-03-26 | ||
PCT/JP2004/003858 WO2004086496A1 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-22 | 熱処理用ウェーハ支持具及び熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004086496A1 true JPWO2004086496A1 (ja) | 2006-06-29 |
JP4363401B2 JP4363401B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=33095016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005504041A Expired - Fee Related JP4363401B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-22 | 熱処理用ウェーハ支持具及び熱処理装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7393207B2 (ja) |
EP (1) | EP1608011A4 (ja) |
JP (1) | JP4363401B2 (ja) |
KR (1) | KR100877129B1 (ja) |
CN (1) | CN100352032C (ja) |
TW (1) | TW200501306A (ja) |
WO (1) | WO2004086496A1 (ja) |
Families Citing this family (378)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7640267B2 (en) | 2002-11-20 | 2009-12-29 | Radar Networks, Inc. | Methods and systems for managing entities in a computing device using semantic objects |
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US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
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US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
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KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
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-
2004
- 2004-03-22 KR KR1020057013487A patent/KR100877129B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-22 JP JP2005504041A patent/JP4363401B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-22 CN CNB2004800034873A patent/CN100352032C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-22 US US10/549,805 patent/US7393207B2/en active Active
- 2004-03-22 EP EP04722467A patent/EP1608011A4/en not_active Withdrawn
- 2004-03-22 WO PCT/JP2004/003858 patent/WO2004086496A1/ja active Application Filing
- 2004-03-26 TW TW093108376A patent/TW200501306A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070006806A1 (en) | 2007-01-11 |
CN100352032C (zh) | 2007-11-28 |
EP1608011A1 (en) | 2005-12-21 |
JP4363401B2 (ja) | 2009-11-11 |
KR100877129B1 (ko) | 2009-01-07 |
US7393207B2 (en) | 2008-07-01 |
TW200501306A (en) | 2005-01-01 |
EP1608011A4 (en) | 2010-07-21 |
TWI327759B (ja) | 2010-07-21 |
CN1748301A (zh) | 2006-03-15 |
KR20060004652A (ko) | 2006-01-12 |
WO2004086496A1 (ja) | 2004-10-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090518 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090810 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4363401 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |