JPH11186184A - 高品質シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
高品質シリコンウェーハの製造方法Info
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- JPH11186184A JPH11186184A JP34972297A JP34972297A JPH11186184A JP H11186184 A JPH11186184 A JP H11186184A JP 34972297 A JP34972297 A JP 34972297A JP 34972297 A JP34972297 A JP 34972297A JP H11186184 A JPH11186184 A JP H11186184A
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- Japan
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶面内に発生したリング状の酸素誘起積層欠
陥の析出核を溶解、収縮して、デバイス特性に優れるシ
リコンウェーハを提供する。 【解決手段】ＣＺ法によって育成され、酸素濃度が13×
lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にR-OSFが発生する
シリコン単結晶を切断加工してシリコンウェーハとした
のち、該シリコンウェーハを昇温および降温速度が10℃
/sec以上で1100℃以上の熱処理を行うことを特徴とする
高品質シリコンウェーハの製造方法である。上記の製造
方法において、ランプアニール炉を用いて板状の酸素析
出物を溶解し、または収縮させるための熱処理を行うの
が望ましい。
陥の析出核を溶解、収縮して、デバイス特性に優れるシ
リコンウェーハを提供する。 【解決手段】ＣＺ法によって育成され、酸素濃度が13×
lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にR-OSFが発生する
シリコン単結晶を切断加工してシリコンウェーハとした
のち、該シリコンウェーハを昇温および降温速度が10℃
/sec以上で1100℃以上の熱処理を行うことを特徴とする
高品質シリコンウェーハの製造方法である。上記の製造
方法において、ランプアニール炉を用いて板状の酸素析
出物を溶解し、または収縮させるための熱処理を行うの
が望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（以下、「ＣＺ法」という）によって育成されたシリ
コン単結晶から切断加工されたシリコンウェーハに関
し、特に結晶面内に発生する酸化誘起積層欠陥の析出核
を溶解、または収縮させることができる高品質シリコン
ウェーハの製造方法に関するものである。
法（以下、「ＣＺ法」という）によって育成されたシリ
コン単結晶から切断加工されたシリコンウェーハに関
し、特に結晶面内に発生する酸化誘起積層欠陥の析出核
を溶解、または収縮させることができる高品質シリコン
ウェーハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶の製造方法は種々あるが、なかで
も、シリコン単結晶の引上げに関し、工業的に量産が可
能な方式で広く採用されているものとしてＣＺ法があ
る。このＣＺ法によるシリコン単結晶の育成は、密閉さ
れ、雰囲気調整された金属製容器内で行われる。金属製
容器の内部には、結晶原料である多結晶シリコンの溶融
液を保持した坩堝が配置されており、その溶融液の表面
にワイヤ等で構成される引上げ手段の先に取り付けた種
結晶の下端を接触させ、この種結晶を上方へ引き上げる
ことによって、その下端に溶融液が凝固した単結晶を育
成していく。
も、シリコン単結晶の引上げに関し、工業的に量産が可
能な方式で広く採用されているものとしてＣＺ法があ
る。このＣＺ法によるシリコン単結晶の育成は、密閉さ
れ、雰囲気調整された金属製容器内で行われる。金属製
容器の内部には、結晶原料である多結晶シリコンの溶融
液を保持した坩堝が配置されており、その溶融液の表面
にワイヤ等で構成される引上げ手段の先に取り付けた種
結晶の下端を接触させ、この種結晶を上方へ引き上げる
ことによって、その下端に溶融液が凝固した単結晶を育
成していく。
【０００３】育成されたシリコン単結晶は、所定の厚さ
に切断されてスライス状のシリコンウェーハに加工され
る。単結晶から加工されたウェーハは、ウェーハ外周の
欠けを防止するための面取り工程、ウェーハの厚さバラ
ツキを無くすためのラッピング工程および破砕層および
汚染した部分を無くすためのエッチング工程を経たの
ち、仕上工程としてミラーポリッシュ等の表面研磨が施
されて種々のデバイスの基板材料として用いられる。
に切断されてスライス状のシリコンウェーハに加工され
る。単結晶から加工されたウェーハは、ウェーハ外周の
欠けを防止するための面取り工程、ウェーハの厚さバラ
ツキを無くすためのラッピング工程および破砕層および
汚染した部分を無くすためのエッチング工程を経たの
ち、仕上工程としてミラーポリッシュ等の表面研磨が施
されて種々のデバイスの基板材料として用いられる。
【０００４】上述のＣＺ法によって育成されたシリコン
単結晶およびシリコンウェーハの結晶面内には、単結晶
の育成条件によって、リング状の酸化誘起積層欠陥（以
下、R-OSF(Oxidation induced Stacking Fault)とい
う）が発生する。このR-OSFは、ウェーハに加工した後
のデバイス工程を想定した酸化雰囲気の熱処理評価で検
出される格子型の転位欠陥である。この欠陥がウェーハ
の表面または内部に発生していると、デバイス工程にお
いてリーク電流等の要因となり、デバイス特性を著しく
悪化させる。
単結晶およびシリコンウェーハの結晶面内には、単結晶
の育成条件によって、リング状の酸化誘起積層欠陥（以
下、R-OSF(Oxidation induced Stacking Fault)とい
う）が発生する。このR-OSFは、ウェーハに加工した後
のデバイス工程を想定した酸化雰囲気の熱処理評価で検
出される格子型の転位欠陥である。この欠陥がウェーハ
の表面または内部に発生していると、デバイス工程にお
いてリーク電流等の要因となり、デバイス特性を著しく
悪化させる。
【０００５】さらに、結晶面内に発生するR-OSFの内側
領域には、単結晶の育成中に形成される赤外散乱体（CO
P、FPD、LSTD）と呼ばれる欠陥が顕在化し、その後のウ
ェーハ加工ののちにもウェーハ表面やデバイスの活性領
域にほぼ原型のままで存在する。そして、この赤外散乱
体は酸化膜耐圧のウェーハ評価において品質を劣化さ
せ、デバイス特性に悪影響を及ぼすことになる。一方、
このR-OSFの外側領域では、ウェーハ品質を劣化させる
赤外散乱体は存在せず、酸化膜耐圧特性の評価におい
て、優れたデバイス特性を発揮することが明らかにされ
ている。
領域には、単結晶の育成中に形成される赤外散乱体（CO
P、FPD、LSTD）と呼ばれる欠陥が顕在化し、その後のウ
ェーハ加工ののちにもウェーハ表面やデバイスの活性領
域にほぼ原型のままで存在する。そして、この赤外散乱
体は酸化膜耐圧のウェーハ評価において品質を劣化さ
せ、デバイス特性に悪影響を及ぼすことになる。一方、
このR-OSFの外側領域では、ウェーハ品質を劣化させる
赤外散乱体は存在せず、酸化膜耐圧特性の評価におい
て、優れたデバイス特性を発揮することが明らかにされ
ている。
【０００６】最近では、周辺技術の進展にともない、デ
バイス工程の低温化やシリコンウェーハの低酸素化が採
用されるようになり、酸素誘起積層欠陥の発生が抑制さ
れるとともに、酸素誘起積層欠陥に起因するデバイス特
性の劣化はそれほど問題にならなくなった。このような
状況に対応して、ＣＺ法による単結晶の育成条件を変更
して、R-OSFを意図的にウェーハの結晶面内に発生さ
せ、しかも結晶面内でR-OSFの外側領域が占める範囲を
拡大するようにして、酸化膜耐圧の品質歩留まりを向上
させる技術が開発されている。
バイス工程の低温化やシリコンウェーハの低酸素化が採
用されるようになり、酸素誘起積層欠陥の発生が抑制さ
れるとともに、酸素誘起積層欠陥に起因するデバイス特
性の劣化はそれほど問題にならなくなった。このような
状況に対応して、ＣＺ法による単結晶の育成条件を変更
して、R-OSFを意図的にウェーハの結晶面内に発生さ
せ、しかも結晶面内でR-OSFの外側領域が占める範囲を
拡大するようにして、酸化膜耐圧の品質歩留まりを向上
させる技術が開発されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の通り、R-OSFを
結晶面内に発生させ、その外側領域を積極的に利用する
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成技術が開発されてき
たが、これにともなって改善すべき新たな課題が生じて
きた。すなわち、R-OSF上には、酸化膜耐圧特性を劣化
させる赤外散乱体は存在しないものの、酸素誘起積層欠
陥の核である板状の酸素析出物が多く存在し、これらが
キャリアの結合中心となり、デバイスのライフタイム特
性を低下させることになる。
結晶面内に発生させ、その外側領域を積極的に利用する
ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成技術が開発されてき
たが、これにともなって改善すべき新たな課題が生じて
きた。すなわち、R-OSF上には、酸化膜耐圧特性を劣化
させる赤外散乱体は存在しないものの、酸素誘起積層欠
陥の核である板状の酸素析出物が多く存在し、これらが
キャリアの結合中心となり、デバイスのライフタイム特
性を低下させることになる。
【０００８】これらを改善するため、熱処理によってR-
OSFを消滅させる方法、言い換えると、R-OSFを結晶面内
に発生させたシリコンウェーハを高温に保持することに
よって、欠陥核である板状の酸素析出物を溶解させる方
法が提案されてきた。しかし、溶解の対象とされる板状
の酸素析出物は、他の育成中に形成される酸素析出物と
比較すると、析出サイズが大きく、熱的にも安定してい
るので、溶解、消滅するには、例えば1250℃以上という
高温の熱処理が必要になってくる。しかも、デバイス工
程の効率化の要請からウェーハの大口径化が進み、製造
されるウェーハは８インチが主流になってくると、1250
℃以上という高温の熱処理をウェーハに加えることは、
スリップ等の強度上の問題が生じ、実際のウェーハ加工
プロセスにおいては採用することができない。
OSFを消滅させる方法、言い換えると、R-OSFを結晶面内
に発生させたシリコンウェーハを高温に保持することに
よって、欠陥核である板状の酸素析出物を溶解させる方
法が提案されてきた。しかし、溶解の対象とされる板状
の酸素析出物は、他の育成中に形成される酸素析出物と
比較すると、析出サイズが大きく、熱的にも安定してい
るので、溶解、消滅するには、例えば1250℃以上という
高温の熱処理が必要になってくる。しかも、デバイス工
程の効率化の要請からウェーハの大口径化が進み、製造
されるウェーハは８インチが主流になってくると、1250
℃以上という高温の熱処理をウェーハに加えることは、
スリップ等の強度上の問題が生じ、実際のウェーハ加工
プロセスにおいては採用することができない。
【０００９】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑
み、R-OSFを意図的にウェーハの結晶面内に発生させる
場合であっても、酸化誘起積層欠陥の析出核を溶解、ま
たは収縮させ、デバイス特性に影響を及ぼすことのない
高品質シリコンウェーハの製造方法を提供することを目
的としている。
み、R-OSFを意図的にウェーハの結晶面内に発生させる
場合であっても、酸化誘起積層欠陥の析出核を溶解、ま
たは収縮させ、デバイス特性に影響を及ぼすことのない
高品質シリコンウェーハの製造方法を提供することを目
的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、シリコンウェーハに要求される酸素
濃度が低下しており、これにともなって酸素誘起積層欠
陥の核となる板状の酸素析出物のサイズが小さくなって
いることを想定して、種々の検討を行った。この結果、
熱処理温度が1250℃より低温であっても、板状の酸素析
出物を全て溶解し、または収縮させることができること
を知見した。
題を解決するため、シリコンウェーハに要求される酸素
濃度が低下しており、これにともなって酸素誘起積層欠
陥の核となる板状の酸素析出物のサイズが小さくなって
いることを想定して、種々の検討を行った。この結果、
熱処理温度が1250℃より低温であっても、板状の酸素析
出物を全て溶解し、または収縮させることができること
を知見した。
【００１１】本発明は、上記の知見に基づいて完成され
たものであり、下記の高品質シリコンウェーハの製造方
法を要旨としている。
たものであり、下記の高品質シリコンウェーハの製造方
法を要旨としている。
【００１２】すなわち、ＣＺ法によって育成され、酸素
濃度が13×lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にR-OSF
が発生するシリコン単結晶を切断加工してシリコンウェ
ーハとしたのち、該シリコンウェーハを昇温および降温
速度が10℃/sec以上で1100℃以上の熱処理を行うことを
特徴とする高品質シリコンウェーハの製造方法である。
濃度が13×lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にR-OSF
が発生するシリコン単結晶を切断加工してシリコンウェ
ーハとしたのち、該シリコンウェーハを昇温および降温
速度が10℃/sec以上で1100℃以上の熱処理を行うことを
特徴とする高品質シリコンウェーハの製造方法である。
【００１３】上記の製造方法において、ランプアニール
炉を用いて板状の酸素析出物を溶解し、または収縮させ
るための熱処理を行うのが望ましい。
炉を用いて板状の酸素析出物を溶解し、または収縮させ
るための熱処理を行うのが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本願発明では、板状の酸素析出物
を溶解し、または収縮させるために、シリコンウェーハ
を1100℃以上の熱処理を行うこととしている。これは、
最近の低酸素化を前提に、シリコン単結晶が酸素濃度13
×lO17atoms/cm3以下で育成されることに基づいてい
る。酸素濃度が13×lO17atoms/cm3を超える場合には、
板状の酸素析出物は、析出サイズが大きくなり、熱的に
も安定しているので、1250℃を超える高温熱処理が必須
になるからである。このとき、酸素析出物の溶解、収縮
を確実に行うために、シリコンウェーハの1100℃以上の
加熱は、30sec以上の保持時間にするのが望ましい。
を溶解し、または収縮させるために、シリコンウェーハ
を1100℃以上の熱処理を行うこととしている。これは、
最近の低酸素化を前提に、シリコン単結晶が酸素濃度13
×lO17atoms/cm3以下で育成されることに基づいてい
る。酸素濃度が13×lO17atoms/cm3を超える場合には、
板状の酸素析出物は、析出サイズが大きくなり、熱的に
も安定しているので、1250℃を超える高温熱処理が必須
になるからである。このとき、酸素析出物の溶解、収縮
を確実に行うために、シリコンウェーハの1100℃以上の
加熱は、30sec以上の保持時間にするのが望ましい。
【００１５】次ぎに、シリコンウェーハの熱処理は、昇
温、降温速度を10℃/sec以上で実施する必要がある。比
較的低温である550℃〜850℃の温度範囲では、R-OSFの
周辺および内側に酸素析出核そのものの発生を促進させ
てしまい、また850℃〜1000℃の温度範囲では板状の酸
素析出物を形成し易いため、熱処理の昇温および降温の
際にはこの温度域を速く通過させる必要があるからであ
る。
温、降温速度を10℃/sec以上で実施する必要がある。比
較的低温である550℃〜850℃の温度範囲では、R-OSFの
周辺および内側に酸素析出核そのものの発生を促進させ
てしまい、また850℃〜1000℃の温度範囲では板状の酸
素析出物を形成し易いため、熱処理の昇温および降温の
際にはこの温度域を速く通過させる必要があるからであ
る。
【００１６】通常、シリコンウェーハの酸化、拡散に用
いられる熱処理炉は、構造的に保温材を設けて間接加熱
であり、ウェーハの投入操作も低温で投入して時間を掛
けて目標温度まで加熱するものであるから、急速昇温お
よび急速降温を必要とする熱処理には適さない。これに
対し、ランプアニール炉は、後述する図１に示すよう
に、構造上シリコンウェーハを直接加熱する方式であ
り、急速昇温および急速降温による熱処理が可能である
から、本発明の熱処理を実施する場合には、ランプアニ
ール炉を使用するのが望ましい。また、実際のランプア
ニール炉の特性調査によれば、昇降速度の上限は100℃/
sec程度となる。
いられる熱処理炉は、構造的に保温材を設けて間接加熱
であり、ウェーハの投入操作も低温で投入して時間を掛
けて目標温度まで加熱するものであるから、急速昇温お
よび急速降温を必要とする熱処理には適さない。これに
対し、ランプアニール炉は、後述する図１に示すよう
に、構造上シリコンウェーハを直接加熱する方式であ
り、急速昇温および急速降温による熱処理が可能である
から、本発明の熱処理を実施する場合には、ランプアニ
ール炉を使用するのが望ましい。また、実際のランプア
ニール炉の特性調査によれば、昇降速度の上限は100℃/
sec程度となる。
【００１７】また、本発明における熱処理は酸素濃度が
13×lO17atoms/cm3以下のシリコンウェーハに対して行
えば効果を発揮するものであり、面取り工程、ラッピン
グ工程または平面研磨工程等のいずれかの工程の前後で
実施すればよく、実施すべき工程が限定されるものでな
い。
13×lO17atoms/cm3以下のシリコンウェーハに対して行
えば効果を発揮するものであり、面取り工程、ラッピン
グ工程または平面研磨工程等のいずれかの工程の前後で
実施すればよく、実施すべき工程が限定されるものでな
い。
【００１８】
【実施例】本発明のシリコンウェーハの製造方法の効果
を確認するため、単結晶の育成条件を制御して、意図的
にR-OSFを結晶面内に発生されたシリコン単結晶からウ
ェーハを加工し、ランプアニール炉を用いて所定の熱処
理した後、酸素誘起積層欠陥の発生状況、さらにＸ線ト
ポグラフィーを用いてR-OSFの発生幅を観察した。以
下、その結果を説明する。
を確認するため、単結晶の育成条件を制御して、意図的
にR-OSFを結晶面内に発生されたシリコン単結晶からウ
ェーハを加工し、ランプアニール炉を用いて所定の熱処
理した後、酸素誘起積層欠陥の発生状況、さらにＸ線ト
ポグラフィーを用いてR-OSFの発生幅を観察した。以
下、その結果を説明する。
【００１９】ＣＺ法によって、直径８インチ(203mm）
で、電気抵抗率が10ΩcmであるＰ型ボロンを添加し、酸
素濃度が13×lO17atoms/cm3のシリコン単結晶を育成し
て、これから切断加工してウェーハを得た。スライス状
のウェーハは面取り工程、ラッピング工程およびエッチ
ング工程を経たのち、ミラーポリッシュ加工を施した。
このとき、ＣＺ法の育成条件を制御して、ウェーハの結
晶面内には、その外周側から約15mm内側に入った位置に
R-OSFが発生するようにした。
で、電気抵抗率が10ΩcmであるＰ型ボロンを添加し、酸
素濃度が13×lO17atoms/cm3のシリコン単結晶を育成し
て、これから切断加工してウェーハを得た。スライス状
のウェーハは面取り工程、ラッピング工程およびエッチ
ング工程を経たのち、ミラーポリッシュ加工を施した。
このとき、ＣＺ法の育成条件を制御して、ウェーハの結
晶面内には、その外周側から約15mm内側に入った位置に
R-OSFが発生するようにした。
【００２０】図１は、実施例に用いたランプアニール炉
の構造を示す図である。ミラーポリッシュ加工後のウェ
ーハ１は、炉芯管２内に収容されて炉内に投入され、ハ
ロゲンランプ３によって直接加熱される構造になってい
る。炉内の雰囲気は酸素雰囲気であり、熱処理中はウェ
ーハ温度測定部４を通してウェーハ表面温度が測定でき
るようになっている。
の構造を示す図である。ミラーポリッシュ加工後のウェ
ーハ１は、炉芯管２内に収容されて炉内に投入され、ハ
ロゲンランプ３によって直接加熱される構造になってい
る。炉内の雰囲気は酸素雰囲気であり、熱処理中はウェ
ーハ温度測定部４を通してウェーハ表面温度が測定でき
るようになっている。
【００２１】ウェーハの熱処理条件は３種類とし、それ
ぞれの条件を表１に示す。ウェーハの投入は、炉内温度
が500℃の状態で炉内に投入され、その後直ちに昇温プ
ロセスに入り、目標の熱処理温度で30sec保持される。
熱処理を終了した後の炉内からのウェーハの取り出し
は、パイロメータで測定されたウェーハ温度が600℃に
なったことを確認して行われ、その後は室温まで冷却さ
れる。
ぞれの条件を表１に示す。ウェーハの投入は、炉内温度
が500℃の状態で炉内に投入され、その後直ちに昇温プ
ロセスに入り、目標の熱処理温度で30sec保持される。
熱処理を終了した後の炉内からのウェーハの取り出し
は、パイロメータで測定されたウェーハ温度が600℃に
なったことを確認して行われ、その後は室温まで冷却さ
れる。
【００２２】
【表１】
【００２３】図２は、ウェーハの結晶表面の酸素誘起積
層欠陥を検出して、その評価を行うための熱処理パター
ンを示す図である。ランプアニール炉で熱処理されたウ
ェーハは、図２に示すヒートパターンによって、酸素誘
起積層欠陥の検出用熱処理が施され、選択エッチング法
で欠陥密度の測定を行った。
層欠陥を検出して、その評価を行うための熱処理パター
ンを示す図である。ランプアニール炉で熱処理されたウ
ェーハは、図２に示すヒートパターンによって、酸素誘
起積層欠陥の検出用熱処理が施され、選択エッチング法
で欠陥密度の測定を行った。
【００２４】図３は、実施例における酸素誘起積層欠陥
（OSF）の密度とウェーハの中心からの距離との関係を
示す図である。同図から明らかなように、本発明で規定
する条件、すなわち、昇温および降温速度が10℃/sec以
上のランプアニール炉を用いて1100℃以上の熱処理を行
うことによって、R-OSF上の酸素誘起積層欠陥の密度は
減少している。その減少幅は最大の密度を示す位置にお
いて著しく（図３においてはウェーハ中心から85mmの位
置）、25％程度減少している。
（OSF）の密度とウェーハの中心からの距離との関係を
示す図である。同図から明らかなように、本発明で規定
する条件、すなわち、昇温および降温速度が10℃/sec以
上のランプアニール炉を用いて1100℃以上の熱処理を行
うことによって、R-OSF上の酸素誘起積層欠陥の密度は
減少している。その減少幅は最大の密度を示す位置にお
いて著しく（図３においてはウェーハ中心から85mmの位
置）、25％程度減少している。
【００２５】次ぎに、R-OSFの発生する幅を調査した。
ランプアニール炉で900℃および1000℃の熱処理を行っ
たウェーハに、図２に示す酸素誘起積層欠陥の検出用熱
処理を施して、Ｘ線トポグラフィーでR-OSFを観察する
と、R-OSFの幅は６mmであった。参考のために、ミラー
ポリッシュ加工のままでランプアニール炉で熱処理を行
っていないウェーハを、同様に観察すると、R-OSFの幅
は６mmであった。これに対し、1100℃の熱処理を行った
ウェーハを、同様の処理をして、Ｘ線トポグラフィーで
R-OSFを観察すると、R-OSF幅は４mmまで収縮していた。
これは、R-OSF面積に換算すると、35％のR-OSF面積が収
縮したことになる。
ランプアニール炉で900℃および1000℃の熱処理を行っ
たウェーハに、図２に示す酸素誘起積層欠陥の検出用熱
処理を施して、Ｘ線トポグラフィーでR-OSFを観察する
と、R-OSFの幅は６mmであった。参考のために、ミラー
ポリッシュ加工のままでランプアニール炉で熱処理を行
っていないウェーハを、同様に観察すると、R-OSFの幅
は６mmであった。これに対し、1100℃の熱処理を行った
ウェーハを、同様の処理をして、Ｘ線トポグラフィーで
R-OSFを観察すると、R-OSF幅は４mmまで収縮していた。
これは、R-OSF面積に換算すると、35％のR-OSF面積が収
縮したことになる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の高品質シリコンウェーハの製造
方法によれば、ウェーハの結晶面内に発生するR-OSFに
存在する酸素誘起積層欠陥の析出核を溶解、または収縮
させることができるので、検出用熱処理によって顕在化
するR-OSFの幅を減少させ、デバイス特性に優れた基板
材料を提供することができる。
方法によれば、ウェーハの結晶面内に発生するR-OSFに
存在する酸素誘起積層欠陥の析出核を溶解、または収縮
させることができるので、検出用熱処理によって顕在化
するR-OSFの幅を減少させ、デバイス特性に優れた基板
材料を提供することができる。
【図１】実施例に用いたランプアニール炉の構造を示す
図である。
図である。
【図２】ウェーハの結晶表面の酸素誘起積層欠陥を検出
して、その評価を行うための熱処理パターンを示す図で
ある。
して、その評価を行うための熱処理パターンを示す図で
ある。
【図３】実施例における酸素誘起積層欠陥（OSF）の密
度とウェーハの中心からの距離との関係を示す図であ
る。
度とウェーハの中心からの距離との関係を示す図であ
る。
１：ウェーハ、 ２：炉芯管 ３：ハロゲンランプ ４：ウェーハ温度測定部
Claims (2)
- 【請求項１】チョクラルスキー法によって育成され、酸
素濃度が13×lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にリ
ング状の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコン単結晶を
切断加工してシリコンウェーハとしたのち、該シリコン
ウェーハを昇温および降温速度が10℃/sec以上で1100℃
以上の熱処理を行うことを特徴とする高品質シリコンウ
ェーハの製造方法。 - 【請求項２】上記の熱処理がランプアニール炉を用いて
行われることを特徴とする請求項１記載の高品質シリコ
ンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34972297A JP3937542B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 高品質シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34972297A JP3937542B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 高品質シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001106594A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| DE10052411A1 (de) * | 2000-10-23 | 2002-05-16 | Mitsubishi Material Silicon | Siliciumwafer und Wärmebehandlungsverfahren desselben und der wärmebehandelte Siliciumwafer |
| DE10052411B4 (de) * | 2000-10-23 | 2008-07-31 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Wärmebehandlungsverfahren eines Siliciumwafers und der wärmebehandelte Siliciumwafer |
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| JP2002134577A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの評価方法 |
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