JPS63152387A - 7−アシルアミノ−3−ビニル セファロスポラン酸誘導体 - Google Patents
7−アシルアミノ−3−ビニル セファロスポラン酸誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、新規な7−アシルアミノ−3−ビニルセフ
ァロスポラン酸誘導体およびその医薬上許容される塩類
に関するものである。
ァロスポラン酸誘導体およびその医薬上許容される塩類
に関するものである。
さらに詳しく述べると、この発明は、抗菌活性を有する
新規な7−アシルアミノ−3−ビニルセファロスポラン
酸誘導体およびその医薬上許容される塩類に関するもの
である。
新規な7−アシルアミノ−3−ビニルセファロスポラン
酸誘導体およびその医薬上許容される塩類に関するもの
である。
したがって、この発明の目的は、多数の病原性微生物に
対して優れた抗菌活性を示し、抗菌性薬剤、特に経口投
与用薬剤として有用な新規?−アシルアミノー3−ビニ
ルセファロスポラン酸誘導体およびその医薬上許容きれ
る塩類を提供するにある。
対して優れた抗菌活性を示し、抗菌性薬剤、特に経口投
与用薬剤として有用な新規?−アシルアミノー3−ビニ
ルセファロスポラン酸誘導体およびその医薬上許容きれ
る塩類を提供するにある。
この発明の7−アシルアミノ−3−ビニルセフ了ロスボ
ラン酸誘導体は、新規化合物であり、下記一般式により
表わすことができる。
ラン酸誘導体は、新規化合物であり、下記一般式により
表わすことができる。
[式中、R1は次式
(式中、Rは低級アルキル基、R4はアミノ基、または
保護されたアミノ基を意味する)により示される基、R
2はカルボキシ基、または保護されたカルボキシ基、A
はアミノ、保護きれたアミン、および式 N−OR”(シン型) (式中、R5は低級アルキル基または、カルボキシ、も
しくは保護されたカルボキシで置換きれた低級アルキル
基を意味する) で示される基の中から選ばれた置換基を有していてもよ
い低級アルキレン基を意味する]=4− 下記の方法1および6中の目的化合物(I)および対応
する原料化合物(If)ないしくIV>において、これ
ら化合物中の不斉戻素原子に基づき、光学異性体の如き
1個または2個以上の立体異性体の対が存在し得るが、
これらの異性体は何れもこの発明に包含きれるものとす
る。
保護されたアミノ基を意味する)により示される基、R
2はカルボキシ基、または保護されたカルボキシ基、A
はアミノ、保護きれたアミン、および式 N−OR”(シン型) (式中、R5は低級アルキル基または、カルボキシ、も
しくは保護されたカルボキシで置換きれた低級アルキル
基を意味する) で示される基の中から選ばれた置換基を有していてもよ
い低級アルキレン基を意味する]=4− 下記の方法1および6中の目的化合物(I)および対応
する原料化合物(If)ないしくIV>において、これ
ら化合物中の不斉戻素原子に基づき、光学異性体の如き
1個または2個以上の立体異性体の対が存在し得るが、
これらの異性体は何れもこの発明に包含きれるものとす
る。
目的化合物(1>の適当な塩類としては、医薬上許容さ
れる塩類特に慣用される非毒性塩が含まれ、塩基との塩
類および酸付加塩、すなわち無機塩基との塩類、例えば
ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシ
ウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩、アン
モニウム塩、有機塩基との塩類、例えばトリエチルアミ
ン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、エタノールアミン塩、
トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、
N、N’ −ジベンジルエチレンジアミン塩等の有機
アミン塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の
無&!酸付加塩、ぎ酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩
、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベン
ゼンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩等の有機
カルボン酸またはスルホン酸付加塩、アルギニン、アス
パラギン酸、グルタミン酸等の塩基性または酸性アミノ
酸との塩類等が含まれる。
れる塩類特に慣用される非毒性塩が含まれ、塩基との塩
類および酸付加塩、すなわち無機塩基との塩類、例えば
ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシ
ウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩、アン
モニウム塩、有機塩基との塩類、例えばトリエチルアミ
ン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、エタノールアミン塩、
トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、
N、N’ −ジベンジルエチレンジアミン塩等の有機
アミン塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の
無&!酸付加塩、ぎ酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩
、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベン
ゼンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩等の有機
カルボン酸またはスルホン酸付加塩、アルギニン、アス
パラギン酸、グルタミン酸等の塩基性または酸性アミノ
酸との塩類等が含まれる。
この発明によると、目的化合物(1)およびその塩類は
下記反応式の方法により製造される。
下記反応式の方法により製造される。
(1)方法1
(II)
(I)またはその塩類
(2)方法2
(1−a)またはその塩類
(I−b)またはその塩類
(3)方法3
(I−c)またはその塩類
(I−d)またはその塩類
(4)方法4
(I−d)またはその塩類
(1−c)またはその塩類
(5)方法5
(I−e)またはその塩類
(I−f)またはその塩類
(6)方法6
(IV)またはその塩類
(I)またはその塩類
(7)方法7
(I−f)またはその塩類
(I−e)またはその塩類
1l−
(8)方法8
(I−g)またはその塩類
(I−h)またはその塩類
(9)方法9
(I−i)またはその塩類
(I−Dまたはその塩類
[式中、R1、R2およびAは前と同し意味、R1は次
式 (式中、Rは保護されたアミノ基を意味する)により示
される基、 R1は次式 により示きれる基、 R2は保護されたカルボキシ基、R6はアリール基、A
1は式 N−0R(シン型) (式中、R5は保護されたカルボキシで置換された低級
アルキル基を意味する) で示される基を有する低級アルキレン基、A2は式 (式中、R5はカルボキシで置換された低級アルキル基
を意味する) で示される基を有する低級アルキレン基 A3は保護さ
れたアミンを有する低級アルキレン基、A はアミンを
有する低級アルキレン基 A5はオキソを有する低級ア
ルキレン基 A6は式N−0R5(シン型) (式中、R5は前と同じ意味) で示される基を有する低級アルキレン基を意味するコ 方法1.6および9で用いる原料化合物(I[)、(I
[[)、(It/)および(V)のうちあるものは新規
化合物であり、例えば製造例に示す方法により製造され
る。
式 (式中、Rは保護されたアミノ基を意味する)により示
される基、 R1は次式 により示きれる基、 R2は保護されたカルボキシ基、R6はアリール基、A
1は式 N−0R(シン型) (式中、R5は保護されたカルボキシで置換された低級
アルキル基を意味する) で示される基を有する低級アルキレン基、A2は式 (式中、R5はカルボキシで置換された低級アルキル基
を意味する) で示される基を有する低級アルキレン基 A3は保護さ
れたアミンを有する低級アルキレン基、A はアミンを
有する低級アルキレン基 A5はオキソを有する低級ア
ルキレン基 A6は式N−0R5(シン型) (式中、R5は前と同じ意味) で示される基を有する低級アルキレン基を意味するコ 方法1.6および9で用いる原料化合物(I[)、(I
[[)、(It/)および(V)のうちあるものは新規
化合物であり、例えば製造例に示す方法により製造され
る。
上記および下記の説明において、種々の定義に含まれる
適当な例を詳細に説明すると次の通りである。
適当な例を詳細に説明すると次の通りである。
低級の語は、特にことわらない限り、工ないし7個の炭
素原子を有する基を含むものとして用いる。
素原子を有する基を含むものとして用いる。
適当な低級アルキルとしては、直鎖または分枝状の基、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチ
ル、ヘキシル等が含まれ、そのうち次素数1ないし4の
アルキルが好ましい。
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチ
ル、ヘキシル等が含まれ、そのうち次素数1ないし4の
アルキルが好ましい。
適当な保護されたアミノとしては、ペニシリンおよびセ
ファロスポリン化合物で用いられる慣用アミノ保護基、
例えば後述のアシル、例えばベンジル、ベンズヒドリル
、トリチル等のモノ(もしくはジもしくはトリ)フェニ
ル(低級)アルキルのようなアル(低級)アルキル、1
−メトキシカルボニル−1−プロペン−2−イル等の低
級アルコキシカルボニル(低級)アルキリデンもしくは
そのエナミン互変異性体、ジメチルアミノメチレン等の
ジ(低級)アルキルアミノメチレン等で置換きれたアミ
ン基が含まれる。
ファロスポリン化合物で用いられる慣用アミノ保護基、
例えば後述のアシル、例えばベンジル、ベンズヒドリル
、トリチル等のモノ(もしくはジもしくはトリ)フェニ
ル(低級)アルキルのようなアル(低級)アルキル、1
−メトキシカルボニル−1−プロペン−2−イル等の低
級アルコキシカルボニル(低級)アルキリデンもしくは
そのエナミン互変異性体、ジメチルアミノメチレン等の
ジ(低級)アルキルアミノメチレン等で置換きれたアミ
ン基が含まれる。
適当なアシルとしては、脂肪族アシル、芳香族アシル、
複素環式アシル、および芳香族基または複素環式基で置
換された脂肪族アシルが含まれる。
複素環式アシル、および芳香族基または複素環式基で置
換された脂肪族アシルが含まれる。
脂肪族アシルとしては、飽和もしくは不飽和、非環式も
しくは環式のものが含まれ、例えばホルミル、アセチル
、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、
インバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アル
カノイル、メシル、エタンスルホニル、プロパンスルホ
ニル等の低級アルカンスルホニル、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル トキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル等の低級
アルコキシカルボニル、アクリロイル、メタクリロイル
、クロトノイル等の低級アルケノイル、シクロヘキサン
カルボニル クロアルカンカルボニル、アミジノ等が含まれ芳香族ア
シルとしては、例えばベンゾイル、トルオイル、キジロ
イル等のアロイル、ベンゼンスルホニル、トシル等のア
レーンスルホニル等が含まれる。
しくは環式のものが含まれ、例えばホルミル、アセチル
、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、
インバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アル
カノイル、メシル、エタンスルホニル、プロパンスルホ
ニル等の低級アルカンスルホニル、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル トキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル等の低級
アルコキシカルボニル、アクリロイル、メタクリロイル
、クロトノイル等の低級アルケノイル、シクロヘキサン
カルボニル クロアルカンカルボニル、アミジノ等が含まれ芳香族ア
シルとしては、例えばベンゾイル、トルオイル、キジロ
イル等のアロイル、ベンゼンスルホニル、トシル等のア
レーンスルホニル等が含まれる。
複素環式アシルとしては、例えばフロイル、テノイル、
ニコチノイル、インニコチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、チアジアゾリル、カルボニル、テトラゾリルカルボ
ニル等の複素環カルボニル等が含まれる。
ニコチノイル、インニコチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、チアジアゾリル、カルボニル、テトラゾリルカルボ
ニル等の複素環カルボニル等が含まれる。
芳香族基で置換された脂肪族アシルとしては、ツユニル
アセチル、フェニルプロピオニル、フェニルヘキサノイ
ル等のフェニル(低級)アルカノイルのようなアル(低
級)アルカノイル、ベンジルオキシカルボニル ル等のフェニル(低級)アルコキシカルボニルのような
アル(低級)アルコキシカルボニル、フェノキシアセチ
ル、フェノキシプロビオニル等のフェノキシ(低級)ア
ルカノイル等が含まれる。
アセチル、フェニルプロピオニル、フェニルヘキサノイ
ル等のフェニル(低級)アルカノイルのようなアル(低
級)アルカノイル、ベンジルオキシカルボニル ル等のフェニル(低級)アルコキシカルボニルのような
アル(低級)アルコキシカルボニル、フェノキシアセチ
ル、フェノキシプロビオニル等のフェノキシ(低級)ア
ルカノイル等が含まれる。
複素環式基で置換された脂肪族アシルとしては、チェニ
ルアセチノ呟 イミダゾリルアセチノ呟フリルアセチル
、テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジ
アゾリルアセチル、チェニルプロピオニル、チアジアゾ
リルプロピオニル等が含まれる。
ルアセチノ呟 イミダゾリルアセチノ呟フリルアセチル
、テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジ
アゾリルアセチル、チェニルプロピオニル、チアジアゾ
リルプロピオニル等が含まれる。
これらのアシル基に、さらに1個または2個以上の適当
な基で置換されていてもよい。適当な置 ゛換
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、プチノ呟ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル、塩素
、臭素、よう素、ふっ素等のハロゲン、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ、メチル
チオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、
ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等のイ氏級ア
ルキルチオ、ニトロ等が含まれ、このような置換基を有
する適当なアシルとしては、クロロアセチル、ブロモア
セチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等の
モノ(もしくはジもしくはトリ)ハロ(低級)アルカノ
イル、クロロメトキシカルボニノ呟 ジクロロメトキシ
カルボニル2、2−トリクロロエトキシカルボニル等の
モノ(もしくはジもしくはトリ)ハロ(低級)アルコキ
シカルボニル ベンジルオキシカルボニル等のニトロ(もしくはハロも
しくは低級アルコキシ)フェニル(低級)アルフキジカ
ルボニル等が含まれる。
な基で置換されていてもよい。適当な置 ゛換
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、プチノ呟ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル、塩素
、臭素、よう素、ふっ素等のハロゲン、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ、メチル
チオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、
ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等のイ氏級ア
ルキルチオ、ニトロ等が含まれ、このような置換基を有
する適当なアシルとしては、クロロアセチル、ブロモア
セチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等の
モノ(もしくはジもしくはトリ)ハロ(低級)アルカノ
イル、クロロメトキシカルボニノ呟 ジクロロメトキシ
カルボニル2、2−トリクロロエトキシカルボニル等の
モノ(もしくはジもしくはトリ)ハロ(低級)アルコキ
シカルボニル ベンジルオキシカルボニル等のニトロ(もしくはハロも
しくは低級アルコキシ)フェニル(低級)アルフキジカ
ルボニル等が含まれる。
適当な保護されたカルボキシとしては、ペニシリンまた
はセファロスボリン化合物の3位または4位で慣用きれ
るエステル化きれたカルボキシが含まれる。
はセファロスボリン化合物の3位または4位で慣用きれ
るエステル化きれたカルボキシが含まれる。
エステル化されたカルボキシにおける適当なエステル部
分としては、メチルエステj呟エチルエステル、プロピ
ルエステル呟 イソプロピルエステル、ブチルエステJ
呟 イソブチルエステノ呟第3級フテルエステル、ペン
チルエステル、第3級ペンチルエステル、ヘキシルエス
テル等の低級アルキルエステル、ビニルエステル、アリ
ルエステル等の低級アルケニルエステル、エチニルエス
テル、プロピニルエステル等の低級アルキニルエステル
、メトキシメチルエステノ呟エトキシメチルエステル、
イソプロポキシメチルエステル、1−メトキシエチルエ
ステル、1−エトキシエチルエステル等の低級アルコキ
シ(低級)アルキルエステル、メチルチオメチルエステ
ル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエス
テル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アルキ
ルチオ(低級)アリルエステノ呟 2−アミノ−2ーカ
ルボキシエチルエステル、3−アミノ−3−カルボキシ
プロピルエステル停のアミノおよびカルボキシ[換低級
アルキルエステノ呟 2−第3級ブトキシカルボニルア
ミノ−2−ベンズヒドリルオキシカルボニルエチルエス
テル、3−第3級ブトキシカルボニルアミノ−3−ベン
ズヒドリルオキシカルボニルプロビルエステル等の低級
アルコキシカルボニルアミノ くはトリ)フェニル(低級)アルフキジカルボニル置換
低級アルキルエステルのような保護されたアミンおよび
保護されたカルボキシ置換低級アルキルエステル、2−
ヨードエチルエステル、2゜2.2−トリクロロエチル
エステル等のモノ(モしくはジもしくはトリ)ハロ(低
級)アルキルエステル、アセトキシメチルエステル、プ
ロピオニルオキジメチルエステル、ブチリルオキシメチ
ルエステル、イソブチリルオキシメチルエステル、バレ
リルオキジメチルエステル、ピバロイルオキシメチルエ
ステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、2−アセ
トキシエチルエステル、2−プロピオニルオキシエチル
エステル、1−アセトキシプロピルエステル等の低級ア
ルカノイルオキシ(低級)アルキルエステル、メシルメ
チルエステル、2−メシルエチルエステル等の低級アル
カンスルホニル(低級)アルキルエステノ呟ベンジルエ
ステル、4−メトキシベンジルエステル、4−二トロベ
ンジルエステル、フェネチルエステノ呟トリチルエステ
ル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メトキシフェニル
)メチルエステル、3,4−ジメトキシベンジルエステ
ノ呟 4−ヒドロキシ−3,5−ジ第3級ブチルベンジ
ルエステル等の1個または2個以上の適当な置換基を有
していてもよいモノ(もしくはジーもしくはトリ)フェ
ニル(低級)アルキルエステルのような1個または2個
以上の置換基を有していてもよいアル(低級)アルキル
エステル、フェニルエステル、トリルエステル、第3f
aフチルフエニルエステル、キシリルエステル、メシチ
ルエステル、クメニルエステル、サリチルエステル等の
1個または2個以上の適当な置換基を有していてもよい
アリールエステル、フタリジルエステル等の複素環式エ
ステル等が含まれる。
分としては、メチルエステj呟エチルエステル、プロピ
ルエステル呟 イソプロピルエステル、ブチルエステJ
呟 イソブチルエステノ呟第3級フテルエステル、ペン
チルエステル、第3級ペンチルエステル、ヘキシルエス
テル等の低級アルキルエステル、ビニルエステル、アリ
ルエステル等の低級アルケニルエステル、エチニルエス
テル、プロピニルエステル等の低級アルキニルエステル
、メトキシメチルエステノ呟エトキシメチルエステル、
イソプロポキシメチルエステル、1−メトキシエチルエ
ステル、1−エトキシエチルエステル等の低級アルコキ
シ(低級)アルキルエステル、メチルチオメチルエステ
ル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエス
テル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アルキ
ルチオ(低級)アリルエステノ呟 2−アミノ−2ーカ
ルボキシエチルエステル、3−アミノ−3−カルボキシ
プロピルエステル停のアミノおよびカルボキシ[換低級
アルキルエステノ呟 2−第3級ブトキシカルボニルア
ミノ−2−ベンズヒドリルオキシカルボニルエチルエス
テル、3−第3級ブトキシカルボニルアミノ−3−ベン
ズヒドリルオキシカルボニルプロビルエステル等の低級
アルコキシカルボニルアミノ くはトリ)フェニル(低級)アルフキジカルボニル置換
低級アルキルエステルのような保護されたアミンおよび
保護されたカルボキシ置換低級アルキルエステル、2−
ヨードエチルエステル、2゜2.2−トリクロロエチル
エステル等のモノ(モしくはジもしくはトリ)ハロ(低
級)アルキルエステル、アセトキシメチルエステル、プ
ロピオニルオキジメチルエステル、ブチリルオキシメチ
ルエステル、イソブチリルオキシメチルエステル、バレ
リルオキジメチルエステル、ピバロイルオキシメチルエ
ステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、2−アセ
トキシエチルエステル、2−プロピオニルオキシエチル
エステル、1−アセトキシプロピルエステル等の低級ア
ルカノイルオキシ(低級)アルキルエステル、メシルメ
チルエステル、2−メシルエチルエステル等の低級アル
カンスルホニル(低級)アルキルエステノ呟ベンジルエ
ステル、4−メトキシベンジルエステル、4−二トロベ
ンジルエステル、フェネチルエステノ呟トリチルエステ
ル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メトキシフェニル
)メチルエステル、3,4−ジメトキシベンジルエステ
ノ呟 4−ヒドロキシ−3,5−ジ第3級ブチルベンジ
ルエステル等の1個または2個以上の適当な置換基を有
していてもよいモノ(もしくはジーもしくはトリ)フェ
ニル(低級)アルキルエステルのような1個または2個
以上の置換基を有していてもよいアル(低級)アルキル
エステル、フェニルエステル、トリルエステル、第3f
aフチルフエニルエステル、キシリルエステル、メシチ
ルエステル、クメニルエステル、サリチルエステル等の
1個または2個以上の適当な置換基を有していてもよい
アリールエステル、フタリジルエステル等の複素環式エ
ステル等が含まれる。
適当な低級アルキレンとしては、直鎖または分枝状の基
、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレ
ン、テトラメチレン、ヘキサメチレン等が含まれ、その
うち炭素数1ないし2のアルキレンが好ましく、メチレ
ンが最も好ましい。
、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレ
ン、テトラメチレン、ヘキサメチレン等が含まれ、その
うち炭素数1ないし2のアルキレンが好ましく、メチレ
ンが最も好ましい。
適当なアリールとしては、フェニル、トリル、キシリル
、ナフチル等が含まれる。
、ナフチル等が含まれる。
目的化合物(I)のR1、R2およびAにおける特に好
ましいものは、次の通りである。
ましいものは、次の通りである。
次式R’A−で示される基としては、式で示される基が
好ましく、上式中R1としては、アミノチアジアゾリル
(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,4−チアジア
ゾール−3−イル)、アミノオキサジアゾリル(さらに
好ましくは5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール
−3−イル)、アミノピリジル(さらに好ましくは6−
アミノピリジン−2−イル)、アミノピリミジニル(さ
らに好ましくは4−アミノピリミジン−2−イル)、ジ
(低級)アルキルアミノメチレンアミノチアジアゾリル
(さらに好ましくは5−ジメチルアミノメチレンアミノ
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル等の5−ジ(
低級)アルキルアミノメチレンアミノ−1,2,4−チ
アジアゾール−3−イル)、シ(低級)アルキルアミノ
メチレンアミノオキサジアゾリル(さらに好ましくは5
−ジメチルアミノメチレンアミノ−1,2,4−才キサ
ジアゾール−3−イル等の5−ジ(低級)アルキルアミ
ノメチレンアミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3
−イル)、またはアシルアミノピリジル(きらに好まし
くは6−ホルムアミドピリジン−2−イル等の6−低級
アルカンアミドピリジン−2−イル)が含まれ、R5と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル、カルボキ
シメチル、1−カルボキシエチル シエチル、3−カルボキシプロピル、1−カルボキシ−
1−メチルエチル等のカルボキシ(低級)アルキル、エ
ステル化されたカルボキシ(低級)アルキル(きらに好
ましくはメトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニ
ルメチル、第3級ブトキシカルボニルメチル ボニルエチル、3−第3級ブトキシカルボニルプロヒル
、1−第3級ブトキシカルボニル−1−メチルエチル等
の低級アルコキシカルボニル(低級)アルキル)が含ま
れる。
好ましく、上式中R1としては、アミノチアジアゾリル
(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,4−チアジア
ゾール−3−イル)、アミノオキサジアゾリル(さらに
好ましくは5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール
−3−イル)、アミノピリジル(さらに好ましくは6−
アミノピリジン−2−イル)、アミノピリミジニル(さ
らに好ましくは4−アミノピリミジン−2−イル)、ジ
(低級)アルキルアミノメチレンアミノチアジアゾリル
(さらに好ましくは5−ジメチルアミノメチレンアミノ
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル等の5−ジ(
低級)アルキルアミノメチレンアミノ−1,2,4−チ
アジアゾール−3−イル)、シ(低級)アルキルアミノ
メチレンアミノオキサジアゾリル(さらに好ましくは5
−ジメチルアミノメチレンアミノ−1,2,4−才キサ
ジアゾール−3−イル等の5−ジ(低級)アルキルアミ
ノメチレンアミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3
−イル)、またはアシルアミノピリジル(きらに好まし
くは6−ホルムアミドピリジン−2−イル等の6−低級
アルカンアミドピリジン−2−イル)が含まれ、R5と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル、カルボキ
シメチル、1−カルボキシエチル シエチル、3−カルボキシプロピル、1−カルボキシ−
1−メチルエチル等のカルボキシ(低級)アルキル、エ
ステル化されたカルボキシ(低級)アルキル(きらに好
ましくはメトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニ
ルメチル、第3級ブトキシカルボニルメチル ボニルエチル、3−第3級ブトキシカルボニルプロヒル
、1−第3級ブトキシカルボニル−1−メチルエチル等
の低級アルコキシカルボニル(低級)アルキル)が含ま
れる。
また、式R−A−で示される基として R1がアミノチ
アジアゾリル(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,
4−チアジアゾール−3−イル、5−アミノ−1,3,
4−チアジアゾール−2−イル)、アミノオキサジアゾ
リル(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,4−才キ
サジアゾール−3−イル)、アミノテトラゾリル(許ら
に好ましくは、5−アミノ−2H−テトラゾール−2−
イル)、モノもしくはジもしくはトリフェニル(低級)
アルキルアミノチアジアゾリル(さらに好ましくは5−
トリチルアミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イ
ル、5−トリチルアミノ−1,3゜4−チアジアゾール
−2−イル等)、モノもしくジもしくはトリフェニル(
低級)アルキルアミノテトラゾリル(さらに好ましくは
5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−イル)
、または式 (式中、R3はメチノ呟エチノ呟プロピル、イソプロピ
ノ呟ブチル、ペンチル、ヘキシル等の低級アルキルを意
味する) であり、Aがメチレン、アミノメチレンまたはアシルア
ミノメチレン(さらに好ましくは第3級ブトキシカルボ
ニルアミノメチレン等の低級アルコキシカルボニルアミ
ノメチレン)である基が含まれる。
アジアゾリル(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,
4−チアジアゾール−3−イル、5−アミノ−1,3,
4−チアジアゾール−2−イル)、アミノオキサジアゾ
リル(さらに好ましくは5−アミノ−1,2,4−才キ
サジアゾール−3−イル)、アミノテトラゾリル(許ら
に好ましくは、5−アミノ−2H−テトラゾール−2−
イル)、モノもしくはジもしくはトリフェニル(低級)
アルキルアミノチアジアゾリル(さらに好ましくは5−
トリチルアミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イ
ル、5−トリチルアミノ−1,3゜4−チアジアゾール
−2−イル等)、モノもしくジもしくはトリフェニル(
低級)アルキルアミノテトラゾリル(さらに好ましくは
5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−イル)
、または式 (式中、R3はメチノ呟エチノ呟プロピル、イソプロピ
ノ呟ブチル、ペンチル、ヘキシル等の低級アルキルを意
味する) であり、Aがメチレン、アミノメチレンまたはアシルア
ミノメチレン(さらに好ましくは第3級ブトキシカルボ
ニルアミノメチレン等の低級アルコキシカルボニルアミ
ノメチレン)である基が含まれる。
R2としては、カルボキシ、またはエステル化されたカ
ルボキシ(さらに好ましくはベンズヒドリルオキシカル
ボニル等のモノもしくはジもしくはトリフェニル(低級
)アルコキシカルボニル、アセトキシメトキシカルボニ
ル ジメトキシカルボニル キシカルボニル ボニル 級アルカノイルオキシ(イ氏級)アルコキシカルボニル
が含まれる。
ルボキシ(さらに好ましくはベンズヒドリルオキシカル
ボニル等のモノもしくはジもしくはトリフェニル(低級
)アルコキシカルボニル、アセトキシメトキシカルボニ
ル ジメトキシカルボニル キシカルボニル ボニル 級アルカノイルオキシ(イ氏級)アルコキシカルボニル
が含まれる。
目的化合物(I)の製造における方法工ないし9を詳し
く説明すると次の通りである。
く説明すると次の通りである。
〈1)方法1
化合物(1)またはその塩類は、化合物(I[)もしく
はそのアミン基における反応性誘導体またはそれらの塩
類に、化合物(I[>もしくはそのカルボキシ基におけ
る反応性誘導体またはそれらの塩類を反応させることに
より製造される。
はそのアミン基における反応性誘導体またはそれらの塩
類に、化合物(I[>もしくはそのカルボキシ基におけ
る反応性誘導体またはそれらの塩類を反応させることに
より製造される。
原料化合物(I)および(I[[)の適当な塩類として
は、化合物(I>について述べたのと同種のものが含ま
れる。
は、化合物(I>について述べたのと同種のものが含ま
れる。
化合物(I[>のアミノ基における適当な反応性誘導体
としては、慣用きれるものが含まれ、例えばビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド、トリメチルシリルアセト
アミド等のシリル化合物との反応で得られるシリル誘導
体、インシアネート、インチオシアネート、アミン基と
アセトアルデヒド、イソベントアルデヒド、ベンズアル
デヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、m−クロロベンズア
ルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、ヒドロキシナ
フトアルデヒド、フルフラール、チオフエンカルボアル
デヒド等のアルデヒド化合物、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、
アセト酢酸エチル等のケトン化合物等のカルボニル化合
物との反応で得られるシッフ塩基またはその互変異性体
が含まれる。
としては、慣用きれるものが含まれ、例えばビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド、トリメチルシリルアセト
アミド等のシリル化合物との反応で得られるシリル誘導
体、インシアネート、インチオシアネート、アミン基と
アセトアルデヒド、イソベントアルデヒド、ベンズアル
デヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、m−クロロベンズア
ルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、ヒドロキシナ
フトアルデヒド、フルフラール、チオフエンカルボアル
デヒド等のアルデヒド化合物、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、
アセト酢酸エチル等のケトン化合物等のカルボニル化合
物との反応で得られるシッフ塩基またはその互変異性体
が含まれる。
化合物(I[[)のカルボキシ基における適当な反応性
誘導体としては、酸ハライド、酸無水物、活性アミド、
活性エステル等が含まれ、そのうち好ましいものとして
は、酸クロライド、酸ブロマイド、置換燐酸(例えばジ
アルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジベン
ジル燐酸、ハロゲン化燐酸)混合無水物、ジアルキル亜
燐酸混合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水
物、硫酸混合無水物、アルキル炭酸(例えばメチル炭酸
、エチル炭酸、プロピルM.酸等)混合無水物、脂肪族
カルボン酸(例えばビバル酸、ペンタン酸、イソペンタ
ン酸、2−エチルブタン酸、トリクロロ酢酸等)混合無
水物、芳香族カルボン酸(例えば安息香酸等)混合無水
物等の混合酸無水物、対称型酸無水物、イミダゾール、
4−置換イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾ
ール、テトラゾール等のイミノ基含有複素環化合物との
活性アミド、p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジ
ニトロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル
、ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエ
ステル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−タレジ
ルチオエステル、カルボキシメチルチオエステル エステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチオエス
テル、N−ヒドロキシ化合物(例えばN。
誘導体としては、酸ハライド、酸無水物、活性アミド、
活性エステル等が含まれ、そのうち好ましいものとして
は、酸クロライド、酸ブロマイド、置換燐酸(例えばジ
アルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジベン
ジル燐酸、ハロゲン化燐酸)混合無水物、ジアルキル亜
燐酸混合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水
物、硫酸混合無水物、アルキル炭酸(例えばメチル炭酸
、エチル炭酸、プロピルM.酸等)混合無水物、脂肪族
カルボン酸(例えばビバル酸、ペンタン酸、イソペンタ
ン酸、2−エチルブタン酸、トリクロロ酢酸等)混合無
水物、芳香族カルボン酸(例えば安息香酸等)混合無水
物等の混合酸無水物、対称型酸無水物、イミダゾール、
4−置換イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾ
ール、テトラゾール等のイミノ基含有複素環化合物との
活性アミド、p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジ
ニトロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル
、ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエ
ステル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−タレジ
ルチオエステル、カルボキシメチルチオエステル エステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチオエス
テル、N−ヒドロキシ化合物(例えばN。
N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒドロキシ−2
(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシフタルイミド、N
−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール、1−ヒドロキシ−6−クロロベンゾトリアゾ
ール等)とのエステル等の活性エステル等が含まれる。
(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシフタルイミド、N
−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒドロキシベンゾトリ
アゾール、1−ヒドロキシ−6−クロロベンゾトリアゾ
ール等)とのエステル等の活性エステル等が含まれる。
適当な反応性誘導体は、実際に用いる化合物(I[)、
(I[)の種類に応じて適宜選択きれる。
(I[)の種類に応じて適宜選択きれる。
この反応は、好ましくはリチウム、ナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属
、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属、水素化カ
ルシウム等の水素化アルカリ土類金属、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸水素アルカリ金
属、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトキサイド
、カリウム第3級ブトキサイド等のアルカリ金属アルフ
キザイド、酢酸ナトリウム等のアルカン酸アルカリ金属
、トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジン
、ルチジン、ピコリン等のピリジン化合物、キノリン等
のような有機または無機塩基の存在下に行なわれる。
ム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属
、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属、水素化カ
ルシウム等の水素化アルカリ土類金属、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸水素アルカリ金
属、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトキサイド
、カリウム第3級ブトキサイド等のアルカリ金属アルフ
キザイド、酢酸ナトリウム等のアルカン酸アルカリ金属
、トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジン
、ルチジン、ピコリン等のピリジン化合物、キノリン等
のような有機または無機塩基の存在下に行なわれる。
この反応において、化合物(I[[)を遊離酸またはそ
の塩の状態で使用する際は、例えばN,N’ −ジシ
クロヘキシルカルボジイミド キシル−N’−(4−ジエチルアミノシクロヘキシル)
カルボジイミド、N.N’ −ジエチルカルポジイミド
、N,N’ −ジイソプロピルカルボジイミド、N−エ
チル−N’ −(3−ジメチルアミノプロピル)カル
ボジイミド等のカルボジイミド化合物、N,N’ −カ
ルボニルビス(2−メチルイミダゾール)、ペンタメチ
レンケテン−N−シクロへキシルイミン、ジフェニルケ
テン−N−シクロヘキシルイミン等のケテンイミン化合
物、エトキシアセチレン、β−クロロビニルエチルエー
テル等のオレフィンもしくはアセチレンエーテル化合’
h、1 ( 4−クロロベンゼンスルホニルオキシ)
−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール化合物スルホン酸エステル、
トリアルキルホスファイトもしくはトリフェニルホスフ
ィンと4塩化次素、ジスルフィドもしくはジアゼンジ力
ルポキジレート(イ列えばジアゼンジカルボン酸ジエチ
ルエステル)との組合せ、ポリ燐酸エチル、ポリ燐酸イ
ソプロピノ呟塩化ホスホリル、3塩化燐等の燐化合物、
塩化チオニル、塩化オキサリル、N−エチルベンズイソ
キサゾリウム塩、N−エチル−5−フエニルイソオキサ
ゾリウムー3ースルホン酸、ジメチルホルムアミド等の
N,N−ジ(低級)アルキルホルムアミド、N−メチル
ホルムアミド等のアミド化合物と塩化チオニル、塩化ホ
スホリル、ホスゲン等のハロゲン化合物との反応で得ら
れるいわゆるビルスマイヤー試薬等の縮合剤の存在下に
行なうのが好ましい。
の塩の状態で使用する際は、例えばN,N’ −ジシ
クロヘキシルカルボジイミド キシル−N’−(4−ジエチルアミノシクロヘキシル)
カルボジイミド、N.N’ −ジエチルカルポジイミド
、N,N’ −ジイソプロピルカルボジイミド、N−エ
チル−N’ −(3−ジメチルアミノプロピル)カル
ボジイミド等のカルボジイミド化合物、N,N’ −カ
ルボニルビス(2−メチルイミダゾール)、ペンタメチ
レンケテン−N−シクロへキシルイミン、ジフェニルケ
テン−N−シクロヘキシルイミン等のケテンイミン化合
物、エトキシアセチレン、β−クロロビニルエチルエー
テル等のオレフィンもしくはアセチレンエーテル化合’
h、1 ( 4−クロロベンゼンスルホニルオキシ)
−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN−ヒド
ロキシベンゾトリアゾール化合物スルホン酸エステル、
トリアルキルホスファイトもしくはトリフェニルホスフ
ィンと4塩化次素、ジスルフィドもしくはジアゼンジ力
ルポキジレート(イ列えばジアゼンジカルボン酸ジエチ
ルエステル)との組合せ、ポリ燐酸エチル、ポリ燐酸イ
ソプロピノ呟塩化ホスホリル、3塩化燐等の燐化合物、
塩化チオニル、塩化オキサリル、N−エチルベンズイソ
キサゾリウム塩、N−エチル−5−フエニルイソオキサ
ゾリウムー3ースルホン酸、ジメチルホルムアミド等の
N,N−ジ(低級)アルキルホルムアミド、N−メチル
ホルムアミド等のアミド化合物と塩化チオニル、塩化ホ
スホリル、ホスゲン等のハロゲン化合物との反応で得ら
れるいわゆるビルスマイヤー試薬等の縮合剤の存在下に
行なうのが好ましい。
この反応は、通常水、アセトン、ジオキサン、アセトニ
トリル、クロロホルム、ベンゼン、塩化メチレン、エチ
レンクロライド、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N
,N−ジメチルホルムアミド、ピリジン、ヘキサメチル
ホスホルアミド等のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用
溶媒またはこれらの混合物中で行なわれる。これらの溶
媒中、親水性溶媒は水と混合して用いることができる。
トリル、クロロホルム、ベンゼン、塩化メチレン、エチ
レンクロライド、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N
,N−ジメチルホルムアミド、ピリジン、ヘキサメチル
ホスホルアミド等のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用
溶媒またはこれらの混合物中で行なわれる。これらの溶
媒中、親水性溶媒は水と混合して用いることができる。
反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし加温
下に反応が行なわれる。
下に反応が行なわれる。
この反応において、前述のビルスマイヤー試薬の存在下
に行なう場合、原料化合物のR1におけるアミノ基が反
応中にN,N−シ(低級)アルキルアミノメチレン)ア
ミン基に変った化合物が得られることがあるが、この場
合もこの発明に含まれるものとする。
に行なう場合、原料化合物のR1におけるアミノ基が反
応中にN,N−シ(低級)アルキルアミノメチレン)ア
ミン基に変った化合物が得られることがあるが、この場
合もこの発明に含まれるものとする。
(2)方法2
化合物(I−b>またはその塩類は、化合物(1−a)
またはその塩類をR1におけるアミノ保護基の脱離反応
に付すことにより製造される。
またはその塩類をR1におけるアミノ保護基の脱離反応
に付すことにより製造される。
この脱離反応には、加水分解、還元、またはイミノハロ
ゲン化とイミノエーテル化および必要に応じて加水分解
とを結合してなる結合方法等の慣用される方法で行なわ
れる。
ゲン化とイミノエーテル化および必要に応じて加水分解
とを結合してなる結合方法等の慣用される方法で行なわ
れる。
い)加水分解
加水分解は、好ましくは酸の存在下に行なわれる。
適当な酸としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸
、ぎ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、メタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸等の有機酸、酸性イオン交換樹脂等が用いられる
。この反応において、トリフルオロ酢酸、p−トルエン
スルホン謙等の有機酸を用いる場合、アニソール等のカ
チオン捕捉剤の存在下に反応を行なうことが望ましい。
、ぎ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、メタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸等の有機酸、酸性イオン交換樹脂等が用いられる
。この反応において、トリフルオロ酢酸、p−トルエン
スルホン謙等の有機酸を用いる場合、アニソール等のカ
チオン捕捉剤の存在下に反応を行なうことが望ましい。
この加水分解に適当な酸は、除去される保護基の種類に
応じて選択きれ、例えば置換または非置換アルコキシカ
ルボニル、置換または非置換低級アルカノイル等のR1
におけるアミノ保護基に対して加水分解を適用するのが
好ましい。
応じて選択きれ、例えば置換または非置換アルコキシカ
ルボニル、置換または非置換低級アルカノイル等のR1
におけるアミノ保護基に対して加水分解を適用するのが
好ましい。
加水分解は、通常水、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、第3級ブチルアルコール、テトラヒドロフラン
、N、N−ジメチルホルムアミド、ジオキサン等のこの
反応に悪影響を及ぼきない慣用溶媒またはこれらの混合
物中で行なわれ、上記酸が液体の場合は溶媒を兼ねるこ
とができる。
ツール、第3級ブチルアルコール、テトラヒドロフラン
、N、N−ジメチルホルムアミド、ジオキサン等のこの
反応に悪影響を及ぼきない慣用溶媒またはこれらの混合
物中で行なわれ、上記酸が液体の場合は溶媒を兼ねるこ
とができる。
加水分解の反応温度は特に限定きれないが、通常冷却下
ないし若干加温して反応が行なわれる。
ないし若干加温して反応が行なわれる。
(i)還元
還元は化学還元または接触還元等の慣用方法により行な
われる。
われる。
化学還元で用いる適当な還元剤としては、錫、亜鉛、鉄
等の金属もしくは塩化クロム、酢酸クロム等の金属化合
物とぎ酸、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸等の有機もし
くは無機酸との組合せが用いられる。
等の金属もしくは塩化クロム、酢酸クロム等の金属化合
物とぎ酸、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、p
−トルエンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸等の有機もし
くは無機酸との組合せが用いられる。
接触還元で用いる適当な触媒としては、白金板、スポン
ジ白金、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、スポンジパラジウム、パラジウム黒、酸化パ
ラジウム、パラジウム次素、コロイドパラジウム、パラ
ジウム硫酸バリウム、パラジウム炭酸バリウム等のパラ
ジウム触媒、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッ
ケル等のニッケル触媒、還元コバルト、ラネーコバルト
等のコバルト触媒、還元鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、還元
鋼、ラネー銅、ウルマン鋼等の銅触媒等の慣用触媒が含
まれる。
ジ白金、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、スポンジパラジウム、パラジウム黒、酸化パ
ラジウム、パラジウム次素、コロイドパラジウム、パラ
ジウム硫酸バリウム、パラジウム炭酸バリウム等のパラ
ジウム触媒、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッ
ケル等のニッケル触媒、還元コバルト、ラネーコバルト
等のコバルト触媒、還元鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、還元
鋼、ラネー銅、ウルマン鋼等の銅触媒等の慣用触媒が含
まれる。
還元方法は保護基の種類に応じて適宜選択きれ、例えば
ハロ(低級)アルコキシカルボニル等のR1におけるア
ミノ保護基に対しては化学還元を適用するのが好ましく
、置換または非置換アル(低級)アルコキシカルボニル
等に対しては接触還元を適用するのが好ましい。
ハロ(低級)アルコキシカルボニル等のR1におけるア
ミノ保護基に対しては化学還元を適用するのが好ましく
、置換または非置換アル(低級)アルコキシカルボニル
等に対しては接触還元を適用するのが好ましい。
還元は、水、メタノール、エタノール、プロパツール、
N、N−ジメチルホルムアミド等のこの反応に悪影響を
及ぼさない慣用溶媒、またはこれらの混合物中で行なわ
れる。また、上記化学還元に用いる酸が液体の場合は溶
媒を兼ねることができる。きらに、接触還元に用いる溶
媒としては、上記のもの以外にジエチルエーテル、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン等またはこれらの混合物の
ような慣用溶媒が用いられる。
N、N−ジメチルホルムアミド等のこの反応に悪影響を
及ぼさない慣用溶媒、またはこれらの混合物中で行なわ
れる。また、上記化学還元に用いる酸が液体の場合は溶
媒を兼ねることができる。きらに、接触還元に用いる溶
媒としては、上記のもの以外にジエチルエーテル、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン等またはこれらの混合物の
ような慣用溶媒が用いられる。
還元の反応温度は特に限定されないが、通常冷却ないし
加温下に反応が行なわれる。
加温下に反応が行なわれる。
(i)イミノハロゲン化(第1工程)、イミノエーテル
化(第2工程)および必要に応じて行なう加水分解(最
終工程)の結合方法 この方法の第1および第2工程は、無水溶媒中で行なう
ことが望ましい。第1工程(イミノハロゲン化)におけ
る適当な溶媒としては、メチレンクロライド、クロロホ
ルム、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等の非プロトン溶媒が含まれ、第2工程(イミノエ
ーテル化)は通常第1工程と同じ溶媒中で行なわれる。
化(第2工程)および必要に応じて行なう加水分解(最
終工程)の結合方法 この方法の第1および第2工程は、無水溶媒中で行なう
ことが望ましい。第1工程(イミノハロゲン化)におけ
る適当な溶媒としては、メチレンクロライド、クロロホ
ルム、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等の非プロトン溶媒が含まれ、第2工程(イミノエ
ーテル化)は通常第1工程と同じ溶媒中で行なわれる。
これら2つの工程は通常冷却下または室温で行なわれる
。これら2つの工程と最終工程(加水分解)は、1バツ
チで行なうことが望ましい。
。これら2つの工程と最終工程(加水分解)は、1バツ
チで行なうことが望ましい。
適当なイミノハロゲン化剤としては、3塩化燐、5塩化
燐、3臭化燐、5臭化燐、オキシ塩化燐等の燐ハロゲン
化合物、塩化チオニル、ホスゲン等が含まれる。
燐、3臭化燐、5臭化燐、オキシ塩化燐等の燐ハロゲン
化合物、塩化チオニル、ホスゲン等が含まれる。
適当なイミノエーテル化剤としては、メタノール、エタ
ノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノール
等のアルカノールまたは2−メトキシエタノール、2−
エトキシエタノール等のアルコキシを有する対応するア
ルカノール、およびナトリウムメトキサイド、カリウム
エトキサイド、マグネシウムエトキサイド、リチウムメ
トキサイド等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
のような金属のアルコキサイドが含まれる。
ノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノール
等のアルカノールまたは2−メトキシエタノール、2−
エトキシエタノール等のアルコキシを有する対応するア
ルカノール、およびナトリウムメトキサイド、カリウム
エトキサイド、マグネシウムエトキサイド、リチウムメ
トキサイド等のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
のような金属のアルコキサイドが含まれる。
得られた化合物は、必要に応じて常法により加水分解す
る。加水分解は、好ましくは室温または冷却下に行なわ
れ、反応混合物を単に水または吸湿させたメタノール、
エタノール等の親木溶媒中に注入し、必要に応じて酸ま
たは塩基を添加するだけで進行する。
る。加水分解は、好ましくは室温または冷却下に行なわ
れ、反応混合物を単に水または吸湿させたメタノール、
エタノール等の親木溶媒中に注入し、必要に応じて酸ま
たは塩基を添加するだけで進行する。
適当な酸としては、(1)項の加水分解で述べたものが
含まれ、適当な塩基としては、方法1で述べたものが含
まれる。
含まれ、適当な塩基としては、方法1で述べたものが含
まれる。
上に説明した方法は、脱離する保護基の種類に応じて適
宜選択される。
宜選択される。
この反応において、R2およびA中の保護されたアミノ
および/または保護きれたカルボキシが反応中に遊離ア
ミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合があるが
、この場合もこの発明に含まれるものとする。
および/または保護きれたカルボキシが反応中に遊離ア
ミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合があるが
、この場合もこの発明に含まれるものとする。
(3)方法3
化合物(I−d)またはその塩類は、化合物(I−c)
またはその塩類をR2におけるカルボキシ基の脱離反比
に付すことにより製造される。
またはその塩類をR2におけるカルボキシ基の脱離反比
に付すことにより製造される。
この反応は、加水分解、還元等の慣用方法により行なわ
れる。
れる。
加水分解および還元の方法および反応条件(反応温度、
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
この反応において、R1およびA中の保護されたアミノ
および/またはA中の保護されたカルボキシが反応中に
遊離アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合が
あるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
および/またはA中の保護されたカルボキシが反応中に
遊離アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合が
あるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
(4)方法4
化合物(I−c)またはその塩類は、化合物(I−d)
またはその塩類をカルボキシ保護基の導入反応に付すこ
とにより製造される。
またはその塩類をカルボキシ保護基の導入反応に付すこ
とにより製造される。
この方法で用いるカルボキシ保護基の導入剤としては、
アルコールまたはそのハライド、スルフエイト、スルフ
エイト、ジアゾ化合物等の反応性均等物のようなエステ
ル化剤が含まれる。
アルコールまたはそのハライド、スルフエイト、スルフ
エイト、ジアゾ化合物等の反応性均等物のようなエステ
ル化剤が含まれる。
この反応は塩基の存在下に行なうことができ、塩基の適
当な例としては、方法1で述べたものが含まれ、またこ
の反応は、よう化ナトリウム等のよう化金属の存在下に
行なうのが好ましい。
当な例としては、方法1で述べたものが含まれ、またこ
の反応は、よう化ナトリウム等のよう化金属の存在下に
行なうのが好ましい。
この反応は通常N、N−ジメチルホルムアミド、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール等
のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用溶媒またはそれら
の混合溶媒中で行なわれる。
ヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール等
のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用溶媒またはそれら
の混合溶媒中で行なわれる。
反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし若干
加温する程度で反応が行なわれる。
加温する程度で反応が行なわれる。
カルボキシ保護基の導入剤としてアルコールを用いる場
合、方法1で述べた縮合剤の存在下に反応を行なうこと
が望ましい。
合、方法1で述べた縮合剤の存在下に反応を行なうこと
が望ましい。
この反応において、化合物(I−d)におけるA中のカ
ルボキシが反応中に保護されたカルボキシに変る場合が
あるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
ルボキシが反応中に保護されたカルボキシに変る場合が
あるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
(5)方法5
化合物(I−f)またはその塩類は、化合物(I −e
)またはその塩類をA1中のカルボキシ保護基の脱離反
応に付すことにより行なわれる。
)またはその塩類をA1中のカルボキシ保護基の脱離反
応に付すことにより行なわれる。
この反応は、加水分解、還元等の慣用方法により行なわ
れる。
れる。
加水分解および還元の方法および反応条件(反応温度、
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
この反応において、R1およびR2中の保護されたアミ
ノおよび/またはR2中の保護きれたカルボキシが遊離
アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合がある
が、この場合もこの発明に含まれるものとする。
ノおよび/またはR2中の保護きれたカルボキシが遊離
アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合がある
が、この場合もこの発明に含まれるものとする。
(6)方法6
化合物(I>またはその塩類は、化合物(IV)または
その塩類にホルムアルデヒドを反応させることにより製
造される。
その塩類にホルムアルデヒドを反応させることにより製
造される。
化合物(IV)の適当な塩類としては、化合物(I)に
ついて例示したのと同種のものが含まれる。
ついて例示したのと同種のものが含まれる。
この反応は、通常テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
この反応に悪影響を及ぼきない慣用溶媒またはこれらの
混合物中で行なわれる。
この反応に悪影響を及ぼきない慣用溶媒またはこれらの
混合物中で行なわれる。
反応温度は特に限定されない力釈通常冷却下ないし若干
加温する程度で反応が行なわれる。
加温する程度で反応が行なわれる。
く7) づ5法7
化合物(I−e)またはその塩類は、化合物(I −f
)またはその塩類をカルボキシ保護基の導入反応に付す
ことにより製造きれる。
)またはその塩類をカルボキシ保護基の導入反応に付す
ことにより製造きれる。
この反応は、方法4における化合物(I−d)のカルボ
キシ保護基導入反応について記載したのと実質的に同様
に行なわれるので、反応条件(反応温度、溶媒等)は、
上記の記載を援用する。
キシ保護基導入反応について記載したのと実質的に同様
に行なわれるので、反応条件(反応温度、溶媒等)は、
上記の記載を援用する。
この反応において、R2中のカルボキシが反応中に保護
きれたカルボキシに変る場合があるが、この場合もこの
発明に含まれるものとする。
きれたカルボキシに変る場合があるが、この場合もこの
発明に含まれるものとする。
(8)方法8
化合物(1−h)またはその塩類は、化合物(I −g
)またはその塩類をA3中のアミン保護基の脱離反43
一 応に付すことにより製造される。
)またはその塩類をA3中のアミン保護基の脱離反43
一 応に付すことにより製造される。
この反応は、加水分解、還元等の常法により行なわれる
。
。
加水分解および還元の方法および反応条件(反応温度、
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
溶媒等)は、方法2で記載した化合物(I−a)におけ
るアミン保護基の脱離反応と実質的に同様なので、上記
の記載を援用する。
この反応において、RおよびR2中の保護されたアミノ
および/またはR2中の保護されたカルボキシが反応中
に遊離アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合
があるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
および/またはR2中の保護されたカルボキシが反応中
に遊離アミノおよび/または遊離カルボキシに変る場合
があるが、この場合もこの発明に含まれるものとする。
(9〉方法9
化合物(I−j>またはその塩類は、化合物(1−i)
またはその塩類に化合物(V)またはその塩類を反応さ
せることにより製造される。
またはその塩類に化合物(V)またはその塩類を反応さ
せることにより製造される。
化合物(V)の塩類としては、化合物(I)について例
示したのと同じ酸付加塩が含まれる。
示したのと同じ酸付加塩が含まれる。
この反応において、化合物(V)を塩の形で用いる際に
は、方法1で例示した塩基の存在下に行なうことができ
る。
は、方法1で例示した塩基の存在下に行なうことができ
る。
この反応は、通常水、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のこの反応
に悪影響を及ぼきない慣用溶媒、またはこれらの混合物
中で行なわれる。
ツール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のこの反応
に悪影響を及ぼきない慣用溶媒、またはこれらの混合物
中で行なわれる。
反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし加温
下に反応が行なわれる。
下に反応が行なわれる。
上記方法1ないし9で得られる目的化合物(I)は、例
えば抽出、沈殿、分別結晶、再結晶、クロマトグラフィ
ー等の慣用方法により単離精製される。
えば抽出、沈殿、分別結晶、再結晶、クロマトグラフィ
ー等の慣用方法により単離精製される。
上記方法工ないし9およびその反応混合物の後処理にお
いて、原料化合物また目的化合物が光学もしくは幾何異
性体を含む場合には、これが他の光学もしくは幾何異性
体に変る場合があるが、この場合もこの発明に含まれる
ものとする。
いて、原料化合物また目的化合物が光学もしくは幾何異
性体を含む場合には、これが他の光学もしくは幾何異性
体に変る場合があるが、この場合もこの発明に含まれる
ものとする。
目的化合物(I)が遊離カルボキシ基または遊離アミノ
基を4位または7位に有する場合、これらの基は常法に
より塩類に変えることができる。
基を4位または7位に有する場合、これらの基は常法に
より塩類に変えることができる。
この発明の目的化合物<I)またはその塩類は、新規化
合物であり、グラム陽性および陰性菌を含む広範囲の病
原性微生物の発育を阻止する高い抗菌活性を示し、下記
データに示されるように、抗生物質として、特に経口投
与用のものとして有用である。
合物であり、グラム陽性および陰性菌を含む広範囲の病
原性微生物の発育を阻止する高い抗菌活性を示し、下記
データに示されるように、抗生物質として、特に経口投
与用のものとして有用である。
目的化合物(I)の有用性を示すために、この発明の化
合物(I>の中の代表的なものについて抗菌活性を測定
した結果を示すと、次の通りである。
合物(I>の中の代表的なものについて抗菌活性を測定
した結果を示すと、次の通りである。
(1〉試験1:試験管内抗菌活性
[試験化合物]
7−[2−(3−メタンスルホンアミドフェニル)−D
−グリシンアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸(化合物A) [試験方法コ 下記の寒天平板倍数希釈法により、試験管内抗菌活性を
測定した。
−グリシンアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸(化合物A) [試験方法コ 下記の寒天平板倍数希釈法により、試験管内抗菌活性を
測定した。
トリプチケース・ソーイ・プロス(菌数108/mQ
)中で一夜培養した試験菌株の1白金耳を、各濃度の試
験化合物を含むハート・インフュージョン・アガー(H
I寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、最
低発育阻止濃度(MIC)をz / mQ単位で測定し
た。
)中で一夜培養した試験菌株の1白金耳を、各濃度の試
験化合物を含むハート・インフュージョン・アガー(H
I寒天)に接種し、37°Cで20時間培養した後、最
低発育阻止濃度(MIC)をz / mQ単位で測定し
た。
[試験結果]
MIc(x:/+++Q)
(2〉試験2:ラットに対する抗生物質経口投与後の血
清レベルの測定 [試験化合物コ 化合物A [試験動物] 生後6週間の雄ラット、SD系、体重各160ないし2
30g [試験方法] 一夜絶食させたラットに試験化合物A (1100IT
1/kg)を経口投与した。規定時間毎にラットをクロ
ロホルム麻酔し、血液試料を心臓から採取した。各血清
試料中の抗生物質レベルをラット血清で作った標準溶液
を用いてディスク法により測定した。
清レベルの測定 [試験化合物コ 化合物A [試験動物] 生後6週間の雄ラット、SD系、体重各160ないし2
30g [試験方法] 一夜絶食させたラットに試験化合物A (1100IT
1/kg)を経口投与した。規定時間毎にラットをクロ
ロホルム麻酔し、血液試料を心臓から採取した。各血清
試料中の抗生物質レベルをラット血清で作った標準溶液
を用いてディスク法により測定した。
[試験結果]
果
[試験化合物コ
化合物 A
[試験動物]
生後4週間の雄マウス、ICR系、体重各20.0±1
.5g [試験方法コ 2.5%ムチンにけんだくした菌数1.3X10’の病
原性微生物を腹腔内に注射した。注射の1時間後、化合
物Aを経口投与した。このマウスを4日後に生死判定し
、ED5o値を計算した。
.5g [試験方法コ 2.5%ムチンにけんだくした菌数1.3X10’の病
原性微生物を腹腔内に注射した。注射の1時間後、化合
物Aを経口投与した。このマウスを4日後に生死判定し
、ED5o値を計算した。
[試験結果コ
この発明の目的化合物(I)またはその医薬上許容きれ
る塩類を治療の目的で投与するにあたっては、上記化合
物を主成分として含み、これに医薬上許容される担体、
例えば経口、非経口、または外用に適した有機もしくは
無機、固体もしくは液体の賦形薬を加えた慣用製剤の形
で投与できる。
る塩類を治療の目的で投与するにあたっては、上記化合
物を主成分として含み、これに医薬上許容される担体、
例えば経口、非経口、または外用に適した有機もしくは
無機、固体もしくは液体の賦形薬を加えた慣用製剤の形
で投与できる。
このような製剤としては、錠剤、顆粒剤、散剤、カプセ
ル等の固体、および液剤、けんだく剤、シロップ、乳剤
、レモネード等の液体が含まれる。
ル等の固体、および液剤、けんだく剤、シロップ、乳剤
、レモネード等の液体が含まれる。
さらに、必要に応じて、上記製剤中に補助剤、安定剤、
湿潤剤、そのほか乳糖、ステアリン酸マグネシウム、白
土、しよ糖、コーンスターチ、タルク、ステアリン酸、
ゼラチン、寒天、ペクチン、ピーナツ油、オリーブ油、
カカオ脂、エチレングリコール等の繁用きれる添加物を
含有させることができる。
湿潤剤、そのほか乳糖、ステアリン酸マグネシウム、白
土、しよ糖、コーンスターチ、タルク、ステアリン酸、
ゼラチン、寒天、ペクチン、ピーナツ油、オリーブ油、
カカオ脂、エチレングリコール等の繁用きれる添加物を
含有させることができる。
化合物(I)の投与量は、患者の年令、状態、疾病の種
類、および投与化合物(I)の種類により異なるが、一
般に1日当り1mgないし約4000mgまたはそれ以
上の量を患者に投与できる。1回の平均投与量としては
、この発明の目的化合物(I)約50mg、 100
mg、 250mg、 500mg、 1000
mg、 2000mgを、病原性微生物による疾病の治
療に用いることができる。
類、および投与化合物(I)の種類により異なるが、一
般に1日当り1mgないし約4000mgまたはそれ以
上の量を患者に投与できる。1回の平均投与量としては
、この発明の目的化合物(I)約50mg、 100
mg、 250mg、 500mg、 1000
mg、 2000mgを、病原性微生物による疾病の治
療に用いることができる。
次に、この発明を実施例により詳細に説明する。
原料化合物の製造法
製造例1
ヒドロキシルアミン塩酸塩(22,3g)とエタノール
(25mQ)のけんたく液に、フェノールフタレイン指
示薬(0,3躯)を加え、水酸化カリウム(23,1g
)とエタ/−ル(185mA ) ノ溶液を混合物の暗
赤色が淡赤色に変るまで少量づつ加え、1時間攪拌する
。塩化カリウムを濾去し、濾液に2−シアノ−2−メト
キシイミノ酢酸エチルエステル(50g)を加え、20
ないし30℃で3日間攪拌する。溶媒を留去すると、3
−アミノ−3−ヒドロキシイミノ−2−メトキシイミノ
プロピオン酸エチルエステルを得、これをジオキサン(
200’mQ)にとかし、濃縮する。残留物をジオキサ
ン(130mQ)にとかし、とリジン(75,8g)次
いでトリクロロアセチルクロライド(87,3g)を水
冷下10°C以下で加え、同温度で1時間攪拌し、−夜
装置する。不溶物を濾去し、濾液を濃縮乾固する。残留
物にジエチルエーテルと水を加え、有機層を分取し、希
塩酸および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると油状物を得、
これをシリカゲルでクロマトグラフィーに付し、ベンゼ
ンとn−ヘキサンの混液(容量比3:1)で溶離し、目
的化合物を含むフラクションを集める。溶媒を留去する
と、2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサ
ジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチ
ルエステル(アンチ異性体) (22,6g)を得る。
(25mQ)のけんたく液に、フェノールフタレイン指
示薬(0,3躯)を加え、水酸化カリウム(23,1g
)とエタ/−ル(185mA ) ノ溶液を混合物の暗
赤色が淡赤色に変るまで少量づつ加え、1時間攪拌する
。塩化カリウムを濾去し、濾液に2−シアノ−2−メト
キシイミノ酢酸エチルエステル(50g)を加え、20
ないし30℃で3日間攪拌する。溶媒を留去すると、3
−アミノ−3−ヒドロキシイミノ−2−メトキシイミノ
プロピオン酸エチルエステルを得、これをジオキサン(
200’mQ)にとかし、濃縮する。残留物をジオキサ
ン(130mQ)にとかし、とリジン(75,8g)次
いでトリクロロアセチルクロライド(87,3g)を水
冷下10°C以下で加え、同温度で1時間攪拌し、−夜
装置する。不溶物を濾去し、濾液を濃縮乾固する。残留
物にジエチルエーテルと水を加え、有機層を分取し、希
塩酸および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると油状物を得、
これをシリカゲルでクロマトグラフィーに付し、ベンゼ
ンとn−ヘキサンの混液(容量比3:1)で溶離し、目
的化合物を含むフラクションを集める。溶媒を留去する
と、2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサ
ジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチ
ルエステル(アンチ異性体) (22,6g)を得る。
IR(液膜) : 1730.1600.1565 a
m−’NMRSppm(CDCl2) ’ 1.37
(3H,t、J=7Hz>、 4.22(3H,s)、
4.42 (2H,q、J=7)1z)製造例2 2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジア
ゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエ
ステル(アンチ異性体)(9g)をジオキサン(90m
11 )にとかした溶液に、濃塩酸(3,5mQ)を加
え、混合物を50分間加熱還流する。
m−’NMRSppm(CDCl2) ’ 1.37
(3H,t、J=7Hz>、 4.22(3H,s)、
4.42 (2H,q、J=7)1z)製造例2 2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジア
ゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエ
ステル(アンチ異性体)(9g)をジオキサン(90m
11 )にとかした溶液に、濃塩酸(3,5mQ)を加
え、混合物を50分間加熱還流する。
溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルに溶かし、塩化ナト
リウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルでクロマトグラ
フィーに付し、ベンゼンとn−ヘキサンの混液(容量比
1:1)で溶離する。
リウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルでクロマトグラ
フィーに付し、ベンゼンとn−ヘキサンの混液(容量比
1:1)で溶離する。
目的化合物を含むフラクションを集め、濃縮すると、2
−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジアゾ
ール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエス
テル(シン異性体)(3,7g)を得る。その後のフラ
クションから原料化合物(1,7g)が回収される。
−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジアゾ
ール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエス
テル(シン異性体)(3,7g)を得る。その後のフラ
クションから原料化合物(1,7g)が回収される。
IR(液膜): 1740.1600.1570.14
り5 cm−INMRδppm(CDCl2) : 1
.38 (3H,t、JニアHz)、 417(3H,
s)、 4.45 (2H,q、、C7Hz)製造例3 2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジア
ゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエ
ステル(シン異性体)(3,4g)に液体アンモニア(
17mQ)を加える。均一溶液になった後、ペトレ皿中
に入れ、液体アンモニアを送風除去する。残留物に水と
酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分取し、塩化ナトリ
ウム水溶液で洗゛浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を留去し、ジイソプロピルエーテルで洗浄する
と、mp143−146℃の2−(5−アミノ−1,2
,4−才キサジアゾール−3−イル)−2−メトキシイ
ミノ酢酸エチルエステル(シン異性体) (1,75g
)を得る。
り5 cm−INMRδppm(CDCl2) : 1
.38 (3H,t、JニアHz)、 417(3H,
s)、 4.45 (2H,q、、C7Hz)製造例3 2−(5−トリクロロメチル−1,2,4−才キサジア
ゾール−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエ
ステル(シン異性体)(3,4g)に液体アンモニア(
17mQ)を加える。均一溶液になった後、ペトレ皿中
に入れ、液体アンモニアを送風除去する。残留物に水と
酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分取し、塩化ナトリ
ウム水溶液で洗゛浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を留去し、ジイソプロピルエーテルで洗浄する
と、mp143−146℃の2−(5−アミノ−1,2
,4−才キサジアゾール−3−イル)−2−メトキシイ
ミノ酢酸エチルエステル(シン異性体) (1,75g
)を得る。
IR(ヌジョール) : 3440. 3310.
3240. 3180. 1720゜1660、16
00.1505 cm−”NMRSppm(DMSO−
d6) ’ 1.25 (3H,t、J=7)1z>。
3240. 3180. 1720゜1660、16
00.1505 cm−”NMRSppm(DMSO−
d6) ’ 1.25 (3H,t、J=7)1z>。
4.00 (3)1.s)、 4.32 (2H,q、
J=7Hz)、 8.17(2H,s) 製造例4 2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエステル(シ
ン異性体)(2,5g)をIN水酸化ナトリウム水溶液
(t4ma )に加え、溶液を室温で1時間攪拌する。
J=7Hz)、 8.17(2H,s) 製造例4 2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸エチルエステル(シ
ン異性体)(2,5g)をIN水酸化ナトリウム水溶液
(t4ma )に加え、溶液を室温で1時間攪拌する。
反応混合物を10%塩酸でpH1,8に調整し、塩化ナ
トリウムで塩析し、酢酸エチルとテトラヒドロフラン混
液で抽出する。無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮乾
固し、残留物をジイソプロピルエーテルで洗浄すると、
2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
、Og)を得る。
トリウムで塩析し、酢酸エチルとテトラヒドロフラン混
液で抽出する。無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮乾
固し、残留物をジイソプロピルエーテルで洗浄すると、
2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
、Og)を得る。
IR(ヌジョール) : 3420. 3330.
3250. 3180. 1720゜1665、16
00.1500 am−1HMRE ppm(DMSO
−d6) ’ 4.00 (3H,s)、 8.15(
2H,s> 製造例5 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(48g)、メタノー
ル(250InQ)およびア=7−4(70mQ)のけ
んたく液に、p−トルエンスルホン酸く85g)を加え
、混合物を50°Cで2時間攪拌する。反応混合物を1
0%炭酸水素ナトリウム水溶液(600mA )および
酢酸エチル(700m11 )中に注入し、20%炭酸
ナトリウム水溶液でpH7,5に調整する。水層を分取
し、酢酸エチル(500mQ )で洗浄し、濃塩酸でp
H2,5に調整し、水冷下に1時間攪拌する。沈殿する
結晶を濾取し、アセトンで洗浄すると、mp 200−
230℃(分解)の7−アミノ−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸(15,4g)を得る。
3250. 3180. 1720゜1665、16
00.1500 am−1HMRE ppm(DMSO
−d6) ’ 4.00 (3H,s)、 8.15(
2H,s> 製造例5 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(48g)、メタノー
ル(250InQ)およびア=7−4(70mQ)のけ
んたく液に、p−トルエンスルホン酸く85g)を加え
、混合物を50°Cで2時間攪拌する。反応混合物を1
0%炭酸水素ナトリウム水溶液(600mA )および
酢酸エチル(700m11 )中に注入し、20%炭酸
ナトリウム水溶液でpH7,5に調整する。水層を分取
し、酢酸エチル(500mQ )で洗浄し、濃塩酸でp
H2,5に調整し、水冷下に1時間攪拌する。沈殿する
結晶を濾取し、アセトンで洗浄すると、mp 200−
230℃(分解)の7−アミノ−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸(15,4g)を得る。
IR(ヌジョール) : 1800. 1605
cm−1HMRSppm(D20+NaHCO3)
’ 3.67 (2H,s)、 4.8−5.8 (5
H,m)、 6.88 (1)1.dd、J=12Hz
、 18Hz)製造例6 (6−ホルムアミドピリジン−2−イル)チオグリコー
ル酸S−メチルエステル(Log)とメタノール(10
0m11 )のけんたく液に、IN水酸化ナトリウム水
溶液(49mQ)を加え、混合物を室温で50分間攪拌
して(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)グリオキ
シル酸ナトリウムの溶液を得る。この溶液に、2−アミ
ノオキシ酢酸第3級ブチルエステル(7,2g)を加え
、混合物を6N塩酸でpH3ないし4に調整し、室温で
4時間攪拌する。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶
液で中和し、半量まで減圧濃縮し、酢酸エチルで洗浄し
、10%塩酸でpH1,5に調整する。
cm−1HMRSppm(D20+NaHCO3)
’ 3.67 (2H,s)、 4.8−5.8 (5
H,m)、 6.88 (1)1.dd、J=12Hz
、 18Hz)製造例6 (6−ホルムアミドピリジン−2−イル)チオグリコー
ル酸S−メチルエステル(Log)とメタノール(10
0m11 )のけんたく液に、IN水酸化ナトリウム水
溶液(49mQ)を加え、混合物を室温で50分間攪拌
して(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)グリオキ
シル酸ナトリウムの溶液を得る。この溶液に、2−アミ
ノオキシ酢酸第3級ブチルエステル(7,2g)を加え
、混合物を6N塩酸でpH3ないし4に調整し、室温で
4時間攪拌する。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶
液で中和し、半量まで減圧濃縮し、酢酸エチルで洗浄し
、10%塩酸でpH1,5に調整する。
得られる水溶液を酢酸エチルで3回抽出し、抽出液を合
わせ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥する。溶媒を留去すると、mp 162−
468℃の2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミ
ノ−2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)酢酸
(シン異性体) (119g)を得る。
わせ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥する。溶媒を留去すると、mp 162−
468℃の2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミ
ノ−2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)酢酸
(シン異性体) (119g)を得る。
IR(スジ9−ル) ’ 3180. 1741.
1673 cm−1HMRSppm(DMSO−d
6) :1.47 (9H,s)、 4.73 (2H
。
1673 cm−1HMRSppm(DMSO−d
6) :1.47 (9H,s)、 4.73 (2H
。
s)、 7.3−8.3 (3H,m)、 9.
17 (IH,ブロード s)。
17 (IH,ブロード s)。
10.7 <IH,d、J=6Hz)
製造例7
(5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)チオグリオキシル酸S−メチルエステルを、水
酸化ナトリウム水溶液、次いで2−アミノオキシ酢酸第
3級ブチルエステルと製造例6と同様に処理すると、m
p 150−155℃(分解)の2−(5−アミノ−1
,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−第3級ブ
トキシカルボニルメトキシイミノ酢酸(シン異性体)を
得る。
−イル)チオグリオキシル酸S−メチルエステルを、水
酸化ナトリウム水溶液、次いで2−アミノオキシ酢酸第
3級ブチルエステルと製造例6と同様に処理すると、m
p 150−155℃(分解)の2−(5−アミノ−1
,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−第3級ブ
トキシカルボニルメトキシイミノ酢酸(シン異性体)を
得る。
IR(ヌジョール) : 3420. 3230.
3100. 1725. 1610゜1530 am
−1 NMRδppm(DMSO−d6) : 1.45 (
9H,s)、 4.70 (2H。
3100. 1725. 1610゜1530 am
−1 NMRδppm(DMSO−d6) : 1.45 (
9H,s)、 4.70 (2H。
s)、 8.12 (2)1.ブロード S〉製造
例8 水酸化ナトリウム(2,1g)の水溶液(27mm )
に、2−(5−1−ジチルアミノ−2H−テトラゾール
−2−イル)酢酸エチルエステル(14,2g)、メタ
ノール(somi )およびテトラヒドロフラン(1o
omQ)を加え、混合物を40°Cで2時間攪拌する。
例8 水酸化ナトリウム(2,1g)の水溶液(27mm )
に、2−(5−1−ジチルアミノ−2H−テトラゾール
−2−イル)酢酸エチルエステル(14,2g)、メタ
ノール(somi )およびテトラヒドロフラン(1o
omQ)を加え、混合物を40°Cで2時間攪拌する。
有機溶媒を留去し、残留物に水(50mm)と酢酸エチ
ル(50mm )を加え、水層を分取する。
ル(50mm )を加え、水層を分取する。
これに酢酸エチル(100mQ )を加え、10%塩酸
でpl(1,5に調整する。有機層を塩化ナトリウム水
溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留
去し、残留物をジイソプロピルエーテルで粉末化すると
、2−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2
−イル)酢酸(9,0g)を得る。
でpl(1,5に調整する。有機層を塩化ナトリウム水
溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留
去し、残留物をジイソプロピルエーテルで粉末化すると
、2−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2
−イル)酢酸(9,0g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3350. 1860.
1730. 1570゜1530 cm−” NMR899m(DMSO−d6) : 515 く2
H1s)、 7.0−7.58(15H,m>、 7
.83 (IH,s)製造例9 (4−ホルムアミドピリミジン−2−イル)チオグリオ
キシル酸S−メチルエステル(20,0g)とIN水酸
化ナトリウム水溶液(80mm )、次いで2−アミノ
オキシ酢酸第3級ブチルエステル(15g)を製造例6
と同様に反応させて、2−(4−アミノピリミジン−2
−イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミ
ノ酢酸(シン異性体)(9,7g)を得る。
1730. 1570゜1530 cm−” NMR899m(DMSO−d6) : 515 く2
H1s)、 7.0−7.58(15H,m>、 7
.83 (IH,s)製造例9 (4−ホルムアミドピリミジン−2−イル)チオグリオ
キシル酸S−メチルエステル(20,0g)とIN水酸
化ナトリウム水溶液(80mm )、次いで2−アミノ
オキシ酢酸第3級ブチルエステル(15g)を製造例6
と同様に反応させて、2−(4−アミノピリミジン−2
−イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミ
ノ酢酸(シン異性体)(9,7g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3200. 1750.
1718. 1693 am−1目的化合物の製造 実施例I N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタンスル
ホンアミドフェニル)−D−グリシン(4,13g)と
トリエチルアミン(1,2g)をテトラヒドロフラン(
40mm )にとかした溶液に、クロロぎ酸エチル(1
,3g)をテトラヒドロフラン(4m11)にとかした
溶液を−5ないし一4℃で5分間を要して滴下し、−5
ないし2°Cで1時間攪拌を続けて活性化された酸溶液
を得る。
1718. 1693 am−1目的化合物の製造 実施例I N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタンスル
ホンアミドフェニル)−D−グリシン(4,13g)と
トリエチルアミン(1,2g)をテトラヒドロフラン(
40mm )にとかした溶液に、クロロぎ酸エチル(1
,3g)をテトラヒドロフラン(4m11)にとかした
溶液を−5ないし一4℃で5分間を要して滴下し、−5
ないし2°Cで1時間攪拌を続けて活性化された酸溶液
を得る。
一方、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,3g)と
トリメチルシリルアセトアミド(7,9g)を酢酸エチ
ル(50mm )に加え、混合物を5分間攪拌する。得
られる溶液に上記活性化された酸溶液を加え、混合物を
−30ないし0℃で2時間攪拌する。酢酸エチル(15
0m1! )および水を加え、有機層を分取する。残留
する水溶液を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル溶液を合
わせて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮
する。残留物をジエチルエーテルで洗浄し濾取すると、
7−[N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタ
ンスルホンアミドフェニル)−D−1’リシンアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル を得る。ジエチルエーテル洗液を濃縮乾固すると、同物
質(0.7g)を回収する。合計収量6.0a IR (ヌ九−ル) : 3340. 328
0, 3250, 1790, 1710。
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,3g)と
トリメチルシリルアセトアミド(7,9g)を酢酸エチ
ル(50mm )に加え、混合物を5分間攪拌する。得
られる溶液に上記活性化された酸溶液を加え、混合物を
−30ないし0℃で2時間攪拌する。酢酸エチル(15
0m1! )および水を加え、有機層を分取する。残留
する水溶液を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル溶液を合
わせて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮
する。残留物をジエチルエーテルで洗浄し濾取すると、
7−[N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタ
ンスルホンアミドフェニル)−D−1’リシンアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル を得る。ジエチルエーテル洗液を濃縮乾固すると、同物
質(0.7g)を回収する。合計収量6.0a IR (ヌ九−ル) : 3340. 328
0, 3250, 1790, 1710。
1690、 1670. 1520 cm−1HMR
&ppm(DMSO−d6) : 1.37 (9H.
s)、 2.97 (3H。
&ppm(DMSO−d6) : 1.37 (9H.
s)、 2.97 (3H。
s)、 3.65 (2H,q.J=16Hz)、
5.12 (IH.d。
5.12 (IH.d。
J=5Hz)、 5.15 (1B,s)、 5.
25 (LH,d。
25 (LH,d。
J=10Hz)、 5.58 (LH,d.J47
Hz)、 5.78 <11(。
Hz)、 5.78 <11(。
dd,J=5Hz. 8)1z)、 6.70 (
LH,dd,J=10Hz。
LH,dd,J=10Hz。
17Hz>、 6.93 (LH.s)、 7.0
0−7.60 (14H.m>。
0−7.60 (14H.m>。
9、20 (11(、d.J=8Hz>、 9.70
(LH,s)実施例2 2−(3−メタンスルホンアミドフェニル)−D−グリ
シン(2.44g)とメチレンクロライド( 25mm
)のけんたく液に、塩化水素ガスを5ないし10°C
で5分間吹込む。5酸化燐(3.1g)を加え、混合物
を0ないし10℃で5時間攪拌する。
(LH,s)実施例2 2−(3−メタンスルホンアミドフェニル)−D−グリ
シン(2.44g)とメチレンクロライド( 25mm
)のけんたく液に、塩化水素ガスを5ないし10°C
で5分間吹込む。5酸化燐(3.1g)を加え、混合物
を0ないし10℃で5時間攪拌する。
沈殿した固体を濾取し、メチレンクロライド(5mQ
)で洗浄し、乾燥すると残留物(2.7g)を得る。こ
の残留物を、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−
4−カルボン酸(1.8g)とトリノチルシリルアセト
アミド(6,3g)をメチレンクロライド(30mA
)にとかした溶液に一15°Cで攪拌下に加え、−5な
いしOaCで3時間攪拌を続ける。反応混合物に水(3
0mQ )を加え、少時振とうする。水層を分取し、2
0%炭酸ナトリウム水溶液でpH5に調整し、減圧下に
濃縮乾固し、得られる固体を非イオン性吸着樹脂「ダイ
ヤイオンHP−204(t2omc )でクロマトグラ
フィーに付す。水洗後、30%イソプロピルアルコール
で溶離し、目的化合物を含むフラクションを集め減圧濃
縮する。残留物を凍結乾燥すると、7−[2−(3−メ
タンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(0,4
7g)を得る。
)で洗浄し、乾燥すると残留物(2.7g)を得る。こ
の残留物を、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−
4−カルボン酸(1.8g)とトリノチルシリルアセト
アミド(6,3g)をメチレンクロライド(30mA
)にとかした溶液に一15°Cで攪拌下に加え、−5な
いしOaCで3時間攪拌を続ける。反応混合物に水(3
0mQ )を加え、少時振とうする。水層を分取し、2
0%炭酸ナトリウム水溶液でpH5に調整し、減圧下に
濃縮乾固し、得られる固体を非イオン性吸着樹脂「ダイ
ヤイオンHP−204(t2omc )でクロマトグラ
フィーに付す。水洗後、30%イソプロピルアルコール
で溶離し、目的化合物を含むフラクションを集め減圧濃
縮する。残留物を凍結乾燥すると、7−[2−(3−メ
タンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(0,4
7g)を得る。
IR(スジョール) : 3300−3150.
1760. 1685゜1605 cm−1 実施例3 2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
,23g)とメチレンクロライド(70mQ )のけん
たく液に、オキシ塩化燐(7,2g)を加え、室温で4
5分間攪拌する。これにN、N−ジメチルホルムアミド
(4,4g)を−10℃で加え、混合物を−10ないし
0℃で1時間攪拌して活性化された酸溶液を得る。この
溶液を7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,7g)と
トリメチルシリルアセトアミド(8,6g)を酢酸エチ
ル(50mQ )にとかした溶液に一20℃で加え、混
合物を−20ないし0℃で1時間攪拌する。酢酸エチル
(200mu)および水(200m11 )を加え、酢
酸エチル泗を分取し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。溶媒を留去し、得られる残留物をシリ
カゲルでクロマトグラフィーに付し、酢酸エチルとベン
ゼンの混液(容量比6:4)で溶離する。目的化合物を
含むフラクションを集め、濃縮すると、7−[2−(5
−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3−イル)
−2−メトキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3
−セフェム一4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
シン異性体)(2,4g)を得る。
1760. 1685゜1605 cm−1 実施例3 2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾール−3
−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)(2
,23g)とメチレンクロライド(70mQ )のけん
たく液に、オキシ塩化燐(7,2g)を加え、室温で4
5分間攪拌する。これにN、N−ジメチルホルムアミド
(4,4g)を−10℃で加え、混合物を−10ないし
0℃で1時間攪拌して活性化された酸溶液を得る。この
溶液を7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,7g)と
トリメチルシリルアセトアミド(8,6g)を酢酸エチ
ル(50mQ )にとかした溶液に一20℃で加え、混
合物を−20ないし0℃で1時間攪拌する。酢酸エチル
(200mu)および水(200m11 )を加え、酢
酸エチル泗を分取し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。溶媒を留去し、得られる残留物をシリ
カゲルでクロマトグラフィーに付し、酢酸エチルとベン
ゼンの混液(容量比6:4)で溶離する。目的化合物を
含むフラクションを集め、濃縮すると、7−[2−(5
−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3−イル)
−2−メトキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3
−セフェム一4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
シン異性体)(2,4g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3250. 1770.
1710. 1670. 1600゜1550 cm
−” NMRδppm(DMSO−d6) : 3.77 (
2H,q、J=17Hz)。
1710. 1670. 1600゜1550 cm
−” NMRδppm(DMSO−d6) : 3.77 (
2H,q、J=17Hz)。
3.97 (3)1.s)、 5.28 (IH,d、
J=5Hz)、 5.28(LH,d、J=11Hz)
、 5.65 (IH,d、J=17Hz)、 5.9
2(1)1.dd、J=5Hz、 8)1z)、 6.
78 (IH,dd、J=11)1z。
J=5Hz)、 5.28(LH,d、J=11Hz)
、 5.65 (IH,d、J=17Hz)、 5.9
2(1)1.dd、J=5Hz、 8)1z)、 6.
78 (IH,dd、J=11)1z。
17)1z)、 6.97 (IH,s)、 7.17
−7.67 (IOH,m)。
−7.67 (IOH,m)。
8.03 (2H,s)、 9.77 (IH,d、J
=8Hz)次いで溶離する他の目的化合物を含むフラク
ションを集め、濃縮すると、7−[2−(5−(N−(
N、N−ジメチルアミノメチレン)アミン)−1,2,
4−才キサジアゾール−3−イル]−2−メトキシイミ
ノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(2,
0g)を得る。
=8Hz)次いで溶離する他の目的化合物を含むフラク
ションを集め、濃縮すると、7−[2−(5−(N−(
N、N−ジメチルアミノメチレン)アミン)−1,2,
4−才キサジアゾール−3−イル]−2−メトキシイミ
ノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(2,
0g)を得る。
IR(ヌジR−ル) : 3200. 1780.
1720. 1680. 1640゜1540 cm
−” NMRSppm(DMSO−d6) ’ 3.07
(3H,s)、 3.22 (3H。
1720. 1680. 1640゜1540 cm
−” NMRSppm(DMSO−d6) ’ 3.07
(3H,s)、 3.22 (3H。
s)、 3.68 (2H,m>、 4.00
(3H,s)、 5.30 (1)1゜d、J=5
Hz)、 5.32 (11(、d、J=11Hz)
、 5.67 (LH。
(3H,s)、 5.30 (1)1゜d、J=5
Hz)、 5.32 (11(、d、J=11Hz)
、 5.67 (LH。
d、J−17Hz>、 5’、95 (IH,dd、
J=5Hz、 8H2)。
J=5Hz、 8H2)。
6、+110 (1)1.dd、J=11Hz、 1
7Hz>、 6.98 (LH,s)。
7Hz>、 6.98 (LH,s)。
7.20−7.67 (1’OH,m)、 8.65
(IH,s>、 9.83(tH,d、J=8)1z) 実施例4 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,3g)と2−(
5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3−イル
)酢酸(1,72g)を実施例3と同様に反応させて、
7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾー
ル−3−イル)アセトアミド]−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−力ルポン酸ベンズヒドリルエステル(2,1
g)を得る。
(IH,s>、 9.83(tH,d、J=8)1z) 実施例4 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(4,3g)と2−(
5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾール−3−イル
)酢酸(1,72g)を実施例3と同様に反応させて、
7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾー
ル−3−イル)アセトアミド]−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−力ルポン酸ベンズヒドリルエステル(2,1
g)を得る。
IR(スジ3−ル) : 3380. 3250.
3180. 3130. 1770゜1710、16
50.1540 cm、■NMRSppm(DMSO−
d6) : 3.35 (2H,s)、 3.78 (
2M。
3180. 3130. 1770゜1710、16
50.1540 cm、■NMRSppm(DMSO−
d6) : 3.35 (2H,s)、 3.78 (
2M。
q、J−18)1z)、 5.23 (IH,d、J
=5Hz)、 5.32 (LH。
=5Hz)、 5.32 (LH。
d、J=11Hz>、 5.65 (LH,d、J=
17Hz>、 5.82<IH,dd、J=5Hz、
8Hz>、 6.80 (IH,dd。
17Hz>、 5.82<IH,dd、J=5Hz、
8Hz>、 6.80 (IH,dd。
J:11Hz、 17Hz>、 7.00 (1)
t、s>、 7.20−7.67(10H,m)、
7.73 (2H,s)、 9.18 (IH,d
、J=8)1z>実施例5 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンスヒドリルエステル塩酸塩(10,6g)をメチ
レンクロライド(100m11 )およびトリメチルシ
リルアセトアミド(20,6g)に25°Cでとかす。
t、s>、 7.20−7.67(10H,m)、
7.73 (2H,s)、 9.18 (IH,d
、J=8)1z>実施例5 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンスヒドリルエステル塩酸塩(10,6g)をメチ
レンクロライド(100m11 )およびトリメチルシ
リルアセトアミド(20,6g)に25°Cでとかす。
一方、2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)
(4,0g)とメチレンクロライド(1oomu )の
けんたく液に、オキシ塩化燐C12,1g)を加え、室
温で1.5時間攪拌する。これにN。
−3−イル)−2−メトキシイミノ酢酸(シン異性体)
(4,0g)とメチレンクロライド(1oomu )の
けんたく液に、オキシ塩化燐C12,1g)を加え、室
温で1.5時間攪拌する。これにN。
N−ジメチルホルムアミド(8mρ)を−12ないし一
10℃で加え、混合物を−10ないし一8°Cで45分
間攪拌して活性化きれた酸溶液を得る。
10℃で加え、混合物を−10ないし一8°Cで45分
間攪拌して活性化きれた酸溶液を得る。
活性化きれた酸溶液を上記メチレンクロライド溶液に−
3060で攪拌下に加え、−15℃で45分間攪拌を続
ける。反応混合物を飽和次酸水素ナトリウム水溶液(3
00m1+ )中に注入し、半時間攪拌する。攪拌中、
反応混合物を戻酸水素ナトリウムでpH7,5に保つ。
3060で攪拌下に加え、−15℃で45分間攪拌を続
ける。反応混合物を飽和次酸水素ナトリウム水溶液(3
00m1+ )中に注入し、半時間攪拌する。攪拌中、
反応混合物を戻酸水素ナトリウムでpH7,5に保つ。
これに酢酸エチル< 500mfl )を加え、不溶物
を濾去する。分離した有機層を塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、
残留物をジエチルエーテルで粉末化すると、7−[2−
(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル
)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(シン異性体)(6,3g)を得る。
を濾去する。分離した有機層を塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、
残留物をジエチルエーテルで粉末化すると、7−[2−
(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル
)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(シン異性体)(6,3g)を得る。
IR(ヌジa−ル) i 3300. 3175.
1770. 1720. 1670゜1610、15
10 am−1 NMR8ppm(DMSO−d6) : 3.77 (
2H,m)、 3.93 (3H。
1770. 1720. 1670゜1610、15
10 am−1 NMR8ppm(DMSO−d6) : 3.77 (
2H,m)、 3.93 (3H。
s)、 5.25 (18,d、J=5Hz)、 5.
27 (LH,d。
27 (LH,d。
J=11Hz)、 5.62 (LH,d、J=17H
z)、 5.92 (LH。
z)、 5.92 (LH。
ddJ=5Hz、 8Hz>、 6.77 (1)1.
ddJ=11Hz。
ddJ=11Hz。
17)(Z)、 6.97 (LH,S)、 7.38
(IOH,m)、 9.62(IH,d、J=8Hz
) 実施例6 N、N−ジメチルホルムアミド(0,37m11 )と
オキシ塩化燐(0,a4ma )から常法により製した
ビルスマイヤー試薬を、乾燥テトラヒドロフラン(20
mQ )にけんだくする。これに2−(第3級ブトキシ
カルボニルメトキシイミノ)−2−(6−ホルムアミド
ピリジン−2−イル)酢酸(シン異性体)(3,0g)
を水冷攪拌下に加え、同温度で1時間攪拌して活性化さ
れた酸溶液を得る。この溶液を、7−アミノ−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テルg)とトリメチルシリルアセトアミド(5.5g)
をメチレンクロライドにとかした溶液に一20℃で攪拌
下一度に加え、−20ないし一10℃で1時間攪拌を続
ける6反応部合物を水( 50m11 )と酢酸エチル
( 2oomQ)を加え、分離した有機層を5%炭酸水
素ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
(IOH,m)、 9.62(IH,d、J=8Hz
) 実施例6 N、N−ジメチルホルムアミド(0,37m11 )と
オキシ塩化燐(0,a4ma )から常法により製した
ビルスマイヤー試薬を、乾燥テトラヒドロフラン(20
mQ )にけんだくする。これに2−(第3級ブトキシ
カルボニルメトキシイミノ)−2−(6−ホルムアミド
ピリジン−2−イル)酢酸(シン異性体)(3,0g)
を水冷攪拌下に加え、同温度で1時間攪拌して活性化さ
れた酸溶液を得る。この溶液を、7−アミノ−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テルg)とトリメチルシリルアセトアミド(5.5g)
をメチレンクロライドにとかした溶液に一20℃で攪拌
下一度に加え、−20ないし一10℃で1時間攪拌を続
ける6反応部合物を水( 50m11 )と酢酸エチル
( 2oomQ)を加え、分離した有機層を5%炭酸水
素ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を留去すると、mp 154−157℃の7−[2
−(第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ)−2−
(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)アセトアミド
]ー3ービニルー3ーセフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(4.8g)を得る。
−(第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ)−2−
(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)アセトアミド
]ー3ービニルー3ーセフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(4.8g)を得る。
IR (スジョール) : 3240. 177
7、 1745. 1715. 1689。
7、 1745. 1715. 1689。
1667 cm”
NMR Sppm(DMSO−d6) ’ 1.40
(9H,s)、 3.50。
(9H,s)、 3.50。
3、93 (2H,ABq.J=18Hz)、 4.6
0 (2H.s)、 5.20(LH,d,J=11H
z)、 5.25 (18,d.J=5Hz)、 5.
56(LH,d,J=18Hz)、 5.95 (
IH.dd.J=5Hz, 81(z)。
0 (2H.s)、 5.20(LH,d,J=11H
z)、 5.25 (18,d.J=5Hz)、 5.
56(LH,d,J=18Hz)、 5.95 (
IH.dd.J=5Hz, 81(z)。
6、9 (1B,m>、 6、9 (LH,s)、 7
.3 (10H.m)。
.3 (10H.m)。
7、3−8.3 (3H.m)、 9.4 (L
H.ブロード s)、 9.53(IH.d.J=8
Hz>、 10.6 (IH.d.J=6Hz)実施例
7 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(3.8g)と2−(6−ホ
ルムアミドピリジン−2−イル)−2−メトキシイミノ
酢酸(シン異性体)(3.0g)を実施例5および6と
同様に反応許せて、叩154−159℃の7−[2−(
6−ホルムアミドビリジン−2−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(
5,7g)を得る。
H.ブロード s)、 9.53(IH.d.J=8
Hz>、 10.6 (IH.d.J=6Hz)実施例
7 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(3.8g)と2−(6−ホ
ルムアミドピリジン−2−イル)−2−メトキシイミノ
酢酸(シン異性体)(3.0g)を実施例5および6と
同様に反応許せて、叩154−159℃の7−[2−(
6−ホルムアミドビリジン−2−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(
5,7g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3350. 1770.
1720. 1670゜1613 cm’ NMR8ppm(DMSO−d6) ’ 3.78 (
2)1.m)、 4.0 (3H。
1720. 1670゜1613 cm’ NMR8ppm(DMSO−d6) ’ 3.78 (
2)1.m)、 4.0 (3H。
s)、 5.30 (IH,d、J=11Hz)、 5
.33 (IH,d。
.33 (IH,d。
J=5Hz)、 5.63 (IH,d、J=18)1
z)、 6.03 (IH。
z)、 6.03 (IH。
dd、J=5Hz、 8Hz)、 6.83 (IH,
dd、J=11)1z。
dd、J=11)1z。
18Hz)、 7.0 (LH,s)、 7.4 (I
OH,m)、 7.0−8.0(3)1.m>、 9
.3 (LH,ブロード S)、 9.7 (I
H,d。
OH,m)、 7.0−8.0(3)1.m>、 9
.3 (LH,ブロード S)、 9.7 (I
H,d。
J=8Hz)、 10.7 (1)1.d、J=5Hz
)下記の化合物は、7−アミノ−3−ビニルセファロス
ポラン酸誘導体と対応するアシル化剤を実施例5および
6と同様に反応させて得られた。
)下記の化合物は、7−アミノ−3−ビニルセファロス
ポラン酸誘導体と対応するアシル化剤を実施例5および
6と同様に反応させて得られた。
実施例8
7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)−2−第
3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性体) IR(ヌジョール) : 3350. 1778.
1721. 1682゜1615cm−1 実施例9 7−[2−(6−アミノピリジン−2−イル)−2−メ
トキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性
体) IR(スジョール) : 3250. 1775.
1720 (ショルダー)。
3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性体) IR(ヌジョール) : 3350. 1778.
1721. 1682゜1615cm−1 実施例9 7−[2−(6−アミノピリジン−2−イル)−2−メ
トキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性
体) IR(スジョール) : 3250. 1775.
1720 (ショルダー)。
1680 (ブロード) am’
実施例10
7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミF]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) IR(スジ、+−ル) : 3350. 3250
. 1770. 1670. 1620゜1530 c
m−1 実施例11 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)一2−メ
トキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(ヌ九−ル) : 3350. 3250.
1780 (ブロード)。
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミF]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) IR(スジ、+−ル) : 3350. 3250
. 1770. 1670. 1620゜1530 c
m−1 実施例11 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)一2−メ
トキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(ヌ九−ル) : 3350. 3250.
1780 (ブロード)。
1667 (ブロード) cm’
実施例12
7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミF]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオ
キシメチルエステル(シン異性体) IR(スジ9−ル) : 3400−3100.
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−1 実施例13 2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
酢酸(シン異性体)(2,Og)とメチレンクロライド
(26mn )のけんたく液に、オキシ塩化燐(4,1
g)を加え、混合物を室温で1.5時間攪拌する。これ
にN、N−ジメチルホルムアミド(4,0鶴)を−15
℃で加え、−15ないし一5℃で40分間攪拌して活性
化された酸溶液を得る。
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミF]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオ
キシメチルエステル(シン異性体) IR(スジ9−ル) : 3400−3100.
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−1 実施例13 2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
酢酸(シン異性体)(2,Og)とメチレンクロライド
(26mn )のけんたく液に、オキシ塩化燐(4,1
g)を加え、混合物を室温で1.5時間攪拌する。これ
にN、N−ジメチルホルムアミド(4,0鶴)を−15
℃で加え、−15ないし一5℃で40分間攪拌して活性
化された酸溶液を得る。
一方、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(2,6g)と
メチレンクロライド(26mQ)のけんたく液に、トリ
メチルシリルアセトアミド(5,5g)を加え、混合物
を35ないし40°Cで10分間攪拌する。
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(2,6g)と
メチレンクロライド(26mQ)のけんたく液に、トリ
メチルシリルアセトアミド(5,5g)を加え、混合物
を35ないし40°Cで10分間攪拌する。
この溶液に上記活性化された酸溶液を一10°Cで一度
に加え、混合物を−10ないし一5℃で半時間攪拌する
。反応混合物に飽和塩化ナトリウム水溶液(150mm
)および酢酸エチル(150mm )を加え、飽和戻
酸水素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整する。分離
した有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると、7−[2−[
5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチレン)アミン
)−1,2,4−チアジアゾール−3−イル]−2−第
3級プトキシ力ルポニルメトキシイミノアセトアミドコ
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性体) (4,13g )を得
る。
に加え、混合物を−10ないし一5℃で半時間攪拌する
。反応混合物に飽和塩化ナトリウム水溶液(150mm
)および酢酸エチル(150mm )を加え、飽和戻
酸水素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整する。分離
した有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると、7−[2−[
5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチレン)アミン
)−1,2,4−チアジアゾール−3−イル]−2−第
3級プトキシ力ルポニルメトキシイミノアセトアミドコ
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性体) (4,13g )を得
る。
IR(ヌジョール) ’ L770. 1710.
1620 cm−’NMRl; ppm(DMSO
−d6) : 1.47 (9H,s)、 3.09
(3H。
1620 cm−’NMRl; ppm(DMSO
−d6) : 1.47 (9H,s)、 3.09
(3H。
s)、 3.20 (3H,s)、 3.82 (2H
,m)、 4.71 (2H。
,m)、 4.71 (2H。
s)、 5.17−6.17 (31(、m>、 5.
32 (11(、d。
32 (11(、d。
J=5.0Hz)、 6.80 (1)1.dd、J=
12.0)lz。
12.0)lz。
18.0Hz)、 7.00 (LH,s)、 7.4
3 (IOH,s)。
3 (IOH,s)。
8.50 (1)1.s)、 9.69 (LH,d、
J=8.0Hz)実施例14 2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
)酢V(シン異性体)(2,5g)を、5塩化燐(1,
7g)とメチレンクロライドにとかした溶液に一18℃
で加え、−5ないし一15℃で1時間攪拌する。これに
ジイソプロピルエーテル(75mA )を−10ないし
一5℃で加え、室温で10分間攪拌する。沈殿を濾取し
、ジイソプロピルエーテルで洗浄する。
J=8.0Hz)実施例14 2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
)酢V(シン異性体)(2,5g)を、5塩化燐(1,
7g)とメチレンクロライドにとかした溶液に一18℃
で加え、−5ないし一15℃で1時間攪拌する。これに
ジイソプロピルエーテル(75mA )を−10ないし
一5℃で加え、室温で10分間攪拌する。沈殿を濾取し
、ジイソプロピルエーテルで洗浄する。
一方、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(2,7g)と
メチレンクロライド(2rmrb )のけんたく液に、
トリメチルシリルアセトアミド(5,8g)を加え、少
時攪拌する。この溶液に上記沈殿を一10°Cで加え、
混合物を同温度で半時間攪拌する。反応混合物に水(8
0mQ )と酢酸エチル(200mQ )を加え、有機
層を分取する。これに水を加え、混合物を飽和度酸ナト
リウム水溶液でpH7,5に調整する。分離した有機層
を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。溶媒を留去すると、7−[2−(5−ア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−
第3級ブトキシ力ルポニルメトキシイミノアセトアミド
コ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(3,53g)を得る
。
ルボン酸ベンズヒドリルエステル塩酸塩(2,7g)と
メチレンクロライド(2rmrb )のけんたく液に、
トリメチルシリルアセトアミド(5,8g)を加え、少
時攪拌する。この溶液に上記沈殿を一10°Cで加え、
混合物を同温度で半時間攪拌する。反応混合物に水(8
0mQ )と酢酸エチル(200mQ )を加え、有機
層を分取する。これに水を加え、混合物を飽和度酸ナト
リウム水溶液でpH7,5に調整する。分離した有機層
を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。溶媒を留去すると、7−[2−(5−ア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−
第3級ブトキシ力ルポニルメトキシイミノアセトアミド
コ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(3,53g)を得る
。
IR(ヌジョール) : 3400. 1770.
1720. 1670゜1620 cm−’ NMRδppm(DMSO−d6) : 1.46 (
9H,s)、 3.77 (2)1゜q、J:19.0
)lz)、4.67 (2H,s)、 5.30 (I
H,d。
1720. 1670゜1620 cm−’ NMRδppm(DMSO−d6) : 1.46 (
9H,s)、 3.77 (2)1゜q、J:19.0
)lz)、4.67 (2H,s)、 5.30 (I
H,d。
J=5.0)lz>、 5.33 (1)1.d、J=
11.0)lz)、 5.66(LH,d、J=17.
0Hz>、 5.96 (1)1.dd、J=5.0
Hz。
11.0)lz)、 5.66(LH,d、J=17.
0Hz>、 5.96 (1)1.dd、J=5.0
Hz。
9.0Hz>、 6.80 (LH,dd、J=11
.0Hz、 17.0H2)。
.0Hz、 17.0H2)。
6.99 (LH,s)、 7.43 (IOH,s
)、 8.23 (2H。
)、 8.23 (2H。
ブロード s)、 9.63 (11(、d、J=
9.0t(z)実施例15 2−(4−アミノピリミジン−2−イル)−2−第3級
ブトキシカルボニルメトキシイミノ酢酸(シン異性体)
(13g)と酢酸エチル(25mQ)のけんたく液に、
オキシ塩化燐(o、5mα)を水冷攪拌下に加え、0な
いし5℃で半時間攪拌する。
9.0t(z)実施例15 2−(4−アミノピリミジン−2−イル)−2−第3級
ブトキシカルボニルメトキシイミノ酢酸(シン異性体)
(13g)と酢酸エチル(25mQ)のけんたく液に、
オキシ塩化燐(o、5mα)を水冷攪拌下に加え、0な
いし5℃で半時間攪拌する。
これにトリメチルシリルアセトアミド(28mg)を加
え、混合物を同温度で半時間攪拌する。混合物にオキシ
塩化燐(0,5mm)を0ないし5℃で加え、同温度で
15分間攪拌する。これにN、N−ジメチルホルムアミ
ド(0,37mA )をOないし5℃で加え、水冷下に
半時間攪拌して活性化された酸溶液を得る。
え、混合物を同温度で半時間攪拌する。混合物にオキシ
塩化燐(0,5mm)を0ないし5℃で加え、同温度で
15分間攪拌する。これにN、N−ジメチルホルムアミ
ド(0,37mA )をOないし5℃で加え、水冷下に
半時間攪拌して活性化された酸溶液を得る。
この溶液を、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(1,32g)
とトリメチルシリルアセトアミド(3,5g)をメチレ
ンクロライド(30mQ )にとかした溶液に一20℃
で一度に加え、−10°Cで40分間攪拌する。反応混
合物を酢酸エチル中に注入し、分離した有機層を5%炭
酸水素ナトリウム水溶液および5%塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去
し、残留する油状物をシリカゲル(100mQ )でカ
ラムクロマトグラフィーに付し、ジイソプロピルエーテ
ルと酢酸エチルの混合溶媒で溶離する。目的化合物を含
むフラクションを集め、濃縮すると、mp 155ない
し158℃の7−[2−(4−アミノピリミジン−2−
イル)−2−第3級プトキシ力ルポニルメトキシイミノ
アセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(0,4
g)を得る。
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(1,32g)
とトリメチルシリルアセトアミド(3,5g)をメチレ
ンクロライド(30mQ )にとかした溶液に一20℃
で一度に加え、−10°Cで40分間攪拌する。反応混
合物を酢酸エチル中に注入し、分離した有機層を5%炭
酸水素ナトリウム水溶液および5%塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去
し、残留する油状物をシリカゲル(100mQ )でカ
ラムクロマトグラフィーに付し、ジイソプロピルエーテ
ルと酢酸エチルの混合溶媒で溶離する。目的化合物を含
むフラクションを集め、濃縮すると、mp 155ない
し158℃の7−[2−(4−アミノピリミジン−2−
イル)−2−第3級プトキシ力ルポニルメトキシイミノ
アセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(0,4
g)を得る。
IR<’Xジa−L) : 3250. 1780.
1723. 1690゜1628 cm’ NMRδppm(CDC13) ’ 1.46 (9H
1s)、3.44,3.66(21(、ABq、J=1
8)1z)、 4.78 (2Ls>、 5.1
2 (11(。
1723. 1690゜1628 cm’ NMRδppm(CDC13) ’ 1.46 (9H
1s)、3.44,3.66(21(、ABq、J=1
8)1z)、 4.78 (2Ls>、 5.1
2 (11(。
d、J=5Hz)、 5.27 <IH,d、J=11
)1z)、 5.40 (1)1゜d、J=18Hz)
、 6.10 (LH,dd、J=5Hz、 8H
z)。
)1z)、 5.40 (1)1゜d、J=18Hz)
、 6.10 (LH,dd、J=5Hz、 8H
z)。
6.67 (LH,d、J=6Hz)、 6.96
(LH,s)、 6.98(IH,dd、J=11H
z、 18)1z)、 7.3 (IOH,m)、
8.28(LH,d、J=6Hz)、 8.50
(1)1.d、J=8Hz)実施例16 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(3,17g)と
、2−(5−トリチルアミノ−1゜2.4−チアシアソ
ール−3−イル)酢酸と5塩化燐(1,75g)とから
製した酸クロライドを実施例14と同様に反応許せて、
7−[2−(5−1−リチルアミノー1,2.4−チア
ジアゾール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(5,1g)を得る。
(LH,s)、 6.98(IH,dd、J=11H
z、 18)1z)、 7.3 (IOH,m)、
8.28(LH,d、J=6Hz)、 8.50
(1)1.d、J=8Hz)実施例16 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(3,17g)と
、2−(5−トリチルアミノ−1゜2.4−チアシアソ
ール−3−イル)酢酸と5塩化燐(1,75g)とから
製した酸クロライドを実施例14と同様に反応許せて、
7−[2−(5−1−リチルアミノー1,2.4−チア
ジアゾール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(5,1g)を得る。
IR(ヌジョール) ’ 1760. 1710.
1670 cm−1HMRδppm(DMSO−d
6) ’ 3.35 (2)11m>、3.73 (2
H9m>、 5.18 (1)1.d、J=5Hz)、
5.27 (IH,d。
1670 cm−1HMRδppm(DMSO−d
6) ’ 3.35 (2)11m>、3.73 (2
H9m>、 5.18 (1)1.d、J=5Hz)、
5.27 (IH,d。
J=11Hz)、 5.62 (IH,d、J=18H
z)、5.72 (IH。
z)、5.72 (IH。
dd、J=5Hz、 8Hz>、 6.77 (IH,
dd、J=11Hz。
dd、J=11Hz。
18Hz)、 6.93 (IH,s)、 7.
3 (10)1.s)、 7.63(LH,d、J
=8)1z)、 8.05 (LH,s)実施例17 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(z、t5g)と
メチレンクロライド(100mQ ) (7)けんだく
液に、2,6−ルチジン(0,54g)を水冷下に加え
る。得られる溶液に、2−(5−トリチルアミノ−1,
3,4−チアジアゾール−2−イル)酢酸(2,4g)
、N、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド(1,
03g)、テトラヒドロフラン(200mQ )および
N、N−ジメチルホルムアミド(6QmQ )を加え、
混合物を室温で1日攪拌する。溶媒を留去し、残留物に
酢酸エチル、テトラヒドロフランおよび水の混液を加え
る。不溶物を濾去し、濾液を希塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジ
イソプロピルエーテルで洗浄すると、7−[2−(5−
トリチルアミノ−1,3,4−チアシアー80= ゾール−2−イル)アセトアミド]−3−ビニルー3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2
,6g)を得る。
3 (10)1.s)、 7.63(LH,d、J
=8)1z)、 8.05 (LH,s)実施例17 ツーアミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(z、t5g)と
メチレンクロライド(100mQ ) (7)けんだく
液に、2,6−ルチジン(0,54g)を水冷下に加え
る。得られる溶液に、2−(5−トリチルアミノ−1,
3,4−チアジアゾール−2−イル)酢酸(2,4g)
、N、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド(1,
03g)、テトラヒドロフラン(200mQ )および
N、N−ジメチルホルムアミド(6QmQ )を加え、
混合物を室温で1日攪拌する。溶媒を留去し、残留物に
酢酸エチル、テトラヒドロフランおよび水の混液を加え
る。不溶物を濾去し、濾液を希塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液および塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジ
イソプロピルエーテルで洗浄すると、7−[2−(5−
トリチルアミノ−1,3,4−チアシアー80= ゾール−2−イル)アセトアミド]−3−ビニルー3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(2
,6g)を得る。
IR(ヌジョール) j 3300−3150.
1780. 1720. 1660゜1620、151
0 cm−1 実施例18 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(3,5g)と2
−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−イ
ル)酢酸(3,5g)を2.6−ルチジン(0,9g)
とN、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド(1,
7g)の存在下実施例17と同様に反応させて、7−[
2−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−
イル)アセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルリボン酸ペンスヒドリルすステル(4,4g)を
得る。
1780. 1720. 1660゜1620、151
0 cm−1 実施例18 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステルモノ塩酸塩(3,5g)と2
−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−イ
ル)酢酸(3,5g)を2.6−ルチジン(0,9g)
とN、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミド(1,
7g)の存在下実施例17と同様に反応させて、7−[
2−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール−2−
イル)アセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルリボン酸ペンスヒドリルすステル(4,4g)を
得る。
IR(ヌジョール) : 3325. 17g0.
1710. 1620゜1560cm−1 NMRδppm(DMSOd6) ’ 3.78 (2
H1m>、5.02−5.92(6)1.m)、 6.
78 (LH,dd、J=11)1z、 17Hz)、
6.97(IH,s)、 7.05−7.65 (
25H,m)、 9.33 (LH,d。
1710. 1620゜1560cm−1 NMRδppm(DMSOd6) ’ 3.78 (2
H1m>、5.02−5.92(6)1.m)、 6.
78 (LH,dd、J=11)1z、 17Hz)、
6.97(IH,s)、 7.05−7.65 (
25H,m)、 9.33 (LH,d。
J=8H2)
実施例19
2−(1−第3級ブトキシカルボニルエトキシイミノ)
−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)酢酸(シン異性体)(2,2g)を、5塩化燐
(1,6g)とメチレンクロライド(2211111)
のけんたく液に一15°Cで加え、混合物を−5ないし
一15°Cで30分間攪拌する。反応混合物に乾燥ジイ
ソプロピルエーテルを一10℃で加え、沈殿を濾取し、
乾燥ジイソプロピルエーテルで洗浄する。一方、7−ア
ミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル塩酸塩(2.5g)とメチレンクロ
ライド( z5mx )のけんたく液にトリメチルシリ
ルアセトアミド(5.4g)を攪拌下に加える。得られ
る溶液に上記沈殿を一10℃で加え、−5ないし一10
℃で40分間攪拌する。得られる溶液に水を加え、分離
した有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濃縮すると、7−[2−(1−第3級ブトキシカ
ルボニルエトキシイミノ)−2−(5−アミノ−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル(シン異性体)(2,5tg)を得る。
−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)酢酸(シン異性体)(2,2g)を、5塩化燐
(1,6g)とメチレンクロライド(2211111)
のけんたく液に一15°Cで加え、混合物を−5ないし
一15°Cで30分間攪拌する。反応混合物に乾燥ジイ
ソプロピルエーテルを一10℃で加え、沈殿を濾取し、
乾燥ジイソプロピルエーテルで洗浄する。一方、7−ア
ミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル塩酸塩(2.5g)とメチレンクロ
ライド( z5mx )のけんたく液にトリメチルシリ
ルアセトアミド(5.4g)を攪拌下に加える。得られ
る溶液に上記沈殿を一10℃で加え、−5ないし一10
℃で40分間攪拌する。得られる溶液に水を加え、分離
した有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濃縮すると、7−[2−(1−第3級ブトキシカ
ルボニルエトキシイミノ)−2−(5−アミノ−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル(シン異性体)(2,5tg)を得る。
IR(ヌジョール) ’ 1770. 1720.
1680. 1610 cm−1実施例20 7−[2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)−
2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステルン異性体)(4.8g)とメタノ
ール( 300mQ )のけんたく液に、濃塩酸( 2
. 88m11 )を加え、混合物を35°Cで1時間
攪拌する。反応混合物を5%炭酸水素ナトリウム水溶液
でpH5.5に調整し、メタノールを減圧留去し、酢酸
エチル( 300m11 )で抽出する。抽出液を飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去すると、mp 125−12(1℃
の7−[2−(6−アミノビリジン−2ーイル)−2−
第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(4.5g)を得る。
1680. 1610 cm−1実施例20 7−[2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)−
2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステルン異性体)(4.8g)とメタノ
ール( 300mQ )のけんたく液に、濃塩酸( 2
. 88m11 )を加え、混合物を35°Cで1時間
攪拌する。反応混合物を5%炭酸水素ナトリウム水溶液
でpH5.5に調整し、メタノールを減圧留去し、酢酸
エチル( 300m11 )で抽出する。抽出液を飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去すると、mp 125−12(1℃
の7−[2−(6−アミノビリジン−2ーイル)−2−
第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル(シン異性体)(4.5g)を得る。
IR (スジ1−ル’) : 3350, 1
778, 1721, 1682。
778, 1721, 1682。
1615cm−1
NMR f; pp’m(DMSO−九) : 1.4
5 (9H,s)、 3.55。
5 (9H,s)、 3.55。
3、97 <2H,ABq,J=18Hz)、 4
.65 (2H,ブロード s)。
.65 (2H,ブロード s)。
5、29 (LH,d,J=5Hz)、 5.29 (
IH,d,J=11Hz)。
IH,d,J=11Hz)。
5、95 (LH,d.J=18Hz)、 5.98
(lt(、dd,J=5Hz。
(lt(、dd,J=5Hz。
8Hz>、 6.9 (LH.m)、 6.97 (I
H,s)、 6.8−7.7(3H,m)、 7.4
(IOH,m>、 9.47 (LH,d,J=8Hz
)83一 実施例21 7−[2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)−
2−メトキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シ
ン異性体)(5.7g)と濃塩酸(4.3mQ)を実施
例20と同様に反応させて、mp 183−188℃の
7−[2−(6−アミノビリジン−2ーイル)−2−メ
トキシイミノアセトアミl’]−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異
性体)(4.5g)を得る。
H,s)、 6.8−7.7(3H,m)、 7.4
(IOH,m>、 9.47 (LH,d,J=8Hz
)83一 実施例21 7−[2−(6−ホルムアミドピリジン−2−イル)−
2−メトキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シ
ン異性体)(5.7g)と濃塩酸(4.3mQ)を実施
例20と同様に反応させて、mp 183−188℃の
7−[2−(6−アミノビリジン−2ーイル)−2−メ
トキシイミノアセトアミl’]−3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異
性体)(4.5g)を得る。
IR (スジョール) : 3250, 17
75. 1720 (ショルダー)。
75. 1720 (ショルダー)。
1680 (ブロード) am−1HMRδppm
(DMSO−d6) : 3.8 (2H.m)、 3
.93 (3H。
(DMSO−d6) : 3.8 (2H.m)、 3
.93 (3H。
s)、 5.3 (LH.d.J=5Hz>、 5.3
(LH.d。
(LH.d。
J=11Hz>、 5.63 (IH,d.J=18)
+z>、 5.95 (LH。
+z>、 5.95 (LH。
dd,J=11Hz, 18Hz)、 6.5−8.2
(3H.m)、 6.9<IH,m>、 7.0 (
1)1,s)、 7.4 (IOH,m)、 9.57
(LH,d,J=8)1z) 下記の化合物は、ホルムアミド基を有する7−アシルア
ミノ−3−ビニルセファロスポラン酸誘導体と濃塩酸を
実施例20と同様に反応許せて得られた。
(3H.m)、 6.9<IH,m>、 7.0 (
1)1,s)、 7.4 (IOH,m)、 9.57
(LH,d,J=8)1z) 下記の化合物は、ホルムアミド基を有する7−アシルア
ミノ−3−ビニルセファロスポラン酸誘導体と濃塩酸を
実施例20と同様に反応許せて得られた。
実施例22
7−[2−(5−アミノ−1,2.4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3
−ビニル−3−セフェ□ムー4ーカルボン酸ベンズヒド
リルエステル(シン異性体)IR (ヌジョール’)
: 3300, 3175, 1770.
1720, 1670。
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3
−ビニル−3−セフェ□ムー4ーカルボン酸ベンズヒド
リルエステル(シン異性体)IR (ヌジョール’)
: 3300, 3175, 1770.
1720, 1670。
1610、 1510 0m−1
実施例23
7−[2−(5−アミノ−1,2.4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) IR (スジョール) : 3350. 32
50. 1770. 1670, 1620。
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) IR (スジョール) : 3350. 32
50. 1770. 1670, 1620。
1530 cm”−’
実施例24
7−[2−(6−アミノビリジン−2ーイル)−2−メ
トキシイミノアセトアミトコ−3−ビニルー3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(スジシール) : 3350. 3250.
1780 (ブロード〉。
トキシイミノアセトアミトコ−3−ビニルー3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(スジシール) : 3350. 3250.
1780 (ブロード〉。
1667 (ブロード) cm−’実施例25
7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)−2−カ
ルボキシメトキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(スジシール) : 3300. 1763
(ブロード)、 tss。
ルボキシメトキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) IR(スジシール) : 3300. 1763
(ブロード)、 tss。
(ブロード) c+n7’
実施例26
7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオ
キシメチルエステル(シン異性体) IR(ヌジR−ル) : 3400−3100.
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−1 実施例27 7−[2−(5−トリチルアミノ−1,3,4−チアジ
アゾール−2−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
2,6g)とメチレンクロライド(3omi )および
アニソール(2,1g)のけんたく液に、トリフルオロ
酢酸(7,6g)を水冷下に加え、室温で1.5時間攪
拌する。反応混合物をジイソプロピルエーテル(300
m11 )中に注入し、沈殿を濾取し、水(4oma
)にけんだくする。10%水酸化ナトリウム水溶液でp
H7に調整した後、水溶液を酢酸エチルで洗浄し、10
%塩酸でpH5に調整する。得られる水溶液に含まれる
有機溶媒を完全に留去し、水溶液を希酢酸でpH4に調
整し、非イオン性吸着樹脂「ダイヤイオン)IP −2
0J (50mA )でクロマトグラフィーに付す。水
洗後、30%イソプロピルアルコールで溶離し、目的化
合物を含むフラクションを集め、減圧濃縮する。濃縮物
を凍結乾燥すると、7−[2−(5−アミノ−1,3゜
4−チアジアゾール−2−イル)アセトアミトコ−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(0,31g)
を得る。
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオ
キシメチルエステル(シン異性体) IR(ヌジR−ル) : 3400−3100.
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−1 実施例27 7−[2−(5−トリチルアミノ−1,3,4−チアジ
アゾール−2−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
2,6g)とメチレンクロライド(3omi )および
アニソール(2,1g)のけんたく液に、トリフルオロ
酢酸(7,6g)を水冷下に加え、室温で1.5時間攪
拌する。反応混合物をジイソプロピルエーテル(300
m11 )中に注入し、沈殿を濾取し、水(4oma
)にけんだくする。10%水酸化ナトリウム水溶液でp
H7に調整した後、水溶液を酢酸エチルで洗浄し、10
%塩酸でpH5に調整する。得られる水溶液に含まれる
有機溶媒を完全に留去し、水溶液を希酢酸でpH4に調
整し、非イオン性吸着樹脂「ダイヤイオン)IP −2
0J (50mA )でクロマトグラフィーに付す。水
洗後、30%イソプロピルアルコールで溶離し、目的化
合物を含むフラクションを集め、減圧濃縮する。濃縮物
を凍結乾燥すると、7−[2−(5−アミノ−1,3゜
4−チアジアゾール−2−イル)アセトアミトコ−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(0,31g)
を得る。
IR(スジシール) : 3300. 3200.
1760. 1650. 1610゜1600、15
50.1510 cm ’NMRSppm(DMSO−
d6) ’ 3.55 (2H,ブロード s)
、 3.88(2H,s)、 5.05 (LH,d
、J=11)1z)、 5.05 (LH,d。
1760. 1650. 1610゜1600、15
50.1510 cm ’NMRSppm(DMSO−
d6) ’ 3.55 (2H,ブロード s)
、 3.88(2H,s)、 5.05 (LH,d
、J=11)1z)、 5.05 (LH,d。
J=5Hz)、 5.30 (1)1.d、J=17H
z>、 5.55 (IH。
z>、 5.55 (IH。
dd、J=5Hz、 8Hz)、 7.17 (LH,
dd、J=11Hz。
dd、J=11Hz。
17Hz)、 9.27 (IH,d、J=8Hz)実
施例28 7−[2−(5−トリチルアミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)アセトアミド]−3−ビニルー3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
5g)とトリフルオロ酢酸(14,7g)をアニソール
(5,57t)の存在下実施例27と同様に反応させて
、7−[2−(,5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−力ルポン酸(0,55g)を得る。
施例28 7−[2−(5−トリチルアミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)アセトアミド]−3−ビニルー3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(
5g)とトリフルオロ酢酸(14,7g)をアニソール
(5,57t)の存在下実施例27と同様に反応させて
、7−[2−(,5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−力ルポン酸(0,55g)を得る。
IR<スジ1−4) : 1760. 1640
cm−1NMRSppm(DMSO−d6) ’ 3
.55 (2H,s)、3.68 (2H。
cm−1NMRSppm(DMSO−d6) ’ 3
.55 (2H,s)、3.68 (2H。
m>、 5.13 (1)T、d、J=5)1z)、
5.28 (IH,d。
5.28 (IH,d。
J−11Hz>、5.55 (IH,d、J=18Hz
>、5.68 <LH。
>、5.68 <LH。
dd、J=5Hz、 8Hz)、 6.95 (I
H,dd、J=11Hz。
H,dd、J=11Hz。
18Hz>、 7.9 (2H,ブロード s)、
9.05 (IH,d。
9.05 (IH,d。
J=8Hz)
実施例29
7−[2−(5−トリチルアミノ−2H−テトラゾール
−2−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(8,3g
)とトリフルオロ酢酸(24,9g)をアニソール(,
9,4g)の存在下実施例27と同様に反応させて、m
p 230−242℃(分解)の7−[2−、(5−ア
ミノ−2H−テトラゾール−2−イル)アセトアミド]
−3−ビニルー3−セフェム−4−カルボン酸(0,7
g)ヲ得る。
−2−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(8,3g
)とトリフルオロ酢酸(24,9g)をアニソール(,
9,4g)の存在下実施例27と同様に反応させて、m
p 230−242℃(分解)の7−[2−、(5−ア
ミノ−2H−テトラゾール−2−イル)アセトアミド]
−3−ビニルー3−セフェム−4−カルボン酸(0,7
g)ヲ得る。
IR(スジシール) : 3400−3100.
1770. 1680. 1620゜1550 cm−
1 NMR8ppm(DMSO−d6) ’ 3.7 (2
H,m)、 4.8−6.05(6H,m)、 7.0
(IH,dd、J=11Hz、 17Hz>、 9.
57(LH,d、J=8Hz) ’実施
例30 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾー
ル−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル(2,4g)をメチレンクロライド(15
mm)およびアニソール(1,8g)にとかした溶液に
、トリフルオロ酢酸(4’、9g)を加え、混合物を室
温で1時間攪拌する。反応混合物にジイソプロピルエー
テル(150mQ )を加え、沈殿を濾取し、酢酸エチ
ルと水の混合物にけんだくし、10%水酸化ナトリウム
水溶液でpH7に調整する。水層を分取し、酢酸エチル
を加えた後塩化ナトリウムを飽和させる。10%塩酸で
pH1,5に調整し、酢酸エチル層を分取し、飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去し、残留物をジエチルエーテルで洗
浄すると、7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キ
サジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセト
アミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体)(1,6g)を得る。
1770. 1680. 1620゜1550 cm−
1 NMR8ppm(DMSO−d6) ’ 3.7 (2
H,m)、 4.8−6.05(6H,m)、 7.0
(IH,dd、J=11Hz、 17Hz>、 9.
57(LH,d、J=8Hz) ’実施
例30 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キサジアゾー
ル−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル(2,4g)をメチレンクロライド(15
mm)およびアニソール(1,8g)にとかした溶液に
、トリフルオロ酢酸(4’、9g)を加え、混合物を室
温で1時間攪拌する。反応混合物にジイソプロピルエー
テル(150mQ )を加え、沈殿を濾取し、酢酸エチ
ルと水の混合物にけんだくし、10%水酸化ナトリウム
水溶液でpH7に調整する。水層を分取し、酢酸エチル
を加えた後塩化ナトリウムを飽和させる。10%塩酸で
pH1,5に調整し、酢酸エチル層を分取し、飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去し、残留物をジエチルエーテルで洗
浄すると、7−[2−(5−アミノ−1,2,4−才キ
サジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセト
アミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸
(シン異性体)(1,6g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3250. 1770.
1660. 1550 cm−INMRδppm(
DMSO−九) : 3.77 (28,q、J=17
Hz>。
1660. 1550 cm−INMRδppm(
DMSO−九) : 3.77 (28,q、J=17
Hz>。
4.00 (3H,s)、 5.23 (LH,d、J
=5Hz)、 5.37(LH,d、J=11Hz>、
5.62 (LH,d、J=17Hz>、 5.85
(IH,dd、J=5Hz、 8Hz)、 7.00
(LH,dd、J=11Hz。
=5Hz)、 5.37(LH,d、J=11Hz>、
5.62 (LH,d、J=17Hz>、 5.85
(IH,dd、J=5Hz、 8Hz)、 7.00
(LH,dd、J=11Hz。
17Hz)、 8.07 (2H,s)、 9.78
(LH,d、J=8)1z>実施例31 7−[2−(5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチ
レン)アミン)−1,2,4−才キサジアゾール−3−
イル]−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(シン異性体)(3,3g)とトリフルオロ酢酸(
5,93g)をアニソール(2,2g)の存在下実施例
30と同様に反応許せて、7−[2−[5iN−(N、
N−ジメチルアミノメチレン)アミノ)−1,2,4−
才キサジアゾール−3−イル]−2−メトキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4一カルボ
ン酸(シン異性体)(2,2g)を得る。
(LH,d、J=8)1z>実施例31 7−[2−(5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチ
レン)アミン)−1,2,4−才キサジアゾール−3−
イル]−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエス
テル(シン異性体)(3,3g)とトリフルオロ酢酸(
5,93g)をアニソール(2,2g)の存在下実施例
30と同様に反応許せて、7−[2−[5iN−(N、
N−ジメチルアミノメチレン)アミノ)−1,2,4−
才キサジアゾール−3−イル]−2−メトキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4一カルボ
ン酸(シン異性体)(2,2g)を得る。
IR(ヌジB−ル) : 3200. 1770.
1700. 1660. 1640゜1530 cm−
’ NMRδppm(DMSO−d6) : 3.08 (
3H,s)、 3.23 (3H。
1700. 1660. 1640゜1530 cm−
’ NMRδppm(DMSO−d6) : 3.08 (
3H,s)、 3.23 (3H。
s)、 3.75 (2H,q、J47Hz>、 4.
00 (3H,s)。
00 (3H,s)。
5.23 (IH,d、J=5Hz)、 5.37 (
LH,d、J41Hz>。
LH,d、J41Hz>。
5.60 (LH,d、J=17Hz)、 5.85
(IH,dd、J=5Hz。
(IH,dd、J=5Hz。
8Hz>、 6.99 (IH,dd、J=11Hz、
17Hz)、 8.65(1)1.s)、 9.78
(LH,d、J=8Hz>実施例32 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾー
ル−3−イル)アセトアミドツー3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルリボン酸ベンズ′ヒドリルエステル(2
,05g)とトリフルオロ酸m (9,0g)をアニソ
ール(2,5g)の存在下実施例3oと同様に反応させ
て、7−[2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジア
ゾール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸(0,55g)を得る。
17Hz)、 8.65(1)1.s)、 9.78
(LH,d、J=8Hz>実施例32 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジアゾー
ル−3−イル)アセトアミドツー3−ビニル−3−セフ
ェム−4−カルリボン酸ベンズ′ヒドリルエステル(2
,05g)とトリフルオロ酸m (9,0g)をアニソ
ール(2,5g)の存在下実施例3oと同様に反応させ
て、7−[2−(5−アミノ−1,2,4−オキサジア
ゾール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸(0,55g)を得る。
IR(y、シロール) : 3500−3200.
1770. 1690. 1670゜1565 cm
−1 NMRSppm(DMSO−d6) : 3.50 (
2)1.s)、 3.73 (2H。
1770. 1690. 1670゜1565 cm
−1 NMRSppm(DMSO−d6) : 3.50 (
2)1.s)、 3.73 (2H。
q、J=17Hz)、 5.18 (IH,d、J=
5Hz)、 5.35 (18゜d、J=11Hz)
、 5.62 (1)!、d、J=18Hz>、
5.75(1M、dd、J=5Hz、 8Hz>、
7.02 <1)1.dd、J=11)1z。
5Hz)、 5.35 (18゜d、J=11Hz)
、 5.62 (1)!、d、J=18Hz>、
5.75(1M、dd、J=5Hz、 8Hz>、
7.02 <1)1.dd、J=11)1z。
18Hz)、 7.80 (2H,s)、 9.2
2 (1)1.d、J:8Hz)実施例33 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)=2−第
3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性4本)(6,Og)、7 二
”)−ル(10m11 )およびトリフルオロ酢酸(6
0mm )の混合物を、室温で1時間攪拌する。反応混
合物をジイソプロピルエーテル(600m11 )中に
攪拌しながら注入し、沈殿を濾取し、ジイソプロピルエ
ーテルで洗浄し、水(100mQ )にとかし、5%炭
酸水素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整し、酢酸エ
チル(50mm )で洗浄する。得られる水溶液を濃塩
酸でpi(2,5に調整し、酢酸エチル(200m11
)およびテトラヒド口フラン(200mQ )で抽出
する。残る水層を濃塩酸でさらにpH1,5に調整し、
テトラヒドロフラン(toomQ)で抽出する。抽出液
を合わせ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をアセト
ンおよびジイソプロピルエーテルで洗浄すると、mp
173−178℃(分解)の7−[2−(6−アミノピ
リジン−2−イル)−2−カルボキシメトキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−力ルボ
ン酸(シン異性体)(2,4g)を得る。
2 (1)1.d、J:8Hz)実施例33 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)=2−第
3級ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル(シン異性4本)(6,Og)、7 二
”)−ル(10m11 )およびトリフルオロ酢酸(6
0mm )の混合物を、室温で1時間攪拌する。反応混
合物をジイソプロピルエーテル(600m11 )中に
攪拌しながら注入し、沈殿を濾取し、ジイソプロピルエ
ーテルで洗浄し、水(100mQ )にとかし、5%炭
酸水素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整し、酢酸エ
チル(50mm )で洗浄する。得られる水溶液を濃塩
酸でpi(2,5に調整し、酢酸エチル(200m11
)およびテトラヒド口フラン(200mQ )で抽出
する。残る水層を濃塩酸でさらにpH1,5に調整し、
テトラヒドロフラン(toomQ)で抽出する。抽出液
を合わせ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をアセト
ンおよびジイソプロピルエーテルで洗浄すると、mp
173−178℃(分解)の7−[2−(6−アミノピ
リジン−2−イル)−2−カルボキシメトキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−力ルボ
ン酸(シン異性体)(2,4g)を得る。
工R(スジ1−ル) : 3300. 1763
(ブロード>、 1660(ブロード) cm−
1 NMRS ppm(DMSO−d6) : 3.68
(2H,m)、 4.77 (28゜ブロード s)、
5.25 (IH,d、J=5)1z)、 5
.30 (LH,d。
(ブロード>、 1660(ブロード) cm−
1 NMRS ppm(DMSO−d6) : 3.68
(2H,m)、 4.77 (28゜ブロード s)、
5.25 (IH,d、J=5)1z)、 5
.30 (LH,d。
J=11Hz)、 5.87 (IH,d、、T=18
Hz)、 5.83 (IH。
Hz)、 5.83 (IH。
dd、J=5Hz、 8H2)、 6.5−8.0 (
3H,m)、、9.7(LH,d、J=8Hz) 実施例34 7−[2−[5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチ
レン)アミン)−1,2,4−チアジアゾール−3−イ
ルコー2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(4,0g
)をメチレンクロライド(J、QmQ)とアニソール(
4,0ntQ)にとかした溶液に、トリフルオロ酢酸(
16,QmQ )を水冷下に加え、混合物を室温で1.
5時間攪拌する。反応混合物をジイソプロピルエーテル
(200m11 ) 中に滴下し、沈殿を濾取し、水と
酢酸エチルの混合物中に加え、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でpH75に調整する。分離した水着を塩化ナト
リウムで飽和し、10%塩酸でpH2,5に調整し、酢
酸エチルとテトラヒドロフランの混合溶媒(容量比1:
2)で抽出する。抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、
残留物をジエチルエーテルで洗浄し濾取すると、7−[
2−(5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−カルボキシメトキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(
シン異性95一 体) (1,75g )を得る。
3H,m)、、9.7(LH,d、J=8Hz) 実施例34 7−[2−[5−(N−(N、N−ジメチルアミノメチ
レン)アミン)−1,2,4−チアジアゾール−3−イ
ルコー2−第3級ブトキシカルボニルメトキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(4,0g
)をメチレンクロライド(J、QmQ)とアニソール(
4,0ntQ)にとかした溶液に、トリフルオロ酢酸(
16,QmQ )を水冷下に加え、混合物を室温で1.
5時間攪拌する。反応混合物をジイソプロピルエーテル
(200m11 ) 中に滴下し、沈殿を濾取し、水と
酢酸エチルの混合物中に加え、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液でpH75に調整する。分離した水着を塩化ナト
リウムで飽和し、10%塩酸でpH2,5に調整し、酢
酸エチルとテトラヒドロフランの混合溶媒(容量比1:
2)で抽出する。抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、
残留物をジエチルエーテルで洗浄し濾取すると、7−[
2−(5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−カルボキシメトキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(
シン異性95一 体) (1,75g )を得る。
IR(ヌジョール) ’ 3200. 1770.
1670 am−’NMR8ppm(DMSO−九
) ’ 3.70 (2H,m)、 4.75 (2H
。
1670 am−’NMR8ppm(DMSO−九
) ’ 3.70 (2H,m)、 4.75 (2H
。
s)、 5.24 (LH,d、J=5.0Hz>、
5.33 (1)1.d。
5.33 (1)1.d。
J−12,0Hz)、 5.61 (1)1.d、
J=18.0Hz>、 5.91(IH,dd、J=
5.0Hz、 8.0)1z)、 6.96 (
LH,dd。
J=18.0Hz>、 5.91(IH,dd、J=
5.0Hz、 8.0)1z)、 6.96 (
LH,dd。
J=12.0Hz、 18.0)Iz)、 8.8
7 (IH,s)、 9.70<1)1.d、J=8
.0)Iz)、 13.47 (1)!、ブロード
S)実施例35 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル(シン異性体)(6,2g)とメチレンクロ
ライド(60mQ )のけんたく液に、アニソール(9
,3g)とトリフルオロ酢酸(24,5g)を加え、混
合物を室温で1.5時間攪拌する。溶媒を留去し、残留
物をジイソプロピルエーテル(600mQ )中に滴下
し、沈殿を濾取する。これを水(50mA )にけんだ
くし、2N−水酸化ナトリウム水溶液でp)17.5に
調整し、酢酸エチル(50mA )とテトラヒドロフラ
ン(50n+Q )の混合物で2回洗浄する。得られる
水溶液に、酢酸エチル(50mn )とテトラヒドロフ
ラン(5QmQ )を加え、混合物を塩化ナトリウムで
飽和し、10%塩酸でpH1,0に調整する。有機層を
分取し、水層を酢酸エチルとテトラヒドロフランの混液
で2回抽出する。有機層を合わせ、塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去
し、残留物をジエチルエーテルで粉末化すると、7−[
2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−力ルボン酸(シン異性体)(3
,9g)を得る。
7 (IH,s)、 9.70<1)1.d、J=8
.0)Iz)、 13.47 (1)!、ブロード
S)実施例35 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−メトキシイミノアセトアミトコ−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル(シン異性体)(6,2g)とメチレンクロ
ライド(60mQ )のけんたく液に、アニソール(9
,3g)とトリフルオロ酢酸(24,5g)を加え、混
合物を室温で1.5時間攪拌する。溶媒を留去し、残留
物をジイソプロピルエーテル(600mQ )中に滴下
し、沈殿を濾取する。これを水(50mA )にけんだ
くし、2N−水酸化ナトリウム水溶液でp)17.5に
調整し、酢酸エチル(50mA )とテトラヒドロフラ
ン(50n+Q )の混合物で2回洗浄する。得られる
水溶液に、酢酸エチル(50mn )とテトラヒドロフ
ラン(5QmQ )を加え、混合物を塩化ナトリウムで
飽和し、10%塩酸でpH1,0に調整する。有機層を
分取し、水層を酢酸エチルとテトラヒドロフランの混液
で2回抽出する。有機層を合わせ、塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去
し、残留物をジエチルエーテルで粉末化すると、7−[
2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−
イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−ビニ
ル−3−セフェム−4−力ルボン酸(シン異性体)(3
,9g)を得る。
IR(ヌジョール) : 3350. 3250.
1770. 1670. 1620゜1530 cm
−’ NMRl; ppm(DMSO−d6) : 3.71
(2H,m)、 3.93 (3H。
1770. 1670. 1620゜1530 cm
−’ NMRl; ppm(DMSO−d6) : 3.71
(2H,m)、 3.93 (3H。
s>、 5.18 (1)1.d、J=5Hz)、 5
.32 (IH,d。
.32 (IH,d。
J=11Hz)、 5.55 (LH,d、J=17H
z>、 5.82 (1)1゜dd、J=5Hz、 8
Hz)、 6.95 (LH,dd、J=11Hz。
z>、 5.82 (1)1゜dd、J=5Hz、 8
Hz)、 6.95 (LH,dd、J=11Hz。
17Hz>、 9.58 (IH,d、J=8Hz>実
施例36 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)−2−メ
トキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性
体)(4,5g)とトリフルオロ酢酸(15mQ )を
アニソール(smQ)の存在下実施例35と同様に反応
させて、mp 183 188@C(分解)の7−[2
−(6−アミノビリシン−2−イル)−2−メトキシイ
ミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体) (0,85g )を得る。
施例36 7−[2−(6−アミノビリジン−2−イル)−2−メ
トキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性
体)(4,5g)とトリフルオロ酢酸(15mQ )を
アニソール(smQ)の存在下実施例35と同様に反応
させて、mp 183 188@C(分解)の7−[2
−(6−アミノビリシン−2−イル)−2−メトキシイ
ミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体) (0,85g )を得る。
IR(スジ1−ル) : 3350. 3250.
1780 (ブロード)。
1780 (ブロード)。
1667 (ブロード) cm’
NMRE ppm(DMSO−d6) : 3.58.
3.97 (2H,ABq。
3.97 (2H,ABq。
J=18Hz>、 4.12 (3H,s)、 5.2
8 (1)T、d。
8 (1)T、d。
J=5Hz)、 5.36 (IH,d、J=11Hz
)、 5.62−(IH。
)、 5.62−(IH。
d、J=18Hz)、 5.87 (18,dd、J=
5Hz、 8Hz)。
5Hz、 8Hz)。
6.7−8.2 (6H,m>、 9.93 (in、
d、J=8Hz>実施例37 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−第3級ブトキシ力ルポニルメトキシ
イミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(
3,4g)をメチレンクロライド(7,omu)とアニ
ソール(3,4+1111 )にとかした溶液に、トリ
フルオロ酢酸(13,6mi )を水冷下に加え、室温
で1.5時間攪拌する。反応混合物をジイソプロピルエ
ーテル(150+1111 ) 中にm下し、沈殿を濾
取し、水と酢酸エチルの混合物中に加える。飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整し、水層を分取
し、10%塩酸でpH2,0に調整する。沈殿を濾取し
、冷水で洗浄し乾燥すると、?−[2−(5−アミノ−
1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−カルボ
キシメトキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) (1,39
g )を得る。
d、J=8Hz>実施例37 7−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール
−3−イル)−2−第3級ブトキシ力ルポニルメトキシ
イミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン異性体)(
3,4g)をメチレンクロライド(7,omu)とアニ
ソール(3,4+1111 )にとかした溶液に、トリ
フルオロ酢酸(13,6mi )を水冷下に加え、室温
で1.5時間攪拌する。反応混合物をジイソプロピルエ
ーテル(150+1111 ) 中にm下し、沈殿を濾
取し、水と酢酸エチルの混合物中に加える。飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液でpH7,5に調整し、水層を分取
し、10%塩酸でpH2,0に調整する。沈殿を濾取し
、冷水で洗浄し乾燥すると、?−[2−(5−アミノ−
1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−2−カルボ
キシメトキシイミノアセトアミトコ−3−ビニル−3−
セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) (1,39
g )を得る。
IR(スジ9−ル) : 33B0. 3280.
1760. 1720゜16700m−’ NMRf;ppm(DMSO−d6) : 3.73
(2H,q、J=18.5ttz)。
1760. 1720゜16700m−’ NMRf;ppm(DMSO−d6) : 3.73
(2H,q、J=18.5ttz)。
4.69 (2H,s)、 5.21 (IH,d
、J=5.0Hz)、 5.33(LH,d、J=1
2.0Hz)、 5.60 (IH,d、J=18.
0Hz)。
、J=5.0Hz)、 5.33(LH,d、J=1
2.0Hz)、 5.60 (IH,d、J=18.
0Hz)。
5.86 (LH,dd、J=5.0Hz、 8.
0Hz)、 6.98 (ILdd、J=12.0H
z、 18.0Hz>、 8.16 (21,ブ
ロード s)。
0Hz)、 6.98 (ILdd、J=12.0H
z、 18.0Hz>、 8.16 (21,ブ
ロード s)。
9.56 (IH,d、J=18.0Hz>実施例38
7−[2−(1−第3級ブトキシカルボニルエトキシイ
ミノ)−2’−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン
異性体)(2,4g)をメチレンクロライド(S+++
Il)と7ニソール(2,4mQ )にとかした溶液に
、トリフルオロ酢酸(9,6mQ )を水冷下に加え、
室温で1時間攪拌する。得られる溶液をジイソプロピル
エーテル(1oomu )に滴下し、沈殿を濾取する。
ミノ)−2’−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾ
ール−3−イル)アセトアミトコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル(シン
異性体)(2,4g)をメチレンクロライド(S+++
Il)と7ニソール(2,4mQ )にとかした溶液に
、トリフルオロ酢酸(9,6mQ )を水冷下に加え、
室温で1時間攪拌する。得られる溶液をジイソプロピル
エーテル(1oomu )に滴下し、沈殿を濾取する。
これを水と酢酸エチルの混合物に加え、10%水酸化ナ
トリウム水溶液でp)17.5に調整する。分離した水
層に塩化ナトリウムを飽和し、10%塩酸でpH1,5
に調整し、酢酸エチルとテトラヒドロフランの混合溶媒
(容量比1:1)で抽出する。抽出液を飽和塩化ナトリ
ウム水素溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
トリウム水溶液でp)17.5に調整する。分離した水
層に塩化ナトリウムを飽和し、10%塩酸でpH1,5
に調整し、酢酸エチルとテトラヒドロフランの混合溶媒
(容量比1:1)で抽出する。抽出液を飽和塩化ナトリ
ウム水素溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を留去すると、7−[2−(1−カルボキシエトキ
シイミノ)−,2−(5−アミノ−1゜2.4−チアジ
アゾール−3−イル)アセトアミFl−3−ビニルー3
−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) (0,5
5g )を得る。
シイミノ)−,2−(5−アミノ−1゜2.4−チアジ
アゾール−3−イル)アセトアミFl−3−ビニルー3
−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体) (0,5
5g )を得る。
IR(ヌジョール) : 3330. 3200.
1770. 1670゜1610 cm”−’ NMRδppm(DMSO−d6) ’ 1,37 (
3H5m)、3.70 (2H9m)、 4.80 (
LH,m)、 5.07−6.07 (4H,m)、
6.96(ILdd、 J=12.0)Iz、 18.
0)1z>、 8.17 (2)t。
1770. 1670゜1610 cm”−’ NMRδppm(DMSO−d6) ’ 1,37 (
3H5m)、3.70 (2H9m)、 4.80 (
LH,m)、 5.07−6.07 (4H,m)、
6.96(ILdd、 J=12.0)Iz、 18.
0)1z>、 8.17 (2)t。
実施例39
(1)7−[2−(3−メタンスルホンアミドフェニル
)−D−グリシンアミトコ−3−ビニル−3−セフェム
−4−カルボン酸(3,6g)を水(somQ)にとか
した溶液に、羨酸水素ナトリウム(0,668g 、)
を加え溶液を濾過する。濾液を凍結乾燥すると、7−[
2−(3−メタンスルホンアミドフェニル)−D−グリ
シンアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルリ
ボン謙ナトリウム(3,69g)を得る。
)−D−グリシンアミトコ−3−ビニル−3−セフェム
−4−カルボン酸(3,6g)を水(somQ)にとか
した溶液に、羨酸水素ナトリウム(0,668g 、)
を加え溶液を濾過する。濾液を凍結乾燥すると、7−[
2−(3−メタンスルホンアミドフェニル)−D−グリ
シンアミトコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルリ
ボン謙ナトリウム(3,69g)を得る。
(2)上記化合物(1,5g)をN、N−ジメチルホル
ムアミド(15m党)に入れ、これにピバリン酸ヨード
メチルエステル(0,76g)をN、N−ジメチルホル
ムアミド(2mA)にとかした溶液を水冷下に加え、混
合物を同温度で10分間攪拌する。酢酸エチル(80m
Q )を加え、反応混合物を水(somQ)で2回、5
%炭酸水素ナトリウム水溶液(8QmQ )で3回、塩
化ナトリウム水溶液で3回それぞれ洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジイソ
プロピルエーテルで粉末化すると、7−[2−(3−メ
タンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミドヨ
ー3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキシメチルエステル(0,61g)を得る。
ムアミド(15m党)に入れ、これにピバリン酸ヨード
メチルエステル(0,76g)をN、N−ジメチルホル
ムアミド(2mA)にとかした溶液を水冷下に加え、混
合物を同温度で10分間攪拌する。酢酸エチル(80m
Q )を加え、反応混合物を水(somQ)で2回、5
%炭酸水素ナトリウム水溶液(8QmQ )で3回、塩
化ナトリウム水溶液で3回それぞれ洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジイソ
プロピルエーテルで粉末化すると、7−[2−(3−メ
タンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミドヨ
ー3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキシメチルエステル(0,61g)を得る。
IR(ヌジョール) ’ 1775. 1745.
1670 cm−’実施例40 7−[2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミl’1−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)(2,3g)と水(3omc )のけんたく液に、
炭酸水素ナトリウム(0,47g)を加え、混合物を少
時攪拌する。不溶物を濾去し、濾液を凍結乾燥して上記
化合物のナトリウム塩(2,0g)を得る。
1670 cm−’実施例40 7−[2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミl’1−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)(2,3g)と水(3omc )のけんたく液に、
炭酸水素ナトリウム(0,47g)を加え、混合物を少
時攪拌する。不溶物を濾去し、濾液を凍結乾燥して上記
化合物のナトリウム塩(2,0g)を得る。
これをN、N−ジメチルホルムアミド(20mA )に
とかし、これにピバリン酸ヨードメチルエステル(1,
23g)をN、N−ジメチルホルムアミド(3+11Q
)にとかした溶液を水冷下に加え、5℃以下で10分間
攪拌する。反応混合物に酢酸エチル(50mQ )と水
(somQ)を加え、有機層を分取し、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液(3011111)で3回、塩化ナトリ
ウム水溶液(30mQ )で3回洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジイソプロピ
ルエーテルで粉末化すると、叩125−133℃(分解
)の7−[2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1
,2,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミド]
−3−ビニルー3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキジメチルエステル(シン異性体)(14g)を得
る。
とかし、これにピバリン酸ヨードメチルエステル(1,
23g)をN、N−ジメチルホルムアミド(3+11Q
)にとかした溶液を水冷下に加え、5℃以下で10分間
攪拌する。反応混合物に酢酸エチル(50mQ )と水
(somQ)を加え、有機層を分取し、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液(3011111)で3回、塩化ナトリ
ウム水溶液(30mQ )で3回洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物をジイソプロピ
ルエーテルで粉末化すると、叩125−133℃(分解
)の7−[2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1
,2,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミド]
−3−ビニルー3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキジメチルエステル(シン異性体)(14g)を得
る。
IR(スジョール) : 3400−3100.
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−’ NMRδppm(DMSO−d6) ’ 1.15 (
9)1.s)、 3.77 (2)1゜q、J=17H
z>、 3.93 (3H,s)、 5.23 (1B
、d。
1770. 1760. 1680゜1620、153
0 cm−’ NMRδppm(DMSO−d6) ’ 1.15 (
9)1.s)、 3.77 (2)1゜q、J=17H
z>、 3.93 (3H,s)、 5.23 (1B
、d。
J=5Hz)、 5.38 (LH,d、J=11Hz
)、 5.7 (IH,d。
)、 5.7 (IH,d。
J=17Hz>、 5.7−6.1 (3H,m)、
6.85 (IH,dd。
6.85 (IH,dd。
J=11Hz、 17Hz>、 8.15 (2
B、ブロード s)、 9.67(ILd、J−8)
tz) 実施例41 7−[N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタ
ンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミF]−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル(5,0g)とメチレンクロライド(5Q
mQ )のけんだく液に、アニソール(6,0g)およ
びトリフルオロ酢酸(16,0g)を水冷下に加え、混
合物を室温で1時間攪拌する。溶媒を留去し、残留物に
氷水と酢酸エチルを加え、R酸ナトリウム水溶液でpH
7,5に調整する。水層を分取し、酢酸エチルで洗浄し
、10%塩酸でpH2,5にii整する。酢酸エチルで
洗浄し、水層を次階水素ナトリウム水溶液でpH6に調
整し、有機溶媒を完全に留去する。得られる水溶液を1
0%塩酸でpH3,6に調整し、非イオン性吸着樹脂1
ダイヤイオンHP−20J(商標名、三菱化成社製)
(120+n11 )で力、ラムクロマトグラフィーに
付す。水(z4omu )で洗浄後、30%イソプロピ
ルアルコール(1gomu )で溶離し、濃縮し、凍結
乾燥すると、7−[2−(3−メタンスルホンアミドフ
ェニル)−D−グリシンアミドヨー3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(1,4g)を得る。
B、ブロード s)、 9.67(ILd、J−8)
tz) 実施例41 7−[N−第3級ブトキシカルボニル−2−(3−メタ
ンスルホンアミドフェニル)−D−グリシンアミF]−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル(5,0g)とメチレンクロライド(5Q
mQ )のけんだく液に、アニソール(6,0g)およ
びトリフルオロ酢酸(16,0g)を水冷下に加え、混
合物を室温で1時間攪拌する。溶媒を留去し、残留物に
氷水と酢酸エチルを加え、R酸ナトリウム水溶液でpH
7,5に調整する。水層を分取し、酢酸エチルで洗浄し
、10%塩酸でpH2,5にii整する。酢酸エチルで
洗浄し、水層を次階水素ナトリウム水溶液でpH6に調
整し、有機溶媒を完全に留去する。得られる水溶液を1
0%塩酸でpH3,6に調整し、非イオン性吸着樹脂1
ダイヤイオンHP−20J(商標名、三菱化成社製)
(120+n11 )で力、ラムクロマトグラフィーに
付す。水(z4omu )で洗浄後、30%イソプロピ
ルアルコール(1gomu )で溶離し、濃縮し、凍結
乾燥すると、7−[2−(3−メタンスルホンアミドフ
ェニル)−D−グリシンアミドヨー3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸(1,4g)を得る。
IR(ヌジョール’) : 3300−3150.
1760. 1685゜1605 cm−’ NMRSpPm(D20) ’ 3.08 (3H9s
)、3.47 (2H1s)。
1760. 1685゜1605 cm−’ NMRSpPm(D20) ’ 3.08 (3H9s
)、3.47 (2H1s)。
4.73 (LH,d、J=4Hz>、 5.10 (
LH,d、J=4Hz)。
LH,d、J=4Hz)。
5.32 (IH,s)、 5.33 (LH,d、J
:17Hz)、 5.63(LH,d、J=4)1z)
、 6.73 (LH,dd、J=11Hz。
:17Hz)、 5.63(LH,d、J=4)1z)
、 6.73 (LH,dd、J=11Hz。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1は次式 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^3は低級アルキル基、R^4はアミノ基、
または保護されたアミノ基を意味する) により示される基、R^2はカルボキシ基、または保護
されたカルボキシ基、Aはアミノ、保護されたアミノお
よび式 ▲数式、化学式、表等があります▼(シン型) (式中、R^5は低級アルキル基、またはカルボキシも
しくは保護されたカルボキシで置換された低級アルキル
基を意味する) で示される基の中から選ばれた置換基を有していてもよ
い低級アルキレン基を意味する] で示される化合物およびその塩類。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB7939985 | 1979-11-19 | ||
GB7939985 | 1979-11-19 | ||
GB8004335 | 1980-02-08 | ||
GB8012991 | 1980-04-21 | ||
GB8022920 | 1980-07-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62044400A Division JPS62277391A (ja) | 1979-11-19 | 1987-02-26 | 7−アシルアミノ−3−ビニルセフアロスポラン酸誘導体およびその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63152387A true JPS63152387A (ja) | 1988-06-24 |
JPH0338278B2 JPH0338278B2 (ja) | 1991-06-10 |
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JP16399080A Pending JPS5686188A (en) | 1979-11-19 | 1980-11-19 | 7-acylamino-3-substituted cephalosporanic acid derivative and its preparation |
JP19117582A Granted JPS5896092A (ja) | 1979-11-19 | 1982-10-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製造法 |
JP22640283A Granted JPS59144788A (ja) | 1979-11-19 | 1983-11-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製法 |
JP27813884A Pending JPS60185787A (ja) | 1979-11-19 | 1984-12-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製造方法 |
JP62044400A Granted JPS62277391A (ja) | 1979-11-19 | 1987-02-26 | 7−アシルアミノ−3−ビニルセフアロスポラン酸誘導体およびその製法 |
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JP29024887A Granted JPS63152387A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 7−アシルアミノ−3−ビニル セファロスポラン酸誘導体 |
JP29024987A Granted JPS63152388A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 新規なセフェム化合物 |
JP62290253A Granted JPS63146863A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | カルボン酸類 |
JP62290251A Granted JPS63152370A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 新規カルボン酸 |
JP62290252A Granted JPS63152371A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | アミノチアゾール誘導体 |
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JP16398980A Granted JPS5686187A (en) | 1979-11-19 | 1980-11-19 | 7-acylamino-3-vinylcephalosporanic acid derivative and its preparation |
JP16399080A Pending JPS5686188A (en) | 1979-11-19 | 1980-11-19 | 7-acylamino-3-substituted cephalosporanic acid derivative and its preparation |
JP19117582A Granted JPS5896092A (ja) | 1979-11-19 | 1982-10-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製造法 |
JP22640283A Granted JPS59144788A (ja) | 1979-11-19 | 1983-11-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製法 |
JP27813884A Pending JPS60185787A (ja) | 1979-11-19 | 1984-12-29 | 7−アシルアミノ−3−置換セフアロスポラン酸誘導体およびその製造方法 |
JP62044400A Granted JPS62277391A (ja) | 1979-11-19 | 1987-02-26 | 7−アシルアミノ−3−ビニルセフアロスポラン酸誘導体およびその製法 |
JP29025087A Granted JPS63152385A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 新規な7−置換−3−ビニルセファロスポラン酸 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29024987A Granted JPS63152388A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 新規なセフェム化合物 |
JP62290253A Granted JPS63146863A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | カルボン酸類 |
JP62290251A Granted JPS63152370A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | 新規カルボン酸 |
JP62290252A Granted JPS63152371A (ja) | 1979-11-19 | 1987-11-17 | アミノチアゾール誘導体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (12) | JPS5686187A (ja) |
ZA (1) | ZA806977B (ja) |
Families Citing this family (22)
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---|---|---|---|---|
US4464369A (en) * | 1977-03-14 | 1984-08-07 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | 7-Acylamino-3-cephem-4-carboxylic acid derivatives and pharmaceutical compositions |
ZA806977B (en) * | 1979-11-19 | 1981-10-28 | Fujisawa Pharmaceutical Co | 7-acylamino-3-vinylcephalosporanic acid derivatives and processes for the preparation thereof |
FR2476087A1 (fr) * | 1980-02-18 | 1981-08-21 | Roussel Uclaf | Nouvelles oximes derivees de l'acide 3-alkyloxy ou 3-alkyl-thiomethyl 7-amino thiazolyl acetamido cephalosporanique, leur procede de preparation et leur application comme medicaments |
EP0156118A1 (en) * | 1980-08-29 | 1985-10-02 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | New starting compounds for the preparation of cephem compounds and processes for preparation thereof |
JPS6052754B2 (ja) * | 1981-01-29 | 1985-11-21 | 山之内製薬株式会社 | 7−アミノ−3−ハロゲノメチル−△↑3−セフェム−4−カルボン酸類およびその製法 |
JPS58135894A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-08-12 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 7―置換ブチルアミド―3―ビニルセファロスポラン酸誘導体 |
JPS5921695A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | セフアロスポリン誘導体 |
DK162718C (da) * | 1982-09-30 | 1992-05-11 | Fujisawa Pharmaceutical Co | Analogifremgangsmaade til fremstilling af 7-substitueret-3-vinyl-3-cephemforbindelser |
ZA836918B (en) * | 1982-09-30 | 1984-05-30 | Fujisawa Pharmaceutical Co | 7-substituted-3-vinyl-3-cephem compounds and processes for the production of the same |
JPS58159496A (ja) * | 1983-03-02 | 1983-09-21 | Kyoto Yakuhin Kogyo Kk | セフエム系化合物 |
JPS59210092A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-28 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | セフアロスポリン誘導体 |
GB8318846D0 (en) * | 1983-07-12 | 1983-08-10 | Fujisawa Pharmaceutical Co | Prophylactic/therapeutic agent against fish diseases |
GB8329030D0 (en) * | 1983-10-31 | 1983-11-30 | Fujisawa Pharmaceutical Co | Cephem compounds |
EP0238060B1 (en) | 1986-03-19 | 1992-01-08 | Banyu Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin derivatives, processes for their preparation and antibacterial agents |
US4822786A (en) * | 1986-07-01 | 1989-04-18 | Kaken Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin compounds, and antibacterial agents |
JP4157177B2 (ja) * | 1997-06-04 | 2008-09-24 | 大塚化学ホールディングス株式会社 | 3−アルケニルセフェム化合物の製造法 |
AT406773B (de) * | 1998-04-02 | 2000-08-25 | Biochemie Gmbh | Neues salz von 7-(2-(aminothiazol-4yl)-2- |
ITMI20022076A1 (it) * | 2002-10-01 | 2004-04-02 | Antibioticos Spa | Sali di intermedi del cefdinir. |
US7980324B2 (en) | 2006-02-03 | 2011-07-19 | Black & Decker Inc. | Housing and gearbox for drill or driver |
JP4779741B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-09-28 | 株式会社日立製作所 | ヒートポンプシステム,ヒートポンプシステムの軸封方法,ヒートポンプシステムの改造方法 |
UY34585A (es) * | 2012-01-24 | 2013-09-02 | Aicuris Gmbh & Co Kg | Compuestos b-lactámicos sustituidos con amidina, su preparación y uso |
KR101485316B1 (ko) * | 2014-04-16 | 2015-01-22 | (주)에이치티씨 | 플렛 케이블용 컨넥터 핀 자동 압착장치 |
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JPS5729474B2 (ja) * | 1974-01-14 | 1982-06-23 | ||
DE2710902A1 (de) * | 1977-03-12 | 1978-09-21 | Hoechst Ag | Cephemderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
DE2714880A1 (de) * | 1977-04-02 | 1978-10-26 | Hoechst Ag | Cephemderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
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