JPH02188587A - 新規セフェム化合物およびその塩類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） この発明は抗菌活性を有する新規セフェム化合物および
その塩類に関する。 本願発明者らは、鋭意研究の結果、７位にチアジアゾー
ル環を有する３位カテコールタイプのセフェム化合物が
公知の化合物よりも優れた抗菌活性を有することを見い
出し、本願発明を完成した。 従って、本願発明は７位にチアジアゾール環を有するこ
とを特徴とする新規な３位カテコールタイプのセフェム
化合物を提供することを目的とする。 （課題を解決するための手段） この発明の目的は、新規なセフェム化合物をｔＩｌ供す
ることにあ・す、下記−船人で示す事ができる。 製造法１ ［式中　Ｒ１はアミ７基または保護されたアミ７基、Ｒ
ｔは適当な置換基を有していてもよい低級アルキル基、
Ｒ３はカルボキシ基または保護されたカルボキシ基、Ｒ
４およびＲ１′はそれぞれヒドロキシ基または保護され
たヒドロキシ基、ＸはＯまたはＳを意味する１ 本願目的化合物（１）またはその塩類は、次の反応式で
示される製造法によって製造することができる。

【以下余白】

１（’ またはそのアミン基における 反応性誘導体またはその塩類 またはその塩類 製造法（２） またはその塩類 Ｅ式中Ｉ　　Ｒ’ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ３１Ｒ’ｌ　　Ｒ
５およびＸｉ、ｔそれぞれ前と 同じ意味であり、【＜二およびＲ：は、それぞれ保護さ
れたヒドロキシ基を意味する］ 目的化合物（１）の適当な塩類としては、医薬上許容さ
れる塩ｆｔｉ、特に慣用される非１；を性基が含まれ、
塩基との塩類および酸付加塩、すなわち無機塩基との塩
類、例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアリカリ金属
塩、カルシウム塩、マグネンウム塩等のアルカリ土類金
属塩、アンモニウム塩、ａ＃ｌ塩基との塩類、例えばト
リエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、エタノー
ルアミン塩、トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシ
ルアミン塩、Ｎ、Ｎ’　　−ジベンジルエチレンジアミ
ン塩等の有機アミン塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩
、燐酸塩等の無機酸付加塩、ぎ酸塩、酢酸塩、トリフル
オロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン
酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸
塩等の有機カルボン酸またはスルホン酸付加塩、アルギ
ニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等の塩基性または
酸性アミノ酸との塩類が含まれる。 この明細書の以上および以下の記載において、この発明
の範囲内に包含される種々の定義の好適な例および説明
、を以下詳細に説明する。 低級の語は、特にことわらない限り、１ないし６個の炭
素原子を有する基を含むものとし°Ｃ用いる。 適当な低級アルキルとしては、直鎖または分岐状の基、
例えばメチル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ペンチル、インペンチル、チオペンチ
ル、ヘキシル等が含まれ、そのうち炭素数１ないし４の
アルキルが好ましい。 「適当な置換基を有していてもよい低級アルチル基」に
おける適当な置換基としては、セファロスポリン化合物
の７（，１γのオキシム部分の置換基として使用される
慣用の基であり、そのような置換基としては例えば、ハ
ロゲン、ヒドロキシ、メトキシ、エトキシ等の低級アル
コキシ、メチルチオ、エチルチオ等の低級アルキルチオ
、シアノ、ニトロ、カルボキシ、後述のような保護され
たカルボキシ、カルバモイル、アミノ、メチルアミノ、
ジメチルアミノ等のモノもしくはジ低級アルキルアミ７
等が挙げられる。 適当な保護されたカルボキシとしては、ペニシリンまた
はセファロスポリン化合物の３位または４位で慣用され
るエステル化されたカルボキシが含まれる。 エステル化されたカルボキシにおける適当なエステル部
分としては、メチルエステル、エチルエステル、プロピ
ルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、
インブチルエステル、第３級ブチルエステル、ペンチル
エステル、第３級ペンチルエステル、ヘキシルエステル
等の低級アルキルエステル、ビニルエステル、アリルエ
ステル等ｆ）低級アルキニルエステル、エチニルエステ
ル、プロピルエステル等の低級アルキニルエステル、メ
トキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、イン
プロポキシメチルエステル゛、Ｉ−メトキシエチルエス
テル、ｌ−エトキシエチルエステル等の低級アルコキシ
（低級）アルキルエステル、メチルチオメチルエステル
、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエステ
ル、イソプロピルチオメチルエステル等の低級アルキル
チオ（低級）アルキルエステル、２−アミノ−２−カル
ボキシエチルエステル、３−アミノ−３−カルホキ／プ
ロピルエステル等のアミノおよびカルボキシ置換低級ア
ルキルエステル、２−第３級ブト牛ジカルボニルアミノ
ー２−ベンズヒドリルオキシカルボニルエチルエステル
、３−第３級ブトキシカルボニルアミノ−３−ベンズヒ
ドリニルオキシカルボニルプロピルエステル等の低級ア
ルコキシカルボニルアミノおよびモノ（もしくはジもし
くはトリ）フェニル（低級）アルコキシカルボニル置換
低級アルキルエステルのような保護されたカルボキシ置
換低級アルキルエステル、２−ヨードエチルエステル、
２．２．２−）リクロロエチルエ・ステル等のモノ（も
しくはジもしくはトリ）ハロ（低級）アルキルエステル
、アセトキシメチルエステル、プロピオニルオキシエチ
ルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、インブチ
リルオキシメチルエステル、バレリルオキシメチルエス
テル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイル
オキシメチルエステル、２−アセトキシエチルエステル
、２−プロピオニルオキシエチルエステル、ｌ−アセト
キシプロピルエステル等の低級アルカ／イルオキシ（低
級）アルキルエステル、メシルメチルエステル、２−メ
シルエチルエステル等の低級アルカンスルホニル（低級
）アルキルエステル、ベンジルエステル、４−メトキシ
ベンジルエステル、４−ニトロベンジルエステル、フェ
ネチルエステル、トリチルエステル、ベンズヒドリルエ
ステル、ビス（メトキシフェニル）メチルエステル、３
．４−ジメトキシベンジルエステル、４−ヒドロキシ−
３，５−ジ第３級ブチルベンジルエステル等の１個また
は２個以上の適当な置換基を有していてもよいモノ（も
しくはジーもしく４マトリ）フェニル（低級）アルキル
エステルのような１個または２個以」二の置換基を有し
ていてもよいアル（低級）アルキルエステル、フェニル
エステル、トリルエステル、第３級ブチルフェニルエス
テル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニル
エステル、サルチルエステル等の１個または２個以上の
適当な置換基ををしていてもよいアリルエステル、フタ
リルジルエステル等の複素環式エステル等が含まれる。 適当な保護されたアミノとしては、ペニシリンおよびセ
ファロスポリン化合物で用いられる慣用のアミノ保護基
、例えば後述のアシル、例えばベンジル、ベンズヒドリ
ル、トリチル等のモノ（もしくはジもしくはトリ）フェ
ニル（低級）アルキルのようなアル（低級）アルキル、
■−メトキシカルボニルーＩ−プロペン−２−イル等の
低級アルコキシカルボニル（低級）アルキリデンもしく
はそのエナミン互変異性体、ジメチルアミノメチレン等
のジ（低級）アルキルアミノメチレン等で置換されたア
ミ７基が含まれる。 適当なアシルとしては、脂肪族アシル、芳香族アシル、
複素環式アシル、および芳香族基または複素環式基で置
換された脂肪族アシルが含まれる。 脂肪族アシルとしては、飽和もしくは不飽和、非環式も
しくは環式のものが含まれ、例えばホルミル、アセチル
、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、
インバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アル
カ／イル、メシル、エタンスルホニル、プロパンスルホ
ニル等の低級アルカンスルホニル、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキ
シカルボニル、第３級ブトキシカルボニル等の低級アル
コキシカルボニル、アクリロイル、メタクリロイル、ク
ロトノイル等の低級アルケノイル、シクロヘキサンカル
ボニル等のＣ、−Ｃ、シクロアルカンカルボニル、アミ
ジノ等が含まれる。 芳香族アシルとしては、例えばベンゾイル、トルオイル
、キシロイル等のアロイル、ベンゼンスルホニル、トシ
ル等のアレースルホニル等が含まれる。 、複素環式アシルとしては、例えばフロイル、テノイル
、ニコチノイル、インニッチノイル、チアゾリルカルボ
ニル、チアジアゾリルカルボニル、テトラゾリルカルボ
ニル等の複素環カルボニル等が含まれる。 芳香族基で置換された脂肪族アシルとしては、例エバフ
ェニルアセチル、フェニルプロピオニル、フェニルヘキ
サノイル等のフェニル（低級）アルカノイルのようなア
ル（低級）アルカノイル、例えばベンジルオキシカルボ
ニル、フェネチルオキシカルボニル等のフェニル（低級
）アルコキシカルボニルのようなアル（低級）アルコキ
シカルボニル、例えばフェノキシアセチル、フェノキシ
プロビオニル等のフェノキシ（低級）アルカノイル等が
含まれる。 複素環式基で置換された脂肪族アシルとしては、例えば
チエニルアセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセ
チル、テトラゾリルフセチル、チアゾリルアセチル、チ
アジアゾリルアセチル、チエニルプロピオニル、チアジ
アゾリルプロピルオニル等が含まれる。 これらのアシル基は、さらに１個または２個以上の適当
な基で置換されていてもよい。適当な置換基としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル等の低級アルキル、塩素、臭素、よう
素、ふっ素等の／％ロゲン、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、インプロポキシ、ブトキシ、ベンチリオキシ、
ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ、メチルチオ、エチ
ルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ
、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ、
ニトロ等が含まれ、このような置換基を有する適当なア
シルとしては、クロロアセチル、ブロモアセチル、ジク
ロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ（もしく
はジもしくはトリ）ハロ（低級）アルカノイル、クロロ
メトキシカルボニル、ジクロロメトキシカルボニル、２
．２゜２−トリクロロエトキシカルボニル等のモノ（も
しくはジもしくはトリ）ハロ（低級）アルコキシカルボ
ニル、ニトロベンジルオキシカルボニル１１、クロロベ
ンジルオキシカルボニル、メト牛ジベンジルオキシカル
ボニル等のニトロ（もしくは）＼口ましくは低級アルコ
キシ）フェニル（低級）アルコキシカルボニル等が含ま
れる。 適当な保護されたヒドロキシ基におけるヒドロキシ保護
基としては、ペニシリンおよびセファロスポリン化合物
で用いられる慣用の基であり、例えば前述のアミノ保護
基と同様のアシル等が含まれる。 目的化合物（１）の製造法を以下詳細に説明する。 製造法ｌ 目的化合物（１）またはその塩類は、化合物（■）また
はそのアミ７基における反応性誘導体またはその塩類を
、化合物（ＩＩＩ）またはそのカルボキシ基における反
応性誘導体またはその塩類と反応させることにより製造
することができる。 化合物ｉ）および（ＩＩＩ）の好適な塩類としては、化
合物（１）について例示したものを挙げる事ができる。 化合物（Ｉｌｌ）のアミ７基における好適な反応性誘導
体としては、アミド化に使用される慣用の反応性誘導体
、例えば、化合物（ｎ）とカルボニル化合物との反応に
よって生成するシッフの塩基型イミノまたはそのエナミ
ン型互変異性体：化合物（ｎ）とシリル化合物との反応
によって生成するシリル誘導体；化合物（■）と三塩化
燐またはホスゲンとの反応によって生成する誘導体等が
挙げられる。 化合物（Ｉｌｌ　）のカルボキシ基における好適な反応
性誘導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化
アミド、活性化エステル等が挙げられる。 これらの反応性誘導体は使用すべき化合物（ＩＩＩ）の
種類によって、適宜選択することができる。 反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸−１−チ／ｌ／、Ｎ。 Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピリジンのような慣用の溶
媒中で行われるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であ
ればその他のいかなる溶媒中でも行、うことができる。 これらの溶媒中、親水性溶媒は水と混合して使用しても
よい。 化合物（Ｉ［ｌ）を遊離酸の形またはその塩の形で反応
に使用する場合、ビルスマイヤー試薬等のような慣用の
縮合剤の存在下に反応を行うのが好ましい。 この反応はまた、無機塩基または有機塩基の存在下に行
っても・よい。塩基または縮合剤が液体である場合には
、これらを溶媒として使用することもできる。反応温度
は特に限定されず、通常は冷却下または常温で反応が行
われる。 製造法２ 目的化合物（１ｂ）またはその塩類は、化合物（１ａ）
またはその塩類を、Ｒ：およびＲ１，におけるヒドロキ
シ保護基の脱離反応に付すことにより製造することがで
きる。 化合物（Ｉａ）および（ｆｂ）の好適な塩類としては、
化合物（１）について例示したものを挙げることができ
る。 この反応は加水分解、還元等のような慣用の方法により
行うことができる。 保護基がエステルである場合には、加水分解によって保
護基を脱離するこ七ができる。加水分解は塩基または酸
の存在下に行うのが好ましい。 反応は通常水、塩化メチレン、例えばメタノール、エタ
ノール等のアルコールのような１Ｍ中、またはそれらの
混合物中で行われるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればその他のいかなる溶媒中でも行うことができる
。液状の塩基または酸も溶媒として使用することができ
る。反応温度は特に限定されず、通常は冷却下ないし加
温下の範囲で行われる。 還元は化学的還元および接触還元を含めて慣用の方法で
行われる。 還元は通常水、例えばメタノール、エタ／−ル等のアル
コール、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロ
フランのような溶媒中、またはそれらの混合物中で行わ
れるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれ、ば、そ
の他のいかなる溶媒中でも行うことができる。 さらに、化学的還元に使用する酸が液体である場合には
それらを溶媒として使用することもできる。 この還元の反応温度は特に限定されず、通常は冷却下な
いし加温下の範囲で反応が行われる。 本願発明の目的化合物（１）またはその塩類の合成に使
用される原料化合物は製造例に記載の方法により得るこ
とができる。 この発明の目的化合物（１）およびその塩類は新規化合
物であり、高い抗菌活性を有し、グラム陽性菌およびグ
ラム陰性菌を含む床几な病原菌の成育を阻止し、抗菌剤
として有用である。治療用として、この発明の化合物は
軽口、非経口または外部投与に適した有機もしくは無凝
固体状もしくは液状賦形剤のような医薬として許容され
る担体と混合して、上記化合物を有効成分として含有す
る慣用の医薬製剤の形で使用することができる。 医薬製剤はカプセル、錠剤、糖衣錠、軟膏または生薬の
ような固体状であっても、溶液、懸濁液またはエマルジ
ョンのような液状であってもよい。 所望によっては上記製剤中に、助剤、安定剤、懸濁剤も
しくは乳化剤、緩衝液およびその他、乳糖、フマール酸
、クエン酸、酒石酸、ステアリン酸、マレイン酸、コハ
ク酸、リンゴ酸、ステアリン酸マグネシウム、白土、蔗
糖、とうもろこしでん粉、タルク、ゼラチン、寒天、ペ
クチン、落下牛油、オリーブ油、カカオ脂、エチレング
リコール等のような通常使用される添加剤が含まれてい
てもよい。 化合物の投与Ｊ［は患者の年令および条件によって変化
するが、この発明の化合物は平均１回投与ｆｌｔ　］　
Ｏｍｇ、５０＋ａｇ、１００ｍｇ、２５０ｍｇ、５００
ＬＩ１ｇ、１０００ｍｇで病原菌感染症治療に有効なこ
とが分った。−膜内には、１日当りＩ　ｍｇ〜約６００
０ｆｆ１ｇまたはそれ以上のｍ投与してもよい。 目的化合物（１）の有用性を示すために、この発明の代
表的化合物についてその試験管内抗菌試験結果を以下に
示す。 試験化合物 ７β−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）２−メトキシイミノアセトアミド］　−
３−（３，４−ジヒドロキシベンゾイルオキシメチル）
−３−セフェム−４−カルボン酸（シン異性体） 試験法 下記の寒天板倍数希釈法によって試験管内抗菌活性を測
定した。 各試験菌株をトリプトケース、ソイプロス中、−夜培養
してその１自金耳（生菌数１０’個／　ｍｅ　）を各濃
度段階の試験化合物を含むハートインフユージコン寒天
（！（■寒天）に接柱し、３７℃で２０時間培養した後
、最小発育阻止法ｒＲ（ＭｌＧ）をμｇ／−で表した。 試験結果 ＭＩＣ（μｇ／ｍ） ・以下、この発明を製造例および実施例により説明する
。 製造例１ ３．４−ジアセトキシベンゾイルクロリド（２５，６６
ｇ）のベンゼン（２６０ｍ１２）溶液に、臭化テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウム＜１．６１２ｇ）を加え、冷却
しながら硫化水素ナトリウム水化物（Ｉｌ、２１ｇ）の
水（６０ａ＆）溶液を添加する。混合物を室温で３０分
間激しく撹拌する。 生成する沈澱を濾取し、ベンゼンと水の混合液で数回洗
浄し、最後にジエチルエーテルで洗浄し、真空下で乾燥
し、３，４−ジアセトキシチオ安息香酸（］　９．　　
Ｉ　４　ｇ）を得る。さらに、先に得られた濾液の有機
層を水および塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、真空下で溶媒を蒸発させる。 残留物をシリカゲル上でクロマトグラフィにかけ３，４
−ジアセトキシチオ安息香酸（２，５５ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｍ−’）　　；　１７６０．１Ｂ
９５．！６０５．１５８５゜５０Ｏ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、）；δ　２．３２　（６Ｈ，ｓ
　）　。 ７．３−８．２　（３Ｈ，ｍ） 製造例２ ７β−ｔ−ブトキシオルボサミドー３−ヨードメチル−
３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
、Ｓ−オキシド（１８，８９Ｇ）と３．４−ジアセトキ
シチオ安息酸（７，７１６１ζ）のＮ、Ｎ−ジメチルホ
ルトアミド（１９０ｍ１２）溶液に炭酸水素ナトリウＡ
（２，５４６ｇ）をかえる。生成する溶液を室温で１４
時間撹拌して、酢酸エチル（１，５１２）と水（ＩＱ）
の混合液に注ぐ。分取した有機層を水および塩水で洗浄
し、真空下で乾燥して、真空下で溶媒を蒸発させる。残
留物をシリカゲル（４５０ｇ）上でクロマトグラフィに
かけ７β−１−ブトキシカルボキサミド−３−（３，４
−ジアセトキシベンゾイル）チオメチル−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステルＳ−オキシド
（１０，７８ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃ＋ｓ−’）　　：　１７７５．
　１７１５．　１６５５．１４９５ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−
ｄ、δ）　　；　１．４４　（９Ｈ，ｓ）　。 ２．３４　（６Ｈ、ｓ　）　、　　２．８９　（２Ｈ、
ｂｒｓ）　　、　　３．９３ａｎｄ　４．４８（２Ｈ；
　　Ａ　ｌ’３ｑ、　　Ｊ　＝１４Ｈｚ）　。 ５．０２　（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝５１−１　ｚ）　、
　　５．７９　（ＩＨ。 ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝８　ａｎｄ　５Ｈｚ、　　１−Ｈ）
　、　　６．２９（ＩＨ，１，Ｊ　＝ＩＯＩ（ｚ）　、
　　７．０５　（Ｉｌｌ、ｓ）　。 ７．２−７．６（ＩＩＩ−１，ｍ）　、　７．８１　（
Ｉｔｌ、ｄ、　Ｊ＝２Ｈｚ）　　、　　７．８７　（１
１（、ｄ　ｄ、　　Ｊ　　＝ＩＯａｒ＋＋Ｉ　　２１１
　Ｚ） 製造例３ ７β−（−ブトキシカルボキサミド−３−（３゜４−ジ
アセトキシベンゾイル）チオメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸ベンズヒドリルエステルＳ−オキシド（１
０，３８ｇ）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（５０−
）溶液に三塩化リン（１２，５ａｌｔｌｏｌ）を−２０
℃で滴下して加える。 −２０°Ｃで３５分間撹拌後、酢酸エチル（４００ｍｌ
）と冷水（２５０ｄ）の混合液に注ぐ。分取した有機層
を水および塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した
後、真空下で溶媒を蒸発させる。 残留物をシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけヘキ
サンとジイソプロピルエーテル（混合比２；Ｉ）の混合
液で粉砕し、７ｌ−ｔ−ブトキシカルボキサミド−３−
（３，４ジアセトキシベンゾイル）チオメチル−３−セ
フェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル（５，
１９ｇ）を得る。 ｌ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃ＋ｓ”’）　　；　０７５．　
１？１５．１６５５．１４９５ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、
ｌ”）　　；　　１．４２（９Ｈ，ｓ）。 ２．３３　（６Ｈ、ｓ　）　　、　　３．４６　　ａｎ
ｄ　　３．６８　（２Ｈ。 Ａ！３ｑ、　　Ｊ　　＝Ｉ８Ｈｚ）、３．９１　　ａｎ
ｄ　　４．３０（２）１．ＡＢｑ、　　Ｊ　　＝１４）
−１ｚ）、　　５．１３（ＩＨ。 ｄ、　　Ｊ＝５Ｈｚ）、５．５５（１）１．ｄｄ、　　
Ｊ＝８　　ａｎｄ　　５８　７．）　　、　　６．９７
　（ＩＨ，ｓ）　　、　　？、２７．６（ＩＩＨ，ｍ）
、　　７．７９（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ＝２）（Ｚ）、　　
７．８５＜ＩＨ，ｄ　ｄ、　　Ｊ　　＝ＩＯａｎｄ２Ｈ
ｚ）、　　７．９９（Ｉｌｌ、ｄ、　　Ｊ　　＝ＩＯＨ
ｚ）製造例４ ７β−ｔ−ブトキシカルボキサミド−３−（３゜４−ジ
アセトキシベンゾイル（チオメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル（５，１１３ｇ）
のジクロロメタン（２６ｄ）とアニソール（５，１ｄ）
との混合液に、０℃でトリフルオロ酢酸（１０゜２ｄ）
を滴下して加える。混合物を室温まであたため、３時間
撹拌する。 真空で濃縮後ジイソプロピルエーテルで粉砕シ、粉末を
濾取し、ジインプロピルエーテルで洗浄し、真空下で乾
燥して７β−アミノ−３−（３，／ｌ−ジアセトキシベ
ンゾイル）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸
・トリフルオロ酢酸塩（３゜１１９ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃａｂ”）　　；　１８００．　
１７７５．１６６０．　１６２ＯＮ　Ｍ　Ｒ（１）　Ｍ
　Ｓ　Ｏ−ｄ　、δ）　　；　２．３２（６Ｈ，ｓ）　
。 ３．４０　　ａｎｄ　　３．７６　　（２Ｈ、Ａ　　Ｂ
　　Ｑ　　、　　　Ｊ　　＝　　１８１１ｚ）４．００
　ａｎｄ　４．２５　（２Ｈ、Ａ　Ｂ　ｑ、　　Ｊ　＝
　１４Ｈｚ）４．８９　（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝５ＨＺ
）　、　５．０６（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝５Ｈｚ　）　
、　５．３−６．０　（２Ｈ。 ｂ　ｒ）　、　７．４６（Ｉ　Ｈ，ｄ、　　Ｊ　＝ＩＯ
１（ｚ）　。 ７．８５（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝２ＨＺ’）　、　７．
９０（ＩＨ。 ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝ＩＯａｎｄ　２Ｈｚ）製造例５ ７−−−フエニルアセトアミドー３−ヒドロキシメチル
−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステ
ル（１０，２５ｇ）とトリエチルアミン（４，０ｇ）の
溶液に３．４−ジアセトキシベンゾイルクロリド（９，
０ｇ）を加え、５０℃で２時間撹拌する。真空下で溶媒
を除去後、残残留物を酢酸エチル（２００＋＝１）と水
（１００＋ｄ）の混合液に溶解する。分取した酢酸エチ
ル層を１０％塩酸、水および塩水で洗浄する。酢酸エチ
ル層を硫酸マグネシラで乾燥した後、ｍ−クロロ過安息
香酸（４，３ｇ）の酢酸エチル（４０ｄ）溶液を水浴中
給却下に滴下して加え１時間撹拌する。 反応混合物に酢酸エチル（１００ｍｇ）を加えた後得ら
れた溶液を炭酸水素ナトリウム飽和水溶液と塩水で洗浄
する。溶液を真空下で約１００−になるまで濃縮する。 沈澱物を濾取し酢酸エチルとジイソプロピルエーテルで
洗浄し７β−フェニルアセトアミド−３−（３，４−ジ
アセトキシベンゾイルオキシメチル）−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステルＳ−オキシド（
６゜４７ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ、　ｃｍ−’）　　；　３３００．
１７７０．１７２０．１６５ＯＮＭＲ（ＤＭＳＯ＝ｄ、
、δ）　　；２．２７（６Ｈ，ｓ）３．６（２Ｈ，ｂ　
ｓ）　、　４．９０　（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝５Ｈｚ）
５．１０　（２Ｈ，Ａ　Ｂｑ、　　Ｊ　＝１３Ｈｚ）　
、５．９３　（ＩＨ，ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝５．８１１　
Ｚ）　、６．９７　（ＩＨ，ｓ）　、７．４〜７．７（
ｍ）　、　７．８（ＩＩ（、ｓ）　、ｌ、８（ＩＨ，ｓ
）　。 ８．４（ＩＩＩ、　　ｄ、　　Ｊ＝８１１２）製造例６ ７β−フェニルアセトアミド−３−（３，４−ジアセト
キシベンゾイルオキシメチル）−３−セフェｌ、　＋　
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステルＳ−オキシド（
６，４ｇ）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（８０ｍｆ
ｆ）溶液に、三塩化リン（１，６＋ｎｉ）を４０℃で加
え、−４０℃で１時間撹拌する。反応混合物を酢酸エチ
ル（３００ｍｇ）と氷水（３００ｍｇ　）の混合液に注
ぐ。分取した酢酸エチル層を水および塩水で洗浄する。 酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下で濃
縮する。残留物をジイソプロピルエーテルで粉砕し、７
β−フェニルアセトアミド−３−（３，４ジアセトキシ
ベンゾイルオキシメチル）−３−セフェム−４−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル（５，６ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ；３３２Ｇ、　＋７７５．１７２０
．　＋６５０．１５２０　ｃｒｎ　−’製造例７ ピリジンを、五塩化リン（］、３３８ｇ）をジクロロメ
タン（３（）　ｍ（１）中に懸濁した液に５℃で加えて
、室温で３０分間撹拌する。７β−フェニルアセトアミ
ド−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイルオキシメチ
ル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリ！レ
エステル（３，０ｇ）を、Ｊ−記混合物に５℃で加え、
１時間撹拌する。反応混合物をメタノール（２５０ｄ）
中に注ぎ、真空下で溶媒を除去する。残留物を酢酸エチ
ル（２００ｍｇ）に溶解し水および塩水で洗浄する。酢
酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下で濃縮
する。残留物をジイソプロピルエーテルで粉砕スると７
β−アミノ−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイル−
オキシメチル）−３−セフェム−４カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル（２，３ｇ）香得る。 ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、Ｊ）；　２．３１（６Ｈ，ｓ、
）３．７２　（２Ｈ，ｂ、　　ｓ　）　；４．７０〜５
．２３（４Ｈ。 ｍ）　、６．９３　（ＩＨ，ｓ　）　、７．１０〜７．
７０　（ｍ）実施例１ ７β−アミノ−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイル
）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸・トリフ
ルオロ酢酸塩（８７１ｍｇ＞を、Ｎ−（トリノチルシリ
ル）アセトアミド（１゜９７ｇ）の添加によりジクロロ
メタン（＋７．ｉｌりに溶解させる。この溶液に一１０
°Ｃで２−（５アミノ−］、］２．４−チアジアゾール
ー３−イル−２−メトキシイミノアセチルクロリド・塩
酸塩（シン異性体）（３８５−）を加え、その混合物を
０℃で２．５時間撹拌する。その混合物を酢酸エチル（
１００ｒａ１）と冷水（４０ａ＋１）の混合液に注ぎ、
炭酸水素す）　ＩＪウム飽和水溶液の添加によりｐＨ２
に調整する。分取した有機層を水および塩水で洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下で溶媒を蒸発させる
。残留物をジイソプロピルエーテルで粉砕し、７β−［
２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾール−３−
イル）−２−メトキシイミノアセトアミド］　−３−（
３，４ジアセトキシベンゾイル）チオメチル−３−セフ
ェム−４−カルボン酸（シン異性体）（８４６ｍｇ）を
得る。 ｌ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌｃ＋ｗ″’）　　；　３３００．３
１８０．１７７０．　１６６０゜１６１０．１５２Ｏ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、δ）　　；　２．３２（６１１
、ｓ　）　。 ３、３８　ａｎｄ　３．７６　（２ｔｌ　、八３ｑ、　
Ｊ　＝１８Ｎ　Ｚ）３．９１　（３Ｈ、ｓ　）　、４．
００　ａｎｄ　４．３５　（２Ｈ。 八ｒ３Ｑ、　　Ｊ　＝Ｉ４ＨＺ）　、　５．１３（ＩＨ
，ｄ、　　Ｊ＝５１１　ｙ、）　　、　　５．７９　（
ＩＨ，ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝８　ａｎｄ５Ｈｚ）、？。４
６（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝ＩＯ１（ｚ）　。 ７．８５（団、　ｄ、　Ｊ　＝２１−１　ｚ）　、　７
．９０（ＩＩ（。 ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝ＩＯａｎｄ　　２１１　ｚ）　、　
８．０２（２１１゜ｂｒｇ）　、　９．５２（Ｉｌｌ、
　　ｄ、　　Ｊ　−８Ｈｚ）実施例２ ７β−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド］　
”３−　（３，４−ジアセトキシベンゾイル）チオメチ
ル−３−セフェム−４−カルボン酸（シン異性体）（８
２０ｍｇ）を水（２０ｍ＆）中に懸濁させそして炭酸水
素ナト１ノウム飽和水溶液の添加により溶液のｐ　Ｈを
８１こ調節する。１４Ｉられだ溶液を炭酸水素ナトリウ
ム飽Ｉ］水溶Ｎｕの添加によりｐ　ＩＩを８に維持して
室温で６１＋９１１１１　Ｊｉ！ローする。 そしてＩＮ塩酸の添加により溶液をｐ１１２に調節し、
酢酸エチルとテトラヒドロフランの混合液で抽出する。 抽出した有機層を水および塩水で洗浄し１．硫酸マグネ
シウムで乾燥し、真空下で溶媒を蒸発させる。残留物を
ジイソプロピルエーテルで粉砕し、７β−［２−（５−
アミノ−１，２，４−チアジアゾール−３−イル）−２
−メトキシイミノアセトアミド］　−３−（３，４−ジ
ヒドロキシベンゾイル）チオメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸（シン異性体）６００ｍｇを得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃｍ−リ　；　３３Ｇ０．３１８
０．１７７０．１５９５゜ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｏδ）
　　；　３．３３　　ａｎｄ　３．７３２　Ｈ，Ａ　Ｂ
　Ｑ、　　Ｊ　＝１８Ｈ７，）　、　３．９３　’ａｎ
ｄ４．２７（２Ｈ，ＡＢＱ、　　Ｊ　＝　ｌ　４　Ｈ７
，）　、　５．１３（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝５ＨＺ）　
、　５．７８　（ＩＴ（、ｄ　ｄ。 Ｊ＝８ａｎｄ５　夏（Ｚ’）　　、　　　６．８５（Ｉ
　　Ｈ，ｄ、　　　Ｊ　　＝１０！（ｚ）　　、？、：
Ｎ　　（Ｉ　　Ｈ，ｄ、　　　Ｊ　　＝２Ｈ７，）　　
。 ７．３３（ＩＨ，ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝ＩＯａｎｄ　２Ｈ
７，）　。 ８．０９　（２Ｈ、’　ｂｒｓ）　、９．４８　（ＩＨ
、ｂｒｓ）　、　９．５２（ＩＩＩ、　　ｄ、　　Ｊ　
＝８１（ｚ）、　　９．９８（ＩＨ，ｂｒｓ）実施例３ ７β−アミノ−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイル
）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸・トリフ
ルオロ酢酸塩（５８１ｍｇ）をＮ（トリメチルシリル）
アセトアミド（１，３１ｇ）の添加によりジクロロメタ
ンＣｌ２ｄ）に溶解する。この溶液に２−（５−アミノ
−！、２゜４−チアジアゾール−３−イル’）−２−（
２−カルボキシプロパン−２−イルオキシイミノ）酢酸
メタンスルホニル（シンｎ性体）（３８８ｍｇ）を０℃
で加え、０℃で３０分間及び室温で３時間撹拌する。そ
の混合物を酢酸エチル（１００１１１りとテトラヒドロ
フラン＜５０ｄ）と冷水（５０ｍｌ）の混合液に注ぎ、
そして、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液の添加で、ｐＨ
２に調節する。分取した有機層を水および塩水で洗浄し
、硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下で蒸発させる。残
留物をジイソプロピルエーテルで粉砕し、７β−［２−
（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾール−３−イル
）−２−（ｉ−）Ｊルボキシブロバンー２−イルオキシ
イミノ）アセトアミド］　−３−（３，４−ジアセトキ
シベンゾイル）チオメチル−３−セフェノー−４−カル
ボン酸（シン異性体）（４８７ｍｇ）を得る。 ｌ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃ＋ｗ−’）　　：　３３Ｇ０．
１７６５．　１６５５．１５２ＯＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ
、δ）；　１．４６（６Ｈ，ｓ）、２゜３１（６Ｈ，ｓ
）、３．３９　　　ａｎｄ　　　３．７６（２Ｈ。 八Ｂｑ、　　Ｊ　＝１８Ｈｚ）　、　３．９７　ａｎｄ
　４．３３（２Ｈ，Ａ　Ｂ　Ｑ、　　Ｊ　＝１４ＨＺ”
）　　、　　５．１４　（ＩＩＩ。 ｄ、　　Ｊ　＝５Ｈｚ）　、　５．８１　（ＩＨ，ｄ　
ｄ、　　Ｊ　＝８ａｎｄ　　ＩＨｚ）　　７．４４　（
ＩＨ，ｄ、　　Ｊ−１０Ｈｚ）　　。 ７．８２（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝２ＨＺ”）、７．８７
（ＩＨ。 ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝１１０　　ａｎｄ　　２Ｈｚ）　　
８．１４　（２Ｈ，ｂｒｓ）　　。 ９．４０（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝８Ｈｚ）実施例４ ７β−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）−２−（２−カルボキシプロパン−２−
イルオキシイミノ）アセトアミド］３−　（３，４−ジ
アセトキシベンゾイル）チオメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸くシン異性体）（４５０ｍｇ）を水中に（
ＩＯｍｇ）に懸濁させ、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液
の添加によりｐＨ８に調節する。得られた溶液を室温で
、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液の添加によりｐＨ８に
錐持して、５時間撹拌する。その溶液をＩＮ塩酸の添加
によりｐ　Ｈ４に調節し、非イオン性吸着樹脂、「ダイ
ヤイオンＨＰ−２０Ｊ（商標；三菱化成工業（株）製）
（４０ｍ１りを用いるクロマトグラフィにかけ４０％イ
ソプロピルアルコール水溶液で溶出する。溶出液を真空
下で濃縮してイソプロピルアルコールを除去し、ＩＮ塩
酸の添加でｐＨ２に調節し、酢酸エチルとテトラヒドロ
フランの混合液で抽出する。抽出した有機層を水および
塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し真空下で溶媒
を蒸発させる。残留物をジイソプロピルエーテルで粉砕
し７β−［２−（５−アミノ−！、２゜４−チアジアゾ
ール−３−イル）−２−（２−カルボキシプロパン−２
−イルオキシイミノ）アセトアミド］　−３−（３，４
−ジヒドロキシベンゾイル）チオメチル−３−セフェム
−４−カルボン酸（シン異性体）（２８５＋ａｇ）を得
る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃｍ−’）　　；　１７７０．１
５２ＯＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、δ）　　：　１．４７（
６Ｈ，ｓ）　。 ３．３５　ａｎｄ　３．７４　（２Ｈ、ΔＢＱ、　　Ｊ
　＝１８８７．）３．９０　ａｎｄ　４．２７（２Ｈ，
Ａｒ５ｑ、　Ｈ＝１４Ｈｚ）　、　５．１６（ＩＨ，ｄ
、　　Ｊ　＝５Ｈｚ）　。 ５．１（ＩＨ，ｄ　ｄ、　Ｊ　＝８　ａｎｄ　　５Ｈｚ
）　＋６．８２（ＩＨ，ｄ、　　　　Ｊ　　　＝ｌＯＨ
Ｚ）　　　、　　　　７．２−７．４（２Ｈ，ｍ）　　
、　　　８．１５（２夏−１，ｂｒｓ）　　、　　　９
．４１　　（ＩＨ。 ｄ、　　Ｊ　＝８Ｈｚ）　、　９．４６（ＩＨ，ｂｒｓ
）　、　９゜９８（ＩＨ，ｂｒｓ） 実施例５ ７β−アミノ−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイル
オキシメチル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル（０，８ｇ）とメタンスルホン酸（０
，５ｇ）のテトラヒドロフラン（２０ｄ）溶液に２−（
５−アミノ−Ｉ、２゜４−チアジアゾール−３−イル）
−２−メトキシイミノアセチルタロリド・塩酸塩（シン
異性体）（０，３２ｇ）を−１５℃で加え一１０℃〜０
°Ｃで１時間撹拌する。」二記の混合物に酢酸エチル（
５０ｍｌ）と水（５０ｍｆｆ）を加える。分取した酢酸
エチル層を水および塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥した後、真空下で溶媒を蒸発させる。残留物をジイ
ソプロピルエーテルで粉砕し、７β［２−（５−アミノ
−１，２，４−チアジアゾール−３−イル）−２−メト
キシイミノアセトアミド］　−３−（３，４−ジアセト
キシベンゾイル−オキシメチル）−３−セフェム−４−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル（シン異性体）　　
（＋、　　０５ｇ）を得る。 ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、、δ）　：　２．２５（６Ｈ，
ｓ）　。 ３．７０　（２Ｈ，ｂ　’Ｓ　’）　、　３．８８　（
３Ｈ，Ｓ　）５．０　（２Ｈ，Ｊ　＝１３８　Ｚ）　、
５．２０　（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ、＝５Ｈｚ）　、　５．
９０（ＩＨ。 ｄ　ｄ、　　Ｊ　＝５．８ＨＺ）　、７．２０（ＩＨ，
ｓ）？、ＩＯ〜７．７０（ｍ）、７．７７（ＩＨ，ｓ）
９．６３（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　＝　８　Ｈｚ）実施例６ トリフルオロ酢酸（］　Ｗｌｉ）を７β−［２−（５ア
ミノ−１，２，４−チアジアゾール−３−イル）−２−
メトキシイミノアセトアミド］　−３−（３，４−ジア
セトキシベンゾイルオキシメチル）−３−セフェム−４
−カルボン酸ベンズヒドリルエステル（シン異性体）（
Ｉｇ）とアーソール（２ｄ）の混合物に水浴中冷却水下
に加え、２時間撹拌する。その混合物にジイソプロピル
エーテルを加え、生成した沈澱物を濾取し、炭酸水素す
）ＩＪウム水溶液（］Ｏｍｆｆ）に溶解する。その水溶
液をｐＨ８，０に調節し、室温で４時間撹拌後、ｐＨ３
，０に調節する。沈澱物を濾取し、五酸化リンで乾燥し
７β−［２−（５−アミノ−１，２，４−チアジアゾー
ル−３−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド］　
−３−（３，４−ジヒドロ牛ジベンゾイルオキシメチル
）−３−セフェム−４−カルボン酸（シン異性体）（０
，４１ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃｍ−’）　　；　３４００．　
１７６０．　１６８０．　１６０ＯＮＭＲ（ＤＭＳＯ−
ｄ、δ）　　；　３．６５　（２Ｈ，ｂｓ）　。 ３．９５　（３１−１，ｓ　）　　５．０５　（２１１
，ｄ　　ｄ、　　Ｊ　　＝１３Ｈｚ）、　　５．Ｈｌ（
ＩＩＩ、　　ｄ、　　Ｊ　　＝５ＨＺ）。 ５．８３　（Ｉｌｌ、　　ｄ　ｄ、　　Ｊ　　＝５．８
１１　　ｚ　）　　、　　６．８２゜７．３５　　（２
Ｈ、八　Ｂｑ、　　　Ｊ　　＝８Ｈｚ）　　、　　７．
４０（ＩＨ，ｓ）、９．５７（］　　Ｈ，ｄ、　　Ｊ　
　＝８Ｈｚ）実施例７ ７β−アミノ−３−（３，４−ジアセトキシベンゾイル
オキシメチル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル（０，５ｇ）とメタンスルホンＭ（０
，４８ｇ）のテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）溶液に２
−（５−アミノ−１゜２．４−チアジアゾール−３−イ
ル）　−２−（Ｌブトキシカルボニルジメチルメトキシ
イミノ）酢酸メタンスルホニルエステル（シン異性体）
（０゜３１ｇ）を−５℃で加え、−５℃て１時間撹拌す
る。反応混合物を酢酸エチル（５０ｄ＞と水（５０Ｉｎ
１）の混合液に注ぐ。分取　した有機層を水および塩水
で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥し真空下で溶媒を蒸発
させる。残留物をジイソプロエーテルで粉砕し粉末（０
，７ｇ）を得る。 」−記粉末の混合物のアニソール（０，７ｍｆｆ）とジ
クロロメタン（２，１ｍ１）の溶液に、水浴で冷却下テ
トラヒドロフラン（１，４ｄ）を加え１時１ｊｌＪ撹拌
し真空下で溶媒を除去後、残留物に水（５０ｍｌ）を加
える。溶液を炭酸水素ナトリウム飽和水溶液でｐＨ８，
０に調節し３時間撹拌し、それから酢酸エチルで洗浄す
る。水層をＩＮ塩酸でｐＨ３，５に酸性化し、［ダイヤ
イオンＨＰ　−２０Ｊでクロマトグフィにかける。１０
％インプロピルアルコール水溶液で溶出し溶出液を凍結
乾燥すると７β−［５−アミノ−１，２，４−チアジア
ゾール−３−イル）−２−（２−カルボキシプロパン−
２−イルオキシイミノアセトアミド”）−３−（３４−
ジヒドロキシベンゾイルオキシメチル）３−セフェム−
４−カルボン酸（シン異性体）（０２２ｇ）を得る。 Ｉ　Ｒ（Ｎｕｊｏｌ　ｃ１１＋−’）　　；　３３Ｇ０
．１７６０．　！６０ＯＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、　６）
　　；　１．４５（６１１，ｄ）　。 ３．２５．３．５８．　（２８，ＡＢｑ、　　Ｊ　＝１
８Ｈｚ）　。 ４．９２．５．２ｔｌ　（２Ｈ，Ａ　［３ｑ、　　Ｊ　
＝１３１１　ｚ）　。 ５．０５（Ｉｌｌ　、　　　ｄ、　　　Ｊ　　＝５Ｈｚ
）　　、　　　５．７５（ＩＮ。 ｄｄ、Ｊ＝５゜１ｌｌＩ　　ｚ）、　　６４Ｏ（１１（
、ｄ）。 ７．２８　（ＩＨ、ｄ　　ｄ　）　　、　　７．３３　
（ＩＨ，ｓ　）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１はアミノ基または保護されたアミノ基、
   Ｒ＾２は適当な置換基を有していてもよい低級アルキル
   基、Ｒ＾３はカルボキシ基または保護されたカルボキシ
   基、Ｒ＾４およびＲ＾５はそれぞれヒドロキシ基または
   保護されたヒロドロキシ基、ＸはＯまたはＳを意味する
   ］ で示される新規セフェム化合物およびその塩類。