JPS61263990A - ３−ホスホニウムメチル−３−セフエム化合物の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化合
物の製造法に関する。

さらに詳細には、この発明は３−ヒドロキシメチル−３
−セフェム化合物から単一工程で３−ホスホニウムメチ
ル−３−セフェム化合物を合成する新規製造法に関する
。

すなわち、この発明の目的は新規製造法により３−ホス
ホニウムメチル−３−セフェム化合物を高収量で得るこ
とにある。

「従来技術。

従来、３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化合物は
、３−ヒドロキシメチル−３−セフェム化合物から３−
クロロメチル−３−セフェム化合物を経由して製造され
ており、該化合物を高収率で、さらに工業的により優れ
た方法で得ることが望まれていた。

ｒ問題点を解決するための手段。

この発明の発明者等は鋭意研究の結果、３−ヒドロキシ
メチル−３−セフェム化合物から、単一工程によって、
高収量で３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化合物
を製造することに初めて成功した。

この発明の製造法は式： （式中、Ｒ１はアミノ基または保護されたアミノ基、Ｒ
２はカルボキシ基または保護されたカルボキシ基をそれ
ぞれ意味する） で示きれる３−ヒドロキシメチル−３−セフェム化合物
またはその塩に、トリアリールホスフィンおよび沃素を
作用させ、 式： （式中、Ｒはアリール基を意味し　Ｒ１およびＲ２は前
と同じ意味） で示移れる３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化合
物またはその塩を得ることを特徴とする。

この発明の製造法で得られる３−ホスホニウムメチル−
３−セフェム化合物（１）は、強い抗菌活性を有する３
−ビニル−３−セフェム化合物の合成中間体として有用
である。

この明細書において使用されるＲ１、Ｒ２およびＲ３の
定義の好適な例および説明を以下詳細に述べる。

この明細書で使用きれる「低級」なる語は、特に指示が
なければ、炭素原子１〜６個を有する基を意味する。

「保護されたアミノ基」は、ペニシリンおよびセファロ
スポリン化合物で使用きれる慣用の保護基であり、さら
に詳細には下記のようなアシル基、例えばベンジル、ベ
ンズヒドリル、トリチル等のモノ（またはジまたはトリ
）フェニル（低級）アルキル基のようなアル（低級）ア
ルキル基、例えばベンジリデン、サリチリデン等の置換
もしくは非置換ベンジリデン基のような置換もしくは非
置換アル（低級）アルキリデン基等によって置換された
アミノ基が挙げられる。

ここで１アシル基」の例としては脂肪族アシル基、芳香
族アシル基、複素環アシル基および芳香環または複素環
で置換された脂肪族アシル基が挙げられる。

脂肪族アシル基としては、例えばホルミノ呟アセチル、
プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イ
ソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アルカ
ノイル基、例えばメシル、エチルスルホニル、プロピル
スルホニル等の低級アルキルスルホニル基、例えばメト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニ
ル等の低級アルコキシカルボニル基、例えばアクリロイ
ル、メタアクリロイル、クロトノイル等の低級アルケノ
イル基、例えばシクロヘキサンカルボニル等の（Ｃ３−
Ｃ７）シクロアルカンカルボニル基等のような飽和また
は不飽和の、非環式または環式アシル基が挙げられる。

芳香族アシル基としては、例えばベンゾイル、トルオイ
ル、キシロイル等のアロイル基、例えばフェニルスルホ
ニル、トシル等のアリールスルホニル基等が挙げられる
。

複素環アシル基としては、例えばフロイル、テノイル、
ニコチノイル、イソニコチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、チアジアゾリルカルボニル、テトラゾリルカルボニ
ル等の複素環カルボニル基等が挙げられる。

芳香環で置換された脂肪族アシル基としては、例えばフ
ェニルアセチル、フェニルプロピオニル、フェニルヘキ
サノイル等のフェニル（低級）アルカノイル基のような
アル（低級）アルカノイル基、例えばベンジルオキシカ
ルボニル、フェネチルオキシカルボニル等のフェニル（
低級）アルコキシカルボニル基のようなアル（低級）ア
ルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセチル、フ
ェノキシプロビオニル等のフェノキシ（低級）アルカノ
イル基のようなアリールオキシ（低級）アルカノイル基
などが挙げられる。

複素環で置換された脂肪族アシル基としては、チェニル
アセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセチル、テ
トラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジアゾ
リルアセチル、チェニルプロピオニル、チアジアゾリル
プロピオニル等が挙げられる。

これらのアシル基はさらに、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、沃素、ふっ素等
のハロゲン、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシル
オキシ等の低級アルコキシ基、例えばメチルチオ、エチ
ルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ
、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ基
、ニトロ基、カルボキシ基、後述するような保護された
カルボキシ基、アミノ基、上述したような保護されたア
ミノ基、例えばカルボキシメトキシイミノ等のカルボキ
シ（低級）アルコキシイミノ基、例えばメトキシカルボ
ニルメトキシイミノ等の保護されたカルボキシ（低級）
アルコキシイミノ基等のような１個以上の適当な置換基
で置換きれていてもよく、そのような置換基を有するア
シル基の好ましい例としては、例えばクロロアセチル、
ブロモアセチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセ
チル等のモノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アル
カノイル基、例えば７−ク ロロメトキシカルボニル ルボニル、２，２．２−ｈリクロロエトキシ力ルポニル
等のモノ（またはジまたはトリ）７１０（低級）アルコ
キシカルボニル基、例えばニトロベンジルオキシカルボ
ニル、クロロベンジルオキシカルボニル、メトキシベン
ジルオキシカルボニル等のニトロ（またはハロまたは低
級アルコキシ）フェニル（低級）アルコキシカルボニル
基、例えば５−アミノ−５−カルボキシペンタノイル等
のアミノおよびカルボキシ置換低級アルカノイル基、例
えば５−ヘンシイルアミノ−５−ベンズヒドリルオキシ
カルボニルペンタノイル等の保護されたアミンおよび保
護されたカルボキシ置換低級アルカノイル基等が挙げら
れる。

「保護されたカルボキシ基コとしては、ペニシリンまた
はセファロスポリン化合物の３位または４位に常用きれ
るエステル化されたカルボキシ基が挙げられる。

「エステル化されたカルボキシ基」における「エステル
部分」の例としては、例えばメチルエステル、エチルエ
ステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、プ
ロルエステル呟　イソブチルエステル、第三級ブチルエ
ステル、ペンチルエステノ呟第三級ペンチルエステル、
ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル、例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルキルエステ
ノ呟例えばエチニルエステル、プロピニルエステル等の
低級アルキニルエステル、例えばメトキシメチルエステ
ル、エトキシメチルエステル、インブロボキシメチルエ
ステノ呟　１−メトキシエチルエステル、１−エトキシ
エチルエステル等の低級アルコキシ（低級）アルキルエ
ステル、例えばメチルチオメチルエステル、エチルチオ
メチルエステル、エチルチオエチルエステル、イソプロ
ピルチオメチルエステル等の低級アルキルチオ（低級）
アルキルエステル、例えば２−ヨードエチルエステル、
２，２．２−トリクロロエチルエステル等のモノ（また
はジまたはトリ）７１口（低級）アルキルエステル、例
えばアセトキシメチルエステル、プロピオニルオキシメ
チルエステル、プチリルオキシメチルエステル、イソブ
チリルオキシメチルエステル、バレリルオキジメチルエ
ステル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイ
ルオキジメチルエステル、２−アセトキシエチルエステ
ル、２−プロピオニルオキシエチルエステル、１−アセ
トキシプロピルエステル等の低級アルカノイルオキシ（
低級）アルキルエステル、例えばメシルメチルエステル
、２−メシルエチルエステル等の低級アルキルスルホニ
ル（低級）アルキルエステル、例えばベンジルエステル
、４−メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジル
エステル、フェネチルエステル、ベンズヒドリルエステ
ル、トリチルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチ
ルエステル、３．４−ジメトキシベンジルエステル、４
−ヒドロキシ−３，５−ジ第三級ブチルベンジルエステ
ル等の１個以上の適当な置換基を有していてもよいモノ
（またはジまたはトリ）フェニル（低級）アルキルエス
テルのような１個以上の置換基を有していてもよいアル
（低級）アルキルエステル、例えばフェニルエステル、
トリルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キシ
リルエステル、メシチルエステル、クメニルエステル、
サリチルエステル等の１個以上の適当な置換基を有して
いてもよいアリールエステル、例えばフタリジルエステ
ル等の複素環エステル等が挙げられる。

「アリール基」の例としては、例えばフェニル、トリル
、キシリル、メシチル、クメニル等が挙げられる。

原料化合物（Ｉ［）および目的化合物（Ｉ）の好適な塩
としては、塩基との塩および酸付加塩が挙げられ、塩基
との塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩等の
アルカリ金属塩、例えばカルシウム塩、マグネシウム塩
等のアルカリ土金属塩、アンモニウム塩等の無機塩基と
の塩、例えばトリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリ
ン塩、エタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、
ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ、Ｎ’　−ジベンジルエ
チレンジアミン塩等の有機アミン塩が、また酸付加塩と
しては例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等
の無機酸付加塩、例えば蟻酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、り−トルエンスルホン酸塩等
の有機カルボン酸付加塩または有機スルホン酸付加塩等
が挙げられる。

この発明の製造法は次の反応式で示すことができる。

またはその塩 またはその塩 （式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ前と同じ意味
） この発明の製造法において使用きれるトリアリールホス
フィンおよ・び沃素の量は特に限定されない。しかしな
がら、目的化合物（Ｉ）を高収量で得るためには、原料
化合物（ＩＦ）に対して好ましくは等モル量またはそれ
以上、きらに好ましくは２モル当量または２モル当量よ
り若干過剰のトリアリールホスフィンを使用し、また等
モル量または等モル量より若干過剰の沃素を使用して反
応を行うのがよい。

この製造法はＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセトアミド、ジクロロメタン、ジクロロエタ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のようなこの反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒また
はこれらの混合溶媒中で行うことができる。

この製造法の反応温度は特に限定されないが、冷却下か
ら常温の範囲で反応を行うのが好ましく、この温度範囲
が目的とする３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化
合物の工業的製造に非常に有利である。

「発明の効果」 この発明の製造法によって、３−ホスホニウムメチル−
３−セフェム化合物（Ｉ＞が単一工程で、しかも高収率
で得られる。この目的化合物（１）は例えは、次の反応
式で示すように、強い抗菌活性を有する３−ビニル−３
−セフェム化合物の合成中間体として有用である。

ＣＩ 上記反応式の第二工程および第三工程において、化合物
（Ｂ）を製造する際化合物（Ｉ）を単離してもしなくて
も化合物（ＩＩ）から製造することができ、工業的には
化合物（Ｉ）を単離、精製せずに一つの反応器中でこれ
らの工程を行うのが好ましい。

このようにして得られる最終化合物（Ｅ）は強い抗菌活
性を有し、特に経口用抗菌剤として有用である。

「実施例」 以下この発明を実施例に従って説明する。

実施例１ （６Ｒ，７Ｒ）−３−ヒドロキシメチル−８−才キソー
７−サリチリデンアミノ−５−チア−１−アザビシクロ
［４，２，０１オクト−２−エン−２−カルボン酸ベン
ズヒドリル（３３ｇ）およびトリフェニルホスフィン（
３７，２ｇ）のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（９０ｍ
Ｑ）溶液に、沃１（ｔ９．ｓｇ）のテトラヒドロフラン
（３０ｍ１１　）溶液を１５℃で滴下し、１５分間攪拌
する。反応混液をイソプロピルアルコール（１２００ｍ
Ｑ　）に注加し、２時間攪拌する。析出する結晶を濾取
して、（６Ｒ，７Ｒ）−２−ベンズヒドリルオキシカル
ボニル−８＝オキソ−７−サリチリデンアミノ−５−チ
ア−１−アザビシクロ［４，２，０コオクト−２−エン
−３−イルメチル−トリフェニル−ホスホニウムヨーダ
イトをほぼ定量的収量で得る。

ＩＲ（ヌジョール）　　＝　１７８０．　１７１５．　
１６２０．　１２５０　　ｃｍ　　’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ
，δ）　’　３．５−３．９　（２Ｈ，ｍ）　、　４．
８−５．６（２Ｈ，ｍ）　、　５．６１　（ＩＨ，ｄ、
Ｊ＝５Ｈｚ）　、　５．８３　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝５Ｈｚ）　、　６．３０　（ＩＨ，ｓ）　、　６．
８−８．２　（２９Ｈ，ｍ＞　。

８．８８　＜ＬＨ，ｓ）　、　１２．１６　（ＩＨ，ｓ
）この生成物をジクロロメタン（６００ｍＱ　）に溶解
した後イソプロピルアルコール（１５０ｍＱ　）　、次
いで３６％ホルムアルデヒド水溶液（ｘｓｏｍＱ）を、
２０％炭酸カリウム水溶液でｐｔｔ値を８．５〜８．７
に保ちながら加える。２３〜２５°Ｃで２時間攪拌後、
有機層を分取し、水および塩化ナトリウム水溶液で洗浄
し、濃縮する。濃縮液を水冷下２時間放置し、沈殿した
生成物を濾取し、イソプロピルアルコールおよび石油エ
ーテルで洗浄して、（６Ｒ，７Ｒ）−８−オキソ−７−
サリチリデンアミノ−３−ビニル−５−チア−１−アザ
ビシクロ［４，２，０コ才クト−２−エン−２−カルボ
ン酸ベンズヒドリル（ｔ７．ｔｇ）を得る。

ＩＲ（ヌジョール）　　：　１７７０．　１７１０．　
１６２０．　１５８０（ｓ）　　Ｃｍ−’犬ム■１ （６Ｒ，７Ｒ）−３−ヒドロキシメチル−８−才キソー
７−サリチリデンアミノ−５−チア−１−アザビシクロ
［４，２，０］］オクトー２−エンー２−カルボン酸ベ
ンズヒドリル３１２ｇ）およびトリフェニルホスフィン
（３６０ｇ）のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド（９４０
ｍＱ　）混液に、沃素（１９０ｇ）を攪拌下温度を２０
°Ｃ以下に保ちながら少量ずつ分割して加え、次いで反
応混合物を同条件で４０分間攪拌して、（６Ｒ，７Ｒ）
−２−ベンズヒドリルオキシカルボニル− チリゾンアミノー５−チア−１−アザビシクロ［４。２
．０１オクト−２−エン−３−イルメチル−トリフェニ
ル−ホスホニウムヨーダイトを含む溶液を製造する。

ジクロロメタン（４．５ｉおよび３６％ホルムアルデヒ
ド水溶液（１り）からなる混液に攪拌下、水酸化ナトリ
ウム水溶液でｐＨ８．５〜９．０に調整しながら上記で
得られた溶液を滴下する。２５〜３０℃で４５分間攪拌
後、反応液を塩酸でｐＨ７．０〜７．５に調整して水洗
する。有機層を分取し、濃縮して１／３容とする。この
濃縮液にメタノール（２りを加え、沈殿する結晶を濾取
し、メタノール（６００ｍＱ　）　テ洗浄後、真空乾燥
して、（６Ｒ，７Ｒ）−８−才キソー７−サリチリデン
アミノ−３−ビニル−５−チア−１−アザビシクロ［　
４．２．０　］］オクトー２ーエンー２ーカルボン酸ベ
ンズヒドリル２００ｇ）を得る。

実施例３ トリフェニルホスフィン（　１１．６ｇ　）のＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド（　４０ｍＱ）溶液に、沃素（５
．１ｇ）を水冷攪拌下に加える。５°Ｃで３０分間攪拌
後、これに（６Ｒ，７Ｒ）−３−ヒドロキシメチル−８
−才キソー７−ベンゾイルアミノ−５ーチアー１−アザ
ビシクロ［４．２．’Ｏ］オクトー２ーエンー２ーカル
ボン酸ベンズヒドリルを加え、この混液を５℃で３０分
間、２５’Ｃでさらに３０分間攪拌する。反応液をジク
ロロメタンと水の混液に注ぎ、有機層を分取して水洗し
、濃縮して、（６Ｒ，７Ｒ）−２−ベンズヒドリルオキ
シカルボニル−８−才キソー７−ベンゾイルアミノ−５
−チアー１−アザビシクロ［４，２，０］］オクトー２
−エンー３−イルメチルトリフェニル−ホスホニウムヨ
ーダイトを含む溶液を得る。

この溶液に３６％ホルムアルデヒド水溶液（５０ｍＱ　
）および水（５ｏｍＱ）を加えた後２０％炭酸カリウム
水溶液でｐＨ８，５〜８．７に調整する。２０〜２５℃
で２時間攪拌後、反応混合物にイソプロピルアルコール
（１ｏｏｍｃ　）を加え、水冷下で１時間攪拌する。

沈殿する生成物を濾取し、イソプロピルアルコールおよ
びジイソプロピルエーテルで洗浄して、（６Ｒ，７Ｒ）
−８−才キソー７−ペンゾイルアミノー３−ビニル−５
−チア−１−アザビシクロ［４，２，０１オクト−２−
エン−２−カルボン酸ベンズヒドリル（４，９ｇ）を得
る。

ＩＲ（ヌジ日−ル）　　’　　３３４０．　１７９０．
　１７２０．　１６５３　　ｃｍ’実施例４ トリフェニルホスフィン（７，１ｇ　）（７）Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド（５０ｍＱ　）溶液に、沃素（３
，１ｇ）を水冷攪拌下に加える。５°Ｃで３０分間攪拌
後、（６Ｒ，７Ｒ）−３−ヒドロキシメチル−８−オキ
ソ−７−（５−ベンゾイルアミノ−５−ベンズヒドリル
オキシカルボニルペンタノイルアミノ才クト−２−エン
−２−カルボン酸ベンズヒドリル（Ｌｏｇ）を加え、次
いで５°Ｃで１５分間、２５°Ｃでさらに２０分間攪拌
する。反応混合物をジクロロメタンと水の混液に注ぎ、
有機層を分取した後水洗し、濃縮して、（６Ｒ，７Ｒ）
−２−ベンズヒドリルオキシカルボニル− ベンゾイルアミノ−５−ベンズヒドリルオキシカルボニ
ルペンタノイルアミノ）−５−チア−１−アザビシクロ
［　４．２．０　］］オクトー２ーエンー３ーイルメチ
ルトリフェニル−ホスホニウムヨーダイトを含む溶液を
得る。

この溶液に３６％ホルムアルデヒド水溶液（　３０ｍＱ
　）および水（　５ｏｍｒｂ　）を加え、２０％炭酸カ
リウム水溶液でｐＨ８．５へ・８．７に調整する。２５
°Ｃで１．５時間攪拌後、反応混合物にメタノール（　
５Ｏ＋＋＋Ｑ）を加え、水冷下で１時間攪拌する。沈殿
する生成物を濾取し、メタノールおよびジイソプロピル
エーテルで洗浄して、（６Ｒ，７Ｒ）−８−才キソー７
−（５−ベンゾイルアミノ−５−ベンズヒドリルオキシ
カルボニルペンタノイルアミノ ニル−５−チア−１−アザビシクロ［　４．２．０　］
］オクトー２ーエンー２ーカルボン酸ベンズヒドリル５
．１ｇ）を得る。

ＩＲ（ヌ九−ル）　　；　　３３００．　　１７７０，
　　１７３０，　　１７１０。

１６５０　ａｍ’

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）式▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１はアミノ基または保護されたアミノ基、
   Ｒ＾２はカルボキシ基または保護されたカルボキシ基を
   それぞれ意味する） で示される３−ヒドロキシメチル−３−セフェム化合物
   またはその塩に、トリアリールホスフィンおよび沃素を
   作用させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は前と同じ意味であり、Ｒ
   ＾３はアリール基を意味する） で示される３−ホスホニウムメチル−３−セフェム化合
   物またはその塩を得ることを特徴とする３−ホスホニウ
   ムメチル−３−セフェム化合物またはその塩の製造法。
2. （２）トリアリールホスフィンの量が化合物（II）に対
   して２モル当量以上である特許請求の範囲第（１）項記
   載の製造法。