JP6477760B2 - 非水系二次電池用負極及び非水系二次電池、負極活物質及びその製造方法、ナノシリコンと炭素層とカチオン性ポリマー層とを具備する複合体、ナノシリコンと炭素層よりなる複合体の製造方法 - Google Patents
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Description
関係式(1):R/3σ>1
3級アミンハロゲン酸塩 → 3級アミン + ハロゲン化水素
CaSi2 + ハロゲン化水素 → 層状ポリシラン + ハロゲン化カルシウム
3CaSi2+6HCl→Si6H6+3CaCl2
Si6H6→6Si+3H2↑
Si/C複合体は、炭素層がナノシリコン凝集粒子の少なくとも一部を覆ったものであり、その一態様として、炭素層が少なくとも板状シリコン体の表面を覆ったものともいえる。炭素層は、板状シリコン体のナノサイズのシリコン粒子の表面あるいは板状シリコン体の層の間に形成されていてもよいし、ナノサイズのシリコン粒子の間に形成されていてもよい。炭素層は、板状シリコン体の全表面を覆っていることが好ましい。
関係式(1):R/3σ>1
炭素層を形成する場合において、何らかの方法で別に製造された炭素をナノシリコン凝集粒子と混合するだけでは、不均質となるとともに、炭素が凝集粒子の少なくとも一部を覆うことも困難である。そこで、Si/C複合体の製造方法(1)は、ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造をなし組成式(SiH)nで示される層状ポリシランを熱処理してナノシリコン凝集粒子を得る凝集粒子形成工程と、凝集粒子と芳香性複素環化合物とを混合した状態で芳香性複素環化合物を重合する重合工程と、芳香性複素環化合物の重合体を炭素化する炭素化工程と、をこの順で行う。この製造方法によれば、非晶質の炭素が凝集粒子の少なくとも一部を確実に覆い、均質なSi/C複合体を製造することができる。
ところが上記した製造方法では、重合などの工程が必要となり、生産性が低い。また炭素層を均一に形成したSi/C複合体を形成することも難しいという問題がある。そこで、Si/C複合体の製造方法(2)は、ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造をなし組成式(SiH)nで示される層状ポリシランを熱処理してナノシリコン凝集粒子を得る凝集粒子形成工程と、樹脂溶液とナノシリコン凝集粒子を混合し溶媒を除去した後に樹脂を炭素化する炭素化工程と、をこの順で行う。この製造方法によれば、樹脂を最適に選択することで非晶質の炭素を含む炭素層を容易に形成することができる。特に、予め高分子化された樹脂を用いることで重合工程の短縮、重合時の不均一化を少なくすることができる。
前述したように、遷移金属から選ばれる金属原子及び/又は導電性粉末を含む炭素層が好ましい。以下、金属原子及び/又は導電性粉末を含む炭素層を形成する方法を説明する。
Si/C複合体の粒子の間に形成される、グラファイト類似の炭素骨格を有し90質量%以上が炭素からなる繊維状物は、ナノシリコン凝集粒子と樹脂溶液とを混合し、溶媒を除去した後の炭素化工程において形成することができる。炭素化工程において、ナノシリコン凝集粒子の表面に炭素が付着し、その付着炭素の表面から炭素の繊維状物が他の凝集粒子に向かって成長し、Si/C複合体の粒子の間に繊維状物が介在する。
上述したように、ナノシリコン凝集粒子は、ナノサイズのシリコン粒子が層状に配列した構造をもつ板状シリコン体がその厚さ方向に複数枚積層されてなる。板状シリコン体どうしの層間にも炭素源が浸入することが望ましいので、炭素源として気体を用いることも好ましい。すなわち、Si/C複合体の製造方法としては、ナノシリコン凝集粒子を非酸化性雰囲気下にて有機物ガスと接触させ加熱して有機物ガスを炭素化することで、少なくとも板状シリコン体の表面に炭素層を形成することが好ましい。
CaSi2と含ハロゲンポリマーを混合し、当該含ハロゲンポリマーの炭化温度以上の温度で加熱することで、ナノシリコン凝集粒子と炭素層よりなる複合体を製造することができる。
−(CH2CHCl)n− → nHCl + −(CH=CH)n−
次に、CaSi2が上記放出された塩化水素と作用し、Si6H6で表される層状ポリシランとなる。
3CaSi2 + 6HCl → Si6H6 + 3CaCl2
そして、加熱条件下であるので、Si6H6の水素が離脱して、シリコンが得られる。
Si6H6 → 6Si + 3H2↑
さらに、ポリ塩化ビニルの分解物である(CH=CH)nはその炭化温度以上の加熱条件において炭化する。その際にシリコンと(CH=CH)nの炭化物が共存するため、シリコンと炭素が一体化したSi/C複合体が得られる。
Si + (CH=CH)n → Si/C複合体 + nH2↑
CaSi2は、一般にCa層とSi層が積層した構造である。CaSi2は、公知の製造方法で合成してもよく、市販されているものを採用してもよい。Si/C複合体の製造方法(6)に用いるCaSi2は、あらかじめ粉砕しておくことが好ましい。
(R1は3価以上の炭化水素基。Xはそれぞれ独立にハロゲン。nは1以上の整数。)
(R2、R3、R4はそれぞれ独立に1価の炭化水素基、ハロゲン置換炭化水素基、水素、ハロゲンから選択される。Xはハロゲン。)
下記で説明するSi/C/ベンゼン環含有ポリマー複合体を熱処理することで、Si/C複合体を製造することもできる。Si/C複合体の製造方法(7)に用いるSi/C/ベンゼン環含有ポリマー複合体は、Si/C/ベンゼン環含有ポリマー複合体に対するベンゼン環含有ポリマーの質量%が、0.1〜3質量%の範囲内のものが好ましく、0.5〜2質量%の範囲内のものがより好ましい。
Si/C複合体をカチオン性ポリマーで覆うSi/C/カチオン性ポリマー複合体を負極活物質として用いてもよい。
カチオン性ポリマー溶液の溶媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン等を挙げることができ、これらの溶媒を単独で又は複数で用いれば良い。
Si/C複合体をカチオン性ポリマー溶液に接触させるには、例えば、Si/C複合体をカチオン性ポリマー溶液に浸ける方法、カチオン性ポリマー溶液をSi/C複合体に塗布する方法、カチオン性ポリマー溶液をスプレー状態でSi/C複合体に塗布する方法を挙げることができる。作業の簡便性及びイオン結合を効果的に発生させる観点から、Si/C複合体をカチオン性ポリマー溶液に浸ける方法が好ましい。該方法は、撹拌条件下や超音波処理条件下で実施してもよいし、常圧下、加圧下もしくは減圧下で実施してもよく、また、常温下、加熱条件下で実施してもよい。Si/C複合体をカチオン性ポリマー溶液に浸ける時間は、カチオン性ポリマー溶液の種類や濃度に因り、適宜選択すればよい。該時間として、好ましくは10秒〜120分、より好ましくは1〜70分を例示することができる。
Si/C複合体をベンゼン環含有ポリマーで覆うSi/C/ベンゼン環含有ポリマー複合体を負極活物質として用いてもよい。
ナノシリコン凝集粒子及び/又はSi/C複合体は、比誘電率5以上の溶媒で洗浄される洗浄工程を経るのが好ましい。洗浄工程は、ナノシリコン凝集粒子及び/又はSi/C複合体に付着している不要な成分を、比誘電率5以上の溶媒(以下、「洗浄溶媒」ということがある。)で洗浄することにより除去する工程である。同工程は、特に、層状ポリシランの製造で使用した酸に由来する成分やカルシウム塩などの洗浄溶媒に溶解し得る物質を除去することを目的としている。例えば、層状ポリシランの製造で塩酸を用いた場合、ナノシリコン凝集粒子又はSi/C複合体には、塩素がCaCl2として又はSi−Cl結合を構成するものなどとして存在していると推定される。そこで、洗浄溶媒でナノシリコン凝集粒子及び/又はSi/C複合体を洗浄することにより、CaCl2などの塩を洗浄溶媒に溶解させて除去できる。洗浄工程は、洗浄溶媒中にナノシリコン凝集粒子を浸漬させる方法でもよいし、ナノシリコン凝集粒子に対して洗浄溶媒を浴びせる方法でもよい。同様に、洗浄工程は、洗浄溶媒中にSi/C複合体を浸漬させる方法でもよいし、Si/C複合体に対して洗浄溶媒を浴びせる方法でもよい。
そのため、洗浄工程において、求核性の置換基を有する洗浄溶媒を採用した場合には、負極の不可逆容量を減少させること又は負極の抵抗を低減させることが期待できる。したがって、洗浄溶媒は求核性の置換基を有するものが好ましい。
なお、洗浄工程をナノシリコン凝集粒子に対して行う場合には、洗浄後のナノシリコン凝集粒子の乾燥をSi/C複合体の製造方法の工程で兼ねることが可能となり、製造全体の工程数を削減できるため、好ましい。
本発明の一態様として、第一活物質と共に用いられる第二活物質は、黒鉛を含んでいる。この黒鉛としては、G-bandとD-bandの比であるG/D比が3.5以上の高結晶性黒鉛、G/D比が3.5未満の低結晶性黒鉛のいずれも用いることができる。高結晶性黒鉛としては、天然黒鉛、人造黒鉛のいずれも使用できる。形状による分類法では、鱗片状黒鉛、球状黒鉛、塊状黒鉛、土状黒鉛、ハードカーボン、ソフトカーボンなどを使用できる。また黒鉛の表面を炭素材料などで被覆したコート付き黒鉛も使用できる。中でも、柔らかい天然黒鉛が好ましい。
非水系二次電池などの蓄電装置の負極は、負極活物質粉末と、炭素粉末などの導電助剤と、バインダーと、適量の有機溶剤を加えて混合しスラリーにしたものを、ロールコート法、ディップコート法、ドクターブレード法、スプレーコート法、カーテンコート法などの方法で集電体上に塗布し、該スラリーを乾燥させることによって作製することができる。
上記した負極をもつリチウムイオン二次電池の場合、特に限定されない公知の正極、電解液、セパレータを用いることができる。正極は、非水系二次電池で使用可能なものであればよい。正極は、集電体と、集電体上に結着された正極活物質層とを有する。正極活物質層は、正極活物質と、バインダーとを含み、さらには導電助剤を含んでも良い。正極活物質、導電助剤およびバインダーは、特に限定はなく、リチウムイオン二次電池で使用可能なものであればよい。
正極および負極に必要に応じてセパレータを挟装させ電極体とする。電極体は、正極、セパレータ及び負極を重ねた積層型、又は、正極、セパレータ及び負極を捲いた捲回型のいずれの型にしても良い。正極の集電体および負極の集電体から外部に通ずる正極端子および負極端子までの間を、集電用リード等を用いて接続した後に、電極体に電解液を加えて非水系二次電池とする。また、本発明の非水系二次電池は、電極に含まれる活物質の種類に適した電圧範囲で充放電を実行されればよい。
濃度46質量%のHF水溶液7mlと、濃度36質量%のHCl水溶液56mlとの混合溶液を氷浴中で0℃とし、アルゴンガス気流中にてそこへ3.3gの二ケイ化カルシウムを加えて撹拌した。発泡が完了したのを確認した後に室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mlを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
実施例1のSi/C複合体I粉末45質量部と、天然黒鉛粉末40質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして、実施例2の負極を形成した。実施例2の負極を用い、実施例1と同様にして、実施例2のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例1のSi/C複合体I粉末25質量部と、天然黒鉛粉末60質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして、実施例3の負極を形成した。実施例3の負極を用い、実施例1と同様にして、実施例3のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例1のSi/C複合体I粉末45質量部と、人造黒鉛粉末40質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして、実施例4の負極を形成した。実施例4の負極を用い、実施例1と同様にして、実施例4のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例1と同様にして製造されたナノシリコン凝集粒子の粉末45質量部と、天然黒鉛粉末40質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして、実施例5の負極を形成した。実施例5の負極を用い、実施例1と同様にして、実施例5のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例1と同様にして得られたナノシリコン凝集粒子をロータリーキルン型の反応器に入れ、ブタン含有不活性ガス通気下にて800℃、滞留時間5分間の条件で熱CVDを行い、実施例6のSi/C複合体IIを得た。反応器の炉芯管は水平方向に配設され、回転速度は1rpmである。炉心管の内周壁には邪魔板が配設され、回転に伴って邪魔板上に堆積した内容物が所定の高さで邪魔板から落下するように構成され、それによって内容物が撹拌される。
実施例1のSi/C複合体I粉末85質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして負極を形成した。この負極を用い、実施例1と同様にして実施例7のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例1と同様にして製造されたナノシリコン凝集粒子の粉末85質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして負極を形成した。この負極を用い、実施例1と同様にして比較例1のリチウムイオン二次電池を得た。
天然黒鉛粉末85質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合したスラリーを用い、実施例1と同様にして負極を形成した。この負極を用い、実施例1と同様にして比較例2のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例6のSi/C複合体II粉末85質量部と、アセチレンブラック5質量部と、バインダー溶液33質量部とを混合してスラリーを調製した。バインダー溶液には、ポリアミドイミド樹脂がN-メチル-2-ピロリドンに30質量%溶解した溶液を用いている。このスラリーを、厚さ約20μmの電解銅箔(集電体)の表面にドクターブレードを用いて塗布及び乾燥し、銅箔上に負極活物質層を形成した。その後、ロールプレス機により、集電体と負極活物質層を強固に密着接合させた。これを100℃で2時間真空乾燥し、負極活物質層の厚さが16μmの負極を形成した。
実施例1〜8及び比較例1〜2のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。結果を表2に示す。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと、濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とし、アルゴンガス気流中にてそこへ3.3gの二ケイ化カルシウムを加えて撹拌した。発泡が完了したのを確認した後に室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
炭素化工程の加熱温度を850℃としたこと以外は、実施例9と同様にして、実施例8のSi/C複合体粉末を得た。実施例10のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を、実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程の加熱温度を900℃としたこと以外は、実施例9と同様にして、実施例11のSi/C複合体粉末を得た。実施例11のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を、実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程において、ブタン含有不活性ガスに代えてプロパン含有不活性ガスを用いたこと、加熱温度を850℃としたこと以外は、実施例9と同様にして、実施例12のSi/C複合体粉末を得た。実施例12のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を、実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程において、ブタン含有不活性ガスに代えてアセチレン含有不活性ガスを用いたこと、加熱温度を700℃としたこと、滞留時間を120分間としたこと以外は、実施例9と同様にして、実施例13のSi/C複合体粉末を得た。実施例13のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を、実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程において、ブタン含有不活性ガスに代えてアセチレン含有不活性ガスを用いたこと、加熱温度を700℃としたこと、滞留時間を120分間としたこと、ガス停止後900℃で30分間熱処理を行ったこと以外は、実施例9と同様にして、実施例14のSi/C複合体粉末を得た。実施例14のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程において、ブタン含有不活性ガスに代えてアセチレン含有不活性ガスを用いたこと、加熱温度を700℃としたこと、滞留時間を60分間としたこと、ガス停止後900℃で30分間熱処理を行ったこと以外は、実施例9と同様にして、実施例15のSi/C複合体粉末を得た。実施例15のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
炭素化工程において、ブタン含有不活性ガスに代えてアセチレン含有不活性ガスを用いたこと、加熱温度を450℃としたこと、滞留時間を60分間としたこと、ガス停止後900℃で30分間熱処理を行ったこと以外は、実施例9と同様にして、実施例16のSi/C複合体粉末を得た。実施例16のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
ナノシリコン凝集粒子の仕込み量を30倍とし、プロパン含有不活性ガスの流量を10倍とし、滞留時間を60分間としたこと以外は、実施例12と同様にして、実施例17のSi/C複合体粉末を得た。実施例17のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
実施例9と同様の方法で得られたナノシリコン凝集粒子をロータリーキルン型の反応器に入れ、ヘキサン含有不活性ガス通気下にて850℃、滞留時間20分間の条件で熱CVDを行い、実施例18のSi/C複合体を得た。なお、ヘキサン含有不活性ガスは、ヘキサン中に不活性ガスをバブリングして得られたガスである。実施例18のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
実施例9で得られたナノシリコン凝集粒子に対して熱CVDを行うことなく、そのまま負極活物質として用いたこと以外は実施例9と同様にして、比較例3のリチウムイオン二次電池(ハーフセル)を作製した。
熱CVDの加熱温度を700℃としたこと以外は、実施例9と同様にして、比較例4のSi/C複合体粉末を得た。比較例4のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。比較例4のSi/C複合体粉末においては、炭素層が薄すぎたため、その平均厚さ(R)と炭素層厚さの標準偏差(σ)は測定不能であった。
比較例4のSi/C複合体粉末45質量部と、天然黒鉛粉末40質量部とを負極活物質として用いたこと以外は実施例9と同様にして、実施例19のリチウムイオン二次電池(ハーフセル)を作製した。
熱CVDにおいて、ブタンガスに代えてプロパンガスを用いたこと、加熱温度を850℃としたこと、滞留時間を20分間としたこと以外は実施例9と同様にして実施例20のSi/C複合体粉末を得た。実施例20のSi/C複合体粉末の炭素層の平均厚さ(R)、炭素層厚さの標準偏差(σ)、炭素量、BET比表面積、G/D比、抵抗率を実施例9のSi/C複合体粉末と同様に測定した。結果を表3に示す。
実施例9で得られたナノシリコン凝集粒子1gに対して、アセトンとメタノールからなる混合溶媒に溶解したレゾール型フェノール樹脂溶液(固形分58質量%)0.86gを添加し、よく撹拌して懸濁液とした。懸濁液のナノシリコン凝集粒子とフェノール樹脂に対する仕込み重量比はSi/C=2/1であった。懸濁液から溶媒を除去した後、減圧下で120℃にて1時間加熱してフェノール樹脂を硬化させ、次いでアルゴンガス中にて900℃で20分間焼成して炭素化し、Si/C複合体を得た。得られたSi/C複合体を平均粒子径が10μmとなるようにボールミルで粉砕し、実施例21のSi/C複合体粉末を調製した。粉砕は、Si/C複合体1gに対して100gのジルコニアボール(4mmΦ)を加え、70rpmで2時間行った。
実施例9〜21及び比較例3〜4のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。結果を表4に示す。
以下のとおり、実施例22のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を製造した。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
実施例22のSi/C複合体につき、以下の試験を行った。
実施例22のSi/C複合体を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。得られたSEM像を図20〜22に示す。図20の右下の目盛全体の長さは10μm、図21の右下の目盛全体の長さは2μm、図22の右下の目盛全体の長さは1μmである。図20〜22から、ナノシリコン凝集粒子が炭素で被覆された粒子が観察された。図21からは、板状シリコン体に薄く炭素被覆が為された様子が観察された。
実施例22及び実施例23のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。また、実施例22のリチウムイオン二次電池につき、充電後10秒間のIRドロップを測定したところ、0.12Vであった。各リチウムイオン二次電池の初期放電容量、初期充電容量及び初期効率の結果を表6に示し、実施例22のリチウムイオン二次電池の初期充放電曲線を図24に示す。
以下のとおり、実施例24の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子を製造した。
粉砕後のCaSi2を1gと、3級アミンハロゲン酸塩としてピリジン塩酸塩5gとを、アルゴン雰囲気下、メノウ乳鉢を用いて混合し、混合粉体とした。混合粉体をアルゴン雰囲気下、120℃で3時間加熱し、層状ポリシランを製造した。
混合粉体の加熱温度を130℃とした以外は、実施例24と同様の方法で、実施例25の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子を製造した。
対極をφ13mm、評価極をφ11mmに裁断し、セパレータ(ヘキストセラニーズ社製ガラスフィルター及びCelgard社製「Celgard2400」)を両極の間に介装して電極体とした。この電極体を電池ケース(CR2032型コイン電池用部材、宝泉株式会社製)に収容した。電池ケースに、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとを1:1(体積比)で混合した混合溶媒にLiPF6を1Mの濃度で溶解した非水電解液を注入し、電池ケースを密閉して、実施例25のリチウムイオン二次電池を得た。
3級アミンハロゲン酸塩としてピリジン臭化水素酸塩を採用した以外は、実施例24と同様の方法で、実施例26の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子を製造した。そして、ナノシリコン凝集粒子として実施例26のナノシリコン凝集粒子を用いた以外は、実施例25と同様の方法で、実施例26のリチウムイオン二次電池を得た。
CaSi2をボールミルで粉砕した。粉砕後のCaSi2の粒度分布をレーザー回折式粒度分布測定装置で測定したところ、D50が20μmであった。
アルゴン雰囲気下、5℃の塩酸10mL中に、粉砕後のCaSi21gを投入し、3時間撹拌した。反応液を濾過し、得られた粉体をエタノールで洗浄した。洗浄後の粉体を減圧乾燥して、比較例5の層状ポリシランを得た。
実施例24〜26のナノシリコン凝集粒子につき、粉末X線回折装置にて、X線回折測定を行った。また、実施例25〜26のナノシリコン凝集粒子につき、赤外分光光度計にて、赤外吸収スペクトル測定を行った。図26に実施例25のナノシリコン凝集粒子のX線回折チャートを示し、図27に実施例25のナノシリコン凝集粒子の赤外吸収スペクトルを示す。
実施例25の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子、実施例26の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子、並びに、比較例5の層状ポリシラン及びナノシリコン凝集粒子につき、酸素窒素分析装置EMGA(株式会社堀場製作所)を用いて、酸素量(質量%)を測定した。結果を表7に示す。
実施例25〜26のリチウムイオン二次電池及び比較例5のリチウムイオン二次電池につき、 電流値0.2mAで対リチウム電圧0.01Vまで放電を行い、次いで、電流値0.2mAで1.0Vまで充電を行った。この時の放電容量及び充電容量を測定し、初期効率を算出した。初期効率は、(充電容量/放電容量)×100で算出した。結果を表8に示す。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
グラインドノズル圧:1.3MPa
粉砕圧:2.0MPa
投入速度:3g/min.
実施例27のSi/C複合体を用いた以外は、実施例9と同様の方法で、実施例27のリチウムイオン二次電池を製造した。
ジェットミルでの粉砕条件を以下のとおりとした以外は、実施例27と同様の方法で、実施例28の粉砕ナノシリコン凝集粒子及びリチウムイオン二次電池を製造した。
グラインドノズル圧:0.4MPa
粉砕圧:1.3MPa
投入速度:2g/min.
ナノシリコン凝集粒子に対するジェットミル粉砕を行わなかった以外は、実施例27と同様の方法で、実施例29のリチウムイオン二次電池を製造した。
熱CVD後、ロータリーキルン型の反応器にて、アルゴン雰囲気下、速度1rpmで24時間撹拌して、実施例30のSi/C複合体を得た以外は、実施例27と同様の方法で、実施例30のリチウムイオン二次電池を製造した。
ナノシリコン凝集粒子に対するジェットミル粉砕を行わず、Si/C複合体に対してジェットミル粉砕を行った以外は、実施例28と同様の方法で、実施例31の粉砕Si/C複合体及びリチウムイオン二次電池を製造した。
実施例27〜28の粉砕ナノシリコン凝集粒子、実施例29のナノシリコン凝集粒子、実施例30のSi/C複合体、実施例31の粉砕Si/C複合体につき、レーザー回折式粒度分布測定装置にて、粒度分布を測定した。結果を表9に示す。
実施例27〜31のリチウムイオン二次電池につき、電流値0.2mAで対リチウム電圧0.01Vまで放電を行い、次いで、電流値0.2mAで1.0Vまで充電を行った。この時の放電容量及び充電容量を測定し、初期効率を算出した。初期効率は、(充電容量/放電容量)×100で算出した。
以上の結果を表10に示す。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
SBR1質量%分散水とSi/C複合体の割合を変えた以外は、実施例32と同様の方法で、実施例33のSBR被覆Si/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。実施例33のSBR被覆Si/C複合体において、Si/C複合体とSBRの質量比は99.7:0.3であった。
SBR被覆を行わなかった以外は、実施例32と同様の方法で、実施例34のリチウムイオン二次電池を得た。
SBR1質量%分散水とSi/C複合体の割合を変えた以外は、実施例32と同様の方法で、実施例35のSBR被覆Si/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。実施例35のSBR被覆Si/C複合体において、Si/C複合体とSBRの質量比は99:1であった。
実施例32〜35のリチウムイオン二次電池につき、電流値0.2mAで対リチウム電圧0.01Vまで放電を行い、次いで、電流値0.2mAで1.0Vまで充電を行った。この時の放電容量及び充電容量を測定し、初期効率を算出した。初期効率は、(充電容量/放電容量)×100で算出した。
以上の結果を表11に示す。
実施例35と同様の方法で製造したSBR被覆Si/C複合体に対し、アルゴンガス雰囲気下、400℃で3時間の熱処理をして、実施例36のSi/C複合体を得た。
実施例36のSi/C複合体を負極活物質として用いた以外は、実施例32と同様の方法で、実施例36のリチウムイオン二次電池を得た。
熱処理温度を500℃とした以外は、実施例36と同様の方法で、実施例37のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
実施例36〜37のリチウムイオン二次電池、及び、実施例34〜35のリチウムイオン二次電池につき、電流値0.2mAで対リチウム電圧0.01Vまで放電を行い、次いで、電流値0.2mAで1.0Vまで充電を行った。この時の放電容量及び充電容量を測定し、初期効率を算出した。初期効率は、(充電容量/放電容量)×100で算出した。
以上の結果を表12に示す。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
得られた反応液を濾過し、残渣を10mLの蒸留水で洗浄した後、10mLのエタノールで洗浄し、真空乾燥して2.5gの層状ポリシランを得た。
導電助剤としてアセチレンブラックを3質量部、導電助剤としてカーボンナノチューブを2質量部用いた以外は、実施例38と同様の方法で、実施例39のリチウムイオン二次電池を得た。
導電助剤としてアセチレンブラックを5質量部用い、導電助剤としてカーボンナノチューブを用いなかった以外は、実施例38と同様の方法で、実施例40のリチウムイオン二次電池を得た。
導電助剤としてアセチレンブラックを1質量部、導電助剤としてカーボンナノチューブを4質量部用いた以外は、実施例38と同様の方法で、実施例41のリチウムイオン二次電池を得た。
導電助剤としてアセチレンブラックを用いず、導電助剤としてカーボンナノチューブを5質量部用いた以外は、実施例38と同様の方法で、実施例42のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例38〜42のリチウムイオン二次電池につき、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、10分後に温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行い、そして、10分休止するとのサイクルを、30サイクル繰り返した。100×(各サイクル後の充電容量)/(1サイクル後の充電容量)の値を容量維持率として算出した。
以上の結果を表13に示す。表13中、ABはアセチレンブラックを意味し、CNTはカーボンナノチューブを意味する。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
得られた反応液を濾過し、残渣を10mLの蒸留水で洗浄した後、10mLのエタノールで洗浄し、真空乾燥して2.5gの層状ポリシランを得た。
層状ポリシランに対する熱処理温度を1000℃とした以外は、実施例43と同様の方法で、実施例44のナノシリコン凝集粒子及びリチウムイオン二次電池を得た。
層状ポリシランに対する熱処理温度を1100℃とした以外は、実施例43と同様の方法で、実施例45のナノシリコン凝集粒子及びリチウムイオン二次電池を得た。
実施例43〜45のナノシリコン凝集粒子につき、粉末X線回折装置にてX線回折測定を行った。得られたX線回折チャートのピークの半値幅から、層状ポリシランに対する熱処理温度が高いナノシリコン凝集粒子ほど、Si結晶が多く含まれていることが判明した。
実施例43〜45のリチウムイオン二次電池につき、電流値0.2mAで対リチウム電圧0.01Vまで放電を行い、次いで、電流値0.2mAで1.0Vまで充電を行った。この時の放電容量及び充電容量を測定し、初期効率を算出した。初期効率は、(充電容量/放電容量)×100で算出した。結果を表15に示す。
負極活物質として、実施例6のSi/C複合体II粉末70質量部とハードカーボン粉末15質量部を用いた以外は、実施例6と同様にして、実施例46のリチウムイオン二次電池(ハーフセル)を作製した。なお、ハードカーボン粉末は、株式会社クレハ・バッテリー・マテリアルズ・ジャパンのカーボトロンPを使用した。
負極活物質として、実施例6のSi/C複合体II粉末45質量部とハードカーボン粉末40質量部を用いた以外は、実施例46と同様にして、実施例47のリチウムイオン二次電池(ハーフセル)を作製した。
実施例46〜47のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。
以上の結果を表16に示す。
濃度46質量%のHF水溶液7mLと濃度36質量%のHCl水溶液56mLとの混合溶液を氷浴中で0℃とした。該混合溶液にアルゴンガス気流中にて3.3gのCaSi2を加えて撹拌した。反応液からの発泡が完了したのを確認した後に反応液を室温まで昇温し、室温でさらに2時間撹拌した後、蒸留水20mLを加えてさらに10分間撹拌した。このとき黄色粉末が浮遊した。
実施例48のSi/C複合体につき、以下の試験を行った。
実施例48のSi/C複合体を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。得られたSEM像を図28〜29に示す。図28〜29の右下の目盛全体の長さは30μmである。また、実施例48のSi/C複合体の断面を、SEMで観察した。得られたSEM像を図30〜31に示す。図30〜31の右下の目盛全体の長さは10μmである。図28〜31から、シリコンの露出は観察されず、ナノシリコン凝集粒子が炭素で被覆された様子が観察された。
実施例48のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。実施例48のリチウムイオン二次電池の初期容量は80%であった。
以下のとおり、実施例49のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を製造した。
得られた反応液を濾過し、残渣を10mLの蒸留水で洗浄した後、10mLのエタノールで洗浄し、真空乾燥して2.5gの層状ポリシランを得た。該層状ポリシランをラマン分光光度計で分析したところ、341±10cm−1、360±10cm−1、498±10cm−1、638±10cm−1、734±10cm−1にピークが存在するラマンスペクトルが得られた。
洗浄溶媒としての純水10gに上記Si/C複合体1gを加えて、メカニカルスターラー(RW20デジタル、アズワン株式会社)で400rpm、5分間、室温で攪拌し、懸濁液とした。その後、懸濁液に対し、発振周波数40kHzでの超音波処理(超音波洗浄機USK−3R、アズワン株式会社)を60分間行った。得られた懸濁液を濾過し、粉体を80℃で12時間減圧乾燥することで、実施例49のSi/C複合体を得た。なお、純水は、純水製造装置オートスチルWS200(ヤマト科学株式会社)で製造したものを用いた。
負極活物質として実施例49のSi/C複合体70質量部、負極活物質として天然黒鉛15質量部、導電助剤としてアセチレンブラック5質量部、バインダー溶液33質量部を混合してスラリーを調製した。バインダー溶液には、ポリアミドイミド樹脂がN−メチル−2−ピロリドンに30質量%溶解した溶液を用いている。上記スラリーを、集電体としての厚さ約20μmの電解銅箔の表面にドクターブレードを用いて塗布し、乾燥して、銅箔上に負極活物質層を形成した。その後、ロールプレス機により、集電体と負極活物質層を強固に密着接合させた。これを100℃で2時間真空乾燥し、負極活物質層の厚さが16μmの負極を形成した。
上記の手順で作製した負極を評価極として用い、リチウムイオン二次電池(ハーフセル)を作製した。対極は金属リチウム箔(厚さ500μm)とした。
対極をφ13mm、評価極をφ11mmに裁断し、セパレータ(ヘキストセラニーズ社製ガラスフィルター及びCelgard社製「Celgard2400」)を両極の間に介装して電極体とした。この電極体を電池ケース(CR2032型コイン電池用部材、宝泉株式会社製)に収容した。電池ケースには、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとを1:1(体積比)で混合した混合溶媒にLiPF6を1Mの濃度で溶解した非水電解液を注入し、電池ケースを密閉して、実施例49のリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程の洗浄条件を、室温、400rpmで60分間撹拌とした以外は、実施例49と同様の方法で、実施例50のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程の洗浄条件を、80℃、400rpmで60分間撹拌とした以外は、実施例49と同様の方法で、実施例51のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程の洗浄溶媒をN−メチル−2−ピロリドンとした以外は、実施例49と同様の方法で、実施例52のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程を行わなかった以外は、実施例49と同様の方法で、実施例53のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程の洗浄溶媒をジメチルカーボネート(以下、DMCと略す場合がある。)とした以外は、実施例49と同様の方法で、実施例54のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
洗浄工程の洗浄溶媒をジエチルカーボネート(以下、DECと略す場合がある。)とした以外は、実施例49と同様の方法で、実施例55のSi/C複合体及びリチウムイオン二次電池を得た。
実施例49〜53のSi/C複合体につき、以下の試験を行った。
1gのSi/C複合体を10gの水中で1時間撹拌し懸濁液とした。懸濁液を濾過し、得られた濾液中のフッ素及び塩素イオン濃度をイオンクロマトグラフィーにて測定した。結果を表17に示す。なお、水は、純水製造装置オートスチルWS200:ヤマト科学株式会社で製造したものを用いた。
実施例49〜55のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。
洗浄工程により、望ましくない不純物が除去されて好適なSi/C複合体が得られることが裏付けられた。
以下のとおり、実施例56のSi/C/カチオン性ポリマー複合体及びリチウムイオン二次電池を製造した。
対極をφ14mm、評価極をφ11mmに裁断し、セパレータ(ヘキストセラニーズ社製ガラスフィルター及びCelgard社製「Celgard2400」)を両極の間に介装して電極体とした。この電極体を電池ケース(CR2032型コイン電池用部材、宝泉株式会社製)に収容した。電池ケースに、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとを1:1(体積比)で混合した混合溶媒にLiPF6を1Mの濃度で溶解した非水電解液を注入し、電池ケースを密閉して、実施例56のリチウムイオン二次電池を得た。
負極活物質として実施例56のSi/C/カチオン性ポリマー複合体に換えて、実施例56のSi/C複合体を用いた以外は、実施例56と同様の方法で、実施例57のリチウムイオン二次電池を得た。
実施例56のSi/C複合体につき、水中でのゼータ電位をpH毎に測定した。その結果を図32に示す。実施例56のSi/C複合体は、pH4以上の水溶液中でマイナスのゼータ電位を示した。
実施例56及び実施例57のリチウムイオン二次電池について、温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が0.01Vになるまで放電を行い、次いで温度25℃、電流0.2mAで評価極の対極に対する電圧が1Vになるまで充電を行った。この時の(充電容量/放電容量)×100を初期効率(%)として算出した。
以上の結果を表19に示す。
Claims (4)
- ナノサイズのシリコン粒子が層状に配列した構造をもつ板状シリコン体がその厚さ方向に、空隙を介して、複数枚積層されてなる構造を有するナノシリコン凝集粒子を得る凝集粒子形成工程と、
該ナノシリコン凝集粒子を粉砕して、
レーザー回折式粒度分布測定装置で測定した10%累積径(D10)が1μm<D10<4μm、50%累積径(D50)が4μm<D50<10μm、90%累積径(D90)が8μm<D90<15μmであるか、
又は、
レーザー回折式粒度分布測定装置で測定した10%累積径(D10)がD10<0.5μm、50%累積径(D50)が0.5μm<D50<2μm、90%累積径(D90)が2μm<D90<5μmであるナノシリコン凝集粒子を得る粉砕工程と、
該粉砕工程後のナノシリコン凝集粒子の表面に炭素層を形成する炭素化工程と、をこの順で行う、ナノシリコン凝集粒子と炭素層との複合体の製造方法。 - 前記粉砕工程において、(D90−D10)<3μmを満足するナノシリコン凝集粒子を得る、請求項1の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の製造方法でナノシリコン凝集粒子と炭素層との複合体を製造する工程、
前記複合体を用いて負極を製造する工程、
を有する、非水系二次電池用負極の製造方法。 - 請求項3に記載の製造方法で非水系二次電池用負極を製造する工程、
前記負極を用いて非水系二次電池を製造する工程、
を有する、非水系二次電池の製造方法。
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