JP6005441B2 - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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Description
図1(A)に、本発明の一態様に係る半導体装置の、回路構成の一例を示す。図1(A)に示す半導体装置100は、複数のトランジスタで構成された回路101と、トランジスタ102と、トランジスタ103とを有する。図1(A)に示した半導体装置100において、少なくともトランジスタ102とトランジスタ103は、同じ極性を有する。図1(A)では、トランジスタ102と、トランジスタ103とが、共にnチャネル型である場合を例示している。
本発明の一態様に係る、パルス発生回路の構成例について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置の一つである、インバータの構成例について説明する。
EL表示装置を例に挙げて、本発明の一態様に係る半導体表示装置の、画素と駆動回路の断面構造について、図12を用いて説明する。図12に、画素840と駆動回路841の断面図を一例として示す。
図14に、半導体表示装置の一形態に相当する、パネルの一例について説明する。図14に示すパネルは、基板700と、基板700上の画素部701、信号線駆動回路702、走査線駆動回路703、及び端子704とを有する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図15に示す。
101 回路
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 配線
105 配線
106 配線
107 配線
108 配線
109 トランジスタ
110 容量素子
200 パルス発生回路
200_1乃至200_y パルス発生回路
201 回路
202 トランジスタ
203 トランジスタ
204 トランジスタ
205 配線
206 配線
207 配線
208 配線
209 配線
210 配線
211 配線
212 配線
213 配線
214 配線
215 トランジスタ
216 トランジスタ
217 トランジスタ
218 トランジスタ
219 トランジスタ
220 トランジスタ
221 トランジスタ
222 トランジスタ
223 トランジスタ
224 容量素子
225 容量素子
230 抵抗
231 抵抗
232 実線
233 実線
300 パルス発生回路
301 回路
302 トランジスタ
303 トランジスタ
304 トランジスタ
305 配線
306 配線
307 配線
308 配線
309 配線
310 配線
311 配線
312 配線
313 配線
314 配線
315 トランジスタ
316 トランジスタ
317 トランジスタ
318 トランジスタ
319 トランジスタ
320 トランジスタ
330 パルス発生回路
331 回路
332 トランジスタ
333 トランジスタ
334 トランジスタ
335 配線
336 配線
337 配線
338 配線
339 配線
340 配線
341 配線
342 配線
343 配線
344 配線
345 配線
346 トランジスタ
347 トランジスタ
348 トランジスタ
349 トランジスタ
350 トランジスタ
351 トランジスタ
352 トランジスタ
360 パルス発生回路
361 回路
362 トランジスタ
363 トランジスタ
364 トランジスタ
365 配線
366 配線
367 配線
368 配線
369 配線
370 配線
371 配線
372 配線
374 配線
375 配線
376 トランジスタ
377 トランジスタ
378 トランジスタ
379 トランジスタ
380 トランジスタ
381 トランジスタ
382 トランジスタ
400 パルス発生回路
401 回路
402 トランジスタ
403 トランジスタ
404 トランジスタ
405 配線
406 配線
407 配線
408 配線
409 配線
410 配線
411 配線
412 配線
414 配線
415 配線
416 トランジスタ
417 トランジスタ
418 トランジスタ
419 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
422 トランジスタ
423 トランジスタ
430 パルス発生回路
431 回路
432 トランジスタ
433 トランジスタ
434 トランジスタ
435 配線
436 配線
437 配線
438 配線
439 配線
440 配線
441 配線
442 配線
444 配線
445 配線
446 トランジスタ
447 トランジスタ
448 トランジスタ
449 トランジスタ
450 トランジスタ
451 トランジスタ
452 トランジスタ
453 トランジスタ
500 インバータ
501 回路
502 トランジスタ
503 トランジスタ
504 配線
505 配線
506 配線
507 配線
508 配線
509 配線
510 トランジスタ
511 トランジスタ
512 トランジスタ
513 容量素子
700 基板
701 画素部
702 信号線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 端子
800 基板
802 ゲート絶縁膜
812 導電膜
813 半導体膜
814 導電膜
815 導電膜
816 導電膜
817 半導体膜
818 導電膜
819 導電膜
820 絶縁膜
821 絶縁膜
822 導電膜
823 コンタクトホール
824 絶縁膜
825 EL層
826 導電膜
830 トランジスタ
831 トランジスタ
832 発光素子
833 容量素子
840 画素
841 駆動回路
1602 ゲート電極
1603 ゲート絶縁膜
1604 半導体膜
1605 導電膜
1606 導電膜
1607 絶縁膜
1612 ゲート電極
1613 ゲート絶縁膜
1614 半導体膜
1615 導電膜
1616 導電膜
1617 絶縁膜
1618 チャネル保護膜
1622 ゲート電極
1623 ゲート絶縁膜
1624 半導体膜
1625 導電膜
1626 導電膜
1627 絶縁膜
1642 ゲート電極
1643 ゲート絶縁膜
1644 半導体膜
1645 導電膜
1646 導電膜
1647 絶縁膜
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5201 筐体
5202 表示部
5203 支持台
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 第1筐体
5602 第2筐体
5603 第1表示部
5604 第2表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 表示部
5803 音声入力部
5804 音声出力部
5805 操作キー
5806 受光部
Claims (24)
- 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有する半導体装置。 - 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きい半導体装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。 - 走査線駆動回路と、画素と、を有し、
前記走査線駆動回路は、
第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
第3のトランジスタと、
第4のトランジスタと、
第5のトランジスタと、
第6のトランジスタと、
第7のトランジスタと、
第8のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は第1の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は第2の配線に電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は第3の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は第4の配線に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は第5の配線に電気的に接続されており、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第3の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は第6の配線に電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第4の配線に電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第7のトランジスタのゲートは前記第6のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第3の配線は、クロック信号を入力することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第5の配線は、第2の信号を出力することができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル幅は、前記第3のトランジスタのチャネル幅よりも大きく、
前記画素は、前記第2の配線に電気的に接続される表示装置。
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JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5701136A (en) * | 1995-03-06 | 1997-12-23 | Thomson Consumer Electronics S.A. | Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR0173955B1 (ko) | 1996-02-01 | 1999-04-01 | 김광호 | 에너지 절약형 패스 트랜지스터 로직회로 및 이를 이용한 전가산기 |
US5949398A (en) * | 1996-04-12 | 1999-09-07 | Thomson Multimedia S.A. | Select line driver for a display matrix with toggling backplane |
US5859630A (en) * | 1996-12-09 | 1999-01-12 | Thomson Multimedia S.A. | Bi-directional shift register |
JP3546985B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2004-07-28 | シャープ株式会社 | 増幅型光電変換素子、増幅型固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001325798A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Sony Corp | 論理回路およびこれを用いた表示装置 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
MXPA03009945A (es) * | 2002-11-05 | 2007-04-16 | Lg Electronics Inc | Montaje para montar una pantalla de toque para un monitor con pantalla de cristal liquido. |
JP4425547B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US7369111B2 (en) * | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4232600B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2009-03-04 | ソニー株式会社 | バッファ回路および表示装置 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101032945B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
KR101085447B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-11-21 | 삼성전자주식회사 | 터치 위치 검출 장치 및 이의 터치 위치 검출 방법과,이를 구비한 터치 스크린 표시 장치 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP4866623B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2012-02-01 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置及びその制御方法 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR101157981B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
DE102005033115A1 (de) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Brose Fahrzeugteile Gmbh & Co. Kommanditgesellschaft, Coburg | Aggregateträger für eine Kraftfahrzeugtür |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
US7310402B2 (en) * | 2005-10-18 | 2007-12-18 | Au Optronics Corporation | Gate line drivers for active matrix displays |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
WO2007080813A1 (en) * | 2006-01-07 | 2007-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device and electronic device having the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
TWI329855B (en) * | 2006-01-27 | 2010-09-01 | Au Optronics Corp | Dynamic shift register circuit |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
TWI430234B (zh) * | 2006-04-05 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,顯示裝置,和電子裝置 |
KR20070101033A (ko) * | 2006-04-10 | 2007-10-16 | 삼성전자주식회사 | 신호 구동 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5079425B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
TWI514347B (zh) | 2006-09-29 | 2015-12-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置和電子裝置 |
JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWI511116B (zh) | 2006-10-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 |
JP4968671B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-07-04 | Nltテクノロジー株式会社 | 半導体回路、走査回路、及びそれを用いた表示装置 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
CN101206318B (zh) * | 2006-12-22 | 2010-05-19 | 群康科技(深圳)有限公司 | 移位寄存器与液晶显示装置 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5090008B2 (ja) | 2007-02-07 | 2012-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびシフトレジスタ回路 |
GB2446842A (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-27 | Seiko Epson Corp | Organic TFT Inverter Arrangement |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2009134814A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | シフトレジスタおよびそれを備える画像表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5433966B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-03-05 | カシオ計算機株式会社 | シフトレジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP5141363B2 (ja) * | 2008-05-03 | 2013-02-13 | ソニー株式会社 | 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器 |
JP5527647B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-06-18 | Nltテクノロジー株式会社 | シフトレジスタ |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010130576A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 電気回路、シフトレジスタ回路、ドライバ回路、および画像表示装置 |
TWI407443B (zh) * | 2009-03-05 | 2013-09-01 | Au Optronics Corp | 移位暫存器 |
KR101573460B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2015-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 |
JP5436049B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路の設計方法及び半導体装置 |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2284891B1 (en) * | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8115883B2 (en) * | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101700470B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2017-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR101587610B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2016-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 구동회로 |
WO2011043175A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and display device having the same |
KR101712340B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
TWI421827B (zh) * | 2010-03-19 | 2014-01-01 | Au Optronics Corp | 移位暫存器 |
KR102615409B1 (ko) * | 2010-05-21 | 2023-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
JP4860765B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
US8515001B2 (en) * | 2010-12-24 | 2013-08-20 | Lg Display Co., Ltd. | Shift register |
KR20130003252A (ko) * | 2011-06-30 | 2013-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스테이지 회로 및 이를 이용한 주사 구동부 |
KR101920752B1 (ko) * | 2011-07-05 | 2018-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 |
US8995607B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR101992889B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
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