JP5475222B2 - 異なるサイズを有する複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

異なるサイズを有する複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージ及びその製造方法 Download PDF

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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Description

本発明は、マルチチップパッケージに係り、さらに詳細には、異なるサイズを有する複数の積層された半導体チップを備えるマルチチップパッケージ及びその製造方法に関する。
最近、半導体産業の発展及びユーザの要求によって、電子機器は、さらに軽薄短小化されつつある。それにより、電子機器の核心部品である半導体チップパッケージも軽薄短小化されつつある。これにより、複数の半導体チップが垂直に積層された形態で実装基板に搭載されるチップスタックパッケージ及びウェーハ状態でパッケージングされて個々の半導体パッケージとして個別化されるウェーハレベルパッケージが提案された。前記チップスタックパッケージとウェーハレベルパッケージとは、一つの半導体チップを備えるシングルチップパッケージを複数個使用する場合より、サイズ、重量及び実装面積において、軽薄短小化されるという長所を有する。
一方、最近、モバイル製品が急速に発展するにつれて、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＣＰＵのような異種の半導体チップが積層されるＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）の要求が増加している。
マルチチップパッケージは、サイズが異なる異種の半導体チップが積層された構成を有するため、チップレベルスタックは可能であるが、ウェーハレベルの積層は不可能である。しかも、サイズが異なる半導体チップは、パッドの位置もそれぞれ異なり、チップと印刷回路基板とは、やむを得ずワイヤボンディングによって連結しなければならない。
このようにワイヤボンディング、例えば、積層ワイヤボンディングを使用する場合、ワイヤ間の絶縁状態を維持し、クロストークを防止するために、ワイヤの間に最小間隔が維持されねばならず、印刷回路基板も一定面積を有することが要求される。したがって、ワイヤボンディング方式を採用するパッケージは、一般的に、ウェーハレベルスタック方式を採用するパッケージより大きくなって、パッケージの小型化が難しい。
本発明の目的は、積層ワイヤボンディングを使用せず、異なるサイズを有する複数のチップをチップレベルに積層しうるマルチチップパッケージ及びその製造方法を提供することである。
前記本発明の技術的課題を解決するための一実施形態によるマルチチップパッケージは、基板及び前記基板上に積層された複数の半導体チップを備え、前記それぞれの半導体チップは、異なるサイズを有する。複数の半導体チップそれぞれは、複数のパッドを有するパッドグループ及び前記パッドグループの該当基準領域を含み、各パッドグループの複数のパッドは、前記該当基準領域に対して同じ座標に配置され、複数の半導体チップそれぞれは、垂直に整列された自身の基準領域を有する。
本発明の他の技術的課題を解決するための一実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法は、基板を提供する工程と、前記基板上に複数の半導体チップを積層する工程と、を含み、前記複数の半導体チップそれぞれは、異なるサイズを有する。前記複数の半導体チップそれぞれは、複数のパッドを有するパッドグループ及び前記パッドグループに該当する基準領域を備え、それぞれのパッドグループ内の前記複数のパッドは、前記該当基準領域に対して同じ座標に配置され、自身の基準領域を有する前記複数の半導体チップそれぞれは、垂直に整列される。
本発明の実施形態によれば、異なるサイズを有する半導体チップのパッドは、貫通型ビアホールとして形成され、前記半導体チップは、前記パッドが相互対応するように配置される。したがって、マルチチップパッケージに対して多重ワイヤボンディング工程が行われないので、パッケージは軽薄短小化される。また、前記パッケージの場合、チップレベルで半導体チップが積層されるが、ウェーハレベルパッケージの効果が得られる。
本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記実施形態は、色々な他の形態に変形され、本発明の範囲が下記実施形態に限定されるものではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示をさらに充実で完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。
任意の部材または層が他の部材または層“上に”、“に連結される”または“に結合する”と述べられる場合に、それは、直接的に他の部材上に連結される、または結合されるものでありうるか、中間に介在される部材または層が存在することもあることは自明である。これと対照的に、部材が他の部材または層“上に直接的に”、“に集積的に連結された”または“に直接的に結合された”と述べられる場合には、中間に介在する他の部材または層が存在しない。本明細書で使われたように、用語“及び／または”は該当列挙された事項のうち何れか一つ及び一つ以上の全ての組合わせを含む。
本明細書で、第１、第２及び第３の用語が多様な部材、部品、領域、層及び／または部分を説明するために使われるが、これらの部材、部品、領域、層及び／または部分は、これらの用語によって限定されてはならないということは自明である。これらの用語は、一つの部材、部品、領域、層または部分を他の領域、層または部分と区別するためにのみ使われる。したがって、後述する第１部材、部品、領域、層または部分は、本発明の思想から逸脱せずに第２部材、部品、領域、層または部分を指称しうる。
また、“下”または“底部”、“下部の”、“上”または“上部”のような空間的に相対的な用語は、本明細書で図面に示したように、一つの部材と他の部材との関係を説明するために使われる。空間的に相対的な用語は、図面で示された配向と共に使用及び動作時に素子の他の配向も含むものであるということは自明である。例えば、図面の素子が覆っている場合、他の部材の“下”側上に存在するものと説明される部材は、他の部材の“上”側上に配向されることもある。したがって、例示的な用語“下”は、図面の特定配向によって“下”及び“上”の配向を何れも含みうる。素子は、他の方向に配向され（９０°回転するか、または他の配向を有することができ）、本明細書で使われる空間的に相対的な用語は、それにより解釈される。
本明細書で使われる用語は、特定の実施形態を説明するためのものに過ぎず、本発明を制限するためのものではない。本明細書で使われたように、単数形態は、文脈上確実に異なる場合を示すものではなければ、複数型も含みうる。また、本用語“〜含む。”及び／または“〜含む〜”は、本明細書で使われる時に、述べられた形状、数字、工程、動作、部材及び／または成分の存在を特定するものであって、一つ以上の他の形状、数字、工程、動作、部材、成分及び／またはこれらのグループの存在または追加を排除するものではない。
本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態を概略的に示す断面図を参照して説明される。この場合、例えば、製造技術及び／または公差によって、示された形状の変形が予想される。したがって、本発明の実施形態は、本明細書に示された領域の特定形状に制限されたものと解釈されてはならず、例えば、製造上招来される形状の変化を含まねばならない。例えば、四角形に示された注入領域は、一般的に丸いまたは曲線形状を有し、かつ／またはそのエッジの注入濃度は、注入された所から注入されていない領域に２分法的に変化するというよりは、勾配を有することもある。同様に、イオン注入によって形成された埋め込み領域は、埋め込まれた領域とイオン注入が起きる表面との間の領域に一部イオン注入を招くこともある。したがって、図面に示された領域は、本質的に概念的であり、その形状は、素子領域の実際形状を示すためのものではなく、本実施形態を制限するためのものでもない。
本明細書で、異なって定義されない限り、（技術的及び科学的用語を含む）全ての用語は、当該技術分野で一般的に理解されることと同じ意味を有する。また、一般的に使われる辞典に定義されたような用語は、関連技術分野の文脈による意味と一致すると解釈されねばならず、本明細書に明示的に表現されない限り、理想的か、または過度に形式的な意味で解釈されてはならない。
本発明の一実施形態で、多重（または多層）ワイヤを使用せず、異なるサイズを有する複数の積層された半導体チップを備えるマルチチップパッケージを開示する。実施形態によるマルチチップパッケージで、それぞれの半導体チップは、同じ基準位置から所定の座標にパッドを含み、これらは、積層されかつ相互連結されて、パッドを相互対応させうる。したがって、ウェーハレベルパッケージに役に立つマルチチップパッケージが提供される。
図１は、本発明の一実施形態によるセンターパッド群を備える複数の積層された半導体チップが積層されたマルチチップパッケージの断面図である。
図１を参照すれば、本発明のマルチチップパッケージは、実装基板１００、例えば、印刷回路基板の上部に積層されている複数の半導体チップ１１０，１２０，１３０を含む。複数の半導体チップ１１０，１２０，１３０は、異なるサイズを有し、異なる機能を行える。半導体チップ１１０，１２０及び１３０のそれぞれは、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、プロセッサのうち何れか一つでありうる。一部の実施形態で、半導体チップ１１０，１２０及び１３０は、サイズが減少する順序で積層されうる。しかし、このような整列に制限されるものではない。
複数の半導体チップ１１０，１２０，１３０は、図２に示したように、半導体チップ１１０，１２０及び１３０の内部の電極（図示せず）に外部の電気的接続を提供するためのパッド群１１２，１２２，１３２をそれぞれ有しうる。パッド群１１２，１２２，１３２は、第１方向に所定の間隔ｄを有するように整列された複数のパッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａを備えうる。パッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、半導体チップ１１０，１２０，１３０をそれぞれ貫通するビアコンタクトの形態を有する。異なって表現すれば、図１に示したように、パッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、半導体チップ１１０，１２０及び／または１３０を貫通し、露出された上部及び下部の端部を有しうる。一部の実施形態で、それぞれのパッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、２列に整列されるが、これに制限されず、パッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、１列または２列よりさらに多い列に整列される。
また、本実施形態のパッド群１１２，１２２及び１３２を構成するパッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、同じ配列と同じ間隔ｄとを有しうる。
半導体チップ１１０，１２０及び１３０は、パッド群１１２，１２２及び１３２が相互対向するように積層される。パッド群１１２，１２２及び１３２は、各半導体チップ１１０，１２０及び１３０の同じ領域（例えば、中心領域あるいはエッジ領域）に配列される。各半導体チップ１１０，１２０及び１３０の同じ領域にパッドグループ１１２，１２２及び１３２を配列することは、電気的な観点で本質的なものではないが、前記半導体パッケージの面積を縮少させうる。
半導体チップ１１０，１２０及び１３０で、パッド群１１２，１２２及び１３２のパッド配列は、同一であり、これにより、半導体チップ１１０，１２０及び１３０が積層される場合、同じ信号を伝達するパッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａが相互対向するようになる。
半導体チップ１１０，１２０及び１３０は、それぞれ活性面を備えうる。半導体チップ１１０，１２０及び１３０は、それらの活性面が同じ方向に、または相互対向するように積層される。
半導体チップ１１０，１２０及び１３０を積層することによって、相互対向するパッド１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａは、連結部材、例えば、バンプ１４０によって電気的に連結される。複数の半導体チップ１１０，１２０及び１３０のうち一つの半導体チップが実装基板１００と電気的に連結される。本実施形態では、実装基板１００と半導体チップ１１０とがバンプ１４０によって連結される。
実装基板１００上に積層された複数の半導体チップ１１０，１２０及び１３０を保護するために、封止材１５０が形成され、外部信号の伝達経路として使われる導電性ボール１０４が実装基板１００の下部に付着される。
１０２は、実装基板１００に電気的経路を提供できるスタッドを示す。スタッド１０２は、導電性ボール１０４と電気的に連結される。
一部の実施形態では、半導体チップ１１０，１２０及び１３０の中心領域にパッド群が配置される。この場合、図３に示したように、最上部列に位置するパッド対１１２ａ，１２２ａ及び１３２ａの“ｘ”及び“ｙ”座標は、それぞれ（半導体チップの幅／（２−α），β）及び（半導体チップの幅／（２＋α），β）である。次列（第２最上部列）のパッド対は、最上部列上のパッド対からｘ−座標軸に沿って距離“ｄ”に配置され、パッドのうち残りのパッドは、以前列からｙ−座標軸に沿って同じ距離“ｄ”に配置される。
さらに詳細に説明すれば、半導体チップ１１０の幅がＷ１である場合、最上部列に位置する一対のパッド１１２ａ−１，１１２ａ−２の（ｘ,ｙ）座標は、それぞれ（ｗ１／２−α,β１）及び（ｗ１／２＋α,β１）となる。すなわち、一対のパッド１１２ａ−１,１１２ａ−２のｘ座標は、半導体チップ１１０の中心線に対称となっている。また、半導体チップ１２０の幅がＷ２である場合、最上部列に位置する一対のパッド１２２ａ−１,１２２ａ−２の（ｘ,ｙ）座標は、それぞれ（ｗ２／２−α,β２）及び（ｗ２／２＋α,β２）となり、一対のパッド１２２ａ−１,１２２ａ−２のｘ座標は、半導体チップ１２０の中心線に対称となっている。半導体チップ１３０の幅がＷ３である場合、半導体チップ１３０の最上部列に位置する一対のパッド１３２ａ−１,１３２ａ−２の（ｘ,ｙ）座標は、それぞれ（ｗ３／２−α,β３）及び（ｗ３／２＋α,β３）となり、一対のパッド１３２ａ−１,１３２ａ−２のｘ座標は、半導体チップ１３０の中心線に対称となっている。半導体チップ１１０,１２０及び１３０のｙ座標β１,β２,β３は、相互同じ値を有し、選択的には、半導体チップ１１０,１２０及び１３０の幅に比例してβ１、β２及びβ３の順に増大することもある。それと共に、αは、パッド１１２ａ,１２２ａ及び１３２ａのサイズを考慮して決定され、αは、３０μｍないし３００μｍほどでありうる。このような配列では、データローディングによるデータスキューの問題が減少するか、または抑制される。
パッド１１２ａを形成するためには、ビアホール１１２０が図４Ａに示したような領域Ｐに形成される。以後に、図４Ｂに示したように、ビアホール１１２０に導電性材料を充填しうる。ビアホール１１２０は、レーザドリル２００を使用するレーザドリリング方法によって形成される。ビアホール１１２０のサイズは、パッド１１２ａのサイズと同一か、または小さい。それと共に、ビアホール１１２０のサイズは、レーザの強度（照射量）によって調節される。
また、パッド１１２ａは、レーザ照射方法の代わりに、ウェーハの製造工程中にトレンチタイプに形成されることもある。例えば、図５Ａに示したように、ウェーハ１１０ａのパッド領域Ｐにトレンチを形成し、導電性材料１１２ｂを埋め込める。以後、図５Ｂのように、ウェーハ１１０ａ上に素子を完成させた後、ウェーハバックグラインディングを行って貫通型パッド１１２ａを形成することもある。図４Ａないし図５Ｂでは、第１半導体チップ１１０及び第１ビアコンタクト１１２ａのみが示されたが、第２及び第３半導体チップ１２０,１３０と第２及び第３ビアコンタクト１２２ａ,１３２ａとにも適用される。
図９を参照すれば、半導体チップ１１０,１２０,１３０と実装基板１００との間に接着剤（接着層）１４５を塗布しうる（また、図１７Ａ及び図１７Ｂを参照）。半導体チップ１１０,１２０,１３０と実装基板１００との間に介在されている接着剤は、接着力を増大させるだけでなく、半導体チップ１１０,１２０,１３０を支持するスペーサの役割を行って反りを防止しうる。
また、図６ないし図９に示したように、実装基板１００と一つの半導体チップ１１０,１２０,１３０とは、ワイヤ１６０,１６２及び／または１６４によって相互ボンディングされることもある。すなわち、実装基板１００は、図６に示したように、半導体チップ１１０と選択的にワイヤボンディングされるか、または図７に示したように、半導体チップ１２０と選択的にワイヤボンディングされるか、または図８に示したように、半導体チップ１３０と選択的にワイヤボンディングされうる。実装基板１００とワイヤボンディングされる半導体チップ１１０,１２０,１３０は、実装基板１００との電気的な連結のために、そのエッジに追加パッドをさらに備え、半導体チップ１１０,１２０,１３０の活性面が上部に向かうように配置されることもある。追加パッドは、半導体チップの活性面にのみ形成されてもよく、半導体チップを貫通して形成されてもよい。実装基板１００が何れか一つの半導体チップとワイヤボンディングされても、一つのチップ及び実装基板１００のみがワイヤボンディングされるので、ワイヤ間の垂直間隔が要求されない。また、一部の実施形態で、パッドグループが半導体チップの中心部分に配置される場合に、半導体チップのエッジに追加パッドが配列されるので、追加パッドの間に十分な間隔マージンが確保できる。したがって、ワイヤの間に水平間隔を維持するために追加領域を拡張する必要がない。したがって、本発明の実施形態によれば、ワイヤボンディングを使用しつつも、小型化されたパッケージを提供しうる。
本発明の実施形態によれば、異なるサイズを有する半導体チップのパッド群が何れも同じ位置（例えば、所定位置を基準に同一座標）に配置される。パッド群が相互対応するように、半導体チップが積層されかつ連結される。パッド群の各パッドは、貫通型ビア形態を有するように形成されるため、異なるサイズを有する半導体チップが多層のワイヤボンディングなしに積層される。
本発明の実施形態で、パッド群は、半導体チップの中心部に配置されるが、パッドグループは、半導体チップのエッジ部に配列されることもある。
すなわち、図１０に示したように、パッド群１１２,１２２,１３２は、半導体チップ１１０,１２０,１３０の一側エッジにそれぞれ配列されてもよく、図１１に示したように、半導体チップ１１０,１２０,１３０のエッジに沿って“Ｌ”字状に配列されてもよい。
図１３に示したように、各半導体チップ１１０,１２０,１３０は、積層時にパッド群１１２,１２２及び１３２が相互対応するように、半導体チップ１１０,１２０,１３０の一側エッジから所定距離ｙだけ離隔された位置にパッド１１２ａ,１２２ａ,１３２ａが配列される。すなわち、第１半導体チップ１１０の最上部列パッド１１２ａ−３の座標は（ｙ,β１）となり、第２半導体チップ１２０の最上部列パッド１２２ａ−３の座標は、（ｙ,β２）となり、第３半導体チップ１３０の最上部列パッド１３２ａ−３の座標は、（ｙ,β３）となるようにパッドが配列される。最上部列の次列のパッドは、最上部列のパッドから距離“ｄ”だけ離隔されて配列され、次列の残りのパッドは、以前列からｙ−座標軸に沿って距離“ｄ”に配置される。β１、β２、β３は、相互同一か、または半導体チップの幅に比例してβ１、β２、β３の順序に増大することもある。
パッド群１１２,１２２及び１３２が半導体チップ１１０,１２０及び１３０のエッジ部分に配列された場合、図１２に示したように、半導体チップ１１０,１２０及び１３０は、半導体チップ１１０,１２０及び１３０の一端部を一致させて積層させることもある。実施形態に開示されたように、パッド１１２ａ,１２２ａ及び１３２ａは、貫通型ビアで形成され、バンプ１４０によって相互連結されうる。それと共に、半導体チップ１１０,１２０及び１３０と実装基板１００とは、実施形態のように、バンプ１４０及び／またはワイヤで連結される。また、半導体チップ１１０,１２０及び１３０は、活性面が同一方向に向かうように、または相互対向するように積層される。
実施形態で、前記積層された半導体チップ１１０,１２０及び１３０は、底部から上側に向かうほど半導体チップのサイズが小さくなるように配置された。しかし、図１４に示したように、パッケージの上部に向かうほど大きい半導体チップ１１０が位置するように配置されることもあり、図１５に示したように、最も小さい半導体チップ１３０が中間に挿入されることもあり、これらが組合わせられた形態で積層されることもある。また、半導体チップの数は、３より大きい。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、本発明の実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
図１６Ａを参照すれば、複数のスタッド１０２を備える実装基板１００が提供される。実装基板１００の選択されたスタッド１０２上にバンプ１４０−１を形成した後、パッド１１２の備える第１半導体チップ１１０を実装基板１００上に積層する。第１半導体チップ１１０は、貫通型パッド１１２と第１バンプ１４０とがコンタクトされるように積層される。以後に、第１半導体チップ１１０の露出されたパッド１１２上に第２バンプ１４０−２が形成される。
図１６Ｂを参照すれば、パッド（貫通型ビア）１２２を有する第２半導体チップ１２０が提供され、以後に、第２バンプ１４０−２と貫通型パッド１２２とがコンタクトされるように第１半導体チップ１１０上に第２半導体チップ１２０が積層される。次いで、第２半導体チップ１２０の露出されたパッド１２２上に第３バンプ１４０−３が形成される。パッド１３２を有する第３半導体チップ１３０を備えた後、第３バンプ１４０−３及び第３半導体チップ１３０のパッド１３２がコンタクトされるように、第３半導体チップ１３０が第２半導体チップ１２０上に積層される。以後に、実装基板１００上に半導体チップ１１０,１２０,１３０が封止されるように密封材１４０を形成する。実装基板１００の底面に導電性ボール１０４が付着される。ここで、第１、第２、第３半導体チップ１１０,１２０,１３０は、それぞれ個別的な半導体素子でありうる。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、本発明の他の実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための各工程別断面図である。
図１７Ａを参照すれば、複数のスタッド１０２を有する実装基板１００上に接着層１４５を形成した後、接着層１４５上に第１半導体チップ１１０が付着される。第１半導体チップ１１０で、パッド領域は、導電性材料が充填されずにホール状態に維持されている。また、接着層１４５は、ホールｈが位置する部分には存在しないように形成される。以後、ホールｈの部位を除外した第１半導体チップ１１０上に再び接着層１４５を形成した後、第２半導体チップ１２０が第１半導体チップ１１０上に付着される。このとき、第２半導体チップ１２０も同様に、パッド領域が導電性材料で充填されていないホール状態を維持しており、第２半導体チップ１２０のホールと第１チップ１１０のホールとが相互対応するように配置される。第２半導体チップ１２０の上部にホールｈ領域が露出されるように接着層１４５を再び形成した後、第２半導体チップ１２０上に第３半導体チップ１３０が付着される。第３半導体チップ１３０もパッド領域がホール状態に存在し、第２半導体チップ１２０のホールと第３半導体チップ１３０のホールとが対向するように配置される。
以後に、図１７Ｂに示したように、第１、第２及び第３半導体チップ１１０,１２０及び１３０のホールに導電性材料１８０を充填し、パッド及びバンプを同時に形成しうる。後続工程は、前述した他の実施形態で開示されたところと同一でありうる。
本発明の実施形態では、半導体チップのパッド領域に貫通ホールが形成された状態で半導体チップが積層され、以後に、貫通ホール内に導電性材料を充填してパッドとバンプとを同時に製造しうる。
前述した実施形態で開示されたパッドは、２列または１列に整列されるが、本発明の実施形態は、これに限定されず、パッドは、多様な形態に配列される。
また、パッド群が半導体チップの中心部分またはエッジ部分に配置されたものが開示されたが、これに限定されず、パッド群は、半導体チップの多様な部分に形成される。
また、本発明の実施形態で、半導体チップが実装される基板についての例として印刷回路基板を説明したが、セラミック、リードフレーム、回路テープまたは回路フィルムのような実装部材が使われる。また、外部との電気的接続手段として導電ボールを使用したが、バンプなど、その他の接続手段を何れも使用しうる。
前述したように、本発明の詳細な説明では、具体的な実施形態について説明したが、当業者に本発明の範囲から逸脱しない限り、色々な変形が可能であるということは自明である。したがって、本発明の範囲は、前述した実施形態に限定されず、後述する特許請求の範囲によって決定されねばならない。
本発明は、半導体チップ関連の技術分野に適用可能である。
本発明の一実施形態によるセンターパッド群を備える複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージを示す断面図である。 図１の複数の半導体チップを示す分解斜視図である。 図１の複数の半導体チップのパッド位置を説明するための平面図である。 本発明の一実施形態による貫通型パッドを形成する方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による貫通型パッドを形成する方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態による貫通型パッドを形成する方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態による貫通型パッドを形成する方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態によるワイヤボンディングによって実装基板と選択された半導体チップとが電気的に連結されたマルチチップパッケージを示す断面図である。 本発明の他の実施形態によるワイヤボンディングによって実装基板と選択された半導体チップとが電気的に連結されたマルチチップパッケージを示す断面図である。 本発明の他の実施形態によるワイヤボンディングによって実装基板と選択された半導体チップとが電気的に連結されたマルチチップパッケージを示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による複数の半導体チップの間に接着剤が介在されたマルチチップパッケージを示す断面図である。 本発明の他の実施形態によるエッジパッド群を備えた複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージを示す平面図である。 本発明の他の実施形態によるエッジパッド群を備えた複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージを示す平面図である。 本発明の他の実施形態によるエッジパッド群を備えた複数の半導体チップが積層されたマルチチップパッケージの断面図である。 図１２の複数の半導体チップのパッド位置を説明するための平面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマルチチップパッケージの断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマルチチップパッケージの断面図である。 本発明の一実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態によるマルチチップパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
符号の説明
１００ 実装基板
１０２ スタッド
１０４ 導電性ボール
１１０,１２０,１３０ 半導体チップ
１１２,１２２,１３２ パッド群
１１２ａ,１２２ａ,１３２ａ パッド
１４０ バンプ
１４５ 接着剤
１５０ 封止材
１６０ ワイヤ

Claims (36)

  1. 基板と、
    前記基板上に積層され、それぞれ異なるサイズを有する複数の半導体チップと、を備え、
    前記半導体チップは、それぞれ複数のパッドを備えるパッド群及び前記パッド群の基準領域を含み、前記各パッド群の前記複数のパッドが前記該当基準領域に対して同じ座標に配置され、前記基準領域を有する複数の半導体チップがそれぞれ垂直に整列され、
    前記複数のパッドは、前記複数の半導体チップそれぞれに同じ配列順序で配列され、
    前記複数のパッドの各々は、前記複数の半導体チップのうち該当する一つを貫通するビアコンタクトで形成され、
    前記複数の半導体チップのそれぞれは、前記該当基準領域に対して同じ座標に形成された前記パッドの各々の前記ビアコンタクトを介して電気的に連結され、
    前記複数の半導体チップのうち最下部に積層された一つが、前記ビアコンタクトを介して前記基板に電気的に連結され、
    前記複数の半導体チップの前記該当基準領域に対して同じ座標に形成された前記複数のパッドは、同じ信号を伝達することを特徴とするマルチチップパッケージ。
  2. 少なくとも一つの前記パッド群の複数のパッドのうち少なくとも一部が相互同じ距離だけ離隔されて配列されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  3. 少なくとも一つの前記パッド群の複数のパッドのうち少なくとも一部の前記ビアコンタクトがバンプによって相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  4. 前記複数の半導体チップと前記基板との間に形成された個別的な接着層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  5. 前記基板は、バンプによって真上の半導体チップの前記ビアコンタクトに電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  6. 前記複数の半導体チップのうち少なくとも一つは、エッジ部に形成された追加パッドを備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  7. 前記基板は、ワイヤによって前記追加パッドに電気的に連結されることを特徴とする請求項６に記載のマルチチップパッケージ。
  8. 前記基板に電気的に連結される前記半導体チップは、前記基板に対して上向き活性層を備えることを特徴とする請求項６に記載のマルチチップパッケージ。
  9. 前記複数の半導体チップは、それぞれ第１方向に向かう活性層を備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  10. 前記基準領域は、前記複数の半導体チップの中心部に配置されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  11. 前記複数のパッドからなる少なくとも一つの前記パッド群は、２列に形成されることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップパッケージ。
  12. 前記複数のパッドは、２列に配置されるように形成され、前記２列内のパッド対のｘ座標は、それぞれＷ／２＋α及び／またはＷ／２−αであり、
    前記Ｗは、前記各半導体チップの幅を表し、αは、３０μｍないし３００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップパッケージ。
  13. 前記パッド群の最上部列上のパッド対は、同じｙ座標を有することを特徴とする請求項１２に記載のマルチチップパッケージ。
  14. 前記パッド群の最上部列上のパッド対は、前記半導体チップの幅に比例して変わるｙ座標を有することを特徴とする請求項１２に記載のマルチチップパッケージ。
  15. 前記基準領域は、前記複数の半導体チップのエッジ部に配置されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  16. 前記少なくとも一つのパッド群で、前記複数のパッドは、１列に形成されることを特徴とする請求項１５に記載のマルチチップパッケージ。
  17. 前記少なくとも一つのパッド群で、前記複数のパッドは、Ｌ字状に形成されることを特徴とする請求項１５に記載のマルチチップパッケージ。
  18. 前記複数の半導体チップは、前記基板に対して上部方向にサイズが順次に減少することを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  19. 前記複数の半導体チップは、前記基板に対して上部方向にサイズが順次に増大することを特徴とする請求項１に記載のマルチチップパッケージ。
  20. 前記半導体チップのパッド群の前記複数のパッドは、それぞれ隣接する他の半導体チップのパッド群の複数のパッドと一体に形成されて相互電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
  21. 基板を提供する工程と、
    前記基板上にそれぞれ異なるサイズを有する複数の半導体チップを積層する工程と、を含み、
    前記半導体チップは、それぞれ複数のパッドを備えるパッド群及び前記パッド群の基準領域を含み、前記各パッド群の前記複数のパッドが前記該当基準領域に対して同じ座標に配置され、前記基準領域を有する複数の半導体チップがそれぞれ垂直に整列され、
    前記各パッド群の複数のパッドは、同じ順序で形成され、
    前記複数のパッドの各々は、前記複数の半導体チップのうち該当する一つを貫通するビアコンタクトで形成され、
    前記複数の半導体チップのそれぞれは、前記該当基準領域に対して同じ座標に配置された前記パッドの各々の前記ビアコンタクトを介して電気的に連結され、
    前記複数の半導体チップのうち最下部に積層された一つが、前記ビアコンタクトを介して前記基板に電気的に連結され、
    前記複数の半導体チップの前記該当基準領域に対して同じ座標に配置された前記複数のパッドは、同じ信号を伝達することを特徴とするマルチチップパッケージの製造方法。
  22. 少なくとも一つの前記パッド群の複数のパッドのうち少なくとも一部の前記ビアコンタクトがバンプによって相互電気的に連結されることを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  23. 前記ビアコンタクトは、前記複数の半導体チップにレーザドリリングを行う工程により形成されることを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  24. 前記ビアコンタクトは、
    前記複数の半導体チップのうち一つにトレンチを形成する工程と、
    前記トレンチを導電性材料で充填する工程と、
    前記トレンチ内の前記導電性材料が露出されるように、前記半導体チップに対してバックグラインディング工程を行う工程と、により形成されることを特徴とする請求項２３に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  25. 前記複数のパッドのうち少なくとも一つは、相互同じ距離だけ離隔されて形成されることを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  26. 前記複数の半導体チップと前記基板との間に接着層をそれぞれ形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  27. 前記複数の半導体チップのうち一つのエッジ部の周囲に追加パッドを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  28. 前記基板と前記追加パッドとをワイヤによって電気的に連結する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  29. 前記複数の半導体チップを積層する工程は、
    前記基板上に第１貫通型ビアホールセットを有する第１半導体チップを積層する工程と、
    前記第１半導体チップ上に、前記第１貫通型ビアホールセットと整列されるように第２貫通型ビアホールセットを有する第２半導体チップを積層する工程と、
    前記第２半導体チップ上に、前記第２貫通型ビアホールセットと整列されるように第３貫通型ビアホールセットを有する第３半導体チップを積層する工程と、
    前記第１、第２及び第３貫通型ビアホールセットを導電性材料で充填して複数のパッド及びバンプを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  30. 前記基準領域は、前記複数の半導体チップそれぞれの中心部に配置されることを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  31. 前記複数のパッドは、２列に形成されることを特徴とする請求項３０に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  32. 前記基準領域は、前記複数の半導体チップそれぞれのエッジに配置されることを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  33. 前記複数のパッドは、１列に形成されることを特徴とする請求項３２に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  34. 前記複数のパッドは、Ｌ字状に形成されることを特徴とする請求項３２に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  35. 前記複数の半導体チップを積層する工程は、
    前記基板に対して上部方向にサイズが順次に減少するように、前記複数の半導体チップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
  36. 前記複数の半導体チップを積層する工程は、
    前記基板に対して上部方向にサイズが順次に増大するように、前記複数の半導体チップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載のマルチチップパッケージの製造方法。
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Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US8421244B2 (en) 2007-05-08 2013-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of forming the same
KR101533663B1 (ko) * 2007-08-03 2015-07-03 테세라, 인코포레이티드 재구성된 웨이퍼를 이용한 스택 패키지
US7880310B2 (en) * 2007-09-28 2011-02-01 Intel Corporation Direct device attachment on dual-mode wirebond die
KR20090055316A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지와, 이를 구비하는 전자 기기 및 반도체패키지의 제조방법
US7948095B2 (en) * 2008-02-12 2011-05-24 United Test And Assembly Center Ltd. Semiconductor package and method of making the same
US8026740B2 (en) 2008-03-21 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Multi-level signaling for low power, short channel applications
KR100963593B1 (ko) * 2008-04-11 2010-06-15 한국과학기술원 관통 웨이퍼 비아를 포함하는 적층 칩 패키지 및 이의 생산방법
JP4580004B2 (ja) * 2008-05-28 2010-11-10 パナソニック株式会社 半導体装置
IT1391239B1 (it) * 2008-08-08 2011-12-01 Milano Politecnico Metodo per la formazione di bump in substrati con through via
KR20100042021A (ko) * 2008-10-15 2010-04-23 삼성전자주식회사 반도체 칩, 스택 모듈, 메모리 카드 및 반도체 칩의 제조 방법
KR20100058359A (ko) * 2008-11-24 2010-06-03 삼성전자주식회사 다층 반도체 패키지, 그것을 포함하는 반도체 모듈 및 전자신호 처리 시스템 및 다층 반도체 패키지의 제조 방법
US8259461B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-04 Micron Technology, Inc. Apparatus for bypassing faulty connections
KR101068305B1 (ko) * 2008-12-15 2011-09-28 하나 마이크론(주) 적층형 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2010161102A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Elpida Memory Inc 半導体装置
JP2010161184A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Hitachi Ltd 半導体装置
KR101013562B1 (ko) * 2009-01-23 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 큐브 반도체 패키지
KR20100099573A (ko) * 2009-03-03 2010-09-13 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
US8405197B2 (en) * 2009-03-25 2013-03-26 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stacked configuration and method of manufacture thereof
US20100327419A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Sriram Muthukumar Stacked-chip packages in package-on-package apparatus, methods of assembling same, and systems containing same
US8664748B2 (en) * 2009-08-17 2014-03-04 Mosaid Technologies Incorporated Package-level integrated circuit connection without top metal pads or bonding wire
US8803332B2 (en) * 2009-09-11 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Delamination resistance of stacked dies in die saw
US7867821B1 (en) * 2009-09-18 2011-01-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with through semiconductor vias and method of manufacture thereof
TWI436470B (zh) * 2009-09-30 2014-05-01 Advanced Semiconductor Eng 封裝製程及封裝結構
KR101078740B1 (ko) * 2009-12-31 2011-11-02 주식회사 하이닉스반도체 스택 패키지 및 그의 제조방법
KR101142337B1 (ko) 2010-05-07 2012-05-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩 및 그의 제조방법과 이를 이용한 스택 패키지
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101143635B1 (ko) * 2010-09-13 2012-05-09 에스케이하이닉스 주식회사 적층 패키지 및 그 제조방법
US8895380B2 (en) * 2010-11-22 2014-11-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making semiconductor assembly with built-in stiffener and semiconductor assembly manufactured thereby
KR101739945B1 (ko) * 2011-05-02 2017-06-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 제조하는 방법
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US9679863B2 (en) * 2011-09-23 2017-06-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming interconnect substrate for FO-WLCSP
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
JP2013168577A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
JP5677489B2 (ja) * 2013-03-07 2015-02-25 株式会社日立製作所 半導体装置
EP2790214B1 (en) * 2013-04-10 2020-01-01 Invensense, Inc. Device with a micro- or nanoscale structure
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9159716B2 (en) 2013-08-30 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked chip layout having overlapped active circuit blocks
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
EP3367082A1 (en) 2013-11-06 2018-08-29 Invensense, Inc. Pressure sensor
EP2871455B1 (en) 2013-11-06 2020-03-04 Invensense, Inc. Pressure sensor
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US20180175008A1 (en) 2015-01-09 2018-06-21 Silicon Genesis Corporation Three dimensional integrated circuit
US10573627B2 (en) 2015-01-09 2020-02-25 Silicon Genesis Corporation Three dimensional integrated circuit
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
EP3076146B1 (en) 2015-04-02 2020-05-06 Invensense, Inc. Pressure sensor
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) * 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
KR102518991B1 (ko) 2016-02-18 2023-04-10 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN107305861B (zh) * 2016-04-25 2019-09-03 晟碟信息科技（上海）有限公司 半导体装置及其制造方法
US10204893B2 (en) 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
KR102538175B1 (ko) * 2016-06-20 2023-06-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
KR101983186B1 (ko) 2016-12-16 2019-05-28 삼성전기주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
KR20190057559A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 삼성전자주식회사 반도체 장치
TWM588362U (zh) * 2017-12-01 2019-12-21 美商矽基因股份有限公司 三維積體電路
US11276676B2 (en) 2018-05-15 2022-03-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked devices and methods of fabrication
US11158606B2 (en) 2018-07-06 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Molded direct bonded and interconnected stack
WO2020010265A1 (en) 2018-07-06 2020-01-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
CN109148415B (zh) * 2018-08-28 2020-08-25 武汉新芯集成电路制造有限公司 多晶圆堆叠结构及其形成方法
US11225409B2 (en) 2018-09-17 2022-01-18 Invensense, Inc. Sensor with integrated heater
US11476213B2 (en) 2019-01-14 2022-10-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures without intervening adhesive
US11728242B2 (en) * 2019-04-08 2023-08-15 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die orifices containing metallic nanowires
CN113785178A (zh) 2019-05-17 2021-12-10 应美盛股份有限公司 气密性改进的压力传感器
US11296053B2 (en) 2019-06-26 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics
US12080672B2 (en) 2019-09-26 2024-09-03 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Direct gang bonding methods including directly bonding first element to second element to form bonded structure without adhesive
US20220375529A1 (en) * 2019-11-10 2022-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory Device, Operation Method of Memory Device, Data Processing Device, Data Processing System, and Electronic Device
US11631647B2 (en) 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
CN112234026A (zh) * 2020-10-14 2021-01-15 天津津航计算技术研究所 一种3d芯片封装
CN112542391B (zh) * 2020-12-04 2022-11-11 上海易卜半导体有限公司 芯片互联方法、互联器件以及形成封装件的方法
KR20220156220A (ko) * 2021-05-18 2022-11-25 에스케이하이닉스 주식회사 적층형 반도체 장치
US11410984B1 (en) 2021-10-08 2022-08-09 Silicon Genesis Corporation Three dimensional integrated circuit with lateral connection layer
CN117673022A (zh) * 2022-08-15 2024-03-08 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其形成方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0242948A (ja) 1988-08-04 1990-02-13 Suzuyo Kogyo Kk 豆腐のパック製品製造方法
JPH0563137A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5380681A (en) * 1994-03-21 1995-01-10 United Microelectronics Corporation Three-dimensional multichip package and methods of fabricating
JPH08264712A (ja) 1995-03-27 1996-10-11 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JP2001044357A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3731420B2 (ja) * 1999-12-17 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
TW503531B (en) * 2000-09-28 2002-09-21 Toshiba Corp Multi-layered semiconductor apparatus
JP2002176137A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Toshiba Corp 積層型半導体デバイス
JP2002110902A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体素子及び半導体装置
US20020074637A1 (en) * 2000-12-19 2002-06-20 Intel Corporation Stacked flip chip assemblies
KR100435813B1 (ko) * 2001-12-06 2004-06-12 삼성전자주식회사 금속 바를 이용하는 멀티 칩 패키지와 그 제조 방법
KR20030050665A (ko) * 2001-12-19 2003-06-25 삼성전자주식회사 적층 칩 패키지와 그 제조 방법
US6867500B2 (en) * 2002-04-08 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Multi-chip module and methods
JP2004148465A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Hitachi Ltd 被加工物の衝撃加工方法と装置、及びそれで加工された半導体装置
JP4419049B2 (ja) 2003-04-21 2010-02-24 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュール及びメモリシステム
JP4248928B2 (ja) 2003-05-13 2009-04-02 ローム株式会社 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、半導体チップ、および半導体装置
KR100537892B1 (ko) 2003-08-26 2005-12-21 삼성전자주식회사 칩 스택 패키지와 그 제조 방법
JP4127207B2 (ja) 2003-12-25 2008-07-30 Ｊｓｒ株式会社 回路基板の製造方法
JP4467318B2 (ja) * 2004-01-28 2010-05-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置、マルチチップ半導体装置用チップのアライメント方法およびマルチチップ半導体装置用チップの製造方法
JP4587676B2 (ja) 2004-01-29 2010-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 チップ積層構成の３次元半導体装置
JP4074862B2 (ja) * 2004-03-24 2008-04-16 ローム株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、および半導体チップ
US20080217767A1 (en) 2004-03-25 2008-09-11 Masamoto Tago Stacked-Chip Semiconductor Device
KR100783638B1 (ko) 2004-04-28 2007-12-10 주식회사 하이닉스반도체 적층형 반도체 칩 패키지
JP4383274B2 (ja) * 2004-06-30 2009-12-16 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体ウエハの製造方法
KR101078717B1 (ko) 2004-07-20 2011-11-02 주식회사 하이닉스반도체 칩 스택 패키지
JP4086068B2 (ja) 2004-12-27 2008-05-14 日本電気株式会社 半導体装置
JP4983049B2 (ja) 2005-06-24 2012-07-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置および電子機器
JP5063137B2 (ja) 2007-02-23 2012-10-31 ユニチカ株式会社 体内留置用カテーテルの留置方法

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