JP2006080258A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 積層する複数の半導体ペレットの外形寸法によらず積層可能であり、且つパッケージ寸法小さい半導体モジュールパッケージ構造を提供する。
【解決手段】 半導体ペレット1をバンプ接続により搭載し、且つ基板接続パッド6a、6b、6cを有する複数の配線基板3a、3b、3cと、前記複数の配線基板が積層され一面に外部接続端子10を有し、且つ他面に前記外部接続端子が導電性ビア9を介して電気的に接続された基板接続パッド6を有する外部接続端子用配線基板3と、前記積層された複数の配線基板及び前記外部接続用配線基板のうち、隣接する配線基板間をそれぞれの前記基板接続パッドにより電気的に接続するボンディングワイヤ7とを備える。前記基板接続パッドは、前記配線基板及び前記外部接続用配線基板が積層されても少なくとも部分的に露出する部分が存在して前記ボンディングワイヤが前記基板接続パッド間を接続できる様に、少なくとも一部の前記基板接続パッドは他と大きさ又は形状が異なっている。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体ペレット1をバンプ接続により搭載し、且つ基板接続パッド6a、6b、6cを有する複数の配線基板3a、3b、3cと、前記複数の配線基板が積層され一面に外部接続端子10を有し、且つ他面に前記外部接続端子が導電性ビア9を介して電気的に接続された基板接続パッド6を有する外部接続端子用配線基板3と、前記積層された複数の配線基板及び前記外部接続用配線基板のうち、隣接する配線基板間をそれぞれの前記基板接続パッドにより電気的に接続するボンディングワイヤ7とを備える。前記基板接続パッドは、前記配線基板及び前記外部接続用配線基板が積層されても少なくとも部分的に露出する部分が存在して前記ボンディングワイヤが前記基板接続パッド間を接続できる様に、少なくとも一部の前記基板接続パッドは他と大きさ又は形状が異なっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に係り、例えば、薄く研削した複数の半導体ペレットを積層して、半導体ペレットの高密度実装を実現した半導体モジュールパッケージに関するものである。
従来技術を用いた半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置を説明する。一例は、BGA(Ball Grid Array) ボールなどの外部接続端子を裏面に形成した配線基板に複数のペレットを積層し、半導体ペレットとBGAボールなどとの電気的接続は、ボンディングワイヤを用いた半導体モジュールパッケージである。この半導体モジュールパッケージは、シリコンなどからなる半導体ペレットを接着剤を用いてBGAボールを形成した配線基板主面に取り付け、その後取り付けられた半導体ペレット上に順次半導体ペレットを接着剤を用いながら積層する。配線基板には接続配線が埋め込まれたビアが形成されている。配線基板主面には半導体ペレットが接着され、且つ接続端子である基板接続パッドがビアを覆うように形成され、裏面には、BGAボールとこのBGAボールと電気的に接続された配線(ボール面配線)とが形成されている。各半導体ペレット表面にはペレットの外部接続端子であるペレット接続パッドが形成されており、これは前記基板接続パッドとボンディングワイヤによって電気的に接続されている。この基板接続パッドとBGAボールとはビアに埋め込まれた接続配線によって電気的に接続されている。これら配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、封止樹脂により被覆保護されている。
ここで説明した半導体モジュールパッケージは、半導体ペレットの外部接続端子であるペレット接続パッドを外部に露出する必要があるので積層できる半導体ペレットの外形寸法は異なることが必要であり、大きな制約条件もある。とくにペレット接続パッドが半導体ペレットの中央付近にある製品においてはペレット積層は非常に困難であった。
次に、従来技術の他の例として半導体ペレットをバンプ接続した複数の配線基板をBGAボールが裏面に形成されたBGAボール用配線基板に積層し、半導体ペレット間を配線基板に形成されたビアに埋め込まれた接続配線により電気的に接続する構造を有する半導体モジュールパッケージを説明する。この半導体モジュールパッケージは、半導体ペレットの接続バンプと配線基板上の配線を接続しながら、接着剤を用いて、半導体ペレットと配線基板とを接着した後、ビアとビアランド(接続端子)を接続しながら積層している例であり、同一の外形寸法である半導体ペレットを積層することができる。
しかし、配線基板にビアを設けた配線基板を多数使用する必要があり、この配線基板を製造するコストが高価であるため、モジュールを安価に製造することが困難である。
次に、従来技術の他の例として半導体ペレットをバンプ接続した複数の配線基板をBGAボールが裏面に形成されたBGAボール用配線基板に積層し、半導体ペレット間を配線基板に形成されたビアに埋め込まれた接続配線により電気的に接続する構造を有する半導体モジュールパッケージを説明する。この半導体モジュールパッケージは、半導体ペレットの接続バンプと配線基板上の配線を接続しながら、接着剤を用いて、半導体ペレットと配線基板とを接着した後、ビアとビアランド(接続端子)を接続しながら積層している例であり、同一の外形寸法である半導体ペレットを積層することができる。
しかし、配線基板にビアを設けた配線基板を多数使用する必要があり、この配線基板を製造するコストが高価であるため、モジュールを安価に製造することが困難である。
さらに、従来技術の半導体モジュールパッケージ構造には、特許文献1がある。これは、3次元積層型半導体装置に関し、チップ電極を有する半導体チップと、一方の面でチップ電極をマウントする配線パターンと、半導体チップ及び配線パターンを一体的に覆うモールドレジンと、モールドレジンを半導体チップの外側で貫通し、一端が配線パターンと接触し、他端がモールドレジンから露出するビアプラグを備え、配線パターンの他方の面がモールドレジンの表面に露出している。サイズ又は種類もしくはその両者が互いに異なる半導体チップの積層も可能である。
特開2003−163324号公報(図1(b)参照)
本発明は、このような事情によりなされたものであり、積層する複数の半導体ペレットの外形寸法によらず積層可能であり、且つパッケージ寸法小さい半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置を提供する。
本発明の半導体装置の一態様は、半導体ペレットと、前記半導体ペレットをバンプ接続により搭載し、且つ基板接続パッドを有する複数の配線基板と、前記複数の配線基板が積層され、一面に外部接続端子を有し、且つ他面に前記外部接続端子が導電性ビアを介して電気的に接続された基板接続パッドを有する外部接続端子用配線基板と、前記積層された複数の配線基板及び前記外部接続用配線基板のうち、隣接する配線基板間をそれぞれの前記基板接続パッドにより電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記基板接続パッドは、前記配線基板及び前記外部接続用配線基板が積層されても少なくとも部分的に露出する部分が存在して前記ボンディングワイヤが前記基板接続パッド間を接続できるように、少なくとも一部の前記基板接続パッドは、他と大きさ又は形状もしくは大きさ及び形状が異なっていることを特徴としている。
積層された配線基板に形成されている基板接続パッドを適宜大きさ及び形状を変えることによりボンディング領域を小さくすることができるので基板サイズを小さくでき、さらに、積層する複数の半導体ペレットの外形寸法によらず積層可能であり、且つパッケージ寸法の小さい半導体モジュールパッケージ構造が得られる。
本発明は、薄く研削した半導体ペレットを表面に配線パターンを有する配線基板にバンプ接続し、この配線基板を複数層積層して接着し、各配線基板端に配置した接続パッド間をボンディングワイヤで結線し、パッケージの外部接続端子であるBGAボールやLGAランド(接続電極)と接続した構造により、少なくとも1つの配線基板の接続端子である基板接続パッドの大きさ、形状が他の配線基板の基板接続パッドとは異なるようにして、半導体ペレットの高密度実装を安価なコストで実現することを特徴としている。本発明では何層でも積層することができる。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図1及び図2を参照して実施例1を説明する。
図1は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面構造図である。図2は、図1に示された積層された配線基板の端部と、この端部に露出した基板接続パッドを示す部分平面図である。
図1において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板3は、例えば、エポキシ樹脂含浸不織布から構成されている。外部接続端子用配線基板には接続配線が埋め込まれたビア9が形成されている。この外部接続端子用配線基板3の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線2及び配線2に電気的に接続された基板接続パッド6が形成されている。一方、裏面には配線2d((ボ−ル面配線)及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール10が取り付けられている。主面の基板接続パッド6と裏面の配線2dとはビア9に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
図1は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面構造図である。図2は、図1に示された積層された配線基板の端部と、この端部に露出した基板接続パッドを示す部分平面図である。
図1において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板3は、例えば、エポキシ樹脂含浸不織布から構成されている。外部接続端子用配線基板には接続配線が埋め込まれたビア9が形成されている。この外部接続端子用配線基板3の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線2及び配線2に電気的に接続された基板接続パッド6が形成されている。一方、裏面には配線2d((ボ−ル面配線)及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール10が取り付けられている。主面の基板接続パッド6と裏面の配線2dとはビア9に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
この外部接続端子用配線基板3の主面上に第1層目の半導体ペレットを搭載する配線基板3aが接着剤などにより接合されている。配線基板3aの主面上には配線2aが形成され、半導体ペレット1が接続端子である接続バンプ5により配線2aにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線2aと電気的に接続された基板接続パッド6aが設けられている。この配線基板3aの主面には、主面上の半導体ペレット1を収容するスペースを有するスペーサ基板11aが設けられ半導体ペレット1を保護している。
このスペーサ基板11a及び半導体ペレット1の上に第2層目の半導体ペレットを搭載する配線基板3bが接着剤8により接合されている。第2層目の配線基板3bは、第1層目の配線基板3aよりサイズが小さい。したがって、これを第1層目の配線基板3aに接合させたときに、配線基板3aの端部にある基板接続パッド6aは、配線基板3bには被覆されないで露出している。配線基板3bの主面上には配線2bが形成され、半導体ペレット1が接続端子である接続バンプ5により配線2bにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線2bと電気的に接続された基板接続パッド6bが設けられている。この配線基板3bの主面には、主面上の半導体ペレット1を収容するスペースを有するスペーサ基板11bが設けられ半導体ペレット1を保護している。
このスペーサ基板11a及び半導体ペレット1の上に第2層目の半導体ペレットを搭載する配線基板3bが接着剤8により接合されている。第2層目の配線基板3bは、第1層目の配線基板3aよりサイズが小さい。したがって、これを第1層目の配線基板3aに接合させたときに、配線基板3aの端部にある基板接続パッド6aは、配線基板3bには被覆されないで露出している。配線基板3bの主面上には配線2bが形成され、半導体ペレット1が接続端子である接続バンプ5により配線2bにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線2bと電気的に接続された基板接続パッド6bが設けられている。この配線基板3bの主面には、主面上の半導体ペレット1を収容するスペースを有するスペーサ基板11bが設けられ半導体ペレット1を保護している。
このスペーサ基板11b及び半導体ペレット1の上に第3層目の半導体ペレットを搭載する配線基板3cが接着剤8により接合されている。第3層目の配線基板3cは、第2層目の配線基板3bよりサイズが小さい。したがって、これを第2層目の配線基板3bに接合させたときに、配線基板3bの端部にある基板接続パッド6bは、配線基板3cには被覆されないで露出している。配線基板3cの主面上には配線2cが形成され、半導体ペレット1が接続端子である接続バンプ5により配線2cにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線2cと電気的に接続された基板接続パッド6cが設けられている。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ7が基板接続パッド6−6a間、基板接続パッド6a−6b間及び基板接続パッド6b−6c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体4により封止されている。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ7が基板接続パッド6−6a間、基板接続パッド6a−6b間及び基板接続パッド6b−6c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体4により封止されている。
この実施例では、各配線基板の接続パッドは、図2(b)に示され、その配置は、図2(a)に示されている。図のように、基板接続パッド6及び基板接続パッド6cは同じ形状であり、基板接続パッド6a及び基板接続パッド6bは同じ形状である。基板接続パッド6aは、基板接続パッド6を横に2つ並べた長方形の形状であり、基板接続パッド6の2倍の面積を有する。
基板接続パッド6a及び基板接続パッド6bが横長なので、図2(a)のように、各基板接続パッドを上面から見た平面形状で密接して配置しても、横長の飛び出した部分にもボンディングすることができるので、従来のボンディングワイヤを半導体ペレット間の電気的に接続した構造より基板サイズを小さくする事ができる。図2(a)は、配線基板を積層した時の基板接続パッドの露出している領域を示しており、この領域をボンディングワイヤを接合するボンディング領域という。この実施例の場合、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに、密接配置が可能になる。
基板接続パッド6a及び基板接続パッド6bが横長なので、図2(a)のように、各基板接続パッドを上面から見た平面形状で密接して配置しても、横長の飛び出した部分にもボンディングすることができるので、従来のボンディングワイヤを半導体ペレット間の電気的に接続した構造より基板サイズを小さくする事ができる。図2(a)は、配線基板を積層した時の基板接続パッドの露出している領域を示しており、この領域をボンディングワイヤを接合するボンディング領域という。この実施例の場合、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに、密接配置が可能になる。
従来のパッドでは、ボンディングワイヤ同士が接触しないように配置するためには、ボンディング領域(露出している接続パッドが占める領域)を大きくしなければならない。BGAボールパッドを有する最下段の基板にBGAボールパッドとは反対側に比較的多ピンの半導体ペレットを接続し、接着すれば外部接続端子用配線基板同士を接続するボンディングワイヤ数はより少なくできるため、パッケージ外形寸法は更に小さくできる。また、外部接続端子用配線基板による半導体ペレットの接続端子からの配線引き出しを行うため、半導体ペレット間の配線の自由度が増すので、半導体ペレット中央に接続端子のある様な半導体ペレットにも適用できるなど、様々な回路接続が可能になる。
BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。なお、この実施例では、BGAタイプを説明しているが、LGAタイプのモジュールでも可能である。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。なお、この実施例では、BGAタイプを説明しているが、LGAタイプのモジュールでも可能である。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
次に、図3乃至図5を参照して実施例2を説明する。
図3は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面構造図である。図4は、図3に示された積層された配線基板の端部と、この端部に露出した基板接続パッドを示す部分平面図、図5は、配線基板間でボンディングを行う場合の配線基板端部の形状を示す部分断面図である。
図3において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板23には、接続配線が埋め込まれたビア29が形成されている。この外部接続端子用配線基板23の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線22及び配線22に電気的に接続された基板接続パッド26が形成されている。一方、裏面には配線(ボ−ル面配線)22d及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール20が取り付けられている。主面側の基板接続パッド26と裏面側の配線22dとはビア29に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
図3は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面構造図である。図4は、図3に示された積層された配線基板の端部と、この端部に露出した基板接続パッドを示す部分平面図、図5は、配線基板間でボンディングを行う場合の配線基板端部の形状を示す部分断面図である。
図3において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板23には、接続配線が埋め込まれたビア29が形成されている。この外部接続端子用配線基板23の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線22及び配線22に電気的に接続された基板接続パッド26が形成されている。一方、裏面には配線(ボ−ル面配線)22d及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール20が取り付けられている。主面側の基板接続パッド26と裏面側の配線22dとはビア29に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
この外部接続端子用配線基板23の主面上に第1層目の半導体ペレットを搭載する配線基板23aが接着剤28により接合されている。配線基板23aは、外部接続端子用配線基板23とほぼ同じサイズなので、外部接続端子用配線基板23の基板接続パッド26を被覆する。そこで、この基板接続パッド26を少なくとも一部は露出させるために、配線基板23aの端部に切り欠きを金型などにより形成する(図5(c)参照)。配線基板23aの主面上には配線22aが形成され、半導体ペレット21が接続端子である接続バンプ25により配線22aにバンプ接続されている。そして、この配線基板23aの主面端部には配線22aと電気的に接続された基板接続パッド26aが設けられている。この配線基板23aの主面には、主面上の半導体ペレットを収容するスペースを有するスペーサ基板31aが設けられて半導体ペレット21を保護している。
このスペーサ基板31a及び半導体ペレット21の上に第2層目の半導体ペレットを搭載する配線基板23bが接着剤28により接合されている。第2層目の配線基板23bは、第1層目の配線基板23aと同じサイズである。したがって、これを第1層目の配線基板23aに接合させたときに、配線基板23aの端部にある基板接続パッド26aは、配線基板23bに被覆される。基板接続パッド26aの一部を露出させるために配線基板23bは、その端部が切り欠かれている(図5(b)参照)。配線基板23bの主面上には配線22bが形成され、半導体ペレット21が接続端子である接続バンプ25により配線22bにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線22bと電気的に接続された基板接続パッド26bが設けられている。この配線基板23bの主面には、主面上の半導体ペレット1を収容するスペースを有するスペーサ基板31bが設けられ配線基板23b上の半導体ペレット21を保護している。
このスペーサ基板31b及び半導体ペレット21の上に第3層目の半導体ペレットを搭載する配線基板23cが接着剤28により接合されている。第3層目の配線基板23cは、第2層目の配線基板23bよりサイズが小さい。しかし、これを第2層目の配線基板23bに接合させたときに、配線基板23bの端部にある基板接続パッド26bは、配線基板23cに被覆される。したがって、基板接続パッド26bの少なくとも一部を露出させるために、配線基板23c端部の一部を金型などにより切り欠く(図5(a)参照)。配線基板23cの主面上には配線22cが形成され、半導体ペレット21が接続端子である接続バンプ25により配線22cにバンプ接続されている。そして、この主面端部には配線22cと電気的に接続された基板接続パッド26cが設けられている。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ27が基板接続パッド26−26a間、基板接続パッド26a−26b間及び基板接続パッド26b−26c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体24により封止されている。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ27が基板接続パッド26−26a間、基板接続パッド26a−26b間及び基板接続パッド26b−26c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体24により封止されている。
この実施例では、各配線基板の接続パッドは、図4(b)に示され、その配置は、図4(a)に示されている。図のように、基板接続パッド26及び基板接続パッド26cは同じ形状であり、基板接続パッド26a及び基板接続パッド26bは同じ形状である。基板接続パッド26aは、基板接続パッド26の3つ分の大きさであり、正方形の一部を切り欠いた形状を有している。
基板接続パッド26a及び基板接続パッド26bがこのような形状であり、配線基板端部が、図5のように切り欠きが形成されているので、図4(a)のように、各基板接続パッドの露出部分を基板接続パッド26の形を6個2列に並べた平面形状で密接配置される。横長の飛び出した部分にもボンディングすることができるので、従来のボンディングワイヤを半導体ペレット間の電気的に接続した構造より基板サイズを小さくすることができる。図4(a)は、配線基板を積層した時の基板接続パッドの露出している領域を示しており、この領域をボンディングワイヤを接合するボンディング領域という。この実施例の場合、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに密接配置が可能になる。
基板接続パッド26a及び基板接続パッド26bがこのような形状であり、配線基板端部が、図5のように切り欠きが形成されているので、図4(a)のように、各基板接続パッドの露出部分を基板接続パッド26の形を6個2列に並べた平面形状で密接配置される。横長の飛び出した部分にもボンディングすることができるので、従来のボンディングワイヤを半導体ペレット間の電気的に接続した構造より基板サイズを小さくすることができる。図4(a)は、配線基板を積層した時の基板接続パッドの露出している領域を示しており、この領域をボンディングワイヤを接合するボンディング領域という。この実施例の場合、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに密接配置が可能になる。
従来のパッドでは、ボンディングワイヤ同士が接触しない様に配置するのでボンディング領域(露出されたパッドが占める領域)を大きくしなければならない。また、外部接続端子用配線基板による半導体ペレットの外部接続端子からの配線引き出しを行うため、半導体ペレット間の配線の自由度が増すので、様々な回路接続が可能になる。
BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。なお、この実施例では、BGAタイプを説明しているが、LGAタイプのモジュールでも可能である。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
この実施例は、実施例1と比較した場合(図4(a)と図2(a)参照)、基板接続パッド2個分はパッケージ外形寸法を縮小できるのでより高密度実装される。この実施例ではBGAタイプの説明図を用いているが、LGAタイプのモジュールでも構わない。
BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。なお、この実施例では、BGAタイプを説明しているが、LGAタイプのモジュールでも可能である。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
この実施例は、実施例1と比較した場合(図4(a)と図2(a)参照)、基板接続パッド2個分はパッケージ外形寸法を縮小できるのでより高密度実装される。この実施例ではBGAタイプの説明図を用いているが、LGAタイプのモジュールでも構わない。
次に、図6及び図7を参照して実施例2を説明する。
図6は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面図、図7は、図6に示された半導体装置の製造工程断面図である。
この実施例では外部接続端子用配線基板に積層される配線基板の少なくとも1つにTAB(Tape Automated Bonding)テープを用いることに特徴がある。TABテープは、配線パターンとこれを支持する絶縁性の支持基板なり、支持基板は、デバイスホールを有し、半導体ペレットは、デバイスホール領域に突出する配線の表裏いずれかにバンプ接続するように構成されている。
図6において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板33には、接続配線が埋め込まれたビア39が形成されている。この外部接続端子用配線基板33の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線32及び配線32に電気的に接続された基板接続パッド36が形成されている。一方、裏面には配線(ボ−ル面配線)32d及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール30が取り付けられている。主面側の基板接続パッド36と裏面側の配線32dとはビア39に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
図6は、この実施例の半導体モジュールパッケージ構造の半導体装置の断面図、図7は、図6に示された半導体装置の製造工程断面図である。
この実施例では外部接続端子用配線基板に積層される配線基板の少なくとも1つにTAB(Tape Automated Bonding)テープを用いることに特徴がある。TABテープは、配線パターンとこれを支持する絶縁性の支持基板なり、支持基板は、デバイスホールを有し、半導体ペレットは、デバイスホール領域に突出する配線の表裏いずれかにバンプ接続するように構成されている。
図6において、半導体ペレットを搭載する配線基板を積層して搭載する外部接続端子用配線基板33には、接続配線が埋め込まれたビア39が形成されている。この外部接続端子用配線基板33の主面には半導体ペレットが搭載されている配線基板が積層され、また、例えば、銅などの配線32及び配線32に電気的に接続された基板接続パッド36が形成されている。一方、裏面には配線(ボ−ル面配線)32d及びこの配線に電気的に接続されたBGAボール30が取り付けられている。主面側の基板接続パッド36と裏面側の配線32dとはビア39に埋め込まれた接続配線により電気的に接続されている。
この外部接続端子用配線基板33の主面上に第1層目の半導体ペレットを搭載する配線基板33aが接着剤などにより接合されている。配線基板33aは、外部接続端子用配線基板33とほぼ同じサイズなので、外部接続端子用配線基板33の基板接続パッド36を被覆する。そこで、この基板接続パッド36を少なくとも一部は露出させるために、配線基板33aの端部に切り欠きを金型などにより形成する(実施例2の図5(c)参照)。配線基板33aの主面上には配線32aが形成され、接着剤38が塗布された半導体ペレット31が接続端子である接続バンプ35により配線32aにバンプ接続されている。そして、この配線基板33aの主面端部には配線32aと電気的に接続された基板接続パッド36aが設けられている。
この実施例では、外部接続端子用配線基板33上に積層される第2層目及び第3層目の配線基板にTABテープを用いる。この場合、支持基板は、配線基板として用いられる。
この実施例では、外部接続端子用配線基板33上に積層される第2層目及び第3層目の配線基板にTABテープを用いる。この場合、支持基板は、配線基板として用いられる。
この第1層目の配線基板33a上に、第2層目の半導体ペレットを搭載する配線基板として、半導体ペレットを搭載したTABテープを用いる。TABテープは、配線32bと、これを支持しデバイスホール42を有する配線基板33bからなり、配線基板33bの裏面には接着剤38が形成されている。そして、半導体ペレット41は、配線基板33b上において、バンプ35によりバンプ接続されている。また、半導体ペレット41表面には接着剤38が形成されている。この配線基板33bを、第1層目の配線基板33aに搭載された半導体ペレット41が配線基板33bのデバイスホール42に収容されるように、配線基板33a上に搭載する。デバイスホールの大きさは、下層の半導体ペレットが十分収容できるように、予め外形寸法を合わせておく。
さらに、この第2層目の配線基板33b上に、第3層目の半導体ペレットを搭載する配線基板として、半導体ペレットを搭載したTABテープを用いる。TABテープは、配線32cと、これを支持しデバイスホール42を有する配線基板33cからなり、配線基板33cの裏面には接着剤38が形成されている。そして、半導体ペレット41は、配線基板33c上において、バンプ35によりバンプ接続されている。この配線基板33cを、第2層目の配線基板33bに搭載された半導体ペレット41が配線基板33cのデバイスホール42に収容されるように、配線基板33b上に搭載する。デバイスホールの大きさは、下層の半導体ペレットが十分収容できるように、予め外形寸法を合わせておく。
これら積層された配線基板を加熱加圧して一体化する(図7)。そして、これら積層された配線基板を樹脂封止体34により封止して図6に示す半導体装置が得られる。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ37が基板接続パッド36−36a間、基板接続パッド36a−36b間及び基板接続パッド36b−36c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体34により封止されている。
これら積層された配線基板を加熱加圧して一体化する(図7)。そして、これら積層された配線基板を樹脂封止体34により封止して図6に示す半導体装置が得られる。
ここで、半導体ペレット間を電気的に接続するために、ボンディングワイヤ37が基板接続パッド36−36a間、基板接続パッド36a−36b間及び基板接続パッド36b−36c間を接続している。また、外部接続端子用配線基板に搭載された配線基板、半導体ペレット、ボンディングワイヤ等は、エポキシ樹脂などの樹脂封止体34により封止されている。
この実施例では、各配線基板の接続パッドは、図4(b)に示されるものと同じ形状を有しており、その配置は、図4(a)に示されている構造と同じである。したがって、この実施例にも実施例2と同じように、配線基板端部に切り欠きを有している(図5)。
したがって、この実施例も実施例2と同様に、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに、密接配置が可能になる。また、ボンディング領域を小さくすることができるので、半導体ペレット間の配線の自由度が増すので、様々な回路接続が可能になる。
また、BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。また、実施例1、2外部接続端子用配線基板に必要であったスペーサ基板を設けなくとも積層された半導体ペレットを保護することができるので、材料コストや積層工程数の削減により一層の安価な半導体モジュールパッケージ製造が可能になる。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
したがって、この実施例も実施例2と同様に、隣接した配線基板の基板接続パッドをボンディングワイヤでボンディングすると、ボンディングワイヤ同士が接触せずに、密接配置が可能になる。また、ボンディング領域を小さくすることができるので、半導体ペレット間の配線の自由度が増すので、様々な回路接続が可能になる。
また、BGAボールが実装されている外部接続端子用配線基板以外にはビアを設ける必要が無いので、一般的な片側配線基板を用いて安価に半導体モジュールパッケージを製造することができる。また、実施例1、2外部接続端子用配線基板に必要であったスペーサ基板を設けなくとも積層された半導体ペレットを保護することができるので、材料コストや積層工程数の削減により一層の安価な半導体モジュールパッケージ製造が可能になる。また、配線基板の大きさは、積層ごとに異なるが、半導体ペレットは、配線基板に搭載されることが出来れば大きさは問わず、積層によって半導体ペレットのサイズが決められない。
この実施例は、実施例1と比較した場合、基板接続パッド2個分はパッケージ外形寸法を縮小できるのでより高密度実装される。この実施例ではBGAタイプの説明図を用いているが、LGAタイプのモジュールでも構わない。
この実施例は、スペーサ基板を積層する必要が無いため、実施例1、2より薄型のモジュールパッケージをより安価に製造することができる。
この実施例ではBGAタイプの説明図を用いているが、LGAタイプのモジュールでも構わない。
この実施例は、スペーサ基板を積層する必要が無いため、実施例1、2より薄型のモジュールパッケージをより安価に製造することができる。
この実施例ではBGAタイプの説明図を用いているが、LGAタイプのモジュールでも構わない。
1、21、41・・・半導体ペレット
2、22、32・・・配線
3、23、33・・・配線基板
4、24、34・・・樹脂封止体
5、25、35・・・接続バンプ
6、26、36・・・基板接続パッド
7、27、37・・・ボンディングワイヤ
8、28、38・・・接着剤
9、29、39・・・ビア
10、20、30・・・BGAボール(外部接続端子)
11a、11b、31a、31b・・・スペーサ基板
42・・・デバイスホール
2、22、32・・・配線
3、23、33・・・配線基板
4、24、34・・・樹脂封止体
5、25、35・・・接続バンプ
6、26、36・・・基板接続パッド
7、27、37・・・ボンディングワイヤ
8、28、38・・・接着剤
9、29、39・・・ビア
10、20、30・・・BGAボール(外部接続端子)
11a、11b、31a、31b・・・スペーサ基板
42・・・デバイスホール
Claims (5)
- 半導体ペレットと、
前記半導体ペレットをバンプ接続により搭載し、且つ基板接続パッドを有する複数の配線基板と、
前記複数の配線基板が積層され、一面に外部接続端子を有し、且つ他面に前記外部接続端子が導電性ビアを介して電気的に接続された基板接続パッドを有する外部接続端子用配線基板と、
前記積層された複数の配線基板及び前記外部接続用配線基板のうち、隣接する配線基板間をそれぞれの前記基板接続パッドにより電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、
前記基板接続パッドは、前記配線基板及び前記外部接続用配線基板が積層されても少なくとも部分的に露出する部分が存在して前記ボンディングワイヤが前記基板接続パッド間を接続できるように、少なくとも一部の前記基板接続パッドは、他と大きさ又は形状もしくは大きさ及び形状が異なっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記外部接続端子用配線基板上に積層された複数の配線基板は、上に積層されたもの程サイズが小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板接続パッドが前記積層された配線基板から少なくとも部分的に露出する部分が存在して前記ボンディングワイヤが前記基板接続パッド間を接続できるように、前記配線基板の少なくとも1つは切り欠きを備えていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記積層された複数の配線基板のうち少なくとも1つはデバイスホールが形成されており、このデバイスホールには、下層の半導体ペレットが収容されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の配線基板間には前記半導体ペレットを収容する空間を有するスペーサ基板を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004261910A JP2006080258A (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004261910A JP2006080258A (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006080258A true JP2006080258A (ja) | 2006-03-23 |
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ID=36159478
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JP2004261910A Pending JP2006080258A (ja) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | 半導体装置 |
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JP (1) | JP2006080258A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123923A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-09-09 JP JP2004261910A patent/JP2006080258A/ja active Pending
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