JP4222927B2 - 少なくとも2波長を使用するリソグラフィ装置用アライメント・システム - Google Patents
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Description
本発明の他の態様によれば、リソグラフィ装置は、照明放射の供給源と、前記照明供給源からの照明放射の放射経路中に配列された基板ステージ・アセンブリと、前記照明供給源と前記基板ステージ・アセンブリの間の前記照明放射の前記放射経路中に配列されたレチクル・ステージ・アセンブリと、前記レチクル・ステージ・アセンブリと前記基板ステージ・アセンブリの間に配列された投影システムと、前記基板ステージ・アセンブリおよび前記レチクル・ステージ・アセンブリのうちの少なくとも1つに近接して配列されたアライメント・システムとを備える。このアライメント・システムは、第1の波長と第2の波長のアライメント放射の供給源と、第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネルおよび第2の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを有する検出システムと、検出システムと連絡している位置決定ユニットとを含む。位置決定ユニットは、第1および第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、組み合わされた情報に基づいて、第2の物体の基準位置に対して第1の物体のアライメント・マークの位置を決定する。アライメント・システムは、照明放射の前記放射経路から離れて位置するかもしれない。必要とされることは、アライメント・システムからのアライメント放射が基板ステージ・アセンブリに到達することができることだけである。本発明の他の態様は、基板のアライメント・マークを検出する方法を提供し、この方法は、少なくとも2つの異なる照明波長を有する照明放射のビームでアライメント・マークを照明するステップと、少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第1の波長でアライメント・マークからの照明放射を検出し第1の波長信号を出力するステップと、少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第2の波長でアライメント・マークからの照明放射を検出し第2の波長信号を出力するステップと、第1および第2の波長信号に基づいてアライメント・マークの位置を決定するステップとを含む。
Xw−M.Xr=0 (1)
Yw−M.Yr=0 (2)
ψz,w−ψz,r=0 (3)
ここで、Mは、投影レンズ・システムの倍率である。マスクと基板は反対方向に移動するものと仮定した。これらの要素が同じ方向に移動する場合には、上記の条件のMの前のマイナス符号をプラス符号に置き換えるべきである。
M2.Zw−Zr=0 (4)
M.ψx,w−ψx,r=0 (5)
M.ψy,w−ψy,r=0 (6)。
ここで、Nは回折次数であり、Pは格子周期である。
un=f1.αn (8)
ここで、f1はレンズL1の焦点距離である。
Xn=f2.γn (9)
ここで、γnは副ビームがウェッジ板で偏向される角度である。
この実施例の延長において、波長チャネルの最適組合せを保証するために、次式で表されるように、信号強度は、ウェーハ表面の材料の(相対)反射率に対して補正される。
MH マスク・ホルダ
MA マスク
M1、M2 マスク・アライメント・マーク(回折格子マーク)
C マスク・パターン
LA 放射源
PL 投影レンズ・システム
LS、L1、L2 レンズ・システム
PB 投影ビーム
WT 基板ステージ
W 基板(ウェーハ)
Wd 基板領域
P1、P2 基板アライメント・マーク(回折格子マーク)
b、b’ アライメント・ビーム
13、13’ 放射敏感検出器
AS1、AS2 アライメント・システム
PDU 位置決定ユニット
(50、51、52、53) 干渉計システム
S53 干渉計からの信号
S13 アライメント・ユニットからの信号
SPU 処理ユニット
AC アクチュエータ
WEP、WEP’、190、191、192 ウェッジ板
80、80’ ウェッジ
RGP、RGP’、G90〜G96 基準格子
70、70’ 放射源(赤レーザ、緑レーザ)
17、17’ テレビジョン・カメラ
Claims (106)
- リソグラフィ装置用のアライメント・システムであって、
第1の波長と第2の波長を有するアライメント放射の供給源と、
前記第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネル、及び前記第2の波長で前記アライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを備える検出システムと、
前記検出システムと連絡している位置決定ユニットとを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、前記第1の波長チャネルからの情報、前記第2の波長チャネルからの情報、及び前記第2の波長で検出されたアライメント放射に対する前記第1の波長で検出された前記アライメント放射の相対的な強度に従って組み合わされた前記第1及び第2の波長チャネルからの情報のうちの1つに基づいて、前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に依存する係数を重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する、アライメント・システム。 - 前記第2の波長チャネルのための重み係数は、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の強度が所定の閾値を超えたとき、ゼロに設定される、請求項1に記載のアライメント・システム。
- アライメント放射の前記供給源は、前記第1の波長で放射を生成する第1のレーザと、前記第2の波長で放射を生成する第2のレーザとを備える、請求項1に記載のアライメント・システム。
- 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号に信号強度に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されている、請求項1に記載のアライメント・システム。
- 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの前記位置を第1の精密さで決定する請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記検出システムは、更に前記第1の波長の第3の信号チャネル及び前記第1の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、また、前記第2の波長の第4の信号チャネル及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて前記アライメント・マークの前記位置を、前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで決定する、請求項5に記載のアライメント・システム。 - 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択され、更に、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択される、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数が、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項1に記載のアライメント・システム。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項12に記載のアライメント・システム。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項12に記載のアライメント・システム。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項12に記載のアライメント・システム。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項14に記載のアライメント・システム。
- 前記位置決定ユニットは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する係数を前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理するように構成されており、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、更に信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、更に粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項1に記載のアライメント・システム。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項1に記載のアライメント・システム。
- 照明システムと、
前記照明システムからの照明放射の放射経路中に配列された基板ステージ・アセンブリと、
前記照明システムと前記基板ステージ・アセンブリの間の前記照明放射の前記放射経路中に配列されたレチクル・ステージ・アセンブリと、
前記レチクル・ステージ・アセンブリと前記基板ステージ・アセンブリの間に配列された投影システムと、
前記基板ステージ・アセンブリ及び前記レチクル・ステージ・アセンブリのうちの少なくとも1つに近接して配列されたアライメント・システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記アライメント・システムは、
第1の波長と第2の波長を有するアライメント放射の供給源と、
前記第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネル、及び前記第2の波長で前記アライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを備える検出システムと、
前記検出システムと連絡している位置決定ユニットとを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、前記第1の波長チャネルからの情報、前記第2の波長チャネルからの情報、及び前記第2の波長で検出されたアライメント放射に対する前記第1の波長で検出されたアライメント放射の相対的な強度に従って組み合わされた前記第1及び第2の波長チャネルからの情報のうちの1つに基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に依存する係数を重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する、リソグラフィ装置。 - 前記第2の波長チャネルのための重み係数は、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の強度が所定の閾値を超えたとき、ゼロに設定される、請求項19に記載のリソグラフィ装置。
- アライメント放射の前記供給源は、第1の波長で放射を生成する第1のレーザと、第2の波長で放射を生成する第2のレーザとを備える請求項19に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号の信号強度に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されている、請求項19に記載のリソグラフィ装置。
- 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの前記位置を第1の精密さで決定する、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記検出システムは、前記第1の波長の第3の信号チャネル及び前記第1の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、また前記第2の波長の第4の信号チャネル及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームを更に備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて前記アライメント・マークの前記位置を、前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで決定する、請求項23に記載のリソグラフィ装置。 - 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択され、さらに、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択される、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを更に割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを更に割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを更に割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを更に割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数が、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項19に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項30に記載のリソグラフィ装置。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項30に記載のリソグラフィ装置。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項30に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項32に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置決定ユニットは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されており、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、さらに、信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、さらに、粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項19に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項19に記載のリソグラフィ装置。
- 基板のアライメント・マークを検出する方法であって、
前記アライメント・マークに、少なくとも2つの異なる照明波長を有するアライメント放射を照射するステップと、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出し、第1の波長信号を出力するステップと、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出し、第2の波長信号を出力するステップと、
前記第1の波長信号、前記第2の波長信号、及び前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に従った前記第1及び第2の波長信号の組合せのうちの1つに基づいて前記アライメント・マークの位置を決定するステップと、
前記第1の波長信号の第1の信号強度を決定するステップと、
前記第2の波長信号の第2の信号強度を決定するステップと、
を含み、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する前記ステップは、
前記第1及び第2の信号強度に依存する重み付け係数を前記第1及び第2の波長信号に割り当てるステップと、
前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み付け係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定するステップと、
前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み付け係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定するステップと、を含む、アライメント・マークを検出する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長で第1の回折次数の副ビームを検出することを含み、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第2の波長で第1の回折次数の副ビームを検出することを含み、更に、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの前記位置を決定する前記ステップは、第1の精密さで前記位置を決定することを含む、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長で第2の回折次数の副ビームを検出することを含み、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第2の波長で第2の回折次数の副ビームを検出することを含み、更に、
前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて前記アライメント・マークの前記位置を決定する前記ステップは、前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで前記位置を決定することを含む、請求項38に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長の回折次数の副ビームを検出することを含み、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択されるものであり、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第2の波長の回折次数の副ビームを検出することを含み、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択されるものである、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数が、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項45に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項45に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項45に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項47に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 前記第1の波長信号の第1の信号強度を決定するステップと、
前記第2の波長信号の第2の信号強度を決定するステップと、
を更に含み、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置の前記決定するステップは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する重み付け係数を前記第1及び第2の波長信号に割り当てることを含み、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、さらに、信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、さらに、粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項37に記載の基板のアライメント・マークを検出する方法。
- 基板のアライメント格子を決定する方法であって、
複数のアライメント・マークに、少なくとも2つの異なる波長を有するアライメント放射を照射するステップと、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第1の波長で前記複数のアライメント・マークの各々からの放射を検出するステップと、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第2の波長で前記複数のアライメント・マークの各々からの放射を検出するステップと、
前記第1及び第2の照明波長での前記検出の情報に基づいて前記アライメント格子を決定するステップと、
を含み、
前記検出するステップは、前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第1の波長で前記複数のアライメント・マークからのアライメント・マークから放射を検出し、第1の波長信号を出力すること、前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの第2の波長で前記アライメント・マークから放射を検出し、第2の波長信号を出力すること、少なくとも前記第1及び第2の波長信号に基づいてアライメント格子パラメータを決定することを含み、
前記基板のアライメント格子を決定する前記方法は、前記第1の波長信号の第1の信号強度を決定するステップと、前記第2の波長信号の第2の信号強度を決定するステップとを含み、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント格子パラメータを決定するステップは、
前記第1及び第2の信号強度に依存する重み付け係数を前記第1及び第2の波長信号に割り当てるステップと、
前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み付け係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定するステップと、
前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み付け係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定するステップと、を含む、アライメント格子を決定する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長で第1回折次数の副ビームを検出することを含み、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出するステップは、前記第2の波長で第1回折次数の副ビーム検出することを含み、更に、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント格子パラメータ・マークを決定する前記ステップは、第1の精密さで前記アライメント格子パラメータを決定することを含む、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長で第2の回折次数の副ビームを検出することを含み、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出するステップは、前記第2の波長で第2の回折次数の副ビーム検出することを含み、更に、
前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて前記アライメント格子パラメータを決定するステップは、前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで前記アライメント格子パラメータを決定することを含む、請求項53に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第1の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第1の波長で回折次数の副ビームを検出することを含み、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値は、前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択されるものであり、
前記少なくとも2つの異なる照明波長のうちの前記第2の波長で前記アライメント・マークからの放射を検出する前記ステップは、前記第2の波長で回折次数の副ビームを検出することを含み、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値は、前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択されるものである、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいてアライメント格子パラメータを決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記アライメント格子パラメータの決定から削除する、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいてアライメント格子パラメータを決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記アライメント格子パラメータの決定から削除する、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいてアライメント格子パラメータを決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に基づいてアライメント格子パラメータを決定する前記ステップは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータを割り当てることをさらに含み、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数は、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項60に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項60に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項60に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項60に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記第1の波長信号の第1の信号強度を決定するステップと、
前記第2の波長信号の第2の信号強度を決定するステップと、
を更に含み、
前記第1及び第2の波長信号に基づいて前記アライメント格子パラメータの前記決定するステップは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する重み付け係数を前記第1及び第2の波長信号に割り当てることを含み、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、更に、信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、さらに、粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 前記アライメント格子の前記決定において、格子残差、非直交性、X−Y膨張差、及びウェーハ膨張のうちの少なくとも1つを使用することを更に含み、
格子残差は、測定されたアライメント・マーク位置から位置決めされたウェーハ格子までのずれであり、非直交性及びX−Y膨張差は、両方ともウェーハの変形の目安であり、ウェーハ膨張は、ウェーハの膨張の目安である、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。 - 第1の基板に対して得られた前記アライメント格子パラメータからの情報を格納することを更に含む、請求項52に記載のアライメント格子を決定する方法。
- 第2の基板のための前記アライメント格子パラメータの決定において、第1の基板で得られた前記アライメント格子パラメータの前記情報を取り出すことを更に含む、請求項68に記載のアライメント格子を決定する方法。
- リソグラフィ装置用のアライメント・システムであって、
第1の波長と第2の波長を有するアライメント放射の供給源と、
前記第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネル、及び前記第2の波長で前記アライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを備える検出システムと、
前記検出システムと連絡している位置決定ユニットとを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、前記第1の波長チャネルからの情報、前記第2の波長チャネルからの情報、及び前記第2の波長で検出されたアライメント放射に対する前記第1の波長で検出された前記アライメント放射の相対的な強度に従って組み合わされた前記第1及び第2の波長チャネルからの情報のうちの少なくとも1つに基づいて前記アライメント格子を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に依存する係数を重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する、アライメント・システム。 - 前記第2の波長チャネルの重み係数は、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の強度が所定の閾値を超えたとき、ゼロに設定される、請求項70に記載のアライメント・システム。
- アライメント放射の前記供給源は、前記第1の波長で放射を生成する第1のレーザと、前記第2の波長で放射を生成する第2のレーザとを備える、請求項70に記載のアライメント・システム。
- 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号の信号強度に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されている、請求項70に記載のアライメント・システム。
- 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号に基づいて、前記アライメント格子を第1の精密さで決定する、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記検出システムは、更に前記第1の波長の第3の信号チャネル及び前記第1の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、また、前記第2の波長の第4の信号チャネル及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて、前記アライメント格子を前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで決定する、請求項74に記載のアライメント・システム。 - 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択され、更に、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数副ビームに対応し、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択される、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数が、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項70に記載のアライメント・システム。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項81に記載のアライメント・システム。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項81に記載のアライメント・システム。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項81に記載のアライメント・システム。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項83に記載のアライメント・システム。
- 前記位置決定ユニットは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する係数を、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、更に、信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、さらに、粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項70に記載のアライメント・システム。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項70に記載のアライメント・システム。
- 照明システムと、
照明放射の前記供給源の放射経路中に配列された基板ステージ・アセンブリと、
前記供給源と前記基板ステージ・アセンブリの間の照明放射の前記供給源の前記放射経路中に配列されたレチクル・ステージ・アセンブリと、
前記レチクル・ステージ・アセンブリと前記基板ステージ・アセンブリの間に配列された投影システムと、
前記投影システムに隣接し、かつ前記基板ステージ・アセンブリに近接して配列されたアライメント・システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記アライメント・システムは、
第1の波長と第2の波長を有するアライメント放射の供給源と、
前記第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネル、及び前記第2の波長で前記アライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを備える検出システムと、
前記検出システムと連絡している位置決定ユニットとを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、前記第1の波長チャネルからの情報、前記第2の波長チャネルからの情報、及び前記第2の波長で検出されたアライメント放射に対する前記第1の波長で検出されたアライメント放射の相対的な強度に従って組み合わされた前記第1及び第2の波長チャネルからの情報のうちの1つに基づいてアライメント格子を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に依存する係数を重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する、リソグラフィ装置。 - 前記第2の波長チャネルのための重み係数は、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の強度が所定の閾値を超えたとき、ゼロに設定される、請求項88に記載のリソグラフィ装置。
- アライメント放射の前記供給源は、第1の波長で放射を生成する第1のレーザと、第2の波長で放射を生成する第2のレーザとを備える請求項88に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号の信号強度に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されている、請求項88に記載のリソグラフィ装置。
- 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号に基づいて、前記アライメント格子を第1の精密さで決定する、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記検出システムは、更に前記第1の波長の第3の信号チャネル及び前記第1の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、また、前記第2の波長の第4の信号チャネル及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長の第2の回折次数の副ビーム、及び前記第2の波長の第2の回折次数の副ビームに基づいて、前記アライメント格子を、前記第1の精密さよりも精密な第2の精密さで決定する、請求項92に記載のリソグラフィ装置。 - 前記検出システムの前記第1の波長チャネルは、前記第1の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第1の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択され、更に、
前記検出システムの前記第2の波長チャネルは、前記第2の波長の第1の回折次数の副ビームに対応し、前記第2の波長の前記回折次数の副ビームの値が前記基板に形成されたプロセス層に基づいて動的に選択される、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が信頼性の選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記位置決定から削除する、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記第1の波長信号が精密さの選択可能なレベルを満たすことができないとき、前記第1の波長信号からの情報を前記アライメント格子の前記決定から削除する、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての前に決定される、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長信号からの情報を組み合わせるように選択可能なパラメータをさらに割り当てることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの前記情報を処理し、
前記選択可能なパラメータは、前記重みの前記割当ての後に決定される、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な閾値に依存し、前記重み付け係数が、ゼロと1を含んだゼロから1までの範囲内であるように制約される、請求項88に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に前記第1及び第2の波長の各々での前記基板又は前記基板上の材料の反射率に依存する、請求項99に記載のリソグラフィ装置。
- 前記選択可能な閾値は、信号強度の選ばれた値に対して相対的な閾値である、請求項99に記載のリソグラフィ装置。
- 前記選択可能な閾値は、絶対的な閾値である、請求項99に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び第2の信号強度に依存する、前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、更に選択可能な絶対的な閾値に依存する、請求項101に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置決定ユニットは、mcc、ミニレプロ、信号対雑音比、信号形状、信号包絡線、焦点、傾き、次数チャネル位置の片寄り、波長チャネル位置の片寄り、セグメント間シフト、及び粗−微細位置ずれから成る測定可能な量の組から選ばれた少なくとも1つの測定可能な量に依存する重み係数を前記第1及び第2の波長チャネルに割り当てるように構成されており、
パラメータmccは、完全なアライメント・マークに期待される信号に測定信号がどの程度十分に似ているかを示す重相関係数であり、ミニレプロは、アライメント測定のさまざまな区分又は部分の位置合せされた位置の標準偏差であって位置合せされた位置の精度を示し、信号対雑音比は、測定信号のスペクトル全体にわたる雑音の相対レベルで該当信号を割ったものであり、更に、信号形状は、このスペクトルの2〜3の個別周波数の、一般に基本周波数の倍数の、相対的なレベルであり、信号包絡線は、測定中の信号強度の変動であり、焦点は、測定中のウェーハ高さの片寄りであり、傾きは、測定中のウェーハ角度と検出器角度の間の角度であり、次数チャネル位置の片寄りは、1つの波長の様々なチャネルの位置合せされた位置の測定差であり、波長チャネル位置の片寄りは、様々な波長チャネルの位置合せされた位置の測定差であり、セグメント間シフトは、多数のセグメント化されたアライメント・マークの様々なセグメントの位置合せされた位置の測定差であり、さらに、粗−微細位置ずれは、粗いフェーズでのアライメント・マーク測定に基づいたそれの期待位置と微細フェーズでのアライメント・マークの位置の差である、請求項88に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1及び第2の波長信号に割り当てられる前記重み付け係数は、検出された回折次数に従って選ばれる、請求項88に記載のリソグラフィ装置。
- 照明システムと、
照明放射の前記供給源の放射経路中に配列された基板ステージ・アセンブリと、
前記照明システムからの照明放射の放射経路と測定位置の間で動くことができる基板ステージ・アセンブリと、
前記照明システムと前記基板・ステージ・アセンブリの間の前記照明放射の前記放射経路中に配列されたレチクル・ステージ・アセンブリと、
前記レチクル・ステージ・アセンブリと前記基板ステージ・アセンブリの間に配列された投影システムと、
前記基板ステージ・アセンブリが前記測定位置にあるとき、前記基板ステージ・アセンブリに近接しているように前記測定位置に位置づけされるアライメント・システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記アライメント・システムは、
第1の波長と第2の波長を有するアライメント放射の供給源と、
前記第1の波長でアライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第1の波長チャネル、及び前記第2の波長で前記アライメント・マークからアライメント放射を受け取るように配列された第2の波長チャネルを備える検出システムと、
前記検出システムと連絡している位置決定ユニットとを備え、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を組み合わせて処理して、前記第1の波長チャネルからの情報、前記第2の波長チャネルからの情報、及び前記第2の波長で検出されたアライメント放射に対する前記第1の波長で検出されたアライメント放射の相対的な強度に従って組み合わされた前記第1及び第2の波長チャネルからの情報、のうちの1つに基づいてアライメント格子を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1及び第2の波長チャネルからの第1及び第2の波長信号に、前記第2の波長信号に対する前記第1の波長信号の相対的な強度に依存する係数を重み付けすることによって、前記第1及び第2の波長チャネルからの情報を処理するように構成されており、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が所定の閾値を超えるまで、前記第2の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第1の波長チャネルからの前記第1の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定し、
前記位置決定ユニットは、前記第1の波長信号に対する前記第2の波長信号の相対的な強度が前記所定の閾値を超えた後、前記第1の波長信号のための重み係数をゼロに設定し、前記第2の波長チャネルからの前記第2の波長信号に基づいて前記アライメント・マークの位置を決定する、リソグラフィ装置。
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US7565219B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR101026935B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2011-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스펜서 정렬장치 및 그 방법 |
JP2005233828A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Canon Inc | Euv光スペクトル測定装置およびeuv光のパワー算出方法 |
US7265366B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7259828B2 (en) * | 2004-05-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Alignment system and method and device manufactured thereby |
US7271073B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-09-18 | Asml Nertherlands B.V. | Marker for alignment of non-transparent gate layer, method for manufacturing such a marker, and use of such a marker in a lithographic apparatus |
US20080144036A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7259106B2 (en) * | 2004-09-10 | 2007-08-21 | Versatilis Llc | Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet |
US7308368B2 (en) * | 2004-09-15 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program |
EP1645893A1 (de) * | 2004-10-08 | 2006-04-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beugungsgitter für elektromagnetische Strahlung sowie Verfahren zur Herstellung |
US7629697B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate |
KR101025632B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2011-03-30 | 가부시키가이샤 야스카와덴키 | 얼라인먼트 장치 |
US7271907B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-09-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with two-dimensional alignment measurement arrangement and two-dimensional alignment measurement method |
US20060138681A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Substrate and lithography process using the same |
US7626701B2 (en) * | 2004-12-27 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with multiple alignment arrangements and alignment measuring method |
KR100636492B1 (ko) | 2005-01-05 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 마스크의 정렬장치 및 정렬방법 |
US7720631B2 (en) * | 2005-01-20 | 2010-05-18 | Revera, Incorporated | Semiconductor substrate processing method and apparatus |
US7274465B2 (en) * | 2005-02-17 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology of a structure formed on a semiconductor wafer using optical pulses |
US7528953B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging |
US7408624B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070002336A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, lithographic apparatus, process apparatus, metrology method and device manufacturing method |
JP4509974B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-07-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | レチクル予備位置合わせセンサ用一体照明システムがあるエンドエフェクタ |
US7414722B2 (en) * | 2005-08-16 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Alignment measurement arrangement and alignment measurement method |
US7687925B2 (en) * | 2005-09-07 | 2010-03-30 | Infineon Technologies Ag | Alignment marks for polarized light lithography and method for use thereof |
TWI540399B (zh) * | 2005-09-16 | 2016-07-01 | 瑪波微影Ip公司 | 微影系統及投射方法 |
DE102005046973B4 (de) * | 2005-09-30 | 2014-01-30 | Globalfoundries Inc. | Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers |
US7863763B2 (en) * | 2005-11-22 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks |
US20070146708A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-06-28 | Nikon Corporation | Mark structure, mark measurement apparatus, pattern forming apparatus and detection apparatus, and detection method and device manufacturing method |
US7557903B2 (en) * | 2005-12-08 | 2009-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007184342A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US7897058B2 (en) * | 2006-02-13 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and computer program product |
SG178791A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method |
TWI297920B (en) * | 2006-02-22 | 2008-06-11 | Advanced Semiconductor Eng | Compact camera module and its substrate |
US20080013062A1 (en) * | 2006-03-23 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JPWO2007116711A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2009-08-20 | 株式会社ニコン | 計測方法、計測装置及び処理装置、並びにパターン形成方法及びデバイス製造方法 |
US7616313B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-11-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
JP4839127B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びこれを用いた校正方法および電子ビーム装置 |
US7898662B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
WO2008007173A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer and method of forming alignment markers |
US7564555B2 (en) * | 2006-08-15 | 2009-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
KR101824374B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2018-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN100456142C (zh) * | 2006-10-18 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准标记及其制造方法 |
US7545520B2 (en) * | 2006-11-15 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for CD determination using an alignment sensor of a lithographic apparatus |
US7923265B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for improving critical dimension proximity control of patterns on a mask or wafer |
JP5425363B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2014-02-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、及び表示装置 |
US8010307B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-08-30 | Hermes-Microvision, Inc. | In-line overlay measurement using charged particle beam system |
KR100978754B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-08-30 | 주식회사 테스 | 플라즈마 처리 장치 |
KR100823302B1 (ko) * | 2006-12-08 | 2008-04-17 | 주식회사 테스 | 플라즈마 처리 장치 |
US20080277064A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-11-13 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
US8722179B2 (en) * | 2006-12-12 | 2014-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
US8609441B2 (en) * | 2006-12-12 | 2013-12-17 | Asml Netherlands B.V. | Substrate comprising a mark |
JP4858146B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-01-18 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよび転写方法 |
KR100795665B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-01-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치 검사 방법 |
US7696057B2 (en) * | 2007-01-02 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Method for co-alignment of mixed optical and electron beam lithographic fabrication levels |
US20080171422A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Tokie Jeffrey H | Apparatus and methods for fabrication of thin film electronic devices and circuits |
US20080175468A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Hermes Microvision, Inc. | Method and system for creating knowledge and selecting features in a semiconductor device |
US7684011B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Calibration method for a lithographic apparatus |
US7599064B2 (en) * | 2007-03-07 | 2009-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method, substrate for use in the methods |
US7858404B2 (en) * | 2007-03-14 | 2010-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Measurement of overlay offset in semiconductor processing |
US7999912B2 (en) * | 2007-05-08 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and sensor calibration method |
US20090246896A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-10-01 | Melissa Kreger | Method and apparatus for improved printed cathodes for organic electronic devices |
WO2009018857A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Stephen Hastings | Method for reactive optical correction of galvano motor scanning heads |
US8482732B2 (en) * | 2007-10-01 | 2013-07-09 | Maskless Lithography, Inc. | Alignment system for various materials and material flows |
US7847938B2 (en) * | 2007-10-01 | 2010-12-07 | Maskless Lithography, Inc. | Alignment system for optical lithography |
JP2009097871A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Sony Corp | 部材所定位置の検出装置 |
JP2009099873A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
NL1036179A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL1036191A1 (nl) * | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Asml Netherlands Bv | Marker structure and method of forming the same. |
SG153747A1 (en) | 2007-12-13 | 2009-07-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment method, alignment system and product with alignment mark |
NL1036336A1 (nl) * | 2007-12-27 | 2009-06-30 | Asml Netherlands Bv | Method of creating an alignment mark on a substrate and substrate. |
JP5006889B2 (ja) | 2008-02-21 | 2012-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 粗ウェーハ位置合わせ用マーク構造及びこのようなマーク構造の製造方法 |
NL1036468A1 (nl) | 2008-02-27 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
US8386064B2 (en) * | 2008-03-17 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Control device and control method |
NL1036702A1 (nl) * | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Holding Nv | Diffraction elements for alignment targets. |
US8401691B2 (en) * | 2008-04-28 | 2013-03-19 | University Of North Carolina At Charlotte | Dynamic metrology methods and systems |
KR100975832B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2010-08-13 | 윈텍 주식회사 | 압흔 검사장치 및 방법 |
TWI436313B (zh) * | 2008-05-22 | 2014-05-01 | Creator Technology Bv | 具有彎曲基板的堆疊顯示器,電子設備及其製造方法 |
US20090296075A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Nanometrics Incorporated | Imaging Diffraction Based Overlay |
EP2131245A3 (en) * | 2008-06-02 | 2012-08-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and its focus determination method |
WO2010009930A1 (en) * | 2008-06-02 | 2010-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Sub-wavelength segmentation in measurement targets on substrates |
NL2002962A1 (nl) * | 2008-06-11 | 2009-12-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
WO2010025793A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Asml Netherlands B.V. | A substrate, a method of measuring a property, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
TW201015230A (en) | 2008-10-03 | 2010-04-16 | Univ Nat Chiao Tung | Immersion inclined lithography apparatus and tank thereof |
US7897481B2 (en) * | 2008-12-05 | 2011-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High throughput die-to-wafer bonding using pre-alignment |
DE102009060277A1 (de) | 2008-12-24 | 2010-09-02 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur Herstellung von Justiermarken für licht-undurchlässige bzw. licht-absorbierende Schichten (Light-Shield-Resistmasken) |
CN101526750B (zh) * | 2009-01-13 | 2011-06-29 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准系统及应用其的光刻设备 |
NL2004094A (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
US8039366B2 (en) * | 2009-02-19 | 2011-10-18 | International Business Machines Corporation | Method for providing rotationally symmetric alignment marks for an alignment system that requires asymmetric geometric layout |
CN101487992B (zh) * | 2009-03-04 | 2010-10-20 | 上海微电子装备有限公司 | 一种硅片标记捕获系统与方法 |
NL2004216A (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-28 | Asml Netherlands Bv | Alignment measurement arrangement, alignment measurement method, device manufacturing method and lithographic apparatus. |
KR101654599B1 (ko) * | 2009-05-11 | 2016-09-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 오차를 결정하는 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP5326811B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2013-10-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
US8164753B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-04-24 | Nanya Technology Corp. | Alignment mark arrangement and alignment mark structure |
US8313877B2 (en) * | 2009-06-12 | 2012-11-20 | Micron Technology, Inc. | Photolithography monitoring mark, photolithography mask comprising an exposure monitoring mark, and phase shift mask comprising an exposure monitoring mark |
CN102460310B (zh) * | 2009-06-17 | 2014-07-02 | Asml荷兰有限公司 | 重叠测量的方法、光刻设备、检查设备、处理设备和光刻处理单元 |
CN101943865B (zh) * | 2009-07-09 | 2012-10-03 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准标记和对准方法 |
KR101116321B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2012-03-09 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 정렬 방법 |
CN101634815B (zh) * | 2009-08-31 | 2011-06-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基于多个不同波长的对准方法 |
US8804137B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-08-12 | Kla-Tencor Corporation | Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability |
CN102024689B (zh) * | 2009-09-11 | 2012-09-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 提高多晶硅栅制作工艺中对准性能的方法 |
WO2011045125A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus |
US8502324B2 (en) * | 2009-10-19 | 2013-08-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor wafer having scribe lane alignment marks for reducing crack propagation |
WO2011051304A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Modulation device and charged particle multi-beamlet lithography system using the same |
JP5527074B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子及びプロジェクター |
JP5800456B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2015-10-28 | キヤノン株式会社 | 検出器、インプリント装置及び物品の製造方法 |
TWI408331B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-09-11 | Ind Tech Res Inst | 雙面光學膜片量測裝置與方法 |
US8400634B2 (en) * | 2010-02-08 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer alignment markers, and associated systems and methods |
JP5526851B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子及びプロジェクター |
JP5463947B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2014-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光素子及びプロジェクター |
NL2006002A (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2006004A (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-27 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
CN102253602A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻系统中实时控制照明剂量的装置 |
CN102253603B (zh) * | 2010-05-21 | 2013-05-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准探测装置 |
KR20120000846A (ko) * | 2010-06-28 | 2012-01-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 정렬 방법 및 공정 모니터링 방법 |
CN102314091B (zh) * | 2010-07-01 | 2013-07-17 | 上海微电子装备有限公司 | 一种可调节对准系统照明光斑尺寸的光刻机 |
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
NL2007177A (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-14 | Asml Netherlands Bv | Alignment measurement system, lithographic apparatus, and a method to determine alignment of in a lithographic apparatus. |
CN102402140B (zh) * | 2010-09-17 | 2014-02-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准系统 |
US8669507B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-03-11 | Industrial Technology Research Institute | Laser scanning device |
WO2012062501A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
NL2007765A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method. |
EP2458441B1 (en) | 2010-11-30 | 2022-01-19 | ASML Netherlands BV | Measuring method, apparatus and substrate |
JP5589815B2 (ja) | 2010-12-14 | 2014-09-17 | ソニー株式会社 | 撮像レンズ及び撮像装置 |
JP5830853B2 (ja) | 2010-12-14 | 2015-12-09 | ソニー株式会社 | 撮像レンズ及び撮像装置 |
CN102540743B (zh) * | 2010-12-22 | 2015-03-25 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的参考光栅装调装置及方法 |
CN102566337B (zh) * | 2010-12-28 | 2014-05-21 | 上海微电子装备有限公司 | 一种标记期望位置确定方法 |
CN102566338B (zh) * | 2010-12-28 | 2013-11-13 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻对准系统中对对准位置进行修正的方法 |
KR20120086073A (ko) | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 계측 방법 및 그 장치 |
US9223227B2 (en) * | 2011-02-11 | 2015-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
NL2008110A (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-21 | Asml Netherlands Bv | Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102692827B (zh) * | 2011-03-21 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准装置 |
NL2008317A (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-25 | Asml Netherlands Bv | Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method. |
WO2012144905A2 (en) | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
US9395635B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-07-19 | Mapper Lithography Ip B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
WO2012158025A2 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
CN102890433B (zh) * | 2011-07-20 | 2015-03-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准装置和对准方法 |
US8582114B2 (en) | 2011-08-15 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology by pupil phase analysis |
CN103019052B (zh) * | 2011-09-23 | 2015-10-21 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片 |
CN103092011B (zh) * | 2011-11-01 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻系统的对准装置 |
NL2009719A (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | Asml Netherlands Bv | Alignment mark deformation estimating method, substrate position predicting method, alignment system and lithographic apparatus. |
CN103135371B (zh) * | 2011-12-02 | 2015-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 基于分束偏折结构的小光斑离轴对准系统 |
KR20130064486A (ko) * | 2011-12-08 | 2013-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광투과율 제어가 가능한 표시장치 |
CN103197418B (zh) * | 2012-01-10 | 2015-06-17 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准4f光学系统 |
US9360778B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for lithography patterning |
JP5665784B2 (ja) | 2012-03-16 | 2015-02-04 | 株式会社東芝 | フォトマスクおよびパターン形成方法 |
DE102012204674B4 (de) * | 2012-03-23 | 2014-11-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlregelungsvorrichtung für einen EUV-Beleuchtungsstrahl |
CN103365105B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-05-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准过程中光强采样点筛选修正的方法 |
JP6353831B2 (ja) | 2012-06-26 | 2018-07-04 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 角度分解反射率測定における走査および回折の光計測からのアルゴリズム的除去 |
DE102012211549B3 (de) * | 2012-07-03 | 2013-07-04 | Polytec Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Vermessung eines Objekts |
CN104471484B (zh) * | 2012-07-05 | 2018-02-06 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻术的量测 |
JP5936479B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
JP5936478B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
US9243896B2 (en) * | 2012-08-15 | 2016-01-26 | Nikon Corporation | Two axis encoder head assembly |
WO2014026819A2 (en) | 2012-08-16 | 2014-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
EP2906974B1 (en) | 2012-10-15 | 2023-01-04 | ImagineOptix Corporation | Direct write lithography for the fabrication of geometric phase holograms |
WO2014062972A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
KR102042212B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2019-11-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피에서 기판의 위치 결정 |
WO2014068116A1 (en) | 2012-11-05 | 2014-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI603216B (zh) * | 2012-11-21 | 2017-10-21 | 克萊譚克公司 | 處理相容分段目標及設計方法 |
CN103972119B (zh) * | 2013-01-25 | 2016-08-03 | 北大方正集团有限公司 | 一种测试装置和使用该测试装置测量对准偏差的方法 |
JP6185724B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-08-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
US9030661B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-12 | Kla-Tencor Corporation | Alignment measurement system |
JP2014225428A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線照射装置、荷電粒子線の照射方法及び物品の製造方法 |
JP6193611B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-09-06 | キヤノン株式会社 | 描画装置、及び物品の製造方法 |
JP6465540B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | 形成方法及び製造方法 |
CN103411538B (zh) * | 2013-07-20 | 2016-03-02 | 中国科学技术大学 | 一种数字式波长编码光学绝对位移传感器 |
CN104345571B (zh) * | 2013-07-24 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 对准标记的成像和测量装置、光刻装置 |
US9257351B2 (en) * | 2013-08-15 | 2016-02-09 | Globalfoundries Inc. | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes |
TW201520702A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-06-01 | Huang Tian Xing | 對準誤差補償方法、系統,及圖案化方法 |
US10082417B2 (en) * | 2013-12-30 | 2018-09-25 | Nordson Corporation | Calibration methods for a viscous fluid dispensing system |
CN104898376B (zh) * | 2014-03-03 | 2017-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 投影光刻机的离轴对准装置用于离轴对准的方法 |
DK3120107T3 (en) * | 2014-03-21 | 2019-03-18 | Carpe Diem Tech Inc | System and method for producing miniature structures on a flexible substrate |
CN106462078B (zh) | 2014-05-13 | 2018-10-02 | Asml荷兰有限公司 | 衬底和量测用图案形成装置、量测方法及器件制造方法 |
JP6341883B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
EP3221897A1 (en) | 2014-09-08 | 2017-09-27 | The Research Foundation Of State University Of New York | Metallic gratings and measurement methods thereof |
CN105511238B (zh) * | 2014-09-26 | 2017-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法 |
US10210606B2 (en) * | 2014-10-14 | 2019-02-19 | Kla-Tencor Corporation | Signal response metrology for image based and scatterometry overlay measurements |
CN105807573B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 用于套刻误差检测的装置和方法 |
JP6160850B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2017-07-12 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置 |
US9779202B2 (en) * | 2015-06-22 | 2017-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Process-induced asymmetry detection, quantification, and control using patterned wafer geometry measurements |
KR102083234B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2020-03-02 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN106569386B (zh) * | 2015-10-08 | 2019-12-10 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光罩及利用所述光罩进行多芯片同时制备的方法 |
NL2017739A (en) * | 2015-11-27 | 2017-06-07 | Asml Netherlands Bv | Metrology target, method and apparatus, computer program and lithographic system |
JP2017167310A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社ニコン | 評価装置及び評価方法、表示装置及び表示方法、露光装置及び露光方法、露光システム、デバイス製造装置、並びに、コンピュータプログラム |
US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US10115621B2 (en) | 2016-05-13 | 2018-10-30 | Globalfoundries Inc. | Method for in-die overlay control using FEOL dummy fill layer |
WO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
CN107976869B (zh) * | 2016-10-24 | 2023-06-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种工件台非正交校正方法及校正装置 |
US10352967B2 (en) * | 2016-11-11 | 2019-07-16 | Fluke Corporation | Non-contact electrical parameter measurement systems |
CN110088684B (zh) * | 2016-12-14 | 2022-01-07 | Asml荷兰有限公司 | 光学装置和相关方法 |
JP6971567B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2021-11-24 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
US10908516B2 (en) | 2016-12-28 | 2021-02-02 | Asml Holding N.V. | Metrology tool and method of using the same |
US10692227B2 (en) | 2017-01-05 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Determination of sampling maps for alignment measurements based on reduction of out of specification points |
US10788765B2 (en) * | 2017-01-25 | 2020-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate |
WO2018156702A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Nikon Corporation | Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece |
JP2018185452A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
NL2018856B1 (en) * | 2017-05-05 | 2018-11-14 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method and device for aligning a first substrate with a second substrate |
JP6909865B2 (ja) * | 2017-05-08 | 2021-07-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジセンサ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造するための方法 |
WO2018206227A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
US11073487B2 (en) * | 2017-05-11 | 2021-07-27 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution |
JP6917472B2 (ja) | 2017-05-15 | 2021-08-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジセンサ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造するための方法 |
JP7152877B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2022-10-13 | キヤノン株式会社 | 検出装置、リソグラフィー装置および物品製造方法 |
DE102017113419A1 (de) | 2017-06-19 | 2018-12-20 | Keba Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen eines Winkels zwischen zwei Werkstückflächen |
EP3422103A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a performance parameter of a process |
US11079564B2 (en) * | 2017-07-20 | 2021-08-03 | Cymer, Llc | Methods and apparatuses for aligning and diagnosing a laser beam |
US10508971B2 (en) * | 2017-09-07 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Optical test system and method for determining size of gap between two substrates of optical element |
EP3467588A1 (en) * | 2017-10-03 | 2019-04-10 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining alignment properties of a beam of radiation |
US10461037B2 (en) * | 2017-10-30 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming semiconductor device structure with overlay grating |
CN111417844A (zh) * | 2017-11-29 | 2020-07-14 | Asml荷兰有限公司 | 激光束监控系统 |
US10650111B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Electrical mask validation |
US10429743B2 (en) * | 2017-11-30 | 2019-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical mask validation |
US10705435B2 (en) * | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
TWI794416B (zh) * | 2018-02-28 | 2023-03-01 | 美商賽格股份有限公司 | 多層堆疊結構之計量方法及干涉儀系統 |
JP7002383B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-02-04 | キオクシア株式会社 | 位置計測用光源の品質管理方法および半導体製造装置 |
US11422292B1 (en) * | 2018-06-10 | 2022-08-23 | Apple Inc. | Super-blazed diffractive optical elements with sub-wavelength structures |
WO2019241149A1 (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Magic Leap, Inc. | System and method for qualifying a multi-layered optical stack for an optical projection system |
US11226191B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-01-18 | Tokyo Electron Limited | Film thickness measurement device and correction method |
US10772141B2 (en) | 2018-06-28 | 2020-09-08 | The Chinese University Of Hong Kong | System and method for peer-to-peer wireless communication |
CN110657743B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-08-31 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种栅格误差的测量方法、测量装置以及光学设备 |
WO2020007558A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Position sensor |
EP3629086A1 (en) * | 2018-09-25 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining a radiation beam intensity profile |
US10481379B1 (en) | 2018-10-19 | 2019-11-19 | Nanotronics Imaging, Inc. | Method and system for automatically mapping fluid objects on a substrate |
KR20200072311A (ko) | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
CN109786228B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-04-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 形成对准标记的方法 |
WO2020159560A1 (en) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Moiré target and method for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices |
US11971665B2 (en) * | 2019-02-21 | 2024-04-30 | Asml Holding N.V. | Wafer alignment using form birefringence of targets or product |
TWI716821B (zh) * | 2019-02-22 | 2021-01-21 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 晶圓結構 |
US10818606B1 (en) | 2019-04-02 | 2020-10-27 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Alignment mark patterns and wafer structures comprising the same |
CN110001221B (zh) * | 2019-04-11 | 2021-04-02 | 淮安信息职业技术学院 | 喷码位置偏移的检测方法及装置 |
JP6842680B2 (ja) | 2019-07-19 | 2021-03-17 | 株式会社安川電機 | エンコーダ、サーボモータ、サーボシステム |
KR20210012772A (ko) | 2019-07-26 | 2021-02-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직형 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN110379941A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-25 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组 |
KR102273278B1 (ko) * | 2019-09-10 | 2021-07-07 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 측정장치 |
CN110568701A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-13 | 上海创波光电科技有限公司 | 一种组合式二次成像视觉光源 |
US11270950B2 (en) * | 2019-09-27 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for forming alignment marks |
KR102421290B1 (ko) * | 2019-09-27 | 2022-07-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 정렬 마크를 형성하기 위한 장치 및 방법 |
KR20220079936A (ko) * | 2019-10-11 | 2022-06-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템 |
KR20220066377A (ko) * | 2019-10-21 | 2022-05-24 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 정렬 마크를 감지하기 위한 장치 및 방법 |
KR20220065875A (ko) * | 2019-10-29 | 2022-05-20 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 가변 회절 격자 |
US11520321B2 (en) | 2019-12-02 | 2022-12-06 | Kla Corporation | Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization |
US11610297B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-03-21 | Kla Corporation | Tomography based semiconductor measurements using simplified models |
CN113093475A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度检测方法及套刻偏差补偿方法 |
US11513085B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-11-29 | Kla Corporation | Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology |
US11754767B1 (en) | 2020-03-05 | 2023-09-12 | Apple Inc. | Display with overlaid waveguide |
CN113448192B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-08-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种对准系统及光刻机 |
TWI730798B (zh) * | 2020-06-04 | 2021-06-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 對準標記結構及影像感測器的製造方法 |
US11530913B2 (en) | 2020-09-24 | 2022-12-20 | Kla Corporation | Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements |
JP2023549656A (ja) * | 2020-11-17 | 2023-11-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジシステム及びリソグラフィシステム |
CN113065373B (zh) * | 2021-03-16 | 2024-02-09 | 环鸿电子(昆山)有限公司 | 光学瞄准设备的自动化瞄准校正系统及方法 |
CN113725196A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US11815823B2 (en) | 2021-10-15 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Alignment mark for front to back side alignment and lithography for optical device fabrication |
CN114061452A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-18 | 中国科学院微电子研究所 | 超精密位置探测光电信号解算结果有效性评价方法及系统 |
EP4202550A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method |
US12019030B2 (en) | 2022-01-18 | 2024-06-25 | Kla Corporation | Methods and systems for targeted monitoring of semiconductor measurement quality |
CN116819917B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法 |
Family Cites Families (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE262510C (ja) | ||||
US4037969A (en) * | 1976-04-02 | 1977-07-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Zone plate alignment marks |
NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
US4200395A (en) * | 1977-05-03 | 1980-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Alignment of diffraction gratings |
DE2820133A1 (de) * | 1978-05-09 | 1979-11-15 | Walter Ing Grad Fries | Vorrichtung fuer die trockenentwicklung von lichtpausmaterial |
US4332473A (en) * | 1979-01-31 | 1982-06-01 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members |
NL186353C (nl) * | 1979-06-12 | 1990-11-01 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak. |
US4326805A (en) | 1980-04-11 | 1982-04-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method and apparatus for aligning mask and wafer members |
US4355892A (en) * | 1980-12-18 | 1982-10-26 | Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt | Method for the projection printing |
US4398824A (en) * | 1981-04-15 | 1983-08-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Wafer tilt compensation in zone plate alignment system |
US4408884A (en) | 1981-06-29 | 1983-10-11 | Rca Corporation | Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes |
DE3318980C2 (de) * | 1982-07-09 | 1986-09-18 | Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken |
JPS5979527A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | パタ−ン検出装置 |
US4514858A (en) * | 1983-03-15 | 1985-04-30 | Micronix Partners | Lithography system |
JPH0732109B2 (ja) * | 1983-10-07 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 光露光方法 |
US4596467A (en) * | 1984-03-16 | 1986-06-24 | Hughes Aircraft Company | Dissimilar superimposed grating precision alignment and gap measurement systems |
NL8401710A (nl) | 1984-05-29 | 1985-12-16 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
DD262510A1 (de) | 1984-10-01 | 1988-11-30 | Zeiss Jena Veb Carl | Anordnung zur ausrichtung flaechenhafter gegenstaende |
US4828392A (en) * | 1985-03-13 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
JPS61208220A (ja) | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び位置合わせ方法 |
US4710026A (en) * | 1985-03-22 | 1987-12-01 | Nippon Kogaku K. K. | Position detection apparatus |
US4861162A (en) * | 1985-05-16 | 1989-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment of an object |
CH667373A5 (de) * | 1985-05-22 | 1988-10-14 | Bucher Guyer Ag Masch | Verfahren zur klaerung von fluessigkeiten und anlage zur durchfuehrung desselben. |
US4704033A (en) * | 1986-03-06 | 1987-11-03 | Micronix Corporation | Multiple wavelength linear zone plate alignment apparatus and method |
NL8600639A (nl) * | 1986-03-12 | 1987-10-01 | Asm Lithography Bv | Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
US4748333A (en) * | 1986-03-31 | 1988-05-31 | Nippon Kogaku K. K. | Surface displacement sensor with opening angle control |
US4814829A (en) * | 1986-06-12 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JPS6340316A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US4757207A (en) * | 1987-03-03 | 1988-07-12 | International Business Machines Corporation | Measurement of registration of overlaid test patterns by the use of reflected light |
JPS63220521A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Canon Inc | 焦点合せ装置 |
DE3707711A1 (de) * | 1987-03-11 | 1988-09-22 | Hoechst Ag | Oel-in-wasser-emulsionen, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung |
US4890529A (en) * | 1987-06-15 | 1990-01-02 | Grant Bruce M | Luminescently outlined string instrument |
JPS6414918A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Nikon Corp | Stepper |
JPS6414918U (ja) | 1987-07-18 | 1989-01-25 | ||
US4857744A (en) * | 1987-07-29 | 1989-08-15 | Hitachi, Ltd. | Optical projection printing apparatus wherein wafer mark has a grating pitch in the sagittal plane of the first optical system |
JPH0642448B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 位置合わせ方法 |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JPH02170005A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ装置 |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
EP0392085B1 (de) * | 1989-04-12 | 1992-04-15 | Landis & Gyr Betriebs AG | Anordnung zur Messung einer Spurabweichung einer bewegbaren Folienbahn |
NL8900991A (nl) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
JPH032504A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
JPH0335107A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Toshiba Corp | 相対位置検出用回折格子 |
JP2539047B2 (ja) | 1989-08-02 | 1996-10-02 | 株式会社東芝 | 位置合せ方法 |
DE69013790T2 (de) * | 1989-08-04 | 1995-05-04 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung. |
JP2885439B2 (ja) | 1989-10-06 | 1999-04-26 | 株式会社東芝 | 第1及び第2の物体の位置合せ方法及び装置 |
DE4031637C2 (de) * | 1989-10-06 | 1997-04-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
JPH03257303A (ja) | 1990-03-08 | 1991-11-15 | Nec Corp | 重ね合せ精度測定方法 |
JPH03262901A (ja) | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Toshiba Corp | 位置合わせ方法 |
JP2893823B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1999-05-24 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法及び装置 |
EP0527166B1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
NL9001611A (nl) | 1990-07-16 | 1992-02-17 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5418613A (en) * | 1990-11-20 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for detecting the position of a substrate having first and second patterns of different sizes |
US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
US5276337A (en) * | 1991-10-31 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Accuracy of alignment and O/L measurement systems by means of tunable source and handling of signal |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP3275273B2 (ja) | 1993-01-28 | 2002-04-15 | 株式会社ニコン | アライメント装置及び露光装置 |
BE1006067A3 (nl) * | 1992-07-01 | 1994-05-03 | Imec Inter Uni Micro Electr | Optisch systeem voor het afbeelden van een maskerpatroon in een fotogevoelige laag. |
US5488230A (en) * | 1992-07-15 | 1996-01-30 | Nikon Corporation | Double-beam light source apparatus, position detecting apparatus and aligning apparatus |
JPH06267824A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Nikon Corp | 露光方法 |
KR970003593B1 (en) * | 1992-09-03 | 1997-03-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Projection exposure method and device using mask |
JPH06177012A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nikon Corp | アライメント装置 |
US5596204A (en) * | 1993-04-06 | 1997-01-21 | Nikon Corporation | Method for aligning processing areas on a substrate with a predetermined position in a static coordinate system |
US5808910A (en) * | 1993-04-06 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Alignment method |
US5424548A (en) * | 1993-09-21 | 1995-06-13 | International Business Machines Corp. | Pattern specific calibration for E-beam lithography |
DE69535516T2 (de) * | 1994-01-24 | 2007-10-04 | Asml Holding, N.V. | Gitter-Gitter interferometrisches Ausrichtungssystem |
US5614432A (en) * | 1994-04-23 | 1997-03-25 | Nec Corporation | Method for manufacturing LDD type MIS device |
JP3451603B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び該露光方法に使用されるマスク |
US5601957A (en) | 1994-06-16 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Micro devices manufacturing method comprising the use of a second pattern overlying an alignment mark to reduce flattening |
EP0721608B1 (en) | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
US5477057A (en) * | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
JP3257303B2 (ja) | 1994-11-24 | 2002-02-18 | 株式会社デンソー | アンチスキッド制御装置 |
JPH08167559A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Nikon Corp | アライメント方法及び装置 |
JP3622249B2 (ja) | 1995-02-01 | 2005-02-23 | 株式会社ニコン | 位置検出方法及び装置 |
US6034378A (en) * | 1995-02-01 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus |
US5920378A (en) * | 1995-03-14 | 1999-07-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3590940B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2004-11-17 | 株式会社ニコン | アライメント装置及び露光装置 |
KR970002483A (ko) * | 1995-06-01 | 1997-01-24 | 오노 시게오 | 노광 장치 |
US5910647A (en) * | 1995-06-12 | 1999-06-08 | Circuits And Systems, Inc. | Electronic weighing apparatus utilizing surface acoustic waves |
KR0186068B1 (ko) * | 1995-12-27 | 1999-04-01 | 문정환 | 리소그라피 장치의 위치 정렬 시스템 |
US5801390A (en) * | 1996-02-09 | 1998-09-01 | Nikon Corporation | Position-detection method and apparatus with a grating mark |
JP4055827B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2008-03-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー. ブイ. | リソグラフィ装置の放射線量決定方法、及び該方法実施用テストマスク及び装置 |
WO1997033205A1 (en) | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
WO1997035234A1 (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-25 | Philips Electronics N.V. | Alignment device and lithographic apparatus provided with such a device |
JPH09320933A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
JPH1055946A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Nikon Corp | 露光条件測定方法 |
JP2821441B2 (ja) * | 1996-08-23 | 1998-11-05 | 山形日本電気株式会社 | 重ね合せずれ量の計測方法 |
US5920376A (en) * | 1996-08-30 | 1999-07-06 | Lucent Technologies, Inc. | Method and system for panoramic viewing with curved surface mirrors |
JP2787303B2 (ja) * | 1996-11-05 | 1998-08-13 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置、露光装置及び露光方法 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
JP2947196B2 (ja) * | 1997-01-23 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 半導体基板および半導体装置の製造方法 |
ATE216091T1 (de) | 1997-01-29 | 2002-04-15 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
US5969600A (en) * | 1997-02-19 | 1999-10-19 | Ranco Inc. Of Delware | Dangerous condition warning device incorporating a time-limited hush mode of operation to defeat an audible low battery warning signal |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
WO1998039689A1 (en) | 1997-03-07 | 1998-09-11 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit |
US6262796B1 (en) | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10270346A (ja) | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 位置検出方法及びその装置、並びに露光装置 |
JP3466893B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 |
US5952135A (en) * | 1997-11-19 | 1999-09-14 | Vlsi Technology | Method for alignment using multiple wavelengths of light |
EP1041608B1 (en) * | 1997-11-20 | 2008-09-17 | Nikon Corporation | Method and system for detecting a mark |
US6160622A (en) * | 1997-12-29 | 2000-12-12 | Asm Lithography, B.V. | Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device |
US6417922B1 (en) * | 1997-12-29 | 2002-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device |
US5933744A (en) * | 1998-04-02 | 1999-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Alignment method for used in chemical mechanical polishing process |
JP3067732B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置のアライメント装置及びアライメント方法 |
JP3159168B2 (ja) | 1998-05-15 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US6087733A (en) * | 1998-06-12 | 2000-07-11 | Intel Corporation | Sacrificial erosion control features for chemical-mechanical polishing process |
US6037671A (en) * | 1998-11-03 | 2000-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper alignment mark structure for maintaining alignment integrity |
TW569083B (en) * | 1999-02-04 | 2004-01-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus |
IL130874A (en) | 1999-07-09 | 2002-12-01 | Nova Measuring Instr Ltd | System and method for measuring pattern structures |
JP3615430B2 (ja) | 1999-08-20 | 2005-02-02 | 松下電器産業株式会社 | 認識マーク |
JP3949853B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法 |
US6420791B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-07-16 | United Microelectronics Corp. | Alignment mark design |
JP2001185474A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nikon Corp | アライメント方法、アライメント装置、基板、マスク、及び露光装置 |
US6542243B2 (en) * | 2000-01-27 | 2003-04-01 | Lambda Physik Ag | Resonator optics monitoring method |
JP2001267211A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 位置検出方法及び装置、並びに前記位置検出方法を用いた露光方法及び装置 |
JP3844940B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-11-15 | 株式会社東芝 | マーク位置検出装置およびマーク位置検出方法 |
JP2002198303A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
US6462818B1 (en) | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
JP3297423B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | フォーカステストマスク、並びにそれを用いたフォーカス及び収差の測定方法 |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
JP5180419B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2013-04-10 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
US6429930B1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-08-06 | Accent Optical Technologies, Inc. | Determination of center of focus by diffraction signature analysis |
IL139368A (en) * | 2000-10-30 | 2006-12-10 | Nova Measuring Instr Ltd | Process control for microlithography |
TW526573B (en) * | 2000-12-27 | 2003-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of measuring overlay |
TW556296B (en) | 2000-12-27 | 2003-10-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of measuring alignment of a substrate with respect to a reference alignment mark |
KR100500469B1 (ko) * | 2001-01-12 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 정렬마크와 이를 이용하는 노광정렬시스템 및 그 정렬방법 |
WO2002065545A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
JP3914451B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2007-05-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 測定された位置合わせマークの修正位置を決定するためのコンピュータプログラムと、デバイス製造方法と、該製造方法により製造されるデバイス |
US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
EP1256849A1 (en) | 2001-05-08 | 2002-11-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus |
EP1256843A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus |
JP4342155B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2009-10-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 位置決めマークを備えた基板、マスクを設計する方法、コンピュータ・プログラム、位置決めマークを露光するマスク、およびデバイス製造方法 |
US7061615B1 (en) * | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
JP2003224057A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20030160163A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Alan Wong | Optical metrology target design for simultaneous measurement of multiple periodic structures |
DE10224164B4 (de) * | 2002-05-31 | 2007-05-10 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Eine zweidimensionale Struktur zum Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit mittels Streuungsmessung |
JP2004079585A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Nikon Corp | 結像特性計測方法及び露光方法 |
TWI227814B (en) | 2002-09-20 | 2005-02-11 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths |
US6864956B1 (en) * | 2003-03-19 | 2005-03-08 | Silterra Malaysia Sdn. Bhd. | Dual phase grating alignment marks |
US7494635B2 (en) * | 2003-08-21 | 2009-02-24 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Boron nitride agglomerated powder |
US20050204144A1 (en) | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image processing apparatus and personal information management program |
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