CN116819917B - 一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及芯片制备技术及光刻技术领域，具体涉及一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法。掩模板包括：基底，作为掩模板的支撑基板；对准标记结构，设置在基底表面，对准标记结构包括位于对准标记结构中心的具有正透镜相位的相位调制器和位于相位调制器外围的透光区域；其中，当输入光束入射至对准标记结构上时形成干涉图案，干涉图案为对称图案时，输入光束和掩模板垂直，实现掩模板相对输入光束的对准。通过在掩模板上设置对准标记结构，通过输入光束入射至对准标记结构上时形成的干涉图案是否对称即可实现对准检测。该对准标记结构简单、加工成本低，避免了采用光栅型对准标记需要楔块列阵成像时存在的难度大成本高的问题。

Description

一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法

技术领域

本发明涉及芯片制备技术及光刻技术领域，具体涉及一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法。

背景技术

光刻技术在半导体芯片加工领域有着重要作用，随着相关技术发展，光刻机曝光技术经历了接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光阶段。全息光刻是一种较新的光刻曝光技术，与投影式曝光相比，全息光刻照明光路和成像光路简单，不需要投影物镜，由准直光束直接照射全息掩模实现衍射成像。在全息光刻中，准直光束与全息掩模的角度对准是衍射成像结果重要影响因素。

然而传统光刻对准时通常是需要对准掩模板和硅片相对位置，而全息光刻由于是衍射成像，需要对准入射光和掩模板的角度，二者对准的对象不同。并且，传统光刻采用光栅型对准标记进行对准，对准时仅能使用固定光栅常数的标记进行对准，无法兼容不同周期的标记，同时需要采用楔块列阵或楔板组来实现对准标记多级衍射光的重叠和相干成像；具体实施工程难度较大，成本高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法，以解决上述现有技术中所存在的技术问题至少之一。

第一方面，本发明提供了一种掩模板，应用于芯片制备工艺的曝光设备，所述掩模板包括基底和对准标记结构。基底作为所述掩模板的支撑基板；对准标记结构设置在所述基底表面，所述对准标记结构包括位于所述对准标记结构中心的具有正透镜相位的相位调制器和位于所述相位调制器外围的透光区域；其中，当输入光束入射至所述对准标记结构上时形成干涉图案，所述干涉图案为对称图案时，输入光束和掩模板垂直，实现所述掩模板相对所述输入光束的对准。

在一种可选的实施方式中，所述相位调制器为多个超表面单元结构构成的阵列结构，其中，所述多个超表面单元结构以正透镜相位排布在所述基底表面上。

在一种可选的实施方式中，所述多个超表面单元结构中的每个超表面单元结构包括超表面单元区和纳米结构。超表面单元区设置在所述基底表面上；纳米结构设置在所述超表面单元区中，其主轴方向和所述超表面单元区的主轴方向相重合；其中，所述纳米结构以符合所述正透镜相位的预设角度设置在所述超表面单元区中。

在一种可选的实施方式中，所述输入光束为紫外右旋圆偏振光。

在一种可选的实施方式中，所述掩模板还包括掩模版图结构。掩模版图结构设置在所述基底表面，用于在输入光束和掩模板垂直时，接收输入光束实现曝光。

第二方面，本发明提供了一种曝光设备，应用于芯片制备工艺，所述曝光设备包括光源、准直模块、成像结构以及本发明第一方面及第一方面任一实施方式中的掩模板。所述光源用于输出激光光束，形成曝光光路；所述准直模块沿所述曝光光路设置在所述光源和所述成像结构之间，用于对所述激光光束进行准直以形成入射至所述掩模板的准直光束；所述掩模板对应于所述准直光束，沿所述曝光光路设置在所述准直模块和所述成像结构之间，所述准直光束入射至所述掩模板的掩模版图结构之后在所述成像结构表面成像，实现曝光。

在一种可选的实施方式中，所述准直模块包括沿所述曝光光路依次设置的聚焦透镜和准直透镜。所述聚焦透镜用于接收所述光源的激光光束形成聚焦光束；所述准直透镜用于对所述聚焦光束进行准直形成准直光束。

在一种可选的实施方式中，所述曝光设备还包括成像检测器和处理器。成像检测器用于获取对准标记结构的成像结果，将所述成像结果输出；处理器用于接收所述成像结果，判断所述成像结果中的干涉图案是否为对称图案；其中，当干涉图案为对称图案时，入射至掩模板上的准直光束和掩模板垂直。

第三方面，本发明提供了一种掩模板对准方法，应用于本发明第二方面及第二方面任一实施方式的曝光设备，所述方法包括：获取入射光束通过曝光设备中掩模板上对准标记结构的成像结果；判断所述成像结果中对应对准标记结构的干涉图案是否对称；当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

在一种可选的实施方式中，在所述当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准中，包括：分析不对称的干涉图案和垂直时的干涉图案，确定不对称干涉图案和垂直时干涉图案的偏移量；结合预设的倾斜角度的对应关系，根据所述偏移量确定掩模板的倾斜角度；根据所述倾斜角度对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

本发明提供的技术方案，具有如下效果：

本发明实施例提供的掩模板，通过设置位于中心的具有正透镜相位的相位调制器和位于相位调制器外围的透光区域作为对准标记结构，由此，经过相位调制器和透光区域的光束发生干涉，根据干涉图案即可判断掩模板和入射光束是否垂直，即是否对准。该对准标记结构的结构简单、加工成本低，避免了采用光栅型对准标记需要楔块列阵成像时存在的难度大成本高的问题。

本发明实施例提供的掩模板，采用多个超表面单元结构构成的阵列结构形成相位调制器，由此可以通过对每个超表面单元结构的调整实现相位调制器的相位调制功能。

本发明实施例提供的掩模板，采用纳米结构构成超表面单元结构，纳米结构以符合所述正透镜相位的预设角度设置在所述超表面单元区中，由此通过调整纳米结构的形状和尺寸可以实现每个超表面单元结构的相位调制功能。

本发明实施例提供的掩模板，采用紫外右旋圆偏振光作为输入光束，该光束照射至超表面单元结构时，能够改变光束的偏振态，使得超表面单元结构的出射光束附加一个几何相位，从而实现了超表面单元结构的相位调制功能。并且，当掩模板为全息掩模板时，采用该掩模板进行光刻无需设置投影物镜，由此不会对输入光束造成影响，即提高了该输入光束应用于全息光刻的适用性。

本发明实施例提供的掩模板，通过在掩模板上设置掩模版图结构，当输入光束和掩模板垂直时，采用该掩模版图结构进行曝光，提高了曝光的准确性。

本发明实施例提供的曝光设备，通过设置光源、准直模块、掩模板和成像结构，实现了全息光刻。同时在掩模板采用上述设置有对准标记结构的掩模板，实现了准直光束和掩模板是否垂直的判断。

本发明实施例提供的曝光设备，通过设置聚焦透镜和准直透镜，实现对了对光源输出光束的扩束和准直。

本发明提供的掩模板对准方法，通过获取入射光束通过曝光设备中掩模板上对准标记结构的成像结果，基于成像结果中的干涉图案是否对称实现了掩模板和入射光束是否垂直的判断，方法简单易实现。

本发明提供的掩模板对准方法，通过偏移量和倾斜角度之间的对应关系，结合确定的不对称干涉图案和垂直时干涉图案的偏移量，能够确定掩模板的倾斜角度。由此通过该倾斜角度能够实现在掩模板和入射光束不垂直的情况下，对掩模板的精确位姿调节。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例的掩模板中对准标记结构的结构示意图；

图2是根据本发明实施例的掩模板的结构示意图；

图3是根据本发明实施例的对准标记结构的相位分布示意图；

图4是根据本发明实施例的纳米结构的空间几何角度与透射光场的振幅透过率和透射相位值关系示意图；

图5（a）、图5（b）和图5（c）是根据本发明实施例的超表面单元结构的示意图；

图6是根据本发明实施例的实现对准标记结构相位调制功能纳米结构角度分布和局部区域对准标记结构示意图；

图7是根据本发明实施例的曝光设备的结构示意图；

图8是根据本发明实施例的成像检测器检测对准标记结构成像示意图；

图9是根据本发明实施例的掩模板对准方法的流程示意图；

图10是根据本发明实施例的另一掩模板对准方法的流程示意图；

图11是根据本发明实施例的对准标记聚焦焦点位置随掩模倾斜角度变化曲线；

图12是根据本发明实施例的光束垂直入射和斜入射时干涉图案示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

在本实施例中提供了一种掩模板，应用于芯片制备工艺的曝光设备，如图1和图2所示，所述掩模板包括基底40和对准标记结构30。其中，基底40作为所述掩模板的支撑基板；对准标记结构30设置在所述基底40表面，所述对准标记结构30包括位于所述对准标记结构中心的具有正透镜相位的相位调制器10和位于所述相位调制器外围的透光区域20；其中，当输入光束入射至所述对准标记结构30上时形成干涉图案，所述干涉图案为对称图案时，输入光束和掩模板垂直，实现所述掩模板相对所述输入光束的对准。具体地，该掩模板可以是全息掩模板。基底的材料为二氧化硅。该对准标记结构可以设置为圆形，其中相位调制器的直径为100μm至300μm，例如，可以是100μm、200μm或者300μm等。该圆形的半径可以是400μm至600μm，例如可以是400μm、500μm或者600μm等。在其他实施方式中，该对准标记结构也可以设置为其他形状，本申请对此不作限定。

其中，通过按照该实施例的结构设置对准标记结构，该对准标记结构能够对输入光束起到透镜汇聚产生球面波作用，其透过率函数可以描述为：

，

其中k为波数，k=λ/2π，f为焦距，t(x ₀，y ₀)为孔径函数。

输入光束为平面波时，该平面波可以表示为：

，

其中振幅A为常量。

在距离对准标记结构z=f（f为对准标记结构的焦距）处，为该对准标记结构聚焦焦点位置，在傍轴近似条件下，该焦面光场复振幅通过菲涅尔衍射积分公式计算，可描述为孔径函数的傅里叶变换形式：

，

即：

，

其中F{·}为该函数的傅里叶变换。

当掩模板与输入光束不垂直，为简单起见，输入光束与掩模表面法线沿x方向夹角θ _x，对准标记结构透过率函数为：

。

入射光为平面波为:

。

在距离掩模对准标记结构z=f处，为该标记聚焦焦点位置，在傍轴近似条件下，该焦面光场复振幅为：

。

其中r为面内点到/>面内点的距离。

输入光束经过对准标记结构之后发生光束汇聚，其焦点p(x,y)向后传播可描述为点源产生发散球面波，该发散球面波在接收面的复振幅为：

。

其中，透射光束的相位分布如图3所示，X和Y分别为与输入光束垂直的两个方向。由此，当输入光束为平行光且正入射该对准标记结构时，经过相位调制器的光束经过调制变为球面波，经过透光区域的光束未经调制仍然为平行光束，经过相位调制器的透射光束和经过透光区域的光束在接收面处产生同轴干涉，干涉图案为对称圆环条纹；当输入光束为非平行光且非正入射该对准标记结构时，经过相位调制器的透射光束经过调制变为球面波，经透光区域的光束未经调制仍然为平行光束，经过相位调制器的透射光束和经过透光区域的光束在接收面处产生离轴干涉，干涉图案为非对称圆环条纹。

本发明实施例提供的掩模板，通过设置位于中心的具有正透镜相位的相位调制器和位于相位调制器外围的透光区域作为对准标记结构，由此，经过相位调制器和透光区域的光束发生干涉，根据干涉图案是否为对称图案即可判断掩模板和输入光束是否垂直，即是否对准。该对准标记结构的结构简单、加工成本低，避免了采用光栅型对准标记结构需要楔块列阵成像时存在的难度大成本高的问题。

在一种可选的实施方式中，所述输入光束为紫外右旋圆偏振光。所述相位调制器为多个超表面单元结构构成的阵列结构，其中，所述多个超表面单元结构以正透镜相位排布在所述基底表面上。所述多个超表面单元结构中的每个超表面单元结构包括超表面单元区和纳米结构。超表面单元区设置在所述基底表面上；纳米结构设置在所述超表面单元区中，其主轴方向和所述超表面单元区的主轴方向相重合；其中，所述纳米结构以符合所述正透镜相位的预设角度设置在所述超表面单元区中。

具体地，该相位调制器的结构为二维平面超表面结构，具体可以采用非导体材料制成的亚波长微纳单元结构即多个超表面单元结构排列组成，通过调控超材料的微纳单元结构的形状和尺寸，可以使超材料获得自然界中常规材料所不具备的电磁特性，当圆偏振光入射各向异性结构单元即超表面单元结构时，各向异性结构单元绕长轴正交轴旋转α度时，出射光束会附加一个exp(±i2α)几何相位。由于相位是通过改变光束的偏振态获得，故又称几何相位，这种类型的超表面也称几何相位超表面，采用超表面单元结构的方式实现了相位调制器的制备；同时将超表面单元结构中纳米结构的主轴方向和基底设置为呈一定角度，纳米结构旋转不同角度对入射光束产生不同的相位调制作用，其角度与相位对应关系如图4所示。

其中，纳米结构可以是纳米棒、纳米柱、纳米长方体或者纳米正方体等。在相位调制器中设置多个纳米结构，多个纳米结构构成阵列结构。如图5（a）、图5（b）和图5（c）所示，将每个纳米结构所在的虚拟区域确定为超表面单元区，该虚拟区域可以是正方形区域，纳米棒结构位于该正方形区域的中心。因此，超表面单元区为虚拟区域，具体是基于纳米结构的所在区域进行划分。具体地，当纳米结构采用纳米棒时，纳米棒11的长宽高l×w×h可以为200nm×78nm×50nm；纳米棒11可以选用Si₃N₄材料。纳米棒所在的超表面单元区的边长W为400nm。需要说明的是，图5（a）、图5（b）和图5（c）是将纳米结构所在超表面单元区对应的基底部分进行切割，得到的包含部分基底12和纳米棒11的示意图。具体地，为实现对准标记结构中相位调制器的相位调制功能，部分区域对应的纳米结构排列如图6所示。

在一种可选的实施方式中，如图2所示，所述掩模板还包括掩模版图结构。掩模版图结构50设置在所述基底40表面，用于在输入光束和掩模板垂直时，接收输入光束实现曝光。具体地，该掩模板结构如图2所示，在掩模板的中间区域包括刻蚀形成的空间结构，该空间结构构成掩模版图结构50。在掩模板靠近边缘的区域设置有对准标记结构30。为便于加工，掩模版图结构50和对准标记结构30可以位于基底40的同侧。

在本实施例中提供了一种曝光设备，应用于芯片制备工艺，如图7所示，所述曝光设备包括光源1、准直模块G1、成像结构6以及上述实施例所述的掩模板5。所述光源1用于输出激光光束，形成曝光光路；所述准直模块G1沿所述曝光光路设置在所述光源1和所述成像结构6之间，用于对所述激光光束进行准直以形成入射至所述掩模板5的准直光束；所述掩模板5对应于所述准直光束，沿所述曝光光路设置在所述准直模块G1和所述成像结构6之间，所述准直光束入射至所述掩模板5的掩模版图结构之后在所述成像结构6表面成像，实现曝光。

其中，如图7所示，光源1输出的光束为紫外右旋圆偏振光。准直模块G1包括：沿所述曝光光路依次设置的聚焦透镜2和准直透镜3；所述聚焦透镜2用于接收所述光源的激光光束形成聚焦光束；所述准直透镜3用于对所述聚焦光束进行准直形成准直光束。在准直模块G1和掩模板5之间还设置有反射镜4，反射镜4用于将准直模块G1输出的光束反射到掩模板5上。具体地，该成像结构为硅片。曝光设备可以是光刻设备或者光刻机。

在一种可选的实施方式中，所述曝光设备还包括成像检测器和处理器。成像检测器用于获取对准标记结构的成像结果，将所述成像结果输出；处理器用于接收所述成像结果，判断所述成像结果中的干涉图案是否为对称图案；其中，当干涉图案为对称图案时，入射至掩模板上的准直光束和掩模板垂直。

具体地，成像检测器可以是CCD或者其他图像采集装置。其中成像检测器设置在干涉图案的成像接收面。该实施例中，该成像接收面为距离掩模板三倍焦距处。其中，如图8所示，当对准标记结构为圆形结构时，为满足干涉成像清晰度，当相位调制器的半径r、透光区域的半径R（相位调制器中心至透光区域边界的距离）以及透射光束的焦距f满足：，则成像检测器像素尺寸/>、透光区域半径R、相位调制器半径r、焦距f以及成像接收面到对准标记结构之间的距离z之间的关系满足如下公式：

。

当相位调制器的半径r、透光区域的半径R以及透射光束的焦距f满足：，成像检测器像素尺寸/>、透光区域半径R、相位调制器半径r、焦距f以及成像接收面到对准标记结构之间的距离z之间的关系满足如下公式：

。

根据本发明实施例，提供了一种掩模板对准方法实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

在本实施例中提供了一种掩模板对准方法，可用于电子设备，如电脑、手机、平板电脑等，图9是根据本发明实施例的掩模板对准方法的流程图，如图9所示，该流程包括如下步骤：

步骤S101，获取入射光束通过曝光设备中掩模板上对准标记结构的成像结果。

步骤S102，判断所述成像结果中对应对准标记结构的干涉图案是否对称。

步骤S103，当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

具体地，根据上述对准标记结构实施例可知，对准标记结构中相位调制器的透射光束和透光区域的透射光束发射干涉，并在距离对准标记结构三倍焦距处形成干涉图案。其中，当该掩模板和入射光束垂直时，形成的干涉图案为对称图案；当该掩模板和入射光束不垂直时，则干涉图案不对称。即通过形成的干涉图案可以判断掩模板和入射光束是否垂直。当不垂直时，可以进一步调整掩模板的位置如掩模板的位置或者姿态，再重新成像，直至重新成像中对应对准标记结构的干涉图案为干涉图案。

在本实施例中提供了一种掩模板对准方法，如图10所示，该流程包括如下步骤：

步骤S201，获取入射光束通过曝光设备中掩模板上对准标记结构的成像结果。详细请参见图9所示实施例的步骤S101，在此不再赘述。

步骤S202，判断所述成像结果中对应对准标记结构的干涉图案是否对称。详细请参见图9所示实施例的步骤S102，在此不再赘述。

步骤S203，当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

具体地，上述步骤S203包括：

步骤S2031，分析不对称的干涉图案和垂直时的干涉图案，确定不对称干涉图案和垂直时干涉图案的偏移量。

步骤S2032，结合预设的倾斜角度的对应关系，根据所述偏移量确定掩模板的倾斜角度。

步骤S2033，根据所述倾斜角度对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

具体地，当掩模板和入射光束不垂直时，随着掩模板倾斜角度的变化，对准标记结构的透射光束聚焦焦点的位置也会偏离光轴z。例如当对准标记结构中相位调制器的直径为200μm，采样间隔2.7μm，对准标记结构焦距为10mm，不同掩膜与入射光倾斜角度导致焦点位置在x向偏离光轴如图11所示。并且，在聚焦焦点位置发生变化时，干涉图案相对垂直时的干涉图案也会发生偏移，如图12所示。由此可以预先获取偏移量和倾斜角度之间的对应关系，当获取到不对称的干涉图案时，可以根据不对称的干涉图案相对垂直时的干涉图案偏移量，确定掩模板的倾斜角度。然后根据该倾斜角度实现对掩模板位姿的调整。

另外，需要说明的是，当干涉图案的偏移量小于两个像素时无法分辨，而倾斜角度的检测精度与聚焦焦点对应的焦距有关，因此，在确定焦距后，可以确定能够检测的最小倾斜角度。该实施例中，当焦距为10mm时，能够检测的最小倾斜角度为0.01°。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (10)

1.一种掩模板，应用于芯片制备工艺的曝光设备，其特征在于，所述掩模板包括：

基底，作为所述掩模板的支撑基板；

对准标记结构，设置在所述基底表面，所述对准标记结构包括位于所述对准标记结构中心的具有正透镜相位的相位调制器和位于所述相位调制器外围的透光区域；

其中，当输入光束入射至所述对准标记结构上时形成干涉图案，所述干涉图案为对称图案时，输入光束和掩模板垂直，实现所述掩模板相对所述输入光束的对准；

当输入光束为平行光且正入射该对准标记结构时，经过相位调制器的光束经过调制变为球面波，经过透光区域的光束未经调制仍然为平行光束，经过相位调制器的透射光束和经过透光区域的光束在接收面处产生同轴干涉，干涉图案为对称圆环条纹；当输入光束为非平行光且非正入射该对准标记结构时，经过相位调制器的透射光束经过调制变为球面波，经透光区域的光束未经调制仍然为平行光束，经过相位调制器的透射光束和经过透光区域的光束在接收面处产生离轴干涉，干涉图案为非对称圆环条纹。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述相位调制器为多个超表面单元结构构成的阵列结构，其中，所述多个超表面单元结构以正透镜相位排布在所述基底表面上。

3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述多个超表面单元结构中的每个超表面单元结构包括：

超表面单元区，设置在所述基底表面上；

纳米结构，设置在所述超表面单元区中，其主轴方向和所述超表面单元区的主轴方向相重合；

其中，所述纳米结构以符合所述正透镜相位的预设角度设置在所述超表面单元区中。

4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述输入光束为紫外右旋圆偏振光。

5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板还包括：

掩模版图结构，设置在所述基底表面，用于在输入光束和掩模板垂直时，接收输入光束实现曝光。

6.一种曝光设备，其特征在于，应用于芯片制备工艺，所述曝光设备包括：光源、准直模块、成像结构以及权利要求1-5中任一项所述的掩模板；

所述光源用于输出激光光束，形成曝光光路；

所述准直模块沿所述曝光光路设置在所述光源和所述成像结构之间，用于对所述激光光束进行准直以形成入射至所述掩模板的准直光束；

所述掩模板对应于所述准直光束，沿所述曝光光路设置在所述准直模块和所述成像结构之间，所述准直光束入射至所述掩模板的掩模版图结构之后在所述成像结构表面成像，实现曝光。

7.根据权利要求6所述的曝光设备，其特征在于，所述准直模块包括：沿所述曝光光路依次设置的聚焦透镜和准直透镜；

所述聚焦透镜用于接收所述光源的激光光束形成聚焦光束；

所述准直透镜用于对所述聚焦光束进行准直形成准直光束。

8.根据权利要求6所述的曝光设备，其特征在于，所述曝光设备还包括：

成像检测器，用于获取对准标记结构的成像结果，将所述成像结果输出；

处理器，用于接收所述成像结果，判断所述成像结果中的干涉图案是否为对称图案；

其中，当干涉图案为对称图案时，入射至掩模板上的准直光束和掩模板垂直。

9.一种掩模板对准方法，其特征在于，应用于权利要求6-8任一项所述的曝光设备，所述方法包括：

获取入射光束通过曝光设备中掩模板上对准标记结构的成像结果；

判断所述成像结果中对应对准标记结构的干涉图案是否对称；

当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述当所述干涉图案不对称时，对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准中，包括：

分析不对称的干涉图案和垂直时的干涉图案，确定不对称干涉图案和垂直时干涉图案的偏移量；

结合预设的倾斜角度的对应关系，根据所述偏移量确定掩模板的倾斜角度；

根据所述倾斜角度对所述掩模板进行位姿调节，实现掩模板相对所述入射光束的对准。