KR20220079936A - 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템 - Google Patents

정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템 Download PDF

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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템을 포함한다. 다이 시스템은 원하는 패턴으로 배열된 복수의 다이들을 포함한다. 정렬 벡터, 이를테면, 다이 벡터는 다이의 에지 피처들로부터 결정될 수 있다. 정렬 벡터들은 동일한 시스템 내의 다른 다이들 또는 다이 패턴들과 비교될 수 있다. 다이들 및 다이 패턴들을 비교하는 방법은 다이 벡터들 및/또는 패턴 벡터들을 비교하는 단계를 포함한다. 정렬 벡터들 사이의 비교는 다음 라운드의 프로세싱을 위해 다이 패턴들을 고정시키는 것을 가능하게 한다. 제공된 방법들은, 다이들의 정확한 스티칭(stitching)이 달성될 수 있도록, 증착-직후(as-deposited)의 에지 피처들 사이의 정확한 비교들을 가능하게 한다.

Description

정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템에 관한 것이다.
[0002] VR(virtual reality)은 일반적으로, 컴퓨터 생성 시뮬레이팅 환경(computer generated simulated environment)인 것으로 간주되며, 이러한 환경에서 사용자는 명백한 물리적 존재를 갖는다. VR 경험은 3D로 생성되고, HMD(head-mounted display), 이를테면, 실제 환경을 대체하는 VR 환경을 디스플레이하기 위한 렌즈들로서 근안 디스플레이 패널(near-eye display panel)들을 갖는 안경 또는 다른 웨어러블 디스플레이 디바이스들로 뷰잉될 수 있다.
[0003] 그러나, AR(augmented reality)은, 사용자가 주변 환경을 뷰잉하기 위해 여전히 안경 또는 다른 HMD 디바이스의 디스플레이 렌즈들을 통해 볼 수 있을 뿐만 아니라, 디스플레이를 위해 생성되고 환경의 일부로서 나타나는 가상 객체들의 이미지들을 또한 볼 수 있는 경험을 가능하게 한다. AR은, 사용자가 경험하는 환경을 보강(enhance)하거나 증강(augment)시키는 비디오, 그래픽들, 및 가상 이미지들뿐만 아니라 임의의 타입의 입력, 이를테면, 오디오 및 햅틱 입력들을 포함할 수 있다. AR 경험을 달성하기 위해, 가상 이미지가 주변 환경 상에 오버레이되고, 오버레이는 광학 디바이스들에 의해 수행된다. VR 및 AR 디바이스들은, 기판 상에 피처들을 증착하여 다이를 생성하기 위해 리소그래피를 사용함으로써 제조될 수 있다. 그러나, 전형적인 반도체 리소그래피 패턴들과 비교하여 VR 및 AR 디바이스들의 큰 크기로 인해, 다수의 다이들 및 패턴들은 기능하는 디바이스를 생성하기 위해 정확하게(accurately) 함께 스티칭(stitch)되어야 한다.
[0004] 당해 기술 분야의 하나의 단점은, 현재의 스티칭 방법들이, 기능하는 디바이스를 보장하기에 충분한 정확도로 리소그래피 패턴들을 결합하지 않는다는 것이다. 게다가, 일단 리소그래피 패턴들이 증착되면, 리소그래피의 다음 런(run)에서 패턴들을 고정시킬 방식을 결정하는 것은 복잡하다. 또한, 예상되는 피처 CD(critical dimension)들을 실제로 증착된 피처 CD들과 비교하는 간단한 방법은 없다.
[0005] 따라서, AR/VR 디바이스들을 위한 다이들을 함께 정확하게 스티칭하는 것이 당해 기술 분야에 필요하다.
[0006] 본원의 실시예들은 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템을 포함한다. 정렬 벡터들은 다이의 에지 피처들 및 에지 피처 패턴들로부터 결정된다. 다이들 및 다이 패턴들을 비교하는 방법은 다이 벡터들 및/또는 패턴 벡터들을 비교하는 단계를 포함한다. 정렬 벡터들 사이의 비교는 다음 라운드의 프로세싱을 위해 다이 패턴들을 고정시키는 것을 가능하게 한다. 정렬 벡터들 및 방법들은 다이들의 정확한 스티칭을 가능하게 한다.
[0007] 일 실시예에서, 복수의 다이들을 포함하는 다이 시스템이 제공된다. 다이들 각각은 복수의 디바이스 피처들 및 하나 이상의 에지 구역들을 포함한다. 각각의 에지 구역은 하나 이상의 에지 경계 피처들 및 복수의 에지 피처들을 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 정렬 벡터들을 비교하는 방법이 제공되며, 그 방법은, 제1 다이에 대한 제1 정렬 벡터(v1)를 결정하는 단계, 제2 다이에 대한 제2 정렬 벡터(v2)를 결정하는 단계, 제1 정렬 벡터(v1) 및 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계, 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 제1 다이 패턴을 제1 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계; 및 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 제2 다이 패턴을 제2 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계를 포함한다.
[0009] 또 다른 실시예에서, 다이 정렬을 결정하기 위한 방법이 제공되며, 그 방법은, 제1 다이 패턴을 사용하여 제1 다이 상에 제1 복수의 에지 피처들을 생성하는 단계, 제2 다이 패턴을 사용하여 제2 다이 상에 제2 복수의 에지 피처들을 생성하는 단계, 제1 다이에 대한 제1 정렬 벡터(v1)를 결정하는 단계, 제2 다이에 대한 제2 정렬 벡터(v2)를 결정하는 단계, 제1 정렬 벡터(v1) 및 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계, 제1 다이 패턴을 제1 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계, 및 제2 다이 패턴을 제2 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계를 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하며 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0011] 도 1a는 일 실시예에 따른 다이 시스템을 예시한다.
[0012] 도 1b는 일 실시예에 따른, 다이 패턴들의 확대된 부분을 예시한다.
[0013] 도 1c는 일 실시예에 따른, 다이들의 확대된 부분을 예시한다.
[0014] 도 1d는 일 실시예에 따른, 다이들의 확대된 부분을 예시한다.
[0015] 도 2는 일 실시예에 따른, 2개의 정렬 벡터들을 비교하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0016] 도 3은 일 실시예에 따른, 다이 정렬을 결정하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0018] 본 개시내용의 실시예들은 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템을 포함한다. 다이 시스템은 원하는 패턴으로 배열된 복수의 다이들을 포함한다. 정렬 벡터, 이를테면, 다이 벡터는 다이의 에지 피처들로부터 결정될 수 있다. 정렬 벡터들은 동일한 시스템 내의 다른 다이들 또는 다이 패턴들과 비교될 수 있다. 다이들 및 다이 패턴들을 비교하는 방법은 다이 벡터들 및/또는 패턴 벡터들을 비교하는 단계를 포함한다. 정렬 벡터들 사이의 비교는 다음 라운드의 프로세싱을 위해 다이 패턴들을 고정시키는 것을 가능하게 한다. 제공된 방법들은, 다이들의 정확한 스티칭이 달성될 수 있도록, 증착-직후(as-deposited)의 에지 피처들 사이의 정확한 비교들을 가능하게 한다. 다이 벡터와 패턴 벡터를 비교하는 것은 제1 다이 패턴의 오차들로 인한 다음 다이 패턴의 보상을 가능하게 한다. 정렬 벡터는 다이들 및 다이 패턴들 사이의 정렬 및 오버레이를 비교하는 간단한 방식을 제공한다. 본 개시내용의 실시예들은 다이 시스템에서 다이들을 정렬하는 데 유용할 수 있다(그러나 이에 제한되지 않음).
[0019] 본원에서 사용되는 바와 같이, "약"이라는 용어는 공칭 값으로부터 +/-10%의 편차를 나타낸다. 그러한 편차는 본원에서 제공된 임의의 값에 포함될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0020] 도 1a는 일 실시예에 따른 다이 시스템(100)을 예시한다. 다이 시스템(100)은 VR 또는 AR 헤드셋 또는 디바이스와 같은 광학 디바이스를 위한 렌즈로 구성된다. 다이 시스템(100)은 유리 또는 플라스틱과 같은(그러나 이에 제한되지 않음), 광학 디바이스들을 위해 사용되는 임의의 재료를 포함한다.
[0021] 도시된 바와 같이, 다이 시스템(100)은 복수의 다이들(101) 및 복수의 다이 패턴들(111)을 포함한다. 도 1a에 예시된 바와 같이, 복수의 다이들(101) 및/또는 복수의 다이 패턴들(111) 각각은 실선들에 의해 분리된다. 다이 패턴(111)은 원하는 패터닝된 다이(101)를 생성하도록 성장될 재료의 패턴이다. 따라서, 다이 시스템(100)은 임의의 주어진 시점에서 다이 패턴들(111)(즉, 생성될 원하는 패턴), 다이(101)(즉, 패터닝된 다이), 또는 둘 모두의 혼합물을 포함할 수 있다.
[0022] 복수의 다이들(101) 및 복수의 다이 패턴들(111)이 그리드 패턴으로 예시되지만, 복수의 다이들(101) 및 복수의 다이 패턴들(111)은 임의의 어레인지먼트일 수 있는 것으로 고려된다. 각각의 다이(101) 및/또는 다이 패턴(111)은 임의의 다른 다이 및/또는 다이 패턴과 동일한 형상 및/또는 치수들을 가질 수 있거나, 또는 다이들 및/또는 다이 패턴들 중 일부는 다른 다이들 및/또는 다이 패턴들과 상이한 형상들 및/또는 치수들을 가질 수 있다. 다이들(101) 및/또는 다이 패턴들(111)의 개수, 다이들 및/또는 다이 패턴들의 어레인지먼트, 및 다이들 및/또는 다이 패턴들의 형상들 및 치수들은 바람직한 광학 디바이스를 생성하기 위해 당업자에 의해 선택된다.
[0023] 도 1b는 일 실시예에 따른, 다이 패턴들(111)의 확대된 부분을 예시한다. 다이 패턴들(111)은 당해 기술 분야에서 사용되는 임의의 마스크, 이를테면, 리소그래피 마스크, 디지털 마스크, 또는 가상 마스크일 수 있다. 도 1b의 확대된 부분은 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D) 사이의 예시적인 교차를 예시한다. 도 1b는 대응하는 다이들(101)(도 1c에 예시됨)에서 생성될 다이 패턴들(111)을 예시한다. 예컨대, 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)은 도 1c의 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)을 생성하는 데 사용된다.
[0024] 도 1b에 예시된 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)은 유사하지만, 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 따라서 아래의 도 1c에서 설명되는 바와 같이 증착된 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)은 각각의 다이에 대해 동일하거나 상이할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 다이 패턴들(111) 및 다이들의 코너들을 예시하는 도 1b - 도 1c에는 예시되지 않지만, 다이 패턴들이 다이 패턴 전체에 걸쳐 연장된다는 것이 이해되어야 한다.
[0025] 도시된 바와 같이, 각각의 다이 패턴(111)은 에지 패턴 구역(119)을 포함한다(예컨대, 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)은 에지 패턴들(119A, 119B, 119C, 119D)을 각각 포함함). 에지 패턴 구역(119)은 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛ 폭이다. 에지 패턴 구역(119)의 크기는 최종 다이(101)의 기능이 영향을 받지 않을 정도로 충분히 작다. 도시된 바와 같이, 에지 패턴 구역들(119)(이를테면, 119A, 119B, 119C, 119D)은 복수의 에지 피처 패턴들(112)(이를테면, 112A, 112B, 112C, 112D), 및 하나 이상의 에지 경계 피처 패턴들(113)(이를테면, 113A, 113B, 113C, 113D)을 포함한다. 복수의 에지 피처 패턴들(112) 각각은 x-방향, y-방향으로 각각 거리들(a, b)만큼 서로 분리된다. a, b 거리들은 주어진 다이 패턴(111)에서, 또는 다이 패턴들(예컨대, 111A 및 111B) 사이에서 동일하거나 상이할 수 있다. a, b 거리들은 주어진 다이 패턴(111) 전체에 걸쳐 변할 수 있다. 거리들(a, b)은 약 1 nm 내지 약 5 ㎛일 수 있다. 직사각형 그리드로서 도시되지만, 에지 피처 패턴들(112)은 임의의 어레인지먼트를 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0026] 에지 경계 피처 패턴들(113)은 길이(L')를 갖는 제1 부분(113') 및 제2 길이(L'')를 갖는 제2 부분(113'')을 가질 수 있다. 길이들(L', L'')은 약 100 nm 내지 약 10 ㎛일 수 있다. 주어진 에지 경계 피처 패턴(113)에 대한 길이들(L', L'')은 다른 에지 경계 피처 패턴들과 동일하거나 상이할 수 있는데, 예컨대, 에지 경계 피처 패턴(113A)의 제1 부분(113A')의 길이(L')는 에지 경계 피처 패턴(113B)의 제1 부분(113B')의 길이(L')와 상이하다. 에지 경계 피처 패턴들(113)이 L-형상을 갖는 것으로 도시되지만, 크로스-형상(cross-shape)과 같은 임의의 형상이 고려된다. 인접한 제1 부분들(113') 사이의 거리(d), 예컨대 113A'와 113C' 사이의 거리 및 113B'와 113D' 사이의 거리(d)는 동일하거나 상이할 수 있다. 마찬가지로, 인접한 제2 부분들(113") 사이의 거리(d), 예컨대 113A"와 113B" 사이의 거리(d) 및 113C"와 113D" 사이의 거리(d)는 동일하거나 상이할 수 있다. 거리들(d)은 약 50 nm 내지 약 5 ㎛일 수 있다.
[0027] 각각의 다이 패턴(111)에 대해, 패턴 내의 2개 이상의 피처들 사이의 거리 및 방향에 의해 패턴 벡터(115)가 정의된다. 예컨대, 2개의 에지 피처 패턴들(112A) 사이의 거리에 의해 패턴 벡터(115A)가 정의된다. 다른 예에서, 에지 피처 패턴(112A)과 경계 피처 패턴(113A) 사이에 패턴 벡터(115A)가 정의된다(미도시). 또 다른 예에서, 경계 피처 패턴(113A)의 제1 부분(113A')과 에지 피처 패턴(112A) 사이에 패턴 벡터(115A)가 정의된다(미도시). 각각의 경우에, 각각의 다이 패턴(111)(예컨대, 다이 패턴(111A))은 대응하는 패턴 벡터(115)(예컨대, 115A)를 갖는다. 대응하는 다이 패턴들(111) 사이에서 패턴 벡터들(115)을 비교하기 위해(예컨대, 다이 패턴(111A)에 대한 패턴 벡터(115A)를 다이 패턴(111B)에 대한 패턴 벡터(115B)와 비교하기 위해), 대응하는 다이 패턴들 사이에서 패턴 벡터들(115)의 정의는 일관적이다. 도 1b는, 자신들의 대응하는 패턴 벡터들(115A, 115B, 115C, 115D)을 갖는 4개의 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)을 예시한다.
[0028] 가상 또는 디지털 마스크의 경우, 패턴 벡터(115)는, 예컨대, 마스크의 픽셀들에 의해 거리들 및 각도들을 측정하여 디지털 방식으로 결정될 수 있다. 물리적 마스크의 경우, 패턴 벡터(115)는 SEM(scanning electron microscope)과 같은 임의의 원하는 이미징 기법을 사용하여 결정될 수 있다. 다른 가능한 이미징 기법들은 임의의 파장의 광을 사용하는 명시야 검사 및 광학 검사를 포함한다.
[0029] 인접한 다이 패턴들(111) 사이의 패턴 벡터들(115)은 다이 패턴들의 올바른(correct) 배향 및 배치를 서로에 대해 비교하는 데 사용된다. 예컨대, 다이 패턴(111A)의 패턴 벡터(115A)는 다이 패턴(111B)의 패턴 벡터(115B)와 비교될 수 있다. 도 1b에서, 예시된 패턴 벡터들(115A, 115B)은 서로에 대해 올바르게 배향되고, 따라서 다이 패턴들(111A, 111B)은 올바르게 정렬된다.
[0030] 도 1c는 일 실시예에 따른, 다이들(101)의 확대된 부분을 예시한다. 도 1c의 확대된 부분은 다이들(101A, 101B, 101C, 101D) 사이의 예시적인 교차를 예시한다. 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)은 도 1b에 예시된 대응하는 다이 패턴들(111A, 111B, 111C, 111D)로부터 증착된 패턴들이다. 도 1c에 예시된 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)이 유사하지만, 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)은 서로 동일하거나 상이할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 다이들(101) 각각은 광학 디바이스의 의도된 기능에 따라 특정 파장들의 광을 반사 및/또는 투과시키도록 구성된다.
[0031] 도시된 바와 같이, 각각의 다이(101)는 에지 구역(109)을 포함한다(예컨대, 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)은 에지 구역들(109A, 109B, 109C, 109D)을 각각 포함함). 에지 구역들(109)(예컨대, 109A, 109B, 109C, 109D) 각각은 다이 패턴들(111)(예컨대, 111A, 111B, 111C, 111D)의 동등한 에지 패턴 구역들(119)(예컨대, 119A, 119B, 119C, 119D)에 대응하는 패터닝된 재료를 포함한다. 에지 구역(109)은 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛ 폭이다. 에지 구역(109)의 크기는 다이(101)의 기능이 영향을 받지 않을 정도로 충분히 작다. 도시된 바와 같이, 에지 구역들(109)(이를테면, 109A, 109B, 109C, 109D)은 복수의 에지 피처들(102)(이를테면, 102A, 102B, 102C, 102D), 및 하나 이상의 에지 경계 피처들(103)(이를테면, 103A, 103B, 103C, 103D)을 포함한다. 복수의 에지 피처들(102)(예컨대, 102A, 102B, 102C, 102D) 각각은 동등한 에지 피처 패턴들(112)(예컨대, 112A, 112B, 112C, 112D)에 대응하는 패터닝된 재료를 포함한다. 복수의 에지 경계 피처들(103)(예컨대, 103A, 103B, 103C, 103D) 각각은 동등한 에지 경계 피처 패턴들(113)(예컨대, 113A, 113B, 113C, 113D)에 대응하는 패터닝된 재료를 포함한다. 복수의 에지 피처들(102)은 x-방향, y-방향으로 각각 거리들(a, b)만큼 서로 분리된다. a, b 거리들은 주어진 다이(101)에서, 또는 다이 패턴들(예컨대, 101A 및 101B) 사이에서 동일하거나 상이할 수 있다. a, b 거리들은 주어진 다이(101) 전체에 걸쳐 변할 수 있다. 거리들(a, b)은 약 50 nm 내지 약 5000 ㎛일 수 있다. 직사각형 그리드로서 도시되지만, 에지 피처들(102)은 임의의 어레인지먼트를 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0032] 복수의 에지 피처들(102)은 당해 기술 분야의 광학 디바이스들에서 사용되는 임의의 피처들을 포함한다. 복수의 에지 피처들(102)은 약 10 nm 내지 약 100 ㎛, 이를테면, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 약 20 nm 내지 약 200 nm, 또는 약 60 nm 내지 약 500 nm의 CD들(이를테면, 높이 및 폭)을 갖는다. 일 실시예에 따르면, 복수의 에지 피처들(102)은 비아들 또는 홀들을 포함한다. 일 실시예에 따르면, 복수의 에지 피처들(102)은 공간 라인(space line)들을 포함한다.
[0033] 일 실시예에 따르면, 복수의 에지 피처들(102)은 필라(pillar)들, 이를테면, 메타렌즈 어레이들에서 사용되는 필라들을 포함한다. 복수의 에지 피처들(102)은 필터링할 광의 원하는 스펙트럼에 따라 상이한 형상들을 갖는다. 복수의 에지 피처들(102)은 실질적으로 원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형일 수 있거나, 또는 고르지 않은 형상을 가질 수 있다. 복수의 에지 피처들(102)은, 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 갈륨 비소, 갈륨 질화물, 및 니오븀 산화물과 같은(그러나 이에 제한되지 않음) 임의의 적절한 고 굴절률 재료로 제조될 수 있다. 복수의 에지 피처들(102)은 또한, 금, 은, 또는 구리와 같은 금속성 재료들로 제조될 수 있다.
[0034] 복수의 에지 피처들(102)은 약 20 nm 내지 약 500 nm인 CD(critical dimension), 이를테면, 폭 또는 반경을 갖는다. 복수의 에지 피처들(102)은 약 10 nm 내지 약 2 ㎛인 높이를 갖는다. 일부 실시예들에 따르면, 복수의 에지 피처들(102)의 CD, 높이, 형상, 재료, 및 피처 분리 거리는, 좁은 파장 대역의 광을 제외하고 모두 필터링 아웃(filter out)하는 다이들(101)을 생성하도록 선택된다.
[0035] 일 실시예에서, 복수의 에지 피처들(102)은 원형 또는 타원형 형상의 컬럼(column)들이며, 컬럼들은 실리콘 이산화물(SiO2), 실리콘(Si), 티타늄 이산화물(TiO2), 갈륨 질화물(GaN) 재료를 함유하고, 컬럼들은 약 30 nm 내지 500 nm의 반경을 갖고, 컬럼들은 약 10 nm 내지 2 ㎛의 높이를 가지며, 컬럼들은 약 30 nm 내지 약 5000 nm의 분리를 갖는다.
[0036] 에지 경계 피처들(103)은 길이(L')를 갖는 제1 섹션(103') 및 제2 길이(L'')를 갖는 제2 섹션(103'')을 가질 수 있다. 길이들(L', L'')은 약 100 nm 내지 약 10 ㎛일 수 있다. 주어진 에지 구역(109)에 대한 길이들(L', L'')은 다른 에지 구역들과 동일하거나 또는 상이할 수 있는데, 예컨대, 에지 경계 피처(103A)의 제1 섹션(103A')의 길이(L')는 에지 경계 피처(103B)의 제1 섹션(103B')의 길이(L')와 상이하다. 에지 경계 피처들(103)이 L-형상을 갖는 것으로 도시되지만, 크로스-형상과 같은 임의의 형상이 고려된다.
[0037] 하나 이상의 에지 경계 피처들(103)은 복수의 에지 피처들(102)에 포함된 동일한 재료를 포함할 수 있다. 인접한 제1 섹션들(103') 사이의 거리(d), 예컨대 103A'와 103C' 사이의 거리 및 103B'와 103D' 사이의 거리는 동일하거나 상이할 수 있다. 마찬가지로, 인접한 제2 섹션들(103") 사이의 d 거리, 예컨대 103A"와 103B" 사이의 거리 및 103C"와 103D" 사이의 거리는 동일하거나 상이할 수 있다. 거리들(d)은 약 1 nm 내지 약 5000 ㎛일 수 있다.
[0038] 각각의 다이(101)에 대해, 다이 내의 2개의 피처들 사이의 거리 및 방향에 의해 다이 벡터(105)가 정의된다. 예컨대, 2개의 에지 피처들(102A) 사이의 거리에 의해 다이 벡터(105A)가 정의된다. 다른 예에서, 에지 피처(102A)와 에지 경계 피처(103A) 사이에 다이 벡터(105A)가 정의된다(미도시). 또 다른 예에서, 경계 피처(103A)의 제1 부분(103A')과 에지 피처(102A) 사이에 다이 벡터(105A)가 정의된다(미도시). 각각의 경우에, 각각의 다이(101)(예컨대, 다이(101A))는 대응하는 다이 벡터(105)(예컨대, 105A)를 갖는다. 다이 벡터(105)는 다이(101)의 이미지를 사용하여 결정될 수 있고, 다이 벡터는 다이의 이미지의 픽셀들 사이의 거리들을 측정함으로써 결정된다. 임의의 원하는 이미징 기법, 이를테면, SEM이 다이의 이미지를 만드는 데 사용될 수 있다. 다른 가능한 이미징 기법들은 임의의 파장의 광을 사용하는 명시야 검사 및 광학 검사를 포함한다. 원하는 광 파장은 에지 피처들(102) 및 에지 경계 피처들(103)의 CD들을 매칭시키도록 당업자에 의해 선택될 수 있다. 다이 벡터(105)의 오차는 대략 하나의 픽셀의 크기이다. 도 1c는, 자신들의 대응하는 다이 벡터들(105A, 105B, 105C, 105D)을 갖는 4개의 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)을 예시한다.
[0039] 인접한 다이들(101) 사이의 다이 벡터들(105)은 다이 패턴들의 올바른 배향 및 배치를 서로에 대해 비교하는 데 사용된다. 예컨대, 다이(101A)의 다이 벡터(105A)는 다이(101B)의 다이 벡터(105B)와 비교될 수 있다. 도 1c에서, 예시된 다이 벡터들(105A, 105B)은 서로에 대해 올바르게 배향되고, 따라서 다이들(101A, 101B)은 올바르게 정렬된다.
[0040] 다이 패턴(111)을 사용한 다이(101)의 생성 동안, 복수의 에지 피처들(102)의 치수들은 다이 패턴(111)의 복수의 에지 피처 패턴들(112)과 상이할 수 있다. 예컨대, 프로세스 드리프트가 에지 피처 패턴(112)으로부터 에지 피처(102)의 위치의 시프트를 초래할 수 있거나, 에지 피처의 두께가 에지 피처 패턴으로부터 변할 수 있거나, 다이의 하부 기판이 불균일할 수 있거나, 다이의 촬영된 이미지에 잡음이 있을 수 있거나, 또는 다이의 이미지를 만드는 데 사용된 패턴 인식 알고리즘에 오차가 있을 수 있다. 이러한 경우들에서, 다이 벡터(105)(예컨대, 도 1c에 예시된 다이 벡터(105A))는 패턴 벡터(115)(예컨대, 도 1b에 예시된 패턴 벡터(115A))로부터 변할 수 있다. 따라서, 다이 벡터(105)와 패턴 벡터(115)의 비교는 다음 다이(101)를 위한 다이 패턴(111)을 정교화(refine)하는 데 사용된다. 다이 벡터(105A)와 패턴 벡터(115A) 사이에 정의된 각도(θAA')는 아래의 공식을 사용하여 계산되고,
[0041]
Figure pct00001
[0042] 여기서, 일 실시예에 따르면, |vA|는 다이 벡터의 절대 값이고, |vA'|는 패턴 벡터의 절대 값이다. 작은 각도들의 경우, 공식은 아래와 같이 단순화되고,
[0043]
Figure pct00002
[0044] 작은 θAA'에 대해
Figure pct00003
와 같다. 일 실시예에 따르면, 다이 벡터(105A)의 x-성분은 패턴 벡터(115A)의 x-성분과 비교되고, 다이 벡터(105A)의 y-성분은 패턴 벡터(115A)의 y-성분과 비교된다. 일 실시예에 따르면, 각도(θAA')의 오차는 약 150 arcsec 미만이다. x-성분 차이, y-성분 차이, 및 각도(θAA')는 다이 패턴(111A)을 보정(correct)하는 데 사용될 수 있으며, 이는 다이(101A)의 더 정확한 증착을 유발한다.
[0045] 도 1d는 일 실시예에 따른, 다이들(101)의 확대된 부분을 예시한다. 도 1d의 확대된 부분은 에지 구역들(109E, 109F, 109G, 109H)을 각각 포함하는 4개의 다이들(101E, 101F, 101G, 101H)의 교차를 예시한다. 적절하게 정렬된 4개의 다이들(101A, 101B, 101C, 101D)의 교차를 예시하는 도 1c와 비교하여, 도 1d는 부적절하게 정렬된 4개의 다이들(101E, 101F, 101G, 101H)의 교차를 예시한다. 예컨대, 다이들(101E, 101F, 101G, 101H)은 서로에 대해 대략 90°에 있지 않은 것으로서 예시되며, 그에 따라, 다이들 각각의 코너들은 대략 90° 각도로 만나지 않는다.
[0046] 각각의 다이(101)에 대해, 다이 내의 2개의 피처들 사이의 거리 및 방향에 의해 다이 벡터(105)가 정의된다. 예컨대, 2개의 에지 피처들(102E) 사이의 거리에 의해 다이 벡터(105E)가 정의된다. 다른 예에서, 에지 피처(102E)와 경계 피처(103E) 사이에 다이 벡터(105E)가 정의된다(미도시). 또 다른 예에서, 경계 피처(103E)의 제1 부분(103E')과 에지 피처(102E) 사이에 다이 벡터(105E)가 정의된다(미도시). 각각의 경우에, 각각의 다이(101)(예컨대, 다이(101E))는 대응하는 다이 벡터(105)(예컨대, 105E)를 갖는다. 도 1d는, 자신들의 대응하는 다이 벡터들(105E, 105F, 105G, 105H)을 갖는 4개의 다이들(101E, 101F, 101G, 101H)을 예시한다.
[0047] 인접한 다이 패턴들(111) 사이의 다이 벡터들(105)은 다이 패턴들의 올바른 배향 및 배치를 서로에 대해 비교하는 데 사용된다. 예컨대, 다이(101E)의 다이 벡터(105E)는 다이(101F)의 다이 벡터(105F)와 비교될 수 있다. 도 1d에서, 예시된 다이 벡터들(105E, 105F)은 서로에 대해 올바르게 배향되지 않았으며, 따라서 다이들(101E, 101F)은 올바르게 정렬되지 않는다.
[0048] 따라서, 다이(101E)의 다이 벡터(105E)와 다이(101F)의 다이 벡터(105F)의 비교는 다음 다이(101E, 101F) 증착을 위한 대응하는 다이 패턴들(111E, 111F)을 정교화하는 데 사용된다. 다이 벡터(105E)와 다이 벡터(105F) 사이에 정의된 각도(θEF)는 아래의 공식을 사용하여 계산되고,
[0049]
Figure pct00004
[0050] 여기서, 일 실시예에 따르면, |vE|는 다이 벡터(105E)의 절대 값이고, |vF|는 다이 벡터(105F)의 절대 값이다. 작은 각도들의 경우, 공식은 아래와 같이 단순화되고,
[0051]
Figure pct00005
[0052] 작은 θEF에 대해
Figure pct00006
와 같다. 일 실시예에 따르면, 다이 벡터(105E)의 x-성분은 다이 벡터(105F)의 x-성분과 비교되고, 다이 벡터(105E)의 y-성분은 다이 벡터(105F)의 y-성분과 비교된다. x-성분 차이, y-성분 차이, 및 각도(θEF)는 다이 패턴들을 보정하는 데 사용될 수 있으며, 이는 다이들(101E, 101F)의 더 정확한 증착을 유발한다. 일 실시예에 따르면, 각도(θEF)의 오차는 약 150 arcsec 미만이다. 예컨대, 도 1d에 예시된 다이들(101)에서, 각도(θEF)는 인접한 다이들(101E, 101F) 사이의 각도 오정렬과 대략 동일하다.
[0053] 위에서 설명된 바와 같이, 정렬 벡터들은 다이들(101) 및/또는 다이 패턴들(111)의 피처들을 서로 비교하는 데 사용될 수 있다. 정렬 벡터들은(도 1c - 도 1d에 예시된) 다이 벡터들(105)과 (도 1b에 예시된) 패턴 벡터들(115)의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 정렬 벡터들 사이의 비교들의 가능한 조합들은 인접한 다이들(101)의 다이 벡터들(105) 사이의 비교들(예컨대, 다이 벡터들(105A 및 105B)의 비교), 인접한 다이 패턴들(111)의 패턴 벡터들(115) 사이의 비교들(예컨대, 패턴 벡터들(115A 및 115B)의 비교), 및 다이 벡터들(105)과 패턴 벡터들(115) 사이의 비교들(예컨대, 다이 벡터(105A)와 패턴 벡터(115A)의 비교)을 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 2개의 정렬 벡터들 사이의 비교들이 위에서 그리고 아래에서 설명되지만, 임의의 수의 정렬 벡터들의 비교가 수행될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0054] 게다가, 다이 시스템(100)의 다이들(101)이 단일 층의 동일한 x-y 평면에 있는 것으로 도시되지만(예컨대, 도 1c에 예시된 다이들(101A, 101B, 101C, 101D); 도 1d에 예시된 다이들(101E, 101F, 101G, 101H)), 정렬 벡터들은 상이한 층들의 다이들에 대해 결정될 수 있고, 상이한 층들의 정렬 벡터들 사이의 비교는 아래의 도 2 및 도 3에서 설명된 바와 같이 수행될 수 있다.
[0055] 도 2는 일 실시예에 따른, 정렬 벡터들을 비교하기 위한 방법(200) 동작들의 흐름도이다. 방법(200) 동작들이 도 2와 관련하여 설명되지만, 당업자들은 임의의 순서로 방법 동작들을 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본원에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0056] 방법(200)은 동작(210)에서 시작되며, 여기서 제1 정렬 벡터(v1)가 결정된다. 위에서 설명된 바와 같이, 제1 정렬 벡터는 다이 벡터(105) 또는 패턴 벡터(115)일 수 있다. 제1 정렬 벡터(v1)는 당해 기술 분야의 임의의 적절한 리소그래피 툴 또는 계측 툴을 사용하여 결정될 수 있다.
[0057] 일부 실시예들에 따르면, 제1 정렬 벡터(v1)는 다이 벡터(105A)이다. 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제1 x 성분은 제1 다이(101A)의 복수의 에지 피처들(102A) 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 제1 y 성분은 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하다. 일부 실시예들에 따르면, 제1 정렬 벡터(v1)는 패턴 벡터(115)이다. 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제1 x 성분은 제1 다이 패턴(111A)의 복수의 에지 피처 패턴들(112A) 중 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 x 거리와 동일하고, 제1 y 성분은 제1 다이 패턴의 복수의 에지 피처 패턴들 중 동일한 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 y 거리와 동일하다.
[0058] 동작(220)에서, 제2 정렬 벡터(v2)가 결정된다. 제2 정렬 벡터(v2)는 당해 기술 분야의 임의의 적절한 리소그래피 툴 또는 계측 툴을 사용하여 결정될 수 있다.
[0059] 일부 실시예들에 따르면, 제2 정렬 벡터(v2)는 다이 벡터(105B)이다. 제2 정렬 벡터(v2)는 제2 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제2 x 성분은 제2 다이(101B)의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 제2 y 성분은 제2 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하다.
[0060] 일부 실시예들에 따르면, 제2 정렬 벡터(v2)는 패턴 벡터(115B)이다. 제2 정렬 벡터(v2)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제2 x 성분은 제2 다이 패턴(111B)의 복수의 에지 피처 패턴들(112B) 중 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 x 거리와 동일하고, 제1 y 성분은 제2 다이 패턴의 복수의 에지 피처 패턴들 중 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 y 거리와 동일하다. 동작(230)에서, 제1 정렬 벡터(v1) 및 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)가 결정된다.
[0061] 각도(θ12)는 아래의 공식을 사용하여 계산되고,
[0062]
Figure pct00007
[0063] 여기서, 일 실시예에 따르면, |v1|는 제1 정렬 벡터(v1)의 절대 값이고, |v2|는 제2 정렬 벡터(v2)의 절대 값이다. 작은 각도들의 경우, 공식은 아래와 같이 단순화되고,
[0064]
Figure pct00008
[0065] 작은 θ12에 대해
Figure pct00009
와 같다.
[0066] 동작(240)에서, 제1 다이 패턴(111A) 및/또는 제2 다이 패턴(111B)에 대해 이루어질 하나 이상의 보정들이 결정된다. 일 실시예에 따르면, 제1 다이 패턴(111A) 및 제2 다이 패턴(111B)에 대한 하나 이상의 보정들을 결정하는 것은, 각도(θ12)에 기반하여 제1 다이 패턴을 제1 변경된 다이 패턴으로 변경하는 것, 및 각도(θ12)에 기반하여 제2 다이 패턴을 제2 변경된 다이 패턴으로 변경하는 것을 포함한다.
[0067] 제2 정렬 벡터(v2)는 제1 정렬 벡터(v1)와 유사한데; 즉, 정렬 벡터들(v1 및 v2) 사이의 다이-다이 각도(θ12)는 작을 것으로 예상된다. 예컨대, 제1 정렬 벡터(v1)가 다이 패턴에 대한 다이 벡터(예컨대, 다이(101A)에 대한 다이 벡터(105A))이고 제2 정렬 벡터(v2)가 다이 패턴에 대한 패턴 벡터(예컨대, 다이 패턴(111A)에 대한 패턴 벡터(115A))인 실시예에서, 작은 다이-다이 각도(θ12)는, 증착된 다이가 다이 패턴과 유사할 것으로 예상된다. 그러나, 위에서 열거된 프로세스 드리프트 또는 다른 팩터들로 인해, 큰 다이-다이 각도(θ12)는 다이(101A) 및 연관된 다이 패턴이 다이 패턴(111A)과 매칭되지 않음을 표시할 수 있고, 그에 따라, 하나 이상의 보정들이 향후의(future) 다이 패턴들에서 이루어질 수 있다. 예컨대, 대응하는 다이의 피처들이 제자리를 벗어나면, 다이 패턴(111A)의 패턴 피처들이 시프트될 수 있다.
[0068] 다른 예에서, 제1 정렬 벡터(v1)가 제1 다이 패턴에 대한 다이 벡터(예컨대, 다이(101A)에 대한 다이 벡터(105A))이고 제2 정렬 벡터(v2)가 제2 다이 패턴에 대한 다이 벡터(예컨대, 다이 패턴(101B)에 대한 다이 벡터(105B))인 실시예에서, 작은 다이-다이 각도(θ12)는, 인접한 다이들이 서로 유사할 것으로 예상된다. 그러나, 위에서 열거된 프로세스 드리프트 또는 다른 팩터들로 인해, 큰 다이-다이 각도(θ12)는 인접한 다이들이 매칭되지 않음을 표시할 수 있고, 그에 따라 하나 이상의 보정들이 향후의 다이 패턴들에서 이루어질 수 있다. 예컨대, 2개의 다이들이 올바르게 정렬되지 않으면(예컨대, 도 1d에 예시된 다이들(101E, 101F)), 제1 다이 패턴에 대한 전체 제2 다이 패턴의 각도가 조정될 수 있다.
[0069] 도 3은 일 실시예에 따른, 다이 정렬을 결정하기 위한 방법에 대한 방법(300) 동작들의 흐름도이다. 방법(300) 동작들이 도 3과 관련하여 설명되지만, 당업자들은 임의의 순서로 방법 동작들을 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본원에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0070] 방법(300)은 동작(310)에서 시작되며, 여기서 제1 다이(101A)가 증착되고 제1 복수의 에지 피처들(102A)이 생성된다. 위에서 설명된 바와 같이, 제1 다이(101A)는 제1 다이 패턴(111A)을 사용하여 생성될 수 있다.
[0071] 동작(320)에서, 제2 다이(101B)가 증착되고, 제2 복수의 에지 피처들(102B)이 생성된다. 위에서 설명된 바와 같이, 제2 다이(101B)는 제2 다이 패턴(111B)을 사용하여 생성될 수 있다.
[0072] 동작(210)에서, 제1 정렬 벡터(v1)가 결정된다. 제1 정렬 벡터(v1)는 다이 벡터(105A)이다. 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제1 x 성분은 제1 다이(101A)의 복수의 에지 피처들(102A) 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 제1 y 성분은 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 동일한 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하다. 제1 정렬 벡터(v1)는 당해 기술 분야의 임의의 적절한 계측 툴을 사용하여 결정될 수 있다.
[0073] 동작(220)에서, 제2 정렬 벡터(v2)가 결정된다. 제2 정렬 벡터(v2)는 다이 벡터(105B)이다. 제2 정렬 벡터(v2)는 제2 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의된다. 제2 x 성분은 제2 다이(101B)의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 제2 y 성분은 제2 다이의 복수의 에지 피처들 중 동일한 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하다. 제2 정렬 벡터(v2)는 당해 기술 분야의 임의의 적절한 계측 툴을 사용하여 결정될 수 있다.
[0074] 동작(230)에서, 제1 정렬 벡터(v1) 및 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)가 결정된다.
[0075] 다이-다이 각도(θ12)는 아래의 공식을 사용하여 계산되고,
[0076]
Figure pct00010
[0077] 여기서, 일 실시예에 따르면, |v1|는 제1 정렬 벡터(v1)의 절대 값이고, |v2|는 제2 정렬 벡터(v2)의 절대 값이다. 작은 각도들의 경우, 공식은 아래와 같이 단순화되고,
[0078]
Figure pct00011
[0079] 작은 θ12에 대해
Figure pct00012
와 같다.
[0080] 동작(330)에서, 제2 다이 패턴(111A)에 대해 이루어질 보정을 결정하기 위해, 제1 정렬 벡터(v1)와 제2 정렬 벡터(v2)가 비교된다. 일 실시예에서, 제1 다이 패턴(111A)은 기준 다이로서 사용되고, 정렬 보정 데이터는 계측 툴에 의해 저장되고 동시에 리소그래피 툴에 전송된다. 정렬 보정 데이터는 동작(340)에서의 노출의 다음 사이클 동안 제2 다이 정렬을 보정하는 데 사용된다. 따라서, 정렬 보정 데이터는 제1 변경된 다이 패턴(111A')을 만드는 데 사용된다. 제1 변경된 다이 패턴(111A')은 제1 정렬 벡터(v1)와 제2 정렬 벡터(v2)의 비교로부터의 개선들을 포함한다.
[0081] 동작(340)에서, 제2 다이 패턴(111B)에 대해 이루어질 보정을 결정하기 위해, 제1 정렬 벡터(v1)와 제2 정렬 벡터(v2)가 비교된다. 제2 다이 패턴(111B)은 제2 변경된 다이 패턴(111B')으로 변경된다. 제2 변경된 다이 패턴(111B')은 제1 정렬 벡터(v1)와 제2 정렬 벡터(v2)의 비교로부터의 개선들을 포함한다. 일 실시예에 따르면, 제2 변경된 다이 패턴(111B')은 동작(330)에서 결정된 정렬 보정 데이터의 일부 또는 전부를 포함한다.
[0082] 위에서 설명된 바와 같이, 정렬 벡터들을 비교하는 방법 및 다이 시스템이 본원에서 개시된다. 다이 시스템은 원하는 패턴으로 배열된 복수의 다이들을 포함한다. 정렬 벡터, 이를테면, 다이 벡터는 다이의 에지 피처들로부터 결정될 수 있다. 정렬 벡터들은 동일한 시스템 내의 다른 다이들 또는 다이 패턴들과 비교될 수 있다. 다이들 및 다이 패턴들을 비교하는 방법은 다이 벡터들 및/또는 패턴 벡터들을 비교하는 단계를 포함한다. 정렬 벡터들 사이의 비교는 다음 라운드의 프로세싱을 위해 다이 패턴들을 고정시키는 것을 가능하게 한다.
[0083] 제공된 방법들은, 다이들의 정확한 스티칭이 달성될 수 있도록, 증착-직후의 에지 피처들 사이의 정확한 비교들을 가능하게 한다. 다이 벡터와 패턴 벡터를 비교하는 것은 제1 다이 패턴의 오차들로 인한 다음 다이 패턴의 보상을 가능하게 한다. 정렬 벡터는 다이들 및 다이 패턴들 사이의 정렬 및 오버레이를 비교하는 간단한 방식을 제공한다.
[0084] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 다이 시스템으로서,
    복수의 다이들을 포함하며,
    각각의 다이는,
    복수의 디바이스 피처(device feature)들; 및
    하나 이상의 에지 구역들을 포함하며,
    각각의 에지 구역은,
    하나 이상의 에지 경계 피처들; 및
    복수의 에지 피처들을 포함하는,
    다이 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 디바이스 피처들은 하나 이상의 필라(pillar)들을 포함하는,
    다이 시스템.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 디바이스 피처들은 하나 이상의 비아(via)들을 포함하는,
    다이 시스템.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 디바이스 피처들은 하나 이상의 라인 공간들을 포함하는,
    다이 시스템.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 디바이스 피처들 사이의 간격은 상기 복수의 에지 피처들 사이의 간격과 상이한,
    다이 시스템.
  6. 정렬 벡터들을 비교하는 방법으로서,
    제1 다이 및 제1 다이 패턴에 대한 제1 정렬 벡터(v1)를 결정하는 단계;
    제2 다이 및 제2 다이 패턴에 대한 제2 정렬 벡터(v2)를 결정하는 단계;
    상기 제1 정렬 벡터(v1) 및 상기 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계;
    상기 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 상기 제1 다이 패턴을 제1 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계; 및
    상기 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 상기 제2 다이 패턴을 제2 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계를 포함하는,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 정렬 벡터(v1)는 다이 벡터이고,
    상기 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    제1 x 성분은 상기 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고,
    제1 y 성분은 상기 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하고,
    상기 제2 정렬 벡터는 다이 벡터이고,
    상기 제2 정렬 벡터(v2)는 제2 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    상기 제2 x 성분은 상기 제2 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 그리고
    상기 제2 y 성분은 상기 제2 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일한,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계는 수학식
    Figure pct00013
    을 푸는 단계를 포함하며,
    |v1|는 상기 제1 정렬 벡터(v1)의 절대 값이고, 그리고 |v2|는 상기 제1 정렬 벡터(v2)의 절대 값인,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 정렬 벡터는 다이 벡터이고,
    상기 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    제1 x 성분은 상기 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고,
    제1 y 성분은 상기 제1 다이의 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하고,
    상기 제2 정렬 벡터는 패턴 벡터이고,
    상기 제2 정렬 벡터(v2)는 제2 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    상기 제2 x 성분은 상기 제2 다이 패턴의 복수의 에지 피처 패턴들 중 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 x 거리와 동일하고, 그리고
    상기 제2 y 성분은 상기 제2 다이 패턴의 복수의 에지 피처 패턴들 중 2개의 에지 피처 패턴들 사이의 y 거리와 동일한,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계는 수학식
    Figure pct00014
    을 푸는 단계를 포함하며,
    |v1|는 상기 제1 정렬 벡터(v1)의 절대 값이고, 그리고 |v2|는 상기 제1 정렬 벡터(v2)의 절대 값인,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 다이 및 상기 제2 다이 각각은 하나 이상의 에지 경계 피처들을 더 포함하는,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 에지 피처들은 하나 이상의 필라들을 포함하는,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 에지 피처들은 하나 이상의 비아들을 포함하는,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 복수의 에지 피처들은 하나 이상의 라인 공간들을 포함하는,
    정렬 벡터들을 비교하는 방법.
  15. 다이 정렬을 결정하기 위한 방법으로서,
    제1 다이 패턴을 사용하여 제1 다이 상에 제1 복수의 에지 피처들을 생성하는 단계;
    제2 다이 패턴을 사용하여 제2 다이 상에 제2 복수의 에지 피처들을 생성하는 단계;
    상기 제1 다이에 대한 제1 정렬 벡터(v1)를 결정하는 단계;
    상기 제2 다이에 대한 제2 정렬 벡터(v2)를 결정하는 단계;
    상기 제1 정렬 벡터(v1) 및 상기 제2 정렬 벡터(v2)를 사용하여 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계;
    상기 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 상기 제1 다이 패턴을 제1 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계; 및
    상기 다이-다이 각도(θ12)에 기반하여 상기 제2 다이 패턴을 제2 변경된 다이 패턴으로 변경하는 단계를 포함하는,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 제1 변경된 다이 패턴을 상기 제1 다이 패턴으로서 사용하고 그리고 상기 제2 변경된 다이 패턴을 상기 제2 다이 패턴으로서 사용하여 반복되는,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 정렬 벡터(v1)는 다이 벡터이고,
    상기 제1 정렬 벡터(v1)는 제1 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    상기 제1 x 성분은 상기 제1 다이의 제1 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고,
    상기 제1 y 성분은 상기 제1 다이의 제1 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일하고,
    상기 제2 정렬 벡터(v2)는 다이 벡터이고,
    상기 제2 정렬 벡터(v2)는 제2 x 성분 및 제2 y 성분에 의해 정의되고,
    상기 제2 x 성분은 상기 제2 다이의 제2 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 x 거리와 동일하고, 그리고
    상기 제2 y 성분은 상기 제2 다이의 제2 복수의 에지 피처들 중 2개의 에지 피처들 사이의 y 거리와 동일한,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 다이-다이 각도(θ12)를 결정하는 단계는 수학식
    Figure pct00015
    을 푸는 단계를 포함하며,
    |v1|는 상기 제1 정렬 벡터(v1)의 절대 값이고, 그리고 |v2|는 상기 제1 정렬 벡터(v2)의 절대 값인,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 다이 및 상기 제2 다이 각각은 하나 이상의 에지 경계 피처들을 더 포함하는,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 디바이스 피처들은 하나 이상의 필라들을 포함하는,
    다이 정렬을 결정하기 위한 방법.
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