JPH1097983A

JPH1097983A - 位置検出方法

Info

Publication number: JPH1097983A
Application number: JP8269081A
Authority: JP
Inventors: Hideki Koitabashi; 秀樹小板橋
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-09-20
Filing date: 1996-09-20
Publication date: 1998-04-14

Abstract

(57)【要約】【課題】パターンマッチング方式の位置検出方法におけ
るベースライン計測及びベースライン計測で求められた
装置の座標系に対して感光基板を所定の位置へ位置決め
することを可能ならしめること。【解決手段】予め基準となる所定のマークの第１の映像
信号をテンプレートとして記憶しておき、パターンマッ
チングを行う被処理画像から所定領域内のアライメント
マークを撮像して第２の映像信号を検出し、該第２の映
像信号から前記テンプレートに対応する映像信号を検出
して、該映像信号の位置を検出するパターンマッチング
式の位置検出方法において、前記基準となる所定のマー
クは、プレートアライメント等のパターンマッチングに
使用する被処理画像内のアライメントマークに形状及び
／又は見えが極力近いようにソフトウェアにより人為的
に合成されたパターン（シンセティックモデル）とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレチクル上
の像を感光基板上に投影する露光装置等に使用される位
置検出方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来ベースラインの計測はレーザ走査型
センサーあるいは特開昭６３−５５２１に示される様な
方法で、そのシーケンスは本質的には特開昭５６−１０
２８２３で示される方法で行われていた。一方従来のパ
ターンマッチング方式の位置検出方法でベースラインの
計測及びベースライン計測で求められた装置の座標系に
対して感光基板を所定の位置への位置決めをすることは
不可能であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】パターンマッチング等
の位置検出方法を新たに投影露光装置内で利用するため
には、一般的に、該検出方法の該装置内における絶対的
な座標系を設けるため、所謂ベースライン計測を行う必
要がある。

【０００４】しかしながら、パターンマッチング式の位
置検出方法においては、レーザ走査型等の対象となるマ
ークの位置そのものの検出をする方法とは異なり図５
（ａ）に示すようにマークＭ１を含む被処理画像ｉ１か
ら図５（ｂ）に示すように同じくマークＭ１を含むテン
プレート画像Ｔ１のパターンにマッチする位置を探し出
す。この例においては、テンプレート画像Ｔ１の原点Ｏ
１に対する位置として結果が求められる。ここでベース
ライン計測を行うために欲しい結果は、例えば図５
（ｂ）におけるマークＭ１の中心ＴＳ１に対する図５
（ａ）におけるマークＭ１の中心ｉＳ１の値である。テ
ンプレート画像Ｔ１は予め実際の画像からマークＭ１を
包含するように大きさを適当に操作して、パターンマッ
チング装置に取り込んだ画像であるので、マークＭ１
が、マークＭ１を含む枠内のどの位置に存在するかは知
る方法がない。

【０００５】また、所謂ベースライン計測に用いられる
レチクル上のマーク、あるいはステージ上に設けられる
基準マーク集合体上の基準マークにはマークの劣化等は
存在しないが、一般的にガラスプレート等の感光基板上
に露光されるプレートアライメントに用いられるアライ
メントマークは、感光基板の周辺部に設けられており、
数回に亘る露光プロセスのうちにマークが損傷され、設
計値通りの形状を維持することが困難であり、さらにア
ライメントマーク上に膜厚の異なる種々の膜が積層され
るため、マークの見えもロット毎あるいは感光基板とし
てのプレート内のマーク毎に異なる場合が存在する。こ
のような現象は、アライメント精度の悪化をまねく。

【０００６】本発明は、この様な問題点に鑑みて成され
たもので、テンプレート画像をプレートアライメントの
被処理画像内のアライメントマークの形状や見えに極力
近いものとすべくソフトウェアにより人為的に合成され
たシンセティックモデルのパターンとすることで、前記
問題点を打開し正規化相関法等によるパターンマッチン
グ方式の位置検出方法におけるベースライン計測及びベ
ースライン計測で求められた装置の座標系に対して感光
基板を所定の位置への位置決めを可能ならしめることを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決する為の手段】上記問題点を解決するため
に本発明は、予め基準となる所定のマークの第１の映像
信号をテンプレートとして記憶しておき、パターンマッ
チングを行う被処理画像から所定領域内のアライメント
マークを撮像して第２の映像信号を検出し、該第２の映
像信号から前記テンプレートに対応する映像信号を検出
して、該映像信号の位置を検出するパターンマッチング
式の位置検出方法において、前記基準となる所定のマー
クは、プレートアライメント等のパターンマッチングに
使用する被処理画像内のアライメントマークに形状及び
／又は見えが極力近いようにソフトウェアにより人為的
に合成されたパターン（シンセティックモデル）である
ことを特徴としている。

【０００８】また、前記シンセティックモデルは、設計
値および露光プロセスにより変化を受けた被処理画像内
の所定マークの形状や見えの変化を特徴付けた画像情報
および／又は被処理画像内の任意の位置／もしくは領域
から得られる種々の画像情報に基づいてその作成者とイ
ンタラクティブに作成可能であることを特徴としてい
る。さらに、当該シンセティックモデルを用いて、パタ
ーンマッチングを行う被処理画像内の任意の領域を指定
し、その領域内から種々の画像情報を得、得られた画像
情報を、前記シンセティックモデル作成に反映すること
を特徴としている。

【０００９】

【実施の形態】図６は画像処理方式でアライメントを行
う大型の液晶表示素子基板製造用の投影露光装置の概略
構成を示し、この図６において、水銀ランプ等の光源１
から射出された露光光は、楕円鏡２で焦光された後に図
示を省略したオプティカルインテグレータ等を介してコ
ンデンサーレンズ系３に入射する。コンデンサーレンズ
系３により適度に集光された露光光がほぼ均一な照度で
レチクルＲを照明する。その露光光のもとでレチクルＲ
のパターンが投影光学系ＰＬを介して感光基板としての
感光材が塗布されたガラスプレート４上の各ショット領
域に投影露光される。ガラスプレート４上に複数層の回
路パターンを重ねて形成することにより、大型の液晶表
示素子基板が製造される。

【００１０】ガラスプレート４はＺステージ５上に保持
され、Ｚステージ５はＸＹステージ６上に載置されてい
る。ＸＹステージ６はガラスプレート４を投影光学系Ｐ
Ｌの光軸に垂直な平面（ＸＹ平面）内で位置決めし、Ｚ
ステージ５はガラスプレート４を投影光学系ＰＬの光軸
（Ｚ軸）方向に位置決めする。なお、図示を省略する
も、Ｚステージ５とガラスプレート４との間にはガラス
プレート４を回転させるθテーブルが介装されている。
また、Ｚステージ５上でガラスプレート４の近傍には種
々のアライメント用のマークが形成された基準マーク集
合体７が固定され、更にＸ方向用及びＹ方向用の移動鏡
８が固定されている。９は２軸用のレーザー干渉計、１
０は駆動装置を示し、レーザー干渉計９からのレーザー
ビームが移動鏡７で反射されて、レーザー干渉計９によ
りＸＹステージ５の座標が常時計測され、駆動装置１０
は、レーザー干渉計９で計測された座標値等に基づいて
ＸＹステージ６を駆動する。

【００１１】１１はアライメント用の顕微鏡を示し、レ
チクルＲのアライメント時にはその顕微鏡１１からのア
ライメント光をミラー１２を介してレチクルＲのパター
ン領域近傍のアライメントマークＲＭに照射する。この
アライメントマークＲＭからの反射光がミラー１２で反
射されて顕微鏡１１に戻されるので、例えばレチクルア
ライメント用の顕微鏡１１内部で再結像されるアライメ
ントマークＲＭの像の位置に基づいてレチクルＲの位置
を調整することにより、レチクルＲのアライメントが行
われる。

【００１２】また、顕微鏡１１でレチクルＲのアライメ
ントマークＲＭとＺステージ５上の基準マーク集合体７
内のアライメントマークとを同時に観察して、両者の像
の位置関係よりレチクルＲのアライメントを行ってもよ
い。

【００１３】更に、顕微鏡１１でレチクルＲのアライメ
ントマークとガラスプレート４上のアライメントマーク
とを同時に観察して、両者の位置関係を求めることがで
きる。

【００１４】１３はオートフォーカス検出系の送光系、
１４はオートフォーカス検出系の受光系を示し、送光系
１３からガラスプレート４上にスリットパターン等の検
出パターンの像が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜
めに投影される。その検出パターンの像からの反射光に
より受光系１４内でその検出パターンの像が再結像され
る。再結像された検出パターンの像の位置ずれ量からガ
ラスプレート４の露光面の高さが求められ、Ｚステージ
５によりガラスプレート４の露光面の高さが投影光学系
ＰＬに対するベストフォーカス位置に設定される。

【００１５】また、投影光学系ＰＬの側方には画像処理
用のアライメント光学系が配置されている。このアライ
メント光学系において、１５はプレートアライメント用
の顕微鏡である。ガラスプレート４の図示省略した照明
系により照明された観察領域からの反射光がプレートア
ライメント用の顕微鏡１５及びミラー１６を経て光透過
性の共役指標板１７に入射する。共役指標板１７には指
標マークが描画されており、ガラスプレート４の露光面
と共役指標板１７の指標マークの描画面とは共役であ
り、その描画面にガラスプレート４の観察領域のパター
ンの画像が結像される。更に、共役指標板１７を透過し
た光がリレーレンズ１８により電荷結合型撮像素子（Ｃ
ＣＤ）を用いたＣＣＤカメラ１９の撮像面に集束され、
その撮像面にガラスプレート４の観察領域のパターンの
画像及び共役指標板１７の指標マークの像が結像され
る。ＣＣＤカメラ１９から出力される映像信号（撮像信
号）がパターンマッチング装置２０に供給されている。

【００１６】また、パターンマッチング装置２０はＣＲ
Ｔ２１に接続され、該ＣＲＴによりＣＣＤカメラ１９か
らの映像と共にパターンマッチング装置２０内にストア
されているテンプレート等を表示することが可能であ
る。さらにパターンマッチング装置２０にはトラックボ
ールやマウス等のポインティングデバイス２２が接続さ
れ、パターンマッチング装置２０と操作者とのマンマシ
ンインターフェイスを構成している。また、図示を省略
してあるが、パターンマッチング装置２０は投影露光装
置全体を管理するコンピュータに接続されている。

【００１７】以下に、プレートアライメントの被処理画
像内のアライメントマークに形状及び／又は見えができ
るだけ近いシンセティックモデルから成るテンプレート
を操作者がＣＲＴ２１を観察しながらソフトウェアによ
り人為的に作成する手順について、図１及び図２を用い
て述べる。

【００１８】先ず、露光装置全体を管理する前述のコン
ピュータより設計値に基づいてシンセティックモデルの
サイズ（Ｘｓ，Ｙｓ）、原点Ｏ３及び背景の明るさ（背
景グレイレベル）を多階調で指定する（ステップ１０
１、図２（ａ））。

【００１９】次にステップ１０２で作成すべきマーク図
形のパラメータを仮想原点０２を基準に指定する。パラ
メータは例えば作成すべきマーク図形が多角形であれば
各頂点の位置およびマーク図形の明るさ（グレイレベ
ル）である。ここで指定するマーク図形のパラメータは
設計値とする。次にステップ１０３で直前の画像操作の
再実行とあるが、ここでは対象となる画像操作が無いの
でステップ１０５を行う。

【００２０】前述の如く、所謂ベースライン計測に用い
られるレチクル上のマーク或いは、ステージ上に設けら
れた基準マークの集合体上の基準マークにはマークの劣
化等は存在しないが、一般的に感光基板としてのプレー
ト上に形成されたプレートアライメントに用いられるア
ライメントマークは、該プレートの周辺部に作成され、
数回にわたる露光プロセスにより損傷され、設計値通り
の形状を維持することが困難であり、さらにアライメン
トマーク上に膜厚の異なる種々の膜が積層される為、ア
ライメントマークの見えもロット毎或いは、感光基板と
してのプレート内のアライメントマーク毎に異なる場合
も存在する。そこでステップ１０２において設計値の形
状に作成された図形マークに対し種々の画像操作を行
い、これから行うプレートアライメントの被処理画像内
のアライメントマークに形状および／又は見えが可能な
限り近い画像を作成する。例えば、ぼけを発生させる、
エッジの部分を強調させる、及び／又はコントラストを
反転させる等の効果を持つ画像操作を行う。

【００２１】しかし、被処理画像内のアライメントマー
クの変化も多様であるため、これらの画像操作をなすた
めには、コンピュータ内に設計値の形状、見えの変形に
対応するような情報に基づいて、画像操作情報テーブル
や一覧表を作成しておき、適宜そこからデータを読み出
すようにすると良い。これらの効果を発生する画像操作
の手法は何種類も存在し、それぞれ長所／短所が有りま
た、画像操作を行った結果画像を推測する事に困難が伴
うケースも存在する。従ってシンセティックモデルを作
成するオペレータは試行錯誤しながらモデルを作成しな
ければならない。そのため、種々の画像操作を容易に選
択実行でき、また直前の画像操作を取り消す（ＵＮＤ
Ｏ、ステップ１０６）ことができさらに、直前の操作の
再実行（ＲＥＤＯ、ステップ１０３）等が可能なマンマ
シンインターフェイスが必要となる。この様にして操作
者（作成者）が試行錯誤をしながら最終的なシンセティ
ックモデルが完成した後、パターンマッチング装置２０
にテンプレートとして登録する。

【００２２】尚、図２（ａ）〜（ｃ）に示した図はＣＲ
Ｔ２１に操作毎に表示される。また、各作成ステップは
前記コンピュータを介してパターンマッチング装置２０
に各実行命令を送ることでも、ＣＲＴ２１にビジュアル
的なメニューを作成しポインティングデバイス２２を介
してパターンマッチング装置２０に各実行命令を送るこ
とでも可能である。

【００２３】ところで前述したシンセティックモデル
は、当該シンセティックモデルを用いて、パターンマッ
チングを行う被処理画像内のアライメントマークに極力
似せて作成する必要があるため、被処理画像内から種々
の画像情報を得ることができれば、その情報を用いてよ
り忠実なシンセティックモデルを作成することが可能と
なる。

【００２４】図３（ａ）はガラスプレート４上の被処理
画像内のアライメントマークをプレートアライメント用
の顕微鏡１５を通してＣＣＤカメラ１９により撮像し、
パターンマッチング装置２０に入力した被処理画像の一
例である。ここでポインティングデバイス２２を用い任
意の大きさのウィンドウを任意の位置に配置する（Ｗ１
〜Ｗ３）。これらウィンドウで囲まれた範囲内から各画
素の最小／最大値、メジアン、モード、平均値、標準偏
差、コントラスト値等の画像情報を求めることにより、
これらの値をシンセティックモデルに反映する。こうし
て、より高精度なシンセティックモデルを生成する。例
えばウィンドウＷ１で求めた画素の平均値をステップ１
０１の背景グレイレベルに用い、ウィンドウＷ２で求め
た画素のモード値をステップ１０２の新規マーク図形の
グレイレベル値に用いる等の操作を行う。

【００２５】さらに、ウィンドウＷ３内の各画素をＹ方
向に一次元投影させ（図３（ｂ））、エッジＥＬ、ＥＲ
について任意の次数の関数に近似させ、その結果をステ
ップ１０２の新規マーク図形のボケを発生させる関数と
して指定しても良い。さらに、通常はマーク図形Ｍ３１
は設計値として値は既知のものであるが、プレートアラ
イメント用の顕微鏡１５からＣＣＤカメラ１９までの光
学的要素から倍率やディストーション等が無視できない
場合にはエッジＥＬ、及びＥＲからマーク幅を計測し、
その結果をステップ１０２のマーク図形の位置に反映さ
せる。

【００２６】以上に述べた本機能は、作成したシンセテ
ィックモデルを検討する際にも用いられる。尚、図２
（ａ）〜（ｂ）に示した図は、ＣＲＴ２１に操作毎に表
示される。また、上述の各操作は前記コンピュータを介
してパターンマッチング装置２０に各実行命令を送るこ
とでも、ＣＲＴ２１にビジュアル的なメニューを作製し
ポインティングデバイス２２を介してパターンマッチン
グ装置２０に各実行命令を送ることでも可能である。

【００２７】また、ＣＲＴ２１を上下あるいは左右に画
面分割し、一方の画面で被処理画像情報を得ながらその
情報を基に、もう一方の画面でシンセティックモデルを
作成する構成とすることも可能である。

【００２８】次に、上述のようにして実際に作成したテ
ンプレートを用いて行うベースライン計測の一例を図４
及び図６を用いて説明する。

【００２９】図４（ａ）は、ＸＹステージ６上に配置さ
れている基準マーク集合体７を、ＸＹステージ６を移動
させることにより、プレートアライメント用顕微鏡１５
の下に移動したときに、プレートアライメント用顕微鏡
１５を通りＣＣＤカメラ１９によって撮像された画像で
ある。ここでｉ１〜ｉ４のマークは共役指標板１７上に
ある指標マークであり、ＦＭは基準マーク集合体７上の
基準マークの一つである。図４（ｂ）、図４（ｃ）及び
図４（ｄ）は、それぞれあらかじめ人為的に合成された
テンプレート画像ＴＭ１〜ＴＭ３である。

【００３０】ここでパターンマッチング処理範囲ｉＷ
１，ｉＷ２で示される範囲からテンプレート画像ＴＭ１
を、同じくｉＷ３，ｉＷ４で示される範囲からＴＭ２
を、さらにＭＷ１の範囲からＴＭ３に対して、パターン
マッチングにより位置検出を行う。ここで求められる値
は、テンプレート画像ＴＭ１の原点ｉＯ１に対してｉＲ
１、及びｉＲ２、テンプレート画像ＴＭ２の原点ｉＯ２
に対してｉＲ３、及びｉＲ４、テンプレート画像ＴＭ３
の原点ＭＯ１に対してＭＲ１である。

【００３１】ここでテンプレート画像ＴＭ１〜ＴＭ３の
それぞれの原点ｉＯ１、ｉＯ２及びＭＯ１はそれぞれの
画像に含まれるマークの中心点となっている。

【００３２】以上より、指標マークの中心（ｘｉ，ｙ
ｉ）は次式で示すことができる。

【００３３】

【数１】また、指標マーク中心からの基準マークＦＭの位置ずれ
量は、次式で示すことができる。

【００３４】

【数２】また、パターンマッチング装置内の座標系（ｘ，ｙ）を
投影露光装置内の基準となる座標系であるステージ座標
系（Ｘ，Ｙ）に変換するための係数を次式で求めること
ができる。

【００３５】

【数３】ここでＸpt、およびＹptは既知である指標マーク間隔
（μｍ）である。

【００３６】従って、（式２）で求めた結果をステージ
座標系に変換した値は次式で求めることができる。

【００３７】

【数４】以上により、基準マーク集合体７上の基準マークＦＭ
の、共役指標板１７上の指標マークｉ１〜ｉ４の中心
からのずれがステージ座標系（Ｘ，Ｙ）で表すことが可
能となる。即ち、プレートアライメント系のベースライ
ン計測が可能となる。尚、ここで（式２）に示すよう
に、基準マークＦＭの位置を指標マーク中心からの結果
として表しているのは、検出光学系の位置的なドリフト
を考慮しているためである。

【００３８】また、レチクルアライメント系のベースラ
イン計測は特開昭６３−５５２１号公報に開示の方法等
により基準マーク集合体７を基準としてレチクルアライ
メント系をステージ座標系（Ｘ，Ｙ）に合わせることに
より行われる。以上により、レチクルアライメント系及
びプレートアライメント系がステージ座標系のもとに管
理することが可能となる。

【００３９】また、図に明示はしていないが、ステージ
座標系（Ｘ，Ｙ）とパターンマッチング装置内座標系の
回転成分を補正するために、以下のような手順でその補
正値を求めることができる。

【００４０】基準マークＦＭを指標マークｉ１〜ｉ４に
重ならない程度に、ＸＹステージ６をＸ方向に一定量左
に移動する。この位置でテンプレート画像ＴＭ３により
パターンマッチングを行う。このときの結果を（Ｘ１，
Ｙ１）とする。次に，同様にＸ方向に一定量右に移動さ
せ同様にパターンマッチングを行う。このときの結果を
（Ｘｒ，Ｙｒ）とし、このとき補正すべき回転量Ｒは、
次式で求められる。

【００４１】

【数５】また、本実施例ではプレートアライメント系のベースラ
イン計測について記述したが、同様の構成をレチクルア
ライメント系に設けることによりレチクルアライメント
系のベースライン計測にも同様に用いることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上の様に、パターンマッチング式の位
置検出方法におけるテンプレートを、パターンマッチン
グを行う被処理画像内のアライメントマークの形状や見
え等の図形の特徴にあわせて合成されたパターン（シン
セティックモデル）とすることで、テンプレート内に含
まれるマークの位置を検出することが可能になり、ペー
スライン計測を行うことができる。即ち、露光プロセス
中に被処理マークが変形しても投影露光装置内の絶対的
な座標系を基準とした位置検出を行うことができる。

【００４３】またパターンマッチングを行う感光基板等
の基準となるアライメントマークの画像を観察しながら
該基準となるアライメントマークの設計値や該アライメ
ントマークの変形についての形状、見え等に関する種々
の情報データに基づき該アライメントマークのシンセテ
ィックモデルを作成者とインタラクティブに作成するこ
とにより作成過程が容易に把握でき、試行錯誤しながら
効率よく作成することできる。

【００４４】さらに、当該シンセティックモデルを用い
てパターンマッチングを行う被処理画像内の任意の位置
及び／もしくは領域を指定し、当該位置及び／もしくは
領域から種々の画像情報を得、それを被処理画像内のア
ライメントマークのシンセティックモデルの作成に反映
させることが可能なため、被処理画像内のアライメント
マークのより実画像に近いリアルなシンセティックモデ
ルを作成することができる。従って、より高精度な位置
検出が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】シンセティックモデルの作成手順を説明するフ
ロー図である。

【図２】シンセティックモデルの作成手順の説明図であ
る。

【図３】被処理画像情報を得る方法を説明する図であ
る。

【図４】ペースライン計測を説明する図である。

【図５】パターンマッチング方式の位置検出を説明する
図である。

【図６】投影露光装置概略図である。

【符号の説明】

１光源ＲレチクルＰＬ投影光学系４ガラスプレート（感光基板）６ＸＹステージ７基準マーク集合体１１レチクルアライメント用の顕微鏡１５プレートアライメント用の顕微鏡２０パターンマッチング装置２１ＣＲＴ２２ポインティングデバイス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レチクルに形成された原画パターンを、
投影光学系を介して所定の結像面に形成し、該結像面と
ほぼ平行な面内で二次元移動するステージに保持された
感光基板に、前記原画パターンの投影像を形成する装置
における、前記レチクルの系及び前記感光基板の系の相
互の位置対応をつけるため予め、基準となる所定のマー
クの第１の映像信号をテンプレートとして記憶してお
き、前記ステージに設けられた所定のパターンの集合体
内の所定領域内のマークを撮像して第２の映像信号を検
出し、該第２の映像信号から前記テンプレートに対応す
る映像信号を検出して該映像信号の位置を検出するパタ
ーンマッチング式の位置検出方法において、前記基準と
なる所定のマークは、パターンマッチングを行う被処理
画像内の基準となるマークに対応して合成されたシンセ
ティックモデルを用いることを特徴とする位置検出方
法。
【請求項２】前記シンセティックモデルは、ソフトウ
ェアを利用して人為的に合成されることを特徴とする請
求項１に記載の位置検出方法。
【請求項３】前記シンセティックモデルは、パターン
マッチングを行う被処理画像を観察しながら、その作成
者とインタラクティブに作成可能なことを特徴とする請
求項１又は２に記載の位置検出方法。
【請求項４】パターンマッチングを行う被処理画像内
の任意の位置及び／又は領域を指定し、その位置及び／
又は領域内から種々の画像情報を得、得られた画像情報
を反映して前記シンセティックモデルを作成することを
特徴する上記各請求項に記載の位置検出方法。
【請求項５】前記パターンマッチングを行う被処理画
像は、前記感光基板内に設けられていることを特徴とす
る位置検出方法。
【請求項６】レチクルに形成された原画パターンを、
投影光学系を介して所定の結像面に形成し、該結像面と
ほぼ平行な面内で二次元移動するステージに保持された
感光基板に、前記原画パターンの投影像を露光するため
に、前記レチクルの系及び前記感光基板の系の相互の位
置対応をつけるため予め、基準となる所定のマークによ
るパターンをテンプレートとして記憶しておき、前記ス
テージに設けられた所定のパターンの集合体内の所定領
域内のマークを撮像して前記テンプレートに対応する映
像信号を検出して該映像信号の位置を検出するパターン
マッチング式の位置検出方法において、前記テンプレー
トに記憶される前記パターンは、パターンマッチングを
行う被処理画像内に形成された基準となる所定マーク
の、露光処理プロセス中に生じた変化に対応して合成さ
れることを特徴とする位置検出方法。
【請求項７】前記被処理画像は、前記感光基板に形成
されていることを特徴とする請求項６に記載の位置検出
方法。
【請求項８】前記被処理画像内の任意の位置及び／又
は領域に関して画像情報を得、得られた画像情報を用い
て、前記感光基板に形成された基準となる所定マーク
の、露光処理プロセスム中の変化に対応して画像処理し
たシンセティックモデルをテンプレートとすることを特
徴とする請求項７に記載の位置検出方法。