JPH10122817A - レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 - Google Patents
レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法Info
- Publication number
- JPH10122817A JPH10122817A JP27367296A JP27367296A JPH10122817A JP H10122817 A JPH10122817 A JP H10122817A JP 27367296 A JP27367296 A JP 27367296A JP 27367296 A JP27367296 A JP 27367296A JP H10122817 A JPH10122817 A JP H10122817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- mask
- slit
- alignment
- center position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクに形成したコンタクトホールの欠陥の
修正の際にも自動的に位置合せを行えるようにする。 【解決手段】 レーザ光１５および光源９からの照明光
は、可変スリット１０を介して、コンタクトホールが形
成されたレチクル６に照射される。ＣＣＤカメラ３によ
ってレチクル６を撮像し、得られた画像情報に基づき、
制御装置２は、スリット像の大きさおよび位置が正常な
コンタクトホールの大きさおよび位置と一致するように
スリット１０を調整し、スリット像の中心位置を、修正
すべき欠陥のあるコンタクトホールの中心位置と一致さ
せるように、ＸＹステージ７を制御する。
修正の際にも自動的に位置合せを行えるようにする。 【解決手段】 レーザ光１５および光源９からの照明光
は、可変スリット１０を介して、コンタクトホールが形
成されたレチクル６に照射される。ＣＣＤカメラ３によ
ってレチクル６を撮像し、得られた画像情報に基づき、
制御装置２は、スリット像の大きさおよび位置が正常な
コンタクトホールの大きさおよび位置と一致するように
スリット１０を調整し、スリット像の中心位置を、修正
すべき欠陥のあるコンタクトホールの中心位置と一致さ
せるように、ＸＹステージ７を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに生じた欠
陥をレーザ光の照射により除去して修正するレーザマス
クリペア技術における、マスクの位置合せ方法に関し、
特に、マスクのコンタクトホールの欠陥を修正する場合
の、修正すべきコンタクトホールの位置合せ方法に関す
る。
陥をレーザ光の照射により除去して修正するレーザマス
クリペア技術における、マスクの位置合せ方法に関し、
特に、マスクのコンタクトホールの欠陥を修正する場合
の、修正すべきコンタクトホールの位置合せ方法に関す
る。
【０００２】なお、ここでいうマスクは、半導体ウェハ
にパターンを露光する際に用いられるマスクはもちろん
のこと、このマスクを製造するための原盤となるレチク
ルも含み、以下には、レチクルの位置合せを主体として
説明する。
にパターンを露光する際に用いられるマスクはもちろん
のこと、このマスクを製造するための原盤となるレチク
ルも含み、以下には、レチクルの位置合せを主体として
説明する。
【０００３】
【従来の技術】レチクルに欠陥が生じた場合、この欠陥
の部分にレーザ光を照射して欠陥を修正することが一般
的に行われている。近年の半導体技術の進歩により、レ
チクルに形成されるパターンの微細化が進み、レーザ光
の照射による欠陥の修正の際には、修正すべき欠陥に正
確にレーザ光を照射することが要求される。例えば、２
５６ＭＤＲＡＭ用のレチクルは、パターンの最小線幅が
１．０μｍ、寸法精度が±０．０５μｍであるので、±
０．１０μｍ以内の欠陥修正精度が要求される。
の部分にレーザ光を照射して欠陥を修正することが一般
的に行われている。近年の半導体技術の進歩により、レ
チクルに形成されるパターンの微細化が進み、レーザ光
の照射による欠陥の修正の際には、修正すべき欠陥に正
確にレーザ光を照射することが要求される。例えば、２
５６ＭＤＲＡＭ用のレチクルは、パターンの最小線幅が
１．０μｍ、寸法精度が±０．０５μｍであるので、±
０．１０μｍ以内の欠陥修正精度が要求される。
【０００４】従来、レチクルの欠陥を修正する際のレー
ザ光の位置合せ方法の一例が、「レーザマスクリペア用
自動位置決め技術の開発」（羽根田努等：ＮＥＣ技報、
第４６巻、第１２号、第１３〜１６頁、１９９３年１２
月）に記載されている。この文献に記載された位置合せ
方法は、直線パターン上の欠陥の位置合せをする方法で
ある。より詳しくは、照明を可変スリットを介してレチ
クルに照射し、レチクルのクロムパターン部分で反射さ
れた光をＣＣＤカメラにより撮像し、その画像を２値化
処理してクロムパターンのエッジと、２値化したスリッ
ト光のエッジとを自動的に位置合せする方法である。
ザ光の位置合せ方法の一例が、「レーザマスクリペア用
自動位置決め技術の開発」（羽根田努等：ＮＥＣ技報、
第４６巻、第１２号、第１３〜１６頁、１９９３年１２
月）に記載されている。この文献に記載された位置合せ
方法は、直線パターン上の欠陥の位置合せをする方法で
ある。より詳しくは、照明を可変スリットを介してレチ
クルに照射し、レチクルのクロムパターン部分で反射さ
れた光をＣＣＤカメラにより撮像し、その画像を２値化
処理してクロムパターンのエッジと、２値化したスリッ
ト光のエッジとを自動的に位置合せする方法である。
【０００５】一方、直線パターンではなくコンタクトホ
ールの欠陥を修正する場合の位置合せについては、自動
的に行うのではなく、作業者が顕微鏡を覗きながらコン
タクトホールの大きさに一致するように可変スリットの
開口の大きさを調整し、スリット位置とコンタクトホー
ル位置とを手動で合わせていた。
ールの欠陥を修正する場合の位置合せについては、自動
的に行うのではなく、作業者が顕微鏡を覗きながらコン
タクトホールの大きさに一致するように可変スリットの
開口の大きさを調整し、スリット位置とコンタクトホー
ル位置とを手動で合わせていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の位置合せ方法では、コンタクトホールの欠陥の
修正の際には、作業者自身で位置合せを行っていたの
で、作業者により位置合せ精度がばらつき、最悪の場合
には修正を失敗するという危険性があった。また、エッ
ジ位置の認識を２値化処理で行っていたため、エッジ位
置は最小でも１画素単位でしか認識できない。そのた
め、照明の明るさに変動があると、認識されるエッジ位
置がずれてしまい、正確な位置合せができない場合が生
ずる。
た従来の位置合せ方法では、コンタクトホールの欠陥の
修正の際には、作業者自身で位置合せを行っていたの
で、作業者により位置合せ精度がばらつき、最悪の場合
には修正を失敗するという危険性があった。また、エッ
ジ位置の認識を２値化処理で行っていたため、エッジ位
置は最小でも１画素単位でしか認識できない。そのた
め、照明の明るさに変動があると、認識されるエッジ位
置がずれてしまい、正確な位置合せができない場合が生
ずる。
【０００７】そこで本発明は、コンタクトホールの欠陥
の修正の際にも自動的に位置合せを行える、マスクの位
置合せ方法を提供することを第１の目的とする。また本
発明は、レーザ光の位置合せの際の位置合せ精度をより
向上させるマスクの位置合せ方法を提供することを第２
の目的とする。
の修正の際にも自動的に位置合せを行える、マスクの位
置合せ方法を提供することを第１の目的とする。また本
発明は、レーザ光の位置合せの際の位置合せ精度をより
向上させるマスクの位置合せ方法を提供することを第２
の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、マスクのコンタクトホールに生じた欠陥をレ
ーザ光の照射により修正するレーザマスクリペアの際
の、レーザ光が照射される位置へのマスクの位置合せ方
法であって、前記レーザ光の照射範囲を規制するための
スリットを介して照明光を前記マスクに照射して前記マ
スクの表面を撮像手段によって撮像し、前記撮像手段に
よって撮像された画像情報に基づいて前記スリットを調
整しかつ前記マスクの位置を制御する制御装置を用い
て、スリット像の大きさおよび位置が正常なコンタクト
ホールの大きさおよび位置と一致するように前記スリッ
トを調整し、前記スリット像の中心位置を、修正すべき
欠陥のあるコンタクトホールの中心位置と一致させるも
のである。
本発明は、マスクのコンタクトホールに生じた欠陥をレ
ーザ光の照射により修正するレーザマスクリペアの際
の、レーザ光が照射される位置へのマスクの位置合せ方
法であって、前記レーザ光の照射範囲を規制するための
スリットを介して照明光を前記マスクに照射して前記マ
スクの表面を撮像手段によって撮像し、前記撮像手段に
よって撮像された画像情報に基づいて前記スリットを調
整しかつ前記マスクの位置を制御する制御装置を用い
て、スリット像の大きさおよび位置が正常なコンタクト
ホールの大きさおよび位置と一致するように前記スリッ
トを調整し、前記スリット像の中心位置を、修正すべき
欠陥のあるコンタクトホールの中心位置と一致させるも
のである。
【０００９】このように、正常なコンタクトホールを基
準としてスリットを調整し、欠陥のあるコンタクトホー
ルの中心位置とスリットの中心位置とを一致させること
で、作業者の熟練度に関係なく、簡単に位置合せが行わ
れる。
準としてスリットを調整し、欠陥のあるコンタクトホー
ルの中心位置とスリットの中心位置とを一致させること
で、作業者の熟練度に関係なく、簡単に位置合せが行わ
れる。
【００１０】ここで、正常なコンタクトホールの大きさ
および位置を求める方法としては、画像情報に基づいて
正常なコンタクトホールの全ての辺のエッジ位置を計測
し、計測したエッジ位置から求める方法がある。また、
欠陥のあるコンタクトホールの中心位置を求める方法と
しては、欠陥のあるコンタクトホールの周囲に特徴のあ
る形状を含むサーチパターンと、前記特徴のある形状と
同様の特徴を正常なコンタクトホールの周囲に含むモデ
ルパターンとを予め設定しておき、サーチパターンとモ
デルパターンとのマッチングをとり、そのときのサーチ
パターンの、モデルパターンの前記正常なコンタクトホ
ールの中心位置に対応する位置を、欠陥のあるコンタク
トホールの中心位置とする方法がある。この場合、正規
相関マッチングでサーチパターンとモデルパターンとの
マッチングをとることで、照明光の明るさの変動によら
ずに両者のマッチングをとることができる。
および位置を求める方法としては、画像情報に基づいて
正常なコンタクトホールの全ての辺のエッジ位置を計測
し、計測したエッジ位置から求める方法がある。また、
欠陥のあるコンタクトホールの中心位置を求める方法と
しては、欠陥のあるコンタクトホールの周囲に特徴のあ
る形状を含むサーチパターンと、前記特徴のある形状と
同様の特徴を正常なコンタクトホールの周囲に含むモデ
ルパターンとを予め設定しておき、サーチパターンとモ
デルパターンとのマッチングをとり、そのときのサーチ
パターンの、モデルパターンの前記正常なコンタクトホ
ールの中心位置に対応する位置を、欠陥のあるコンタク
トホールの中心位置とする方法がある。この場合、正規
相関マッチングでサーチパターンとモデルパターンとの
マッチングをとることで、照明光の明るさの変動によら
ずに両者のマッチングをとることができる。
【００１１】また、前記画像情報としては、濃淡画像情
報を用いることができる。これにより、画素間の演算が
可能となるので、１画素以下の単位での位置合せも可能
となる。
報を用いることができる。これにより、画素間の演算が
可能となるので、１画素以下の単位での位置合せも可能
となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１は、本発明のマスク位置合せ方法を実
施する位置合せ装置の一実施例の概略構成図である。
施する位置合せ装置の一実施例の概略構成図である。
【００１４】図１に示すように、本位置合せ装置は、パ
ターンが形成されたレチクル６を載置するＸＹステージ
７と、観察光学系８を介してレチクル６を撮像するＣＣ
Ｄカメラ３と、ＣＣＤカメラ３で撮像された画像を変換
する画像入力回路４と、画像入力回路４で変換された画
像を濃淡画像処理する濃淡画像処理装置５と、パーソナ
ルコンピュータ等の制御装置２とを有する。濃淡画像処
理装置５は、濃淡画像の演算機能と正規相関マッチング
の機能とを有している。制御装置２は、濃淡画像処理装
置５や画像入力回路４とのデータのやり取り、観察光学
系８およびＸＹステージ７の制御を行う。また、制御装
置２にはキーボートやマウス等の入力装置１が接続さ
れ、作業者から制御装置２への指令は、この入力装置１
を介して行われる。
ターンが形成されたレチクル６を載置するＸＹステージ
７と、観察光学系８を介してレチクル６を撮像するＣＣ
Ｄカメラ３と、ＣＣＤカメラ３で撮像された画像を変換
する画像入力回路４と、画像入力回路４で変換された画
像を濃淡画像処理する濃淡画像処理装置５と、パーソナ
ルコンピュータ等の制御装置２とを有する。濃淡画像処
理装置５は、濃淡画像の演算機能と正規相関マッチング
の機能とを有している。制御装置２は、濃淡画像処理装
置５や画像入力回路４とのデータのやり取り、観察光学
系８およびＸＹステージ７の制御を行う。また、制御装
置２にはキーボートやマウス等の入力装置１が接続さ
れ、作業者から制御装置２への指令は、この入力装置１
を介して行われる。
【００１５】観察光学系８は、照明光を投射する光源９
を有し、光源９からの照明光は可変スリット１０を通
り、ハーフミラー１１で反射した後、無限遠補正のため
の結像レンズ１６を通り、対物レンズ１２で集光されて
レチクル６の表面に照射される。そして、照明光が照射
されたレチクル６の表面は、無限遠補正のための結像レ
ンズ１７を通して顕微鏡１３で観察可能であり、また、
ハーフミラー１８で反射された像はＣＣＤカメラ３によ
って撮像可能である。
を有し、光源９からの照明光は可変スリット１０を通
り、ハーフミラー１１で反射した後、無限遠補正のため
の結像レンズ１６を通り、対物レンズ１２で集光されて
レチクル６の表面に照射される。そして、照明光が照射
されたレチクル６の表面は、無限遠補正のための結像レ
ンズ１７を通して顕微鏡１３で観察可能であり、また、
ハーフミラー１８で反射された像はＣＣＤカメラ３によ
って撮像可能である。
【００１６】光源９と可変スリット１０との間にはもう
一つのハーフミラー１４が配置され、欠陥修正用のレー
ザ光１５は、このハーフミラー１４で反射されて、光源
９からの照明光と同一の経路を通ってレチクル６の表面
に照射される。従って、可変スリット１０を通って照射
される光源９からの照明光の像であるスリット像をレチ
クル６の修正すべき欠陥の位置に正確に位置合せするこ
とによって、欠陥位置へのレーザ光１５の位置合せが可
能となる。また、レーザ光１５および光源９からの照明
光が照射される範囲は、可変スリット１０の開口を調整
することで変化させることができる。さらに、レーザ光
１５が作業者の目やＣＣＤカメラ３を傷つけないよう
に、フィルタ１９を有する。
一つのハーフミラー１４が配置され、欠陥修正用のレー
ザ光１５は、このハーフミラー１４で反射されて、光源
９からの照明光と同一の経路を通ってレチクル６の表面
に照射される。従って、可変スリット１０を通って照射
される光源９からの照明光の像であるスリット像をレチ
クル６の修正すべき欠陥の位置に正確に位置合せするこ
とによって、欠陥位置へのレーザ光１５の位置合せが可
能となる。また、レーザ光１５および光源９からの照明
光が照射される範囲は、可変スリット１０の開口を調整
することで変化させることができる。さらに、レーザ光
１５が作業者の目やＣＣＤカメラ３を傷つけないよう
に、フィルタ１９を有する。
【００１７】次に、上記の位置合せ装置による位置合せ
手順について、コンタクトホールに対して位置合せする
場合を例に挙げて、図２のフローチャートおよび図３を
参照しつつ説明する。
手順について、コンタクトホールに対して位置合せする
場合を例に挙げて、図２のフローチャートおよび図３を
参照しつつ説明する。
【００１８】ここで、位置合せを行う前に、ＣＣＤカメ
ラ３で得られた画像の中から、図３に示すようなサーチ
パターン３８とモデルパターン３９を設定する。サーチ
パターン３８は、欠陥コンタクトホール３１と、その周
囲の特徴のある形状とを含むサーチ領域３２で囲まれた
パターンであり、作業者が入力装置１を介して設定す
る。なお、欠陥コンタクトホール３１の位置は、この前
工程で行われる欠陥検査で予め分かっており、作業者
は、欠陥検査の結果に応じてサーチパターン３８を設定
する。一方、モデルパターン３９は、欠陥コンタクトホ
ール３１の周囲の特徴と同様の特徴を周囲に有する、欠
陥コンタクトホール３１と同形状とみなされる正常コン
タクトホール３３と、その周囲の特徴形状とを含むモデ
ル領域３４で囲まれたパターンである。このモデルパタ
ーン３９も、サーチパターン３８と同様に作業者によっ
て設定される。
ラ３で得られた画像の中から、図３に示すようなサーチ
パターン３８とモデルパターン３９を設定する。サーチ
パターン３８は、欠陥コンタクトホール３１と、その周
囲の特徴のある形状とを含むサーチ領域３２で囲まれた
パターンであり、作業者が入力装置１を介して設定す
る。なお、欠陥コンタクトホール３１の位置は、この前
工程で行われる欠陥検査で予め分かっており、作業者
は、欠陥検査の結果に応じてサーチパターン３８を設定
する。一方、モデルパターン３９は、欠陥コンタクトホ
ール３１の周囲の特徴と同様の特徴を周囲に有する、欠
陥コンタクトホール３１と同形状とみなされる正常コン
タクトホール３３と、その周囲の特徴形状とを含むモデ
ル領域３４で囲まれたパターンである。このモデルパタ
ーン３９も、サーチパターン３８と同様に作業者によっ
て設定される。
【００１９】サーチパターン３８とモデルパターン３９
とが設定されたら、制御装置２は、濃淡画像処理装置５
で濃淡処理されたこれらの画像に基づき、以下の一連の
処理を行う。
とが設定されたら、制御装置２は、濃淡画像処理装置５
で濃淡処理されたこれらの画像に基づき、以下の一連の
処理を行う。
【００２０】まず、正常コンタクトホール３３の４辺の
エッジ３６の位置を計測する（ステップＡ１）。ここ
で、計測できたか否かを判断し（ステップＡ２）、計測
できなかった場合には、エラーとして位置合せ動作を終
了する。エッジ３６を決定する方法として、エッジ３６
の近傍の光量変化をエッジ３６の傾きとみなし、画素間
の光量を補間して、ある光量の点をエッジ候補点とし、
複数のエッジ候補点よりエッジ位置を算出する方法を用
いる。
エッジ３６の位置を計測する（ステップＡ１）。ここ
で、計測できたか否かを判断し（ステップＡ２）、計測
できなかった場合には、エラーとして位置合せ動作を終
了する。エッジ３６を決定する方法として、エッジ３６
の近傍の光量変化をエッジ３６の傾きとみなし、画素間
の光量を補間して、ある光量の点をエッジ候補点とし、
複数のエッジ候補点よりエッジ位置を算出する方法を用
いる。
【００２１】正常コンタクトホール３３のエッジ３６の
位置の計測を行ったら、その結果に基づき、正常コンタ
クトホール３３の大きさおよび中心位置３７を算出する
（ステップＡ３）。次いで、スリット像の大きさ、向き
および中心位置が正常コンタクトホール３３と一致する
ように可変スリット１０を調整し（ステップＡ４）、正
常コンタクトホール３３の中心位置３７をモデルパター
ン３９の基準位置とする（ステップＡ５）。
位置の計測を行ったら、その結果に基づき、正常コンタ
クトホール３３の大きさおよび中心位置３７を算出する
（ステップＡ３）。次いで、スリット像の大きさ、向き
および中心位置が正常コンタクトホール３３と一致する
ように可変スリット１０を調整し（ステップＡ４）、正
常コンタクトホール３３の中心位置３７をモデルパター
ン３９の基準位置とする（ステップＡ５）。
【００２２】その後、サーチパターン３８の中から、モ
デルパターン３９と一致する形状の位置を、正規相関マ
ッチングによりサーチする（ステップＡ６およびＡ
７）。ここで、モデルパターン３９は、少なくとも正常
コンタクトホール３３の形状がサーチパターン３８と異
なることが明かである。そこでモデルパターン３９は、
正常コンタクトホール３３の位置の部分に不感領域３５
を有し、この不感領域３５を除く領域で、サーチパター
ン３８とのマッチングをとる。モデルパターン３９と一
致する形状の位置がサーチできなければ、エラーとして
位置合せ動作を終了する。
デルパターン３９と一致する形状の位置を、正規相関マ
ッチングによりサーチする（ステップＡ６およびＡ
７）。ここで、モデルパターン３９は、少なくとも正常
コンタクトホール３３の形状がサーチパターン３８と異
なることが明かである。そこでモデルパターン３９は、
正常コンタクトホール３３の位置の部分に不感領域３５
を有し、この不感領域３５を除く領域で、サーチパター
ン３８とのマッチングをとる。モデルパターン３９と一
致する形状の位置がサーチできなければ、エラーとして
位置合せ動作を終了する。
【００２３】モデルパターン３９と一致する形状の位置
がサーチできたら、サーチパターン３８の、モデルパタ
ーン３９の基準位置（正常コンタクトホール３３の中心
位置３７）に対応する位置にスリット像の中心位置が一
致するように、ＸＹステージ７を移動させる（ステップ
Ａ８およびＡ９）。両者が一致していない場合には、再
び正規相関マッチングによるサーチを行う。
がサーチできたら、サーチパターン３８の、モデルパタ
ーン３９の基準位置（正常コンタクトホール３３の中心
位置３７）に対応する位置にスリット像の中心位置が一
致するように、ＸＹステージ７を移動させる（ステップ
Ａ８およびＡ９）。両者が一致していない場合には、再
び正規相関マッチングによるサーチを行う。
【００２４】このようにしてモデルパターン３９とサー
チパターン３８とのマッチングをとると、サーチパター
ン３８の、モデルパターン３９の基準位置に対応する位
置は、欠陥コンタクトホール３１が正常な形状であった
場合の欠陥コンタクトホール３１の中心位置となる。
チパターン３８とのマッチングをとると、サーチパター
ン３８の、モデルパターン３９の基準位置に対応する位
置は、欠陥コンタクトホール３１が正常な形状であった
場合の欠陥コンタクトホール３１の中心位置となる。
【００２５】従って、モデルパターン３９の基準位置に
対応する位置にスリット像の中心位置を一致させること
で、修正すべき欠陥コンタクトホール３１の位置合せを
自動で行うことができる。つまり、作業者の熟練度に関
係なく、簡単に位置合せを行うことができる。また、正
規相関マッチングにより欠陥コンタクトホール３１の中
心位置と正常コンタクトホール３３の中心位置とを対応
させているので、照明の明るさの変動に依存せずにより
正確に位置合せをすることができる。さらに、濃淡画像
情報に基づいて上述した各処理を行うことにより、画素
間の演算が可能となり、１画素以下の単位での位置合せ
も可能となる。
対応する位置にスリット像の中心位置を一致させること
で、修正すべき欠陥コンタクトホール３１の位置合せを
自動で行うことができる。つまり、作業者の熟練度に関
係なく、簡単に位置合せを行うことができる。また、正
規相関マッチングにより欠陥コンタクトホール３１の中
心位置と正常コンタクトホール３３の中心位置とを対応
させているので、照明の明るさの変動に依存せずにより
正確に位置合せをすることができる。さらに、濃淡画像
情報に基づいて上述した各処理を行うことにより、画素
間の演算が可能となり、１画素以下の単位での位置合せ
も可能となる。
【００２６】なお、実際の位置合せに際しては、ＸＹス
テージ７の位置決め精度等により、欠陥コンタクトホー
ル３１の中心位置とスリット像の中心位置とが正確に一
致しない場合もある。そこで、両者の位置のずれ量につ
いて予め許容値を定めておき、この許容値よりも小さく
なったら、両者の位置が一致したものとみなす。これに
より、欠陥コンタクトホール３１の位置合せ精度を一定
の精度以上に保つことができる。
テージ７の位置決め精度等により、欠陥コンタクトホー
ル３１の中心位置とスリット像の中心位置とが正確に一
致しない場合もある。そこで、両者の位置のずれ量につ
いて予め許容値を定めておき、この許容値よりも小さく
なったら、両者の位置が一致したものとみなす。これに
より、欠陥コンタクトホール３１の位置合せ精度を一定
の精度以上に保つことができる。
【００２７】欠陥コンタクトホール３１の中心位置とス
リット像の中心位置とが位置合せされたら、観察光学系
８を介してレーザ光１５をレチクル６に照射すれば、欠
陥コンタクトホール３１を精度良く修正することができ
る。
リット像の中心位置とが位置合せされたら、観察光学系
８を介してレーザ光１５をレチクル６に照射すれば、欠
陥コンタクトホール３１を精度良く修正することができ
る。
【００２８】以上、コンタクトホールの位置合せについ
て説明したが、直線状のパターンの位置合せについて
は、上述の正常コンタクトホール３３のエッジ位置を計
測した方法と同様の手法を用いて直線パターンのエッジ
位置およびスリット像のエッジ位置を計測し、それぞれ
のエッジの傾きを一致させるように可変スリット１０を
調整した後、ＸＹステージ７を駆動してそれぞれのエッ
ジの位置を合わせればよい。
て説明したが、直線状のパターンの位置合せについて
は、上述の正常コンタクトホール３３のエッジ位置を計
測した方法と同様の手法を用いて直線パターンのエッジ
位置およびスリット像のエッジ位置を計測し、それぞれ
のエッジの傾きを一致させるように可変スリット１０を
調整した後、ＸＹステージ７を駆動してそれぞれのエッ
ジの位置を合わせればよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、撮像手段
から得られた画像情報から、正常なコンタクトホールを
基準としてスリットを調整し、欠陥のあるコンタクトホ
ールの中心位置とスリットの中心位置とを一致させるこ
とで、作業者の熟練度に関係なく、マスクの位置合せを
安定的に行うことができる。
から得られた画像情報から、正常なコンタクトホールを
基準としてスリットを調整し、欠陥のあるコンタクトホ
ールの中心位置とスリットの中心位置とを一致させるこ
とで、作業者の熟練度に関係なく、マスクの位置合せを
安定的に行うことができる。
【００３０】また、それぞれ同様の形状的特徴を含むサ
ーチパターンとモデルパターンとを設定し、これらのマ
ッチングをとることにより欠陥のあるコンタクトホール
の中心位置と正常なコンタクトホールの中心位置とを対
応させる場合には、正規相関マッチングの手法を用いる
ことで、照明光の明るさの変動に依存せずに正確な位置
合せを行うことができる。
ーチパターンとモデルパターンとを設定し、これらのマ
ッチングをとることにより欠陥のあるコンタクトホール
の中心位置と正常なコンタクトホールの中心位置とを対
応させる場合には、正規相関マッチングの手法を用いる
ことで、照明光の明るさの変動に依存せずに正確な位置
合せを行うことができる。
【００３１】さらに、画像情報として濃淡画像情報を用
いることで、画素間の演算が可能となり、１画素以下の
単位で位置合せを行うこともできるようになる。
いることで、画素間の演算が可能となり、１画素以下の
単位で位置合せを行うこともできるようになる。
【図１】本発明のマスク位置合せ方法を実施する位置合
せ装置の一実施例の概略構成図である。
せ装置の一実施例の概略構成図である。
【図２】図１に示した位置合せ装置による位置合せ手順
の一例のフローチャートである。
の一例のフローチャートである。
【図３】本発明の位置合せの際に設定されるサーチパタ
ーンおよびモデルパターンの一例の図である。
ーンおよびモデルパターンの一例の図である。
１ 入力装置 ２ 制御装置 ３ ＣＣＤカメラ ４ 画像入力回路 ５ 濃淡画像処理装置 ６ レチクル ７ ＸＹステージ ８ 観察光学系 ９ 光源 １０ 可変スリット １１，１４，１８ ハーフミラー １２ 対物レンズ １３ 顕微鏡 １５ レーザ光 １６，１７ 結像レンズ １９ フィルタ ３１ 欠陥コンタクトホール ３２ サーチ領域 ３３ 正常コンタクトホール ３４ モデル領域 ３５ 不感領域 ３６ エッジ ３７ 中心位置 ３８ サーチパターン ３９ モデルパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｔ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｗ
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクのコンタクトホールに生じた欠陥
をレーザ光の照射により修正するレーザマスクリペアの
際の、レーザ光が照射される位置へのマスクの位置合せ
方法であって、 前記レーザ光の照射範囲を規制するためのスリットを介
して照明光を前記マスクに照射して前記マスクの表面を
撮像手段によって撮像し、 前記撮像手段によって撮像された画像情報に基づいて前
記スリットを調整しかつ前記マスクの位置を制御する制
御装置を用いて、スリット像の大きさおよび位置が正常
なコンタクトホールの大きさおよび位置と一致するよう
に前記スリットを調整し、前記スリット像の中心位置
を、修正すべき欠陥のあるコンタクトホールの中心位置
と一致させる位置合せ方法。 - 【請求項２】 前記画像情報に基づいて前記正常なコン
タクトホールの全ての辺のエッジ位置を計測し、計測し
たエッジ位置から前記正常なコンタクトホールの大きさ
および位置を求める請求項１に記載の位置合せ方法。 - 【請求項３】 前記欠陥のあるコンタクトホールの周囲
に特徴のある形状を含むサーチパターンと、前記特徴の
ある形状と同様の特徴を正常なコンタクトホールの周囲
に含むモデルパターンとを予め設定しておき、 前記サーチパターンと前記モデルパターンとのマッチン
グをとり、そのときの前記サーチパターンの、前記モデ
ルパターンの前記正常なコンタクトホールの中心位置に
対応する位置を前記欠陥のあるコンタクトホールの中心
位置とする請求項１または２に記載の位置合せ方法。 - 【請求項４】 前記マッチングは、正規相関マッチング
である請求項３に記載の位置合せ方法。 - 【請求項５】 前記画像情報は濃淡画像情報である請求
項２、３または４に記載の位置合せ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27367296A JPH10122817A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 |
| US08/834,417 US5757480A (en) | 1996-10-16 | 1997-04-16 | Method for laser alignment in mask repair |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27367296A JPH10122817A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10122817A true JPH10122817A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17530943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27367296A Pending JPH10122817A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757480A (ja) |
| JP (1) | JPH10122817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011099864A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-19 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798193A (en) | 1997-05-16 | 1998-08-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to accurately correlate defect coordinates between photomask inspection and repair systems |
| JP3193678B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2001-07-30 | 株式会社アドバンテスト | 半導体ウエハリペア装置及び方法 |
| US6341009B1 (en) | 2000-02-24 | 2002-01-22 | Quantronix Corporation | Laser delivery system and method for photolithographic mask repair |
| US6581193B1 (en) | 2001-06-13 | 2003-06-17 | Kla-Tencor | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy |
| US6691052B1 (en) | 2002-01-30 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern |
| DE10227304A1 (de) * | 2002-06-19 | 2004-01-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Belichten eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsapparat |
| US7676061B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-03-09 | Telesis Technologies, Inc. | Laser safety system |
| WO2014084852A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Landmark Graphics Corporation | Systems and methods for reordering sequential actions |
| US10552203B2 (en) | 2015-05-22 | 2020-02-04 | Landmarks Graphics Corporation | Systems and methods for reordering sequential actions |
| US9748128B1 (en) | 2016-06-01 | 2017-08-29 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for wafer alignment |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4388386A (en) * | 1982-06-07 | 1983-06-14 | International Business Machines Corporation | Mask set mismatch |
| US5648854A (en) * | 1995-04-19 | 1997-07-15 | Nikon Corporation | Alignment system with large area search for wafer edge and global marks |
-
1996
- 1996-10-16 JP JP27367296A patent/JPH10122817A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-16 US US08/834,417 patent/US5757480A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011099864A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-05-19 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5757480A (en) | 1998-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7590280B2 (en) | Position detection apparatus and exposure apparatus | |
| JP3269343B2 (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
| JPH05190419A (ja) | 半導体露光方法およびその装置 | |
| JP3311135B2 (ja) | 検査範囲認識方法 | |
| JP3211491B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置 | |
| WO2005001593A2 (ja) | 基準パターン抽出方法とその装置、パターンマッチング方法とその装置、位置検出方法とその装置及び露光方法とその装置 | |
| KR100650366B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 검사 방법 | |
| JPH10122817A (ja) | レーザマスクリペアでのマスクの位置合せ方法 | |
| US5640243A (en) | Position detection method | |
| JPH1197512A (ja) | 位置決め装置及び位置決め方法並びに位置決め処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JP5508734B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
| KR100650365B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법 | |
| US20070053583A1 (en) | Image correcting apparatus, pattern inspection apparatus, and image correcting method, and reticle | |
| JP4076343B2 (ja) | 半導体ウェハのドットマーク形成位置の位置決め方法とその位置決め装置 | |
| TWI579558B (zh) | Inspection method and inspection device | |
| US6888958B1 (en) | Method and apparatus for inspecting patterns | |
| JPH11214289A (ja) | 位置計測方法、及び該方法を用いる露光方法 | |
| US6327379B2 (en) | Pattern inspection method and apparatus | |
| US20070052960A1 (en) | Reference image forming apparatus, pattern inspection apparatus, and reference image forming method, and reticle | |
| TW202030545A (zh) | 模型資料生成方法、圖案測定方法、補正圖案資料生成方法及模型資料生成裝置 | |
| JPH1097983A (ja) | 位置検出方法 | |
| JP2020201457A (ja) | レーザ修正方法、レーザ修正装置 | |
| JP2016126302A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| JP3396548B2 (ja) | 欠陥部位置合せ方法 | |
| CN117452782B (zh) | 一种图像聚焦方法和图像聚焦系统 |