JP2565585B2 - スクライブライン交差領域の位置検出方法 - Google Patents

スクライブライン交差領域の位置検出方法

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JP2565585B2
JP2565585B2 JP2160800A JP16080090A JP2565585B2 JP 2565585 B2 JP2565585 B2 JP 2565585B2 JP 2160800 A JP2160800 A JP 2160800A JP 16080090 A JP16080090 A JP 16080090A JP 2565585 B2 JP2565585 B2 JP 2565585B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、膜厚測定装置等の各種特性測定装置におい
て、半導体ウエハなどの基板を位置決めするために、基
板上に形成されたスクライブラインの交差領域の位置を
自動的に検出する方法に関し、特に、基板表面のスクラ
イブラインを撮影した画像から、スクライブラインの交
差領域を捜して、その位置を検出する方法に関する。
なお、各種測定装置における基板を位置決めするに際
して、スクライブラインの交差領域の位置検出を行うの
は、位置決め用の指標として使用するためであり、スク
ライブラインを利用することによって、基板上に位置決
め用マーク等を形成しておくことを不要にするためであ
る。
<従来の技術> 基板表面のスクライブラインを撮影した画像から、ス
クライブラインの交差領域の位置を検出するには、前段
として画像の中からスクライブラインの領域を検出する
ことと、後段としてスクライブライン交差領域の位置を
検出することの2工程が必要であるが、従来、その前段
をなすスクライブラインの検出方法として、いわゆる2
値化処理と称される方法が知られている。
この方法は、基板表面を撮影した多階調画像を、モー
ド方と呼ばれる手法で設定した階調値を閾値に設定し
て、2値画像に変換することで、画像中のスクライブラ
インの領域を検出するものである。
以下、第7図および第8図を参照して、前記従来手法
を説明する。
第7図は基板表面の一部(スクライブラインが交差し
た領域)の拡大撮像画像であり、図中、SXはX方向のス
クライブライン、SYはY方向のスクライブラインであ
る。
いわゆるモード法は、第7図のような撮像画像の階調
値ヒストグラムが第8図に示すような双峰性を示す場合
に、ピーク間の谷部分に閾値THを設定し、これによって
撮像画像を2値化処理するものである。このようにして
得られたスクライブラインが抽出された2値化画像に基
づいて、スクライブライン交差領域の位置検出方法の後
段をなす交差領域の位置を検出することがなされる。例
えば、スクライブラインが抽出された2値化画像に対し
て、適宜パターン認識等の画像処理の手法を駆使してス
クライブラインの交差領域を特定し、その位置の検出が
なされる。なお、検出されたスクライブラインの交差領
域の位置から、交差領域の中央の位置または、そこから
所定の位置関係にある図示しないTEG(検査用モニタ素
子群:Test Element Group)等に対して膜厚測定や、各
種の電気特性などの測定がなされる。
<発明が解決しようとする課題> しかしながら、上述したようなモード法を用いた2値
化処理によるスクライブライの検出方法に、次のような
問題点がある。
すなわち、前記2値化処理は、基板表面を撮影した画
像において、スクライブラインの領域はスクライブライ
ンに特有の或る階調値であり、スクライブライン以外の
領域(主として回路パターンが形成される領域なので以
下、「パターン領域」と称する)はスクライブラインと
は異なる特有の階調値を取り、第8図に示すように双峰
性を示す階調値ヒストグラムの状態にあることを前提と
している。
しかし、半導体製造の各工程ごとに基板は、その表面
の状態が、多種多様な様相を呈しており、全ての基板
が、かかる前提に合致するのでは無く、前記方法では、
スクライブラインを検出するのが困難なことが多々あ
る。
例えば、パターン領域に或る種の膜しか形成されてい
なくて、パターン領域とスクライブラインの領域とで反
射光の強度がほとんど同じような場合、その階調値ヒス
トグラムは、第9図(a)に示すような単峰性を示す。
また、半導体製造の或る段階では、パターン領域中の様
々な場所ごとに種々雑多な膜が形成され、その階調値ヒ
ストグラムは、第9図(b)に示すような3つ以上の峰
を示す。
そのため、従来法によれば、閾値の設定が困難にな
り、2値化処理そのものができないために、スクライブ
ラインの検出が困難でスクライブラインの交差領域の位
置検出が不能になることが多いという問題点がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、多様な基板に対して適用可能なスクライブライン
の交差領域の位置検出方法を提供することを目的として
いる。
<課題を解決するための手段> 本発明は、このような目的を達成するために、次のよ
うな構成をとる。
本発明に係るスクライブラインの検出方法は、落射顕
微光学系によって拡大撮像した基板表面のスクライブラ
イン交差領域の多階調画像データに対してスクライブラ
インに沿って直交するX,Y方向の各画素列について、順
に階調値の積分処理を行う積分処理過程と、 前記積分処理で得られたX,Y方向の積分値群の中か
ら、最小側の2つの積分値をそれぞれ検出する最小値検
出過程と、 X,Y方向についてそれぞれ検出された2つの積分値に
対応する座標値X1,X2,Y1,Y2から、X方向間隔とY方向
間隔とを算出する間隔算出過程と、 前記算出されたX,Y方向間隔が、それぞれ予め定めら
れたスクライブライン幅と合致するかどうかを判断する
第1判断過程と、 前記第1判断過程において、両者が合致していない場
合に、前記積分処理で得られたX,Y方向の積分値に対し
てそれぞれ微分処理を施す微分処理過程と、 X,Y方向についてそれぞれ得られた微分処理の結果か
ら、X,Y方向についてそれぞれ2つの変曲点を算出する
変曲点算出過程と、 前記算出されたX,Y方向それぞれの2つの変曲点に対
応する座標値X1′,X2′,Y1′,Y2′から、X方向間隔と
Y方向間隔とを算出する間隔算出過程と、 前記算出されたX,Y方向間隔が、それぞれ予め定めら
れたスクライブライン幅と合致するかどうかを判断する
第2判断過程と、 を備え、 第1判断過程でX,Y方向について、それぞれ前記スク
ライブライン幅に合致すると判断された2つの積分値の
座標値X1,X2,Y1,Y2に基づく座標位置(X1,Y1),(X2,Y
1),(X1,Y2),(X2,Y2)または、第2判断過程でX,Y
方向について、それぞれ前記スクライブライン幅と合致
すると判断された2つの変曲点の座標値X1′,X2′,
Y1′,Y2′に基づく座標位置(X1′,Y1′),(X2′,
Y1′),(X1′,Y2′),(X2′,Y2′)をスクライブラ
インの交差領域の角の位置とすることを特徴とするもの
である。
<作用> まず、本発明方法で用いられる積分処理過程から第1
判断過程までの作用について説明する。
基板表面においてパターン領域は、半導体回路を構成
するように種々の膜が形成され、スクライブラインより
1層ないしそれ以上多くの膜を有しているため、スクラ
イブラインのエッジは、パターン領域との高低差による
段差のため、基板凹面上で傾斜している。
このため、落射顕微光学系で基板を撮影した画像で
は、基板を照明するのは対物レンズから出射された光に
限られ、かかる照明光はスクライブラインのエッジに照
射されると、スクライブラインのエッジが傾斜している
が故に、落射顕微光学系の入射瞳の外へ反射してしまう
から、この画像においてスクライブラインのエッジ部分
の階調(明るさ,光強度)値は小さい。したがって、ス
クライブライン交差領域の多階調画像データをX,Y方向
の各画素列について、順に階調値の積分処理を行うと、
スクライブラインのエッジに相当する画素列の積分値
は、他の画素列に比較して小さい値をとる。換言すれ
ば、最小側の2つの積分値をそれぞれ検出することによ
ってスクライブラインの2つのエッジが検出される。そ
して、X,Y方向についてそれぞれ検出された2つの積分
値に対応する座標値から、X方向間隔とY方向間隔をそ
れぞれ算出し、それらが予め定められたスクライブライ
ン幅と合致した場合、X,Y方向におけるそれぞれ前記2
つの積分値の座標値X1,X2,Y1,Y2は、X,Y方向の各スクラ
イブラインのエッジの座標値であることが確認される。
スクライブラインの交差領域の角は、X方向とY方向の
スクライブラインのエッジの交点であるから、エッジの
交点の座標(X1,Y1),(X2,Y1),(X1,Y2),(X2,
Y2)が、スクライブラインの交差領域の角の位置として
検出される。
次に、本発明方法で用いられる微分処理過程から第2
判断過程までの作用を説明する。
積分処理で得られたX,Y方向の積分値に対してそれぞ
れ微分処理を施し、それらの微分値群の中から、X,Y方
向についてそれぞれ2つの変曲点を算出する。これらの
変曲点は、スクライブラインのエッジに相当するので、
X,Y方向の2つの変曲点に対応する座標値X1′,X2′,
Y1′,Y2′を、それぞれ算出すると、X方向とY方向の
スクライブラインのエッジの交点の座標(X1′,
Y1′),(X2′,Y1′),(X1′,Y2′),(X2′,
Y2′)が明らかとなり、その座標が、スクライブライン
の交差領域の角の位置として検出される。
すなわち、本発明によれば、上述のように積分処理過
程から第1判断過程において、最初は最小積分値を検出
することに基づいてスクライブラインの検出が行われ、
これによってはスクライブラインが検出されない場合
に、さらに感度のよい上述の微分処理過程から第2判断
過程を利用して、積分値を微分して変曲点を求めるもの
であり、すなわち、 第1判断過程でX,Y方向について、それぞれ前記スク
ライブライン幅に合致すると判断された2つの積分値の
座標値X1,X2,Y1,Y2を、または、第2判断過程でX,Y方向
について、それぞれ前記スクライブライン幅に合致する
と判断された2つの変曲点の座標値X1′,X2′,Y1′,
Y2′から、X,Y方向それぞれのスクライブラインのエッ
ジの座標値が明らかとなる。スクライブラインの交差領
域の角は、X,Y方向のスクライブラインのエッジの交点
であるから、第1判断過程で求まったエッジの点の座標
(X1,Y1),(X2,Y1),(X1,Y2),(X2,Y2)または、
第2判断過程で求まったエッジの交点の座標(X1′,
Y1′),(X2′,Y1′),(X1′,Y2′),(X2′,
Y2′)が、スクライブライン交差領域の角の位置として
検出される。
<実施例> 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
第1図は本実施例で使用される膜厚測定装置の概略構
成を示したブロック図である。ここでは、本発明方法が
適用される装置の一例として膜厚測定装置を挙げている
が、本発明方法は、スクライブラインの検出を利用した
位置決め機構を備えた、例えば各種の特性測定装置に適
用することができる。
第1図において、符号Wは表面にスクライブラインが
形成された半導体ウエハなどの基板である。基板Wは直
交する2方向(X,Y方向)に水平移動するXYステージ1
上に載置されている。符号2は、基板Wに対向配置され
た対物レンズであり、光源3から照射された照明光はハ
ーフミラー4および対物レンズ2を介して基板W上に落
射される。基板Wからの反射光は対物レンズ2、ハーフ
ミラー4を介してハーフミラー5に入射し、その一部は
反射されてテレビカメラ6に入射して基板Wの表面が拡
大撮像される。前記光源3、ハーフミラー4、対物レン
ズ2およびハーフミラー5からなる一連の光学手段で落
射顕微光学系を構成する。なお、本発明に係る方法を実
施するに要する光学系は第1図示の構造に限定されるも
のではなく、落射顕微光学系を構成するものであればよ
い。
基板Wの表面の多階調画像は、後述する位置合わせ処
理を行う画像処理ユニット7を介してCRT8に与えられ
て、基板Wの表面の拡大画像が映し出される。画像処理
ユニット7は、基板Wのスクライブラインの交差領域の
中央位置を検出した後、CRT8上に基板Wの画像に重畳し
て映し出されている膜厚測定スポットと、前記交差領域
の中央位置とのズレ量だけ、XYステージ駆動回路9を介
してXYステージ1を移動させて、前記膜厚測定スポット
をスクライブラインの交差領域の中央(重心)に位置合
わせする。
このように位置合わせされた後、基板Wの膜厚測定ス
ポットからの反射光が、対物レンズ2、ハーフミラー4,
5を介して分光器10に入射して、膜厚測定が行われる。
以下、第2図のフローチャートを参照して、本実施例
におけるスクライブライン交差領域の位置検出動作につ
いて説明する。
まず、本実施例方法で用いられる積分処理過程から第
1判断過程までの説明を行う。
ステップS1:まず、テレビカメラ6によって撮像された
基板Wのスクライブライン交差領域の拡大多階調画像が
画像処理ユニット7に取り込まれる。この画像処理ユニ
ット7に取り込まれた画像は、前記したように落射顕微
光学系を介して撮影された画像であるため、基板Wにお
けるスクライブラインのエッジの階調値が小さい。
これは、基板表面において、スクライブラインの領域
とパターン領域との高低差による段差のため、スクライ
ブラインのエッジは、基板表面に対して傾斜しているの
で、対物レンズ2から出射された基板Wを照明する光
は、スクライブラインのエッジでは、対物レンズ2の入
射瞳の外へ反射してしまうので、テレビカメラ6へは向
かわないからである。
なお、虫めがねで基板表面を観察した場合や、自然光
で基板表面を撮影した場合には、広範囲な向きからの光
で基板が照明されるので、スクライブラインのエッジだ
けが暗く(小さな階調値で)見えたり撮影されると言っ
たことはない。本発明において、前記したようにスクラ
イブラインのエッジで階調値が小さい画像で撮影される
のは、本発明では、落射顕微光学系で基板表面を撮影す
るからである。
第3図の(a)は画像処理ユニット7に取り込まれて
CRT8に映し出された多階調画像を示している。このと
き、スクライブラインSX,SYが、CRT画面のXY方向(CRT
画面にカーソル表示されている)に略一致するように、
予めXYステージ1の位置合わせが行われている。
ステップS2:ここでは、画像処理ユニット7に取り込ま
れた多階調画像を処理することによって、スクライブラ
インSYの位置検出を行う。本ステップS2の具体的な処理
は以下のとおりである。
ステップS21:第3図(a)に示すように、この図の左上
端を原点(0,0)とすると、Y=0のX方向の直線上に
並んだ各画素Lx0,Lx1,…,Lx255を起点として、各々Y=
0からY=239まで延びるY方向と平行な256本の画素列
の各々について階調値を積分(積算)する。第3図
(b)はこのようにして得られた、Y方向階調積分値の
分布図である。同図において、縦軸は最大の積分値を
『1.0』に置き換えて換算した積分値を示している。
ステップS22:ステップS21で得られた積分値群を、最小
値を示す積分値から順に、その座標とともに並べ換え
(ソーティング)を行う。ステップS22は、本発明にお
ける最小値検出過程に相当する。なお、第4図は、ソー
ティングされた積分値データの一例を示している。第4
図において、積分値はステップS21の変換(最大値を
『1.0』と置き換えて換算すること)を行っていない生
データを示している。上述したように、落射照明によっ
て基板Wの表面を撮像するとスクライブラインのエッジ
(第3図(a)に示したLXi,LXjに沿ったライン)は暗
くなるので、前記LXi,LXjのライン近傍の積分値は、他
のラインの積分値に比べて小さくなる。
ステップS23:ステップS22でソーテングした結果に基づ
き、次式に示すように、積分値が最小値を示す座標X
MIN(第4図ではn=0にあたるX座標『141』)から、
次に小さな積分値をもつ座標値を順に差し引き、座標X
MINとの間隔Wdを算出する。
Wd=|XMIN−Xn| …… ここで、n=1,2,3,…である。
第4図に、このようにして求められた間隔Wdを示す。
ステップS24:ステップS23で算出された間隔Wdが、予め
定められたスクライブラインSYの幅に合致するかどうか
を判断する。ここでは、ステップSYの幅に対して±5%
の範囲内であれば合致するものとし、合致するものが複
数個ある場合には、最も近いものを選択する。スクライ
ブラインSYの幅に合致する間隔Wdが検出されない場合に
は、後で詳述するステップS6において、積分値の変曲点
を検出することに基づく手法を行う。なお、このステッ
プS24は、本発明ににおける第1判断過程に相当する。
ステップS25:スクライブラインSYの幅と合致した間隔が
選択されると、それに対応するX座標X1(=XMIN),X2
を記憶しておく。上記座標X1,X2はスクライブラインSY
のエッジの位置座標に相当している。
ステップS3:以上のようにして、ステップS2でスクライ
ブラインSYの位置座標が求まると、同様にしてスクライ
ブラインSXの位置座標を求める。第3図の(c)は、X
=0のY方向の直線上に並んだ各画素LY0,LY1,…,LY239
を起点として、各々X=0からX=255まで延びるX方
向と平行な240本の画素列の各々について階調値を積分
した各積分値の分布を示し、図中、Y1,Y2はこのステッ
プS3で求められたスクライブラインSXのエッジの位置座
標である。
ステップS4:ステップS2,S3で求められたスクライブライ
ンSY,SXのエッジの座標値X1,X2,Y1,Y2から、X方向とY
方向のスクライブラインのエッジの交点の座標(X1,
Y1),(X2,Y1),(X1,Y2),(X2,Y2)が求められ、
かかる4つの座標位置を、スクライブラインの交差領域
の4つの角の位置として検出し、続いて、次式,に
基づいて、スクライブラインSY,SXの交差領域の中心G
の座標GX,GYを算出する。
ステップS5:スクライブラインSY,SXを交差領域の中心座
標GX,GYが算出されると、CRT8に映し出されている測定
スポットMPと中心Gとのズレ量を算出し、測定スポット
MPが中心Gに一致するように、XYステージ駆動回路9を
介してXYステージ1を移動させる。
以上の処理によって測定スポットMPの位置合わせが完
了し、その点の膜厚測定が行われる。
次に、本実施例方法で用いられる微分処理過程から第
2判定過程までの説明を行う。ここでは、第2図に示し
たフローチャートのステップS6,S7での処理について詳
細に説明する。第5図(a)は基板Wのスクライブライ
ン交差領域の拡大撮像画像、同図(b)は各画素列のY
方向積分値の分布図である。
ステップS61:上述したステップS21で得られた積分値に
対してそれぞれ微分処理を行う。ここでは、各微分値の
絶対値の平均DAを算出しておき、±DA以下の微分値を無
視することによって、後の変曲点検出処理の効率を上げ
ている。第5図(d)は同図(b)に示した積分値を微
分処理した結果を示した微分値分布図である。また、第
6図はこのような処理によって得られた微分値データと
それに対応する座標値の一例を示している。
ステップS62:ステップS61で得られた微分処理の結果に
基づき、その間の画素数が、スクライブラインのエッジ
幅に対応する画素数(例えば10画素)以内にある正負の
最大微分値を、一対の変曲点として採用する。このよう
な変曲点を2組検出して、これらの正負の変曲点の座標
値の中間点をスクライブラインSYのエッジの座標X1′,X
2′とする(第6図参照)。
ステップS63〜S65:上述したステップS23〜S25と同様
に、エッジ間距離の算出、ライン幅の合致の判断、
X1′,X2′座標の記憶を行う。このステップS64は本発明
に係る第2判断過程に相当する。
ステップS7:ステップS6と同様にして、スクライブライ
ンSXの位置座標Y1′,Y2′を求める。第5図(c)はY
方向に並んだ各画素列のX方向積分値の分布図、同図
(e)はその微分値の分布図である。
この微分処理過程から第2判断過程までの処理によれ
ば、上述のステップS21で得られた積分値をさらに微分
処理して変曲点を求め、その変曲点の座標値からスクラ
イブラインSY,SXの交差領域の位置を求めているので、
処理数が増えるものの、精度のよいスクライブラインの
検出を行うことができる。
本実施例の特徴は、第2図に示したように、上述の積
分処理過程から第1判断過程までの処理にかかる積分値
の最小値検出に基づくスクライブラインの検出手法と、
微分処理過程から第2判断過程までの処理にかかる積分
値の変曲点検出に基づくスクライブラインの検出手法と
を組み合わせた点にある。
すなわち、積分値の最小値検出に基づくスクライブラ
インの検出において、算出されたX1,X2の間隔Wdが予め
定められたスクライブラインSYのライン幅に合致しない
場合は、ステップS24からステップS6のステップS61〜S6
5に進んで、積分値の変曲点を検出することに基づく手
法、すなわち、前者よりも精度の高いスクライブライン
検出手法でスクライブラインSYの位置検出を行い、この
手法によってもスクライブラインSYが検出されない場合
にエラー表示を行うようにしている。同様に、積分値の
最小値検出に基づいてスクライブラインSXの位置検出が
できない場合には、ステップS34からステップS7に進ん
で、ステップS6と同様の積分値の変曲点検出に基づくス
クライブラインSXの位置検出を行う。
以上の何れかの手法でスクライブラインSY,SXのエッ
ジ座標X1,X2,Y1,Y2、または、X1′,X2′,Y1′,Y2′が検
出された場合には、上記したようにステップS4,S5に進
んで、スクライブラインSY,SXの交差領域の位置検出お
よび測定スポットMPの移動による位置合わせを行うよう
にしている。
本実施例によれば、積分値の最小値検出に基づいてス
クライブラインの位置検出ができない場合にのみ、処理
過程が多少複雑であるが精度の高い変曲点検出に基づく
スクライブラインの位置検出を行うようにしているの
で、より実用的なスクライブラインの検出を行うことが
できる。
なお、上記ステップS21で得られた積分値群の各積分
値に、移動平均処理を行ってもよい。そのようにするこ
とによって、スクライブライン交差領域の検出には関係
ない積分値相互間での細かな変化を除去して大きな変化
を強調できる。
また、上記実施例では、本発明に係る方法に利用した
膜厚測定装置が、スクライブライン交差領域の中心の位
置Gを測定対象としているため、スクライブライン交差
領域の位置に基づいて、スクライブライン交差領域の中
心の位置Gを算出したが、例えば、かかる位置Gとは別
の位置が測定対象である場合には、前記式やの代わ
りに、そのような測定対象位置とスクライブライン交差
領域との位置関係を規定した別の計算式を用いて、本発
明に係る方法で位置検出されたスクライブライン交差領
域の位置に基づいて算出すればよい。
このように本発明は、スクライブライン交差領域の中
心を検出するのに限定されるものではなく、かかる中心
位置のような所要位置を算出する元となるスクライブラ
イン交差領域の位置を検出するものである。
前記実施例において、階調値の最小値を検出するとし
ているのは、階調値として例えば明るさ、すなわち撮像
位置でキャッチした光強度を用いた場合のことであり、
階調値として、例えば濃度値を用いた場合には、最小値
の代わりに最大値を検出すればよいことは自明であり、
両者は技術的に等価であるから、後者の場合も本発明に
含まれる。
<発明の効果> 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ス
クライブラインが形成された基板を、落射顕微光学系で
撮影するので、撮影された画像におけるスクライブライ
ンのエッジ部分は階調値が小さくなり、そのように撮影
された基板の多階調画像データをX,Y方向についてそれ
ぞれ積分処理し、積分値の最小値検出によってスクライ
ブラインが検出できない場合に、積分値の変曲点検出を
行うことにより、スクライブラインの交差領域の位置を
検出するようにしているので、従来のモード法を用いて
の2値化処理に基づく方法のようにスクライブラインの
検出自体が出来ないためにスクライブラインの交差領域
の位置検出が不能になるということがなく、表面状態が
多様な基板に対して、スクライブラインの交差領域の位
置検出を精度よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例に使用される膜厚測定装置の概略構成を
示したブロック図、第2図は実施例の動作フローチャー
ト、第3図は多階調画像データの積分処理の説明に供す
る模式図、第4図はソーティングされた積分値データの
模式図である。 第5図は多階調画像データの積分値処理および変曲点検
出処理の説明に供する模式図、第6図は変曲点検出に利
用される微分値データの模式図である。 第7図ないし第9図は従来方法の説明に係り、第7図は
基板上のスクライブラインの交差領域を拡大撮像した状
態を示した図、第8図は第7図の画像の階調値ヒストグ
ラムの一例を示した図、第9図は従来例の問題点の説明
に供する階調値ヒストグラムを示した図である。 W……基板、1……XYステージ 2……対物レンズ、3……光源 4,5……ハーフミラー、6……テレビカメラ 7……画像処理ユニット、8……CRT 9……XYステージ駆動回路 10……分光器

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】落射顕微光学系によって拡大撮像した基板
    表面のスクライブライン交差領域の多階調画像データに
    対してスクライブラインに沿って直交するX,Y方向の各
    画素列について、順に階調値の積分処理を行う積分処理
    過程と、 前記積分処理で得られたX,Y方向の積分値群の中から、
    最小側の2つの積分値をそれぞれ検出する最小値検出過
    程と、 X,Y方向についてそれぞれ検出された2つの積分値に対
    応する座標値X1,X2,Y1,Y2から、X方向間隔とY方向間
    隔とを算出する間隔算出過程と、 前記算出されたX,Y方向間隔が、それぞれ予め定められ
    たスクライブライン幅と合致するかどうかを判断する第
    1判断過程と、 前記第1判断過程において、両者が合致していない場合
    に、前記積分処理で得られたX,Y方向の積分値に対して
    それぞれ微分処理を施す微分処理過程と、 X,Y方向についてそれぞれ得られた微分処理の結果か
    ら、X,Y方向についてそれぞれ2つの変曲点を算出する
    変曲点算出過程と、 前記算出されたX,Y方向それぞれの2つの変曲点に対応
    する座標値X1′,X2′,Y1′,Y2′から、X方向間隔とY
    方向間隔とを算出する間隔算出過程と、 前記算出されたX,Y方向間隔が、それぞれ予め定められ
    たスクライブライン幅と合致するかどうかを判断する第
    2判断過程と、 を備え、 第1判断過程でX,Y方向について、それぞれ前記スクラ
    イブライン幅に合致すると判断された2つの積分値の座
    標値X1,X2,Y1,Y2に基づく座標位置(X1,Y1),(X2,
    Y1),(X1,Y2),(X2,Y2)または、第2判断過程でX,
    Y方向について、それぞれ前記スクライブライン幅と合
    致すると判断された2つの変曲点の座標値X1′,X2′,
    Y1′,Y2′に基づく座標位置(X1′,Y1′),(X2′,
    Y1′),(X1′,Y2′),(X2′,Y2′)をスクライブラ
    インの交差領域の角の位置とすることを特徴とするスク
    ライブライン交差領域の位置検出方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4955874B2 (ja) * 2001-09-07 2012-06-20 キヤノン株式会社 位置合わせ装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JPWO2004053451A1 (ja) * 2002-12-06 2006-04-13 株式会社インターアクション 固体撮像素子の試験装置
JP2013142777A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Ushio Inc 露光方法
JP7365108B2 (ja) * 2018-06-05 2023-10-19 株式会社ディスコ 処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3030444A1 (de) * 1979-09-14 1981-04-02 Bräcker AG, Pfäffikon, Zürich Verfahren und werkzeug zum entfernen eines ringlaeufers vom ring einer ringspinn- oder ringzwirnmaschine
JPS61230005A (ja) * 1985-04-04 1986-10-14 Bridgestone Corp シ−ト状物体の継目検査法
JPS63252209A (ja) * 1987-04-08 1988-10-19 Sumitomo Metal Ind Ltd 帯状体の端部検出装置
JPH0627267Y2 (ja) * 1988-07-11 1994-07-27 日本鋼管株式会社 開先撮像装置

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