JP4021309B2 - 液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法 - Google Patents

液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法に係るもので、詳しくは、液晶パネルの大きさ及びセルギャップに基づいて最適滴下量を計算して滴下し、実際に滴下される液晶の量を設定された滴下量と比較して滴下量を補正することで、常に正確な量の液晶を基板上に滴下し得る、液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】
最近、携帯電話、携帯端末機及びノートブックコンピュータのような各種携帯用電子機器の発展に伴って、それらに適用し得る軽薄短小用の平板ディスプレー装置に対する要求が増大しつつある。このような平板ディスプレー装置としては、液晶ディスプレー(LCD)、プラズマディスプレーパネル(PDP)、電界放出ディスプレー(FED)及び真空蛍光ディスプレー(VFD)などの各種ディスプレー装置が活発に研究されているが、量産化技術や駆動手段の容易性及び高画質の具現という理由で、現在は、液晶ディスプレー素子(以下「LCD素子」という)が脚光を浴びている。
【0003】
LCD素子は、液晶の屈折率異方性を利用して画面に情報を表示する装置であって、図13に示したように、下部基板5と、上部基板3と、それら上、下部基板3、5間に形成された液晶層7と、を包含して液晶パネル1が構成されている。
【0004】
ここで、前記下部基板5は、駆動素子アレイ基板であって、図示されてないが、前記下部基板5には複数の画素が形成されていて、各画素には薄膜トランジスタ(以下「TFT」という)のような駆動素子が形成されている。
【0005】
又、前記上部基板3は、カラーフィルタ基板であって、実際のカラーを具現するためのカラーフィルタ層が形成されている。
【0006】
更に、前記下部基板5及び上部基板3には夫々画素電極及び共通電極が形成され、前記液晶層7の液晶分子を配向するための配向膜が塗布されている。
【0007】
前記下部基板5及び上部基板3は、シーリング材9により合着され、それらの間に液晶層7が形成されていて、前記下部基板5に形成された駆動素子により液晶分子を駆動して前記液晶層7を透過する光量を制御することで、情報を表示するようになっている。
【0008】
LCD素子の製造工程は、前記下部基板5に駆動素子としてのTFTを形成するTFTアレイ工程、前記上部基板3にカラーフィルタを形成するカラーフィルタ工程及びセル工程に区分されている。以下、各工程について、図14を参照して詳しく説明する。
【0009】
先ず、下部基板5上に配列されて画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインをTFTアレイ工程により形成し、前記各画素領域に前記ゲートライン及びデータラインにそれぞれ接続される駆動素子のTFTを形成する(S101)。又、前記TFTアレイ工程により前記TFTに接続されて、該TFTを介して信号が印加されることで液晶層を駆動する画素電極を形成する。
【0010】
一方、上部基板3にはカラーフィルタ工程によりカラーを具現するR、G、Bのカラーフィルタ層及び共通電極を形成する(S104)。
【0011】
次いで、前記上部基板3及び下部基板5に夫々配向膜を塗布した後、それら上部基板3と下部基板5間に形成される液晶層の液晶分子に配向規制力又は表面固定力(即ち、プレチルト角及び配向方向)を提供するために前記配向膜をラビングする(S102、S105)。
【0012】
次いで、前記下部基板5に、セルギャップを一定に維持するためのスペーサを散布し(S103)、また、前記上部基板3の外郭部にシーリング材を塗布した後(S106)、前記下部基板5及び上部基板3に圧力を加えて合着させる(S107)。
【0013】
一方、前記下部基板5及び上部基板3は、大面積のガラス基板に構成されている。即ち、前記大面積のガラス基板に複数のパネル領域が形成され、それらパネル領域にそれぞれ駆動素子のTFT及びカラーフィルタ層が形成されるため、一つの液晶パネルを製作するためには、前記ガラス基板を切断及び加工しなければならない(S108)。その後、このように加工された各液晶パネルに液晶注入口を通して液晶を注入し、前記液晶注入口を封止して液晶層を形成した後(S109)、各液晶パネルを検査することで、LCD素子の製作を終了するようになっていた(S110)。
【0014】
上述したように前記液晶は、パネルに形成された液晶注入口を通して注入される。この時、液晶の注入は圧力差により行われる。前記液晶パネルに液晶を注入する装置においては、図15に示したように、真空チャンバ10内には液晶が充填された容器12が備えられており、その上部に液晶パネル1が配置される。又、前記真空チャンバ10は、真空ポンプと連結されて真空状態を維持している。図示されてないが、前記真空チャンバ10内には液晶パネル移動用装置が装着されていて、前記液晶パネル1を容器12の上部から容器まで移動させて、前記液晶パネル1に形成された注入口16を液晶14に接触させる(このような方式を液晶の浸漬注入方式という)。
【0015】
このように前記液晶パネル1の注入口16を液晶14に接触させた状態で、前記真空チャンバ10内に窒素ガス(N)を供給して前記チャンバ10の真空度を低下させると、前記液晶パネル1の内部圧力と前記真空チャンバ10との圧力差により前記液晶14が前記注入口16を通って前記液晶パネル1に注入され、液晶が前記パネル1内に完全に充填された後、前記注入口16を封止材により封止することで、液晶層を形成するようになっていた(このような方式を液晶の真空注入方式という)。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような従来の液晶注入方法においては、パネル1への液晶注入時間が長くなるという不都合な点があった。一般に、液晶パネルの上、下部基板間の間隔は数μm程度と狭いため、単位時間当り、極少量の液晶が液晶パネルの内部に注入される。例えば、約15インチの液晶パネルを製作する場合、液晶を完全に注入するのに概略8時間かかるが、このような長時間の液晶注入により液晶パネルの製造時間が長くなって、製造効率が低下するという不都合な点があった。
【0017】
又、従来の液晶注入方法においては、液晶消耗率が高くなるという不都合な点があった。前記容器12に充填されてある液晶14のうち、実際に液晶パネル10に注入される量は極少量である。一方、液晶は大気や特定ガスに露出されると、ガスと反応して劣化されてしまう。従って、前記容器12に充填された液晶14が複数枚の液晶パネル10に注入される場合も、注入後に残された高価な液晶14を廃棄しなければならず、その結果、液晶パネルの製造費用が増加するという不都合な点があった。
【0018】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、少なくとも1つの液晶パネルを包含する大面積のガラス基板上に直接液晶を滴下し得る、液晶滴下装置を提供することを目的とする。
【0019】
本発明の他の目的は、液晶の滴下量を正確に制御し得る、液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法を提供することである。
【0020】
本発明のその他の目的は、常に正確な量の液晶を少なくとも1つの液晶パネル領域を包含する基板上に滴下し得る、液晶滴下量補正装置を備えた液晶滴下装置及び液晶滴下量の制御方法を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下装置においては、基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルを上部位置に移動させるために該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、により構成された液晶を滴下する液晶滴下部と、前記ソレノイドコイルに電源を供給して前記ニードルを上部位置に移動させる電源供給部と、前記ニードルが上部位置に移動した時、液晶滴下部にガス圧力を提供して前記排出口を通して液晶を排出させるガス供給部と、基板上に滴下される液晶の滴下量を計算し、前記電源供給部及びガス供給部を制御して前記計算された滴下量の液晶を基板上に滴下させる制御部と、を備えて構成されることを特徴とする。
【0022】
そして、前記目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下量の制御方法においては、基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されるノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルを上部位置に移動させるように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、を包含して構成される少なくとも一つの液晶滴下器の液晶に圧力を印加して、少なくとも一つの液晶パネル領域を包含する基板上に液晶を滴下する方法であって、データを入力する段階と、前記入力されたデータに基づいて基板に滴下される液晶の総滴下量を算出する段階と、前記算出された総滴下量に基づいて基板上に滴下される液晶の滴下位置を算出する段階と、前記算出された総滴下量に基づいて1回の液晶滴下量を算出する段階と、前記算出された1回の液晶滴下量に基づいて、ソレノイドコイルに供給される電源供給量及び液晶滴下器に供給されるガス圧力を計算する段階と、前記計算された電源供給量を前記ソレノイドコイルに印加し、前記計算されたガス圧力を前記液晶滴下器に供給して液晶を滴下させる段階と、を順次行うことを特徴とする。
【0023】
且つ、前記目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下装置においては、液晶を滴下する液晶滴下部と、前記液晶滴下部から滴下される液晶の滴下量を測定する測定システムと、前記測定システムにより測定された液晶の滴下量を入力して、滴下される液晶の目標滴下量と測定された滴下量とを比較し、測定された滴下量が目標滴下量と相違するときは、前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を電気的に調整する制御部と、を包含して構成されたことを特徴とする。
【0024】
また、前記目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下装置においては、基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルが上部位置に移動するように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、により構成されて、液晶を滴下する液晶滴下部と、滴下される液晶の滴下量を測定する滴下量測定部と、測定された滴下量を目標とする滴下量と比較して補正値を算出する補正量算出部と、前記補正値に基づき、前記ソレノイドコイルに供給される電源量及びガス圧力のうちの少なくとも何れか一つを制御する補正量制御部と、を包含して構成されることを特徴とする。
【0025】
更に、前記目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下方法においては、液晶滴下部に液晶を充填する段階と、基板上に第1滴下量の液晶を滴下する段階と、前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を自動補正する段階と、自動補正により決定された第2滴下量の液晶を基板上に滴下する段階と、を順次行うことを特徴とする。
【0026】
そして、前記目的を達成するため、本発明に係る液晶滴下方法においては、基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルが上部位置に移動するように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、を包含して構成される少なくとも一つの液晶滴下器の液晶に圧力を印加して液晶を滴下する方法であって、滴下される液晶の滴下量を設定する段階と、滴下された液晶の滴下量を測定する段階と、前記設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して補正量を算出する段階と、前記算出された補正量に基づき、前記ソレノイドコイルに印加される電源量及び前記液晶滴下器に印加されるガス圧力のうちの少なくとも何れか一つを制御する段階と、を順次行うことを特徴とする。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図面を用いて説明する。
浸漬方式又は真空注入方式のような従来の液晶注入方式の短所を克服するために、近来提案されている方法が液晶滴下方式(Liquid Crystal Dropping Method)による液晶層形成方法である。前記液晶滴下方式は、パネルの内部と外部との圧力差によって液晶を注入するものではなく、液晶を基板上に直接滴下(Dropping)及び分配(Dispensing)した後、パネルの合着圧力を利用して滴下された液晶をパネル全体に均一に分布させることで、液晶層を形成するものである。このような液晶滴下方式は、短時間内に基板上に直接液晶を滴下するので、大面積のLCD素子の液晶層を非常に迅速に形成し得るだけでなく、必要量の液晶だけを基板上に直接滴下するため、液晶の消耗を最小化して、LCD素子の製造費用を大幅に節減し得るというメリットがある。
【0028】
図1は、液晶滴下方式の基本概念を示したもので、図示されたように、駆動素子及びカラーフィルタが夫々形成された下部基板105と上部基板103とを合着する前に、前記下部基板105上に水滴状の液晶107を滴下する。一方、前記液晶107をカラーフィルタの形成された前記上部基板103上に滴下することもできる。即ち、液晶滴下方式において、液晶滴下の対象となる基板は、TFT基板及びCF基板の何れでも構わないが、但し、基板を合着する時、液晶が滴下された基板は必ず下部に置かれるべきである。
【0029】
この時、前記上部基板103の外郭領域には、シーリング材109が塗布され、前記上部基板103及び下部基板105に圧力を加えると、それら上部基板103と下部基板105とが合着されると同時に、前記圧力により前記液晶107の滴が広がって前記上部基板103と下部基板105間に均一厚さの液晶層が形成される。このように、前記液晶滴下方式の最大特徴は、前記パネル101を合着する前に前記下部基板105上に予め液晶107を滴下した後、シーリング材109によりパネルを合着することである。
【0030】
このような液晶滴下方式を適用したLCD素子の製造方法は、従来の液晶注入方式による製造方法と次のような相違点を有する。即ち、従来の液晶注入方式では、複数のパネルが形成される大面積のガラス基板をパネル単位に分離して液晶を注入していたが、液晶滴下方式では、予め基板上に液晶を滴下して液晶層を形成した後、ガラス基板をパネル単位に加工分離するようになっている。このような工程上の相違点は、実際にLCD素子を製造する時、数多くの長所を提供する。勿論、液晶滴下方式自体による長所(即ち、迅速な液晶層の生成)もあるが、複数のパネルが形成されたガラス基板単位に液晶層を形成することから生じる長所もある。例えば、ガラス基板に4個の液晶パネルを形成する場合、従来の液晶注入方式による液晶層の形成工程では、加工された4個の液晶パネルのそれぞれに液晶を一度に注入するとき、同一条件(同じ液晶容器及び同じ注入圧力など)によって同一セルギャップを有する液晶パネルを形成するが、液晶滴下方式を適用すると、1回の滴下によって前記4個の液晶パネルにそれぞれ滴下される液晶量を制御することで、それぞれ異なるセルギャップを有する液晶パネルを形成することができる。
【0031】
このような液晶滴下方式が適用されたLCD素子の製造方法においては、図2に示したように、TFTアレイ工程及びカラーフィルタ工程により上部基板105及び下部基板103に駆動素子のTFT及びカラーフィルタ層をそれぞれ形成する(S201、S204)。このとき、前記TFTアレイ工程及びカラーフィルタ工程は、図14に示された従来の製造方法と同様であって、複数のパネル領域が形成される大面積のガラス基板に一括的に進行される。特に、本発明では液晶滴下方式が適用されるので、従来の製造方法よりも一層広いガラス基板、例えば、1000×1200mm以上の大面積のガラス基板に有効に使用することができる。
【0032】
次いで、TFTが形成された前記下部基板105及びカラーフィルタ層が形成された前記上部基板103に夫々配向膜を塗布し、ラビングを行った後(S202、S205)、前記下部基板105の液晶パネル領域には液晶107を滴下し(S203)、前記上部基板103の液晶パネルの外郭部領域にはシーリング材109を塗布する(S206)。
【0033】
次いで、前記上部基板103と下部基板105とを整列した状態で圧力を加えて、前記シーリング材により前記下部基板105と上部基板103とを合着させると同時に、圧力の印加により滴下された液晶107がパネル全体に均一に広がるようにする(S207)。このような工程により大面積のガラス基板(下部基板及び上部基板)には液晶層が形成された複数の液晶パネルが形成され、前記ガラス基板を加工及び切断して複数の液晶パネルに分離して、各液晶パネルを検査することで、LCD素子を製作するようになる(S208、S209)。
【0034】
ここで、図2に示した液晶滴下方式が適用されたLCD素子の製造方法と、図14に示した従来の液晶注入方式が適用されたLCD素子の製造方法と、を比較してみると、液晶の真空注入と液晶の滴下及び、大面積ガラス基板の加工時期の差の外にも、従来液晶注入方式が適用されたLCD素子の製造方法においては、注入口を通して液晶を注入した後、該注入口を封止材により封止するべきであるが、液晶滴下方式が適用された製造方法においては、液晶が基板に直接滴下されるので、そのような注入口の封止工程が不必要になる。又、従来の液晶注入方式が適用された製造方法においては、液晶の注入時に基板が液晶に接触するので、パネルの外部面が液晶により汚染され、従って、該汚染された基板を洗浄するための工程が必要であったが、液晶滴下方式が適用された製造方法では、液晶が基板に直接滴下されるので、パネルが液晶により汚染されず、従って、洗浄工程が不必要である。このように、液晶滴下方式によるLCD素子の製造方法は、従来の液晶注入方式による製造方法よりも簡単な工程で構成されているため、製造効率及び収率が向上する。
【0035】
前記液晶滴下方式が適用されたLCD素子の製造方法において、液晶層を所望の厚さに正確に形成するための最も重要な要因は、滴下される液晶の位置及び液晶の滴下量である。特に、液晶層の厚さは、液晶パネルのセルギャップと密接な関係を有するため、正確な液晶の滴下位置及び滴下量は、液晶パネルの不良を防止するために非常に重要な要素である。従って、正確な位置に正確な量の液晶を滴下する装置が必要となり、本発明ではそのための液晶滴下装置を提供する。
【0036】
図3は、本発明に係る液晶滴下装置120を利用して基板(大面積のガラス基板)105上に液晶107を滴下する基本的な概念を示したもので、前記液晶滴下装置120は、基板105の上部に設置されている。図示されてないが、前記液晶滴下装置120の内部には液晶が充填されていて基板上に一定量を滴下する。
【0037】
通常、液晶は、水滴状に基板上に滴下される。前記基板105は、設定された速度で x、y 方向に移動し、また、前記液晶滴下装置120は、設定された時間間隔で液晶を排出するため、前記基板105上に滴下される液晶107は x、y 方向に一定の間隔に配置される。反対に、液晶滴下時、前記基板105は固定されて、前記液晶滴下装置120が x、y 方向に移動して液晶を所定間隔に滴下することもできるが、この場合、前記液晶滴下装置120の移動によって水滴状の液晶が揺れて液晶の滴下位置及び滴下量に誤差が発生することがあるので、前記液晶滴下装置120は固定させて、前記基板105を移動させることが好ましい。
【0038】
ここで、前記液晶滴下装置120においては、図4〜図6に示したように、液晶107が充填された円筒形の液晶容器124がケース122に収納されている。前記液晶容器124は、ポリエチレンにより形成されており、前記ケース122はステンレス鋼のような金属により形成されている。通常、ポリエチレンは成形性に優れていて所望の形状の容器を形成することが容易であるだけでなく、液晶と反応しないので液晶容器124として主に使用される。然し、前記ポリエチレンは強度が弱いため外部の衝撃で変形しやすく、特に、液晶容器124としてポリエチレンを使用する場合、容器124が変形すると、正確な位置に液晶107を滴下することができないので、強度の強いステンレス鋼からなる前記ケース122に収納して使用する。また、図示されてないが、前記液晶容器124の上部には外部のガス供給部に連結されたガス供給管が連結されているので、該ガス供給管を介して外部のガス供給部から窒素のようなガスが供給され、前記液晶容器124の液晶が充填されてない領域にガスが充填されて前記液晶に圧力を加えることで、液晶が滴下される。
【0039】
前記ケース122の下端部には開口123が形成され、前記液晶容器124が前記ケース122に収納されるとき、前記液晶容器124の下端部に形成された突起138が前記開口123に挿入されて、前記液晶容器124を前記ケース122に結合させる。また、前記突起138は第1結合部141と結合される。前記突起138にはナットが形成され、前記第1結合部141の一方側にはボルトが形成されて、それらナット及びボルトにより前記突起138と第1結合部141とが結合される。
【0040】
前記第1結合部141の他方端にはナットが形成され、第2結合部142の一方側にはボルトが形成されて、それら第1結合部141と第2結合部142とが結合される。この時、前記第1結合部141と第2結合部142間にはニードルシート143が配置される。
【0041】
又、前記ニードルシート143は、前記第1結合部141のナットに挿入されて、前記第2結合部142のボルトが挿入して結合される時、前記第1結合部141と第2結合部142間に固定される。又、前記ニードルシート143には排出孔144が形成されていて、前記液晶容器124に充填された液晶107が前記第2結合部142を経て前記排出孔を通って排出される。
【0042】
又、前記第2結合部142にはノズル145が結合される。前記ノズル145は、前記液晶容器124に充填された液晶107を少量ずつ滴下させるためのものであって、前記第2結合部142の一方側に形成されたナットと結合されて、前記ノズル145と第2結合部142とを結合させるボルトを包含する支持部147と、該支持部147から突出して少量の液晶を水滴状に基板上に滴下させる排出口146と、により構成される。
【0043】
又、前記支持部147の内部には前記ニードルシート143の排出孔144から延長された排出管が形成され、該排出管が前記排出口146と連結されている。通常、前記ノズル145の排出口146は、極小直径に形成されて(微細な液晶の滴下量を調節するために)、前記支持部147から突出している。
【0044】
又、前記液晶容器124にはニードル136が挿入されて、その一方側を前記ニードルシート143に接触させる。特に、前記ニードルシート143と接触させる前記ニードル136の端部は円錐状に形成されているため、該当端部が前記ニードルシート143の排出孔に挿入されて該排出孔を遮断する。
【0045】
又、前記ニードル136の他端部にはスプリング128が装着され、その上部には間隙調整部134が付着された磁性棒132が装着されている。該磁性棒132は、強磁性物質又は軟磁性物質により形成されていて、その外部には円筒状のソレノイドコイル130が装着されている。前記ソレノイドコイル130は、電源供給部150に接続されて電源が印加され、それによって、前記磁性棒132に磁気力が発生される。
【0046】
このとき、前記ニードル136と磁性棒132とは所定間隔Dを有して装着されている。前記電源供給部150から前記ソレノイドコイル130に電源が供給されて、前記磁性棒132に磁気力が発生すると、該磁気力によって前記ニードル136が前記磁性棒132に接触し、一方、電源供給が中断されると、前記ニードル136の端部に装着されたスプリング128の弾性により前記ニードル136は元の位置に復帰する。このような前記ニードル136の上下移動によって、前記ニードルシート143に形成された排出孔144が開放又は遮断される。このように前記ニードル136の端部とニードルシート143とは、前記ソレノイドコイル130に電源が供給又は中断されることで、反復的に接触し、このような反復的な接触によって前記ニードル136の端部及びニードルシート143が連続的な衝撃に曝されて破損される恐れがある。従って、前記ニードル136の端部及びニードルシート143を衝撃に強い物質、例えば、超硬合金により形成して衝撃による破損を防止することが好ましい。
【0047】
図5に示したように前記ニードル136が上昇して前記ニードルシート143の排出孔144が開放されると、前記液晶容器124に供給されるガス(即ち、窒素ガス)が液晶に圧力を加えるので、前記ノズル145から液晶107の滴下が開始される。この時、滴下される前記液晶107の量は、前記排出孔144の開放時間及び液晶に加えられる圧力によって相違し、前記開放時間は、前記ニードル136と磁性棒132との間隔D、前記ソレノイドコイル130により発生する磁性棒132の磁気力及び、前記ニードル136に装着されたスプリング128の張力によって決定される。ここで、前記磁性棒132の磁気力は、該磁性棒132の周囲に装着される前記ソレノイドコイル130の巻線数及び前記ソレノイドコイル130に印加される電源の大きさによって調整することが可能で、前記ニードル136と磁性棒132との間隔Dは、前記磁性棒132の端部に装着された間隙調整部134により調整することができる。
【0048】
前記ニードル136と磁性棒132間の間隔D及びスプリング128の張力は、作業者により設定される。即ち、作業者が前記間隙調整部134を直接操作することで、前記ニードル136と磁性棒132の間隔Dを設定するか、または、スプリング調整手段(図示せず)を操作して前記スプリング128の長さを変化させることで、該スプリング128の張力を設定することができる。
【0049】
一方、前記ソレノイドコイル130に印加される電源の大きさや前記液晶容器124に供給される窒素ガスの量は、前記ガス供給部152に連結されていて前記液晶容器124内にガスを供給する前記ガス供給管153に設置された流量制御バルブ154及び、前記電源供給部150を制御する主制御部160により決定される。言い換えると、電源供給量及びガス流入量は、作業者の直接操作により決定されるものではなく前記主制御部160の制御により決定されるもので、入力されるデータに基づいて電源供給量及びガス流入量を算出して決定するものである。
【0050】
前記主制御部160は、図7に示したように、製作しようとする液晶パネルの大きさ、基板に包含される液晶パネルの枚数、液晶パネルのセルギャップ(即ち、スペーサの高さ)及び液晶に対する情報などの各種データが入力される入力部161と、前記入力されたデータに基づいて基板全体に滴下される液晶の量、液晶滴下回数、1回の液晶滴下量及び液晶滴下位置を算出して信号を出力する滴下量算出部170と、該滴下量算出部170により算出された液晶の滴下位置に基づいて基板を駆動する基板駆動部163と、前記滴下量算出部170により算出された1回の液晶滴下量に基づいて前記電源供給部150を制御して前記ソレノイドコイル130に電源を供給する電源制御部165と、前記滴下量算出部170により算出された1回の液晶滴下量に基づいて前記流量制御バルブ154を制御することで前記ガス供給部154から前記液晶容器124内にガスを供給する流量制御部167と、入力データ、算出された滴下量及び滴下位置並びに、液晶滴下の現在状況などを出力する出力部169と、により構成されている。
【0051】
そして、前記入力部161は、キーボード、マウスまたはタッチパネルのような通常の操作手段によりデータを入力するものであって、製作しようとする液晶パネルの大きさ、基板の大きさ及び液晶パネルのセルギャップなどのようなデータが作業者により入力される。
【0052】
また、前記出力部169は、作業者に各種情報を知らせるためのものであって、CRTやLCDのようなディスプレーまたはプリンタのような各種出力装置を包含する。
【0053】
また、前記滴下量算出部170は、液晶パネルに滴下される液晶の滴下量だけでなく、複数の液晶パネルが形成される基板全体に滴下される液晶の滴下量、1回の液晶滴下量及び液晶の滴下位置などを算出する。詳しくは、前記滴下量算出部170は、図8に示したように、前記入力部161を介して入力される液晶パネルの大きさ及びセルギャップに基づき、パネルに滴下される液晶の総滴下量及び複数の液晶パネルが形成される基板全体に滴下される液晶の総滴下量を算出する総滴下量算出部171と、該総滴下量算出部171により算出された総滴下量データに基づいて基板上に滴下される滴下回数を算出する滴下回数算出部175と、基板上の特定位置に滴下される1回の液晶滴下量を算出する1回滴下量算出部173と、基板上に液晶が滴下される位置を算出する滴下位置算出部177と、により構成されている。
【0054】
詳しく説明すると、前記総滴下量算出部171は、入力されるパネルの大きさ(d)及びセルギャップ(t)に基づいて液晶パネルの滴下量(Q)を計算し(Q=d×t)、基板上に形成されるパネルの枚数に基づいて基板に滴下される総滴下量を算出する。
【0055】
また、前記滴下回数算出部175は、入力される総滴下量及びパネルの面積や、液晶及び基板の特性に基づいて、1枚のパネル内に滴下される滴下回数を計算する。一般に液晶滴下方式の場合は、基板に滴下された液晶が上下基板の合着時に印加される圧力によって基板上で拡散され、このような液晶の拡散は、液晶の粘度のような液晶の特性や、パターンの配置などのような液晶が滴下される基板の構造によって左右され、このような特性により1回滴下された液晶の拡散領域が決定されるので、該拡散領域を勘案してパネルに滴下される液晶の滴下回数を計算する。また、前記パネルにおける滴下回数に基づいて基板全体への滴下回数を算出する。
【0056】
また、前記1回滴下量算出部173は、入力される総滴下量に基づいて1回の液晶滴下量を算出する。図面では、前記滴下回数算出部175と1回滴下量算出部173とが別個に形成されて、入力される総滴下量に基づいて滴下回数及び1回の滴下量を算出するようになっているが、実際に前記滴下回数算出部175と1回滴下量算出部173とは密接な関係を有し、滴下回数及び1回の滴下量もやはり相互関係を有する。即ち、滴下回数によって1回の滴下量が決定される。
【0057】
また、前記滴下位置算出部177は、滴下される液晶の滴下量及び液晶の特性に基づいて滴下された液晶の拡散範囲を計算し、滴下される位置を算出する。
そして、このように算出された滴下回数、1回の滴下量及び滴下位置は、図7に示したように、基板駆動部163、電源制御部165及び流量制御部167にそれぞれ入力される。すると、前記電源制御部165は、入力されたデータ(滴下回数及び1回の滴下量)に基づいて供給される電源を計算した後、前記電源供給部150に信号を出力して前記ソレノイドコイル130に該当電源を供給する。また、前記流量制御部167は、入力されたデータに基づいて供給されるガスの流量を計算し、流量制御バルブ154を制御して該当する量の窒素を前記液晶容器124に供給する。また、前記基板駆動部163は、算出された滴下位置データに基づいて基板駆動信号を出力し、基板駆動用モータ(図示せず)を作動させて前記基板を移動させることで、液晶滴下装置を基板の滴下位置に整列させる。
【0058】
一方、前記出力部169は、前記入力部161を利用して作業者が直接入力した液晶パネルの大きさ、セルギャップ及び液晶の特性情報を表示するだけでなく、前記入力されたデータに基づいて算出された滴下回数、1回の滴下量、滴下位置、現在液晶が滴下された回数や位置及び滴下量のような現在の滴下状態を表示して、作業者が常にそれを確認できるようにする。
【0059】
以上のように、本発明に係る液晶滴下装置においては、作業者が入力したデータに基づいて液晶の滴下位置、滴下回数及び1回の滴下量を算出した後、基板上に自動的に液晶を滴下させることができる。
【0060】
以下、このように構成された本発明に係る液晶滴下装置を利用した液晶滴下方法について、図9に基づいて説明する。
【0061】
先ず、作業者がキーボード、マウスまたはタッチパネルなどの入力部161を操作して液晶パネルの大きさ、セルギャップ及び液晶の特性情報を入力すると(S301)、総滴下量算出部171は、基板またはパネルに滴下される液晶の総滴下量を算出する(S302)。
【0062】
次いで、滴下回数算出部175、1回滴下量算出部173及び滴下位置算出部177は、前記算出された総滴下量に基づいて滴下回数、滴下位置及び1回の液晶滴下量をそれぞれ算出する(S303、S305)。
【0063】
一方、液晶滴下装置120の下部に配置される基板は、モータにより x、y方向に移動するので、前記滴下位置算出部177は、入力される総滴下量、液晶の特性情報及び基板情報に基づいて液晶が滴下される位置を算出し、それに基づいて前記モータを作動させて設定された滴下位置に前記液晶滴下装置120が位置するように前記基板を移動させる(S304)。
【0064】
このように前記基板が移動した状態で、電源制御部165及び流量制御部167は、前記算出された1回の液晶滴下量に基づいて該当する排出孔144の開放時間に対応する電源量及び流量を算出し(S306)、電源供給部150及び流量制御バルブ154を制御してソレノイドコイル130及び液晶容器124に電源及び窒素をそれぞれ供給することで、設定された位置への液晶滴下を開始する(S307、S308)。
【0065】
上述したように、1回の滴下量は、前記ソレノイドコイル130に供給される電源の供給量及び、前記液晶容器124に供給されて液晶に圧力を加える窒素の供給量によって決定されるため、上述したように前記二つの因子を一緒に変化させて液晶滴下量を調整することもできるし、または、一つの因子は固定させてもう一つの因子を変化させることで液晶滴下量を調整することもできる。即ち、前記液晶容器124に供給される窒素の流量を設定された量に固定させ、前記ソレノイドコイル130に供給される電源の量だけを変化させることでも、所望量の液晶を基板に滴下させることが可能で、また、前記ソレノイドコイル130に供給される電源の量は設定された量に固定させて、前記液晶容器124に供給される窒素の量だけを変化させることでも所望量の液晶を基板に滴下させることができる。
【0066】
一方、基板の特定位置に滴下される1回の液晶滴下量は、スプリング128の張力を調整するか、ニードル136と磁性棒132間の間隔Dを調整することで決定され、前記スプリング128の張力や間隔Dの調整は、作業者の簡単な操作により容易に行われるので、液晶の滴下時に予め設定しておくことが好ましい。
【0067】
基板上に液晶を滴下する時、滴下される液晶の滴下量は数mg程度の極めて微細な量であり、従って、このような微細な量を正確に滴下することは非常に困難である。例えば、設定された量は各種要因によって簡単に変化するため、滴下される液晶量を補正して常に正確な量の液晶を基板上に滴下することが必要で、このような液晶滴下量の補正は、図4に示された前記主制御部160に包含される補正制御部より実行される。
【0068】
詳しくは、前記補正制御部は、図10に示したように、滴下される液晶の量を測定する滴下量測定部181と、前記測定された滴下量を設定された滴下量と比較して液晶の補正量を算出する補正量算出部190と、により構成されている。
【0069】
図示されてないが、液晶滴下装置(または液晶滴下装置の外部)には液晶の重量を精密に測定するための重量計が設置されていて、液晶の重量を周期的または非周期的に測定し得るようになっている。通常、液晶は、数mgの微細な量が使用されるため、そのような微細な量を正確に測定することには限界がある。従って、本発明では、一定滴下回数の液晶量、例えば、10回、50回または100回の液晶量を測定することで1回の液晶滴下量を検出するようになっている。
【0070】
図11に示したように、前記補正量算出部190は、図8の1回滴下量算出部173により算出された滴下量を現在の滴下量として設定する滴下量設定部191と、前記設定された滴下量と前記滴下量測定部181により測定された滴下量とを比較し、その差値を計算する比較部192と、該比較部192によって計算された滴下量差値が入力され、該差値に該当する圧力の誤差値を算出する誤差圧力算出部194と、前記比較部192により計算された滴下量差値が入力されて、該差値に該当する電源量の誤差値を算出する誤差電源量算出部196と、により構成されている。
【0071】
そして、前記誤差圧力算出部194は、算出された圧力の誤差値を流量制御部167に出力し、該流量制御部167は、入力された圧力の誤差値をガス供給量に変換した後、前記流量制御バルブ154に制御信号を出力することで、液晶容器124に流入されるガスの流量を増加または減少させる。
【0072】
また、前記誤差電源量算出部196は、算出された圧力の誤差値を電源制御部165に出力し、該電源制御部165は、入力された圧力の誤差値を電源量に変換した後、前記ソレノイドコイル130に増加または減少された電源を印加することで液晶の滴下量を補正する。
【0073】
ここで、液晶滴下量の補正方法を説明すると、図12に示したように、先ず、設定された回数の液晶滴下が終了すると、重量計を利用して滴下された液晶の滴下量を測定する(S401)。
【0074】
次いで、測定された滴下量を設定された測定量と比較して、滴下量の誤差値が存在するか否かを判断し(S402、S403)、誤差値がないと、現在滴下中の液晶量が設定された量であると判断して滴下を継続して進行する。
【0075】
一方、誤差値があると、誤差圧力算出部194は、誤差値に該当する窒素ガスの圧力を計算し(S404)、流量制御部167は、前記誤差値に該当する圧力から液晶容器124に供給される窒素の流量を算出すると共に(S405)、流量制御バルブ154を作動させて、窒素の流量を算出された流量だけ増加または減少させて前記液晶容器124に供給することで、補正された滴下量の液晶を基板上に滴下するようになっている(S406、S409)。
【0076】
一方、液晶の滴下量に誤差値がある場合、誤差電源量算出部196は、前記誤差値に該当する電源量を算出して前記電源供給部150を制御することで、前記ソレノイドコイル130に該当の電源量だけ増加または減少された電源を供給して、調整された滴下量の液晶を基板上に滴下する(S407、S408、S409)。
【0077】
上述したような液晶量の補正工程は反復して行われる。即ち、設定された回数の液晶滴下が終了する度毎に上述した補正工程が繰り返し行われて、基板上には常に正確な量の液晶が滴下される。
【0078】
また、前記液晶滴下量の補正時、前記液晶容器124に供給される窒素の流量や前記ソレノイドコイル130に供給される電源の制御は、それらを一緒に制御することで液晶の滴下量を補正することもできるし、何れか一つは固定させてもう一つを制御することで液晶の滴下量を補正することもできる。且つ、このような液晶滴下量の補正時、スプリング128の張力や間隔Dは、最初の設定値に固定することが好ましい。
【0079】
以上のように、本発明は、液晶滴下装置を提供する。特に、本発明は、入力されたパネルの大きさ、セルギャップ及び液晶の特性情報に基づいて基板に滴下される液晶の滴下量を自動的に算出して基板上に液晶を滴下し、滴下される液晶の滴下量を測定して、誤差がある場合は補正することで、基板上に常に正確な量の液晶を滴下し得る液晶滴下装置を提供する。このような本発明の最も大きい特徴は、入力データに基づいて液晶の滴下位置、滴下回数及び滴下量を自動的に算出し、滴下量を測定して設定された滴下量と差がある場合は、それを自動的に補正することにある。
【0080】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液晶滴下装置においては、入力されるデータ、即ち、パネルの大きさ、セルギャップ及び液晶の特性情報に基づいて基板上に滴下される液晶の位置及び滴下量を算出するので、常に正確な位置に正確な量の液晶を滴下することができるという効果がある。
【0081】
また、本発明に係る液晶滴下量の制御方法においては、液晶の滴下量が設定された滴下量と相違する場合、それを周期的に補正するので、液晶の滴下量誤差によって発生する液晶パネルの不良を效果的に防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶滴下装置により製作されたLCD素子を示した概略断面図である。
【図2】液晶滴下方式によりLCD素子を製作する方法を示したフローチャートである。
【図3】液晶滴下方式の基本概念を示した概略図である。
【図4】本発明に係る液晶滴下装置を示したもので、液晶を滴下する時の構造を示した概略図である。
【図5】図4の液晶滴下装置において、液晶を滴下させるときの構造を示した概略図である。
【図6】本発明に係る液晶滴下装置を示した分解斜視図である。
【図7】図4の主制御部を示したブロック図である。
【図8】図7の滴下量算出部の構造を示したブロック図である。
【図9】本発明に係る液晶滴下方法を示したフローチャートである。
【図10】1回の液晶滴下量補正を行う主制御部の構造を示したブロック図である。
【図11】図10の補正量制御部の構造を示したブロック図である。
【図12】本発明に係る液晶の滴下量補正方法を示したフローチャートである。
【図13】従来のLCD素子を示した断面図である。
【図14】従来のLCD素子の製造方法を示したフローチャートである。
【図15】従来のLCD素子の液晶注入方法を示した概略図である。
【符号の説明】
101:液晶パネル領域
103、105:基板
107:液晶
120:液晶滴下装置
122:ケース
124:液晶容器
128:スプリング
130:ソレノイドコイル
132:磁性棒
134:間隙調整部
136:ニードル
141:第1結合部
142:第2結合部
143:ニードルシート
144:排出孔
145:ノズル
146:排出口
150:電源供給部
152:ガス供給部
154:流量制御バルブ
160:主制御部
163:基板駆動部
165:電源制御部
167:流量制御部
170:滴下量算出部
181:滴下量測定部
190:補正量算出部
191:滴下量設定部
192:比較部

Claims (38)

  1. 基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、
    前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、
    該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、
    前記ニードルを上部位置に移動させるために該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、により構成されて液晶を滴下する液晶滴下部と、
    前記ソレノイドコイルに電源を供給して前記ニードルを上部位置に移動させる電源供給部と、
    前記ニードルが上部位置に移動した時、液晶滴下部にガス圧力を提供して前記排出口を通して液晶を排出させるガス供給部と、
    基板サイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報をパラメータとし、該パラメータに基づいて前記基板全体に滴下される液晶の総滴下量及び滴下位置を算出し、前記電源供給部及びガス供給部を制御して前記算出した量の液晶を前記算出した滴下位置に滴下させる制御部とを備え
    前記制御部は、入力部及び算出部を備え、前記パラメータは前記入力部から入力されるデータに基づいたデータであり、このパラメータが前記算出部に渡され、この算出部において、前記パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量とを含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出することを特徴とする少なくとも一つのパネル領域を包含する基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置。
  2. 前記制御部は、データが入力される入力部と、前記入力されたデータに基づいて液晶の滴下量を算出し、基板上に滴下される液晶の滴下位置を算出する滴下量算出部と、前記滴下量算出部により算出された液晶滴下量に基づいて、前記電源供給部から前記ソレノイドコイルに供給される電源量を制御する電源制御部と、前記滴下量算出部により算出された液晶滴下量に基づいて、前記ガス供給部から前記液晶滴下部に供給されるガス量を制御する流量制御部と、前記滴下量算出部により算出された液晶の滴下位置にノズルが位置するように前記基板及び液晶滴下部のうちの何れか一つを駆動する基板駆動部と、により構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶滴下装置。
  3. 前記入力部は、液晶パネルの面積、液晶パネルのセルギャップ及び液晶の特性情報を包含することを特徴とする請求項2に記載の液晶滴下装置。
  4. 前記制御部は、入力されるデータ、算出された液晶滴下量及び液晶の滴下状態を表示する出力部をさらに包含することを特徴とする請求項2に記載の液晶滴下装置。
  5. 前記滴下量算出部は、前記入力部を介して入力されるデータに基づいて基板に滴下される液晶の総滴下量を算出する総滴下量算出部と、前記総滴下量算出部により算出された総滴下量に基づいて液晶の滴下位置を算出する滴下位置算出部と、前記総滴下量算出部により算出された総滴下量に基づいて液晶の滴下回数を算出する滴下回数算出部と、前記総滴下量算出部により算出された総滴下量に基づいて液晶の1回の滴下量を算出する1回滴下量算出部と、により構成されることを特徴とする請求項2に記載の液晶滴下装置。
  6. 基板に滴下される液晶の滴下量を測定し、その測定量が前記制御部により算出された滴下量と相違する場合に前記液晶の滴下量を補正する補正部をさらに包含することを特徴とする請求項1に記載の液晶滴下装置。
  7. 前記補正部は、液晶の滴下量を測定する滴下量測定部と、前記測定された滴下量と算出された滴下量とを比較して補正量を算出し、該補正量に基づいて前記電源制御部及び流量制御部を駆動する補正量算出部と、により構成されることを特徴とする請求項6に記載の液晶滴下装置。
  8. 前記補正量算出部は、前記制御部により算出された滴下量が設定される滴下量設定部と、前記滴下量設定部により設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する比較部と、前記比較部により算出された差値を補正するために、滴下特性の誤差値を算出する補正算出部と、により構成されることを特徴とする請求項7に記載の液晶滴下装置。
  9. 前記補正量算出部は、前記比較部により算出された差値に基づいて前記液晶滴下部の液晶に印加されるガス圧力の誤差値を算出し、該誤差値に対応するガスの流量を算出して、ガス圧力が補正された流量を出力する誤差圧力算出部と、前記比較部により算出された差値に基づいて前記ソレノイドコイルに印加される電源量の誤差を算出し、前記補正された電源量を前記電源制御部に出力する誤差電源量算出部と、により構成されることを特徴とする請求項8に記載の液晶滴下装置。
  10. 基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されるノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルを上部位置に移動させるように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、を包含して構成される少なくとも一つの液晶滴下器の液晶に圧力を印加して、少なくとも一つの液晶パネル領域を包含する基板上に液晶を滴下する方法であって、
    データを入力する段階と、
    基板のサイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報をパラメータとし、該パラメータに基づいて前記基板に滴下される液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する段階と、
    前記算出された総滴下量に基づいて1回の液晶滴下量を算出する段階と、
    前記算出された1回の液晶滴下量に基づいて、ソレノイドコイルに供給される電源供給量及び液晶滴下器に供給されるガス圧力を計算する段階と、
    前記計算された電源供給量を前記ソレノイドコイルに印加し、前記計算されたガス圧力を前記液晶滴下器に供給して液晶を滴下させる段階とを順次行い、
    前記液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する段階は、前記1回の液晶滴下量を算出する段階を含み、
    前記液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する段階において、前記パラメータは前記データを入力する段階において入力されたデータに基づくデータであって、該パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量を含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出し、
    前記液晶滴下器を制御して前記算出した総滴下量の液晶を前記算出した滴下位置に滴下させることを特徴とする液晶滴下の制御方法。
  11. スプリングの張力を調整する段階をさらに行うことを特徴とする請求項10に記載の制御方法。
  12. 前記スプリングの張力を調整する段階は、作業者が液晶滴下の初期に張力を設定する段階であることを特徴とする請求項11に記載の制御方法。
  13. 1回の滴下量に対する電源量は、液晶滴下の初期に固定されることを特徴とする請求項10に記載の制御方法。
  14. 1回の滴下量に対するガスの圧力は、液晶滴下の初期に固定されることを特徴とする請求項10に記載の制御方法。
  15. 基板に滴下される液晶の滴下量が算出された滴下量と相違する場合は、液晶の滴下量を補正する段階をさらに行うことを特徴とする請求項10に記載の制御方法。
  16. 前記液晶の滴下量を補正する段階は、滴下される液晶の滴下量を測定する段階と、測定された液晶滴下量と算出された1回の液晶滴下量とを比較して補正量を算出する段階と、前記算出された補正量に基づいて前記ソレノイドコイルに供給される電源量及びガス圧力のうちの少なくとも何れか一つを制御する段階と、を順次行うことを特徴とする請求項15に記載の制御方法。
  17. 入力されるデータ、算出された液晶滴下量及び液晶の滴下状態を表示する段階をさらに行うことを特徴とする、請求項10に記載の制御方法。
  18. 液晶を滴下する液晶滴下部と、
    前記液晶滴下部から滴下される液晶の滴下量を測定する測定システムと、
    前記測定システムにより測定された液晶の滴下量を入力して、滴下される液晶の目標滴下量と測定された滴下量とを比較し、測定された滴下量が目標滴下量と相違するときは、前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を電気的に調整する制御部とを包含して構成され、
    前記制御部は、入力部及び算出部を備え、前記入力部から入力されるデータをパラメータとし、このパラメータは、基板サイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報であって、該パラメータが前記算出部に渡され、この算出部において、前記パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量とを含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出し、前記算出した総滴下量データ及び 1 回の滴下量を目標滴下量とし、前記液晶滴下部を制御して前記目標滴下量の液晶を前記算出した滴下位置に滴下させることを特徴とする基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置。
  19. 前記液晶滴下部は、液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、前記排出口が開閉される上下位置間を移動するニードルと、前記ニードルを下部位置に移動させるスプリングと、磁気力を提供して前記ニードルを上部位置に移動させることで前記排出口を開放するソレノイドコイルと、により構成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶滴下装置。
  20. 前記ニードルが上部位置に移動した時、ガス圧力を利用して前記排出口を介して液晶を滴下させることを特徴とする請求項19に記載の液晶滴下装置。
  21. 前記制御部は、ガス圧力及びソレノイドコイルのうちの少なくとも何れか一つを制御することで、前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を調整することを特徴とする請求項20に記載の液晶滴下装置。
  22. 基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、
    前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、
    該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、
    前記ニードルが上部位置に移動するように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルと、
    液晶を滴下する液晶滴下部と、
    滴下される液晶の滴下量を測定する滴下量測定部と、
    測定された滴下量を目標とする滴下量と比較して補正値を算出する補正量算出部と、
    前記補正値に基づき、前記ソレノイドコイルに供給される電源量及びガス圧力のうちの少なくとも何れか一つを制御する補正量制御部と、
    基板のサイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報をパラメータとし、該パラメータに基づいて前記基板に滴下される液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する制御部とを包含して構成され、
    前記制御部は、入力部及び算出部を備え、前記パラメータは前記入力部から入力されるデータに基づいたデータであって、このパラメータが前記算出部に渡され、この算出部において、前記パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量とを含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出し、前記算出した総滴下量データ及び 1 回の滴下量を前記目標とする滴下量とし、前記液晶滴下部を制御して前記目標とする滴下量を前記算出した滴下位置に滴下させることを特徴とする少なくとも一つのパネル領域を包含する基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置。
  23. 前記補正量制御部は、前記補正量算出部により算出された補正量に基づいて前記ソレノイドコイルに供給される電源を制御する電源制御部及び、前記補正量算出部により算出された補正量に基づいて前記液晶滴下部の液晶に印加されるガス圧力を制御する流量制御部のうちの少なくとも何れか一つを包含することを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  24. 前記滴下量測定部は、基板近くに設置された重量計を包含することを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  25. 前記滴下量測定部は、設定された回数の総滴下量を測定することで滴下量を測定することを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  26. 前記補正量算出部は、目標滴下量を設定する滴下量設定部と、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する比較部と、前記比較部により算出された差値に基づいて前記ソレノイドコイルに印加される電源量の誤差値を算出し、該誤差値を出力することで前記ソレノイドコイルに印加される電源量を制御する誤差電源量算出部と、により構成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  27. 前記補正量算出部は、目標滴下量を設定する滴下量設定部と、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する比較部と、前記比較部により算出された差値に基づいて前記液晶滴下部内の液晶に印加される圧力の誤差値を算出し、該誤差値に該当するガスの流量を計算して前記誤差値を出力することでガス圧力を制御する誤差圧力算出部と、により構成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  28. 前記補正量算出部は、目標滴下量を設定する滴下量設定部と、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する比較部と、前記比較部により算出された差値に基づいて前記液晶滴下部内の液晶に印加される圧力の誤差値を算出し、該誤差値に該当するガスの流量を計算して前記誤差値を出力することでガス圧力を制御する誤差圧力算出部と、前記比較部により算出された差値に基づいて前記ソレノイドコイルに印加される電源量の誤差値を算出し、該誤差値を出力して前記ソレノイドコイルに印加される電源量を制御する誤差電源量算出部と、により構成されることを特徴とする請求項22に記載の液晶滴下装置。
  29. 基板のサイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報をパラメータとし、該パラメータに基づいて基板に滴下される液晶の総滴下量である第1滴下量及び液晶滴下位置を算出する段階と、
    液晶滴下部に液晶を充填する段階と、
    基板上に前記第1滴下量の液晶を滴下する段階と、
    前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を自動補正する段階と、
    自動補正により決定された第2滴下量の液晶を基板上に滴下する段階とを順次行い、
    前記液晶の第 1 滴下量及び滴下位置を算出する段階は、データを入力する段階を含み、
    前記液晶の第 1 滴下量及び滴下位置を算出する段階において、前記パラメータは前記データを入力する段階において入力されたデータに基づくデータであって、該パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量である第 1 滴下量とを含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出し、
    前記液晶滴下部を制御して前記第1又は第2滴下量の液晶を前記算出した液晶滴下位置に滴下させることを特徴とする少なくとも一つのパネル領域を包含する基板上に液晶を滴下する液晶滴下方法。
  30. 前記自動補正段階は、基板の近くに設置された測定システムに試験滴下量の液晶を滴下する段階と、試験滴下量に滴下された液晶の量を測定する段階と、測定された量と目標量とを比較する段階と、前記液晶滴下部の少なくとも一つの滴下特性を自動調整する段階と、を順次行うことを特徴とする請求項29に記載の方法。
  31. 前記液晶滴下部は、液晶の滴下を制御する電気的に制御されるバルブ構造及び、該バルブ構造が開放された時に液晶を滴下するためにガス圧力を印加する電気的に制御されるガス供給部のうちの少なくとも何れか一つを包含して構成され、前記滴下特性を自動調整する段階は、電気的に制御されるバルブ構造及びガス供給部のうちの少なくとも何れか一つを電気的に制御する段階を包含することを特徴とする請求項30に記載の方法。
  32. 前記電気的に制御されるバルブ構造は、排出口が形成されたノズル及び、該排出口を開閉させる上下位置間を移動するニードルを包含することを特徴とする請求項31に記載の方法。
  33. 基板上に液晶を滴下するための排出口が形成されたノズルと、前記排出口を閉鎖する下部位置と前記排出口を開放する上部位置との間を移動するニードルと、該ニードルを下部位置に移動させるスプリング部材と、前記ニードルが上部位置に移動するように該ニードルに磁気力を提供するソレノイドコイルとを包含して構成される少なくとも一つの液晶滴下器の液晶に圧力を印加して液晶を滴下する方法であって、
    滴下される液晶の滴下量を設定する段階と、
    滴下された液晶の滴下量を測定する段階と、
    前記設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して補正量を算出する段階と、
    前記算出された補正量に基づき、前記ソレノイドコイルに印加される電源量及び前記液晶滴下器に印加されるガス圧力のうちの少なくとも何れか一つを制御する段階とを順次行い、
    前記滴下される液晶の滴下量を設定する段階は、基板のサイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報を含むデータを入力する段階と、これら基板のサイズ、セルギャップ、及び滴下する液晶及び基板の特性情報をパラメータとし、これらのパラメータに基づいて基板に滴下される液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する段階とを含み、
    前記液晶の総滴下量及び滴下位置を算出する段階において、前記パラメータのうち基板サイズ及びセルギャップを用いて、単位パネルに滴下される液晶の滴下量と、複数の単位パネルを含む基板全体に滴下される液晶の総滴下量とを含む総滴下量データを算出し、この算出された総滴下量データと、前記パラメータである基板サイズと液晶及び基板の特性情報とを用いて、滴下される液晶の拡散範囲を計算するとともに、前記基板上に滴下する滴下回数及び1回の滴下量と、前記基板上における滴下位置とを算出し、
    前記液晶滴下器を制御して前記算出した総滴下量又は前記算出した補正量に基づいて補正された滴下量の液晶を前記算出した滴下位置に滴下させることを特徴とする液晶滴下方法。
  34. 前記液晶の滴下量を測定する段階は、滴下された液晶の重量を測定する段階を包含することを特徴とする請求項33に記載の方法。
  35. 前記補正量を算出する段階は、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する段階と、前記算出された滴下量の差値に基づいて液晶滴下器内の液晶に印加されるガス圧力の誤差値を算出する段階と、前記算出された誤差値に該当するガスの流量を計算する段階と、を順次行うことを特徴とする請求項33に記載の方法。
  36. 前記補正量を算出する段階は、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する段階と、前記算出された差値に基づいて前記ソレノイドコイルに印加される電源の誤差値を算出する段階と、前記算出された誤差値に該当する電源量を計算する段階と、を順次行うことを特徴とする請求項33に記載の方法。
  37. 前記補正量を算出する段階は、設定された滴下量と測定された滴下量とを比較して差値を算出する段階と、前記算出された滴下量の差値に基づいて液晶滴下器内の液晶に印加されるガス圧力の誤差値を算出し、該誤差値に該当するガスの流量を決定する段階と、前記算出された滴下量の差値に基づいて前記ソレノイドコイルに印加される電源の誤差値を算出し、該誤差値に該当する電源量を決定する段階と、を順次行うことを特徴とする請求項33に記載の方法。
  38. 前記算出された補正量に基づいてスプリングの張力を調整する段階をさらに行うことを特徴とする請求項33に記載の方法。
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