JP2003270652A - 液晶拡散制御装置及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶の間隙を効率よく縮小することができる
液晶拡散制御装置及び液晶表示装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ステージと、前記ステージの内部に配置
され、液晶の拡散力を制御する可変温度制御手段とを含
み、前記可変温度制御手段は熱線から構成されることが
好ましく、この際、前記可変温度制御手段は約３０度〜
１２０度の可変温度内で温度が制御されることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶拡散制御装置及
び液晶表示装置の製造方法に関し、特に液晶滴下時の液
晶拡散力を極大化できる液晶拡散制御装置及び液晶表示
装置の製造方法に関する。

【０００２】

【関連技術】情報化社会の発展に伴って表示装置への要
求も様々な形態で次第に増加しており、これに応じて、
最近は液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（Ｐ
ＤＰ）、電場発光表示装置（ＥＬＤ）、真空蛍光表示装
置（ＶＦＤ）など多様な平板表示装置が研究され、その
一部は既に各種機器の映像表示装置として活用されてい
る。

【０００３】そのうち、現在は、優秀な画質、軽量薄
型、低消費電力などの長所を有するＬＣＤが移動型画像
表示装置の用途においてＣＲＴに代って最も多く使われ
ており、ノート型パソコンのモニターのような移動型の
用途以外にも、ＴＶやコンピュータのモニターとして多
様に開発されている。

【０００４】かかるＬＣＤは、互いに向き合うように結
合されている２つの基板と、その間に注入され、温度及
び濃度の変化に従って相転移を発生する液晶からなって
いる。

【０００５】前記液晶は、液体の流動性と固体の秩序性
とを有する、液体と固体の中間的性質を有する物質であ
る。即ち、固体の結晶が溶けて液体になる前の中間状態
のものである。

【０００６】このような液晶に光を当てたり電界又は磁
界を付加すると、光学的な異方性結晶に特有な複屈折性
を現し、ある温度範囲内では液体と結晶との双方の性質
を現す。

【０００７】前記ＬＣＤは、大きく分けると、アレイ工
程、セル工程及びモジュール工程を遂行することにより
製造される。前記アレイ工程は、配線パターンや薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）のようなスイッチング素子などを
形成する工程である。セル工程は配向処理やスペーサー
の配置及び対向するガラス基板間に液晶を封入する工程
であり、モジュール工程はドライバＩＣの取り付けやバ
ックライト装着などを行う工程である。

【０００８】このうち、セル工程で行われる液晶注入プ
ロセスを簡略に説明する。まず、多数のＴＦＴ単位基板
の領域を含む第１基板と、多数のカラーフィルタ単位基
板の領域を含む第２基板とをシール剤によって合着及び
硬化させて形成した大面積パネルを提供する。

【０００９】前記ＴＦＴ単位基板の領域にはそれぞれア
レイ工程によって一定の間隔を置いて一方向に配列され
た複数個のゲートラインと、その各ゲートラインに垂直
な方向に一定の間隔を置いて配列された複数個のデータ
ラインと、前記ゲートライン及びデータラインにより定
義されたマトリックス画素領域にそれぞれ形成された複
数個のＴＦＴ及び画素電極とが形成されている。そし
て、カラーフィルタ単位基板の領域には前記画素領域を
除いた部分の光を遮断するためのブラックマトリックス
層とカラーフィルタ層、及び共通電極などが形成されて
いる。

【００１０】かかる大面積パネルを多数の液晶単位パネ
ルが形成されるように切断する。次に、液晶の入った容
器と前記多数の液晶単位パネルとを真空槽に入れ、該液
晶単位パネルのシール剤の一部に開口した注入口を液晶
に浸漬する。次いで、真空槽内を大気圧に復元すること
で、液晶単位パネルの間に液晶を注入する。このような
液晶注入方法を真空注入法という。

【００１１】これをより具体的に説明すると次の通りで
ある。

【００１２】図１に示すように、まず、液晶２５の入っ
た容器３０をチャンバ２０の中に配置する。次いで、チ
ャンバ２０内の圧力を真空状態に維持して、液晶２５中
に存在し或いは容器の内壁に付着している水分及び液晶
内の微細な気泡を除去するための脱泡工程を行う。

【００１３】次いで、複数枚の液晶単位パネル４０の液
晶注入口を液晶に浸すか接触させた後、チャンバ２０内
に窒素ガス（Ｎ_２）を外部から導入して、チャンバ２０
内の圧力を真空状態から大気圧状態に形成する。する
と、液晶単位パネル４０内とチャンバ２０内との圧力差
による浸透圧現象によって液晶２５が液晶注入口を介し
て液晶単位パネル４０内に注入される。

【００１４】次いで、液晶２５が各液晶単位パネル４０
に全て充填された後に、注入口の封止工程を行った後、
それぞれの液晶単位パネル４０を洗浄する。かかる液晶
注入方法は、液晶単位パネルを切断した後、２つの基板
の間を真空状態に維持して、液晶注入口を液晶に浸すか
接触させて液晶を注入するので、液晶注入に長時間を必
要とし、生産性が低下する。また、大面積の液晶表示装
置を製造する場合、液晶単位パネル内に液晶が完全に注
入されず、不良の原因となり得る。従って、前記問題点
に対応するため、近来は下記の液晶滴下注入法が提案さ
れている。

【００１５】以下、液晶滴下注入法を適用した液晶表示
装置の製造方法を、図２を参照して簡略に説明する。

【００１６】図２に示すように、ＴＦＴ単位基板領域を
備える第１基板と、カラーフィルタ単位基板の領域を備
える第２基板上に配向物質を塗布する。次いで、液晶分
子が均一な方向性をもつようにする配向工程（１Ｓ）を
行い、第１基板及び第２基板をそれぞれ洗浄（２Ｓ）す
る。

【００１７】前記洗浄した第２基板をシール剤ディスペ
ンシング装備にローディングして、各パネル領域の周辺
部にシール剤を塗布（３Ｓ）する。この際、前記シール
剤は光及び熱硬化性樹脂を用い、液晶注入口を設ける必
要はない。

【００１８】一方、前記第１基板を液晶ディスペンシン
グ装備にローディングして、各パネルのアクティブアレ
イ領域上に液晶を滴下する（６Ｓ）。この際、前記洗浄
された第１基板又は第２基板を銀ディスペンシング装備
にローディングして、前記第１基板上の共通電圧供給ラ
インに銀ドットを形成することができ、また、ＩＰＳ
（In Plane Switching）モードでは、銀ドット形成を省
略することもできる。

【００１９】以下、前記液晶滴下方式を簡略に説明す
る。

【００２０】図３に示すように、第１基板６０が液晶デ
ィスペンシング装備５０のテーブル７０にローディング
されている。そして、その上部には液晶が入っているシ
リンジ８０が配置され、第１基板６０上に液晶を滴下す
る。通常、液晶６５は滴形態で基板６０上に滴下され
る。前記基板６０は一定の方向に一定の速度で移動し、
シリンジ８０はそれに合わせて基板６０上の所定の場所
に液晶６５を排出するように液晶の滴下位置が設定され
る。

【００２１】前記シリンジ８０は、図示していないが、
前記液晶容器の上部に外部のガスラインが形成されお
り、同ガスラインを通して外部のガス供給部から窒素ガ
スを供給して容器内の液晶に圧力を加えることで、液晶
を滴下する。

【００２２】次いで、図２に示すように、前記第１基板
と第２基板を真空合着器チャンバにローディングして、
前記滴下した液晶が均等に各パネルに満たされるよう第
１基板と第２基板とを合着し、前記シール剤を硬化（７
Ｓ）して大面積パネルを形成する。

【００２３】次いで、スクライブ／ブレーク（Ｓ／
Ｂ）、工程（９Ｓ）、すなわち切断工程を行う。Ｓ／Ｂ
工程は、ガラスより硬度の高いダイアモンド材のペンで
ガラス表面にカッティングラインを形成するスクライブ
工程と、力を加えて切断するブレーク工程とからなるも
ので、前記大面積パネルを複数枚のセル単位の液晶単位
パネルに切断する。

【００２４】その後、前記液晶単位パネルの面を研磨す
るグラインディング工程（１０Ｓ）、すなわち研磨工程
を行った後、それぞれの液晶単位パネルをオート／プロ
ーブ（Ａ／Ｐ）検査（１１Ｓ）して液晶セル工程を完了
する。前記Ａ／Ｐ検査は一定の電圧を印加する電圧端子
を備える装置を用いて液晶単位パネルの電気的な不良検
査を行う工程である。即ち、液晶単位パネルのＴＦＴ基
板に形成されたゲートラインとデータラインに前記電圧
端子を電気的に連結することで、単位パネルのセルギャ
ップ不良や液晶注入不良（未注入、リークなど）などの
検査を行う工程である。

【００２５】前記のような一連の工程を経て液晶セル工
程を完了すると、図示していないが、ドライバＩＣの取
り付けやバックライト装着などを行うモジュール工程が
行われる。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記関
連技術における液晶滴下注入法を用いた液晶表示装置の
製造方法は次のような問題点があった。

【００２７】前記合着工程では第１基板と第２基板とを
互いに対向するよう位置させた後、液晶が基板面上を拡
散して周辺のシール剤の断面に到達するまで周囲を減圧
して両基板を圧着している。

【００２８】より具体的に説明すると、図４に示すよう
に、第１基板６０上に等間隔で滴形態の液晶６５が滴下
されている。この際、互いに隣接した液晶６５の滴下位
置までの距離はｄ２＝ｄ４＝ｄ６＝ｄ８＞ｄ１＝ｄ３＝
ｄ５＝ｄ７の関係を有している。

【００２９】次に、図５に示すように、滴下した液晶６
５は第１基板と第２基板との合着工程の進行時に基板面
上で円形状６５Ａに徐々に広がる。この際、液晶６５が
完全に拡散する前に液晶が充填されていない間隙６７が
発生するが、このような間隙６７が十分に小さくなるま
で周囲を減圧して、第１，第２基板を圧着する。

【００３０】しかしながら、前記間隙６７が十分に縮小
され液晶拡散が終了するまで大略２０分程度の時間を要
する。このような待機時間中に両基板内外の圧力差によ
るシール剤各部の剥離が発生する虞が多く、これによっ
て液晶漏洩が生じる可能性が高かった。また、図示して
いないが、滴下した液晶の境界部位で染みが発生して画
面の品位を低下させた。

【００３１】そこで、本発明は上記事情に鑑みなされた
ものであり、その目的とするところは、液晶の間隙を効
率よく縮小することができる液晶拡散制御装置及び液晶
表示装置の製造方法を提供することにある。

【００３２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の液晶拡散制御装置は、液晶を滴下させる基板
を載置するためのステージと、前記ステージの内部に配
置され、基板上に滴下された液晶を加熱して該液晶の拡
散力を制御する可変温度制御手段とを含み、前記可変温
度制御手段は熱線から構成されることが好ましく、この
際、前記可変温度制御手段は約３０度〜１２０度の可変
温度内で温度が制御されるように構成されていることを
特徴とする。

【００３３】また、本発明による液晶表示装置の製造方
法は、液晶を滴下させる基板を提供する段階と、表面の
温度を可変できるステージ上に前記基板をローディング
する段階と、前記基板上に液晶の滴を一定のピッチで滴
下する段階と、基板上に滴下された液晶を加熱して該液
晶の拡散力を制御する段階とを備えていることを特徴と
する。

【００３４】更に、本発明によれば、液晶を滴下させる
基板を提供する段階と、前記基板上に濡れ性の高い配向
膜を形成する段階と、前記配向膜上に一定の間隔を置い
て液晶の滴を滴下する段階とを備えていることを特徴と
する。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。

【００３６】図６は本発明の実施形態による液晶滴下注
入法を適用した液晶表示装置の製造方法を説明するため
の製造工程図であり、図７は本発明の実施形態による液
晶滴下方式を説明するための斜視図であり、図８は液晶
滴下後の状態図である。

【００３７】まず、図示していないが、アレイ工程及び
カラーフィルタ工程が行われた第１基板及び第２基板を
提供する。前記第１基板及び第２基板は複数のＴＦＴ単
位基板領域及びカラーフィルタ単位基板の領域をそれぞ
れ含み、前記アレイ工程及びカラーフィルタ工程が完了
すると、第１カセット及び第２カセットにそれぞれ積載
される。

【００３８】このような第１カセット及び第２カセット
は移送装置によって液晶セル工程ラインのローダに装着
される。ここで、前記ＴＦＴ単位基板の領域には、前記
アレイ工程によって一定の間隔を置いて一方向に配列さ
れた複数個のゲートラインと、前記各ゲートラインに垂
直な方向に一定の間隔を置いて配列された複数個のデー
タラインと、前記ゲートライン及びデータラインにより
定義されたマトリックス画素領域にそれぞれ形成された
複数個のＴＦＴ及び画素電極が備えられている。

【００３９】そして、前記カラーフィルタ単位基板の領
域には、前記画素領域を除いた部分の光を遮断するため
のブラックマトリックス層と３原色で構成されるカラー
フィルタ層及び、画素電極と共に液晶を駆動させる共通
電極などが備えられている。

【００４０】前記のような条件における液晶セル工程の
製造工程を以下に説明する。

【００４１】図６に示すように、まず、前記ローダに装
着された第１，第２カセット（図示せず）の情報を認識
するロボットアームによって第１カセットに積載されて
いる第１基板と、前記基板とマッチングされる第２基板
とを選択して配向工程ラインにローディングする。

【００４２】このような配向工程は第１基板及び第２基
板に異物質及び粒子を除去するための配向膜塗布前の洗
浄（２０Ｓ）工程と、配向膜塗布（２１Ｓ）、配向膜焼
成（２２Ｓ）、検査（２３Ｓ）及びラビング（２４Ｓ）
の順序に行われる。

【００４３】これを簡略に説明すると、前記配向膜塗布
（２１Ｓ）の配向液はディスペンサーから回転している
ドクターロール（Doctor Roll）とアニロックスロール
（Anilox Roll）との間に滴下して供給される。この塗
布液は２つのロールの間でアニロックスロール面に液体
薄膜になって維持され、アニロックスロールから印刷ゴ
ム板の取り付けられた印刷ロールに転写される。そし
て、塗布ステージ上に固定された基板が進行する時、こ
の塗布液の薄膜が第１基板及び第２基板に転写して塗布
される。

【００４４】次いで、前記第１基板及び第２基板上に印
刷された配向膜内の溶媒を蒸発させるための焼成工程
（２２Ｓ）を行い、配向膜状態の検査（２３Ｓ）及びラ
ビング工程（２４Ｓ）を経て配向工程を完了する。配向
工程が完了すると、ギャップ工程が行われる。

【００４５】前記ギャップ工程は次の通りである。

【００４６】配向工程が行われた第１基板と第２基板を
洗浄（２５Ｓ）した後、第１基板を液晶ディスペンシン
グ装置にローディングし、第２基板を銀ディスペンシン
グ装置及びシール剤ディスペンシング装置に順次にロー
ディングする。これにより、第２基板上の共通電極と電
気的な連結を行うための銀がドット形状に塗布（２７
Ｓ）され、各単位パネル領域の周辺部にシール剤が液晶
注入口を設けない形で塗布される（２８Ｓ）。この際、
シール剤は光又は熱硬化性樹脂が用いられる。

【００４７】一方、前記カラーフィルタ単位基板の領域
上のシール剤の内側領域と対応するＴＦＴ単位基板の領
域上に液晶を滴下（２６Ｓ）する工程が行われる。

【００４８】液晶の滴下（２６Ｓ）工程は次のように行
われる。図７に示すように、基板１００が液晶ディスペ
ンシング装備５００のステージ７００にローディングさ
れており、その上部に液晶シリンジ８００が配置されて
いて、液晶シリンジ８００を介して基板１００上に液晶
１１０を滴下する。

【００４９】前記ステージ７００はその内部に液晶の拡
散力を制御する可変温度制御手段７００ａを備える。前
記可変温度制御手段７００ａは電気的な連結により加熱
される熱線から構成されることが好ましく、このような
可変温度制御手段７００ａによってステージ７００の表
面温度を制御することができる。

【００５０】前記液晶１１０は滴形態で基板１００上に
滴下される。この際、互いに隣接した液晶の滴間の距離
が最少となるように可変温度制御手段７００ａを制御し
て、ステージ７００の表面温度が約３０度〜１２０度の
範囲内で調節され得るようにする。

【００５１】更に具体的に説明すると次の通りである。

【００５２】図７及び図８に示すように、ステージ７０
０上の基板１００上に等間隔で滴形態の液晶が滴下され
ている。この際、ステージ７００内の可変温度制御手段
７００ａの温度を可変して、互いに隣接した液晶１１０
の滴下位置までの距離がｄ２＝ｄ４＝ｄ６＝ｄ８＞ｄ１
＝ｄ３＝ｄ５＝ｄ７の関係を有しつつ、その距離が最小
化されるように調整する。ここで、前記ｄ１＝ｄ３＝ｄ
５＝ｄ７＝０とすることもできる。これは従来の滴下し
た液晶の境界部位で発生する染みを抑制できるという効
果がある。即ち、シリンジ８００から排出される粘度の
高い液晶がステージ７００上の基板１００上に滴下する
と、ステージの表面温度によって円形状に液晶が拡散す
る。

【００５３】ここで、前記シリンジには、図示していな
いが、ニードルが挿入されており、その一端部がニード
ルシートの接触部に接触している。前記ニードルの上部
にはスプリングが備えられており、そのスプリングの張
力によって前記ニードルがニードルシートの接触部に接
触するようにして液晶の流出を防ぐ。

【００５４】次いで、ニードル上端に設けられたソレノ
イドコイルに電源が印加されて磁気力が発生すると、前
記ニードルが上部に移動し、この際、外部のガス供給部
から窒素ガスが供給されて液晶に圧力を加えることで液
晶を滴下する。

【００５５】次いで、コイルに対する電源供給が中断さ
れると、前記スプリングの弾性によってニードルが元の
位置に引き戻される。このようなニードルの上下移動に
よって液晶が排出される。

【００５６】次いで、滴下した液晶は第１基板と第２基
板との合着工程（３０Ｓ）が進むと、基板面上で円形状
に拡散される。この際、液晶が充填されていない間隙は
液晶滴下工程で十分に小さくなっているから、周囲を減
圧して両基板を圧着する工程時間が相当短くなる。

【００５７】ここで、前記合着工程は次のように行われ
る。

【００５８】図示していないが、前記第１基板を水平方
向に移動可能な真空容器内のテーブル上に搭載し、前記
第２基板の下部表面の全面を第１吸着器具で真空吸着し
て固定させる。次に、第２基板の下部表面の全面を第２
吸着器具で真空吸着して固定し、真空チャンバを閉めて
内部を真空にする。そして、前記第２吸着器具を垂直方
向に下降させ、前記第１基板と第２基板との間を所定の
間隔にしたうえ、前記第１基板を搭載した前記テーブル
を水平方向に移動させ、第１基板と第２基板との位置を
合わせる。

【００５９】それから、前記第２吸着器具を垂直方向に
下降させて前記第２基板を前記シール剤を介して第１基
板に接合し、前記滴下した液晶が第１基板及び第２基板
に所定の厚さで充填されるように加圧して大面積のパネ
ルを形成する。

【００６０】次いで、前記真空チャンバから前記大面積
パネルを取り出し前記シール剤に紫外線を照射して、前
記シール剤を硬化（３１Ｓ）させてギャップ工程を完了
する。この際、基板合着の後アンローディングする前に
合着した基板の液晶がシール剤側に広がるようにする液
晶拡散工程が更に行える。また、アンローディング工程
の完了後、液晶が広がらない場合には液晶がシール剤側
に均等に広がるように液晶拡散工程を更に行うこともで
きる。前記液晶拡散工程は約１０分以上行い、待機中又
は真空中でも可能である。

【００６１】次いで、ギャップ工程が完了し、互いに合
着されたＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板は検査工程
を行うラインにローディングされる。前記検査工程はガ
ラスより硬度の高いダイアモンド材質のペンでガラス表
面にカッティングラインを形成するスクライブ工程と、
力を加えて切断するブレーク工程とを行って、真空合着
された基板を複数枚のセル単位の液晶単位パネルに切断
し、その液晶単位パネルの面を研磨するグラインディン
グ工程を行った後、それぞれのパネルを検査して液晶セ
ル工程を完了する工程である。

【００６２】前記検査は液晶配向状態を検査する外観検
査及びＡ／Ｐ検査を行う工程であって、染み不良及び電
気的な点灯状態などを検査する。前記染み不良は肉眼或
いはＣＣＤなどの固体撮像素子による自動検出が可能で
ある。

【００６３】前記のような一連の工程を経て液晶セル工
程を完了すると、図示してないが、ドライバＩＣの取り
付けやバックライト装着などを行うモジュール工程が実
施される。

【００６４】上述した実施形態では、ステージの内部に
可変温度制御手段を設けてステージの表面温度を制御す
ることで、基板上に滴下する液晶の滴間の距離を最小化
しているが、配向工程によって基板上に形成される配向
膜の特性を調節して、滴下する液晶の滴間の距離を最小
化することもできる。

【００６５】即ち、図９に示すように、図６における配
向工程で塗布される配向膜１２０として、高い表面エネ
ルギーを有する、濡れ性が高く且つ親水性に優れた配向
膜を使用する。これにより、滴下する滴形態の液晶１１
０が配向膜１２０の表面で滑らかに広がるようにして、
液晶１１０と配向膜１２０との間の低い接触角θを有す
るようにする。

【００６６】ここで、接触角θとは、液体が固体の表面
上で熱力学的に平行になる時における角を意味し、液晶
１１０の滴の当たる配向膜１２０の表面が高い濡れ性及
び親水性を有すると、液晶１１０の滴が配向膜１２０の
表面に接着しようとする特性が強く、接触角θは小さく
なる。

【００６７】従って、液晶１１０の滴と配向膜１２０と
の間の表面摩擦力が最小になるようにして、互いに隣接
した液晶１１０の滴との滴下距離が最小化されるように
することで、液晶が充填されていない間隙を十分に小さ
くすることができる。これは、上述したように、互いに
隣接した液晶１１０の滴下位置までの距離がｄ２＝ｄ４
＝ｄ６＝ｄ８＞ｄ１＝ｄ３＝ｄ５＝ｄ７の関係を有しつ
つ、その距離が最小化されるようにする配向膜を形成す
ることで、従来の滴下した液晶の境界部位で発生する染
みを抑制できるような効果がある。また、ｄ１＝ｄ３＝
ｄ５＝ｄ７＝０とすることもできる。

【００６８】

【発明の効果】以上説明した本発明の液晶拡散制御装置
及び液晶表示装置の製造方法は次のような効果がある。

【００６９】第一に、熱線を備えて表面温度を可変でき
るステージを用いるか、濡れ性及び親水性に優れた配向
膜を基板上に形成することで、互いに隣接した液晶との
滴下距離が最小化されるようにして、液晶が充填されて
いない間隙を十分に小さくすることができる。

【００７０】第二に、滴下した液晶の滴間の間隙が縮小
するために、周囲を減圧して一定時間の間両基板を圧着
する合着工程時間を減らすことができ、前記関連技術に
見られたような、両基板内外の圧力差によって待機時間
中にシール剤の剥離現象が発生するようなこともなく、
液晶リークを防止できる。

【００７１】第三に、前記熱線を備えたステージ、又は
濡れ性及び親水性に優れた配向膜によって高粘度を有す
る液晶が滴下された時、液晶の拡散を速やかにして工程
時間の最小化を図ることができる。

【００７２】第四に、滴下した液晶の境界面に染みの発
生を抑制して、画面の品位を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】関連技術としての真空注入法を説明するための
斜視図。

【図２】関連技術としての滴下注入法を説明するための
製造工程図。

【図３】関連技術における液晶滴下方式を説明するため
の斜視図。

【図４】関連技術における液晶滴下後の状態図。

【図５】関連技術における合着工程後の状態図。

【図６】本発明の実施形態による滴下注入法を適用した
液晶表示装置の製造方法を説明するための製造工程図。

【図７】本発明の実施形態による液晶滴下方式を説明す
るための斜視図。

【図８】液晶滴下後の状態図。

【図９】本発明の他の実施形態による液晶滴下後の状態
図。

【符号の説明】

１００：基板 １１０：液晶 １２０：配向膜 ７００：ステージ ７００ａ：可変温度制御手段 ８００：シリンジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 權 赫 珍 大韓民国 慶尚北道 龜尾市 玉溪洞 539 大東 アパートメント、 102−1504 (72)発明者 孫 海 ▲ジュン▼ 大韓民国 釜山廣域市 蓮堤區 蓮山二洞 861−６ Ｆターム(参考） 2H089 MA04Y NA22 NA25 NA31 NA39 NA44 NA45 NA49 NA60 QA12 QA15 QA16 SA17 TA04 TA09 4F041 AA02 AA05 AB02 BA04 BA07 BA22 BA38 4F042 AA02 AA10 BA19 CB03 DB04 DB17

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステージと、 前記ステージの内部に配置され、液晶の拡散力を制御す
   る可変温度制御手段とを含むことを特徴とする液晶拡散
   制御装置。
2. 【請求項２】 前記ステージは、液晶を滴下させる基板
   を水平にローディングできる形状を有しており、 前記可変温度制御手段は、前記ステージにローディング
   した基板上に滴下された互いに隣接した液晶の滴間の距
   離が最小となるように前記ステージの表面温度を制御す
   るように構成されていることを特徴とする請求項１記載
   の液晶拡散制御装置。
3. 【請求項３】 前記可変温度制御手段は加熱線で構成さ
   れていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
   の液晶拡散制御装置。
4. 【請求項４】 前記可変温度制御手段は前記ステージの
   表面温度が約３０〜１２０℃の範囲内となるように制御
   されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
   かに記載の液晶拡散制御装置。
5. 【請求項５】 基板を提供する段階と、 表面の温度を可変できるステージ上に前記基板をローデ
   ィングする段階と、 前記基板上に液晶の滴を一定のピッチで滴下する段階と
   を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記ステージは温度を可変できる制御手
   段によって表面の温度を調節したうえ、該ステージにロ
   ーディングした基板上に液晶を滴下することを特徴とす
   る請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記制御手段は前記基板上に滴下された
   互いに隣接した液晶の滴間の距離が最小となるように前
   記ステージの表面温度を調節することを特徴とする請求
   項６記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記制御手段は前記ステージの表面温度
   が約３０〜１２０℃の範囲内となるように調節されるこ
   とを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製造方
   法。
9. 【請求項９】 基板を提供する段階と、 前記基板上に濡れ性の高い配向膜を形成する段階と、 前記配向膜上に液晶の滴を一定のピッチで滴下する段階
   とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記濡れ性の高い配向膜は、該配向膜
    に滴下された互いに隣接した前記液晶の滴間の距離が最
    小となるように高い表面エネルギーを有するものを使用
    することを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置の製
    造方法。