JP2906873B2 - 金配線の製造方法 - Google Patents
金配線の製造方法Info
- Publication number
- JP2906873B2 JP2906873B2 JP28721592A JP28721592A JP2906873B2 JP 2906873 B2 JP2906873 B2 JP 2906873B2 JP 28721592 A JP28721592 A JP 28721592A JP 28721592 A JP28721592 A JP 28721592A JP 2906873 B2 JP2906873 B2 JP 2906873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- tungsten
- insulating film
- wiring
- refractory metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 91
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims description 90
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 44
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 23
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBLXMRIMSGHSAC-UHFFFAOYSA-N [Cl].[Cl] Chemical compound [Cl].[Cl] WBLXMRIMSGHSAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- OYMJNIHGVDEDFX-UHFFFAOYSA-J molybdenum tetrachloride Chemical compound Cl[Mo](Cl)(Cl)Cl OYMJNIHGVDEDFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金配線の製造方法に関
し、特に金の表面が高融点金属に覆われた金配線の製造
方法に関する。
し、特に金の表面が高融点金属に覆われた金配線の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の表面に形成された半
導体素子間を接続する配線金属はＡｌ合金が広く使用さ
れてきたが、半導体装置の高集積化に伴なって配線の微
細化が進み，この配線の電流密度が高くなってきた。こ
のため、高密度の電子の流れにより配線のＡｌが移動
し，ついには断線にまでいたるエレクトロマイグレーシ
ョンが問題となってきた。さらに、Ａｌ配線上に形成さ
れた層間絶縁膜，あるいはパッシベーション膜の応力に
より、Ａｌが移動し，ついには断線にまでいたるストレ
スマイグレーションの問題も、配線の微細化，あるいは
多層化により顕著になってきた。
導体素子間を接続する配線金属はＡｌ合金が広く使用さ
れてきたが、半導体装置の高集積化に伴なって配線の微
細化が進み，この配線の電流密度が高くなってきた。こ
のため、高密度の電子の流れにより配線のＡｌが移動
し，ついには断線にまでいたるエレクトロマイグレーシ
ョンが問題となってきた。さらに、Ａｌ配線上に形成さ
れた層間絶縁膜，あるいはパッシベーション膜の応力に
より、Ａｌが移動し，ついには断線にまでいたるストレ
スマイグレーションの問題も、配線の微細化，あるいは
多層化により顕著になってきた。
【０００３】このような背景から、Ａｌ合金に代る配線
材料として、銅や金が有望視され，検討が行なわれてい
る。しかしながら銅は、ドライエッチングが難かしく微
細加工性が悪いという問題と酸化されやすいという問題
とがあり、微細配線への適用は困難である。一方、金
は、メッキ法による形成が可能なため微細化も容易であ
り、固有抵抗も低く、耐酸化性，耐腐食性に優れている
ため、高信頼性を有する微細配線の材料として有望であ
る。しかしながら、金配線は絶縁膜との密着性が悪いと
いう問題がある。そこで、金配線表面を他の金属で覆う
ことにより、この問題を解決することが試みられてい
る。例えば、１９８９年６月発行のブイ−エル−エス−
アイ・マルチレベル・インターコネクション・コンファ
レンスの予稿集３３〜３９ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ ｏｆ ＶＬＳＩ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ Ｉｎｔｅ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ （Ｊ
ｕｎｅ１２−１３，１９８９）ｐｐ．３３−３９）の報
告によると、金配線の表面にのみ選択的にタングステン
を化学気相成長することにより、この問題を解決しよう
としている。またこの報告では、金配線上に層間絶縁膜
を形成し、この層間絶縁膜にこの金配線に対するスルー
ホールを形成し、このスルーホール内にのみに気相成長
法により選択的にタングステンを形成している。
材料として、銅や金が有望視され，検討が行なわれてい
る。しかしながら銅は、ドライエッチングが難かしく微
細加工性が悪いという問題と酸化されやすいという問題
とがあり、微細配線への適用は困難である。一方、金
は、メッキ法による形成が可能なため微細化も容易であ
り、固有抵抗も低く、耐酸化性，耐腐食性に優れている
ため、高信頼性を有する微細配線の材料として有望であ
る。しかしながら、金配線は絶縁膜との密着性が悪いと
いう問題がある。そこで、金配線表面を他の金属で覆う
ことにより、この問題を解決することが試みられてい
る。例えば、１９８９年６月発行のブイ−エル−エス−
アイ・マルチレベル・インターコネクション・コンファ
レンスの予稿集３３〜３９ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ ｏｆ ＶＬＳＩ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ Ｉｎｔｅ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ （Ｊ
ｕｎｅ１２−１３，１９８９）ｐｐ．３３−３９）の報
告によると、金配線の表面にのみ選択的にタングステン
を化学気相成長することにより、この問題を解決しよう
としている。またこの報告では、金配線上に層間絶縁膜
を形成し、この層間絶縁膜にこの金配線に対するスルー
ホールを形成し、このスルーホール内にのみに気相成長
法により選択的にタングステンを形成している。
【０００４】２層の金配線の製造方法の主要工程の断面
図である図２を参照すると、上記報告の金配線の製造方
法は、以下のようになる。
図である図２を参照すると、上記報告の金配線の製造方
法は、以下のようになる。
【０００５】まず、シリコン基板２１上にシリコン酸化
膜２２を形成し、シリコン基板２１の達するコンタクト
ホール（図示せず）をシリコン酸化膜２２に形成する。
全面に、スパッタリングによる膜厚１００〜３００ｎｍ
のＴｉＷ２３，膜厚１０〜１００ｎｍの金２４を順次形
成する。ここで、ＴｉＷ２３は、コンタクトホールにお
いて、金２４等からの金とシリコン基板２１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金２４のシリコン酸化膜２２への密着性を良好にす
る。金２４は、次工程で金メッキを行なう際に、給電層
の役割を演ずる。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り、金配線を形成する領域以外の場所をフォトレジスト
膜３２で覆う。電解金メッキ法により、上記フォトレジ
スト膜３２から露出している金２４表面に選択的に金２
５を形成する〔図２（ａ）〕。
膜２２を形成し、シリコン基板２１の達するコンタクト
ホール（図示せず）をシリコン酸化膜２２に形成する。
全面に、スパッタリングによる膜厚１００〜３００ｎｍ
のＴｉＷ２３，膜厚１０〜１００ｎｍの金２４を順次形
成する。ここで、ＴｉＷ２３は、コンタクトホールにお
いて、金２４等からの金とシリコン基板２１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金２４のシリコン酸化膜２２への密着性を良好にす
る。金２４は、次工程で金メッキを行なう際に、給電層
の役割を演ずる。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り、金配線を形成する領域以外の場所をフォトレジスト
膜３２で覆う。電解金メッキ法により、上記フォトレジ
スト膜３２から露出している金２４表面に選択的に金２
５を形成する〔図２（ａ）〕。
【０００６】次に、フォトレジスト膜３２を除去した
後、イオンミーリング法により金２４，ＴｉＷ２３のエ
ッチングし、金２５，金２４ａ，およびＴｉＷ２３ａか
らなる第１の金配線を形成する。次に、６弗化タングス
テン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとし
た減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上記第
１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタング
ステン２６を形成する〔図２（ｂ）〕。このタングステ
ン２６の成長条件としては、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の流量比
が０．３〜１．０，圧力が１０〜１００ｍＴｏｒｒ，温
度が２００〜３００℃であることが好ましい。
後、イオンミーリング法により金２４，ＴｉＷ２３のエ
ッチングし、金２５，金２４ａ，およびＴｉＷ２３ａか
らなる第１の金配線を形成する。次に、６弗化タングス
テン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとし
た減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上記第
１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタング
ステン２６を形成する〔図２（ｂ）〕。このタングステ
ン２６の成長条件としては、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の流量比
が０．３〜１．０，圧力が１０〜１００ｍＴｏｒｒ，温
度が２００〜３００℃であることが好ましい。
【０００７】次に、全面にプラズマ化学気相成長法によ
るシリコン酸化膜（以後、プラズマ酸化膜と記す）２７
を形成し、上記第１の金配線に達するスルーホールをこ
のプラズマ酸化膜２７に形成する。上記タングステン２
６の形成方法と同様の方法により、このスルーホール内
に選択的にタングステン２８を形成し、スルーホールの
上端を含めてプラズマ酸化膜２７の表面を平坦化する
〔図２（ｃ）〕。
るシリコン酸化膜（以後、プラズマ酸化膜と記す）２７
を形成し、上記第１の金配線に達するスルーホールをこ
のプラズマ酸化膜２７に形成する。上記タングステン２
６の形成方法と同様の方法により、このスルーホール内
に選択的にタングステン２８を形成し、スルーホールの
上端を含めてプラズマ酸化膜２７の表面を平坦化する
〔図２（ｃ）〕。
【０００８】続いて、上記第１の金配線の製造方法と同
様の方法により、ＴｉＷ２９，金３０，および金３１か
らなる第２の金配線を形成する〔図２（ｄ）〕。
様の方法により、ＴｉＷ２９，金３０，および金３１か
らなる第２の金配線を形成する〔図２（ｄ）〕。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記報告の金配線の製
造方法では、電解メッキによる金２５を形成し，フォト
レジスト膜３２を除去した後、イオンミーリング法で第
１の金配線を形成し、この第１の金配線の表面をタング
ステン２６で覆っている。このイオンミーリングにより
シリコン酸化膜２２の表面もイオンでたたかれる。この
ため、このシリコン酸化膜２２の表面にはダングリング
ボンドが多数形成され、タングステン２６の成長に際し
て、シリコン酸化膜２２の表面にもタングステンが粒状
に成長しやすくなり、たとえタングステン２６の膜厚が
薄くても第１の金配線が短絡しやすくなるという問題が
生じる。
造方法では、電解メッキによる金２５を形成し，フォト
レジスト膜３２を除去した後、イオンミーリング法で第
１の金配線を形成し、この第１の金配線の表面をタング
ステン２６で覆っている。このイオンミーリングにより
シリコン酸化膜２２の表面もイオンでたたかれる。この
ため、このシリコン酸化膜２２の表面にはダングリング
ボンドが多数形成され、タングステン２６の成長に際し
て、シリコン酸化膜２２の表面にもタングステンが粒状
に成長しやすくなり、たとえタングステン２６の膜厚が
薄くても第１の金配線が短絡しやすくなるという問題が
生じる。
【００１０】さらに上記報告では、プラズマ酸化膜２７
に設けられたスルーホール内に選択的にタングステン２
８を成長している。このとき、スルーホールの形成に用
いたフォトレジスト膜を酸素プラズマで除去することか
ら、プラズマ酸化膜２７の表面はこの酸素プラズマによ
るダメージが残留しており、タングステンがプラズマ酸
化膜２７の表面に成長しやすい状態になっている。この
タングステン２８の膜厚はプラズマ酸化膜２７の膜厚と
同程度と厚いため、タングステンはプラズマ酸化膜２７
の表面により成長しやすくなり、第２の金配線が短絡し
ていまうという問題がある。
に設けられたスルーホール内に選択的にタングステン２
８を成長している。このとき、スルーホールの形成に用
いたフォトレジスト膜を酸素プラズマで除去することか
ら、プラズマ酸化膜２７の表面はこの酸素プラズマによ
るダメージが残留しており、タングステンがプラズマ酸
化膜２７の表面に成長しやすい状態になっている。この
タングステン２８の膜厚はプラズマ酸化膜２７の膜厚と
同程度と厚いため、タングステンはプラズマ酸化膜２７
の表面により成長しやすくなり、第２の金配線が短絡し
ていまうという問題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の金配線の製造方
法は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に金配線を
形成する工程と、同一真空容器中で、塩素を含む雰囲気
のプラズマにより上記絶縁膜表面を処理し，高々３００
℃の温度で上記金配線の表面に化学気相成長法により選
択的に高融点金属を成長する工程とを含んでいる。
法は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に金配線を
形成する工程と、同一真空容器中で、塩素を含む雰囲気
のプラズマにより上記絶縁膜表面を処理し，高々３００
℃の温度で上記金配線の表面に化学気相成長法により選
択的に高融点金属を成長する工程とを含んでいる。
【００１２】好ましくは、上記塩素を含む雰囲気が塩素
（Ｃｌ2 ），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素
（ＣＣｌ4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少
なくとも１つを含み、上記高融点金属の成長が高融点金
属のハロゲン化合物の還元により行なわれる。さらに好
ましくは、上記高融点金属がタングステンであり、この
タングステンの化学気相成長法が６弗化タングステン
（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化
学気相成長法である。
（Ｃｌ2 ），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素
（ＣＣｌ4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少
なくとも１つを含み、上記高融点金属の成長が高融点金
属のハロゲン化合物の還元により行なわれる。さらに好
ましくは、上記高融点金属がタングステンであり、この
タングステンの化学気相成長法が６弗化タングステン
（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化
学気相成長法である。
【００１３】本発明の２層からなる金配線の製造方法
は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配
線を形成する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマによ
り上記絶縁膜表面を処理する工程と、上記第１の金配線
の表面に化学気相成長法により選択的に第１の高融点金
属を成長する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、この
層間絶縁膜，および上記第１の高融点金属を順次エッチ
ングして上記第１の金配線に達するスルーホールを形成
する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記層
間絶縁膜表面を処理する工程と、上記スルーホール内に
選択的に第２の高融点金属を形成する工程と、上記層間
絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成する工程
と、を有している。
は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配
線を形成する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマによ
り上記絶縁膜表面を処理する工程と、上記第１の金配線
の表面に化学気相成長法により選択的に第１の高融点金
属を成長する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、この
層間絶縁膜，および上記第１の高融点金属を順次エッチ
ングして上記第１の金配線に達するスルーホールを形成
する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記層
間絶縁膜表面を処理する工程と、上記スルーホール内に
選択的に第２の高融点金属を形成する工程と、上記層間
絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成する工程
と、を有している。
【００１４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】金配線の製造方法の主要工程の断面図であ
る図１の参照すると、本発明の一実施例は、以下のよう
になる。
る図１の参照すると、本発明の一実施例は、以下のよう
になる。
【００１６】まず、従来の製造方法と同様の方法によ
り、シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シ
リコン基板１の達するコンタクトホール（図示せず）を
シリコン酸化膜２に形成する。全面に、スパッタリング
による膜厚１００〜３００ｎｍのＴｉＷ，膜厚１０〜１
００ｎｍの金を順次形成する。ここで、ＴｉＷは、コン
タクトホールにおいて、金とシリコン基板１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金のシリコン酸化膜２への密着性を良好にする。こ
の金は、金メッキを行なう際に給電層の役割を演ずる。
次に、フォトリソグラフィ技術により、金配線を形成す
る領域以外の場所をフォトレジスト膜（図示せず）で覆
う。電解金メッキ法により、上記フォトレジスト膜から
露出しているこの金表面に選択的に金５を形成する。次
に、このフォトレジスト膜を除去した後、イオンミーリ
ング法により給電層の金，ＴｉＷのエッチングし、Ｔｉ
Ｗ３，金４，および金５からなる第１の金配線を選択的
に形成する。
り、シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シ
リコン基板１の達するコンタクトホール（図示せず）を
シリコン酸化膜２に形成する。全面に、スパッタリング
による膜厚１００〜３００ｎｍのＴｉＷ，膜厚１０〜１
００ｎｍの金を順次形成する。ここで、ＴｉＷは、コン
タクトホールにおいて、金とシリコン基板１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金のシリコン酸化膜２への密着性を良好にする。こ
の金は、金メッキを行なう際に給電層の役割を演ずる。
次に、フォトリソグラフィ技術により、金配線を形成す
る領域以外の場所をフォトレジスト膜（図示せず）で覆
う。電解金メッキ法により、上記フォトレジスト膜から
露出しているこの金表面に選択的に金５を形成する。次
に、このフォトレジスト膜を除去した後、イオンミーリ
ング法により給電層の金，ＴｉＷのエッチングし、Ｔｉ
Ｗ３，金４，および金５からなる第１の金配線を選択的
に形成する。
【００１７】次に、３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）ガスを用
い、数１００ｍＴｏｒｒの比較的高い圧力の５０〜２０
０Ｗという低パワーのプラズマで、シリコン酸化膜２の
表面を１０〜６０秒程度処理する。これにより、このシ
リコン酸化膜２の表面の水酸基（ＯＨ基）が解離し，シ
リコン酸化膜２の表面のダングリングボンドには塩素が
結合する。続いて、高々３００℃の温度での６弗化タン
グステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガス
とした減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上
記第１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタ
ングステン６を形成する〔図１（ａ）〕。
い、数１００ｍＴｏｒｒの比較的高い圧力の５０〜２０
０Ｗという低パワーのプラズマで、シリコン酸化膜２の
表面を１０〜６０秒程度処理する。これにより、このシ
リコン酸化膜２の表面の水酸基（ＯＨ基）が解離し，シ
リコン酸化膜２の表面のダングリングボンドには塩素が
結合する。続いて、高々３００℃の温度での６弗化タン
グステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガス
とした減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上
記第１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタ
ングステン６を形成する〔図１（ａ）〕。
【００１８】なお、このタングステン６の選択成長を３
００℃より高い温度でおこなうと、ダングリングボンド
に結合した塩素が解離してしまう。ここで、ＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理とタングステン６の選択成長と
は、同一の真空容器内で行なうのが好ましい。ＢＣｌ3
プラズマによる表面処理の後、大気にさらしても本発明
の効果が皆無にはならないが、効果は薄れてしまい、シ
リコン酸化膜２上にタングステンが粒状に成長しやすく
なる。
００℃より高い温度でおこなうと、ダングリングボンド
に結合した塩素が解離してしまう。ここで、ＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理とタングステン６の選択成長と
は、同一の真空容器内で行なうのが好ましい。ＢＣｌ3
プラズマによる表面処理の後、大気にさらしても本発明
の効果が皆無にはならないが、効果は薄れてしまい、シ
リコン酸化膜２上にタングステンが粒状に成長しやすく
なる。
【００１９】次に、全面に層間絶縁膜であるプラズマ酸
化膜７を形成する。このプラズマ酸化膜７とタングステ
ン６との密着性は、良好である。公知のフォトリソグラ
フィ技術およびドライエッチング法により、所望の位置
のプラズマ酸化膜７，およびタングステン６を除去し、
スルーホールを形成する。このスルーホールの底面に
は、金５の表面が露出する〔図１（ｂ）〕。
化膜７を形成する。このプラズマ酸化膜７とタングステ
ン６との密着性は、良好である。公知のフォトリソグラ
フィ技術およびドライエッチング法により、所望の位置
のプラズマ酸化膜７，およびタングステン６を除去し、
スルーホールを形成する。このスルーホールの底面に
は、金５の表面が露出する〔図１（ｂ）〕。
【００２０】次に、上記の同じ条件のＢＣｌ3 プラズマ
によりプラズマ酸化膜７の表面処理を行なう。続いて、
上記の同じ条件のシラン還元法により、スルーホールに
露出した金５の表面にタングステン８を選択的に成長
し、このタングステン８によりスルーホールを埋設する
〔図１（ｃ）〕。
によりプラズマ酸化膜７の表面処理を行なう。続いて、
上記の同じ条件のシラン還元法により、スルーホールに
露出した金５の表面にタングステン８を選択的に成長
し、このタングステン８によりスルーホールを埋設する
〔図１（ｃ）〕。
【００２１】続いて、第１の金配線と同様の方法によ
り、プラズマ酸化膜７表面にＴｉＷ９，金１０，および
金１１からなる第２の金配線を形成する〔図１
（ｄ）〕。ここで、ＢＣｌ3 プラズマによるプラズマ酸
化膜７の表面処理を行なわぬ場合もあるが、この場合に
は、第２の金配線の形成の際に、プラズマ酸化膜７表面
に形成された粒状のタングステンをイオンミーリングで
完全に取り去ることが必要である。
り、プラズマ酸化膜７表面にＴｉＷ９，金１０，および
金１１からなる第２の金配線を形成する〔図１
（ｄ）〕。ここで、ＢＣｌ3 プラズマによるプラズマ酸
化膜７の表面処理を行なわぬ場合もあるが、この場合に
は、第２の金配線の形成の際に、プラズマ酸化膜７表面
に形成された粒状のタングステンをイオンミーリングで
完全に取り去ることが必要である。
【００２２】例えば、本実施例においてプラズマ酸化膜
７に設けられた第１の金配線に達するスルーホールの深
さが０．８μｍ，第２の金配線の間隔が０．６μｍであ
るとき、タングステン８の選択成長前にこのＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理を行なわないと第２の金配線の間
の短絡により良品率は１０％以下になり、この表面処理
を行なう短絡は完全に無くなる。
７に設けられた第１の金配線に達するスルーホールの深
さが０．８μｍ，第２の金配線の間隔が０．６μｍであ
るとき、タングステン８の選択成長前にこのＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理を行なわないと第２の金配線の間
の短絡により良品率は１０％以下になり、この表面処理
を行なう短絡は完全に無くなる。
【００２３】本実施例では、塩素を含む雰囲気としてＢ
Ｃｌ3 を用いたが、塩素（Ｃｌ2 ），４塩化炭素（ＣＣ
ｌ4 ），あるいは４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）を用いて
もよい。また、高融点金属がタングステン，このタング
ステンの化学気相成長法が６弗化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気
相成長法であるが、この方法に限定されるものではな
く、例えば、４塩化モリブデン（ＭｏＣｌ4 ）をシラン
（ＳｉＨ4 ）で還元してモリブデンを選択成長させる方
法も有効である。
Ｃｌ3 を用いたが、塩素（Ｃｌ2 ），４塩化炭素（ＣＣ
ｌ4 ），あるいは４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）を用いて
もよい。また、高融点金属がタングステン，このタング
ステンの化学気相成長法が６弗化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気
相成長法であるが、この方法に限定されるものではな
く、例えば、４塩化モリブデン（ＭｏＣｌ4 ）をシラン
（ＳｉＨ4 ）で還元してモリブデンを選択成長させる方
法も有効である。
【００２４】なお、タングステンの成長前にＢＣｌ3 を
用いた反応性イオンエッチングを行なうと、絶縁膜上に
タングステンが成長しにくくなることは、１９９０年に
開催されたドライプロセス・シンポジウムの予稿集５１
〜５６ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ １９９０
ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐ
ｐ．５１−５６）に報告されている。この報告では、タ
ングステン上にタングステンの選択成長させている。
用いた反応性イオンエッチングを行なうと、絶縁膜上に
タングステンが成長しにくくなることは、１９９０年に
開催されたドライプロセス・シンポジウムの予稿集５１
〜５６ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ １９９０
ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐ
ｐ．５１−５６）に報告されている。この報告では、タ
ングステン上にタングステンの選択成長させている。
【００２５】しかしながら、本発明者の実験によると、
以下のことが明かになった。下地のタングステンの表面
をＢＣｌ3 プラズマにより処理すると、このタングステ
ン表面にタングステン塩化物が形成されるため、下地タ
ングステン表面にタングステンの選択成長がしにくくな
る。この場合、このタングステンの選択成長を良好に行
なうには、３００〜４００℃程度の熱処理を行ない、下
地タングステン表面のタングステン塩化物の塩素を解離
すればよい。ところが、このように３００〜４００℃程
度の熱処理を行うと、絶縁膜のダングリングボンドに結
合していた塩素も解離されてしまい、絶縁膜表面にもタ
ングステンが成長してしまう。
以下のことが明かになった。下地のタングステンの表面
をＢＣｌ3 プラズマにより処理すると、このタングステ
ン表面にタングステン塩化物が形成されるため、下地タ
ングステン表面にタングステンの選択成長がしにくくな
る。この場合、このタングステンの選択成長を良好に行
なうには、３００〜４００℃程度の熱処理を行ない、下
地タングステン表面のタングステン塩化物の塩素を解離
すればよい。ところが、このように３００〜４００℃程
度の熱処理を行うと、絶縁膜のダングリングボンドに結
合していた塩素も解離されてしまい、絶縁膜表面にもタ
ングステンが成長してしまう。
【００２６】上記実施例において、金５の表面に選択的
にタングステン８が成長するのは、ＢＣｌ3 プラズマに
よる表面処理を行なっても金８の表面には塩素が結合し
ないためである。そのため、タングステン８の成長前に
上記のような３００〜４００℃程度の熱処理は不用とな
り、プラズマ酸化膜７のダングリングボンドに結合した
塩素の解離は起らない。また、上記実施例での６弗化タ
ングステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とによるシ
ラン還元法は、２５０℃程度の低温でよいことから、プ
ラズマ酸化膜７表面へのタングステン成長は避けられ
る。
にタングステン８が成長するのは、ＢＣｌ3 プラズマに
よる表面処理を行なっても金８の表面には塩素が結合し
ないためである。そのため、タングステン８の成長前に
上記のような３００〜４００℃程度の熱処理は不用とな
り、プラズマ酸化膜７のダングリングボンドに結合した
塩素の解離は起らない。また、上記実施例での６弗化タ
ングステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とによるシ
ラン還元法は、２５０℃程度の低温でよいことから、プ
ラズマ酸化膜７表面へのタングステン成長は避けられ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の金配線の製
造方法では、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形
成された金配線の表面に化学気相成長法により選択的に
高融点金属を成長させる前に、塩素を含む雰囲気のプラ
ズマによりこの絶縁膜表面の処理を行なっている。この
ため、この絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避
けられ、金配線の間の短絡が起らなくなる。
造方法では、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形
成された金配線の表面に化学気相成長法により選択的に
高融点金属を成長させる前に、塩素を含む雰囲気のプラ
ズマによりこの絶縁膜表面の処理を行なっている。この
ため、この絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避
けられ、金配線の間の短絡が起らなくなる。
【００２８】また、本発明の２層の金配線の製造方法で
は、第１の金配線に達するスルーホールを層間絶縁膜に
形成した後、塩素を含む雰囲気のプラズマによりこの層
間絶縁膜表面の処理を行ない、このスルーホールに高融
点金属を埋設し、第２の金配線を形成している。このた
め、層間絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避け
られ、第２の金配線の間の短絡が起らなくなる。
は、第１の金配線に達するスルーホールを層間絶縁膜に
形成した後、塩素を含む雰囲気のプラズマによりこの層
間絶縁膜表面の処理を行ない、このスルーホールに高融
点金属を埋設し、第２の金配線を形成している。このた
め、層間絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避け
られ、第２の金配線の間の短絡が起らなくなる。
【図１】本発明の一実施例の主要工程の断面図である。
【図２】従来の金配線の製造方法の主要工程の断面図で
ある。
ある。
１，２１ シリコン基板 ２，２２ シリコン酸化膜 ３，９，２３，２３ａ，２９ ＴｉＷ ４，５，１０，１１，２４，２４ａ，２５，３０，３１
金 ６，８，２６，２８ タングステン ７，２７ プラズマ酸化膜 ３２ フォトレジスト膜
金 ６，８，２６，２８ タングステン ７，２７ プラズマ酸化膜 ３２ フォトレジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に
金配線を形成する工程と、同一真空容器中で、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより
前記絶縁膜表面を処理し、高々３００℃の温度で前記金
配線の表面に化学気相成長法により選択的に高融点金属
を成長する工程と、 を有することを特徴とする金配線の製造方法。 - 【請求項２】 前記塩素を含む雰囲気が、塩素（Ｃｌ
2 ），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素（ＣＣｌ
4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少なくとも
１つを含むことを特徴とする請求項１記載の金配線の製
造方法。 - 【請求項３】 前記高融点金属の化学気相成長法が、前
記高融点金属のハロゲン化合物を還元することにより行
なわれることを特徴とする請求項１記載の金配線の製造
方法。 - 【請求項４】 前記高融点金属がタングステンであり、
前記タングステンの化学気相成長法が６弗化タングステ
ン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした
化学気相成長法であることを特徴とする請求項１記載の
金配線の製造方法。 - 【請求項５】 ２層の金配線の製造方法において、 絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配線を
形成する工程と、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記絶縁膜表面を処
理する工程と、 前記第１の金配線の表面に化学気相成長法により選択的
に第１の高融点金属を成長する工程と、 全面に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜，および前
記第１の高融点金属を順次エッチングして前記第１の金
配線に達するスルーホールを形成する工程と、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記層間絶縁膜表面
を処理する工程と、 前記スルーホール内に選択的に第２の高融点金属を形成
する工程と、 前記層間絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする金配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28721592A JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28721592A JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140399A JPH06140399A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2906873B2 true JP2906873B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17714544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28721592A Expired - Fee Related JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906873B2 (ja) |
Families Citing this family (275)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5245258B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2013-07-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) * | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| KR20250134000A (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TWI874340B (zh) | 2018-12-14 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TWI873122B (zh) | 2019-02-20 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200141931A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| CN112242318A (zh) | 2019-07-16 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理装置 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| TWI869475B (zh) | 2019-11-05 | 2025-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有經摻雜半導體層之結構及用於形成上述結構之方法及系統 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693B (zh) | 2019-11-29 | 2025-06-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI887322B (zh) | 2020-01-06 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| TW202139347A (zh) | 2020-03-04 | 2021-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、對準夾具、及對準方法 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR20210132612A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202212650A (zh) | 2020-05-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| KR20220033997A (ko) | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP28721592A patent/JP2906873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ １９９０ ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ（１９９０年）ｐｐ．５１−５６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06140399A (ja) | 1994-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2906873B2 (ja) | 金配線の製造方法 | |
| JP3326698B2 (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| US5985751A (en) | Process for fabricating interconnection of semiconductor device | |
| US6383911B2 (en) | Semiconductor device and method for making the same | |
| JPH08148563A (ja) | 半導体装置の多層配線構造体の形成方法 | |
| JPH05206135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100338941B1 (ko) | 반도체소자의 컨택 형성방법 | |
| US6569756B1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP2701751B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3027946B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09283624A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2830540B2 (ja) | 多層配線の製造方法 | |
| JPH1116914A (ja) | 半導体装置用の相互接続方法及び構成体 | |
| JPH11111842A (ja) | 多層配線構造およびその製造方法 | |
| JPH06204218A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4752108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3339901B2 (ja) | 多層配線構造の半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3323264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0945770A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0360126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11233517A (ja) | 半導体装置の銅配線 | |
| JPS59220919A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04324636A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2646897B2 (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JP2998454B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |