JPH06140399A - 金配線の製造方法 - Google Patents
金配線の製造方法Info
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- JPH06140399A JPH06140399A JP28721592A JP28721592A JPH06140399A JP H06140399 A JPH06140399 A JP H06140399A JP 28721592 A JP28721592 A JP 28721592A JP 28721592 A JP28721592 A JP 28721592A JP H06140399 A JPH06140399 A JP H06140399A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】表面が高融点金属に覆われた金配線において、
配線間の短絡を抑制する金配線の製造方法を提供する。 【構成】シリコン酸化膜２を介してシリコン基板１上に
ＴｉＷ３，金４，および金５からなる第１の金配線を形
成し、ＢＣｌ3 プラズマによりシリコン酸化膜２の表面
を処理する。ＷＦ6 とＳＨ4 とによる減圧化学気相成長
法により、第１の金配線の表面に選択的にタングステン
６を成長させる。
配線間の短絡を抑制する金配線の製造方法を提供する。 【構成】シリコン酸化膜２を介してシリコン基板１上に
ＴｉＷ３，金４，および金５からなる第１の金配線を形
成し、ＢＣｌ3 プラズマによりシリコン酸化膜２の表面
を処理する。ＷＦ6 とＳＨ4 とによる減圧化学気相成長
法により、第１の金配線の表面に選択的にタングステン
６を成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金配線の製造方法に関
し、特に金の表面が高融点金属に覆われた金配線の製造
方法に関する。
し、特に金の表面が高融点金属に覆われた金配線の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の表面に形成された半
導体素子間を接続する配線金属はＡｌ合金が広く使用さ
れてきたが、半導体装置の高集積化に伴なって配線の微
細化が進み，この配線の電流密度が高くなってきた。こ
のため、高密度の電子の流れにより配線のＡｌが移動
し，ついには断線にまでいたるエレクトロマイグレーシ
ョンが問題となってきた。さらに、Ａｌ配線上に形成さ
れた層間絶縁膜，あるいはパッシベーション膜の応力に
より、Ａｌが移動し，ついには断線にまでいたるストレ
スマイグレーションの問題も、配線の微細化，あるいは
多層化により顕著になってきた。
導体素子間を接続する配線金属はＡｌ合金が広く使用さ
れてきたが、半導体装置の高集積化に伴なって配線の微
細化が進み，この配線の電流密度が高くなってきた。こ
のため、高密度の電子の流れにより配線のＡｌが移動
し，ついには断線にまでいたるエレクトロマイグレーシ
ョンが問題となってきた。さらに、Ａｌ配線上に形成さ
れた層間絶縁膜，あるいはパッシベーション膜の応力に
より、Ａｌが移動し，ついには断線にまでいたるストレ
スマイグレーションの問題も、配線の微細化，あるいは
多層化により顕著になってきた。
【０００３】このような背景から、Ａｌ合金に代る配線
材料として、銅や金が有望視され，検討が行なわれてい
る。しかしながら銅は、ドライエッチングが難かしく微
細加工性が悪いという問題と酸化されやすいという問題
とがあり、微細配線への適用は困難である。一方、金
は、メッキ法による形成が可能なため微細化も容易であ
り、固有抵抗も低く、耐酸化性，耐腐食性に優れている
ため、高信頼性を有する微細配線の材料として有望であ
る。しかしながら、金配線は絶縁膜との密着性が悪いと
いう問題がある。そこで、金配線表面を他の金属で覆う
ことにより、この問題を解決することが試みられてい
る。例えば、１９８９年６月発行のブイ−エル−エス−
アイ・マルチレベル・インターコネクション・コンファ
レンスの予稿集３３〜３９ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ ｏｆ ＶＬＳＩ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ Ｉｎｔｅ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ （Ｊ
ｕｎｅ１２−１３，１９８９）ｐｐ．３３−３９）の報
告によると、金配線の表面にのみ選択的にタングステン
を化学気相成長することにより、この問題を解決しよう
としている。またこの報告では、金配線上に層間絶縁膜
を形成し、この層間絶縁膜にこの金配線に対するスルー
ホールを形成し、このスルーホール内にのみに気相成長
法により選択的にタングステンを形成している。
材料として、銅や金が有望視され，検討が行なわれてい
る。しかしながら銅は、ドライエッチングが難かしく微
細加工性が悪いという問題と酸化されやすいという問題
とがあり、微細配線への適用は困難である。一方、金
は、メッキ法による形成が可能なため微細化も容易であ
り、固有抵抗も低く、耐酸化性，耐腐食性に優れている
ため、高信頼性を有する微細配線の材料として有望であ
る。しかしながら、金配線は絶縁膜との密着性が悪いと
いう問題がある。そこで、金配線表面を他の金属で覆う
ことにより、この問題を解決することが試みられてい
る。例えば、１９８９年６月発行のブイ−エル−エス−
アイ・マルチレベル・インターコネクション・コンファ
レンスの予稿集３３〜３９ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ ｏｆ ＶＬＳＩ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ Ｉｎｔｅ
ｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ （Ｊ
ｕｎｅ１２−１３，１９８９）ｐｐ．３３−３９）の報
告によると、金配線の表面にのみ選択的にタングステン
を化学気相成長することにより、この問題を解決しよう
としている。またこの報告では、金配線上に層間絶縁膜
を形成し、この層間絶縁膜にこの金配線に対するスルー
ホールを形成し、このスルーホール内にのみに気相成長
法により選択的にタングステンを形成している。
【０００４】２層の金配線の製造方法の主要工程の断面
図である図２を参照すると、上記報告の金配線の製造方
法は、以下のようになる。
図である図２を参照すると、上記報告の金配線の製造方
法は、以下のようになる。
【０００５】まず、シリコン基板２１上にシリコン酸化
膜２２を形成し、シリコン基板２１の達するコンタクト
ホール（図示せず）をシリコン酸化膜２２に形成する。
全面に、スパッタリングによる膜厚１００〜３００ｎｍ
のＴｉＷ２３，膜厚１０〜１００ｎｍの金２４を順次形
成する。ここで、ＴｉＷ２３は、コンタクトホールにお
いて、金２４等からの金とシリコン基板２１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金２４のシリコン酸化膜２２への密着性を良好にす
る。金２４は、次工程で金メッキを行なう際に、給電層
の役割を演ずる。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り、金配線を形成する領域以外の場所をフォトレジスト
膜３２で覆う。電解金メッキ法により、上記フォトレジ
スト膜３２から露出している金２４表面に選択的に金２
５を形成する〔図２（ａ）〕。
膜２２を形成し、シリコン基板２１の達するコンタクト
ホール（図示せず）をシリコン酸化膜２２に形成する。
全面に、スパッタリングによる膜厚１００〜３００ｎｍ
のＴｉＷ２３，膜厚１０〜１００ｎｍの金２４を順次形
成する。ここで、ＴｉＷ２３は、コンタクトホールにお
いて、金２４等からの金とシリコン基板２１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金２４のシリコン酸化膜２２への密着性を良好にす
る。金２４は、次工程で金メッキを行なう際に、給電層
の役割を演ずる。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り、金配線を形成する領域以外の場所をフォトレジスト
膜３２で覆う。電解金メッキ法により、上記フォトレジ
スト膜３２から露出している金２４表面に選択的に金２
５を形成する〔図２（ａ）〕。
【０００６】次に、フォトレジスト膜３２を除去した
後、イオンミーリング法により金２４，ＴｉＷ２３のエ
ッチングし、金２５，金２４ａ，およびＴｉＷ２３ａか
らなる第１の金配線を形成する。次に、６弗化タングス
テン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとし
た減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上記第
１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタング
ステン２６を形成する〔図２（ｂ）〕。このタングステ
ン２６の成長条件としては、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の流量比
が０．３〜１．０，圧力が１０〜１００ｍＴｏｒｒ，温
度が２００〜３００℃であることが好ましい。
後、イオンミーリング法により金２４，ＴｉＷ２３のエ
ッチングし、金２５，金２４ａ，およびＴｉＷ２３ａか
らなる第１の金配線を形成する。次に、６弗化タングス
テン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとし
た減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上記第
１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタング
ステン２６を形成する〔図２（ｂ）〕。このタングステ
ン２６の成長条件としては、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の流量比
が０．３〜１．０，圧力が１０〜１００ｍＴｏｒｒ，温
度が２００〜３００℃であることが好ましい。
【０００７】次に、全面にプラズマ化学気相成長法によ
るシリコン酸化膜（以後、プラズマ酸化膜と記す）２７
を形成し、上記第１の金配線に達するスルーホールをこ
のプラズマ酸化膜２７に形成する。上記タングステン２
６の形成方法と同様の方法により、このスルーホール内
に選択的にタングステン２８を形成し、スルーホールの
上端を含めてプラズマ酸化膜２７の表面を平坦化する
〔図２（ｃ）〕。
るシリコン酸化膜（以後、プラズマ酸化膜と記す）２７
を形成し、上記第１の金配線に達するスルーホールをこ
のプラズマ酸化膜２７に形成する。上記タングステン２
６の形成方法と同様の方法により、このスルーホール内
に選択的にタングステン２８を形成し、スルーホールの
上端を含めてプラズマ酸化膜２７の表面を平坦化する
〔図２（ｃ）〕。
【０００８】続いて、上記第１の金配線の製造方法と同
様の方法により、ＴｉＷ２９，金３０，および金３１か
らなる第２の金配線を形成する〔図２（ｄ）〕。
様の方法により、ＴｉＷ２９，金３０，および金３１か
らなる第２の金配線を形成する〔図２（ｄ）〕。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記報告の金配線の製
造方法では、電解メッキによる金２５を形成し，フォト
レジスト膜３２を除去した後、イオンミーリング法で第
１の金配線を形成し、この第１の金配線の表面をタング
ステン２６で覆っている。このイオンミーリングにより
シリコン酸化膜２２の表面もイオンでたたかれる。この
ため、このシリコン酸化膜２２の表面にはダングリング
ボンドが多数形成され、タングステン２６の成長に際し
て、シリコン酸化膜２２の表面にもタングステンが粒状
に成長しやすくなり、たとえタングステン２６の膜厚が
薄くても第１の金配線が短絡しやすくなるという問題が
生じる。
造方法では、電解メッキによる金２５を形成し，フォト
レジスト膜３２を除去した後、イオンミーリング法で第
１の金配線を形成し、この第１の金配線の表面をタング
ステン２６で覆っている。このイオンミーリングにより
シリコン酸化膜２２の表面もイオンでたたかれる。この
ため、このシリコン酸化膜２２の表面にはダングリング
ボンドが多数形成され、タングステン２６の成長に際し
て、シリコン酸化膜２２の表面にもタングステンが粒状
に成長しやすくなり、たとえタングステン２６の膜厚が
薄くても第１の金配線が短絡しやすくなるという問題が
生じる。
【００１０】さらに上記報告では、プラズマ酸化膜２７
に設けられたスルーホール内に選択的にタングステン２
８を成長している。このとき、スルーホールの形成に用
いたフォトレジスト膜を酸素プラズマで除去することか
ら、プラズマ酸化膜２７の表面はこの酸素プラズマによ
るダメージが残留しており、タングステンがプラズマ酸
化膜２７の表面に成長しやすい状態になっている。この
タングステン２８の膜厚はプラズマ酸化膜２７の膜厚と
同程度と厚いため、タングステンはプラズマ酸化膜２７
の表面により成長しやすくなり、第２の金配線が短絡し
ていまうという問題がある。
に設けられたスルーホール内に選択的にタングステン２
８を成長している。このとき、スルーホールの形成に用
いたフォトレジスト膜を酸素プラズマで除去することか
ら、プラズマ酸化膜２７の表面はこの酸素プラズマによ
るダメージが残留しており、タングステンがプラズマ酸
化膜２７の表面に成長しやすい状態になっている。この
タングステン２８の膜厚はプラズマ酸化膜２７の膜厚と
同程度と厚いため、タングステンはプラズマ酸化膜２７
の表面により成長しやすくなり、第２の金配線が短絡し
ていまうという問題がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の金配線の製造方
法は、絶縁膜上に選択的に形成された金配線の表面に化
学気相成長法により選択的に高融点金属を成長する前
に、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記絶縁膜表面
を処理する工程を含んでいる。
法は、絶縁膜上に選択的に形成された金配線の表面に化
学気相成長法により選択的に高融点金属を成長する前
に、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記絶縁膜表面
を処理する工程を含んでいる。
【００１２】好ましくは、上記塩素を含む雰囲気が塩素
（Ｃｌ2 ），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素
（ＣＣｌ4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少
なくとも１つを含み、上記塩素を含む雰囲気のプラズマ
による処理と上記高融点金属の成長とが同一真空容器中
で行なわれ、上記高融点金属の成長が高融点金属のハロ
ゲン化合物の還元により行なわれ、この高融点金属の成
長が高々３００℃で行なわれる。さらに好ましくは、上
記高融点金属がタングステンであり、このタングステン
の化学気相成長法が６弗化タングステン（ＷＦ6 ）とシ
ラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気相成長法で
ある。
（Ｃｌ2 ），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素
（ＣＣｌ4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少
なくとも１つを含み、上記塩素を含む雰囲気のプラズマ
による処理と上記高融点金属の成長とが同一真空容器中
で行なわれ、上記高融点金属の成長が高融点金属のハロ
ゲン化合物の還元により行なわれ、この高融点金属の成
長が高々３００℃で行なわれる。さらに好ましくは、上
記高融点金属がタングステンであり、このタングステン
の化学気相成長法が６弗化タングステン（ＷＦ6 ）とシ
ラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気相成長法で
ある。
【００１３】本発明の２層からなる金配線の製造方法
は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配
線を形成する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマによ
り上記絶縁膜表面を処理する工程と、上記第１の金配線
の表面に化学気相成長法により選択的に第１の高融点金
属を成長する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、この
層間絶縁膜，および上記第１の高融点金属を順次エッチ
ングして上記第１の金配線に達するスルーホールを形成
する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記層
間絶縁膜表面を処理する工程と、上記スルーホール内に
選択的に第２の高融点金属を形成する工程と、上記層間
絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成する工程
と、を有している。
は、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配
線を形成する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマによ
り上記絶縁膜表面を処理する工程と、上記第１の金配線
の表面に化学気相成長法により選択的に第１の高融点金
属を成長する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、この
層間絶縁膜，および上記第１の高融点金属を順次エッチ
ングして上記第１の金配線に達するスルーホールを形成
する工程と、塩素を含む雰囲気のプラズマにより上記層
間絶縁膜表面を処理する工程と、上記スルーホール内に
選択的に第２の高融点金属を形成する工程と、上記層間
絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成する工程
と、を有している。
【００１４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】金配線の製造方法の主要工程の断面図であ
る図１の参照すると、本発明の一実施例は、以下のよう
になる。
る図１の参照すると、本発明の一実施例は、以下のよう
になる。
【００１６】まず、従来の製造方法と同様の方法によ
り、シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シ
リコン基板１の達するコンタクトホール（図示せず）を
シリコン酸化膜２に形成する。全面に、スパッタリング
による膜厚１００〜３００ｎｍのＴｉＷ，膜厚１０〜１
００ｎｍの金を順次形成する。ここで、ＴｉＷは、コン
タクトホールにおいて、金とシリコン基板１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金のシリコン酸化膜２への密着性を良好にする。こ
の金は、金メッキを行なう際に給電層の役割を演ずる。
次に、フォトリソグラフィ技術により、金配線を形成す
る領域以外の場所をフォトレジスト膜（図示せず）で覆
う。電解金メッキ法により、上記フォトレジスト膜から
露出しているこの金表面に選択的に金５を形成する。次
に、このフォトレジスト膜を除去した後、イオンミーリ
ング法により給電層の金，ＴｉＷのエッチングし、Ｔｉ
Ｗ３，金４，および金５からなる第１の金配線を選択的
に形成する。
り、シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シ
リコン基板１の達するコンタクトホール（図示せず）を
シリコン酸化膜２に形成する。全面に、スパッタリング
による膜厚１００〜３００ｎｍのＴｉＷ，膜厚１０〜１
００ｎｍの金を順次形成する。ここで、ＴｉＷは、コン
タクトホールにおいて、金とシリコン基板１からのシリ
コンとの相互拡散を防止するバリアメタルとして機能
し、金のシリコン酸化膜２への密着性を良好にする。こ
の金は、金メッキを行なう際に給電層の役割を演ずる。
次に、フォトリソグラフィ技術により、金配線を形成す
る領域以外の場所をフォトレジスト膜（図示せず）で覆
う。電解金メッキ法により、上記フォトレジスト膜から
露出しているこの金表面に選択的に金５を形成する。次
に、このフォトレジスト膜を除去した後、イオンミーリ
ング法により給電層の金，ＴｉＷのエッチングし、Ｔｉ
Ｗ３，金４，および金５からなる第１の金配線を選択的
に形成する。
【００１７】次に、３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）ガスを用
い、数１００ｍＴｏｒｒの比較的高い圧力の５０〜２０
０Ｗという低パワーのプラズマで、シリコン酸化膜２の
表面を１０〜６０秒程度処理する。これにより、このシ
リコン酸化膜２の表面の水酸基（ＯＨ基）が解離し，シ
リコン酸化膜２の表面のダングリングボンドには塩素が
結合する。続いて、高々３００℃の温度での６弗化タン
グステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガス
とした減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上
記第１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタ
ングステン６を形成する〔図１（ａ）〕。
い、数１００ｍＴｏｒｒの比較的高い圧力の５０〜２０
０Ｗという低パワーのプラズマで、シリコン酸化膜２の
表面を１０〜６０秒程度処理する。これにより、このシ
リコン酸化膜２の表面の水酸基（ＯＨ基）が解離し，シ
リコン酸化膜２の表面のダングリングボンドには塩素が
結合する。続いて、高々３００℃の温度での６弗化タン
グステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガス
とした減圧化学気相成長法（シラン還元法）により、上
記第１の金配線の表面にのみ膜厚２０〜１００ｎｍのタ
ングステン６を形成する〔図１（ａ）〕。
【００１８】なお、このタングステン６の選択成長を３
００℃より高い温度でおこなうと、ダングリングボンド
に結合した塩素が解離してしまう。ここで、ＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理とタングステン６の選択成長と
は、同一の真空容器内で行なうのが好ましい。ＢＣｌ3
プラズマによる表面処理の後、大気にさらしても本発明
の効果が皆無にはならないが、効果は薄れてしまい、シ
リコン酸化膜２上にタングステンが粒状に成長しやすく
なる。
００℃より高い温度でおこなうと、ダングリングボンド
に結合した塩素が解離してしまう。ここで、ＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理とタングステン６の選択成長と
は、同一の真空容器内で行なうのが好ましい。ＢＣｌ3
プラズマによる表面処理の後、大気にさらしても本発明
の効果が皆無にはならないが、効果は薄れてしまい、シ
リコン酸化膜２上にタングステンが粒状に成長しやすく
なる。
【００１９】次に、全面に層間絶縁膜であるプラズマ酸
化膜７を形成する。このプラズマ酸化膜７とタングステ
ン６との密着性は、良好である。公知のフォトリソグラ
フィ技術およびドライエッチング法により、所望の位置
のプラズマ酸化膜７，およびタングステン６を除去し、
スルーホールを形成する。このスルーホールの底面に
は、金５の表面が露出する〔図１（ｂ）〕。
化膜７を形成する。このプラズマ酸化膜７とタングステ
ン６との密着性は、良好である。公知のフォトリソグラ
フィ技術およびドライエッチング法により、所望の位置
のプラズマ酸化膜７，およびタングステン６を除去し、
スルーホールを形成する。このスルーホールの底面に
は、金５の表面が露出する〔図１（ｂ）〕。
【００２０】次に、上記の同じ条件のＢＣｌ3 プラズマ
によりプラズマ酸化膜７の表面処理を行なう。続いて、
上記の同じ条件のシラン還元法により、スルーホールに
露出した金５の表面にタングステン８を選択的に成長
し、このタングステン８によりスルーホールを埋設する
〔図１（ｃ）〕。
によりプラズマ酸化膜７の表面処理を行なう。続いて、
上記の同じ条件のシラン還元法により、スルーホールに
露出した金５の表面にタングステン８を選択的に成長
し、このタングステン８によりスルーホールを埋設する
〔図１（ｃ）〕。
【００２１】続いて、第１の金配線と同様の方法によ
り、プラズマ酸化膜７表面にＴｉＷ９，金１０，および
金１１からなる第２の金配線を形成する〔図１
（ｄ）〕。ここで、ＢＣｌ3 プラズマによるプラズマ酸
化膜７の表面処理を行なわぬ場合もあるが、この場合に
は、第２の金配線の形成の際に、プラズマ酸化膜７表面
に形成された粒状のタングステンをイオンミーリングで
完全に取り去ることが必要である。
り、プラズマ酸化膜７表面にＴｉＷ９，金１０，および
金１１からなる第２の金配線を形成する〔図１
（ｄ）〕。ここで、ＢＣｌ3 プラズマによるプラズマ酸
化膜７の表面処理を行なわぬ場合もあるが、この場合に
は、第２の金配線の形成の際に、プラズマ酸化膜７表面
に形成された粒状のタングステンをイオンミーリングで
完全に取り去ることが必要である。
【００２２】例えば、本実施例においてプラズマ酸化膜
７に設けられた第１の金配線に達するスルーホールの深
さが０．８μｍ，第２の金配線の間隔が０．６μｍであ
るとき、タングステン８の選択成長前にこのＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理を行なわないと第２の金配線の間
の短絡により良品率は１０％以下になり、この表面処理
を行なう短絡は完全に無くなる。
７に設けられた第１の金配線に達するスルーホールの深
さが０．８μｍ，第２の金配線の間隔が０．６μｍであ
るとき、タングステン８の選択成長前にこのＢＣｌ3 プ
ラズマによる表面処理を行なわないと第２の金配線の間
の短絡により良品率は１０％以下になり、この表面処理
を行なう短絡は完全に無くなる。
【００２３】本実施例では、塩素を含む雰囲気としてＢ
Ｃｌ3 を用いたが、塩素（Ｃｌ2 ），４塩化炭素（ＣＣ
ｌ4 ），あるいは４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）を用いて
もよい。また、高融点金属がタングステン，このタング
ステンの化学気相成長法が６弗化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気
相成長法であるが、この方法に限定されるものではな
く、例えば、４塩化モリブデン（ＭｏＣｌ4 ）をシラン
（ＳｉＨ4 ）で還元してモリブデンを選択成長させる方
法も有効である。
Ｃｌ3 を用いたが、塩素（Ｃｌ2 ），４塩化炭素（ＣＣ
ｌ4 ），あるいは４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）を用いて
もよい。また、高融点金属がタングステン，このタング
ステンの化学気相成長法が６弗化タングステン（Ｗ
Ｆ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした化学気
相成長法であるが、この方法に限定されるものではな
く、例えば、４塩化モリブデン（ＭｏＣｌ4 ）をシラン
（ＳｉＨ4 ）で還元してモリブデンを選択成長させる方
法も有効である。
【００２４】なお、タングステンの成長前にＢＣｌ3 を
用いた反応性イオンエッチングを行なうと、絶縁膜上に
タングステンが成長しにくくなることは、１９９０年に
開催されたドライプロセス・シンポジウムの予稿集５１
〜５６ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ １９９０
ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐ
ｐ．５１−５６）に報告されている。この報告では、タ
ングステン上にタングステンの選択成長させている。
用いた反応性イオンエッチングを行なうと、絶縁膜上に
タングステンが成長しにくくなることは、１９９０年に
開催されたドライプロセス・シンポジウムの予稿集５１
〜５６ページ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ １９９０
ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐ
ｐ．５１−５６）に報告されている。この報告では、タ
ングステン上にタングステンの選択成長させている。
【００２５】しかしながら、本発明者の実験によると、
以下のことが明かになった。下地のタングステンの表面
をＢＣｌ3 プラズマにより処理すると、このタングステ
ン表面にタングステン塩化物が形成されるため、下地タ
ングステン表面にタングステンの選択成長がしにくくな
る。この場合、このタングステンの選択成長を良好に行
なうには、３００〜４００℃程度の熱処理を行ない、下
地タングステン表面のタングステン塩化物の塩素を解離
すればよい。ところが、このように３００〜４００℃程
度の熱処理を行うと、絶縁膜のダングリングボンドに結
合していた塩素も解離されてしまい、絶縁膜表面にもタ
ングステンが成長してしまう。
以下のことが明かになった。下地のタングステンの表面
をＢＣｌ3 プラズマにより処理すると、このタングステ
ン表面にタングステン塩化物が形成されるため、下地タ
ングステン表面にタングステンの選択成長がしにくくな
る。この場合、このタングステンの選択成長を良好に行
なうには、３００〜４００℃程度の熱処理を行ない、下
地タングステン表面のタングステン塩化物の塩素を解離
すればよい。ところが、このように３００〜４００℃程
度の熱処理を行うと、絶縁膜のダングリングボンドに結
合していた塩素も解離されてしまい、絶縁膜表面にもタ
ングステンが成長してしまう。
【００２６】上記実施例において、金５の表面に選択的
にタングステン８が成長するのは、ＢＣｌ3 プラズマに
よる表面処理を行なっても金８の表面には塩素が結合し
ないためである。そのため、タングステン８の成長前に
上記のような３００〜４００℃程度の熱処理は不用とな
り、プラズマ酸化膜７のダングリングボンドに結合した
塩素の解離は起らない。また、上記実施例での６弗化タ
ングステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とによるシ
ラン還元法は、２５０℃程度の低温でよいことから、プ
ラズマ酸化膜７表面へのタングステン成長は避けられ
る。
にタングステン８が成長するのは、ＢＣｌ3 プラズマに
よる表面処理を行なっても金８の表面には塩素が結合し
ないためである。そのため、タングステン８の成長前に
上記のような３００〜４００℃程度の熱処理は不用とな
り、プラズマ酸化膜７のダングリングボンドに結合した
塩素の解離は起らない。また、上記実施例での６弗化タ
ングステン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とによるシ
ラン還元法は、２５０℃程度の低温でよいことから、プ
ラズマ酸化膜７表面へのタングステン成長は避けられ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の金配線の製
造方法では、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形
成された金配線の表面に化学気相成長法により選択的に
高融点金属を成長させる前に、塩素を含む雰囲気のプラ
ズマによりこの絶縁膜表面の処理を行なっている。この
ため、この絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避
けられ、金配線の間の短絡が起らなくなる。
造方法では、絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形
成された金配線の表面に化学気相成長法により選択的に
高融点金属を成長させる前に、塩素を含む雰囲気のプラ
ズマによりこの絶縁膜表面の処理を行なっている。この
ため、この絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避
けられ、金配線の間の短絡が起らなくなる。
【００２８】また、本発明の２層の金配線の製造方法で
は、第１の金配線に達するスルーホールを層間絶縁膜に
形成した後、塩素を含む雰囲気のプラズマによりこの層
間絶縁膜表面の処理を行ない、このスルーホールに高融
点金属を埋設し、第２の金配線を形成している。このた
め、層間絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避け
られ、第２の金配線の間の短絡が起らなくなる。
は、第１の金配線に達するスルーホールを層間絶縁膜に
形成した後、塩素を含む雰囲気のプラズマによりこの層
間絶縁膜表面の処理を行ない、このスルーホールに高融
点金属を埋設し、第２の金配線を形成している。このた
め、層間絶縁膜表面への粒状の高融点金属の成長は避け
られ、第２の金配線の間の短絡が起らなくなる。
【図１】本発明の一実施例の主要工程の断面図である。
【図２】従来の金配線の製造方法の主要工程の断面図で
ある。
ある。
１，２１ シリコン基板 ２，２２ シリコン酸化膜 ３，９，２３，２３ａ，２９ ＴｉＷ ４，５，１０，１１，２４，２４ａ，２５，３０，３１
金 ６，８，２６，２８ タングステン ７，２７ プラズマ酸化膜 ３２ フォトレジスト膜
金 ６，８，２６，２８ タングステン ７，２７ プラズマ酸化膜 ３２ フォトレジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ 9277−4Ｍ 21/90 Ａ 7514−4Ｍ
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に
金配線を形成する工程と、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記絶縁膜表面を処
理する工程と、 前記金配線の表面に化学気相成長法により選択的に高融
点金属を成長する工程と、 を有することを特徴とする金配線の製造方法。 - 【請求項２】 前記塩素を含む雰囲気が、塩素（Ｃｌ2
），３塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ），４塩化炭素（ＣＣｌ
4 ），および４塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）の少なくとも
１つを含むことを特徴とする請求項１記載の金配線の製
造方法。 - 【請求項３】 前記塩素を含む雰囲気のプラズマによる
処理工程と前記高融点金属を成長する工程とが、同一真
空容器中で行なわれることを特徴とする請求項１記載の
金配線の製造方法。 - 【請求項４】 前記高融点金属の化学気相成長法が、前
記高融点金属のハロゲン化合物を還元することにより行
なわれることを特徴とする請求項１記載の金配線の製造
方法。 - 【請求項５】 前記高融点金属の化学気相成長法が、高
々３００℃で行なわれることを特徴とする請求項１記載
の金配線の製造方法。 - 【請求項６】 前記高融点金属がタングステンであり、
前記タングステンの化学気相成長法が６弗化タングステ
ン（ＷＦ6 ）とシラン（ＳｉＨ4 ）とを原料ガスとした
化学気相成長法であることを特徴とする請求項１記載の
金配線の製造方法。 - 【請求項７】 ２層の金配線の製造方法において、 絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に第１の金配線を
形成する工程と、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記絶縁膜表面を処
理する工程と、 前記第１の金配線の表面に化学気相成長法により選択的
に第１の高融点金属を成長する工程と、 全面に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜，および前
記第１の高融点金属を順次エッチングして前記第１の金
配線に達するスルーホールを形成する工程と、 塩素を含む雰囲気のプラズマにより前記層間絶縁膜表面
を処理する工程と、 前記スルーホール内に選択的に第２の高融点金属を形成
する工程と、 前記層間絶縁膜の表面に選択的に第２の金配線を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする金配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28721592A JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28721592A JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140399A true JPH06140399A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2906873B2 JP2906873B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17714544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28721592A Expired - Fee Related JP2906873B2 (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 金配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906873B2 (ja) |
Cited By (234)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205239A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2018059182A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-04-12 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | タングステンの選択堆積 |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2021-01-13 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP28721592A patent/JP2906873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (279)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205239A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| JP2018059182A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-04-12 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | タングステンの選択堆積 |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11837494B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11798830B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
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| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
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