JP2514305B2 - ３次元電子パッケ―ジ装置及びその製造方法 - Google Patents

３次元電子パッケ―ジ装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP2514305B2
JP2514305B2 JP5221457A JP22145793A JP2514305B2 JP 2514305 B2 JP2514305 B2 JP 2514305B2 JP 5221457 A JP5221457 A JP 5221457A JP 22145793 A JP22145793 A JP 22145793A JP 2514305 B2 JP2514305 B2 JP 2514305B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
assembly
substrate
conductive connection
interconnection means
connection pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5221457A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06204399A (ja
Inventor
ブライアン・サミュエル・ベーマン
ファッド・エリアス・ドウニー
キース・エドワード・フォゲル
ジェームス・ラプトン・ヘドリック、ジュニア
ポール・アルフレッド・ラウロ
モーリス・ヒースコート・ノアコット
ジョン・ジェームズ・リスコ
リーザン・シェイ
ダーユアン・シェイ
ジョージ・エフ・ウォルカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH06204399A publication Critical patent/JPH06204399A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2514305B2 publication Critical patent/JP2514305B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G01R1/0675—Needle-like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/1627—Disposition stacked type assemblies, e.g. stacked multi-cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S29/00—Metal working
    • Y10S29/029—Molding with other step
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147—Assembling terminal to base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147—Assembling terminal to base
    • Y10T29/49149—Assembling terminal to base by metal fusion bonding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49162—Manufacturing circuit on or in base by using wire as conductive path
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49174—Assembling terminal to elongated conductor
    • Y10T29/49181—Assembling terminal to elongated conductor by deforming
    • Y10T29/49185—Assembling terminal to elongated conductor by deforming of terminal
    • Y10T29/49192—Assembling terminal to elongated conductor by deforming of terminal with insulation removal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子デバイスの相互接続
のための３次元電子パッケージング装置及びこれの製造
方法に関する。特に、本発明は、各々が複数の電子デバ
イスを有してアセンブリを形成する、複数の基板を有す
る構造に関する。複数のアセンブリが互いに重なり合っ
て配置され、垂直方向の相互配線接続構造が近接するア
センブリ間に配置される。更に詳細には、垂直方向の相
互配線接続構造が、エラストマ材料内に配置される複数
の電気導体を含み、近接するアセンブリ間に圧縮され
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクス産業では、半
導体チップなどの集積回路がパッケージング基板上に実
装されて、モジュールを形成する。高性能コンピュータ
・アプリケーションでは、これらのモジュールは複数の
集積回路を含む。複数のモジュールは、プリント回路基
板或いはカードなどの第２のレベルのパッケージ上に実
装される。こうしたカードがフレーム内に挿入されて、
コンピュータを形成する。
【０００３】両面カードを除く従来のほとんど全ての相
互接続パッケージにおいて、パッケージ上のあるチップ
からの信号は２次元配線網を伝達されて、パッケージの
エッジに到達し、その後カードまたは基板を横断する
か、或いはケーブルに沿って伝達されて、宛先の集積回
路チップを含む次のパッケージに到達する。従って、信
号は１つのモジュールからボード上の配線、或いはケー
ブル配線を伝わり、第２のモジュールに至り、第２のモ
ジュールからそのモジュール内の宛先の集積回路チップ
に到達する。これは長いパッケージ時間遅延を生じ、２
次元配線配列の配線要求を増大させる。
【０００４】接近して配置されるチップ搭載面間の３次
元配線が達成されれば、チップ間伝搬時間の改良、及び
実チップ・パッケージ密度の増加が達成される。
【０００５】米国特許第５０９９３０９号は、複数の積
み重ねられたカードを含む３次元半導体チップ・パッケ
ージング構造を示す。各カードは、その両面にチップを
含むくぼみを有するように特有に製作される。カードの
各面には電気導体が配置され、これらはワイヤにより接
着されて、チップ上のロケーションに接触する。電気導
体はカードを通じて各チップ領域間を横断し、カードの
各面上のロケーションに接触する。これらのコンタクト
・ロケーションは、その表面上に、樹状要素を有する。
これらのカードは積み重ねられて、隣接するカードの隣
接面上の樹状要素により覆われるコンタクト・ロケーシ
ョンが、隣接カード間の電気的な相互接続を提供するよ
うに相互に網目化される。この構造はその接続のため
に、高精度な基板の平面性を要求する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
された３次元集積回路パッケージ装置を提供することで
ある。
【０００７】本発明の別の目的は、水平方向の電気的相
互接続及び垂直方向の電気的相互接続の両方を有する、
このようなパッケージ装置を提供することである。
【０００８】更に本発明の目的は、複数のサブアセンブ
リに組立及び分解可能なこのような装置を提供すること
である。
【０００９】更に本発明の目的は、サブアセンブリ間の
固定の電気的相互接続を要求しないこのような装置を提
供することである。
【００１０】更に本発明の目的は、従来のパッケージン
グ基板を使用して製作可能なこうした装置を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従う、第１アセ
ンブリ及び第２アセンブリと、電気的相互接続手段とを
含む３次元電子パッケージ装置は、上記第１アセンブリ
の第１表面が上記第２アセンブリの第２表面に隣接する
ように、上記第１アセンブリを上記第２アセンブリに隣
接して配置し、上記第１アセンブリ及び上記第２アセン
ブリのそれぞれが、複数個の電気的コンタクト・ロケー
ションをそれぞれ有する互いに対向する第１表面及び第
２表面を有し、そして上記第１表面の電気的コンタクト
・ロケーション及び上記第２表面の電気的コンタクト・
ロケーションを接続する電気的導体を有する基板と、上
記第１表面に配置された複数個の電子デバイスとを含
み、上記電気的相互接続手段が、互いに対向する第１表
面及び第２表面を有し、該第１表面から上記第２表面に
伸びる複数のアパーチャを有するエラストマ材料層と、
該エラストマ材料層の上記第１表面から上記第２表面に
伸びる複数個の導体により電気的に相互接続される、上
記エラストマ材料層の上記第１表面及び上記第２表面上
の複数個の電気的コンタクト・ロケーションとを含み、
上記第１アセンブリの上記第１表面の上記電子デバイス
が、上記電気的相互接続手段の上記アパーチャ内に配置
されるように、上記電気的相互接続手段を上記第１アセ
ンブリの上記第１表面上に配置し、上記電気的相互接続
手段の上記エラストマ材料層の上記第２表面の上記電気
的コンタクト・ロケーションが、上記第１アセンブリの
上記基板の上記第１表面の電気的コンタクト・ロケーシ
ョンに電気的に相互接続され、上記電気的相互接続手段
の上記エラストマ材料層の上記第１表面の上記電気的コ
ンタクト・ロケーションが、上記第２アセンブリの上記
基板の上記第２表面の電気的コンタクト・ロケーション
に電気的に相互接続されることを特徴とする。
【００１２】そして、上記電気的相互接続手段は、上記
第１アセンブリの第１表面及び上記第２アセンブリの第
２表面の間で圧縮されて保持されていることを特徴とす
る。
【００１３】そして、上記エラストマ材料層の第１表面
及び第２表面上の電気的コンタクト・ロケーションは、
上記導体の直径よりも大きいことを特徴とする。
【００１４】そして、上記導体の一端の電気的コンタク
ト・ロケーションは球状であり、上記導体の他端の電気
的コンタクト・ロケーションは半球状であり、該半球状
の平坦面に突起が設けられて接触面を形成することを特
徴とする。
【００１５】本発明に従う３次元電子パッケージ装置
は、複数個の導電性接続パッドが設けられた第１表面及
び複数個の導電性接続パッドが設けられ上記第１表面と
反対側にある第２表面を有し、上記第１表面の上記導電
性接続パッドのうち選択された導電性接続パッドに集積
回路チップがボンディングされている第１回路アセンブ
リと、複数個の導電性接続パッドが設けられた第１表面
及び複数個の導電性接続パッドが設けられ上記第１表面
と反対側にある第２表面を有し、上記第１表面の上記導
電性接続パッドのうち選択された導電性接続パッドに集
積回路チップがボンディングされており、そして上記第
２表面が上記第１回路アセンブリの第１表面に対向して
配置された第２回路アセンブリと、上記第１回路アセン
ブリの上記第１表面上の上記集積回路チップに接続され
ていない導電性接続パッドと上記第２回路アセンブリの
上記第２表面の上記導電性接続パッドとを電気的に接続
する電気的相互接続手段とを有し、該電気的相互接続手
段は、上記第２回路アセンブリの第２表面に対向する第
１表面及び上記第１回路アセンブリの第１表面に対向す
る第２表面を有するエラストマ材料の絶縁基板と、上記
第１回路アセンブリの第１表面上の導電性接続パッドよ
りも小さい寸法を有し該第１表面上の導電性接続パッド
に対向する位置で上記絶縁基板の第２表面に形成された
導電性接続パッドと、上記第２回路アセンブリの第２表
面上の導電性接続パッドよりも小さい寸法を有し該第２
表面上の導電性接続パッドに対向する位置で上記絶縁基
板の第１表面に形成された導電性接続パッドと、上記絶
縁基板内に斜めに傾けられて埋設され、該絶縁基板の第
１表面の導電性接続パッドと該絶縁基板の第２表面の導
電性接続パッドとを接続するための導電性ワイアとを有
し、そして、上記電気的相互接続手段は、上記第１回路
アセンブリの第１表面及び上記第２回路アセンブリの第
２表面の間で圧縮されて保持されていることを特徴とす
る。
【００１６】そして、上記エラストマ材料の絶縁基板の
第１表面及び第２表面上の導電性接続パッドは、上記導
電性ワイアの直径よりも大きいことを特徴とする。
【００１７】そして、上記導電性ワイアの一端の導電性
接続パッドは球状であり、上記導電性ワイアの他端の導
電性接続パッドは半球状であり、該半球状の平坦面に突
起が設けられて接触面を形成することを特徴とする。
【００１８】本発明に従う方法は、基板を準備する工程
と、各々が第１端部と第２端部を有する複数の細長の導
体を準備する工程と、各上記複数の導体の上記第１端部
を、上記基板に接着する工程と、上記複数の細長の導体
の上記第２の端部を上記基板から突き出させる工程と、
上記基板をモールド内に配置する工程と、上記モールド
に液体材料を加える工程と、内部に配置される上記複数
の細長の導体を有する固体とすべく、上記液体を硬化さ
せる工程と、上記モールドから上記固体を取出す工程
と、上記固体から上記細長の導体を残して、上記基板を
取除く工程と、上記細長の導体の上記第１及び上記第２
の端部を上記固体の表面に露出する工程と、を含む。
【００１９】
【実施例】図１は本発明による構造２を示し、２つのサ
ブコンポーネント・アセンブリ４及び６を有する。構造
２は任意の数のサブコンポーネント・アセンブリを有す
ることが可能である。各サブコンポーネント・アセンブ
リは基板８から形成され、基板８はその上に多段配線構
造１２を有する表面１０を有する。多段配線構造１２
は、例えば酸化物、ガラス、ポリマ、及びセラミックな
どの絶縁材料から形成され、特にポリイミド・ポリマが
最も好適である。多段配線構造１２は、銅、アルミニウ
ム、及び金などの電気導体１４の少なくとも１つの層を
含み、その表面１６上には、複数の導電性パッド即ちコ
ンタクト・ロケーション１８を有する。図１に示される
基板８は、表面１０から表面２２に通じるバイア２０を
有するように示されている。表面２２は、多段配線構造
１２と類似の多段配線構造２４を有する。多段配線構造
２４の表面２６は、少なくとも１つの電気的導体層２８
を含み、これは好適には銅であり、絶縁材料は好適には
ポリイミドである。表面２６は複数の電気コンタクト・
ロケーション３０を有し、これらは好適には銅であり、
その表面が金により被覆される。電気コンタクト層１８
も、好適には、その上面が金により被覆される銅で形成
される。
【００２０】基板８は複数の電気導体またはガラス・セ
ラミックを含んで共通に使用される多段パッケージング
基板であり、好適には、合成ダイアモンド、窒化アルミ
・セラミック、シリコン、或いは電気的に絶縁コーティ
ングを施した金属（銅など）などの高熱伝導材料で構成
される。基板８は好適には電気的に導電性のスタッドも
しくはバイア２０またはスルー・ホールを有し、これら
のサイド壁は一般に知られるように、銅、パラジウム、
プラチナ、及び金などの電気導体によりめっきされる。
【００２１】基板８の表面１０上の多段構造１２内の電
気導体は、コンタクト・ロケーション３２に電気的に相
互接続され、コンタクト・ロケーション３２は基板８内
のバイアまたはスタッド２０に電気的に相互接続され
る。コンタクト・ロケーション３２及び３４は、好適に
は金で上面を覆われた銅により形成される。
【００２２】集積回路チップなどの複数の電子デバイス
３６及び３８が、多段配線構造１２の表面１６に実装さ
れる。
【００２３】電子デバイス３６はＣ４として知られるは
んだマウンド４０により、表面１６上にフリップ・チッ
プ構成に実装され、電子デバイス３６をコンタクト・ロ
ケーション１８に電気的に相互接続する。
【００２４】電子デバイス３８は活性面４２が上向き
に、その非活性面４４が多段構造１２の表面１６に接触
するように実装される。これとは別に、基板８への熱接
触を向上させるために、装置３８の非活性面４４が基板
８の表面１０に接触するように、装置８を直接実装する
ことも可能である。これは多段構造１２のあるセクショ
ンを除去することにより達成される。アルミニウム或い
は金により通常形成される配線４６は、コンタクト・ロ
ケーション１８と、電子デバイス３８の表面４２上のコ
ンタクト・ロケーション４７との間に接着される。配線
４６は周知のワイヤ・ボンディング技術、超音波ボンデ
ィング技術、レーザ・ボンディング技術などにより接着
される。
【００２５】電子デバイス３６と３８との間には、電気
的相互接続手段４９が配置され、これについては後述さ
れる。
【００２６】電気的相互接続手段４９は、コンタクト・
ロケーション５０を有する上面４８と、コンタクト・ロ
ケーション５４を有する下面５２とを有する。コンタク
ト・ロケーション５４は、チップ３６と３８との間のコ
ンタクト・ロケーション１８に電気的に相互接続され
る。コンタクト・ロケーション５０は、多段構造２４の
表面２６上のコンタクト・ロケーション３０に電気的に
相互接続される。
【００２７】図２は図１の構造の一部の斜視図を示し、
各基板８の右前面領域が部分的にカットされて、バイア
或いはスタッド２０が表されている。表面１６上には、
コンタクト・ロケーション１８及び電気導体６０が表さ
れており、後者はいくつかのコンタクト・ロケーション
１８に電気的に相互接続される。電気的相互接続手段４
９は複数の電気導体６２及び６４として、部分的に示さ
れているに過ぎない。この電気的相互接続手段について
は、後に更に詳述される。
【００２８】図３は図１のサブコンポーネント・アセン
ブリ４または６の１つの上面図を示し、複数のアパーチ
ャ６６を有する電気的相互接続手段４９を示す。アパー
チャ６６は複数の電子デバイス６８を受容するように適
応され、これらは図１の多段配線構造１２の表面１６上
に配置される。図１、図２及び図３の共通番号は、同一
のものを表す。電気的相互接続手段４９は、互いに対向
する第１表面及び第２表面を有するエラストマ材料層を
有し、そして第１表面から第２表面へアパーチャ６６が
延びている。第１表面及び第２表面には複数個の電気的
コンタクト・ロケーション即ち導電性接続パッドが形成
されており、そしてこれら第１表面の電気的コンタクト
・ロケーション即ち導電性接続パッド及び第２表面の電
気的コンタクト・ロケーションは互いに導電性ワイアに
より電気的に接続されている。
【００２９】図４は、図１に表される構造と熱消散手段
５１及び５３の斜視図を示す。図１、図２、図３及び図
４で使用される共通番号は、同一のものを示す。熱消散
手段５１及び５３は基板８と熱接触する。熱消散手段は
好適にはアルミニウムで製作される。基板８は熱消散手
段５１及び５３内の溝に保持されて、良好な熱接触、機
械的支持を保証し、隣接するアセンブリ間の相互接続手
段４９を押しつけて、後述されるように、これらの間の
電気的相互接続を提供する。熱消散手段５１及び５３
は、支持フレーム（図示せず）に保持される。
【００３０】図１の薄膜配線層１２及び２４は、好適に
は、少なくとも１対の配線平面（ＸＹ）と、電子デバイ
ス３６及び３８にパワー及びグランドを提供する２つの
基準面とを含む。電子デバイスがバイポーラ・チップの
場合、好適には２つの追加のパワー面が存在する。配線
の寸法及び基準面の厚みは、特定の応用例に依存し、ラ
イン幅８ミクロン、厚み５ミクロン、ピッチ２５ミクロ
ンから、ライン幅２５ミクロン、厚み２５ミクロン、ピ
ッチ７５ミクロン以上まで変化する。薄膜配線層１２及
び２４の絶縁層の厚みは、要求される伝送ライン・イン
ピーダンスを提供するように調整される。これは典型的
には４オーム乃至８０オームの範囲である。
【００３１】電気的相互接続手段４９は、図１乃至図４
に示されるチップ間の空間を占有するように形成され
る。図１の構造は、この構造の上部及び下部から圧縮さ
れ、隣接するアセンブリ間の電気的相互接続手段４９を
圧縮し、基板８上の電気的コンタクト・ロケーション３
０を電気的相互接続手段４９上の電気的コンタクト・ロ
ケーション５０に押し当て、電気的相互接続手段４９上
の電気的コンタクト・ロケーション５４を薄膜配線層１
２上の電気的コンタクト・ロケーション１８に押し当て
る。そして、図示していない装置により図１の構造は圧
縮された状態に保持される。こうして、１つのチップか
らの信号が薄膜配線層内を経由し、電気的相互接続配線
手段４９を垂直方向に通過して、多層基板８内のある薄
膜配線面に至り、最短パスに沿って全体構造２内のいず
れかのチップに至る。例えば図３に示されるように、単
一の面が、各々が１センチメートル平方の２５個のチッ
プを含む場合、電気的相互接続手段４９は各チップ間の
１センチメートルの空間を占有する。この設計のポイン
トは、基板８内のバイア及び電気的相互接続手段４９に
おける接続が、基板８上において２０ミル（０．５ｍ
ｍ）幅のパッド１８を有する３６ミル平方（０．０２２
５ｍｍ2 ）のグリッド上で形成される点である。１つの
面上において、おおよそ６６９４個の垂直方向の信号接
続が可能である。グリッドは必要に応じて、おおよそ２
のファクタで縮小され、２６０００個の垂直方向の接続
が形成可能である。
【００３２】要求されるチップが散在する多くの絶縁プ
レートから総合的な高性能パッケージを構成することが
できる。熱は高熱伝導性を有する基板８のエッジに伝導
され、ここで熱は自然空冷式、水冷式或いはヒート・シ
ンクなどの周知の適切な方法により放散される。
【００３３】基板は好適には、市販のダイアモンド（例
えばNORTON社及びDiamonex社により製造される）から成
る高熱伝導性の絶縁材料から構成され、レーザ・ドリル
によりバイアが形成され、スルー・ホール接続用に金属
化される。これはダイオード・レーザによるダイアモン
ド加熱スプレッダなどの標準の処理を使用して実施され
る。ダイアモンドの極めて高い熱伝導性（１５００Ｗ／
ｍ0Ｋ ）は、この構造における最適な材料を意味し、単
位面当たり１００ワット以上の冷却を可能とする。もち
ろん他の材料も可能である。より低コストの材料として
は、市販されているＡｎＮセラミックがあり、これは固
体バイアが一緒に焼結される。或いはレーザ・ドリル加
工されたホール、または化学的にエッチングされたスル
ー・バイアを含むシリコン・ウエハなどがある。このア
センブリ基板は、セラミック、ガラス・セラミック、ポ
リマ、ガラス、金属、シリコン、ダイアモンドなどの熱
伝導性で高い熱消散能力を有する材料から形成される。
薄膜配線層１２及び２４は、好適にはポリイミド絶縁層
内に銅配線を含み、標準の順次的な薄膜プロセスによ
り、直接、基板８上に生成される。これについてはR．T
ummala及びE．Rymasizewski による"Microelectronics
Packaging Handbook"（Van Nostrand、Rienhold、NY、1
989、Chapter 9）で記載されており、本発明においても
参照される。薄膜配線構造は、シリアル／パラレル薄膜
配線処理により別々に生成され、基板８に結合される。
これについては米国特許第５２５８２３６号に記載され
ており、本発明においても参照される。シリアル／パラ
レル処理において、薄膜配線構造は別々のキャリア上に
形成され、好適には熱圧縮ボンディングにより、絶縁面
に転送されてラミネートされる。電気的相互接続手段４
９は、好適にはエラストマ状のマトリクスに僅かな角度
で保持される金ワイヤを含む。別の実施例では、大きな
領域の位置整合接続子が機能する。エラストマ状のマト
リクスを用いる電気的相互接続手段４９は、低抵抗、低
接触力、ワイピング、及び低インダクタンスなどの望ま
しい特性を有し、本出願においては特に有効である。電
気的相互接続手段４９は、おおよそ１ｍｍ厚で１０％の
許容差で生成される。
【００３４】基板８は導電バイアを有するように生成さ
れる。上面及び下面のパッドは、上記Tiemmala等による
９章に記載される金属マスクを通過する金属蒸着などの
標準的な技術により付着される。電子デバイス３６及び
３８は、それらがテストされてバーン・インされた後
に、各薄膜配線層に結合される。電気的相互接続手段４
９は別々に生成されて、テストされる。最後に、電気的
相互接続手段４９がその上に配置され、且つ電子デバイ
スが実装された基板を有するアセンブリが積み重ねら
れ、位置整合させた後、相互接続を形成するために圧縮
力が加えられる。この力は好適には、１接触当たり１０
グラム乃至５０グラム、或いは全パッケージ当たり７０
キログラム乃至３００キログラムである。接続は分離可
能である。
【００３５】図５乃至図２１は図１の電気的相互接続手
段４９を製作する方法を示し、この電気的相互接続手段
の様々な実施例及び製作技術を示す。
【００３６】図５は、図１の電気的相互接続手段４９に
対応する電気的相互接続手段８０を示す。電気的相互接
続手段８０は、サイド８６からサイド８８に伸びる複数
の電気導体８４を有するエラストマ状の材料８２から形
成される。各導体８４は、好適には、サイド８６に一般
には球状の端部９０を有し、サイド８８には平坦な球状
の形状９２を有する。導体８４は好適には、金、金合
金、或いは銅合金である。エラストマ状材料８２の材料
特性と共に、ワイヤ８４のサイズ、形状及び間隔は、特
定の応用例に対して接続子を最適化するように変更され
る。
【００３７】図６は、その間に電気的相互接続手段８０
を挟む基板９４及び９６が、矢印９８及び１００により
示される方向に互いに押される様子を示す。エラストマ
８２はスプリングとして機能し、導電ワイアの直径より
も大きな端部接触面９０及び９２を、それぞれ基板９４
及び９６上の結合コンタクト１０４及び１０６に対して
押しつける。基板９４の表面１０２はコンタクト・ロケ
ーション１０４を有し、これは典型的には金属パッドで
ある。基板９６はコンタクト・ロケーション１０６を有
し、これも典型的には金属パッドである。基板９４が基
板９６の方向に押されると、端部９０及び９２は、これ
らの端部９０及び９２よりも大きいコンタクト表面１０
４及び１０６に対して横方向に移動する。これは導体８
４がコンタクト表面に対して非直交的角度を保つからで
ある。この横方向の移動はワイピング動作を生じ、それ
によりコンタクト・ロケーション１０４及び１０６の表
面上の表面酸化物、及び導電ワイアの直径よりも大きな
端部９０及び９２の表面上の表面酸化物が破られる。ワ
イピング動作は、導電ワイアの直径よりも大きな表面９
０及び９２と、それぞれコンタクト・ロケーション１０
４及び１０６との間の良好な電気接触を形成する。
【００３８】電気的相互接続手段８０の利点及び特徴
は、電気導体８４及びエラストマ材料の均一な間隔を提
供し、例えば単位コンタクト当たり単一のワイヤを使用
して、０．００８インチ（０．２ｍｍ）の最小ピッチを
提供する。導電ワイアの直径よりも大きなボール形状の
コンタクト９０は、相互接続手段８０の上面８６から突
き出しており、一方、平坦なコンタクト９２は一般に相
互接続手段８０の下面８８と同一平面である。なめらか
でない、すなわち隆起されたコンタクト表面がコンタク
ト９２の下面に形成され、基板９６上の電気的コンタク
ト・ロケーションとの接触面を改善する。エラストマ材
料８２内のワイヤ８４は、小さなクラスタにグループ化
され、各コンタクト・ロケーション１０４或いは１０６
に対する冗長な接続を提供する。クラスタ化されたワイ
ヤが使用される場合、図６の相互接続構造８０内のワイ
ヤ９５は除去することができる。
【００３９】図７は、図１の電気的相互接続手段４９に
対応する別の実施例１１０の断面図を示す。構造１１０
はグループ１１４にクラスタ化される電気導体１１２を
有する。各グループ間には、溝１１６が存在する。エラ
ストマ材料１１８は好適にはシリコン・エラストマであ
り、サイド１２２にはボール形状のコンタクト１２０を
有し、サイド１２６には隆起した表面１２８を有する平
坦なコンタクト１２４を有する。ワイヤの上部及び下部
の形状は、最適化すべく変更可能である。構造１１０の
位置整合溝は、Beamanによる米国特許第４９９８８８５
号に示されるレーザ、電子ビーム或いは他のセンシング
技術を使用して形成される。この特許は本発明において
も参照される。
【００４０】位置整合機構１１６はエラストマ材料内に
モールドすることができ、構造１１０内の導体１１２
と、図６に示される表面１０２及び１０５上のコンタク
ト・ロケーション１０４及び１０６との正確な位置整合
を可能とする。位置整合機構は、隣接する基板上のコン
タクトと間に挟まれる配線との正確な位置整合を改良す
るために好適である。モールドされた位置整合機構はま
た、エラストマ材料内のコンタクト・グリッドの収縮及
び歪みを制御するためにも使用される。エラストマ材料
内に機械的または熱的に誘導されるストレスは、内在物
を歪め、結合コンタクトとの位置整合問題を生じたりす
る。
【００４１】図５、図７及び図８に示される電気的相互
接続手段、及び図１の電気的相互接続手段４９は、本明
細書では"エラスティコン・インタポーザ"（ELASTICONi
nterposer）とも称される。エラスティコン・インタポ
ーザは、基板の下面から別の基板へ、信号及びパワー接
続を提供するように設計される。エラスティコン・イン
タポーザは、導体の全配列または導体のクラスタ化配列
を有するように製作される。導体（またはワイヤ）の全
配列を使用するインタポーザ接続子は、典型的には、そ
れが配置される基板上のコンタクト・ロケーションに対
する接続子の位置整合を必要としない。ワイヤのクラス
タを使用すれば、インタポーザの製作に必要なワイヤが
全体的に減少する。これは接続子のコスト、及びコンタ
クトの全ての結合を保証するために必要な圧力を低減す
るために有用である。ワイヤのクラスタ化配列を使用す
るインタポーザ・コンタクトは、好適には残りの上記コ
ンタクトとワイヤ・クラスタを位置整合する手段を有す
る。ワイヤの１組のクラスタを有するインタポーザは、
インタポーザの製作中に必要なワイヤ数を最小化し、接
続子アセンブリの許容差を改良する。エラストマ材料内
にモールド成形されたり刻まれる溝または他の機構は、
基板上の類似の機構にインタポーザ接続子を自己整合す
るために使用され、インタポーザ接続子は、図８に示さ
れるように、この類似の機構間に配置される。図８は基
板１２１上に配置されるインタポーザ１１９を示す。イ
ンタポーザ１１９は溝１２３を有し、この溝は基板１２
１上の突起１２５と嵌合する。それにより基板のパッド
１２７が、インタポーザのコンタクト・ロケーション１
２９に位置整合される。これらの位置整合機構は、円形
ポスト、矩形状隆起、或いは隆起グリッド・パターンな
どの種々の単純な幾何学的形状を使用して設計される。
図１０は、図１の電気的相互接続手段４９として有用な
エラスティコン・インタポーザの斜視図を示す。図１０
のエラスティコン・インタポーザ１３４は、複数の位置
整合溝１３６及びクラスタ化コンタクトを含む領域１３
８を有し、各領域は溝１４０により囲まれる。
【００４２】図９は図１０のインタポーザ１３４上の溝
に嵌合されて、基板のコンタクト・ロケーションをイン
タポーザのコンタクト・ロケーションに位置整合する位
置整合フレーム１４２を示す。例えば、位置整合フレー
ム１４２のバー１４４は、図１０の構造１３４の溝１４
６に嵌合し、フレーム１４２のバー１４８は図１０の構
造１３４の溝１５０に嵌合する。フレームはコンタクト
・ロケーションを有する基板上に配置され、このロケー
ションに対してインタポーザのコンタクト・ロケーショ
ンが位置整合される。
【００４３】図１の構造を製作するために、全体的な位
置整合手段が要望される。モジュールの各分離可能要素
は、好適にはモジュール内の他の要素に対する位置整合
手段を有する。インタポーザに対応して使用されたもの
と類似の別の位置整合フレームを、各基板に対して結合
することも可能である。
【００４４】図１１乃至図１９は本明細書で述べられる
エラスティコン・インタポーザの製作方法を示す。
【００４５】製作プロセスは擬制基板１６０から開始さ
れる。銅並びにモリブデン、アンバーの１以上の積層
物、これらとポリマーとの合成材等を用いる。好適には
銅、銅／アンバー／銅或いは銅／モリブデン／銅であ
る。銅以外の材料も使用可能であり、例えばアルミニウ
ム、ハード・プラスチックまたは鋼などが含まれる。基
板１６０は突起１６２を有するように製作され、これは
図７のエラスティコン・インタポーザ内の溝１１６を提
供する。突起１６２は様々な製作技術を用いて形成さ
れ、例えば表面１６４の機械加工、すなわち表面１６４
のスタンピングなどが含まれる。突起を有する基板が形
成されると、次に上面１６４がスパッタされるか、軟金
またはＮｉ／Ａｕでめっきされて、熱音波ボール・ボン
ディングに適切な表面が提供される。他のボンディング
技術も使用可能であり、例えば、熱圧縮ボンディング、
超音波ボンディング、レーザ・ボンディングなどが含ま
れる。一般に使用される自動ワイヤ・ボンダは、図１１
に示されるように、金、金合金、銅、銅合金、アルミニ
ウム、ニッケル、パラジウム、コバルト、クロム、銀、
白金及びこれらの合金などのワイヤ１６６を、基板表面
１６４にボール・ボンドするように変更される。ワイヤ
は好適には、直径０．００１インチ（０．０２５ｍｍ）
乃至０．００５インチ（０．１２５ｍｍ）を有する。Ａ
ｕ以外の金属が使用される場合、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ或いはＰｄなどの薄い不活性化金属が、電気めっき、
無電解めっき、スパッタリング、電子ビーム蒸着、また
は他の周知のコーティング技術により、ワイヤに被覆さ
れる。図１１の構造１６８はボール・ボンディング・ヘ
ッドであり、ワイヤ１７０は従来のワイヤ・ボンディン
グ装置などのワイヤ貯蔵器から供給される。図１１は、
ロケーション１６９における、基板１６０の表面１６４
に接触するボール・ボンド・ヘッド１６８を示す。
【００４６】図１２は表面１６４から矢印１７１方向に
引き離されるボール・ボンディング・ヘッド１６８を示
し、ワイヤ１７０は基板１６４上に配置されるワイヤ１
６６を残して引き延ばされる。実施例では、ボンド・ヘ
ッド１６８は静止しており、基板１６０が矢印１６１で
示される方向に移動される。ボンド・ワイヤは好適には
垂直方向に対して５゜乃至６０゜の角度で維持され、図
１３に示されるようにナイフ・エッジ１７２により機械
的に切断される。ナイフ・エッジ１７２が動作し、ワイ
ヤ１７０が押しつけられ、ボンド・ヘッド１６８が持ち
上げられる。ワイヤ１７０が切断される時、基板１６０
の表面１６４上には、フライング・リード（flying lea
d ）１６６が残され、これはその一端が表面１６４に接
着され、もう一端は表面から外側に隔てて突き出た状態
となる。ワイヤの端部を溶かすために、レーザまたは電
気放電を使用して、ボールがワイヤ１６６の端部に形成
されるが、これは表面１６４には接着されない。この技
術は周知である。後述されるスプリット・ビーム・レー
ザ分散システムが、レーザ・エネルギを単一のワイヤに
局所化して、ボールを形成するために使用される。これ
により、近接するワイヤにより吸収されて、ワイヤの変
形を招くレーザ・エネルギが最小化される。ボールはワ
イヤのもう一方の端部には必要ない。この変形ワイヤ・
ボンディング処理は、基板上に角度付きワイヤの高密度
配列を形成するために繰返される。
【００４７】図１４はワイヤ１７０が切断されて、ワイ
ヤ１６６が基板１６０の表面１６４上に残される様子を
示す。ワイヤ・ボンド・ヘッド１６８は、矢印１７４に
より示されるように、上方に向けて引かれる。ワイヤ・
ボンド・ヘッド１６８は、ワイヤを切断するための刃に
対してワイヤが張られるように、ワイヤ１７０を掴みま
た解放する機構を有する。
【００４８】図１５はワイヤが切断された後に、ボンド
・ヘッドが"ホーム"ポジションに持ち上げられた状態を
示す。電子フレーム・オフ・ユニット（Hughes Wire Bo
nder、Modec III-2640の一部）の電極が、ボンド・ヘッ
ドの下方に配置され、電極からの電気放電がワイヤの毛
状の先端部分を溶かし、ボールを形成するために使用さ
れる。
【００４９】ワイヤ・ボンディング処理が完了後、基板
１６０は図１６に示されるキャスティング・モールド１
９０内に配置される。制御された容積の液体エラストマ
１９２がキャスティング・モールド内に供給され、図１
７に示すように、（表面のレベルに達するまでワイヤ間
を流れて）留まり、硬化される。エラストマが硬化する
と、図１８の矢印１９４により示すように、モールドか
ら基板が取出される。硬化したエラストマが、参照番号
１９６で示される。モールド１９０内の開口１６１は、
モールドから基板を取出すためのツール機構である。構
造１９８はモールド１９０から取出され、銅基板１６０
を溶解するために、図１９に示される硫酸及び硝酸バス
２００内に置かれる。硫酸及び硝酸の超音波洗浄は基板
のエッチングを促進し、銅基板の表面上の金めっきをエ
ラストマ材料１９６の表面２０２から剥離し、ボール・
ボンド２０４の表面を露出させる。
【００５０】これとは別な例では、基板が剥離可能な銅
から成り、固体基板に限界の粘着力で銅の薄膜を付着す
る。製作が完了すると、残りの薄膜銅をエッチングによ
り瞬時に除去する以前に、接続子を擬制基板から剥離す
る。
【００５１】この応用例において、高い許容差、高い熱
安定性を有するシロキサン（siloxane）エラストマ材料
が好適である。高温度シロキサン材料をキャストすなわ
ち注入し、他のエラストマ材料と同様に硬化する。収縮
を最小化するために、エラストマを好適には低い温度
（Ｔ≦６０℃）で硬化し、その後、高温度（Ｔ≧８０
℃）にて完全に硬化する。更に収縮を制御するために、
周辺にホールが予めドリル加工されるプラスチック・フ
レーム内に接続子をキャストする。エラストマがこのフ
レーム内に注がれると、エラストマのフレームへの物理
的ロックが発生し、これによりエラストマ及び接続子の
両方をフレームに保持し、収縮を最小化する。許容差を
改良し、エラストマ材料の絶縁定数を減らすために、泡
剤が１０％乃至６０％の範囲の比率で、市販のエラスト
マ材料内に混合される。泡はまた個別の層としても使用
される。
【００５２】ECCOSIL及びSYLGARDなどの市販される数多
くのエラストマの中で、ポリジメチルシロキサンを基本
とするゴムの使用は、材料要求、並びに処理要求の両方
を最も満足する。しかしながら、こうしたエラストマの
熱安定性は、２００℃以下の温度に制限され、１００℃
以上では著しいガス抜きが観測される。我々は、２５ｗ
ｔ％以上のジフェニルシロキサンの混合により、熱安定
性が著しく改良されることを見い出した（図１）。更に
熱安定性の改良は、樹脂（オリゴマ）の分子量を増加さ
せることにより、または架橋接合を最小化することによ
り説明される。エラストマのガス抜きは、第１に樹脂合
成において熱的な一時触媒を使用し、第２に低分子量の
副産物を除去するために樹脂を薄膜蒸留物にさらすこと
により、３００℃以下の温度において最小化される。我
々の実験によれば、２５ｗｔ％以上のジフェニルシロキ
サンが最適であり、要望される熱安定性と共に、ジフェ
ニルシロキサンの混合に関連する粘度の増加を調整する
ことが分かった。また、最大熱安定性に対応する樹脂の
最適な平均分子量は、１８０００ｇ／ｍｏｌ乃至３５０
００ｇ／ｍｏｌの間であった。より高い分子量では硬化
が困難であり、一度充填されると処理を施すためには粘
度が高すぎた。ネットワークの形成は、反応的なシリコ
ン・オイル・キャリア内において、妨害的なプラチナ触
媒を使用する、標準のヒドロシリル化重合により達成さ
れる。
【００５３】図１１において、ボンド・ヘッド１６８が
ワイヤ１７０を基板１６０の表面１６４に接着する時、
図１９において２０４で示される平坦な面を有する球状
の端部が形成される。図１１に示される基板上の突起１
６２は、図７に示される溝１１６などのような、エラス
トマ内の溝に嵌合される。これらの溝は位置整合機構を
形成する。銅基板１６０を形成するために用いられる設
計及び許容差は、好適には、図６に示される基板９４及
び９６上の位置整合機構を製作するために使用される設
計及び許容差に、注意深く適合される。これとは別に、
実質的に平坦な基板においては、図９に示されるような
位置整合フレームが、図６の９４及び９６などの基板の
表面上に配置され、溝を有するエラスティコン・インタ
ポーザがこの位置整合フレーム上に配置されて、図９及
び図１０に関連して上述されたように、インタポーザの
位置整合用の溝がフレーム・パターンに組合わされる。
【００５４】図２０を参照すると、各々の上にワイヤ・
グループ２１２を有する複数の基板２１０が示されてお
り、これらの基板は、上述された液体エラストマ２１６
が内部に配置され硬化される共通のモールド２１４内に
置かれる。硬化されたエラストマは、図２１に示すよう
に、これらの複数の基板を単一のインタポーザ２１８と
して結合させる。溝２１１は許容差要求または位置整合
要求に応じて設けられる。これとは別に、いくつかの小
さな接続子を同一基板上に単一のユニットとして製作
し、エラストマの硬化後に分離し、そして基板をエッチ
ングすることも可能である。
【００５５】また、金めっき及びワイヤ・ボンディング
前に銅の擬制基板の表面を粗化するかエンボス化して、
ボール・ボンドの下面になめらかでない、すなわち隆起
するコンタクト表面を提供する。図２１の完了されたイ
ンタポーザ２１８は、更にレーザにより、図７に示すよ
うに、エラストマ状材料内のボンド・ワイヤ間に、ボン
ド・ワイヤの角度に一致する角度でチャネルを刻む様に
変更される。十字形のチャネルは、金ワイヤを囲む独立
のエラストマの列（図１０の１３８で示される）を生成
する。これは個々のワイヤまたはワイヤのグループを独
立に圧縮することを可能とし、インタポーザは残りの表
面内の僅かな変化を補償する。一方、インタポーザ全体
を圧縮するために必要な総合圧力が低減される。パター
ン化接続子は、ワイヤ・ボンダを特定のパターンにプロ
グラムし、エラストマをモールドすることにより、容易
に製作される。これにより、周囲の他の電子コンポーネ
ントまたは機械コンポーネントに対応するホール或いは
オープン領域が、接続子内に提供される。
【００５６】許容差を改良し、ワイヤの変形を低減する
ために、好適にはエラストマの両方の接続子表面のＸ方
向及びＹ方向に、または円形幾何に従い、溝がモールド
成形される。溝の幅及び深さは、１００ミル（２．５ｍ
ｍ）厚のインタポーザでは、好適にはそれぞれ５ミル
（０．１２５ｍｍ）よりも広く、１０ミル（０．２５ｍ
ｍ）よりも深い。溝は好適には、角度付けされたワイヤ
に平行にモールド化される。
【００５７】溝は、レーザ、電子ビーム、金属マスク及
びブレードを有するスライシングにより製作される。ス
タンピング、注入モールド成形、及び目的の幾何を生成
するための他の周知の技術も使用できる。
【００５８】ワイヤ端部のコンタクト・ボールは、スプ
リット・ビーム・レーザ構成を使用して形成される。各
ワイヤの端部は融解され、２本のビームが交差するポイ
ントのみボールが形成される。図２２に表される設計
は、好適にはアルゴン・イオン・レーザである光源３０
０を含み、これは光ビーム３０２の源となり、光ビーム
３０２はミラー３０６により光ビーム３０４として反射
される。光ビーム３０４は光ビーム・エクスパンダ３０
８を通過して、拡大された光ビーム３１０を形成する。
拡大された光ビーム３１０はビーム・スプリッタ３１２
に向けられ、これはビーム３１０をビーム３１４と３１
６に分割する。ビーム３１６はミラー３２２で光ビーム
３２４として反射される。一方、ビーム３１４はミラー
３１８で光ビーム３２０として反射される。ビーム３２
０は集束レンズ３２８を通過して、ビーム３３０を形成
し、このビームはワイヤの端部に相当する加工品上のス
ポット３３２に焦点結合される。ビーム３２４は集束レ
ンズ３３４を通過して、ビーム３３６を形成し、このビ
ームも加工品上のスポット３３２に焦点結合される。加
工品はｘ−ｙテーブル３３８上に配置される。ビームは
目的のサイズのスポット３３２を獲得するために、焦点
を合わせる前に拡大される。
【００５９】図２３は図７の被線で示される円２３０で
囲まれる領域の拡大図を示す。要素１２４は導体１１２
の端部における平坦なボール状メンバを示す。平坦なボ
ール状メンバ１２４は、図１１に関連して述べられたよ
うに、導体１１２が擬制銅層にワイヤボンドされた時に
形成されたものである。擬制銅層は、ワイヤ１１２が接
着される表面領域内のピット配列により製作される。こ
れらのピットは、例えば、半球形状、矩形形状、ピラミ
ッド形状、或いはその他の形状を有する。こうしたピッ
ト配列が使用され、ワイヤがピット領域に接着される
と、図２３の１２８などの突起が、平坦なボールの表面
２３２に形成される。この突起は、平坦なボール１２４
により形成されるコンタクトに対して突き出し領域を提
供し、平坦なボールが電気的に接続されるコンタクト・
ロケーションの表面上をワイプする。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば改
良された３次元集積回路パッケージング構造を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による３次元電子デバイス・パッケージ
ング構造を示す図である。
【図２】図１の構造の部分的斜視図を示す。
【図３】図１の構造の電気的相互接続手段の上面図を表
す図である。
【図４】熱消散手段を含む図１の構造の斜視図である。
【図５】図１の構造の電気的相互接続手段の一部の断面
図である。
【図６】２つの近接する基板間に配置されて圧縮される
図５の構造を示す図である。
【図７】２つの反対表面上に溝を有する図５の構造の別
の実施例を示す図である。
【図８】基板及びインタポーザ（interposer）のコンタ
クト・ロケーションを位置整合するために、基板上の突
起と嵌合されるインタポーザ上の溝を示す図である。
【図９】図１０の構造で示されるような位置整合用の溝
と嵌合される位置整合用フレームを示す図である。
【図１０】図９のフレームと嵌合される溝を有する相互
接続構造を示す図である。
【図１１】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１２】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１３】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１４】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１５】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１６】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１７】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１８】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図１９】図５などの電気的相互接続手段を形成するプ
ロセスを示す図である。
【図２０】電気的相互接続手段を製作する別の実施例の
工程を示す図である。
【図２１】電気的相互接続手段を製作する別の実施例の
工程を示す図である。
【図２２】図１５の配線導体の端部にボールを形成する
光学システムを示す図である。
【図２３】図７において破線で示される円２３０により
囲まれる領域の拡大図である。
【符号の説明】
４、６ サブコンポーネント・アセンブリ １２、２４ 多段配線構造 ３０ 電気コンタクト・ロケーション ３６、３８ 電子デバイス ４２ 活性面 ４４ 非活性面 ４６ 配線 ４９、８０ 電気的相互接続手段 １６２ 突起 １６８ ボール・ボンド・ヘッド １７２ ナイフ・エッジ １９０ キャスティング・モールド １９２ 液体エラストマ ２１２ ワイヤ・グループ ２１４ モールド ２１８ インタポーザ ３００ 光源 ３０２ 光ビーム ３０８ 光ビーム・エクスパンダ ３１２ ビーム・スプリッタ ３２８、３３４ 集束レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ファッド・エリアス・ドウニー アメリカ合衆国10536、ニューヨーク州 カトナ、シダー・ロード 125 (72)発明者 キース・エドワード・フォゲル アメリカ合衆国10954、ニューヨーク州 バードニア、ブロードリン・コート ５ (72)発明者 ジェームス・ラプトン・ヘドリック、ジ ュニア アメリカ合衆国94611、カリフォルニア 州オークランド、チェルトン・ドライブ 6799 (72)発明者 ポール・アルフレッド・ラウロ アメリカ合衆国10954、ニューヨーク州 ナヌエット、アパートメント ４、セン トラル・ドライブ ８ (72)発明者 モーリス・ヒースコート・ノアコット アメリカ合衆国10989、ニューヨーク州 バレー・コテージ、シエラ・ビスト・レ ーン 429 (72)発明者 ジョン・ジェームズ・リスコ アメリカ合衆国10549、ニューヨーク州 マウント・キソコ、ハイ・リッジ・ロー ド 70 (72)発明者 リーザン・シェイ アメリカ合衆国10598、ニューヨーク州 ヨークタウン・ハイツ、オスロ・ドライ ブ 45 (72)発明者 ダーユアン・シェイ アメリカ合衆国12603、ニューヨーク州 ポキプシ、バーバレン・ドライブ 16 (72)発明者 ジョージ・エフ・ウォルカー アメリカ合衆国10028、ニューヨーク州 ニューヨーク、アパートメント ナンバ ー11ケイ、ヨーク・アベニュー 1540 (56)参考文献 特開 昭63−156395（ＪＰ，Ａ)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１アセンブリ及び第２アセンブリと、電
    気的相互接続手段とを含む３次元電子パッケージ装置で
    あって、 上記第１アセンブリの第１表面が上記第２アセンブリの
    第２表面に隣接するように、上記第１アセンブリを上記
    第２アセンブリに隣接して配置し、 上記第１アセンブリ及び上記第２アセンブリのそれぞれ
    が、 複数個の電気的コンタクト・ロケーションをそれぞれ有
    する互いに対向する第１表面及び第２表面を有し、そし
    て上記第１表面の電気的コンタクト・ロケーション及び
    上記第２表面の電気的コンタクト・ロケーションを接続
    する電気的導体を有する基板と、 上記第１表面に配置された複数個の電子デバイスとを含
    み、 上記電気的相互接続手段が、 互いに対向する第１表面及び第２表面を有し、該第１表
    面から上記第２表面に伸びる複数のアパーチャを有する
    エラストマ材料層と、 該エラストマ材料層の上記第１表面から上記第２表面に
    伸びる複数個の導体により電気的に相互接続される、上
    記エラストマ材料層の上記第１表面及び上記第２表面上
    の複数個の電気的コンタクト・ロケーションとを含み、 上記第１アセンブリの上記第１表面の上記電子デバイス
    が、上記電気的相互接続手段の上記アパーチャ内に配置
    されるように、上記電気的相互接続手段を上記第１アセ
    ンブリの上記第１表面上に配置し、 上記電気的相互接続手段の上記エラストマ材料層の上記
    第２表面の上記電気的コンタクト・ロケーションが、上
    記第１アセンブリの上記基板の上記第１表面の電気的コ
    ンタクト・ロケーションに電気的に相互接続され、 上記電気的相互接続手段の上記エラストマ材料層の上記
    第１表面の上記電気的コンタクト・ロケーションが、上
    記第２アセンブリの上記基板の上記第２表面の電気的コ
    ンタクト・ロケーションに電気的に相互接続されること
    を特徴とする上記３次元電子パッケージ装置。
  2. 【請求項２】上記電気的相互接続手段は、上記第１アセ
    ンブリの第１表面及び上記第２アセンブリの第２表面の
    間で圧縮されて保持されていることを特徴とする請求項
    １記載の３次元電子パッケージ装置。
  3. 【請求項３】上記エラストマ材料層の第１表面及び第２
    表面上の電気的コンタクト・ロケーションは、上記導体
    の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の３
    次元電子パッケージ装置。
  4. 【請求項４】上記導体の一端の電気的コンタクト・ロケ
    ーションは球状であり、上記導体の他端の電気的コンタ
    クト・ロケーションは半球状であり、該半球状の平坦面
    に突起が設けられて接触面を形成することを特徴とする
    請求項３記載の３次元電子パッケージ装置。
  5. 【請求項５】複数個の導電性接続パッドが設けられた第
    １表面及び複数個の導電性接続パッドが設けられ上記第
    １表面と反対側にある第２表面を有し、上記第１表面の
    上記導電性接続パッドのうち選択された導電性接続パッ
    ドに集積回路チップがボンディングされている第１回路
    アセンブリと、 複数個の導電性接続パッドが設けられた第１表面及び複
    数個の導電性接続パッドが設けられ上記第１表面と反対
    側にある第２表面を有し、上記第１表面の上記導電性接
    続パッドのうち選択された導電性接続パッドに集積回路
    チップがボンディングされており、そして上記第２表面
    が上記第１回路アセンブリの第１表面に対向して配置さ
    れた第２回路アセンブリと、 上記第１回路アセンブリの上記第１表面上の上記集積回
    路チップに接続されていない導電性接続パッドと上記第
    ２回路アセンブリの上記第２表面の上記導電性接続パッ
    ドとを電気的に接続する電気的相互接続手段とを有し、 該電気的相互接続手段は、 上記第２回路アセンブリの第２表面に対向する第１表面
    及び上記第１回路アセンブリの第１表面に対向する第２
    表面を有するエラストマ材料の絶縁基板と、 上記第１回路アセンブリの第１表面上の導電性接続パッ
    ドよりも小さい寸法を有し該第１表面上の導電性接続パ
    ッドに対向する位置で上記絶縁基板の第２表面に形成さ
    れた導電性接続パッドと、 上記第２回路アセンブリの第２表面上の導電性接続パッ
    ドよりも小さい寸法を有し該第２表面上の導電性接続パ
    ッドに対向する位置で上記絶縁基板の第１表面に形成さ
    れた導電性接続パッドと、 上記絶縁基板内に斜めに傾けられて埋設され、該絶縁基
    板の第１表面の導電性接続パッドと該絶縁基板の第２表
    面の導電性接続パッドとを接続するための導電性ワイア
    とを有し、そして、 上記電気的相互接続手段は、上記第１回路アセンブリの
    第１表面及び上記第２回路アセンブリの第２表面の間で
    圧縮されて保持されていることを特徴とする３次元電子
    パッケージ装置。
  6. 【請求項６】上記エラストマ材料の絶縁基板の第１表面
    及び第２表面上の導電性接続パッドは、上記導電性ワイ
    アの直径よりも大きいことを特徴とする請求項５記載の
    ３次元電子パッケージ装置。
  7. 【請求項７】上記導電性ワイアの一端の導電性接続パッ
    ドは球状であり、上記導電性ワイアの他端の導電性接続
    パッドは半球状であり、該半球状の平坦面に突起が設け
    られて接触面を形成することを特徴とする請求項６記載
    の３次元電子パッケージ装置。
  8. 【請求項８】基板を準備する工程と、 各々が第１端部と第２端部を有する複数の細長の導体を
    準備する工程と、 各上記複数の導体の上記第１端部を、上記基板に接着す
    る工程と、 上記複数の細長の導体の上記第２の端部を上記基板から
    突き出させる工程と、 上記基板をモールド内に配置する工程と、 上記モールドに液体材料を加える工程と、 内部に配置される上記複数の細長の導体を有する固体と
    すべく、上記液体を硬化させる工程と、 上記モールドから上記固体を取出す工程と、 上記固体から上記細長の導体を残して、上記基板を取除
    く工程と、 上記細長の導体の上記第１及び上記第２の端部を上記固
    体の表面に露出する工程と、 を含む方法。
JP5221457A 1992-10-19 1993-09-06 ３次元電子パッケ―ジ装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP2514305B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/963,346 US5371654A (en) 1992-10-19 1992-10-19 Three dimensional high performance interconnection package
US963346 1992-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06204399A JPH06204399A (ja) 1994-07-22
JP2514305B2 true JP2514305B2 (ja) 1996-07-10

Family

ID=25507113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5221457A Expired - Fee Related JP2514305B2 (ja) 1992-10-19 1993-09-06 ３次元電子パッケ―ジ装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (11) US5371654A (ja)
EP (1) EP0593966B1 (ja)
JP (1) JP2514305B2 (ja)
DE (1) DE69322832T2 (ja)

Families Citing this family (438)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US6330164B1 (en) * 1985-10-18 2001-12-11 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device
JP2767670B2 (ja) * 1992-09-03 1998-06-18 株式会社村田製作所 電子部品チップ用ホルダおよびそれを用いた電子部品チップの電極形成方法
US5371654A (en) * 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US6295729B1 (en) * 1992-10-19 2001-10-02 International Business Machines Corporation Angled flying lead wire bonding process
US20050062492A1 (en) * 2001-08-03 2005-03-24 Beaman Brian Samuel High density integrated circuit apparatus, test probe and methods of use thereof
JPH0828580B2 (ja) * 1993-04-21 1996-03-21 日本電気株式会社 配線基板構造及びその製造方法
US6452406B1 (en) 1996-09-13 2002-09-17 International Business Machines Corporation Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips
US7368924B2 (en) * 1993-04-30 2008-05-06 International Business Machines Corporation Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof
US20030048108A1 (en) * 1993-04-30 2003-03-13 Beaman Brian Samuel Structural design and processes to control probe position accuracy in a wafer test probe assembly
US5810607A (en) * 1995-09-13 1998-09-22 International Business Machines Corporation Interconnector with contact pads having enhanced durability
US20070228110A1 (en) * 1993-11-16 2007-10-04 Formfactor, Inc. Method Of Wirebonding That Utilizes A Gas Flow Within A Capillary From Which A Wire Is Played Out
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US6525555B1 (en) 1993-11-16 2003-02-25 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US6835898B2 (en) 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5772451A (en) * 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US7064566B2 (en) * 1993-11-16 2006-06-20 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit
US7073254B2 (en) * 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US6246247B1 (en) 1994-11-15 2001-06-12 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of using same
US6624648B2 (en) 1993-11-16 2003-09-23 Formfactor, Inc. Probe card assembly
US6336269B1 (en) 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US5455390A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Tessera, Inc. Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding
US5706174A (en) * 1994-07-07 1998-01-06 Tessera, Inc. Compliant microelectrionic mounting device
US5579207A (en) * 1994-10-20 1996-11-26 Hughes Electronics Three-dimensional integrated circuit stacking
EP0792517B1 (en) * 1994-11-15 2003-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contact structures from flexible wire
US6727579B1 (en) 1994-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US5495394A (en) * 1994-12-19 1996-02-27 At&T Global Information Solutions Company Three dimensional die packaging in multi-chip modules
MY112945A (en) * 1994-12-20 2001-10-31 Ibm Electronic devices comprising dielectric foamed polymers
EP0722198A3 (en) * 1995-01-10 1996-10-23 Texas Instruments Inc Bond wire with integrated contact area
US6232789B1 (en) * 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US7276919B1 (en) * 1995-04-20 2007-10-02 International Business Machines Corporation High density integral test probe
US20100065963A1 (en) 1995-05-26 2010-03-18 Formfactor, Inc. Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out
CN1151009C (zh) * 1995-05-26 2004-05-26 福姆法克特公司 利用牺牲基片制作互连件和接点
US6483328B1 (en) * 1995-11-09 2002-11-19 Formfactor, Inc. Probe card for probing wafers with raised contact elements
US5785538A (en) * 1995-11-27 1998-07-28 International Business Machines Corporation High density test probe with rigid surface structure
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5726211A (en) * 1996-03-21 1998-03-10 International Business Machines Corporation Process for making a foamed elastometric polymer
US5804607A (en) * 1996-03-21 1998-09-08 International Business Machines Corporation Process for making a foamed elastomeric polymer
US6000126A (en) * 1996-03-29 1999-12-14 General Dynamics Information Systems, Inc. Method and apparatus for connecting area grid arrays to printed wire board
US5700844A (en) * 1996-04-09 1997-12-23 International Business Machines Corporation Process for making a foamed polymer
US5890915A (en) * 1996-05-17 1999-04-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrical and thermal conducting structure with resilient conducting paths
US6403226B1 (en) 1996-05-17 2002-06-11 3M Innovative Properties Company Electronic assemblies with elastomeric members made from cured, room temperature curable silicone compositions having improved stress relaxation resistance
US5709336A (en) * 1996-05-31 1998-01-20 International Business Machines Corporation Method of forming a solderless electrical connection with a wirebond chip
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JPH1062489A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Ando Electric Co Ltd Ｉｃテスタ用テスト・ヘッド
US5757201A (en) * 1996-09-11 1998-05-26 Micron Electronics, Inc. Universal testing device for electronic modules with different configurations and operating parameters
US7282945B1 (en) * 1996-09-13 2007-10-16 International Business Machines Corporation Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof
WO1998011449A1 (en) * 1996-09-13 1998-03-19 International Business Machines Corporation Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof
DE69737599T2 (de) 1996-09-13 2007-12-20 International Business Machines Corp. Integrierte nachgiebige sonde für waferprüfung und einbrennen
US5929646A (en) * 1996-12-13 1999-07-27 International Business Machines Corporation Interposer and module test card assembly
US6133072A (en) * 1996-12-13 2000-10-17 Tessera, Inc. Microelectronic connector with planar elastomer sockets
SE511425C2 (sv) * 1996-12-19 1999-09-27 Ericsson Telefon Ab L M Packningsanordning för integrerade kretsar
US6690185B1 (en) * 1997-01-15 2004-02-10 Formfactor, Inc. Large contactor with multiple, aligned contactor units
WO1998044564A1 (en) 1997-04-02 1998-10-08 Tessera, Inc. Chip with internal signal routing in external element
US5976964A (en) * 1997-04-22 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method of improving interconnect of semiconductor device by utilizing a flattened ball bond
US6525551B1 (en) * 1997-05-22 2003-02-25 International Business Machines Corporation Probe structures for testing electrical interconnections to integrated circuit electronic devices
US6034533A (en) 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
FR2764721B1 (fr) * 1997-06-13 1999-07-09 Bull Cp8 Dispositif pour communiquer avec un support de donnees portable
AU8280398A (en) * 1997-06-30 1999-01-19 Formfactor, Inc. Sockets for semiconductor devices with spring contact elements
US5977642A (en) * 1997-08-25 1999-11-02 International Business Machines Corporation Dendrite interconnect for planarization and method for producing same
US6300575B1 (en) * 1997-08-25 2001-10-09 International Business Machines Corporation Conductor interconnect with dendrites through film
US6040700A (en) * 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
EP0922960A1 (en) * 1997-12-12 1999-06-16 Padar Tecnologie di Riccioni Roberto S.a.s. Microcircuit testing device
JP2004506309A (ja) * 1997-12-31 2004-02-26 エルパック（ユーエスエー）、インコーポレイテッド モールドされた電子パッケージ、製作方法およびシールディング方法
US6160714A (en) * 1997-12-31 2000-12-12 Elpac (Usa), Inc. Molded electronic package and method of preparation
US6097199A (en) * 1998-01-22 2000-08-01 Lsi Logic Corporation Universal decoder test board
US6211463B1 (en) * 1998-01-26 2001-04-03 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Electronic circuit package with diamond film heat conductor
US6016005A (en) * 1998-02-09 2000-01-18 Cellarosi; Mario J. Multilayer, high density micro circuit module and method of manufacturing same
US6600215B1 (en) 1998-04-02 2003-07-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for coupling a semiconductor die to die terminals
US5971771A (en) * 1998-04-03 1999-10-26 Faragi; Eric Joseph Component to substrate connection and display assembly using same
US6720501B1 (en) 1998-04-14 2004-04-13 Formfactor, Inc. PC board having clustered blind vias
US6078500A (en) * 1998-05-12 2000-06-20 International Business Machines Inc. Pluggable chip scale package
US6107119A (en) * 1998-07-06 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components
US6664628B2 (en) 1998-07-13 2003-12-16 Formfactor, Inc. Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6259260B1 (en) 1998-07-30 2001-07-10 Intest Ip Corporation Apparatus for coupling a test head and probe card in a wafer testing system
JP2002523881A (ja) 1998-08-17 2002-07-30 インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト 回路担体における電気的構成部材の接続のための接続装置並びにその製造法
US6169331B1 (en) 1998-08-28 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for electrically coupling bond pads of a microelectronic device
US6586835B1 (en) * 1998-08-31 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Compact system module with built-in thermoelectric cooling
US6239980B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-29 General Electric Company Multimodule interconnect structure and process
US6618267B1 (en) * 1998-09-22 2003-09-09 International Business Machines Corporation Multi-level electronic package and method for making same
US6190425B1 (en) 1998-11-03 2001-02-20 Zomaya Group, Inc. Memory bar and related circuits and methods
US6295220B1 (en) 1998-11-03 2001-09-25 Zomaya Group, Inc. Memory bar and related circuits and methods
US6160412A (en) * 1998-11-05 2000-12-12 Wentworth Laboratories, Inc. Impedance-matched interconnection device for connecting a vertical-pin integrated circuit probing device to integrated circuit test equipment
US6854985B1 (en) * 1998-12-16 2005-02-15 Paricon Technologies Corporation Elastomeric interconnection device and methods for making same
US6185107B1 (en) * 1998-12-23 2001-02-06 Raytheon Company MEMS based tile assemblies and methods of fabrication
US6293804B2 (en) * 1999-02-08 2001-09-25 Ericsson Inc. Self-aligning LCD connector assembly
US6419500B1 (en) 1999-03-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investment, Inc. Probe assembly having floatable buckling beam probes and apparatus for abrading the same
DE19912240A1 (de) * 1999-03-18 2000-09-28 Siemens Ag Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Bauelementes
US6174175B1 (en) * 1999-04-29 2001-01-16 International Business Machines Corporation High density Z-axis connector
US6376769B1 (en) 1999-05-18 2002-04-23 Amerasia International Technology, Inc. High-density electronic package, and method for making same
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
WO2000074110A2 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Nanonexus, Inc. Integrated circuit wafer probe card assembly
US7247035B2 (en) 2000-06-20 2007-07-24 Nanonexus, Inc. Enhanced stress metal spring contactor
US6812718B1 (en) 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
JP4041619B2 (ja) * 1999-05-28 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 インターコネクタの製造方法
US6717819B1 (en) * 1999-06-01 2004-04-06 Amerasia International Technology, Inc. Solderable flexible adhesive interposer as for an electronic package, and method for making same
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US7215131B1 (en) * 1999-06-07 2007-05-08 Formfactor, Inc. Segmented contactor
US6544880B1 (en) 1999-06-14 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding
US6617681B1 (en) 1999-06-28 2003-09-09 Intel Corporation Interposer and method of making same
US6434726B1 (en) 1999-06-29 2002-08-13 Lucent Technologies Inc. System and method of transmission using coplanar bond wires
US6888362B2 (en) * 2000-11-09 2005-05-03 Formfactor, Inc. Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts
US6939474B2 (en) * 1999-07-30 2005-09-06 Formfactor, Inc. Method for forming microelectronic spring structures on a substrate
US7189077B1 (en) 1999-07-30 2007-03-13 Formfactor, Inc. Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours
US6780001B2 (en) * 1999-07-30 2004-08-24 Formfactor, Inc. Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
JP2001091540A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Hitachi Ltd プローブ構造体
US6441476B1 (en) 2000-10-18 2002-08-27 Seiko Epson Corporation Flexible tape carrier with external terminals formed on interposers
JP3721893B2 (ja) 1999-10-20 2005-11-30 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、ならびに電子機器
JP2001116791A (ja) * 1999-10-20 2001-04-27 Fujitsu Ltd 電子部品試験装置及び電気接続体
US6759858B2 (en) * 1999-10-20 2004-07-06 Intel Corporation Integrated circuit test probe having ridge contact
US6437587B1 (en) * 1999-11-04 2002-08-20 Agilent Technologies, Inc. ICT test fixture for fine pitch testing
US6392428B1 (en) * 1999-11-16 2002-05-21 Eaglestone Partners I, Llc Wafer level interposer
US6802720B2 (en) * 1999-12-16 2004-10-12 Paricon Technologies Corporation Pin-array, separable, compliant electrical contact member
JP3681155B2 (ja) * 1999-12-22 2005-08-10 新光電気工業株式会社 電子部品の実装構造、電子部品装置、電子部品の実装方法及び電子部品装置の製造方法
US6848942B1 (en) 2000-01-12 2005-02-01 Molex Incorporated Connectors having supportive barrier components
US6838890B2 (en) 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6580031B2 (en) 2000-03-14 2003-06-17 Amerasia International Technology, Inc. Method for making a flexible circuit interposer having high-aspect ratio conductors
US7262611B2 (en) 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
JP3515479B2 (ja) * 2000-04-05 2004-04-05 北川工業株式会社 導電部材及びその製造方法
TW518733B (en) * 2000-04-08 2003-01-21 Advanced Semiconductor Eng Attaching method of heat sink for chip package
US6426638B1 (en) 2000-05-02 2002-07-30 Decision Track Llc Compliant probe apparatus
US6734688B1 (en) 2000-05-15 2004-05-11 Teradyne, Inc. Low compliance tester interface
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US6774315B1 (en) * 2000-05-24 2004-08-10 International Business Machines Corporation Floating interposer
US6467138B1 (en) * 2000-05-24 2002-10-22 Vermon Integrated connector backings for matrix array transducers, matrix array transducers employing such backings and methods of making the same
US6420887B1 (en) * 2000-06-13 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investment, Inc. Modulated space transformer for high density buckling beam probe and method for making the same
US6459039B1 (en) 2000-06-19 2002-10-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus to manufacture an electronic package with direct wiring pattern
US6332782B1 (en) 2000-06-19 2001-12-25 International Business Machines Corporation Spatial transformation interposer for electronic packaging
US20020064931A1 (en) * 2000-07-03 2002-05-30 E. C. Ong Method and apparatus for applying a protective over-coating to a ball-grid-array (BGA) structure
US7104804B2 (en) * 2000-07-03 2006-09-12 Advanced Interconnect Solutions Method and apparatus for memory module circuit interconnection
US6537831B1 (en) * 2000-07-31 2003-03-25 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set using a multi wafer interposer
US6812048B1 (en) 2000-07-31 2004-11-02 Eaglestone Partners I, Llc Method for manufacturing a wafer-interposer assembly
US6515499B1 (en) * 2000-09-28 2003-02-04 Teradyne, Inc. Modular semiconductor tester interface assembly for high performance coaxial connections
US6815712B1 (en) 2000-10-02 2004-11-09 Eaglestone Partners I, Llc Method for selecting components for a matched set from a wafer-interposer assembly
US6527563B2 (en) * 2000-10-04 2003-03-04 Gary A. Clayton Grid interposer
US6686657B1 (en) 2000-11-07 2004-02-03 Eaglestone Partners I, Llc Interposer for improved handling of semiconductor wafers and method of use of same
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US6524885B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-25 Eaglestone Partners I, Llc Method, apparatus and system for building an interposer onto a semiconductor wafer using laser techniques
US20020078401A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Fry Michael Andrew Test coverage analysis system
US6529022B2 (en) 2000-12-15 2003-03-04 Eaglestone Pareners I, Llc Wafer testing interposer for a conventional package
US20020076854A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Pierce John L. System, method and apparatus for constructing a semiconductor wafer-interposer using B-Stage laminates
US6515373B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-04 Infineon Technologies Ag Cu-pad/bonded/Cu-wire with self-passivating Cu-alloys
JP2002231399A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Fujitsu Ltd 半導体装置試験用コンタクタ及びその製造方法
US6673653B2 (en) * 2001-02-23 2004-01-06 Eaglestone Partners I, Llc Wafer-interposer using a ceramic substrate
US6552528B2 (en) * 2001-03-15 2003-04-22 Advantest Corporation Modular interface between a device under test and a test head
US7396236B2 (en) 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6910268B2 (en) 2001-03-27 2005-06-28 Formfactor, Inc. Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
US6627980B2 (en) 2001-04-12 2003-09-30 Formfactor, Inc. Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts
US6595784B2 (en) 2001-05-15 2003-07-22 International Business Machines Corporation Interposer member having apertures for relieving stress and increasing contact compliancy
JP4667652B2 (ja) * 2001-06-12 2011-04-13 ローム株式会社 電池パック、およびその製造方法
US6930256B1 (en) 2002-05-01 2005-08-16 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit substrate having laser-embedded conductive patterns and method therefor
US7334326B1 (en) 2001-06-19 2008-02-26 Amkor Technology, Inc. Method for making an integrated circuit substrate having embedded passive components
US6784376B1 (en) * 2001-08-16 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Solderable injection-molded integrated circuit substrate and method therefor
JP2004534957A (ja) * 2001-07-11 2004-11-18 フォームファクター，インコーポレイテッド プローブ・カードの製造方法
US6729019B2 (en) 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
US6627984B2 (en) * 2001-07-24 2003-09-30 Dense-Pac Microsystems, Inc. Chip stack with differing chip package types
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6784656B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-31 Teradyne, Inc. Hybrid conductor-board for multi-conductor routing
US6821625B2 (en) * 2001-09-27 2004-11-23 International Business Machines Corporation Thermal spreader using thermal conduits
US6908320B2 (en) * 2001-11-13 2005-06-21 International Business Machines Corporation Connector assembly for attaching perpendicularly to an adapter card
US20060006892A1 (en) * 2001-12-14 2006-01-12 Green Roy W Flexible test head internal interface
US6590278B1 (en) * 2002-01-08 2003-07-08 International Business Machines Corporation Electronic package
US20030150640A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Crippen Warren Stuart Silicon space transformer and method of manufacturing same
US7249954B2 (en) 2002-02-26 2007-07-31 Paricon Technologies Corporation Separable electrical interconnect with anisotropic conductive elastomer for translating footprint
US7021946B2 (en) * 2002-04-19 2006-04-04 Citizens Electronics Co., Ltd. Connector integrated with a LED element
US7399661B2 (en) 2002-05-01 2008-07-15 Amkor Technology, Inc. Method for making an integrated circuit substrate having embedded back-side access conductors and vias
US7548430B1 (en) 2002-05-01 2009-06-16 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric and metallization process and semiconductor package
US6930257B1 (en) * 2002-05-01 2005-08-16 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers
US7670962B2 (en) 2002-05-01 2010-03-02 Amkor Technology, Inc. Substrate having stiffener fabrication method
US9691635B1 (en) 2002-05-01 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method
US7633765B1 (en) 2004-03-23 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including a top-surface metal layer for implementing circuit features
EP1509776A4 (en) * 2002-05-23 2010-08-18 Cascade Microtech Inc TEST PROBE OF A DEVICE SUBMITTED TEST
US7412639B2 (en) * 2002-05-24 2008-08-12 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. System and method for testing circuitry on a wafer
US6813804B2 (en) * 2002-06-06 2004-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning probe card contacts
US6974330B2 (en) * 2002-08-08 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Electronic devices incorporating electrical interconnections with improved reliability and methods of fabricating same
US6846735B1 (en) 2002-09-05 2005-01-25 Bridge Semiconductor Corporation Compliant test probe with jagged contact surface
DE10242646A1 (de) * 2002-09-13 2004-03-25 Magcode Ag Elektrische Verbindungsvorrichtung
US6877992B2 (en) * 2002-11-01 2005-04-12 Airborn, Inc. Area array connector having stacked contacts for improved current carrying capacity
US6724205B1 (en) 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US7122760B2 (en) * 2002-11-25 2006-10-17 Formfactor, Inc. Using electric discharge machining to manufacture probes
US6945827B2 (en) * 2002-12-23 2005-09-20 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
JP2004206914A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Hitachi Ltd ランドグリッドアレイ方式のコネクタおよび接続構造体
US6839965B2 (en) * 2003-02-06 2005-01-11 R-Tec Corporation Method of manufacturing a resistor connector
US20040160742A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-19 Weiss Roger E. Three-dimensional electrical device packaging employing low profile elastomeric interconnection
US7057404B2 (en) * 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US20040249825A1 (en) * 2003-06-05 2004-12-09 International Business Machines Corporation Administering devices with dynamic action lists
JP2005010052A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
US6967556B2 (en) * 2003-06-30 2005-11-22 International Business Machines Corporation High power space transformer
JP2005061851A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Japan Electronic Materials Corp プローブカード用基板
US6859054B1 (en) * 2003-08-13 2005-02-22 Advantest Corp. Probe contact system using flexible printed circuit board
CN100546028C (zh) * 2003-08-18 2009-09-30 三垦电气株式会社 半导体装置
US20060258135A1 (en) * 2003-09-22 2006-11-16 Matsushita Electtric Industrial Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
GB2406722A (en) * 2003-10-02 2005-04-06 Agilent Technologies Inc High frequency electrical module
US6814589B1 (en) 2003-10-22 2004-11-09 International Business Machines Corporation Electrical connector with elastomeric element and restrainer member to offset relaxation of the elastomer
JP2005150263A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Nitto Denko Corp 両面配線回路基板
KR20050065038A (ko) * 2003-12-24 2005-06-29 삼성전기주식회사 비수직 비아가 구비된 인쇄회로기판 및 패키지
GB2425844B (en) * 2003-12-24 2007-07-11 Cascade Microtech Inc Active wafer probe
US6832917B1 (en) 2004-01-16 2004-12-21 Intercon Systems, Inc. Interposer assembly
US6945791B2 (en) * 2004-02-10 2005-09-20 International Business Machines Corporation Integrated circuit redistribution package
US7504038B2 (en) * 2004-02-26 2009-03-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method, and apparatus for mechanically releasable slider processing including lapping, air bearing patterning, and debonding
US20050190810A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Stuart Butterworth Contact-bonded optically pumped semiconductor laser structure
US7282932B2 (en) * 2004-03-02 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Compliant contact pin assembly, card system and methods thereof
JP2005259475A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Jst Mfg Co Ltd 異方導電性シート
US10811277B2 (en) 2004-03-23 2020-10-20 Amkor Technology, Inc. Encapsulated semiconductor package
US11081370B2 (en) 2004-03-23 2021-08-03 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Methods of manufacturing an encapsulated semiconductor device
CN1771471A (zh) * 2004-03-29 2006-05-10 松下电器产业株式会社 单元、封装器件及封装器件的制造方法
US7145238B1 (en) 2004-05-05 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and substrate having multi-level vias
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
DE102004027788A1 (de) * 2004-06-08 2006-01-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterbasisbauteil mit Umverdrahtungssubstrat und Zwischenverdrahtungsplatte für einen Halbleiterbauteilstapel sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7180315B2 (en) * 2004-06-28 2007-02-20 Sv Probe, Ltd. Substrate with patterned conductive layer
JP4980903B2 (ja) * 2004-07-07 2012-07-18 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 膜懸垂プローブを具えるプローブヘッド
US20060028220A1 (en) * 2004-07-21 2006-02-09 K&S Interconnect, Inc. Reinforced probes for testing semiconductor devices
US20090174423A1 (en) * 2004-07-21 2009-07-09 Klaerner Peter J Bond Reinforcement Layer for Probe Test Cards
US7105918B2 (en) * 2004-07-29 2006-09-12 Micron Technology, Inc. Interposer with flexible solder pad elements and methods of manufacturing the same
US7262368B2 (en) * 2004-08-13 2007-08-28 Tessera, Inc. Connection structures for microelectronic devices and methods for forming such structures
US7172431B2 (en) * 2004-08-27 2007-02-06 International Business Machines Corporation Electrical connector design and contact geometry and method of use thereof and methods of fabrication thereof
SG120200A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-28 Micron Technology Inc Slanted vias for electrical circuits on circuit boards and other substrates
WO2006031646A2 (en) 2004-09-13 2006-03-23 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
AU2005304141B2 (en) 2004-11-02 2010-08-26 Hid Global Gmbh Laying device, contacting device, advancing system, laying and contacting unit, production system, method for the production and a transponder unit
EP1807724A2 (en) * 2004-11-02 2007-07-18 Umech Technologies Co. Optically enhanced digital imaging system
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
US6991473B1 (en) 2004-11-30 2006-01-31 International Business Machines Corporation Electrical connector with elastomeric pad having compressor fingers each including a filler member to mitigate relaxation of the elastomer
KR100706228B1 (ko) * 2004-12-07 2007-04-11 삼성전자주식회사 반도체 대상물의 전기적 특성을 테스트하는 장치 및 방법
US7452212B2 (en) * 2004-12-16 2008-11-18 International Business Machines Corporation Metalized elastomeric electrical contacts
US7771208B2 (en) 2004-12-16 2010-08-10 International Business Machines Corporation Metalized elastomeric electrical contacts
US7404513B2 (en) * 2004-12-30 2008-07-29 Texas Instruments Incorporated Wire bonds having pressure-absorbing balls
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7928591B2 (en) * 2005-02-11 2011-04-19 Wintec Industries, Inc. Apparatus and method for predetermined component placement to a target platform
US20070187844A1 (en) 2006-02-10 2007-08-16 Wintec Industries, Inc. Electronic assembly with detachable components
US7271602B2 (en) * 2005-02-16 2007-09-18 Sv Probe Pte. Ltd. Probe card assembly and method of attaching probes to the probe card assembly
US8826531B1 (en) 2005-04-05 2014-09-09 Amkor Technology, Inc. Method for making an integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers
DE102005024133B4 (de) * 2005-05-23 2007-10-31 Msc Microcomputers Systems Components Vertriebs Gmbh Elastomerisches Verbindungsstück
US7449899B2 (en) * 2005-06-08 2008-11-11 Cascade Microtech, Inc. Probe for high frequency signals
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US20070075717A1 (en) * 2005-09-14 2007-04-05 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US20070057685A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US7877866B1 (en) 2005-10-26 2011-02-01 Second Sight Medical Products, Inc. Flexible circuit electrode array and method of manufacturing the same
US7649367B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7307348B2 (en) * 2005-12-07 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having through wire interconnects (TWI)
US7843202B2 (en) * 2005-12-21 2010-11-30 Formfactor, Inc. Apparatus for testing devices
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US20070152685A1 (en) * 2006-01-03 2007-07-05 Formfactor, Inc. A probe array structure and a method of making a probe array structure
TWI336608B (en) * 2006-01-31 2011-01-21 Sony Corp Printed circuit board assembly and method of manufacturing the same
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US7898272B2 (en) * 2006-06-08 2011-03-01 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card
JP2008021637A (ja) * 2006-06-12 2008-01-31 Fujikura Ltd ソケットとその製造方法及び半導体装置
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7443186B2 (en) * 2006-06-12 2008-10-28 Cascade Microtech, Inc. On-wafer test structures for differential signals
US8286332B2 (en) 2006-09-26 2012-10-16 Hid Global Gmbh Method and apparatus for making a radio frequency inlay
US7971339B2 (en) 2006-09-26 2011-07-05 Hid Global Gmbh Method and apparatus for making a radio frequency inlay
US7589398B1 (en) 2006-10-04 2009-09-15 Amkor Technology, Inc. Embedded metal features structure
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US20080106292A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Corad Technology, Inc. Probe card having cantilever probes
US7550857B1 (en) 2006-11-16 2009-06-23 Amkor Technology, Inc. Stacked redistribution layer (RDL) die assembly package
US8021931B2 (en) * 2006-12-11 2011-09-20 Stats Chippac, Inc. Direct via wire bonding and method of assembling the same
US7535239B1 (en) * 2006-12-14 2009-05-19 Xilinx, Inc. Probe card configured for interchangeable heads
US7750250B1 (en) 2006-12-22 2010-07-06 Amkor Technology, Inc. Blind via capture pad structure
US7752752B1 (en) 2007-01-09 2010-07-13 Amkor Technology, Inc. Method of fabricating an embedded circuit pattern
US7514948B2 (en) * 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
KR100882512B1 (ko) * 2007-04-25 2009-02-10 윌테크놀러지(주) 프로브 카드
US8832936B2 (en) * 2007-04-30 2014-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming metallized elastomeric electrical contacts
JP2009010358A (ja) * 2007-05-28 2009-01-15 Panasonic Corp 電子部品内蔵モジュール及びその製造方法
US7759951B2 (en) * 2007-05-29 2010-07-20 Touchdown Technologies, Inc. Semiconductor testing device with elastomer interposer
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US8323771B1 (en) 2007-08-15 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Straight conductor blind via capture pad structure and fabrication method
US8536665B2 (en) * 2007-08-22 2013-09-17 The Hong Kong Polytechnic University Fabrication of piezoelectric single crystalline thin layer on silicon wafer
US8057330B2 (en) * 2007-09-14 2011-11-15 Bear Archery, Inc. Adaptors for mounting arrowheads to arrow shafts
DE602007010634D1 (de) 2007-09-18 2010-12-30 Baile Na Habhann Co Galway Verfahren zur Kontaktierung eines Drahtleiters gelegt auf ein Substrat
US7888955B2 (en) 2007-09-25 2011-02-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources
US7977959B2 (en) 2007-09-27 2011-07-12 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches
CN101889338B (zh) * 2007-10-08 2012-10-24 Amst株式会社 用于晶圆测试的方法以及用于该方法的探针卡
CN101316014B (zh) * 2007-10-17 2012-02-01 番禺得意精密电子工业有限公司 电连接装置及其组装方法
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US7791361B2 (en) * 2007-12-10 2010-09-07 Touchdown Technologies, Inc. Planarizing probe card
US7755375B2 (en) * 2008-01-08 2010-07-13 Advantest Corporation Test apparatus, probe card, and test method
US8344747B2 (en) * 2008-02-01 2013-01-01 Nhk Spring Co., Ltd. Probe unit
JP2009239261A (ja) * 2008-03-07 2009-10-15 Panasonic Corp 電子ユニット、電子装置
US20090224793A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-10 Formfactor, Inc. Method And Apparatus For Designing A Custom Test System
US8122309B2 (en) * 2008-03-11 2012-02-21 Formfactor, Inc. Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
US8095841B2 (en) 2008-08-19 2012-01-10 Formfactor, Inc. Method and apparatus for testing semiconductor devices with autonomous expected value generation
US7944225B2 (en) * 2008-09-26 2011-05-17 Formfactor, Inc. Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US7982305B1 (en) * 2008-10-20 2011-07-19 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated circuit package including a three-dimensional fan-out / fan-in signal routing
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8872329B1 (en) 2009-01-09 2014-10-28 Amkor Technology, Inc. Extended landing pad substrate package structure and method
WO2010096711A2 (en) * 2009-02-19 2010-08-26 Touchdown Technologies, Inc. Probe head for a microelectronic contactor assembly, and methods of making same
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
MY155882A (en) * 2009-03-10 2015-12-15 Johnstech Int Corp Electrically conductive pins for microcircuit tester
US8222912B2 (en) * 2009-03-12 2012-07-17 Sv Probe Pte. Ltd. Probe head structure for probe test cards
US7960827B1 (en) 2009-04-09 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Thermal via heat spreader package and method
US8623753B1 (en) 2009-05-28 2014-01-07 Amkor Technology, Inc. Stackable protruding via package and method
US9355962B2 (en) * 2009-06-12 2016-05-31 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package stacking system with redistribution and method of manufacture thereof
US8222538B1 (en) 2009-06-12 2012-07-17 Amkor Technology, Inc. Stackable via package and method
US8471154B1 (en) 2009-08-06 2013-06-25 Amkor Technology, Inc. Stackable variable height via package and method
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
KR20110041179A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 한국전자통신연구원 패키지 구조
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8278752B2 (en) * 2009-12-23 2012-10-02 Intel Corporation Microelectronic package and method for a compression-based mid-level interconnect
US8536462B1 (en) 2010-01-22 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Flex circuit package and method
US8476538B2 (en) * 2010-03-08 2013-07-02 Formfactor, Inc. Wiring substrate with customization layers
US9496152B2 (en) * 2010-03-12 2016-11-15 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Carrier system with multi-tier conductive posts and method of manufacture thereof
US7928552B1 (en) * 2010-03-12 2011-04-19 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with multi-tier conductive interconnects and method of manufacture thereof
US8643394B2 (en) * 2010-04-16 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Non-reflow probe card structure
US8407888B2 (en) * 2010-05-07 2013-04-02 Oracle International Corporation Method of assembling a circuit board assembly
US8300423B1 (en) 2010-05-25 2012-10-30 Amkor Technology, Inc. Stackable treated via package and method
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8411459B2 (en) * 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US8999179B2 (en) 2010-07-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive vias in a substrate
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US8338229B1 (en) 2010-07-30 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Stackable plasma cleaned via package and method
US8717775B1 (en) 2010-08-02 2014-05-06 Amkor Technology, Inc. Fingerprint sensor package and method
US8337657B1 (en) 2010-10-27 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Mechanical tape separation package and method
US8482134B1 (en) 2010-11-01 2013-07-09 Amkor Technology, Inc. Stackable package and method
US8970240B2 (en) * 2010-11-04 2015-03-03 Cascade Microtech, Inc. Resilient electrical interposers, systems that include the interposers, and methods for using and forming the same
US9748154B1 (en) 2010-11-04 2017-08-29 Amkor Technology, Inc. Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof
US8525318B1 (en) 2010-11-10 2013-09-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US8557629B1 (en) 2010-12-03 2013-10-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having overlapped via apertures
US8535961B1 (en) 2010-12-09 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Light emitting diode (LED) package and method
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US9721872B1 (en) 2011-02-18 2017-08-01 Amkor Technology, Inc. Methods and structures for increasing the allowable die size in TMV packages
US9013011B1 (en) 2011-03-11 2015-04-21 Amkor Technology, Inc. Stacked and staggered die MEMS package and method
KR101140113B1 (ko) 2011-04-26 2012-04-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8653674B1 (en) 2011-09-15 2014-02-18 Amkor Technology, Inc. Electronic component package fabrication method and structure
US8633598B1 (en) 2011-09-20 2014-01-21 Amkor Technology, Inc. Underfill contacting stacking balls package fabrication method and structure
US9029962B1 (en) 2011-10-12 2015-05-12 Amkor Technology, Inc. Molded cavity substrate MEMS package fabrication method and structure
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
JP2013098451A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及び配線基板
US8680684B2 (en) * 2012-01-09 2014-03-25 Invensas Corporation Stackable microelectronic package structures
US20130215586A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Ibiden Co., Ltd. Wiring substrate
US9390998B2 (en) * 2012-02-17 2016-07-12 Invensas Corporation Heat spreading substrate
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9069014B2 (en) * 2012-06-30 2015-06-30 Intel Corporation Wire probe assembly and forming process for die testing
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) * 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8540136B1 (en) * 2012-09-06 2013-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same
US9443797B2 (en) 2012-09-14 2016-09-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP
US9818734B2 (en) 2012-09-14 2017-11-14 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate
US10192796B2 (en) 2012-09-14 2019-01-29 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in FO-WLCSP
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US9799592B2 (en) 2013-11-19 2017-10-24 Amkor Technology, Inc. Semicondutor device with through-silicon via-less deep wells
US10266402B2 (en) 2012-11-20 2019-04-23 Formfactor, Inc. Contactor devices with carbon nanotube probes embedded in a flexible film and processes of making such
KR101366461B1 (ko) 2012-11-20 2014-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9494618B2 (en) * 2012-12-26 2016-11-15 Translarity, Inc. Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods
CN103091622B (zh) * 2013-01-18 2015-09-30 宁波三星智能电气有限公司 Fct多工位测试装置
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
KR101488590B1 (ko) 2013-03-29 2015-01-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US9297971B2 (en) * 2013-04-26 2016-03-29 Oracle International Corporation Hybrid-integrated photonic chip package with an interposer
US9459285B2 (en) 2013-07-10 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Test probe coated with conductive elastomer for testing of backdrilled plated through holes in printed circuit board assembly
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9365947B2 (en) 2013-10-04 2016-06-14 Invensas Corporation Method for preparing low cost substrates
KR101607981B1 (ko) 2013-11-04 2016-03-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지용 인터포저 및 이의 제조 방법, 제조된 인터포저를 이용한 반도체 패키지
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US9209110B2 (en) * 2014-05-07 2015-12-08 Qualcomm Incorporated Integrated device comprising wires as vias in an encapsulation layer
TWI587412B (zh) * 2014-05-08 2017-06-11 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
JP6271463B2 (ja) * 2015-03-11 2018-01-31 東芝メモリ株式会社 半導体装置
US9893017B2 (en) 2015-04-09 2018-02-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Double-sided semiconductor package and dual-mold method of making same
US9530749B2 (en) 2015-04-28 2016-12-27 Invensas Corporation Coupling of side surface contacts to a circuit platform
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US9702906B2 (en) 2015-06-26 2017-07-11 International Business Machines Corporation Non-permanent termination structure for microprobe measurements
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
WO2017069709A1 (en) * 2015-10-23 2017-04-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Electrical-contact assemblies
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9831155B2 (en) * 2016-03-11 2017-11-28 Nanya Technology Corporation Chip package having tilted through silicon via
US10120020B2 (en) 2016-06-16 2018-11-06 Formfactor Beaverton, Inc. Probe head assemblies and probe systems for testing integrated circuit devices
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US9960328B2 (en) 2016-09-06 2018-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9922951B1 (en) 2016-11-12 2018-03-20 Sierra Circuits, Inc. Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive
WO2018089798A1 (en) * 2016-11-12 2018-05-17 Sierra Circuits, Inc. Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US10302694B2 (en) * 2016-12-27 2019-05-28 Texas Instruments Incorporated Interposer based test program evaluation
JP7101457B2 (ja) * 2017-04-13 2022-07-15 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US10600739B1 (en) * 2017-09-28 2020-03-24 Hrl Laboratories, Llc Interposer with interconnects and methods of manufacturing the same
TWI626453B (zh) * 2017-09-29 2018-06-11 中華精測科技股份有限公司 探針組件及其空間轉換介面板
US10658331B2 (en) * 2018-08-28 2020-05-19 Ferric Inc. Processor module with integrated packaged power converter
US10367415B1 (en) * 2018-08-28 2019-07-30 Ferric Inc. Processor module with integrated packaged power converter
KR102538704B1 (ko) * 2018-12-04 2023-06-01 에스케이하이닉스 주식회사 플렉시블 브리지 다이를 포함한 스택 패키지
KR102674087B1 (ko) * 2019-09-06 2024-06-12 에스케이하이닉스 주식회사 전자기간섭 차폐층을 포함하는 반도체 패키지
US11561243B2 (en) * 2019-09-12 2023-01-24 International Business Machines Corporation Compliant organic substrate assembly for rigid probes
CN111403307B (zh) * 2020-03-26 2023-09-29 环鸿电子（昆山）有限公司 集成电路测试模块及其制备方法
CN111766416B (zh) * 2020-08-14 2020-12-08 强一半导体（苏州）有限公司 一种导引板mems探针结构与转接层的对接方法
CN111968961B (zh) * 2020-08-24 2022-08-12 浙江集迈科微电子有限公司 侧壁互联板及其制作工艺
KR102466911B1 (ko) * 2020-09-28 2022-11-14 주식회사 디아이티 프레임과의 결합수단을 구비한 다층 세라믹 기판 및 그의 제조 방법
US11885830B2 (en) 2021-01-15 2024-01-30 Lumentum Operations Llc Probe tip assembly for testing optical components
JP2022139728A (ja) * 2021-03-12 2022-09-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板間接続構造および電力変換装置
US11630153B2 (en) * 2021-04-26 2023-04-18 Winbond Electronics Corp. Chip testing apparatus and system with sharing test interface
CN113655375B (zh) * 2021-09-18 2024-05-14 深圳市浦洛电子科技有限公司 在线测试烧录设备
US11929673B2 (en) 2021-10-29 2024-03-12 Ferric Inc. Two-stage voltage converters for microprocessors
US20240040748A1 (en) * 2022-07-27 2024-02-01 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Elastomer embedded multipoint contact cooling

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2449646A (en) * 1945-11-23 1948-09-21 Zenith Radio Corp Vacuum tube lock
US2961746A (en) * 1956-06-18 1960-11-29 Aladdin Ind Inc Printed circuits
US2968742A (en) * 1958-07-25 1961-01-17 Standard Coil Prod Co Inc High efficiency triode vacuum tube
US3077511A (en) * 1960-03-11 1963-02-12 Int Resistance Co Printed circuit unit
US3430338A (en) * 1964-08-11 1969-03-04 Gen Motors Corp Making a welded circuit assembly
US3403438A (en) * 1964-12-02 1968-10-01 Corning Glass Works Process for joining transistor chip to printed circuit
DE1539692A1 (de) * 1966-06-23 1969-10-16 Blume & Redecker Gmbh Umklebevorrichtung fuer Spulen
US3532944A (en) * 1966-11-04 1970-10-06 Rca Corp Semiconductor devices having soldered joints
US3577633A (en) * 1966-12-02 1971-05-04 Hitachi Ltd Method of making a semiconductor device
US3557446A (en) * 1968-12-16 1971-01-26 Western Electric Co Method of forming printed circuit board through-connections
US3541222A (en) * 1969-01-13 1970-11-17 Bunker Ramo Connector screen for interconnecting adjacent surfaces of laminar circuits and method of making
US3623127A (en) * 1969-11-03 1971-11-23 Ashley C Glenn Electrical printed circuit switching device
DE2119567C2 (de) * 1970-05-05 1983-07-14 International Computers Ltd., London Elektrische Verbindungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3778887A (en) * 1970-12-23 1973-12-18 Hitachi Ltd Electronic devices and method for manufacturing the same
US3889363A (en) * 1971-02-16 1975-06-17 Richard P Davis Method of making printed circuit boards
GB1387587A (en) * 1971-07-22 1975-03-19 Plessey Co Ltd Electrical interconnectors and connector assemblies
US3832632A (en) * 1971-11-22 1974-08-27 F Ardezzone Multi-point probe head assembly
CA954635A (en) * 1972-06-06 1974-09-10 Microsystems International Limited Mounting leads and method of fabrication
US3806801A (en) * 1972-12-26 1974-04-23 Ibm Probe contactor having buckling beam probes
US3911361A (en) * 1974-06-28 1975-10-07 Ibm Coaxial array space transformer
US3842189A (en) * 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
DE2315711B2 (de) * 1973-03-29 1980-07-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung
US3952404A (en) * 1973-07-30 1976-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Beam lead formation method
NL158033B (nl) * 1974-02-27 1978-09-15 Amp Inc Verbetering van een elektrisch verbindingsorgaan voor het losneembaar verbinden van twee vaste contactdragers en werkwijze voor het vervaardigen van zulk een elektrisch verbindingsorgaan.
US4008300A (en) * 1974-10-15 1977-02-15 A & P Products Incorporated Multi-conductor element and method of making same
US4038599A (en) * 1974-12-30 1977-07-26 International Business Machines Corporation High density wafer contacting and test system
US3963986A (en) * 1975-02-10 1976-06-15 International Business Machines Corporation Programmable interface contactor structure
US4003621A (en) * 1975-06-16 1977-01-18 Technical Wire Products, Inc. Electrical connector employing conductive rectilinear elements
GB1574699A (en) * 1975-10-10 1980-09-10 Luc Technologies Ltd Conductive connections
US4400234A (en) * 1975-11-13 1983-08-23 Tektronix, Inc. Method of manufacturing electrical connector
DE2608250C3 (de) * 1976-02-28 1985-06-05 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JPS583343B2 (ja) * 1976-06-14 1983-01-20 信越ポリマ−株式会社 インタ−コネクタ−
US4085502A (en) * 1977-04-12 1978-04-25 Advanced Circuit Technology, Inc. Jumper cable
US4027935A (en) * 1976-06-21 1977-06-07 International Business Machines Corporation Contact for an electrical contactor assembly
US4196444A (en) * 1976-12-03 1980-04-01 Texas Instruments Deutschland Gmbh Encapsulated power semiconductor device with single piece heat sink mounting plate
US4067104A (en) * 1977-02-24 1978-01-10 Rockwell International Corporation Method of fabricating an array of flexible metallic interconnects for coupling microelectronics components
NO148869C (no) * 1977-09-24 1983-12-28 Amp Inc Fremgangsmaate for fremstilling av et kontaktstykke
US4183033A (en) * 1978-03-13 1980-01-08 National Research Development Corporation Field effect transistors
FR2422270A1 (fr) * 1978-04-05 1979-11-02 Marechal Sepm Nouveau dispositif de connexion a pression en bout
US4218701A (en) * 1978-07-24 1980-08-19 Citizen Watch Co., Ltd. Package for an integrated circuit having a container with support bars
US4329780A (en) * 1978-09-28 1982-05-18 Dayco Corporation Method of making a reinforced wear-resistant liner
JPS5555985U (ja) * 1978-10-12 1980-04-16
US4221047A (en) * 1979-03-23 1980-09-09 International Business Machines Corporation Multilayered glass-ceramic substrate for mounting of semiconductor device
JPS6038809B2 (ja) * 1979-11-20 1985-09-03 信越ポリマ−株式会社 異方導電性を有するエラスチツク構造体の製造方法
SU1003396A1 (ru) * 1980-02-08 1983-03-07 Институт коллоидной химии и химии воды АН УССР Электрический соединитель
JPS56116282A (en) * 1980-02-19 1981-09-11 Sharp Kk Electronic part with plural terminals
US4523144A (en) * 1980-05-27 1985-06-11 Japan Electronic Materials Corp. Complex probe card for testing a semiconductor wafer
US4354718A (en) * 1980-08-18 1982-10-19 Amp Incorporated Dual-in-line package carrier and socket assembly
JPS5740874A (en) * 1980-08-22 1982-03-06 Shinetsu Polymer Co Pressure contact holding type connector
FR2495846A1 (fr) * 1980-12-05 1982-06-11 Cii Honeywell Bull Dispositif de connexion electrique a haute densite de contacts
JPS57147260A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Matsushita Electronics Corp Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor
JPS5943091B2 (ja) * 1981-06-03 1984-10-19 義栄 長谷川 固定プロ−ブ・ボ−ド
US4465972A (en) * 1982-04-05 1984-08-14 Allied Corporation Connection arrangement for printed circuit board testing apparatus
JPS59138339A (ja) * 1983-01-28 1984-08-08 Toshiba Corp 半導体装置
US4567432A (en) * 1983-06-09 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for testing integrated circuits
US4553192A (en) * 1983-08-25 1985-11-12 International Business Machines Corporation High density planar interconnected integrated circuit package
US4751199A (en) * 1983-12-06 1988-06-14 Fairchild Semiconductor Corporation Process of forming a compliant lead frame for array-type semiconductor packages
US4548451A (en) * 1984-04-27 1985-10-22 International Business Machines Corporation Pinless connector interposer and method for making the same
US4577918A (en) * 1984-05-01 1986-03-25 International Business Machines Corporation Copper and dual durometer rubber multiple connector
US4575166A (en) * 1984-05-01 1986-03-11 International Business Machines Corp. Circuitry on mylar and dual durometer rubber multiple connector
US4555523A (en) * 1984-06-04 1985-11-26 E. R. Squibb & Sons, Inc. 7-Oxabicycloheptane substituted thio prostaglandin analogs and their use in the treatment of thrombolytic disease
US4622514A (en) * 1984-06-15 1986-11-11 Ibm Multiple mode buckling beam probe assembly
US4585727A (en) * 1984-07-27 1986-04-29 Probe-Tronics, Inc. Fixed point method and apparatus for probing semiconductor devices
US4616406A (en) * 1984-09-27 1986-10-14 Advanced Micro Devices, Inc. Process of making a semiconductor device having parallel leads directly connected perpendicular to integrated circuit layers therein
US4663742A (en) * 1984-10-30 1987-05-05 International Business Machines Corporation Directory memory system having simultaneous write, compare and bypass capabilites
US4820170A (en) * 1984-12-20 1989-04-11 Amp Incorporated Layered elastomeric connector and process for its manufacture
US4757256A (en) * 1985-05-10 1988-07-12 Micro-Probe, Inc. High density probe card
US4778950A (en) * 1985-07-22 1988-10-18 Digital Equipment Corporation Anisotropic elastomeric interconnecting system
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US4793814A (en) * 1986-07-21 1988-12-27 Rogers Corporation Electrical circuit board interconnect
FR2594603B1 (fr) * 1986-02-14 1988-10-14 Radiotechnique Compelec Connecteur pour bus informatique
US4712721A (en) * 1986-03-17 1987-12-15 Raychem Corp. Solder delivery systems
US4783624A (en) * 1986-04-14 1988-11-08 Interconnect Devices, Inc. Contact probe devices and method
US4816754A (en) * 1986-04-29 1989-03-28 International Business Machines Corporation Contactor and probe assembly for electrical test apparatus
US4738625A (en) * 1986-09-29 1988-04-19 Bell Telephone Laboratories, Inc. Electrical connectors for circuit panels
JPS63131560A (ja) * 1986-11-17 1988-06-03 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション チップ接続構造体
US4764848A (en) * 1986-11-24 1988-08-16 International Business Machines Corporation Surface mounted array strain relief device
US4955523A (en) * 1986-12-17 1990-09-11 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
JPH07107954B2 (ja) * 1986-12-19 1995-11-15 富士通株式会社 半導体装置
US5086337A (en) * 1987-01-19 1992-02-04 Hitachi, Ltd. Connecting structure of electronic part and electronic device using the structure
US4788767A (en) * 1987-03-11 1988-12-06 International Business Machines Corporation Method for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate
US4768252A (en) * 1987-03-23 1988-09-06 Ross Anthony J Fitted sheet
US4811296A (en) * 1987-05-15 1989-03-07 Analog Devices, Inc. Multi-port register file with flow-through of data
US5054192A (en) * 1987-05-21 1991-10-08 Cray Computer Corporation Lead bonding of chips to circuit boards and circuit boards to circuit boards
US5195237A (en) * 1987-05-21 1993-03-23 Cray Computer Corporation Flying leads for integrated circuits
US4820376A (en) * 1987-11-05 1989-04-11 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Fabrication of CPI layers
US4832609A (en) * 1987-11-27 1989-05-23 Eastman Kodak Company Solderless circuit connection for bowed circuit board
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US4991290A (en) * 1988-07-21 1991-02-12 Microelectronics And Computer Technology Flexible electrical interconnect and method of making
US4937653A (en) * 1988-07-21 1990-06-26 American Telephone And Telegraph Company Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme
US4871316A (en) * 1988-10-17 1989-10-03 Microelectronics And Computer Technology Corporation Printed wire connector
US4875614A (en) * 1988-10-31 1989-10-24 International Business Machines Corporation Alignment device
DE3838413A1 (de) * 1988-11-12 1990-05-17 Mania Gmbh Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl.
JPH02290564A (ja) * 1989-02-08 1990-11-30 Tokyo Electron Ltd プローブヘッドおよびその製造方法
US4948379A (en) * 1989-03-17 1990-08-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Separable, surface-mating electrical connector and assembly
US4998885A (en) * 1989-10-27 1991-03-12 International Business Machines Corporation Elastomeric area array interposer
US5049084A (en) * 1989-12-05 1991-09-17 Rogers Corporation Electrical circuit board interconnect
US5099309A (en) * 1990-04-30 1992-03-24 International Business Machines Corporation Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment
US5070297A (en) * 1990-06-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Full wafer integrated circuit testing device
US5008776A (en) * 1990-06-06 1991-04-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Zero power IC module
US5089877A (en) * 1990-06-06 1992-02-18 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Zero power ic module
FR2666173A1 (fr) * 1990-08-21 1992-02-28 Thomson Csf Structure hybride d'interconnexion de circuits integres et procede de fabrication.
US5019673A (en) * 1990-08-22 1991-05-28 Motorola, Inc. Flip-chip package for integrated circuits
US5175496A (en) * 1990-08-31 1992-12-29 Cray Research, Inc. Dual contact beam assembly for an IC test fixture
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
US5037312A (en) * 1990-11-15 1991-08-06 Amp Incorporated Conductive gel area array connector
US5132613A (en) * 1990-11-30 1992-07-21 International Business Machines Corporation Low inductance side mount decoupling test structure
US5061192A (en) * 1990-12-17 1991-10-29 International Business Machines Corporation High density connector
US5097100A (en) * 1991-01-25 1992-03-17 Sundstrand Data Control, Inc. Noble metal plated wire and terminal assembly, and method of making the same
US5106308A (en) * 1991-03-04 1992-04-21 Allied-Signal Inc. Planar contact grid array connector
US5258236A (en) * 1991-05-03 1993-11-02 Ibm Corporation Multi-layer thin film structure and parallel processing method for fabricating same
US5173055A (en) * 1991-08-08 1992-12-22 Amp Incorporated Area array connector
US5371654A (en) * 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US6336269B1 (en) * 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5772451A (en) * 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
AU4283996A (en) * 1994-11-15 1996-06-19 Formfactor, Inc. Electrical contact structures from flexible wire

Also Published As

Publication number Publication date
US7538565B1 (en) 2009-05-26
DE69322832D1 (de) 1999-02-11
EP0593966A1 (en) 1994-04-27
US5821763A (en) 1998-10-13
US5531022A (en) 1996-07-02
US20080121879A1 (en) 2008-05-29
US20090128176A1 (en) 2009-05-21
US5635846A (en) 1997-06-03
JPH06204399A (ja) 1994-07-22
US20020014004A1 (en) 2002-02-07
US6334247B1 (en) 2002-01-01
US20080106291A1 (en) 2008-05-08
US20070271781A9 (en) 2007-11-29
EP0593966B1 (en) 1998-12-30
US6300780B1 (en) 2001-10-09
DE69322832T2 (de) 1999-08-05
US5371654A (en) 1994-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2514305B2 (ja) ３次元電子パッケ―ジ装置及びその製造方法
CA1257402A (en) Multiple chip interconnection system and package
US7125798B2 (en) Circuit device and manufacturing method of circuit device
US7535109B2 (en) Die assembly having electrical interconnect
US6012224A (en) Method of forming compliant microelectronic mounting device
KR101602958B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 배선 기판
EP0987760B1 (en) Multichip-module fabrication process
US6117707A (en) Methods of producing integrated circuit devices
US7091606B2 (en) Circuit device and manufacturing method of circuit device and semiconductor module
US20030199121A1 (en) Wafer scale thin film package
WO1994007267A1 (en) Methods and apparatus for producing integrated circuit devices
JPH05211281A (ja) 段状電子装置パッケージ
WO1993023873A1 (en) Non-conductive end layer for integrated stack of ic chips
JPH077134A (ja) 集積回路モジュール
WO2005101492A2 (en) Stacked die bga or lga component assembly
JP3844467B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US6794762B2 (en) Electronic component and fabrication method thereof
US6967124B1 (en) Imprinted integrated circuit substrate and method for imprinting an integrated circuit substrate
JP3691335B2 (ja) 回路装置の製造方法
JP3639495B2 (ja) 回路装置の製造方法
JP4711483B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2003105213A2 (en) Method of manufacturing an electronic device
JPH0391953A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees