JPH05211281A - 段状電子装置パッケージ - Google Patents

段状電子装置パッケージ

Info

Publication number
JPH05211281A
JPH05211281A JP4189242A JP18924292A JPH05211281A JP H05211281 A JPH05211281 A JP H05211281A JP 4189242 A JP4189242 A JP 4189242A JP 18924292 A JP18924292 A JP 18924292A JP H05211281 A JPH05211281 A JP H05211281A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
substrate
chip
contact
contact position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4189242A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0754845B2 (ja
Inventor
Paul William Coteus
ポール・ウイリアム・コテウス
Paul A Moskowitz
ポール・アンドリュー・モスコウイッツ
Philip Murphy
フィリップ・マフィー
Mark B Ritter
マーク・ビー・リッター
George F Walker
ジョージ・フレデリック・ウォーカー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH05211281A publication Critical patent/JPH05211281A/ja
Publication of JPH0754845B2 publication Critical patent/JPH0754845B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/366Assembling printed circuits with other printed circuits substantially perpendicularly to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H01L2224/48147Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06506Wire or wire-like electrical connections between devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06562Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06579TAB carriers; beam leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H01L2225/06586Housing with external bump or bump-like connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06589Thermal management, e.g. cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01031Gallium [Ga]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20753Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20754Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20755Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20756Diameter ranges larger or equal to 60 microns less than 70 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20757Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0302Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0314Elastomeric connector or conductor, e.g. rubber with metallic filler
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10439Position of a single component
    • H05K2201/10484Obliquely mounted
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3442Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度に積層可能で、各電子装置と電気的相
互接続が確保でき、放熱効果に優れた電子装置パッケー
ジを提供すること。 【構成】 積層状に配置した複数の電子装置40を有
し、電子装置の一端に近接した接点位置24を有する各
電子装置は下層の電子装置の接点位置を露出させるよう
に段状形態とし、この構成の段状域は基板上の接点位置
46の配列に対向して配置され、基板と電気的に接続す
る電子装置パッケージである。 【効果】 多数の電子装置を密集状態でパッケージする
ことが可能となり、またこの段状構造は他の放熱手段5
0と組み合わせ、電子装置内部に発生する熱を容易に放
出することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子装置パッケージ構造
に関する。その電子装置パッケージでは、少なくとも1
個の電子装置、例えば半導体チップを電子装置の一端に
沿ったパッドを介して基板に電気的に接続され、電子装
置は基板上のパッドに隣接して配列し、基板より斜方に
突出させたものである。詳細には、本発明は積層状に配
置した複数の電子装置を有し、電子装置の一端に近接し
た接点位置を有する各電子装置の一部分を下層の電子装
置の境界面とずらし、下層の電子装置の接点位置を露出
させて段状域を形成し、この構成の段状域は基板上の接
点位置の配列に対向して配置され、基板と電気的に接続
する電子装置パッケージ基板に関する。
【0002】
【従来の技術】電子計算機のコストを低下させ、かつ性
能を向上させるために、可能な限り狭い範囲に多くの電
子回路を配置させ、回路間を移動する信号の距離を減少
させるようにすることが望ましい。これは、所定の製造
技術によって達成できる多くの電子回路のように半導体
チップの所定域に製造することによって達成可能であ
る。通常、こうした密集チップは基板の表面に、各チッ
プ間の電気的相互接続用に導電体を介在させるように空
間を残して側面を接するように並べた配置としている。
チップの接点位置は基板の接点位置と、その両者に接合
した導線によって電気的に接続することができる。ある
いは、TABテープ(複数の導電体を設けたフレキシブ
ルな非導電層)をこの電気接続に使用することもでき
る。または、半導体チップをフリップチップ構造物に載
置することも可能であり、これは半導体チップの接点位
置配列が基板の接点位置配列と直線的に並び、対応する
チップと基板接点位置間に設けたハンダの盛り上がりに
よって電気的に接続されたものである。電子装置の側面
を縦に並べたこの配列は、達成し得る最も高密度な構成
ではない。
【0003】半導体チップ用の、特にDRAMS, SRAMS, Fl
ash Eprom のような記憶チップ用の最も密なパッケージ
構成は、半導体チップの固形立方体の製造を通じて得る
ことができる。こうした立方体の解決が困難な問題は、
チップに対する電気的接続を得ることである。この電気
的接続は電源、データライン、アドレスライン等を含ま
ねばならない。
【0004】従来技術によれば、積層状態にした半導体
チップやウェーハの密集パッケージを作ることが可能で
あることを示している。主たる問題はチップ間の電気的
接続であり、放熱の問題を解決することである。チップ
は通常、直方体あるいは立方体構造に積層する。
【0005】ここで用いられるように、直方体あるいは
立方体パッケージとは、正方形あるいは矩形チップを直
接他のチップの上に積み重ね、隣接するチップの端部を
直線的に並べたパッケージである。
【0006】この電気的接続は一般に次の三つの方法に
よって行なわれる。(1)相互接続を容易にするため半
導体構造物を介してバイアスを作る。(2)チップの端
部に金属被覆をして、その金属被覆した端部を積層の側
面に位置させる。(3)チップの端部を通して電気接続
をおこなうキャリヤにチップを結合させる。このキャリ
ヤはまた直方体あるいは立方体構造に積層される。
【0007】一般的に、熱放散の問題は真剣に検討され
ておらず、一般的には外界に対する構造という観点で処
理されている。
【0008】IBM TDB(技術報告書)、第14(9)、
2561(1972)、「バブルドメイン3次元磁気−光学メモ
リ」H. Chang著、にはチップの非直交積層についての記
載があり、チップの面をずらして各チップ上のパッドの
一列にレーザが入ることを可能にしてある。電気接点、
電源の入出力、ボード設置、冷却等の計画は提示されて
いない。
【0009】米国特許第4,500,905 号「傾斜面のある積
層半導体装置」には非直交パッケージに関する記載が
あり、そこには他の半導体層上に半導体層を設け、端部
を金属被覆し、接点を積層半導体から成る固体の表面に
設けたものである。しかし、その固体の面は傾斜してお
り、平行六面体形状というよりピラミッド状に積層を作
っている。さらに半導体をそのピラミッド構造の四面に
設けたものである。冷却手段は何ら講じられていない。
ボードあるいは高レベルパッケージに対する電気的接続
の手段もない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
装置における諸問題に鑑み、本発明は少なくとも1つの
電子装置が少なくとも1つの接点位置を有する少なくと
も1つの端部を持つ電子装置構造を提供することを目的
とする。接点位置を有する電子装置の端部は、少なくと
も1つの接点位置を有する基板に対向して設ける。この
電子装置は基板に非直交に対する。
【0011】また、本発明による他の目的は、積層状の
複数の電子装置を有する非直交な電子装置パッケージを
提供することであり、各電子装置は少なくとも1つの接
点位置を有する端部を持つ。接点位置を上に有する端部
は段状あるいは階段状に配置させる。
【0012】さらに、本発明による別の目的は、チップ
積層物の段状域が複数の接点位置を有する基板に対向し
て設け、チップ積層物の段状域の対応する接点位置と電
気的な接続が得られるようにする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による構造は、少
なくとも1つの接点位置を有する電子装置であり、その
電子装置は少なくとも1つの接点位置を有する基板に対
向して配置させ、また、その電子装置はその基板に非直
交に対し、その電子装置上の少なくとも1つの接点位置
は基板上の少なくとも1つの接点位置に電気的に接続さ
せたことを最も一般的な特徴とする。
【0014】本発明の他の特徴によれば、複数の電子装
置を積層状に配置し、各電子装置は少なくとも1つの接
点位置を有する端部を持ち、複数の電子装置は少なくと
もその積層物の一面にそった段状面を形成することによ
って各チップ端上の接点位置を露出する構成とする。
【0015】さらに、本発明の電子装置積層物は複数の
接点位置を有する基板に対向して配置され、少なくとも
1つの接点位置と電気的に接続した基板接点位置が存在
することを特徴とする。
【0016】さらにまた、本発明の他の特徴は、チップ
接点位置と基板接点位置間に設けた弾性体を有する導電
体を介してチップ接点位置と基板接点位置間の電気的相
互接続にある。
【0017】また、本発明の他の特徴は、電子装置積層
物が放熱手段に熱的な接続を行なうために少なくとも1
つの他の段状表面を有することである。
【0018】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す側面図であ
る。同図において、基板2は1個以上の接点位置4をそ
の上に有している。電子装置6は主表面5の上に1個以
上の接点位置8を有し、主表面5に沿って端部10を有
する。さらに、電子装置6は反対面7を有する。電子装
置6は基板2に角度12で対している。この角度12は
非直交、すなわち90度ではない。電子装置6の接点位
置8は電気的相互接続手段13によって基板接点位置4
に電気的に接続している。電気的相互接続手段13は後
述するように金属被覆した弾性体、あるいはハンダによ
る接続、導線板アレイのパターンを設けた導電性エポキ
シ、液体金属、バネを組み込んだもの、あるいはバネ接
点、たとえばファズボタン(fuzz butto
n)、または他の電気的相互接続手段によるものが可能
である。
【0019】図2は複数の電子装置14、16、18、
20で、他の上面に積みあげた状態を示す。電子装置1
6、18、20は互いに密接して設置してある。電子装
置をどのように積層するか示すために、電子装置14は
電子装置16から離した状態で示してある。図2は4個
の電子装置を積層状態にして示してある。この図2の構
造は4個に限定されず、任意の数の電子装置が積層可能
である。また、この電子装置は導電性部材を内部に有し
た絶縁材料のように任意のタイプの電子装置でよく、例
えばプリント回路基板や金属被覆をしたセラミック等で
ある。あるいは、半導体チップ、例えば、シリコンチッ
プやガリウム砒素チップ等が可能である。各電子装置は
隣接する電子装置上に各電子装置の端部を隣接する装置
の端部より距離22だけセットバックさせて積層状態を
作る。このセットバックは全て均等であることが望まし
い。また各電子装置は1個以上の接点位置24、望まし
くは端部周辺26に沿って複数の接点位置を有する。上
記セットバック22はこの接点位置24を露出させるこ
とになる。望ましい実施例では、積層の最上部電子装置
14は構造的には他と同じで電気的機能が無いダミーで
あることが望ましいが、これは必要というわけではな
い。各電子装置のセットバック22が均等であれば、こ
の構造は傾斜角28を有する積層となる。こうして得ら
れた積層チップ構造30は電子装置接点位置を露出させ
るようにした階段状端部32を有する。また、電子装置
が均一な寸法であれば、別途にチップ接点位置を設ける
ことが可能となる対応の段状面34が形成できる。図2
の構造は各電子装置を隣接する装置に対して同一方向3
6に後退させたものを示している。各電子装置、たとえ
ば16と18の間はエポキシ樹脂のような接着剤を用い
て積層構造30を維持するのが望ましい。図2では接着
剤層は示していない。あるいは、積層構造30の電子装
置は何らかの締め具によって機械的に保持することも可
能である。また、その間にスペーサを設置することもで
きる。
【0020】図4は積層状の9個の電子装置40を有す
る電子装置積層構造30を示している。露出した電子装
置接点位置を有する電子装置積層構造30の端部32は
基板44の表面42に隣接して設けられている。その表
面42は複数の接点位置46を有する。この接点位置4
6は、電子装置40の接点位置24と手段48によって
電気的に相互接続している。手段48は電子装置40の
接点位置24と対応する基板接点位置46に間に設けた
複数のハンダの盛り上がりを利用することが可能であ
る。ハンダの盛り上がりを利用する点は、米国特許第3,
401,126 号および第3,429,640 号(Miller)に記載の
「破壊制御したチップ接続方法」があり、この内容はこ
の明細書において参照されたい。電子装置積層構造30
の段状端部32と反対面の段状端部34は、放熱手段5
0の段状溝36内に設置する。電子装置積層構造30の
段状面34は、積層角28がゼロとなる直角に電子装置
を積層した場合に比べて表面積が拡大する。この拡大し
た表面積を有する段状面34は、熱を電子装置40を介
して放熱手段50に伝えることを可能とする。放熱手段
50は突起したフィン52を有するアルミニウム鋳造の
熱シンク、あるいはアルミニウムシートを折り畳んだ熱
シンク、または他の適切な熱シンクによって構成され
る。
【0021】図5は図4の破線円54を示す拡大図であ
る。電子装置40’は隣接する他の電子装置40”との
間に接着層60を介在させて設ける。電子装置40”の
表面上に、その接着層60に対向して絶縁層62を設
け、電子装置40”の表面64の導電体に対する電気絶
縁とする。同様に、電子装置40’の表面64’に絶縁
層62’を設けることが可能である。図4の破線円54
の部分では電子装置40’が積層構造の端にあるので、
この電子装置40’はダミーとすることができる。電気
的相互接続手段48’は電子装置接点パッド24’と基
板接点パッド46’を電気的に相互接続する。
【0022】図3は図5の電気的相互接続手段48’の
望ましい実施例を示している。この電気的相互接続手段
48は円筒状の弾性体である。好ましい弾性体はシリコ
ンベースのエラストマのようなポリマ材料である。弾性
体48の周囲には複数の金属皮膜パターン70を設け、
外周面72上に円筒状の環あるいは帯を形成する。金属
皮膜の帯は金めっきをした銅あるいはNi/Auメッキ
をした銅、または銀と銅あるいは他の酸化されにくい合
金等で形成する。この金属皮膜の帯の間隔は図2に示し
た電子装置接点パッドの間隔25に対応する。図3の金
属皮膜を設けた弾性体(MOE)74の径は、望ましく
は図2に示した電子装置厚27あるいは図2に示したセ
ットバック22の約0.75倍である。
【0023】図5において、弾性体48’は基板接点位
置46’および電子装置接点位置24’および電子装置
40’の表面76に向けて押される。弾性体48’は、
面76と隣接する電子装置のパッド24’によって形成
される図4の段状面32のノッチに納められる。面76
は二酸化珪素層のような絶縁層によって形成するか、電
子装置40’の面78に他の絶縁コーティングしたもの
が望ましい。圧力はこの金属皮膜の帯70を基板接点位
置46’と電子装置接点位置24’の間に押し付け、両
者の良好な電気的相互接続を維持する。帯70’とパッ
ド24’の良好な圧力接続を得るには、パッド24’の
表面が酸化物ではないことが望ましい。望ましい物質は
金、パラジウム、プラチナ、ニッケル、Ni/Cu、あ
るいは容易に酸化されにくい合金等である。
【0024】圧力は図4のボルト82またはプラスチッ
クピボット、あるいはスプリング内蔵のカラム等の、熱
シンク50と基板44を物理的に連結する手段により基
板44の方向に熱シンク50を押圧することによって得
る。図5は電子装置積層構造30の段状端部34に沿っ
て熱シンクのみ示しているが、熱シンク50は電子装置
40’の露出面である面86および電子装置40^^^ の
露出面88と物理的に接する形にすることも可能であ
る。また、熱シンクは、露出したチップ端によって形成
したチップ積層物の二つの非段状側面に接するようにす
ることも可能である。この二つの非段状側面は図2の9
0、92として示されている。
【0025】図6は非直交に組み合わされた基板の積層
構造の他の実施例を示す。同図において、基板102、
104、106はX軸、Y軸の両方向にずらして積み重
ねてある。このずらし方向は互いに交差しなくてはなら
ないというものではない。X方向のセットバックは10
8で、Y方向のセットバックは110である。こうして
得られた構造は4つの段状側面112、114、11
6、118を有する。この二方向のセットバックは、電
子装置内の回路で発生した熱の放出用に広い面積を作り
出す。図6の構造では、電子装置接点位置24を一方向
の段状端部にのみ有する。もちろん、接点位置を一方向
以上の段状端部に設けることも可能である。図6の構造
を図4の基板に積載することも可能であり、その場合に
は図6の構造物の段状側面112を図4の基板44の面
42に対向して設ける。図6の積層構造物を放熱手段の
空洞部に挿入することも可能であり、その場合は最大放
熱用に空洞部が三方の段状側面114、116、118
および平坦な二面120、122を受け入れる形状であ
る。放熱手段に接する図6あるいは図2の電子装置積層
構造物の表面は、通常使用されている伝熱グリースある
いは伝熱性ポリマを塗布して積層構造物と放熱手段間の
熱伝達を向上させるようにすることも可能である。
【0026】単純で経済的な方法でチップアセンブリの
密集構造を可能とする図4の電子装置積層構造30の製
造について、以下に説明する。ここで説明する密集段状
パッケージを製造する際の第1の問題は、チップ表面間
の固定した望ましい間隔でチップをパッケージに組み立
てることである。この問題は、ステップメモリ構造物の
接点列を基板44の接点46の固定グリッドに接続可能
となるように、チップ表面間の距離を一定に保つことが
望ましいという点に原因している。電子装置14、1
6、18、20の端部に沿った接点位置24の間隔は写
真平版によって決められ、一定にされるが、電子装置の
厚みは均一ではない。電子装置端部に対する接点位置の
固定値についての不規則な変化は、ぎざぎざな位置とな
るが、許容できる。現行の技術を用いて、これらはプラ
ス、マイナス25μm内に維持可能である。しかし、装
置の厚みにおける累積誤差は、基板接点位置の配置と電
子装置の接点位置の配置の接合を不可能とすることがあ
る。
【0027】組み立てと間隔の問題は、図7に輪郭を示
した組み立て工具を用いて解決される。この道具は最大
チップ厚さよりわずかに大きい固定高さの段130を有
する固定具140を有する形状である。例えば伝熱性エ
ポキシ接着剤134を前に設けた電子装置に塗布したの
ち、電子装置132を各段136に設置し、保持する。
図7には4個の電子装置が示されているが、必要により
その数量は変更できる。図には示されていないが、背面
が図7の面に対し直角方向のチップ端部の並びを整え
る。電子装置132は138の方向に前後移動可能な可
動段136によって移動する。図7に概略示した組み立
て工程の流れは以下の通りである。
【0028】・工程1:固定具の最下段に第1電子装置
を載せる。これが第1電子装置の位置を決める。 ・工程2:第1電子装置の上面に所定量の接着剤を塗
る。 ・工程3:固定具140で第2電子装置の位置を決める
ために、対応の可動段136を移動させる。この可動段
136は接着剤や他の電子装置を載せる際に電子装置の
他端を支持する役目をする。 ・工程4:この固定具に電子装置を載せる。電子装置を
固定具の対応する段で、前の電子装置がない位置に載せ
ることに注意。 ・工程5:次の電子装置を載せるために工程2へもど
る。
【0029】図8は図5と同様な概略断面図で、電子装
置240における電子装置接点パッド224を電気的に
相互接続する他の手段を示す。導線250を基板側一端
部252と電子装置接点パッド224間の結合に使う。
この導線は例えば、0.001ないし0.003インチ
径(0.00254ないし0.00762センチ径)の
金、アルミニウム、銅を用いることができる。端部25
2と接点位置224間の結合はワイヤボンドを使用でき
る。当業界で通常使われている平坦化したボールボンド
あるいはくさびボンドなどが可能である。導線は電子装
置面254に合わせて、結合が完了した時に載る部分で
方向を変えるようにして角度をつける。導線250の端
部256は所定位置で切断する。この端部256も曲げ
たり、レーザ光線によりボール形状にしたり、あるいは
直線のままにしておくことも可能である。端部は基板接
点位置246に接する所定のグリッド配列に合わせて適
宜操作することもできる。その配列は更に、導線端を固
定せずに例えばシリコンのような弾性材料でカプセル化
する。導線のカプセル化としては、二種の望ましい方法
がある。第1の方法は配列を固定してボールがその部分
の上面で平面を形成するようにし、さらに所定量の液体
カプセル剤を導線部分に導入する。導線間の空間は毛細
管現象によって満たされ、ボールの基部で停止する。そ
して、カプセル液は温度を上昇させて硬化させる。第2
の方法は、水溶性固体、たとえば砂糖などの液体形態内
に導線端を浸し、次に乾燥させて水溶性固体に内包させ
る。次に、液体エラストマを加圧して充填空間に入れ、
硬化させる。水溶性固体を溶かし出して、導線の端部を
露出させる。このアセンブリを基板に押しつけるか、前
述のようにハンダによる接着で基板244上の基板電気
的相互接続246に結合させることができる。
【0030】図9は図2に示したチップの段状積層構造
の他の実施例を示す。この積層構造は、複数の基板接点
位置262を有する基板260上に設ける。電子装置積
層構造34の側面264は基板260の表面266上に
設ける。基板260はプリント配線ボードや金属メッキ
をしたセラミック基板のような適切な電子装置パッケー
ジ用基板が可能である。多くの構成で導線268を電子
装置接点位置262間の結合に使用される。典型的な構
成を図9に示す。導線268は電子装置と基板接点位置
を、ハンダの熱圧結合や超音波結合のような任意の結合
手段によって結合させる。電気的な試験や必要な修理の
後には、この構成をシリコンやエポキシのようなポリマ
でカプセル化することができる。
【0031】上記したように、本発明は接点位置を有す
る端部を持つ電子装置で、その接点位置は基板上の接点
位置に隣接して設けられ、互いに電気的に接続され、電
子装置は基板に対して非直角に配置されたものである。
望ましい実施例では、この構造物は電子装置を積層と
し、複数の電子装置接点位置を設けた少なくとも一方の
端部に沿って段状にしており、その電子装置接点位置は
基板上の接点位置配列に向けて設置され、電子装置接点
位置を対応の基板接点位置に電気的に相互接続するため
の手段、望ましくは金属皮膜の帯を有する円筒状の弾性
体を介在させたものである。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による電子
装置パッケージは複数の接点配列を有する半導体チップ
などの電子装置を各装置の接点配列が露出するように段
状に積層する構造としたので、多数の電子装置を密集状
態でパッケージすることが可能となり、またこの段状構
造は他の放熱手段と組み合わせ、電子装置内部に発生す
る熱を容易に放出することができる等の効果も有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す概略側面図であり、1
個の電子装置が基板に対して非直交状態に構成されてお
り、電子装置の一端部に接点を有し、基板の接点と電気
的相互接続をした状態を示す。
【図2】複数の電子装置を非直交状態に上面に積みあげ
た状態を示す概略斜視図である。
【図3】図4および図5に示す電子装置接点位置と基板
接点位置の電気的相互接続手段として使用される、導電
帯を有する円筒状の弾性体を示す概略斜視図である。
【図4】図2に示した積層状の電子装置と図3に示した
電気的相互接続手段を組合せ、かつ放熱手段を設けた構
造を示す概略側面図である。
【図5】図4の電気的相互接続手段を示す拡大図であ
る。
【図6】直交する双方向に段状に組み合わされた基板の
積層構造の他の実施例を示す概略斜視図である。
【図7】本発明の積層構造を製造する装置と方法を示す
概略側面図である。
【図8】基板と電子装置を電気的相互接続をおこなう接
続手段の他の実施例を示す概略図である。
【図9】本発明による段状積層構造の他の実施例を示す
概略斜視図であり、電気的相互接続手段は導線によって
おこなうものである。
【符号の説明】
2: 基板 4: 基板接点位置 6: 電子装置 8: 電子装置接点位置 13: 電気的相互接続手段 14、16、18、20: 電子装置 24: 電子装置接点位置 30: 電子装置積層構造 48: 電気的相互接続手段 50: 熱シンク 74: 円柱状弾性部材 140: 固定具 250: 導線 260: 基板 268: 導線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・アンドリュー・モスコウイッツ アメリカ合衆国10598 ニューヨーク州ヨ ークタウン・ハイツ、ハンターブルック・ ロード 343番地 (72)発明者 フィリップ・マフィー アメリカ合衆国06812 コネチカット州ニ ュー・フェアフィールド、ファルトン・ド ライブ 14番地 (72)発明者 マーク・ビー・リッター アメリカ合衆国06804 コネチカット州ブ ルックフィールド・、ベバリー・ドライブ 16番地 (72)発明者 ジョージ・フレデリック・ウォーカー アメリカ合衆国10028 ニューヨーク州ニ ューヨーク、ヨーク・アベニュー、アパー トメント 11ケイ 1540番地

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも1つの基板接点位置を有する基
    板と、 少なくとも1つの電子装置で、該電子装置の一端部に少
    なくとも1つの電子装置接点位置を有する電子装置と、 前記端部は前記基板に対向して設けられ、前記少なくと
    も1つの電子装置接点位置は該少なくとも1つの基板接
    点位置の近傍に設けられ、前記電子装置は前記基板に非
    直交に対し、 前記少なくとも1つの電子装置接点位置と前記少なくと
    も1つの基板接点位置を電気的に相互接続するための電
    気的な相互接続手段とを有することを特徴とする構造。
  2. 【請求項2】複数の電子装置と複数の基板接点位置を有
    し、該複数の電子装置の各々は隣接する電子装置に対向
    して、前記少なくとも1つの電子装置接点位置を該複数
    の電子装置の各々について露出するように設けた接点位
    置側面を有する積層を形成するように設置されることを
    特徴とする請求項1に記載の構造。
  3. 【請求項3】前記積層された構造と熱的に接触する放熱
    手段を更に有することを特徴とする請求項2に記載の構
    造。
  4. 【請求項4】少なくとも1つの基板接点位置を有する基
    板と、 各々が第1、第2の主表面および一端部を有し、該一端
    部の近傍で該第1主表面上に複数のチップ接点位置を有
    する複数の半導体チップと、 前記複数のチップの各々は他のチップに隣接して設け、
    前記チップの第1主表面が隣接する他のチップの第2主
    表面に隣接するように設置してチップの積層を形成し、 前記チップの各々は前記積層チップの同じ側面に前記端
    部を有するように設置し、 前記チップの各々は、前記複数の前記チップ接点位置が
    前記側面で露出できるように段状面を形成するように設
    け、 前記段状面は複数の隣接するノッチを有し、該ノッチの
    一側面はチップ接点位置を有し、他の面は隣接するチッ
    プの一端部であり、 前記段状面は前記基板に対向して設け、前記チップ接点
    位置が該複数の基板接点位置と直線に並ぶようにし、 前記チップ接点位置と前記複数の基板接点位置を電気的
    に相互接続するための電気的相互接続手段と、 前記電気的相互接続手段は導電性物質の複数の帯を有す
    る円筒状の絶縁体から構成し、 前記電気的相互接続手段は前記ノッチ内に設け、少なく
    とも1つの前記帯は前記ノッチ内の前記チップ接点位置
    の少なくとも1つと接するように直線に並べ、 前記帯の少なくとも1つがチップ接点位置および基板接
    点位置と接するように前記積層チップを前記基板方向に
    押圧する手段とを有することを特徴とする構造。
  5. 【請求項5】少なくとも1つの基板接点位置を有する基
    板と、 各々が第1、第2の主表面および一端部を有し、該一端
    部で該第1主表面上に複数のチップ接点位置を有する複
    数の半導体チップと、 前記複数のチップの各々は他のチップに隣接して設け、
    前記チップの第1主表面が隣接する他のチップの第2主
    表面に隣接するように設置してチップの積層を形成し、 前記チップの各々は前記積層チップの同じ側面に該端部
    を有するように設置し、 前記チップの各々は、前記複数のチップ接点位置が前記
    側面で露出できるように段状面を形成するように設け、 前記段状面は複数の隣接するノッチを有し、該ノッチの
    一側面はチップ接点位置を有し、他の面は隣接するチッ
    プの一端部であり、 前記段状面は該基板に対向して設け、前記チップ接点位
    置が前記複数の基板接点位置と直線に並ぶようにし、 前記チップ接点位置と前記複数の基板接点位置を電気的
    に相互接続するための電気的相互接続手段と、 前記電気的相互接続手段は弾性物質に埋めた複数の細長
    い導電性部材から成り、 前記電気的相互接続手段を前記ノッチ内に設け、細長い
    導電性部材の少なくとも1つを前記ノッチ内のチップ接
    点位置の少なくとも1つと接触するように直線に並べ、 少なくとも1つの前記細長い導電性部材がチップ接点位
    置および基板接点位置と接するように前記積層チップを
    前記基板方向に押圧する手段とを有することを特徴とす
    る構造。
  6. 【請求項6】段状の固定具を設ける工程と、 前記固定具の第1段に第1電子装置を載せる工程と、 前記固定具の第2段に第2電子装置を押し入れ、前記第
    1電子装置の少なくとも一端が該第2電子装置によって
    覆われないように該第2電子装置を前記第1電子装置上
    に直線となるようにする工程とを含むことを特徴とする
    段状配置の電子装置アセンブリを形成する方法。
  7. 【請求項7】複数の基板接点位置を有する基板と、 各々が第1、第2の主表面および一端部を有し、その一
    端部の近傍で該第1主表面および第2主表面の少なくと
    も一方の上に複数の電子装置接点位置を有する複数の電
    子装置と、 前記複数の電子装置の各々は他の電子装置に隣接して設
    け、前記電子装置の第1主表面が隣接する他の電子装置
    の第2主表面に隣接するように設置して電子装置の積層
    を形成し、 前記電子装置の各々は前記積層電子装置の同じ側面に前
    記端部を有するように設置し、 前記電子装置の各々は、前記複数の電子装置接点位置が
    前記側面で露出できるように段状面を形成するように設
    け、 前記電子装置接点位置と前記複数の基板接点位置を電気
    的に相互接続するための電気的相互接続手段とを有する
    ことを特徴とする構造。
JP4189242A 1991-09-13 1992-07-16 段状電子装置パッケージ Expired - Fee Related JPH0754845B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US760038 1991-09-13
US07/760,038 US5239447A (en) 1991-09-13 1991-09-13 Stepped electronic device package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05211281A true JPH05211281A (ja) 1993-08-20
JPH0754845B2 JPH0754845B2 (ja) 1995-06-07

Family

ID=25057886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4189242A Expired - Fee Related JPH0754845B2 (ja) 1991-09-13 1992-07-16 段状電子装置パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5239447A (ja)
EP (1) EP0531724B1 (ja)
JP (1) JPH0754845B2 (ja)
DE (1) DE69218078D1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910229B1 (ko) * 2007-11-13 2009-07-31 주식회사 하이닉스반도체 적층 반도체 패키지
JP2013536999A (ja) * 2010-09-02 2013-09-26 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 静的屈曲部を有する傾斜スタックチップパッケージ
JP2013536998A (ja) * 2010-09-01 2013-09-26 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 傾斜スタックチップパッケージのための治具の製造
JPWO2018078687A1 (ja) * 2016-10-24 2018-10-25 新電元工業株式会社 電子デバイスの配置構造、及び、電子回路装置

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
JP2575566B2 (ja) * 1992-01-24 1997-01-29 株式会社東芝 半導体装置
AU4242693A (en) * 1992-05-11 1993-12-13 Nchip, Inc. Stacked devices for multichip modules
JPH0629459A (ja) * 1992-07-08 1994-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
FR2694840B1 (fr) * 1992-08-13 1994-09-09 Commissariat Energie Atomique Module multi-puces à trois dimensions.
US5313097A (en) * 1992-11-16 1994-05-17 International Business Machines, Corp. High density memory module
JP3372548B2 (ja) * 1992-12-10 2003-02-04 株式会社豊田中央研究所 半田接合用表面処理構造体及びそれを用いた無フラックス半田付方法
FR2701153B1 (fr) * 1993-02-02 1995-04-07 Matra Marconi Space France Composant et module de mémoire à semi-conducteur.
US5495397A (en) * 1993-04-27 1996-02-27 International Business Machines Corporation Three dimensional package and architecture for high performance computer
FR2709870B1 (fr) * 1993-09-06 1995-10-13 Commissariat Energie Atomique Procédé d'assemblage tridimensionnel de composants électroniques par boucles de microfils et éléments de soudure.
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US6023103A (en) * 1994-11-15 2000-02-08 Formfactor, Inc. Chip-scale carrier for semiconductor devices including mounted spring contacts
FR2715771B1 (fr) * 1994-02-02 1996-04-26 Matra Marconi Space France Assemblage de microcircuits intégrés de type puce à protubérances.
US5567654A (en) * 1994-09-28 1996-10-22 International Business Machines Corporation Method and workpiece for connecting a thin layer to a monolithic electronic module's surface and associated module packaging
US5891745A (en) * 1994-10-28 1999-04-06 Honeywell Inc. Test and tear-away bond pad design
US5514907A (en) * 1995-03-21 1996-05-07 Simple Technology Incorporated Apparatus for stacking semiconductor chips
US5612570A (en) * 1995-04-13 1997-03-18 Dense-Pac Microsystems, Inc. Chip stack and method of making same
US5998864A (en) * 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
FR2735946B1 (fr) * 1995-06-26 1997-07-25 Aeg Schneider Automation Bac pour modules electroniques
US6884657B1 (en) * 1995-08-16 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Angularly offset stacked die multichip device and method of manufacture
US5834335A (en) * 1995-09-28 1998-11-10 Texas Instruments Incorporated Non-metallurgical connection between an integrated circuit and a circuit board or another integrated circuit
US5754408A (en) * 1995-11-29 1998-05-19 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Stackable double-density integrated circuit assemblies
US6861290B1 (en) * 1995-12-19 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Flip-chip adaptor package for bare die
KR100443484B1 (ko) * 1996-02-19 2004-09-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치및그제조방법
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US6066509A (en) 1998-03-12 2000-05-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for underfill of bumped or raised die
US5766982A (en) 1996-03-07 1998-06-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for underfill of bumped or raised die
US5793116A (en) * 1996-05-29 1998-08-11 Mcnc Microelectronic packaging using arched solder columns
DE19626126C2 (de) * 1996-06-28 1998-04-16 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Ausbildung einer räumlichen Chipanordnung und räumliche Chipanordung
JPH10335580A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージおよびこれを用いた半導体モジュール
JPH10335374A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置モジュール
US5944199A (en) * 1997-11-25 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Integrated circuit package support system
JP3718039B2 (ja) * 1997-12-17 2005-11-16 株式会社日立製作所 半導体装置およびそれを用いた電子装置
US6235551B1 (en) * 1997-12-31 2001-05-22 Micron Technology, Inc. Semiconductor device including edge bond pads and methods
US6642136B1 (en) * 2001-09-17 2003-11-04 Megic Corporation Method of making a low fabrication cost, high performance, high reliability chip scale package
USRE43112E1 (en) 1998-05-04 2012-01-17 Round Rock Research, Llc Stackable ball grid array package
US6072233A (en) 1998-05-04 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Stackable ball grid array package
US6121576A (en) 1998-09-02 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Method and process of contact to a heat softened solder ball array
JP3662461B2 (ja) 1999-02-17 2005-06-22 シャープ株式会社 半導体装置、およびその製造方法
US6313998B1 (en) * 1999-04-02 2001-11-06 Legacy Electronics, Inc. Circuit board assembly having a three dimensional array of integrated circuit packages
US6323060B1 (en) 1999-05-05 2001-11-27 Dense-Pac Microsystems, Inc. Stackable flex circuit IC package and method of making same
US6605875B2 (en) * 1999-12-30 2003-08-12 Intel Corporation Integrated circuit die having bond pads near adjacent sides to allow stacking of dice without regard to dice size
US20010042910A1 (en) * 2000-01-06 2001-11-22 Eng Klan Teng Vertical ball grid array integrated circuit package
JP3768761B2 (ja) * 2000-01-31 2006-04-19 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
US6252305B1 (en) 2000-02-29 2001-06-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Multichip module having a stacked chip arrangement
US6487078B2 (en) 2000-03-13 2002-11-26 Legacy Electronics, Inc. Electronic module having a three dimensional array of carrier-mounted integrated circuit packages
US7102892B2 (en) * 2000-03-13 2006-09-05 Legacy Electronics, Inc. Modular integrated circuit chip carrier
US6713854B1 (en) 2000-10-16 2004-03-30 Legacy Electronics, Inc Electronic circuit module with a carrier having a mounting pad array
US7547579B1 (en) 2000-04-06 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill process
DE10019483A1 (de) * 2000-04-19 2001-10-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterchips
US7247932B1 (en) 2000-05-19 2007-07-24 Megica Corporation Chip package with capacitor
WO2001097286A2 (en) * 2000-06-13 2001-12-20 Mcnc High density three dimensional chip package assembly systems and methods
US6660561B2 (en) 2000-06-15 2003-12-09 Dpac Technologies Corp. Method of assembling a stackable integrated circuit chip
US6404043B1 (en) 2000-06-21 2002-06-11 Dense-Pac Microsystems, Inc. Panel stacking of BGA devices to form three-dimensional modules
DE10034081A1 (de) * 2000-07-13 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit mehreren Halbleiterchips
US6406940B1 (en) * 2000-08-14 2002-06-18 Intermedics Inc. Method and apparatus for stacking IC devices
US6608763B1 (en) 2000-09-15 2003-08-19 Staktek Group L.P. Stacking system and method
US7103970B2 (en) * 2001-03-14 2006-09-12 Legacy Electronics, Inc. Method for fabricating a circuit board with a three dimensional surface mounted array of semiconductor chips
US7337522B2 (en) * 2000-10-16 2008-03-04 Legacy Electronics, Inc. Method and apparatus for fabricating a circuit board with a three dimensional surface mounted array of semiconductor chips
EP1332654B1 (en) 2000-11-10 2005-01-12 Unitive Electronics, Inc. Methods of positioning components using liquid prime movers and related structures
US6418033B1 (en) * 2000-11-16 2002-07-09 Unitive Electronics, Inc. Microelectronic packages in which second microelectronic substrates are oriented relative to first microelectronic substrates at acute angles
US6863209B2 (en) 2000-12-15 2005-03-08 Unitivie International Limited Low temperature methods of bonding components
JP2002204053A (ja) * 2001-01-04 2002-07-19 Mitsubishi Electric Corp 回路実装方法、回路実装基板及び半導体装置
US6815324B2 (en) * 2001-02-15 2004-11-09 Megic Corporation Reliable metal bumps on top of I/O pads after removal of test probe marks
TWI313507B (en) 2002-10-25 2009-08-11 Megica Corporatio Method for assembling chips
US6462408B1 (en) 2001-03-27 2002-10-08 Staktek Group, L.P. Contact member stacking system and method
US6627980B2 (en) 2001-04-12 2003-09-30 Formfactor, Inc. Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts
US20030002267A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-02 Mantz Frank E. I/O interface structure
JP2003007971A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Toshiba Corp 半導体装置
US6635960B2 (en) * 2001-08-30 2003-10-21 Micron Technology, Inc. Angled edge connections for multichip structures
US7099293B2 (en) 2002-05-01 2006-08-29 Stmicroelectronics, Inc. Buffer-less de-skewing for symbol combination in a CDMA demodulator
US6613606B1 (en) 2001-09-17 2003-09-02 Magic Corporation Structure of high performance combo chip and processing method
US6573460B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Post in ring interconnect using for 3-D stacking
US6573461B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Retaining ring interconnect used for 3-D stacking
US7081373B2 (en) 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
WO2004001837A2 (en) 2002-06-25 2003-12-31 Unitive International Limited Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures
US7547623B2 (en) * 2002-06-25 2009-06-16 Unitive International Limited Methods of forming lead free solder bumps
US7531898B2 (en) 2002-06-25 2009-05-12 Unitive International Limited Non-Circular via holes for bumping pads and related structures
AU2003301632A1 (en) 2002-10-22 2004-05-13 Unitive International Limited Stacked electronic structures including offset substrates
US6856010B2 (en) * 2002-12-05 2005-02-15 Staktek Group L.P. Thin scale outline package
TWI225899B (en) 2003-02-18 2005-01-01 Unitive Semiconductor Taiwan C Etching solution and method for manufacturing conductive bump using the etching solution to selectively remove barrier layer
US20040207990A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Rose Andrew C. Stair-step signal routing
EP1471778A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-27 Infineon Technologies AG Memory module having space-saving arrangement of memory chips and memory chip therefor
US7612443B1 (en) 2003-09-04 2009-11-03 University Of Notre Dame Du Lac Inter-chip communication
US7049216B2 (en) * 2003-10-14 2006-05-23 Unitive International Limited Methods of providing solder structures for out plane connections
US7358174B2 (en) 2004-04-13 2008-04-15 Amkor Technology, Inc. Methods of forming solder bumps on exposed metal pads
US7435097B2 (en) * 2005-01-12 2008-10-14 Legacy Electronics, Inc. Radial circuit board, system, and methods
US8294279B2 (en) 2005-01-25 2012-10-23 Megica Corporation Chip package with dam bar restricting flow of underfill
US20060267173A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 Sandisk Corporation Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor
US7674701B2 (en) 2006-02-08 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns
US7932615B2 (en) 2006-02-08 2011-04-26 Amkor Technology, Inc. Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers
TW200814249A (en) * 2006-09-12 2008-03-16 Chipmos Technologies Inc Stacked chip package structure with lead-frame having bus bar
JP5559452B2 (ja) * 2006-12-20 2014-07-23 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20090183364A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 International Business Machines Corporation Method of connecting a series of integrated devices utilizing flexible circuits in a semi-stacking configuration
KR101774938B1 (ko) 2011-08-31 2017-09-06 삼성전자 주식회사 지지대를 갖는 반도체 패키지 및 그 형성 방법
US9620473B1 (en) 2013-01-18 2017-04-11 University Of Notre Dame Du Lac Quilt packaging system with interdigitated interconnecting nodules for inter-chip alignment
DE102015108909B4 (de) * 2015-06-05 2021-02-18 Infineon Technologies Ag Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben
US9825002B2 (en) * 2015-07-17 2017-11-21 Invensas Corporation Flipped die stack
US9871019B2 (en) 2015-07-17 2018-01-16 Invensas Corporation Flipped die stack assemblies with leadframe interconnects
US9508691B1 (en) 2015-12-16 2016-11-29 Invensas Corporation Flipped die stacks with multiple rows of leadframe interconnects
US10566310B2 (en) 2016-04-11 2020-02-18 Invensas Corporation Microelectronic packages having stacked die and wire bond interconnects
US9728524B1 (en) 2016-06-30 2017-08-08 Invensas Corporation Enhanced density assembly having microelectronic packages mounted at substantial angle to board
US10321580B2 (en) * 2016-07-29 2019-06-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit package assembly comprising a stack of slanted integrated circuit packages
CN107706170A (zh) 2016-08-09 2018-02-16 晟碟信息科技(上海)有限公司 垂直半导体装置
CN108933109B (zh) * 2017-05-27 2020-07-07 晟碟信息科技(上海)有限公司 成角度的裸芯的半导体器件
US20200312769A1 (en) * 2019-03-27 2020-10-01 Intel Corporation Interposer with step feature

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025160U (ja) * 1983-07-28 1985-02-20 住友電気工業株式会社 重ね合せicチツプ

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3105869A (en) * 1962-03-23 1963-10-01 Hughes Aircraft Co Electrical connection of microminiature circuit wafers
US3748479A (en) * 1970-02-26 1973-07-24 K Lehovec Arrays of electro-optical elements and associated electric circuitry
US3769091A (en) * 1972-03-31 1973-10-30 Us Navy Shingled array of solar cells
US3904933A (en) * 1974-10-23 1975-09-09 Control Data Corp Cooling apparatus for electronic modules
US4208698A (en) * 1977-10-26 1980-06-17 Ilc Data Device Corporation Novel hybrid packaging scheme for high density component circuits
JPS55115339A (en) * 1979-02-26 1980-09-05 Fujitsu Ltd Ic stem
US4266282A (en) * 1979-03-12 1981-05-05 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
US4426689A (en) * 1979-03-12 1984-01-17 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
US4351706A (en) * 1980-03-27 1982-09-28 International Business Machines Corporation Electrochemically eroding semiconductor device
US4417392A (en) * 1980-05-15 1983-11-29 Cts Corporation Process of making multi-layer ceramic package
US4296456A (en) * 1980-06-02 1981-10-20 Burroughs Corporation Electronic package for high density integrated circuits
JPS5731166A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4646128A (en) * 1980-09-16 1987-02-24 Irvine Sensors Corporation High-density electronic processing package--structure and fabrication
US4437235A (en) * 1980-12-29 1984-03-20 Honeywell Information Systems Inc. Integrated circuit package
US4525921A (en) * 1981-07-13 1985-07-02 Irvine Sensors Corporation High-density electronic processing package-structure and fabrication
US4500905A (en) * 1981-09-30 1985-02-19 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Stacked semiconductor device with sloping sides
US4451845A (en) * 1981-12-22 1984-05-29 Avx Corporation Lead frame device including ceramic encapsulated capacitor and IC chip
US4528530A (en) * 1982-09-24 1985-07-09 International Business Machines Corporation Low temperature electronic package having a superconductive interposer for interconnecting strip type circuits
JPS59127856A (ja) * 1983-01-12 1984-07-23 Nec Corp 多層半導体チツプを有する半導体集積回路装置
WO1985002060A1 (fr) * 1983-10-24 1985-05-09 Sintra-Alcatel, S.A. Procede de substitution d'un composant electronique connecte aux pistes conductrices d'un substrat porteur
US4617160A (en) * 1984-11-23 1986-10-14 Irvine Sensors Corporation Method for fabricating modules comprising uniformly stacked, aligned circuit-carrying layers
US4706166A (en) * 1986-04-25 1987-11-10 Irvine Sensors Corporation High-density electronic modules--process and product
US4954875A (en) * 1986-07-17 1990-09-04 Laser Dynamics, Inc. Semiconductor wafer array with electrically conductive compliant material
US4897708A (en) * 1986-07-17 1990-01-30 Laser Dynamics, Inc. Semiconductor wafer array
US4764846A (en) * 1987-01-05 1988-08-16 Irvine Sensors Corporation High density electronic package comprising stacked sub-modules
JPS63255974A (ja) * 1987-04-14 1988-10-24 Mitsubishi Electric Corp ソ−ラ−セルの接着方法
JP2509969B2 (ja) * 1988-02-26 1996-06-26 株式会社日立製作所 電子装置
US5019946A (en) * 1988-09-27 1991-05-28 General Electric Company High density interconnect with high volumetric efficiency
US4956746A (en) * 1989-03-29 1990-09-11 Hughes Aircraft Company Stacked wafer electronic package
US4992908A (en) * 1989-07-24 1991-02-12 Grumman Aerospace Corporation Integrated circuit module
US4959749A (en) * 1989-08-16 1990-09-25 Unisys Corporation Layered electronic assembly having compensation for chips of different thickness and different I/O lead offsets
JPH03148842A (ja) * 1989-11-06 1991-06-25 Seiko Epson Corp フレキシブル基板の構造
US5019943A (en) * 1990-02-14 1991-05-28 Unisys Corporation High density chip stack having a zigzag-shaped face which accommodates connections between chips
US5092782A (en) * 1991-02-01 1992-03-03 Beaman Brian S Integral elastomeric card edge connector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025160U (ja) * 1983-07-28 1985-02-20 住友電気工業株式会社 重ね合せicチツプ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910229B1 (ko) * 2007-11-13 2009-07-31 주식회사 하이닉스반도체 적층 반도체 패키지
US7994621B2 (en) 2007-11-13 2011-08-09 Hynix Semiconductor Inc. Stacked semiconductor package
US8203204B2 (en) 2007-11-13 2012-06-19 Hynix Semiconductor Inc. Stacked semiconductor package
JP2013536998A (ja) * 2010-09-01 2013-09-26 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 傾斜スタックチップパッケージのための治具の製造
JP2013536999A (ja) * 2010-09-02 2013-09-26 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 静的屈曲部を有する傾斜スタックチップパッケージ
KR20130136446A (ko) * 2010-09-02 2013-12-12 오라클 인터내셔날 코포레이션 고정 벤드를 구비한 램프 스택 칩 패키지
JPWO2018078687A1 (ja) * 2016-10-24 2018-10-25 新電元工業株式会社 電子デバイスの配置構造、及び、電子回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0754845B2 (ja) 1995-06-07
EP0531724B1 (en) 1997-03-12
DE69218078D1 (de) 1997-04-17
US5239447A (en) 1993-08-24
EP0531724A1 (en) 1993-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05211281A (ja) 段状電子装置パッケージ
US8269326B2 (en) Semiconductor device assemblies
US8357999B2 (en) Assembly having stacked die mounted on substrate
JP3526788B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP0575806B1 (en) Package for integrated circuit chips
KR100282285B1 (ko) 적층된 다중칩 모듈 및 그의 제조방법
US6028358A (en) Package for a semiconductor device and a semiconductor device
US7050303B2 (en) Semiconductor module with vertically mounted semiconductor chip packages
US4616406A (en) Process of making a semiconductor device having parallel leads directly connected perpendicular to integrated circuit layers therein
US20070085187A1 (en) Vertically packaged MOSFET and IC power devices as integrated module using 3D interconnected laminates
JP2001320014A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2001085603A (ja) 半導体装置
EP1335426A2 (en) Packaged semiconductor device and method of formation
USRE38037E1 (en) Modular semiconductor power device
JP4047819B2 (ja) Bgaハンダ・ボールによる相互接続部およびその作製方法
JPH0575014A (ja) 半導体チツプの実装構造
US6509642B1 (en) Integrated circuit package
US6057594A (en) High power dissipating tape ball grid array package
JP3253154B2 (ja) 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
JPH0786493A (ja) マルチチップモジュール
JPH10321670A (ja) 半導体装置
JPH08172142A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
JP3076812U (ja) 配線板
TW484221B (en) A dual chip package and the wafer level packaging method
KR20000040734A (ko) 적층형 마이크로 비지에이 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees