DE2315711B2 - Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung - Google Patents
Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten SchaltungsanordnungInfo
- Publication number
- DE2315711B2 DE2315711B2 DE2315711A DE2315711A DE2315711B2 DE 2315711 B2 DE2315711 B2 DE 2315711B2 DE 2315711 A DE2315711 A DE 2315711A DE 2315711 A DE2315711 A DE 2315711A DE 2315711 B2 DE2315711 B2 DE 2315711B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contacting
- spider
- frame
- fingers
- semiconductor body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/3754—Coating
- H01L2224/37599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung mit Hilfe
von zwei Kontaktierungsspinnen, die aus je einem Rahmen mit nach innen ragenden Kontaktierungsfingern
bestehen, bei dem die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne mit den Anschlußelektroden
des Halbleiterkörpers und Teile der ersten Kontaktierungsspinne mit Kontaktierungsfingern der
zweiten Kontaktierungsspinne verbunden werden und die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne
voneinander getrennt werden,
Durch die DE-AS 18 13 164 ist ein Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Halbleiterbauelementen bekannt, bei dem die freien Enden der Kontaktierungsfinger einer ersten Kontaktierungsspinne an den Kontaktierungsfläcben der integrierten Halbleiterbauelemente befestigt werden. Anschließend wird eine zweite Kontaktierungsspinne mit ihren nach innen verlaufenden Kontaktierungsfingern auf die zugeordneten Kontaktzungen der ersten Kontaktierungsspinne ausgerichtet Schließlich werden die freien Enden der
Durch die DE-AS 18 13 164 ist ein Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Halbleiterbauelementen bekannt, bei dem die freien Enden der Kontaktierungsfinger einer ersten Kontaktierungsspinne an den Kontaktierungsfläcben der integrierten Halbleiterbauelemente befestigt werden. Anschließend wird eine zweite Kontaktierungsspinne mit ihren nach innen verlaufenden Kontaktierungsfingern auf die zugeordneten Kontaktzungen der ersten Kontaktierungsspinne ausgerichtet Schließlich werden die freien Enden der
is Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne
mit den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne verbunden und die nicht für die Kontaktgabe
mit dem integrierten Halbleiterbauelement benötigten Teile der ersten Kontaktierungsspinne entfernt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Kontaktieren von integrierten HaIbieiterschaitungsanordnungen
anzugeben, weiches keine so genaue Justierung erfordert und mit geringerem
Ausschluß arbeitet als das bekannte Verfahren.
Außerdem soll die im Halbleiterkörper erzeugte Verlustleistung rasch abgeführt werden.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung
vorgeschlagen, daß der Halbleiterkörper mit seiner Rückseite auf einem in der zweiten Kontaktierungsspinne
zentral angeordneten, als Wärmesenke ausgebildeten Trägerteil befestigt wird, daß danach die erste
Kontaktierungsspinne so auf den Halbleiterkörper einjustiert wird, daß die freien Enden ihrer Kontaktierungsfinger
mit den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne
mit den freien Enden der Kontaktierungsfinger der zweiten Kontaktierungsspinne verbunden
werden, wonach die zwischen den Kontaktierungsfingern
der zweiten Kontakticrung^plnne verlaufenden
Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne durchgetrennt werden.
Nach der Herstellung aller Verbindungsstellen und dem Auftrennen des Rahmens der ersten Kontaktie-
« rungsspinne wird der Halbleiterkörper mit einem Gehäuse umgeben.
Der Rahmen der ersten Kontaktierungsspinne ist vorzugsweise von einem zweiten Rahmen umgeben,
wobei beide Rahmen durch Stege miteinander verbun-
w den sind.
Es empfiehlt sich, die Kontaktierungsfinger der zweiten Kontaktierungsspinne so vorzuprägen, daß
durch ihren Verlauf der Höhenunterschied zwischen den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und den
Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne ausgeglichen wird. Das den Halbleiterkörper
aufnehmende Trägerteil wird vorzugsweise so ausgebildet, daß über dieses Trägerteil die im Halbleiterkörper
entstehende Wärme rasch abgeführt werden kann. Das Trägerteil verläuft vorzugsweise zentral im Inneren der
zweiten Kontaktierungsspinne und verbindet zwei einander gegenüberliegende Seitenteile des Rahmens
dieser Kontaktierungsspinne miteinander.
hr· rungsbeispicl anhand der Figuren näher erläutert.
In der Fig. 1 ist die erste Kontaktierungsspinne 1 dargestellt. Diese Kontaktierungsspinne wurde in ein
Metallband eingeätzt, das beispielsweise aus einer 35 bis
50 μη* starken Kupferfolie besteht. Der Rahmen 2 der
Kontaktierungsspinne 1 weist in das Innere des Rahmens ragende Zungen 3 auf, deren freie Enden 6
zum drabtfreien Anschluß an die Elektroden eines Halbleiterkörpers vorgesehen sind. Der Rahmen 2 ist
durch schmale Stege 4 mit den äußeren Seitenstegen des Metallbandes 1 und den Querstegen 5 verbunden. Durch
die weitgehende Freiätzung des Rahmens 2 kann dieser Rahmen sehr leicht aus der Trägerfolie 1 herausgenommen
werden. Bei dem in der F i g. 1 dargestellten Herstellungsstadium wurden die Kontaktierungsfinger
3 bereits durch einen Prägevorgang so mit einem Fragebogen versehen, daß die Enden 6 fiber die vom
Rahmen 2 gebildete Fläche hochragen. Vor oder nach der Prägung werden der Rahmen 2 und die zugeordneten
Kontaktierungsfinger 3 vorzugsweise verzinnt
In der F i g. 2 ist die größere, zweite Kontaktierungsspinne
dargestellt, die beispielsweise in ein ca. 250 μΐη
dickes Kupferband eingeätzt oder eingestanzt wurde. Auch der Rahmen 7 dieser Kontaktierungsspinne weist
nach innen ragende Kontaktierungsfinger 8 auf, die sich außerhalb des Rahmens in den Anschiußzungen 12
fortsetzen. Durch das Innere des Rahmen* 7 verläuft parallel oder senkrecht zur Richtung der Kontaktierungsfinger
ein Trägerteil 9, das die beiden einander gegenüberliegenden Seitenteile 13 des Rahmens miteinander
verbindet und sogar über die Seitenteile hinausragt Das Trägerteil 9 ist re^'iv breit ausgebildet,
so daß die im Halbleiterkörper entstehende Wärme gut abgeführt wird. Der Rahmen 7 wird völlig oder teilweise
verzinnt 10. Danach wird der Halbleiterkörper 11 auf das Trägerteil 9 mit seiner Rückseite mit Hilfe des Zinns
10 aufgelötet Auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers sind die meist aus Gold bestehenden Anschlußelektroden
14 des Halbleiterkörpers erkennbar. Die in das Innere des Rahmens ragenden Kontaktierungsfinger 8
sind so geformt daß ihre freien Enden möglichst in unmittelbarer Nähe der zugeordneten Anschlußelektroden
des Halbleiterkörpers enden.
Die Stege 4 in F i g. 1 werden nun durchgetrennt und der Rahmen 2 der ersten Kontaktierungsspinne wird
aus seinem Trägerstreifen herausgenommen und in. der
in der F i g. 3 dargestellten Weise auf die Elektroden des Halbleiterkörpers einjustiert Dabei kommen die freien
Enden 6 der Kontaktierungsfinger 3 mit den Elektroden 14 in Berührung, während der Rahmen 2 quer über die
freien Enden der Kontaktierungsfinger 8 im Rahmsn der zweiten Kontaktierungsspinne verläuft. Nach der
Justierung wird beispielsweise auf den Rahmen 2 und
die Enden 6 ein Stempel aufgesetzt, der so erhitzt wird,
daß sowohl die Kontaktierungsfingerenden 6 mit den
Elektroden 14 als auch der Rahmen 2 mit den Kontaktierungsfingem 8 fest verbunden werden. Es ist
auch möglich, daß die Verbindungsstellen an die Halbleiterelektroden bzw. an den Enden der Kontaktierungsfinger
8 nacheinander in beliebiger Reihenfolge hergestellt werden. Da beide Rahmen bereits verzinnt
sind, dient dieses Zinn an den Stellen 15 als
is Kontaktierungsfinger 8 überbrückenden Teilen durchgetrennt
Dies geschieht beispielsweise mit einem Messer, einer Schere oder einem Meißel. Verwendet
man beispielsweise einen Schneidrr.eiße!, so werden die über die Kontaktierungsfinger hinausragenden Teile
des Rahinens 2 bei dem Freischneideprozeß zugleich nach unten abgebogen, so daß ^ eine Kurzschlüsse
zwischen den einzelnen Kontaktieruujnfingern möglich
sind.
und alle Verbindungsstellen in ein Kunststoffgehäuse 17
eingegossen. Danach müssen noch die zwischen den Kontaktierungsfingern 8 verbleibenden Teile der
Verbindungsstege 13 (Fig.4) sowie die äußeren Seitenstege 18 abgetrennt werden. Die Anschlußleitungen
12 können danach noch gemäß F i g. 5 umgebogen werden und bilden somit steckbare Schaltungsanschiüsse.
Die aus dem Gehäuse herausragenden Enden des Trägerteils 9 sind die Kühlfahnen der integrierten
Halbleiterschaltungen und können mit weiteren Kühlflächen
verbunden werden.
Die Erfindung bietet die Möglichkeit nicht vergoldete, sondern nur verzinnte Kontaktierungsspinnen zu
verwenden. Dadurch können die Kosten der Metallstreifen erheblich reduziert werden. Die Bi cite des
Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne liegt bei ca. 04 cm, während die Breite des Rahmens der zweiten
Kontaktierungsspinne beispielsweise in der Größenordnung von 2 cm liegt. Die Kontaktierungsfinger der
ersten Kontaktierungsspinne sind beispielsweise nur 0,2 mm breit
Claims (6)
- Patentansprüche;U Verfahren mm Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung mit Htjfe von zwei Kontaktierungsspinnen, die aus je einem Rahmen mit nach innen ragenden Kontaktierungsfingern bestehen, bei dem die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne mit den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und Teile der ersten Kontaktierungsspinne verbunden werden und die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne voneinander getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (11) mit seiner Rückseite auf einem in der zweiten Kontaktierungsspinne (7) zentral angeordneten, als Wärmesenke ausgebildeten Trägerteil (9) befestigt wird, daß danach die erste Kontaktierungsspinne (1) so auf den Halbleiterkörper (11) einjustiert wird, daß die freien Enden (6) ihrer Kontaktierungsfinger (3) mit den Anschlußelektroden (14) des Halbleiterkörpers (11) und Teile Jes Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne (1) mit den freien Enden der Kontaküerungsfinger (8) der zweiten Kontaktierungsspinne (7) verbunden werden, wonach die zwischen den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne verlaufenden Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne durchgetrennt werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Auftrennen des Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne der Halbleiterkörper (11) mit einem Gehäuse (17) umgeben wird, und daß die zwei < 5 Kontaktierungsspinne so aufgetrennt wird, daß ihre Kontaktierungsfinger (8, 12) von einander isolierte, ins Gehäuseinnere führende Anschlußleitungen für die integrierte Halbleiterschaltungsanordnung bilden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kontaktierungsspinne verwendet wird, deren Rahmen (2) von einem zweiten Rahmen (1) umgeben ist, wobei beide Rahmen durch Stege (5) miteinander verbunden sind.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsfinger (8) der zweiten Kontaktierungsspinne (7) so vorgeprägt sind, daß durch ihren Verlauf der Höhenunterschied zwischen den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne ausgeglichen wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beim Durchtrennen des Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne überstehenden Rahmenteile umgebogen werden.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsspinnen verzinnt werden (10).
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2315711A DE2315711B2 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung |
JP49031423A JPS49130687A (de) | 1973-03-29 | 1974-03-19 | |
US05/453,880 US3967366A (en) | 1973-03-29 | 1974-03-22 | Method of contacting contact points of a semiconductor body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2315711A DE2315711B2 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2315711A1 DE2315711A1 (de) | 1974-10-03 |
DE2315711B2 true DE2315711B2 (de) | 1980-07-17 |
Family
ID=5876359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2315711A Withdrawn DE2315711B2 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3967366A (de) |
JP (1) | JPS49130687A (de) |
DE (1) | DE2315711B2 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2840973A1 (de) * | 1978-09-20 | 1980-03-27 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung pruefbarer halbleiter-miniaturgehaeuse in bandform |
US4439918A (en) * | 1979-03-12 | 1984-04-03 | Western Electric Co., Inc. | Methods of packaging an electronic device |
US4312926A (en) * | 1980-04-14 | 1982-01-26 | National Semiconductor Corporation | Tear strip planarization ring for gang bonded semiconductor device interconnect tape |
DE3234745C2 (de) * | 1982-09-20 | 1986-03-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Handhabung von filmmontierten integrierten Schaltkreisen und Vorrichtung zu seiner Durchführung |
US4721993A (en) * | 1986-01-31 | 1988-01-26 | Olin Corporation | Interconnect tape for use in tape automated bonding |
US4800419A (en) * | 1987-01-28 | 1989-01-24 | Lsi Logic Corporation | Support assembly for integrated circuits |
JP2816244B2 (ja) | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
US5138430A (en) * | 1991-06-06 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | High performance versatile thermally enhanced IC chip mounting |
EP0594299A3 (de) * | 1992-09-18 | 1994-11-23 | Texas Instruments Inc | Schaltungsgittereinheit aus mehreren Schichten und Verfahren für integrierte Schaltung. |
US5371654A (en) * | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
US20050062492A1 (en) * | 2001-08-03 | 2005-03-24 | Beaman Brian Samuel | High density integrated circuit apparatus, test probe and methods of use thereof |
US5766983A (en) * | 1994-04-29 | 1998-06-16 | Hewlett-Packard Company | Tape automated bonding circuit with interior sprocket holes |
US6003369A (en) * | 1997-05-19 | 1999-12-21 | Continental Teves, Inc. | Method for manufacturing encapsulated semiconductor devices |
JP2959521B2 (ja) * | 1997-05-21 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法、リードフレーム |
EP1316999A1 (de) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG | Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen |
FR3055737B1 (fr) * | 2016-09-08 | 2018-11-30 | Continental Automotive France | Procede de fabrication sur une plaque de maintien metallique d'au moins un module electronique incluant au moins un test electrique |
US20220181290A1 (en) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Clip interconnect with micro contact heads |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3387359A (en) * | 1966-04-01 | 1968-06-11 | Sylvania Electric Prod | Method of producing semiconductor devices |
US3544857A (en) * | 1966-08-16 | 1970-12-01 | Signetics Corp | Integrated circuit assembly with lead structure and method |
US3436810A (en) * | 1967-07-17 | 1969-04-08 | Jade Corp | Method of packaging integrated circuits |
US3553828A (en) * | 1967-11-22 | 1971-01-12 | Rca Corp | Lead assembly structure for semiconductor devices |
US3698074A (en) * | 1970-06-29 | 1972-10-17 | Motorola Inc | Contact bonding and packaging of integrated circuits |
US3762039A (en) * | 1971-09-10 | 1973-10-02 | Mos Technology Inc | Plastic encapsulation of microcircuits |
-
1973
- 1973-03-29 DE DE2315711A patent/DE2315711B2/de not_active Withdrawn
-
1974
- 1974-03-19 JP JP49031423A patent/JPS49130687A/ja active Pending
- 1974-03-22 US US05/453,880 patent/US3967366A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2315711A1 (de) | 1974-10-03 |
US3967366A (en) | 1976-07-06 |
JPS49130687A (de) | 1974-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2315711B2 (de) | Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung | |
DE1514827C2 (de) | Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2926200C2 (de) | ||
EP0374648B1 (de) | Vorrichtung zum Anschluss eines eletrischen Kabels | |
DE1121139B (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
DE3123198A1 (de) | Traegerelement fuer einen ic-baustein | |
DE2941613A1 (de) | Traegerplaettchen mit leiterbahnen und ggf. elektronischen schaltungsbauteilen sowie verfahren zu seiner herstellung | |
DE1803554A1 (de) | Elektrische Vorrichtung,insbesondere als Sicherung oder Heizvorrichtung | |
DE1948925B2 (de) | Verbindungsanordnung für Druckschaltungskarten | |
DE2735124C2 (de) | ||
DE2920028A1 (de) | Elektrischer kontakt fuer einen schalter sowie verfahren zur herstellung eines solchen kontaktes | |
DE2502214C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von laminierten Sammelschienen | |
DE69927623T2 (de) | Antennenrahmen für eine IC-Karte | |
DE2941229A1 (de) | Werkstoffbahn und verfahren zur herstellung flexibler bedruckter schaltungsplatinen | |
DE2444892C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von streifenförmigen Anschlußelementen | |
DE2904197C3 (de) | Strommeßwiderstand | |
EP0057253B1 (de) | Systemträgerband mit mehreren Systemträgern für integrierte Schaltkreise | |
WO2015043951A1 (de) | Verfahren zur herstellung von bändern und streifen aus zwei metallischen materialien | |
DE2136386A1 (de) | Elektrische schmelzsicherung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE69400980T2 (de) | Elektrische Anschlussvorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE3446647C2 (de) | ||
DE3508806C2 (de) | ||
DE1915148B2 (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Hocker bei Halbleiteranordnungen | |
DE3786132T2 (de) | Verfahren zum Verbinden metallischer Streifen beim Herstellen von elektrischen Bestandteilen und Bestandteile mit solchen Streifen. | |
DE2622766A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer leiterplatte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8227 | New person/name/address of the applicant |
Free format text: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |
|
8239 | Disposal/non-payment of the annual fee |