JP2022189928A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
置全般を指し、電気光学装置、画像表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装
置である。
が注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(単に表示装置と
も表記する)のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半
導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物
半導体が注目されている。
用いてトランジスタを作製する技術が開示されている(特許文献1参照)。
ど)を作る場合、酸化物半導体を用いたトランジスタ上に層間絶縁膜を設ける必要がある
。
、トランジスタの特性安定化を図る上で重要な要素となる。
装置の電気特性の変動を抑制することを課題の一とする。
れる段差領域に空隙部を有し、酸化シリコンを成分として含む第1の絶縁膜と、第1の絶
縁膜の空隙部を塞ぐように第1の絶縁膜に接して設けられた窒化シリコンを成分として含
む第2の絶縁膜とを含む構成とする。当該構成とすることで、第1の絶縁膜に生じた空隙
部がさらに外側に空隙部が広がることを防ぐことができる。より具体的には、例えば以下
の構成とすることができる。
膜と、半導体膜の上面部の一部と接触する領域を有するソース電極およびドレイン電極と
、ソース電極、ドレイン電極および半導体膜を覆い、半導体膜上におけるソース電極およ
びドレイン電極によって形成される段差領域に空隙部を有し、酸化シリコンを成分として
含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の空隙部を塞ぐように第1の絶縁膜に接して設けられ
た窒化シリコンを成分として含む第2の絶縁膜と、を有する半導体装置である。
ソース電極およびドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極および半導体膜を覆い、半
導体膜上におけるソース電極およびドレイン電極によって形成される段差領域に空隙部を
有し、酸化シリコンを成分として含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の空隙部を塞ぐよう
に第1の絶縁膜に接して設けられた窒化シリコンを成分として含む第2の絶縁膜と、第2
の絶縁膜を介して半導体膜と重畳するゲート電極と、を有する半導体装置である。
イン電極は、半導体膜に接する第1の導電膜と、第1の導電膜上の第2の導電膜を含む積
層構造を有し、第2の導電膜の側端面が第1の導電膜の上面にある。
が2.26g/cm3以上2.50g/cm3以下であると好ましい。
窒化シリコン膜であり、第2の絶縁膜は、窒化シリコン膜であると好ましい。
、前記第2の絶縁膜の膜厚より大きい。
導体膜であると好ましい。
なる半導体膜を形成し、半導体膜の上面部の一部と接触する領域を有するソース電極およ
びドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極および半導体膜を覆い、半導体膜上
におけるソース電極およびドレイン電極によって形成される段差領域に空隙部を有し、酸
化シリコンを成分として含む第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜の空隙部を塞ぐように
第1の絶縁膜に接して設けられた窒化シリコンを成分として含む第2の絶縁膜を形成する
半導体装置の作製方法である。
領域を有するソース電極およびドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極および
半導体膜を覆い、半導体膜上におけるソース電極およびドレイン電極によって形成される
段差領域に空隙部を有し、酸化シリコンを成分として含む第1の絶縁膜を形成し、第1の
絶縁膜の空隙部を塞ぐように第1の絶縁膜に接して設けられた窒化シリコンを成分として
含む第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上に半導体膜と重畳するゲート電極を形成する
半導体装置の作製方法である。
およびドレイン電極は、半導体膜に接する第1の導電膜と、第1の導電膜上の第2の導電
膜を含む積層構造を有し、第1の導電膜および第2の導電膜のエッチング処理を行い、エ
ッチング処理により、第2の導電膜の側端面が第1の導電膜の上面にある。
膜の膜密度が2.26g/cm3以上2.50g/cm3以下であると好ましい。
膜は、酸化窒化シリコン膜であり、第2の絶縁膜は、窒化シリコン膜であると好ましい。
膜の膜厚は、第2の絶縁膜の膜厚より大きい。
、酸化物半導体膜であると好ましい。
ことができる。
説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳
細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は
、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れかわることがある。このた
め、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れかえて用いるこ
とができるものとする。
場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気
信号の授受を可能とするものであれば、特に制限はない。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
のである。
されている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」
とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って
、85°以上95°以下の場合も含まれる。
す。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について図面を用いて説明する。図1
に本発明の一態様の半導体装置である、トランジスタ450の上面図および断面図を示す
。図1(A)はトランジスタ450の上面図を示し、図1(B)は図1(A)に示す一点
鎖線A-Bにおける断面図を示したものである。
電極402と、ゲート電極402上に設けられたゲート絶縁膜404と、ゲート絶縁膜4
04上に設けられ、ゲート電極402と重畳する半導体膜406と、半導体膜406上に
設けられたソース電極408aおよびドレイン電極408bと、を有する。また、ソース
電極408aおよびドレイン電極408bを覆い、半導体膜406と接する絶縁膜412
をトランジスタ450の構成要素としてもよい。さらに絶縁膜412を覆う層間絶縁膜4
14と、層間絶縁膜414上に、絶縁膜412および層間絶縁膜414に設けられた開口
部を介してドレイン電極408bと電気的に接続する電極416が設けられている。なお
、本実施の形態では、電極416がドレイン電極408bと電気的に接続しているがこれ
に限られず、電極416がソース電極408aと電気的に接続していてもよい。
膜404aと、ゲート絶縁膜404aおよび半導体膜406と接するゲート絶縁膜404
bの積層構造とする。また、絶縁膜412は、半導体膜406、ソース電極408aおよ
びドレイン電極408bと接する第1の絶縁膜である酸化物絶縁膜410と、酸化物絶縁
膜410上の保護膜として機能する第2の絶縁膜である窒化物絶縁膜411の積層構造と
する。また、酸化物絶縁膜410は、半導体膜406、ソース電極408aおよびドレイ
ン電極408bと接し、低電力条件で形成され、被覆性が高い酸化物絶縁膜410aと、
酸化物絶縁膜410a上の酸化物絶縁膜410bの積層構造とする。
覆う部分の酸化物絶縁膜410中に、空隙部413が生じる。この空隙部413は該空隙
部413を形成する膜より低誘電率であるため、半導体装置の微細化に伴う配線間に生じ
る容量を低減することができ、高い集積度を保持しつつ、高速動作を可能とする。また、
この空隙部413の部分から半導体膜406に水分が浸入し、トランジスタ450の特性
に悪影響が及ぶ恐れがあるが窒化物絶縁膜411を酸化物絶縁膜410上に設けることで
酸化物絶縁膜410に生じた空隙部を覆うことができる。
0の外側に空隙部413が広がることを防ぐことができる。また、窒化物絶縁膜411に
よって空隙部413は、埋められることもある。また、窒化物絶縁膜411は、外部や後
に形成される層間絶縁膜414から水素または水素を含む化合物(水など)が半導体膜4
06へと浸入することを抑制するバリア膜として機能する。
る配線を含む)を形成する。
くとも後の熱処理に耐えられる程度の耐熱性を有することが必要となる。例えば、バリウ
ムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス等のガラス基板、セラミック基板、石英
基板、サファイヤ基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコン等の単
結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SO
I基板等を適用することができ、これらの基板に半導体素子が設けられたものを基板40
0として用いてもよい。
ウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合
金材料を用いて形成することができる。また、ゲート電極402としてリン等の不純物元
素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイド等のシ
リサイド膜を用いてもよい。
インジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウムスズ酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛、酸
化シリコンを添加したインジウムスズ酸化物等の導電性材料を適用することもできる。
を含むIn-Sn系酸化物、窒素を含むIn-Ga系酸化物、窒素を含むIn-Zn系酸
化物、窒素を含むSn系酸化物、窒素を含むIn系酸化物、金属窒化物膜(窒化インジウ
ム膜、窒化亜鉛膜、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜など)を用いてもよい。これら
の材料は、5電子ボルト以上の仕事関数を有するため、これらの材料を用いてゲート電極
402を形成することでトランジスタの電気特性において、しきい値電圧をプラスにする
ことができ、ノーマリオフのスイッチングトランジスタを実現できる。また、ゲート電極
402は単層構造としてもよいし、例えば、窒化タンタルの上に銅が形成されている積層
構造としてもよい。ゲート電極402はテーパー形状としてもよく、例えばテーパー角を
15°以上70°以下とすればよい。ここで、テーパー角とは、テーパー形状を有する層
の側端面と、当該層の底面との間の角度を指す。
する(図2(A)参照)。ゲート絶縁膜404としては、プラズマCVD法、スパッタリ
ング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウ
ム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セ
リウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いる。
また、ゲート絶縁膜404の成膜後に酸素欠損を修復するためのマイクロ波プラズマ処理
を行ってラジカル酸化処理を行うことが好ましい。
して、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。
して、酸素よりも窒素の含有量が多いものをいう。
実施の形態においては、ゲート絶縁膜404b)は、酸化物絶縁膜であることが好ましい
。
てもよい。また、非晶質半導体膜の材料としては、シリコンやシリコンゲルマニウム(S
iGe)合金などを用いることができる。また、酸化物半導体膜を用いることができる。
ース電極408aおよびドレイン電極408b(これと同じ層で形成される配線を含む)
を形成する(図2(C)参照)。
、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む導電膜、または上述した元素を成分とす
る金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いるこ
とができる。また、Al、Cuなどの導電膜の下側または上側の一方、または双方にTi
、Mo、Wなどの高融点導電膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブ
デン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としてもよい。また、ソース電極408
aおよびドレイン電極408bを、導電性の金属酸化物で形成してもよい。導電性の金属
酸化物としては酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(Zn
O)、酸化インジウム酸化スズ(In2O3-SnO2)、酸化インジウム酸化亜鉛(I
n2O3-ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。
Zn-O膜、窒素を含むIn-Sn-O膜、窒素を含むIn-Ga-O膜、窒素を含むI
n-Zn-O膜、窒素を含むSn-O膜、窒素を含むIn-O膜等の金属窒化物膜を用い
ることができる。また、ソース電極408aおよびドレイン電極408bの端部は、テー
パー形状であることが好ましい。このようにすることで、絶縁膜の被覆性を向上させ、段
切れを防止することができる。ここで、テーパー角は、例えば、30°以上70°以下、
好ましくは30°以上60°以下とする。
面特性の問題から、例えば、図8(A)のように導電膜407a、導電膜407bおよび
導電膜407cの積層構造として形成する場合において、導電膜の積層をエッチング処理
によって加工すると、導電膜の種類によってエッチングされる速度が異なるため、図8(
B)に示すように導電膜407cの側端面が導電膜407bの上面に接し、導電膜407
bの側端面が導電膜407aの上面に接することでソース電極408aおよびドレイン電
極408bの側端面に段差が生じる。
が生じる。また、本実施の形態では、ソース電極408aおよびドレイン電極408bの
側端面の段差が顕著である導電膜の積層構造を用いて説明しているが、これに限られず、
導電膜単層でも側端面の角部により後に形成される酸化物絶縁膜410中に空隙部が生じ
る。酸化物絶縁膜410中の空隙部については、後で説明する。
408bを覆うように、絶縁膜412の一部である酸化物絶縁膜410を形成する(図3
(A)参照)。
あり、プラズマCVD法、スパッタリング法により形成することができ、半導体膜406
と接するため、半導体膜406へ酸素を供給することが可能な膜を用いることが好ましい
。また、酸化物絶縁膜410として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を単層で、
または積層して用いることができる。また、酸化物絶縁膜410として、酸化ガリウム膜
、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜等を用いることもできる。
基板を300℃以上400℃以下、さらに好ましくは320℃以上370℃以下に保持し
、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250Pa以下と
し、処理室内に設けられる電極に高周波電力を供給する条件により、酸化物絶縁膜410
aとして、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
力が強くなる。この結果、酸化物絶縁膜410aとして、酸素が透過し、緻密であり、且
つ硬い酸化物絶縁膜、代表的には、25℃において0.5重量%のフッ酸に対するエッチ
ング速度が10nm/分以下、好ましくは8nm/分以下である酸化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜を形成することができる。
0sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基板温度を22
0℃とし、27.12MHzの高周波電源を用いて150Wの高周波電力を平行平板電極
に供給したプラズマCVD法により、厚さ50nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。当
該条件により、酸素が透過する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
基板を180℃以上260℃以下、さらに好ましくは200℃以上240℃以下に保持し
、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250Pa以下、
さらに好ましくは100Pa以上200Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に0.
17W/cm2以上0.5W/cm2以下、さらに好ましくは0.25W/cm2以上0
.35W/cm2以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化窒
化シリコン膜を形成する。
体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシ
ラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化
二窒素、二酸化窒素等がある。
高周波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカル
が増加し、原料ガスの酸化が進むため、酸化物絶縁膜410b中における酸素含有量が化
学量論比よりも多くなる。しかしながら、基板温度が、上記温度であると、シリコンと酸
素の結合力が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を
満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜を形
成することができる。また、半導体膜406上に酸化物絶縁膜410aが設けられている
。このため、酸化物絶縁膜410bの形成工程において、酸化物絶縁膜410aが半導体
膜406の保護膜となる。これらの結果、半導体膜406へのダメージを低減しつつ、パ
ワー密度の高い高周波電力を用いて酸化物絶縁膜410bを形成することができる。
ン電極408bと接し、低電力条件で形成され、被覆性が高い酸化物絶縁膜410aと、
酸化物絶縁膜410a上の酸化物絶縁膜410bの積層構造にすると好ましい。
酸化物絶縁膜410を形成する際に図8(C)のような空隙部413が生じる。このよう
な空隙部413は、絶縁膜412の断面形状をSTEM(Scanning Trans
mission Electron Microscopy)法によって観測することで
、確認することができる。この空隙部413は該空隙部413を形成する膜より低誘電率
であるため、半導体装置の微細化に伴う配線間に生じる容量を低減することができ、高い
集積度を保持しつつ、高速動作を可能とする。
410は、空隙部(低密度領域)を有することにより、膜全体としてより膜密度が小さい
特徴を有する。
y)によって測定される好ましい膜全体の膜密度は、2.26g/cm3以上2.50g
/cm3以下である。
、150℃以上基板歪み点未満、好ましくは200℃以上450℃以下、さらに好ましく
は300℃以上450℃以下とする。
照)。
き、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を単層で、または積層して用いることができる。
また、窒化物絶縁膜411として、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を用いる
こともできる。また、窒化物絶縁膜411を被覆性の高い膜とすると、ソース電極408
aおよびドレイン電極408bの側端面の段差がより緩やかになるため(段差部分が平坦
化されるため)、段差に起因した空隙部が入りにくくなるので好ましい。また、窒化物絶
縁膜411の替わりに酸化アルミニウムを用いることもできる。
差により酸化物絶縁膜410に生じた空隙部を覆う機能を有する。さらに、窒化物絶縁膜
411によって空隙部を遮断することで酸化物絶縁膜410の外側に空隙部が広がること
を防ぐことができる。また、窒化物絶縁膜411によって空隙部は、埋められることもあ
る。また、窒化物絶縁膜411は、外部や後に形成される層間絶縁膜414から水素また
は水素を含む化合物(水など)が半導体膜406へと浸入することを抑制するバリア膜と
して機能するため、トランジスタの信頼性を向上させることができる。
イミド、ポリアミド等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、シ
リコーン樹脂等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積
層させて、層間絶縁膜414を形成してもよい。
開口部を介してドレイン電極408bと電気的に接続する電極416を形成する(図3(
C)参照)。
ることができる。また、電極416は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化
タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す)、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性
材料を用いることができる。
るため、半導体装置の微細化に伴う配線間に生じる容量を低減することができ、高い集積
度を保持しつつ、高速動作を可能とする。窒化物絶縁膜411によって空隙部を遮断する
ことで酸化物絶縁膜410の外側に空隙部が広がることを防ぐことができる。また、窒化
物絶縁膜411によって空隙部は、埋められることもある。また、窒化物絶縁膜411は
、外部や後に形成される層間絶縁膜414から水素または水素を含む化合物(水など)が
半導体膜406へと浸入することを抑制するバリア膜として機能するため、トランジスタ
450の信頼性を向上させることができる。
適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる半導体装置について図面を用いて説明する。
図4に本発明の一態様の半導体装置である、トランジスタ550の上面図および断面図を
示す。図4(A)はトランジスタ550の上面図を示し、図4(B)は図4(A)に示す
一点鎖線C-Dにおける断面図を示したものである。本実施の形態に示すトランジスタ5
50は、実施の形態1に示すトランジスタ450と比較して、トップゲート構造のトラン
ジスタである点が異なる。
縁膜401と、下地絶縁膜401上に設けられた半導体膜406と、下地絶縁膜401お
よび半導体膜406上に設けられたソース電極408aおよびドレイン電極408bと、
ソース電極408aおよびドレイン電極408bを覆い、半導体膜406と接するゲート
絶縁膜512と、ゲート絶縁膜512上に設けられ、半導体膜406と重畳するゲート電
極402と、を有する。また、トランジスタ550を覆う層間絶縁膜414と、層間絶縁
膜414上に、絶縁膜412および層間絶縁膜414に設けられた開口部を介してドレイ
ン電極408bと電気的に接続する電極416が設けられている。なお、本実施の形態で
は、電極416がドレイン電極408bと電気的に接続しているがこれに限られず、電極
416がソース電極408aと電気的に接続していてもよい。
およびドレイン電極408bと接する第1の絶縁膜である酸化物絶縁膜510と、酸化物
絶縁膜510上の保護膜として機能する第2の絶縁膜である窒化物絶縁膜511の積層構
造とする。また、酸化物絶縁膜510は、半導体膜406、ソース電極408aおよびド
レイン電極408bと接し、低電力条件で形成され、被覆性が高い酸化物絶縁膜510a
と、酸化物絶縁膜510a上の酸化物絶縁膜510bの積層構造とする。
覆う部分の酸化物絶縁膜510中に、空隙部413が生じる。この空隙部413は、該空
隙部413を形成する膜より低誘電率であるため、半導体装置の微細化に伴う配線間に生
じる容量を低減することができ、高い集積度を保持しつつ、高速動作を可能とする。また
、この空隙部413の部分から半導体膜406に水分が浸入し、トランジスタ550の特
性に悪影響が及ぶ恐れがあるが窒化物絶縁膜511を酸化物絶縁膜510上に設けること
で酸化物絶縁膜510に生じた空隙部を覆うことができる。
0の外側に空隙部413が広がることを防ぐことができる。また、窒化物絶縁膜511に
よって空隙部413は、埋められることもある。また、窒化物絶縁膜511は、外部や後
に形成される層間絶縁膜414から水素または水素を含む化合物(水など)が半導体膜4
06へと浸入することを抑制するバリア膜として機能する。
よび下地絶縁膜401の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1の基板400およびゲ
ート絶縁膜404を参酌することができる。
406の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1の半導体膜406を参酌することがで
きる。
ース電極408aおよびドレイン電極408b(これと同じ層で形成される配線を含む)
を形成する(図5(B)参照)。ソース電極408aおよびドレイン電極408bの材料
ならびに作製方法等は、実施の形態1のソース電極408aおよびドレイン電極408b
を参酌することができる。
側端面に段差が生じ、この段差により後に形成されるゲート絶縁膜512中に空隙部が生
じる。ゲート絶縁膜512中に空隙部については、後で説明する。
08bを覆うように、ゲート絶縁膜512の一部である酸化物絶縁膜510を形成する(
図5(C)参照)。
aおよびドレイン電極408bと接し低電力条件で形成され、被覆性が高い酸化物絶縁膜
510aと、酸化物絶縁膜510a上の酸化物絶縁膜510bの積層構造にすると好まし
い。酸化物絶縁膜510の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1の酸化物絶縁膜41
0を参酌することができる。
酸化物絶縁膜510を形成する際に実施の形態1で示したような空隙部413が生じる。
この空隙部413は、該空隙部413を形成する膜より低誘電率であるため、半導体装置
の微細化に伴う配線間に生じる容量を低減することができ、高い集積度を保持しつつ、高
速動作を可能とする。
物絶縁膜510bは、低密度領域を有することにより、全体としての膜密度が小さい特徴
を有する。
etry)によって測定される好ましい膜全体の膜密度は、2.26g/cm3以上2.
50g/cm3以下である。
照)。窒化物絶縁膜511の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1の窒化物絶縁膜4
11を参酌することができる。
差により酸化物絶縁膜510に生じた空隙部を覆う機能を有する。さらに、窒化物絶縁膜
511によって空隙部を遮断することで酸化物絶縁膜510の外側に空隙部が広がること
を防ぐことができる。また、窒化物絶縁膜511によって空隙部は、埋められることもあ
る。また、窒化物絶縁膜511は、外部や後に形成される層間絶縁膜414から水素また
は水素を含む化合物(水など)が半導体膜406へと浸入することを抑制するバリア膜と
して機能するため、トランジスタの信頼性を向上させることができる。
(図6(B)参照)。ゲート電極402の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1のゲ
ート電極402を参酌することができる。
縁膜414に開口部を設け、層間絶縁膜414上に該開口部を介してドレイン電極408
bと電気的に接続する電極416を形成する(図6(C)参照)。層間絶縁膜414およ
び電極416の材料ならびに作製方法等は、実施の形態1の層間絶縁膜414および電極
416を参酌することができる。
膜からなる絶縁膜530を設けてもよい。酸化物絶縁膜を覆う窒化物絶縁膜を形成するこ
とで、ゲート電極402の側端面の角部により絶縁膜530中に空隙部が生じるが上記構
成にすることで窒化物絶縁膜によって空隙部を遮断することで酸化物絶縁膜の外側に空隙
部が広がることを防ぐことができる。また、ゲート絶縁膜512を、酸化物絶縁膜を覆う
窒化物絶縁膜の積層構造にしなく、絶縁膜530を、酸化物絶縁膜を覆う窒化物絶縁膜の
積層構造にする構成としてもよい。
るため、半導体装置の微細化に伴う配線間に生じる容量を低減することができ、高い集積
度を保持しつつ、高速動作を可能とする。また、窒化物絶縁膜511によって空隙部を遮
断することで酸化物絶縁膜510の外側に空隙部が広がることを防ぐことができる。また
、窒化物絶縁膜511によって空隙部は、埋められることもある。また、窒化物絶縁膜5
11は、外部や後に形成される層間絶縁膜414から水素または水素を含む化合物(水な
ど)が半導体膜406へと浸入することを抑制するバリア膜として機能するため、トラン
ジスタ550の信頼性を向上させることができる。
適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2と異なる半導体装置について図7
を用いて説明する。
ト電極を有することを特徴とする。トランジスタ560は、絶縁表面を有する基板400
上に設けられたゲート電極552と、ゲート電極552上に設けられた下地絶縁膜401
と、下地絶縁膜401上に設けられた半導体膜406と、下地絶縁膜401および半導体
膜406上に設けられたソース電極408aおよびドレイン電極408bと、ソース電極
408aおよびドレイン電極408bを覆い、半導体膜406と接するゲート絶縁膜51
2と、ゲート絶縁膜512上に設けられ、半導体膜406と重畳するゲート電極402と
、を有する。また、トランジスタ560を覆う層間絶縁膜414と、層間絶縁膜414上
に、絶縁膜412および層間絶縁膜414に設けられた開口部を介してドレイン電極40
8bと電気的に接続する電極416が設けられている。
酌することができる。
極552およびゲート電極402を有する。ゲート電極552およびゲート電極402に
異なる電位を印加することで、トランジスタ560のしきい値電圧を制御することができ
る。または、ゲート電極552およびゲート電極402に同電位を印加することで、トラ
ンジスタ560のオン電流を増加させることができる。
)に示すトランジスタ570は、実施の形態1のトランジスタ450の酸化物絶縁膜41
0の酸化物絶縁膜410b上にさらに酸化物絶縁膜410cを設けた構造となっている。
また、図7(C)に示すトランジスタ580は、さらに酸化物絶縁膜410c上に酸化物
絶縁膜410dおよび酸化物絶縁膜410eの積層を設けた構造となっている。なお、酸
化物絶縁膜410cおよび酸化物絶縁膜410eは、酸化物絶縁膜410aと同様のもの
を用いることができ、酸化物絶縁膜410dは、酸化物絶縁膜410bと同様のものを用
いることができる。
密度な膜となっており、ソース電極408aおよびドレイン電極408bの側端面の段差
に対する被覆性が高いため上記のように積層することで、段差を緩やかにすることができ
る。
絶縁膜410bを形成することにより、酸化物絶縁膜410bは酸化物絶縁膜410aの
効果(段差への被覆性が高いことによる、段差部分の平坦化)により、段差に起因した空
隙部が入りにくくなる。
電極408aおよびドレイン電極408bと接する領域の膜厚よりも小さい。半導体膜4
06において、膜厚の小さい領域は、ソース電極408aおよびドレイン電極408bと
なる導電膜の加工の際に一部がエッチングされることによって、またはソース電極408
aおよびドレイン電極408bを形成後に半導体膜406の露出した領域にエッチング処
理を行うことによって、形成される。当該領域は、トランジスタ570およびトランジス
タ580のチャネル形成領域として機能する領域である。
08aおよびドレイン電極408bと接する領域の抵抗をチャネル形成領域と比較して低
減することができる。よって、半導体膜406と、ソース電極408aおよびドレイン電
極408bとのコンタクト抵抗を低減することが可能となる。
適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、先の実施の形態において、半導体膜406に酸化物半導体膜を用い
た場合について説明する。
く制御することができ、また、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可
能である。また、先の実施の形態において、窒化物絶縁膜の下の酸化物絶縁膜を、酸素を
供給することができる膜にすることで、加熱時に窒化物絶縁膜によって閉空間になった空
隙部から酸素を放出させ、酸化物半導体膜に酸素を供給することで、上述の効果がより顕
著になる。以下で、酸化物半導体膜の成膜方法を説明する。
am Epitaxy)法、CVD(Chemical Vapor Depositi
on)法、パルスレーザ堆積法(Pulsed Laser Deposition:P
LD法)、ALD(Atomic Layer Deposition)法等を適宜用い
ることができる。
て、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、トラ
ンジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜
において、水素濃度は、5×1018atoms/cm3未満、好ましくは1×1018
atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以下、さらに
好ましくは1×1016atoms/cm3以下とする。なお、上述の酸化物半導体膜中
の水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mas
s Spectrometry)で測定されるものである。
酸基または水素化物などの不純物が含まれないことが好ましい。換言すると、純度が6N
以上好ましくは7N以上(すなわち、ガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0
.1ppm以下)のガスを用いることが好ましい。
基または水酸化物を含む)を除去するために、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポ
ンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排
気手段は、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオ
ポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水(H2O)など水素原子を含む
化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)等が排気されるため、当該成膜室で成
膜した酸化物半導体膜に含まれる水素、水分などの不純物の濃度を低減できる。
下、好ましくは95%以上100%以下であることが望ましい。相対密度の高いターゲッ
トを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
こで、金属元素Mは酸素との結合エネルギーがInおよびZnよりも高い元素である。ま
たは、In-M-Zn-O系材料から酸素が脱離することを抑制する機能を有する元素で
ある。金属元素Mの作用によって、酸化物半導体膜の酸素欠損の生成が抑制される。その
ため、酸素欠損に起因するトランジスタの電気特性の変動を低減することができ、信頼性
の高いトランジスタを得ることができる。
a、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、
Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、TaまたはWとすればよく、好ましくはA
l、Ti、Ga、Y、Zr、CeまたはHfとする。金属元素Mは、前述の元素から一種
または二種以上選択すればよい。また、金属元素Mに変えてGeを用いることもできる。
キャリア移動度およびキャリア密度が高まる。結果、Inの濃度が高いほど導電率の高い
酸化物半導体となる。
非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸
化物半導体膜、CAAC-OS(C Axis Aligned Crystallin
e Oxide Semiconductor)膜などをいう。
酸化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造
の酸化物半導体膜が典型である。
晶ともいう。)を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも
原子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よ
りも欠陥準位密度が低いという特徴がある。
結晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。従って、CAAC-
OS膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体
内に収まる大きさの場合も含まれる。CAAC-OS膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも
欠陥準位密度が低いという特徴がある。以下、CAAC-OS膜について詳細な説明を行
う。
tron Microscope)によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、C
AAC-OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
察)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹
凸を反映した形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
EM観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
ていることがわかる。
装置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC-OS
膜のout-of-plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピーク
が現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属され
ることから、CAAC-OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に
概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
lane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸
化物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)
として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面
に帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC-OS膜の場合は、2θを
56°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
不規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平
行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
行った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC-OS膜の被形成面ま
たは上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC-OS膜の
形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC-OS膜の被形成
面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
膜の結晶部が、CAAC-OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CA
AC-OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
法による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現
れる場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC-OS膜中の一部に、c軸配向
性を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍
にピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
AAC-OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
を用い、スパッタリング法によって成膜する。当該スパッタリング用ターゲットにイオン
が衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がab面から劈開し、a
b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離するこ
とがある。この場合、当該平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板
に到達することで、CAAC-OS膜を成膜することができる。
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素および窒素など)
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が-80℃以下、好ましくは-100℃以下、さらに好ましくは-120℃以下である成
膜ガスを用いる。
グレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を100℃以上740℃以下、好まし
くは200℃以上500℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、
平板状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり
、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100
体積%とする。
いて以下に示す。
後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn-G
a-Zn系酸化物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは任意の正数である。ここで
、所定のmol比は、例えば、InOX粉末、GaOY粉末およびZnOZ粉末が、2:
2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3または3:1:2である。な
お、粉末の種類、およびその混合するmol比は、作製するスパッタリング用ターゲット
によって適宜変更すればよい。
態とすることが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する
場合、成膜ガスの酸素の占める割合が多い条件で成膜することが好ましく、特に酸素雰囲
気(酸素ガス100%)で成膜を行うことが好ましい。成膜ガスの酸素の占める割合が多
い条件、特に酸素ガス100%の雰囲気で成膜すると、例えば、成膜温度を300℃以上
としても、膜中からのZnの放出が抑えられる。
酸化物半導体膜を、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜の積層として、第1の
酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜に、異なる組成の金属酸化物を用いてもよい。例
えば、第1の酸化物半導体膜に三つ金属元素を含む酸化物を用い、第2の酸化物半導体膜
に二つ金属元素を含む酸化物を用いてもよい。また、例えば、第1の酸化物半導体膜と第
2の酸化物半導体膜を、どちらも三つ金属元素を含む酸化物としてもよい。
成を異ならせてもよい。例えば、第1の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=
1:1:1とし、第2の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2とし
てもよい。また、第1の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:3:2とし
、第2の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=2:1:3としてもよい。
酸化物半導体膜のInとGaの含有率をIn>Gaとするとよい。また、ゲート電極から
遠い側の酸化物半導体膜のInとGaの含有率をIn≦Gaとするとよい。
率を高くすることによりs軌道のオーバーラップが多くなる傾向があるため、In>Ga
の組成となる酸化物はIn≦Gaの組成となる酸化物と比較して高い移動度を備える。ま
た、GaはInと比較して酸素欠損の形成エネルギーが大きく酸素欠損が生じにくいため
、In≦Gaの組成となる酸化物はIn>Gaの組成となる酸化物と比較して安定した特
性を備える。
ネルの反対側)にIn≦Gaの組成となる酸化物半導体を適用することで、トランジスタ
の移動度および信頼性をさらに高めることが可能となる。
を適用してもよい。すなわち、単結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化物半導体膜、非晶質酸
化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、またはCAAC-OS膜を適宜組み合わせた構成
としてもよい。また、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜の少なくともどちら
か一方に非晶質酸化物半導体を適用すると、酸化物半導体膜の内部応力や外部からの応力
を緩和し、トランジスタの特性ばらつきが低減され、また、トランジスタの信頼性をさら
に高めることが可能となる。
酸素欠損を生じやすいためn型化されやすい。このため、チャネル側の酸化物半導体膜は
、CAAC-OS膜などの結晶性を有する酸化物半導体を適用することが好ましい。
導体膜を挟む構造としてもよい。また、結晶性半導体膜と非晶質半導体膜を交互に積層す
る構造としてもよい。
み合わせて用いることができる。
加してもよい。酸素の添加は、酸素雰囲気下による熱処理や、イオン注入法、イオンドー
ピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法、酸素を含む雰囲気下で
行うプラズマ処理などを用いることができる。
する効果を高めることができる。
eflectometry)によって測定される好ましい膜全体の膜密度は、2.26g
/cm3以上2.50g/cm3以下であり、この範囲の膜密度を有する絶縁膜は、高い
酸素放出量を兼ね備えることができる。
レイン電極の上面)に吸着された後、被形成面上を表面泳動するが、該絶縁膜が酸素を供
給することができる膜であると、原料ガスの活性種のダングリングボンドが絶縁膜中の過
剰な酸素で終端されて安定化し、原料ガスの活性種が被形成面上を表面泳動する移動量が
少なくなる。これに伴い、段差部等で成膜されにくい箇所があるため、空隙部が生じやす
い。さらに、その後に成膜される膜の原料ガスの活性種が該空隙部にまで入りにくく、空
隙部がさらに広がる。
空隙部部分は酸素を多量に取り込むことができるため、加熱時に酸化物絶縁膜からの酸素
放出量を増大させることができる。よって、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を酸化物絶縁膜
からの酸素で補填することができるため、トランジスタの信頼性を向上させることができ
る。
合、酸化物絶縁膜410bは、酸化物半導体膜に酸素を供給する膜となるため、酸化物絶
縁膜410bに接して高い印加電力で窒化物絶縁膜411を形成すると、酸化物絶縁膜4
10b中に含まれる過剰な酸素が脱離し、酸素供給能力が低下する恐れがある。
eを設けることにより、窒化物絶縁膜411を形成することによる酸化物絶縁膜410b
や酸化物絶縁膜410dの酸素供給能力の低下を抑制できる。
物絶縁膜32における窒素、水素、水の移動のモデルについて、図25乃至図27を用い
て説明する。なお、図25乃至図27において、破線矢印は加熱により各原子が移動して
いる様子を表し、実線矢印は加熱処理中または加熱処理前後の変化を表す。また、酸化物
絶縁膜32として、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を
用いて説明する。
窒素原子N(ここでは2つの窒素原子)が加熱処理により、酸化物絶縁膜32または表面
において結合し、窒素分子となり、酸化物絶縁膜32から脱離するモデルである。
2に含まれる、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子(exO、ここでは2
つの酸素原子)が加熱処理により、酸化物絶縁膜32または表面において結合し、酸素分
子となり、酸化物絶縁膜32から脱離する。
酸化物絶縁膜32に含まれる、水素原子H(ここでは2つの水素原子)および化学量論的
組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子exOが加熱処理により、酸化物絶縁膜32また
は表面において結合し、水分子となり、酸化物絶縁膜32から脱離する。
に含まれる水分子が加熱処理により、酸化物絶縁膜32から脱離する。
び水の一以上が脱離することで、膜中の窒素、水素、および水の含有量を低減することが
できる。
明する。
31に含まれる窒素原子N(ここでは2つの窒素原子)が加熱処理により、酸化物半導体
膜31、酸化物半導体膜31および酸化物絶縁膜32の界面、または酸化物絶縁膜32若
しくは表面において結合し、窒素分子となり、酸化物半導体膜31から脱離する。
酸化物半導体膜31に含まれる水素原子H(ここでは2つの水素原子)が加熱処理により
酸化物絶縁膜32に移動した後、酸化物絶縁膜32またはその表面において、化学量論的
組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子exOと結合し、水分子となり、酸化物絶縁膜3
2から脱離する。
る。酸化物半導体膜31に含まれる水素原子Hが、化学量論的組成を満たす酸素よりも多
くの酸素原子exOと、加熱処理により、酸化物半導体膜31、または酸化物半導体膜3
1および酸化物絶縁膜32の界面において結合し、水分子となり、酸化物絶縁膜32から
脱離する。
動を示すモデルである。酸化物半導体膜31に含まれる水素原子Hおよび酸素原子Oが、
加熱処理により、酸化物半導体膜31、酸化物半導体膜31および酸化物絶縁膜32の界
面、または酸化物絶縁膜32若しくはその表面において結合し、水分子となり、酸化物絶
縁膜32から脱離する。このとき、酸化物半導体膜31において、酸素原子が脱離した位
置は図26(E)に示すように、酸素欠損Voとなるが、酸化物絶縁膜32に含まれる化
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子exOが酸素欠損Voの位置へ移動し、
酸素欠損Voを補填し、酸素原子Oとなる。
上が脱離することで、膜中の窒素、水素、および水の含有量を低減することができる。
7を用いて説明する。
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素は、第1の酸素原子の位置から第1の酸素原
子を押し出す。また、追い出された第1の酸素原子は第2の酸素原子の位置へ移動し、第
2の酸素原子を押し出す。このように、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素が
酸化物半導体膜31に移動すると、複数の酸素原子の間において、酸素原子の押し出しが
順に繰り返される。図27においては、複数の酸素原子の間における酸素原子の押し出し
を省略し、酸化物半導体膜31に含まれる3つの酸素欠損(Vo_1~Vo_3)と、酸
素を供給することができる酸化物絶縁膜32に含まれる酸素、具体的には化学量論的組成
を満たす酸素よりも多くの酸素原子(exO_1~exO_3)を用いて、酸素欠損の変
化のモデルについて説明する。なお、酸化物絶縁膜32は、低電力条件で形成され、被覆
性が高い酸化物絶縁膜32aと、酸素を供給することができる酸化物絶縁膜32bの積層
膜である。
3)と、酸素を供給することができる酸化物絶縁膜32bに含まれる酸素、具体的には化
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子(exO_1~exO_3)を示す。
を示す。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素原子exO_1が、加熱処理によ
り、酸化物半導体膜31に含まれる酸素欠損Vo_1の位置に移動し、酸素欠損Vo_1
を補填し、酸素原子O_1となる。
exO_2が、酸化物半導体膜31に含まれる酸素原子O_1の位置に近づくと、酸素原
子O_1の位置から、酸素原子Oが脱離する。脱離した酸素原子Oは、酸素欠損Vo_2
の位置へ移動し、酸素欠損Vo_2を補填し、酸素原子O_2となる。一方、酸素原子が
脱離した酸素原子O_1の位置は酸素欠損となるが、当該酸素欠損の位置に酸素原子ex
O_2が移動し、酸素原子O_1aとなる。
exO_3が、酸化物半導体膜31に含まれる酸素原子O_1aの位置に近づくと、酸素
原子O_1aの位置から、酸素原子Oが脱離する。脱離した酸素原子Oは、酸素原子O_
2の位置へ移動する。酸素原子O_2から酸素原子Oが脱離する。脱離した酸素原子Oは
、酸素欠損Vo_3を補填し、酸素原子O_3となる。一方、酸素原子が脱離した酸素原
子O_1aの位置は酸素欠損となるが、当該酸素欠損を酸素原子exO_3が移動し、酸
素原子O_1bとなる。また、酸素原子が脱離した酸素原子O_2の位置においても同様
に、酸素欠損となるが、当該酸素欠損を酸素原子O_1aから脱離した酸素が移動し、酸
素原子O_2aとなる。
酸化物半導体膜31に含まれる酸素欠損を補填することが可能である。また、酸化物半導
体膜31の表面にある酸素欠損だけでなく、膜中の酸素欠損も加熱処理により補填される
。以上のことから、加熱しながら酸素を供給することができる酸化物絶縁膜32bを形成
することで、または酸素を供給することができる酸化物絶縁膜32bを設けた後、加熱処
理をすることで、酸化物半導体膜31に含まれる酸素欠損量を低減することが可能である
。
透過する酸化絶縁膜を介して、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化
物絶縁膜32bを設けることで、酸化物半導体膜31のバックチャネル側に酸素を移動さ
せることが可能であり、当該領域の酸素欠損を低減することができる。
適宜組み合わせて用いることができる。
上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表
示装置ともいう。)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部
または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することが
できる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示装
置の例について、図9乃至図12を用いて説明する。なお、図10(A)、図10(B)
および図11は、図9(B)中でM-Nの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図
である。
、シール材905が設けられ、第2の基板906によって封止されている。図9(A)に
おいては、第1の基板901上のシール材905によって囲まれている領域とは異なる領
域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された信号線駆動
回路903、および走査線駆動回路904が実装されている。また、信号線駆動回路90
3、走査線駆動回路904、または画素部902に与えられる各種信号および電位は、F
PC(Flexible printed circuit)918a、FPC918b
から供給されている。
と、走査線駆動回路904とを囲むようにして、シール材905が設けられている。また
画素部902と、走査線駆動回路904の上に第2の基板906が設けられている。よっ
て画素部902と、走査線駆動回路904とは、第1の基板901とシール材905と第
2の基板906とによって、表示素子と共に封止されている。図9(B)および図9(C
)においては、第1の基板901上のシール材905によって囲まれている領域とは異な
る領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された信号線
駆動回路903が実装されている。図9(B)および図9(C)においては、信号線駆動
回路903、走査線駆動回路904、または画素部902に与えられる各種信号および電
位は、FPC918から供給されている。
第1の基板901に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆
動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の
一部のみを別途形成して実装しても良い。
hip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape
Automated Bonding)方法などを用いることができる。図9(A)は、
COG方法により信号線駆動回路903、走査線駆動回路904を実装する例であり、図
9(B)は、COG方法により信号線駆動回路903を実装する例であり、図9(C)は
、TAB方法により信号線駆動回路903を実装する例である。
ラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
光源(照明装置含む。)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープ
もしくはTCPが取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられた
モジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジ
ュールも全て表示装置に含むものとする。
有しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
(発光表示素子ともいう。)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)素子、有機EL素子等が含まれる。また、電子インクな
ど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
り、接続端子電極915および端子電極916はFPC918が有する端子と異方性導電
剤919を介して、電気的に接続されている。
は、トランジスタ910、トランジスタ911のソース電極およびドレイン電極(以降、
一対の電極ともいう)と同じ導電膜で形成されている。
端子電極916を有しており、接続端子電極915a、接続端子電極915bおよび端子
電極916はFPC918が有する端子と異方性導電剤919を介して、電気的に接続さ
れている。
915bは、第3の電極941と同じ導電膜から形成され、端子電極916は、トランジ
スタ910、トランジスタ911の一対の電極と同じ導電膜で形成されている。
有しており、接続端子電極955および端子電極916はFPC918が有する端子と異
方性導電剤919を介して、電気的に接続されている。
は、トランジスタ910、トランジスタ911の一対の電極と同じ導電膜で形成されてい
る。
ランジスタを複数有しており、図10および図11では、画素部902に含まれるトラン
ジスタ910と、走査線駆動回路904に含まれるトランジスタ911とを例示している
。図10(A)および図10(B)では、トランジスタ910およびトランジスタ911
には実施の形態1に示す絶縁膜412に相当する絶縁膜924が設けられ、絶縁膜924
の上にさらに平坦化膜として機能する層間絶縁膜921が設けられている。なお、絶縁膜
923は下地膜として機能する絶縁膜である。
で示したトランジスタを適用することができる。
体膜のチャネル形成領域と重なる位置に導電膜917が設けられている例を示している。
なお、半導体膜には酸化物半導体膜を用いている。導電膜917を酸化物半導体膜のチャ
ネル形成領域と重なる位置に設けることによって、BTストレス試験前後におけるトラン
ジスタ911のしきい値電圧の変動量をさらに低減することができる。また、導電膜91
7の電位は、トランジスタ911のゲート電極と同じでもよいし、異なっていても良く、
導電膜を第2のゲート電極として機能させることもできる。また、導電膜917の電位は
、GND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。
(トランジスタを含む回路部)に作用しないようにする機能(特に静電気に対する静電遮
蔽機能)も有する。導電膜917の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によ
りトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。導電膜917は
、上記実施の形態で示した、いずれのトランジスタにも適用可能である。
ルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
極などともいう)においては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、および電極の
パターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
インジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、I
TOと示す)、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物など
の透光性を有する導電性材料を用いることができる。
)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V
)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル
(Ni)、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(A
g)等の金属、またはその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、または複数種を用い
て形成することができる。
(導電性ポリマーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性
高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポ
リアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはそ
の誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若
しくはその誘導体などがあげられる。
縦電界方式を採用する例である。
電極931、および液晶層908を含む。なお、液晶層908を挟持するように配向膜と
して機能する絶縁膜932、絶縁膜933が設けられている。また、第2の電極931は
第2の基板906側に設けられ、第1の電極930と第2の電極931とは液晶層908
を介して重なる構成となっている。
される第1の電極930、第3の電極941、および液晶層908を含む。第3の電極9
41は共通電極として機能する。第1の電極930および第3の電極941の間には絶縁
膜944が設けられている。絶縁膜944は窒化シリコン膜を用いて形成する。なお、液
晶層908を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜932、絶縁膜933が設けら
れている。
サであり、第1の電極930と第2の電極931との間隔(セルギャップ)を制御するた
めに設けられている。なお、球状のスペーサを用いていても良い。
液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これ
らの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カ
イラルネマチック相、等方相等を示す。
であり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する
直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改
善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示
す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等
方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくて
もよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破
壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができ
る。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
シール材925は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂を用いることができる。
922と接し、層間絶縁膜921がシール材925の内側に設けられている。なお、ゲー
ト絶縁膜922は、窒化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜を積層して形成する。また
、絶縁膜924を選択的にエッチングする際に、ゲート絶縁膜922の上層の酸化窒化シ
リコン膜をエッチングして、窒化シリコン膜を露出させることが好ましい。この結果、シ
ール材925とゲート絶縁膜922に形成される窒化シリコン膜が接する構造となり、外
部からの水がシール材925の内部に浸入することを抑制することが可能である。
している。層間絶縁膜921がシール材925の内側に設けられていると共に、シール材
925と絶縁膜924の表面の窒化シリコン膜が接するため、外部からの水がシール材9
25の内部に浸入することを抑制することが可能である。
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸
化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対し
て1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分で
あるため、画素における開口率を高めることができる。
射防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相
差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなど
を用いてもよい。
ることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(R
は赤、Gは緑、Bは青を表す。)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表
す。)、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある
。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発
明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用す
ることもできる。
931と電気的に接続するための共通接続部(パッド部)を、基板901上に形成する例
を示す。
置され、シール材に含まれる導電性粒子を介して第2の電極931と電気的に接続される
。または、シール材と重ならない箇所(但し、画素部を除く)に共通接続部を設け、共通
接続部に重なるように導電性粒子を含むペーストをシール材とは別途設けて第2の電極9
31と電気的に接続してもよい。
当する。
10のソース電極971またはドレイン電極973と同じ材料および同じ工程で作製され
る。
24および層間絶縁膜921は、共通電位線975と重なる位置に複数の開口部を有して
いる。この開口部は、トランジスタ910のソース電極971またはドレイン電極973
の一方と、第1の電極930とを接続するコンタクトホールと同じ工程で作製される。
77は、層間絶縁膜921上に設けられ、接続端子電極915や、画素部の第1の電極9
30と同じ材料および同じ工程で作製される。
製することができる。
の第2の電極931と電気的に接続が行われる。
電極と同じ材料、同じ工程で作製してもよい。
絶縁膜924、および層間絶縁膜921の下層に設けられ、ゲート絶縁膜922、絶縁膜
924、および層間絶縁膜921は、共通電位線985と重なる位置に複数の開口部を有
する。該開口部は、トランジスタ910のソース電極971またはドレイン電極973の
一方と第1の電極930とを接続するコンタクトホールと同じ工程で絶縁膜924および
層間絶縁膜921をエッチングした後、さらにゲート絶縁膜922を選択的にエッチング
することで形成される。
87は、層間絶縁膜921上に設けられ、接続端子電極915や、画素部の第1の電極9
30と同じ材料および同じ工程で作製される。
987はそれぞれ、第3の電極941と接続する。
素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材
料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機
EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキ
ャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形
成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよ
うな発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を
有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-
アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み
、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を
利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明
する。
して、基板上にトランジスタおよび発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側および基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適
用することができる。
子963は、画素部902に設けられたトランジスタ910と電気的に接続している。な
お、発光素子963の構成は、第1の電極930、発光層951、第2の電極931の積
層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子963から取り出す光の方向など
に合わせて、発光素子963の構成は適宜変えることができる。
リコン膜950は、層間絶縁膜921および絶縁膜924の側面と接する。窒化シリコン
膜950および第1の電極930の端部上に隔壁960を有する。隔壁960は、有機絶
縁材料、または無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電
極930上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜
面となるように形成することが好ましい。
ていてもどちらでも良い。
31および隔壁960上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウム、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板901、第2の
基板906、およびシール材936によって封止された空間には充填材964が設けられ
密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護
フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージン
グ(封入)することが好ましい。
ットガラスなどを用いることができる。フリットガラスは、水や酸素などの不純物に対し
てバリア性が高いため好ましい。また、シール材936としてフリットガラスを用いる場
合、図11に示すように、窒化シリコン膜950上にフリットガラスを設けることで、窒
化シリコン膜950およびフリットガラスの密着性を高めると共に、外部からシール材9
36内部への水の浸入を妨げることができる。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル樹脂、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA
(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いれ
ばよい。
)、位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けて
もよい。また、偏光板または円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸
により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
る信頼性のよい半導体装置を提供することができる。
能である。
上述した先の実施の形態のトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取るイメージセ
ンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。
はフォトセンサの等価回路であり、図13(B)はフォトセンサの一部を示す断面図であ
る。
他方の電極がトランジスタ640のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ64
0は、ソースまたはドレインの一方がフォトセンサ基準信号線672に、ソースまたはド
レインの他方がトランジスタ656のソースまたはドレインの一方に電気的に接続されて
いる。トランジスタ656は、ゲートがゲート信号線659に、ソースまたはドレインの
他方がフォトセンサ出力信号線671に電気的に接続されている。
に判明できるように、酸化物半導体膜を用いるトランジスタの記号には「OS」と記載し
ている。図13(A)において、トランジスタ640、トランジスタ656は先の実施の
形態に示したトランジスタが適用でき、酸化物半導体膜を用いるトランジスタである。本
実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタ450と同様な構造を有するトラン
ジスタを適用する例を示す。
40に示す断面図であり、絶縁表面を有する基板601(素子基板)上に、センサとして
機能するフォトダイオード602およびトランジスタ640が設けられている。フォトダ
イオード602、トランジスタ640の上には接着層608を用いて基板613が設けら
れている。
ている。フォトダイオード602は、平坦化膜633上に形成された電極641bと、電
極641b上に順に積層された第1の半導体膜606a、第2の半導体膜606b、およ
び第3の半導体膜606cと、平坦化膜634上に設けられ、第1乃至第3の半導体膜を
介して電極641bと電気的に接続する電極642と、電極641bと同じ層に設けられ
、電極642と電気的に接続する電極641aと、を有している。
42は電極641aを介して導電膜645と電気的に接続している。導電膜645は、ト
ランジスタ640のゲート電極と電気的に接続しており、フォトダイオード602はトラ
ンジスタ640と電気的に接続している。
導体膜606bとして高抵抗な半導体膜(i型半導体膜)、第3の半導体膜606cとし
てn型の導電型を有する半導体膜を積層するpin型のフォトダイオードを例示している
。
ルファスシリコン膜により形成することができる。第1の半導体膜606aの形成には1
3族の不純物元素(例えばボロン(B))を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCV
D法により形成する。半導体材料ガスとしてはシラン(SiH4)を用いればよい。また
は、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等を用いてもよ
い。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオ
ン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入
法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよ
い。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成
長法、またはスパッタリング法等を用いればよい。第1の半導体膜606aの膜厚は10
nm以上50nm以下となるよう形成することが好ましい。
コン膜により形成する。第2の半導体膜606bの形成には、半導体材料ガスを用いて、
アモルファスシリコン膜をプラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしては、
シラン(SiH4)を用いればよい。または、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl
3、SiCl4、SiF4等を用いてもよい。第2の半導体膜606bの形成は、LPC
VD法、気相成長法、スパッタリング法等により行ってもよい。第2の半導体膜606b
の膜厚は200nm以上1000nm以下となるように形成することが好ましい。
モルファスシリコン膜により形成する。第3の半導体膜606cの形成には、15族の不
純物元素(例えばリン(P))を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCVD法により
形成する。半導体材料ガスとしてはシラン(SiH4)を用いればよい。または、Si2
H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等を用いてもよい。また、
不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を
用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により
不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場
合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成長法、また
はスパッタリング法等を用いればよい。第3の半導体膜606cの膜厚は20nm以上2
00nm以下となるよう形成することが好ましい。
6cは、アモルファス半導体ではなく、多結晶半導体を用いて形成してもよいし、セミア
モルファス(Semi Amorphous Semiconductor:SAS))
半導体を用いて形成してもよい。
のフォトダイオードはp型の半導体膜側を受光面とする方がよい特性を示す。ここでは、
pin型のフォトダイオードが形成されている基板601の面からフォトダイオード60
2が受ける光を電気信号に変換する例を示す。また、受光面とした半導体膜側とは逆の導
電型を有する半導体膜側からの光は外乱光となるため、電極は遮光性を有する導電膜を用
いるとよい。また、n型の半導体膜側を受光面として用いることもできる。
材料に応じて、スパッタリング法、プラズマCVD法、スピンコート、ディップ、スプレ
ー塗布、液滴吐出法(インクジェット法)、スクリーン印刷、オフセット印刷等を用いて
形成することができる。なお、絶縁膜632は、実施の形態1の絶縁膜412と同様のも
のを用いる。
シクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用
いることができる。また、上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)、
シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等の単層、ま
たは積層を用いることができる。
取ることができる。なお、被検出物の情報を読み取る際にバックライトなどの光源を用い
ることができる。
み合わせて用いることができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用するこ
とができる。電子機器としては、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機
ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デ
ジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊
技機(パチンコ機、スロットマシン等)、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器の
具体例を図14に示す。
、筐体9001に表示部9003が組み込まれており、表示部9003により映像を表示
することが可能である。なお、4本の脚部9002により筐体9001を支持した構成を
示している。また、電力供給のための電源コード9005を筐体9001に有している。
であり、電子機器に高い信頼性を付与することができる。
に表示された表示ボタン9004を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力する
ことができ、また他の家電製品との通信を可能とする、または制御を可能とすることで、
画面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、実施の
形態6に示したイメージセンサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部9003にタ
ッチ入力機能を持たせることができる。
垂直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、
大きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブル
に表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
は、筐体9101に表示部9103が組み込まれており、表示部9103により映像を表
示することが可能である。なお、ここではスタンド9105により筐体9101を支持し
た構成を示している。
モコン操作機9110により行うことができる。リモコン操作機9110が備える操作キ
ー9109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9103に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機9110に、当該リモコン操作
機9110から出力する情報を表示する表示部9107を設ける構成としてもよい。
テレビジョン装置9100は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、
さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一
方向(送信者から受信者)または双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など
)の情報通信を行うことも可能である。
用いることが可能であり、テレビジョン装置、およびリモコン操作機に高い信頼性を付与
することができる。
キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含
む。
であり、コンピュータに高い信頼性を付与することができる。
A)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表
示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力
モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。
bに用いることが可能であり、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能となる。
れた操作キー9638に触れることでデータ入力をすることができる。なお、表示部96
31aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部96
31aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9
631aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表
示画面として用いることができる。
部をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部9631bにキーボードボタン表示することができる。
タッチ入力することもできる。
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
633、充放電制御回路9634を有する。なお、図15(B)では充放電制御回路96
34の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成につい
て示している。
にすることができる。したがって、表示部9631a、表示部9631bを保護できるた
め、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる
。
な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付または時
刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集する
タッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を
有することができる。
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は
、筐体9630の片面又は両面に設けることができ、バッテリー9635の充電を効率的
に行う構成である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、
小型化を図れる等の利点がある。
(C)にブロック図を示し説明する。図15(C)には、太陽電池9633、バッテリー
9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW
3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ96
36、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が、図15(B)に示す充放電制
御回路9634に対応する箇所となる。
る。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようD
CDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作
に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバー
タ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表
示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテ
リー9635の充電を行う構成とすればよい。
、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段による
バッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を
送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う
構成としてもよい。
み合わせて用いることができる。
よびドレイン電極の段差部分の断面観察結果について説明する。
ングステン膜を形成し、フォトリソグラフィ工程により該タングステン膜上にマスクを形
成し、該マスクを用いて該タングステン膜の一部をエッチングし、ゲート電極を形成した
。
窒化シリコン膜および厚さ200nmの酸化窒化シリコン膜を積層して形成した。窒化シ
リコン膜は、シラン50sccm、窒素5000sccmをプラズマCVD装置の処理室
に供給し、処理室内の圧力を60Paに制御し、27.12MHzの高周波電源を用いて
150Wの電力を供給して形成した。酸化窒化シリコン膜は、シラン20sccm、一酸
化二窒素3000sccmをプラズマCVD装置の処理室に供給し、処理室内の圧力を4
0Paに制御し、27.12MHzの高周波電源を用いて100Wの電力を供給して形成
した。なお、該窒化シリコン膜および該酸化窒化シリコン膜は、基板温度を350℃とし
て形成した。
は、ゲート絶縁膜上にCAAC-OS膜であるIGZO膜をスパッタリング法で形成し、
フォトリソグラフィ工程により該IGZO膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該I
GZO膜の一部をエッチングした。その後、エッチングされたIGZO膜に加熱処理を行
い、酸化物半導体膜を形成した。なお、本実施例では厚さ35nmのIGZO膜を形成し
た。
)のターゲットとし、スパッタリングガスとして50sccmのアルゴンと50sccm
の酸素をスパッタリング装置の処理室内に供給し、処理室内の圧力を0.6Paに制御し
、5kWの直流電力を供給して形成した。なお、IGZO膜を形成する際の基板温度は1
70℃とした。
、窒素雰囲気で、450℃、1時間の加熱処理を行った後、窒素および酸素雰囲気で、4
50℃、1時間の加熱処理を行った。
程により該導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該導電膜の一部をエッチングし
、ソース電極およびドレイン電極を形成した。なお、該ソース電極およびドレイン電極と
なる導電膜は、厚さ50nmのタングステン膜上に厚さ400nmのアルミニウム膜を形
成し、該アルミニウム膜上に厚さ100nmのチタン膜を形成した。
された処理室に基板を移動させた。次に、処理室に設けられる上部電極に27.12MH
zの高周波電源を用いて150Wの高周波電力を供給して発生させた酸素プラズマに酸化
物半導体膜を曝した。
電極およびドレイン電極上に絶縁膜を形成した。絶縁膜は、条件A1乃至条件A4の4条
件を用いて形成し、それぞれの条件で形成した試料を試料A1乃至試料A4とした。なお
、試料A1乃至試料A4ともに絶縁膜の厚さを400nmとした。
流量4000sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を40Pa、基板温
度を220℃とし、150Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法に
より形成した。なお、膜密度は、XRRによって膜全体を測定し、2.26g/cm3で
あった。
び流量4000sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基
板温度を220℃とし、1500Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCV
D法により形成した。なお、膜密度は、XRRによって膜全体を測定し、2.31g/c
m3であった。
00sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧
力を200Pa、基板温度を220℃とし、1000Wの高周波電力を平行平板電極に供
給したプラズマCVD法により形成した。なお、膜密度は、XRRによって膜全体を測定
し、2.50g/cm3であった。
000sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガスとし、処理室の
圧力を200Pa、基板温度を350℃とし、2000Wの高周波電力を平行平板電極に
供給したプラズマCVD法により形成した。なお、膜密度は、XRRによって膜全体を測
定し、2.72g/cm3であった。
:Scanning Transmission Electron Microsco
py)で断面観察を行った。図16(A)に試料A1のSTEM像を、図16(B)に試
料A2のSTEM像を、図17(A)に試料A3のSTEM像を、図17(B)に試料A
4のSTEM像をそれぞれ示す。
イン電極を覆う絶縁膜中に図中の点線で囲んでいる部分に空隙部が生じていることが確認
できた。一方、図17(B)においては、ソース電極およびドレイン電極を覆う絶縁膜中
に空隙部の発生は確認されなかった。
絶縁膜は、膜密度が2.26g/cm3以上2.50g/cm3以下であると絶縁膜中に
空隙部が生じることが示された。
測定結果について説明する。
形成し、加熱処理を行い、酸化物半導体膜に含まれる水、水素等を脱離させた。ここでは
、窒素雰囲気で、450℃、1時間の加熱処理を行った後、窒素および酸素雰囲気で、4
50℃、1時間の加熱処理を行った。
程により該導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該導電膜の一部をエッチングし
、ソース電極およびドレイン電極を形成した。
された処理室に基板を移動させた。次に、処理室に設けられる上部電極に27.12MH
zの高周波電源を用いて150Wの高周波電力を供給して発生させた酸素プラズマに酸化
物半導体膜を曝した。
電極およびドレイン電極上に絶縁膜を形成した。絶縁膜は、酸化物絶縁膜上に窒化物絶縁
膜が形成されている積層構造である。酸化物絶縁膜は、厚さ50nmの第1の酸化窒化シ
リコン膜および厚さ400nmの第2の酸化窒化シリコン膜を積層して形成した。
ccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を40Pa、基板温度を220℃と
し、150Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法により形成した。
sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基板温度を220
℃とし、1500Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法により形成
した。当該条件により、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱によ
り酸素の一部が脱離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
よび酸素雰囲気で、350℃、1時間の加熱処理を行った。
化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜としては、流量200sccmのシラン、流量
2000sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガスとし、処理室
の圧力を100Pa、基板温度を350℃とし、2000Wの高周波電力を平行平板電極
に供給したプラズマCVD法により形成した。
極およびドレイン電極の一部を露出する開口部を形成した。
絶縁膜上に塗布した後、露光および現像を行って、ソース電極またはドレイン電極の一部
を露出する開口部を有する層間絶縁膜を形成した。なお、層間絶縁膜として厚さ1.5μ
mのアクリル樹脂を形成した。この後、加熱処理を行った。当該加熱処理は、温度を25
0℃とし、窒素を含む雰囲気で1時間行った。
スパッタリング法により厚さ100nmの酸化シリコンを含むITOを形成した。
れていない比較例試料のトランジスタを作製した。
(STEM:Scanning Transmission Electron Mic
roscopy)で断面観察を行った。図18(A)に実施例試料のSTEM像を、図1
8(B)に比較例試料のSTEM像を示す。
第1の酸化窒化シリコン膜および第2の酸化窒化シリコン膜中に図中の点線で囲んでいる
部分に空隙部が生じていることが確認できた。また、図18(A)に示すように、第2の
酸化窒化シリコン膜上の窒化シリコン膜には空隙部が生じていない。窒化シリコン膜によ
って、空隙部が遮断されていることが確認できた。
。
e Cooker Test)を行った。本実施例では、PCTとして温度130℃、湿
度85%、圧力0.23MPaの条件で、実施例試料および比較例試料を1時間保持した
。
ture)ストレス試験を行った。本実施例では、GBTストレス試験として、ダーク環
境下で、Vg=-30V、Vd=0V、Vs=0V、ストレス温度60℃、光照射なし、
ストレス印加時間1時間で行った。なお、実測値はチャネル長(L)が6μm、チャネル
幅(W)が50μm、酸化膜(ゲート絶縁膜)の膜厚(Tox)が280nmであった。
試料のGBTストレス試験の結果を示す。また、図中の点線は、PCTをする前の測定結
果、図中の実線は、PCTをした後の測定結果を示している。また、図19において、ド
レイン電圧(Vd:[V])が1Vのときと10Vのときの測定結果を示しており、横軸
は、ゲート電圧(Vg:[V])、縦軸はドレイン電流(Id:[A])を示す。なお、
「ドレイン電圧(Vd:[V])」とは、ソースを基準としたドレインとソースの電位差
であり、「ゲート電圧(Vg:[V])」とは、ソースを基準としたゲートとソースの電
位差である。
見られなかった。一方、図19(B)に示すように、比較例試料のトランジスタは、PC
T前後で大きく変化しており、PCT後にしきい値がマイナス側にシフトしているのが確
認された。
あるか否かである。よって、PCT後においても窒化シリコン膜の効果により、特性の変
動量を抑制することが可能であることが分かった。
、酸化物半導体を用いた半導体装置においても安定した電気特性を付与し、高信頼性を実
現することができる。
特性の測定結果について説明する。
のを試料B1、実施例2の実施例試料と同様のもの(窒化シリコン膜の成膜温度が350
℃)を試料B2とする。
mの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を200
Pa、基板温度を220℃とし、1000Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラ
ズマCVD法により形成した。試料B2の窒化シリコン膜の形成方法は、試料B1の窒化
シリコン膜の基板温度を350℃とした以外は試料B1と同様である。
施例では、PCTとして温度130℃、湿度85%、圧力0.20MPaの条件で、試料
B1および試料B2を1時間保持した。
Tストレス試験として、ダーク環境下で、Vg=-30V~30V、Vd=0V、Vs=
0V、ストレス温度60℃、光照射なし、ストレス印加時間1時間で行った。なお、実測
値はチャネル長(L)が6μm、チャネル幅(W)が50μm、酸化膜(ゲート絶縁膜)
の膜厚(Tox)が280nmであった。
)は、試料B1のPCT後のGBTストレス試験の結果を示す。また、図20(B1)は
、試料B2のPCT前のGBTストレス試験の結果を、図20(B2)は、試料B2のP
CT後のGBTストレス試験の結果を示す。また、図20(A1)、図20(A2)、図
20(B1)および図20(B2)において、ドレイン電圧(Vd:[V])が1Vのと
きと10Vのときの測定結果を示しており、横軸は、ゲート電圧(Vg:[V])、縦軸
はドレイン電流(Id:[A])および電界効果移動度(μFE:[cm2/Vs])を
示す。また、図20(A3)および図20(B3)に、試料B1および試料B2のPCT
前後のしきい値の変動量(ΔVth)とシフト値の変化量(ΔShift)を示す。
を横軸、ドレイン電流の平方根(Id(1/2):[A])を縦軸としてプロットした曲
線において、最大傾きであるId(1/2)の接線を外挿したときの、接線とVg軸(す
なわち、Id(1/2)が0A)との交点のゲート電圧で定義する。なお、本明細書中に
おいては、ドレイン電圧Vdを10Vとして、しきい値電圧を算出する。
を横軸、ドレイン電流(Id:[A])の対数を縦軸にプロットした曲線において、最大
傾きであるIdの接線を外挿したときの直線Id=1.0×10-12[A]との交点の
ゲート電圧で定義する。なお、本明細書中においては、ドレイン電圧Vdを10Vとして
、シフト値を算出する。
ジスタは、PCT前後で若干ではあるがしきい値電圧とシフト値に変化が見られ、劣化し
ているのが確認できた。また、試料B2(窒化シリコン膜の成膜温度が350℃)のトラ
ンジスタの方が試料B1(窒化シリコン膜の成膜温度が220℃)のトランジスタよりし
きい値電圧とシフト値の変化量が小さいことが確認できた。
Backscattering Spectrometry)分析結果および二次イオン
質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectromet
ry)による評価結果について説明する。
して、作製した(図21参照)。窒化シリコン膜12は、条件C1および条件C2の2条
件を用いて形成し、それぞれの条件で形成した試料を試料C1および試料C2とした。
シラン、流量5000sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガス
とし、処理室の圧力を200Pa、1000Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプ
ラズマCVD法により厚さ100nmの窒化シリコン膜12を形成した。
のシラン、流量2000sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガ
スとし、処理室の圧力を200Pa、2000Wの高周波電力を平行平板電極に供給した
プラズマCVD法により厚さ300nmの窒化シリコン膜12を形成した。
水素が28.1atomic%含有されていることが確認された。試料C2には、シリコ
ンが40.0atomic%、窒素が49.2atomic%、水素が10.8atom
ic%含有されていることが確認された。したがって、試料C2は試料C1に比べて、そ
の組成における水素の割合が低減されていることが確認された。
ァイルを、図22(B)に試料C2のSIMSによる水素、酸素、フッ素および炭素の濃
度プロファイルを示す。
atoms/cm3、フッ素が2.3×1019atoms/cm3、炭素が5.5×1
018atoms/cm3含有されていることが確認された。試料C2には、水素が1.
6×1022atoms/cm3、酸素が6.8×1017atoms/cm3、フッ素
が7.4×1018atoms/cm3、炭素が7.4×1017atoms/cm3含
有されていることが確認された。したがって、RBS結果と同様に、試料C2は試料C1
に比べて、その組成における水素の割合が低減されていることが確認された。また、試料
C2は試料C1に比べて、水素、酸素、フッ素および炭素等の不純物の濃度が少ないこと
が確認された。
行った。検証の評価方法としては、SIMSを用いた。
体膜上に電極があって空隙部が発生する試料D1と図23(B)に示す酸化物半導体膜上
に電極がなく、空隙部が発生しない試料D2の2種類用意した。
行い、酸化物半導体膜23に含まれる水、水素等を脱離させた。ここでは、窒素雰囲気で
、450℃、1時間の加熱処理を行った後、窒素および酸素雰囲気で、450℃、1時間
の加熱処理を行った。
ラフィ工程により該導電膜上にマスクを形成し、該マスクを用いて該導電膜の一部をエッ
チングし、電極24を形成した。
された処理室に基板を移動させた。次に、処理室に設けられる上部電極に27.12MH
zの高周波電源を用いて150Wの高周波電力を供給して発生させた酸素プラズマに酸化
物半導体膜を曝した。
び電極24上に絶縁膜27を形成した。絶縁膜27は、酸化物絶縁膜25上に窒化物絶縁
膜26が形成されている積層構造である。酸化物絶縁膜25は、厚さ50nmの第1の酸
化窒化シリコン膜25aおよび厚さ400nmの第2の酸化窒化シリコン膜25bを積層
して形成した。
00sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を40Pa、基板温度を22
0℃とし、150Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法により形成
した。
000sccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基板温度を
220℃とし、1500Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法によ
り形成した。当該条件により、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加
熱により酸素の一部が脱離する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
よび酸素雰囲気で、350℃、1時間の加熱処理を行った。
50nmの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜としては、流量50sccmのシ
ラン、流量5000sccmの窒素および流量100sccmのアンモニアを原料ガスと
し、処理室の圧力を200Pa、基板温度を220℃とし、2000Wの高周波電力を平
行平板電極に供給したプラズマCVD法により形成した。
作製した(図23参照)。
はPCTとして、温度130℃、湿度85%(気体中に含まれる水蒸気の体積比がH2O
(水):D2O(重水)=4:1)、2.0気圧(0.20MPa)の条件で試料D1お
よび試料D2を15時間保持した。
子(2H)を表している。
ile)-SIMS(裏面からのSIMS測定)を用いて、PCT試験後の試料D1およ
び試料D2に対して、各試料のH原子およびD原子の濃度を測定した。
ロファイルを、図24(B)に試料D2のPCT試験後のSIMSによるH原子およびD
原子の濃度プロファイルを示す。図24(A)および図24(B)において、D原子(自
然存在値:自然存在比から導いた値)プロファイルは、D原子の存在比が0.015%と
してH原子のプロファイルから算出した自然界に存在するD原子の濃度プロファイルであ
る。よって、PCT試験によって試料中に混入したD原子量は、実測のD原子濃度と自然
存在値のD原子濃度との差分となる。
極があって空隙部が発生することにより、酸化物半導体膜中の実測のD原子の濃度プロフ
ァイルが高濃度に増大しており、酸化物半導体膜中にD原子が多量に混入したことがわか
る。したがって、試料D1は、外部からの水(H2O、D2O)に対し、バリア性が低い
ことが確認できた。
12 窒化シリコン膜
21 ガラス基板
22 ゲート絶縁膜
23 酸化物半導体膜
24 電極
25 酸化物絶縁膜
25a 第1の酸化窒化シリコン膜
25b 第2の酸化窒化シリコン膜
26 窒化物絶縁膜
27 絶縁膜
31 酸化物半導体膜
32 酸化物絶縁膜
32a 酸化物絶縁膜
32b 酸化物絶縁膜
400 基板
401 下地絶縁膜
402 ゲート電極
404 ゲート絶縁膜
404a ゲート絶縁膜
404b ゲート絶縁膜
406 半導体膜
407a 導電膜
407b 導電膜
407c 導電膜
408a ソース電極
408b ドレイン電極
410 酸化物絶縁膜
410a 酸化物絶縁膜
410b 酸化物絶縁膜
410c 酸化物絶縁膜
410d 酸化物絶縁膜
410e 酸化物絶縁膜
411 窒化物絶縁膜
412 絶縁膜
413 空隙部
414 層間絶縁膜
416 電極
450 トランジスタ
510 酸化物絶縁膜
510a 酸化物絶縁膜
510b 酸化物絶縁膜
511 窒化物絶縁膜
512 ゲート絶縁膜
530 絶縁膜
550 トランジスタ
552 ゲート電極
560 トランジスタ
570 トランジスタ
580 トランジスタ
601 基板
602 フォトダイオード
606a 半導体膜
606b 半導体膜
606c 半導体膜
608 接着層
613 基板
632 絶縁膜
633 平坦化膜
634 平坦化膜
640 トランジスタ
641a 電極
641b 電極
642 電極
643 導電膜
645 導電膜
656 トランジスタ
658 フォトダイオードリセット信号線
659 ゲート信号線
671 フォトセンサ出力信号線
672 フォトセンサ基準信号線
901 基板
902 画素部
903 信号線駆動回路
904 走査線駆動回路
905 シール材
906 基板
908 液晶層
910 トランジスタ
911 トランジスタ
913 液晶素子
915 接続端子電極
915a 接続端子電極
915b 接続端子電極
916 端子電極
917 導電膜
918 FPC
918a FPC
918b FPC
919 異方性導電剤
921 層間絶縁膜
922 ゲート絶縁膜
923 絶縁膜
924 絶縁膜
925 シール材
930 電極
931 電極
932 絶縁膜
933 絶縁膜
935 スペーサ
936 シール材
941 電極
943 液晶素子
944 絶縁膜
950 窒化シリコン膜
951 発光層
955 接続端子電極
960 隔壁
963 発光素子
964 充填材
971 ソース電極
973 ドレイン電極
975 共通電位線
977 共通電極
985 共通電位線
987 共通電極
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9100 テレビジョン装置
9101 筐体
9103 表示部
9105 スタンド
9107 表示部
9109 操作キー
9110 リモコン操作機
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ボタン
Claims (2)
- ゲート電極と、
酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜の上方、並びに、ソース電極及びドレイン電極の上方の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜の上方の窒化物絶縁膜と、
前記窒化物絶縁膜の上方の第1の電極と、
前記第1の電極の上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方の第2の電極と、を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接し、
前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極の側端面に接する領域において第1の低密度領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記ドレイン電極の側端面に接する領域において第2の低密度領域を有し、
前記窒化物絶縁膜は、前記酸化物絶縁膜に接し、且つ、前記第1の低密度領域及び前記第2の低密度領域を覆うように設けられ、
前記酸化物絶縁膜は第1の開口部を有し、
前記窒化物絶縁膜は第2の開口部を有し、
前記第2の電極は、前記第1の開口部及び前記第2の開口部を介して前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続される、半導体装置。 - 請求項1において、
前記酸化物半導体膜は、Atomic Layer Deposition法を用いて作製された、半導体装置。
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KR102183315B1 (ko) * | 2014-08-01 | 2020-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
US10147747B2 (en) * | 2014-08-21 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
US9766517B2 (en) * | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6501385B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2019-04-17 | 日本放送協会 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2016103395A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2016111125A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 日本放送協会 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP6801969B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2020-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、および電子機器 |
WO2016168151A1 (en) * | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Carestream Health, Inc. | Reduction of tft instabiltity in digital x-ray detectors |
US9837547B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
CN108738377B (zh) * | 2015-07-30 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备 |
JP6367167B2 (ja) | 2015-09-10 | 2018-08-01 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
WO2017064587A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel |
US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
CN108701701A (zh) * | 2016-02-29 | 2018-10-23 | 夏普株式会社 | 光电转换装置 |
US10741696B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
TWI778959B (zh) | 2017-03-03 | 2022-10-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
JP7343391B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2023-09-12 | I-PEX Piezo Solutions株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN107482039B (zh) * | 2017-08-03 | 2020-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性触控母板及制备方法、柔性触控基板、触控面板 |
JP2019091794A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
KR102565148B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2023-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 플립칩형 발광 다이오드 칩 및 그것을 포함하는 발광 장치 |
KR20200057142A (ko) * | 2018-11-15 | 2020-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11211461B2 (en) * | 2018-12-28 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
JP6807420B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2021-01-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2022147359A (ja) * | 2021-03-23 | 2022-10-06 | 日新電機株式会社 | シリコン酸窒化膜の成膜方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (184)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5336626A (en) * | 1992-03-18 | 1994-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a MESFET with an epitaxial void |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2950408B2 (ja) * | 1996-07-11 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6495900B1 (en) * | 1997-11-12 | 2002-12-17 | Micron Technology, Inc. | Insulator for electrical structure |
JPH11233510A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Tonen Corp | 裾引き形状を有するSiO2系被膜の形成方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP3362675B2 (ja) * | 1998-09-08 | 2003-01-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6071809A (en) * | 1998-09-25 | 2000-06-06 | Rockwell Semiconductor Systems, Inc. | Methods for forming high-performing dual-damascene interconnect structures |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP3926083B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2007-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法 |
US6835669B2 (en) * | 2000-07-21 | 2004-12-28 | Canon Sales Co., Inc. | Film forming method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2002075987A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002110791A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4285899B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2009-06-24 | 三菱電機株式会社 | 溝を有する半導体装置 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US6861334B2 (en) * | 2001-06-21 | 2005-03-01 | Asm International, N.V. | Method of fabricating trench isolation structures for integrated circuits using atomic layer deposition |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
KR100623328B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2006-09-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 cmos 트랜지스터 제조 방법 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US6849546B1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Method for improving interlevel dielectric gap filling over semiconductor structures having high aspect ratios |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP4115441B2 (ja) | 2004-10-29 | 2008-07-09 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
KR100669804B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 에어갭을 구비한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
CN1787186A (zh) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 富士通株式会社 | 半导体器件制造方法 |
US20060128166A1 (en) | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Fujitsu Limited | Semiconductor device fabrication method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR20070003250A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2007027664A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5057981B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2012-10-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法並びに表示装置 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI325077B (en) | 2005-12-29 | 2010-05-21 | Au Optronics Corp | A liquid crystal display device |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7585716B2 (en) * | 2007-06-27 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance |
KR100909537B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2009-07-27 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
TWI450399B (zh) * | 2008-07-31 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI476921B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
CN102132414B (zh) * | 2008-08-27 | 2013-05-22 | 出光兴产株式会社 | 场效应型晶体管、其制造方法和溅射靶 |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR101622981B1 (ko) | 2008-09-19 | 2016-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 제조방법 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5361651B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
JP5515281B2 (ja) | 2008-12-03 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器および薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010191283A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Sharp Corp | アクティブ素子基板の製造方法、アクティブ素子基板、アクティブ型表示装置 |
KR101213708B1 (ko) * | 2009-06-03 | 2012-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
JP5478963B2 (ja) | 2009-07-09 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
WO2011004755A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011007682A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
CN102473733B (zh) | 2009-07-18 | 2015-09-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及制造半导体装置的方法 |
WO2011013502A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI626731B (zh) | 2009-08-07 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
EP2284891B1 (en) * | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101746198B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
KR101707433B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR101809759B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR20120084751A (ko) | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101877149B1 (ko) | 2009-10-08 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011043206A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101943293B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치 |
WO2011048923A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
KR101402294B1 (ko) | 2009-10-21 | 2014-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
WO2011048959A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2494601A4 (en) * | 2009-10-30 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
WO2011058867A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor |
KR101802406B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2017-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
KR102250803B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2021-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5471564B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2014-04-16 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20110101771A (ko) * | 2010-03-09 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
JP2011222767A (ja) | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
US8854583B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device |
WO2011132625A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
CN106057907B (zh) * | 2010-04-23 | 2019-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011135987A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8624239B2 (en) * | 2010-05-20 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8785241B2 (en) * | 2010-07-16 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN102376830B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-07-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
TWI508294B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
WO2012032749A1 (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、表示装置 |
KR20120026970A (ko) * | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 발광 장치 |
US8546161B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device |
US8792260B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit and semiconductor device using the same |
TWI525818B (zh) * | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
CN103339715B (zh) | 2010-12-03 | 2016-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜以及半导体装置 |
KR20120063809A (ko) | 2010-12-08 | 2012-06-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
US9082860B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI595565B (zh) * | 2011-06-17 | 2017-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5081324B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-11-28 | 住友化学株式会社 | アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル、表示装置およびトランジスタ素子 |
JP6128906B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2013168687A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102343715B1 (ko) | 2012-07-20 | 2021-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9312220B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for a low-K dielectric with pillar-type air-gaps |
JP2016154225A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
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