JP2021509767A - 高効率ｒｆ回路のためのインピーダンス整合伝導構造 - Google Patents

高効率ｒｆ回路のためのインピーダンス整合伝導構造 Download PDF

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Abstract

本発明は、光画定可能なガラスセラミック基板にＲＦインピーダンス整合デバイスを作製する方法を含む。寄生電子信号、ＲＦ信号、差動電圧上昇及び浮動接地が、光画定可能なガラス基板上の電気分離及び接地面構造の製作によって分離した電子デバイスの性能を阻害及び劣化させるのを防止するために、ＲＦ伝送線路に隣接して又は下方に接地面が使用されてよい。

Description

本発明は、同じ基板上のＲＦデバイス間のインピーダンス整合をとることに関する。
本発明の範囲を限定することなく、その背景をインピーダンス整合に関して記載する。
そのような一例が、Rajagopalan, et al.に発行された、"Adaptive impedance matching interface"という名称の、米国特許第９，８１９，９９１号明細書に教示されている。これらの発明者らは、データインタフェースコネクタ、アプリケーションプロセッサ及びインタフェース回路網を含む、装置を教示すると書かれている。インタフェース回路網は、アプリケーションプロセッサとデータインタフェースコネクタとの間に接続されると書かれており、そこでデータインタフェース回路網は、信号のうち１つの信号性質の変化であって、データインタフェースコネクタとメディア消費デバイスとの間のインピーダンス不整合によって生じる変化を測定する。アプリケーションプロセッサは、インタフェース回路網からの信号性質設定に応じて、信号のうち次の１つの信号性質を調整して調整済み信号を得ると書かれている、又はメディア消費デバイスに調整済み信号を送ることができる。
別のそのような例が、Desclos, et al.に発行された"Active antenna adapted for impedance matching and band switching using a shared component"という名称の、米国特許第９，７５５，３０５号明細書に教示されている。簡潔には、これらの発明者らは、共用同調型部品を使用して、例えば、同調型コンデンサ又は他の同調型部品などの共用同調型部品を使用して、アンテナのアクティブインピーダンス整合及び帯域切替を提供するように適合されるアクティブアンテナ及び関連回路トポロジを教示すると書かれている。アンテナは、低コスト且つ効果的なアクティブアンテナソリューションを提供すると書かれており、例えば、１又は２以上の受動部品がさらに活用されて、第１の周波数から第２の所望の周波数へのアンテナの帯域切替を設計することができる。
しかしながら、これらの進歩にもかかわらず、同じ基板上のＲＦデバイス間のインピーダンス整合の必要性が残る。
米国特許第９，８１９，９９１号明細書 米国特許第９，７５５，３０５号明細書
一実施形態において、本発明は、ＲＦインピーダンス整合デバイスを作製する方法であって、感光性ガラス基板に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成する１又は２以上の構造を備える設計レイアウトをマスキングするステップと、感光性ガラス基板の少なくとも１つの部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて少なくとも１０分間加熱するステップと、感光性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換してガラス結晶基板を形成するステップと、ガラス結晶基板をエッチング液でエッチングしてデバイスの傾斜電気伝導チャネルを形成するステップと、１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップと、電気分離構造の全部又は一部を金属媒体で被覆するステップであり、金属が回路網に接続されるステップとを含む方法を含む。一態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有する。別の態様では、機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスと基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、エッチングするステップは、基板とＲＦインピーダンス整合デバイスとの間にエアギャップを形成しており、ＲＦインピーダンス整合デバイスは他のＲＦ電子素子に接続される。別の態様では、トレンチに隣接したガラス結晶基板はセラミック相に変換されてもよい。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスの接地面以外の伝導構造が、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つであることができる。別の態様では、１又は２以上の金属は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄから選択される。別の態様では、金属は、表面、埋込コンタクト、ブラインドバイア、ガラスバイア、直線コンタクト、矩形コンタクト、多角形コンタクト又は円形コンタクトを通して回路網に接続される。別の態様では、感光性ガラス基板は、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏで、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せが６重量％〜１６重量％；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３で、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である。別の態様では、感光性ガラス基板は、３５〜７６重量％のシリカ、３〜１６重量％のＫ２Ｏ、０．００３〜１重量％のＡｇ２Ｏ、０．７５〜１３重量％のＢ２Ｏ３、８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ及び０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である。別の態様では、感光性ガラス基板は、光画定可能なガラス基板が少なくとも０．３重量％のＳｂ２Ｏ３又はＡｓ２Ｏ３を含む；光画定可能なガラス基板が０．００３〜１重量％のＡｕ２Ｏを含む；光画定可能なガラス基板が、１〜１８重量％の、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ及びＢａＯからなる群から選択される酸化物を含む；並びに露光部分と上記未露光部分の異方性エッチング比が１０〜２０：１；２１〜２９：１；３０〜４５：１；２０〜４０：１；４１〜４５：１；及び３０〜５０：１の少なくとも１つであってもよい、の少なくとも１つである。別の態様では、感光性ガラス基板は、シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムの少なくとも１つを含む感光性ガラスセラミック複合基板である。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、信号入力対信号出力の５０、４０、３０、２５、２０、１５又は１０％未満の損失を有する。別の態様では、本方法は、ＲＦインピーダンス整合デバイスを、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴に形成するステップをさらに含む。
別の実施形態において、本発明は、ＲＦインピーダンス整合デバイスのための伝導構造を作製する方法であって、感光性ガラス基板に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成する１又は２以上の伝導構造を備える設計レイアウトをマスキングするステップと、感光性ガラス基板の少なくとも１つの部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて少なくとも１０分の加熱相に処理するステップと、感光性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換してガラス結晶基板を形成するステップと、ガラス結晶基板をエッチング液でエッチングしてデバイスに１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成するステップであり、トレンチに隣接したガラス結晶基板がセラミック相に変換されてもよく、かつＲＦインピーダンス整合デバイスが、感光性ガラス基板によってＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有するステップと、１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップと、電気分離構造の全部又は一部を金属媒体で被覆するステップであり、金属が表面又は埋込コンタクトを通して回路網に接続されるステップとを含む方法を含む。一態様では、１又は２以上の伝導構造は、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つを含む。別の態様では、機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、伝送線路と基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、エッチングするステップは、基板とＲＦインピーダンス整合デバイスとの間にエアギャップを形成しており、伝送線路は他のＲＦ電子素子に接続される。別の態様では、１又は２以上の金属は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄから選択される。別の態様では、感光性ガラス基板は、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏで、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せが６重量％〜１６重量％；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３で、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である。別の態様では、感光性ガラス基板は、３５〜７６重量％のシリカ、３〜１６重量％のＫ２Ｏ、０．００３〜１重量％のＡｇ２Ｏ、０．７５〜１３重量％のＢ２Ｏ３、８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ及び０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である。別の態様では、感光性ガラス基板は、光画定可能なガラス基板が少なくとも０．３重量％のＳｂ２Ｏ３又はＡｓ２Ｏ３を含む；光画定可能なガラス基板が０．００３〜１重量％のＡｕ２Ｏを含む；光画定可能なガラス基板が、１〜１８重量％の、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ及びＢａＯからなる群から選択される酸化物を含む；並びに露光部分と上記未露光部分の異方性エッチング比が１０〜２０：１；２１〜２９：１；３０〜４５：１；２０〜４０：１；４１〜４５：１；及び３０〜５０：１の少なくとも１つであってもよい、の少なくとも１つである。別の態様では、感光性ガラス基板は、シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムの少なくとも１つを含む感光性ガラスセラミック複合基板である。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、信号入力対信号出力の５０、４０、３０、２５、２０、１５又は１０％未満の損失を有する。別の態様では、本方法は、ＲＦインピーダンス整合デバイスを、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴に形成するステップをさらに含む。
別の実施形態において、本発明は、光画定可能なガラス基板に形成されるＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満で機械的に支持されるＲＦインピーダンス整合デバイスを含む。一態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、感光性ガラス基板に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを備える。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有する。別の態様では、機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、伝送線路と基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる。別の態様では、エアギャップ伝送は他のＲＦ電子素子に接続される。別の態様では、トレンチに隣接したガラス結晶基板もセラミック相に変換されてもよい。別の態様では、１又は２以上の金属は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ又はＰｄから選択される。別の態様では、金属が、表面、埋込コンタクト、ブラインドバイア、ガラスバイア、直線コンタクト、矩形コンタクト、多角形コンタクト又は円形コンタクトを通して回路網に接続される。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴を備える。別の態様では、ＲＦインピーダンス整合デバイスは、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つを含む１又は２以上の伝導構造を備える。
本発明の特徴及び利点のより完全な理解のために、ここで添付の図と共に本発明の詳細な説明を参照する。
埋込マイクロストリップ及び被覆マイクロストリップを含む２つの異形のマイクロストリップを図示し、その両方ともマイクロストリップ導体の上方に何らかの誘電体が付加される。 ラップ及びポリッシュ加工された光画定可能なガラス基板、例えば３００μｍ厚のラップ及びポリッシュ加工された光画定可能なガラスが使用される、本方法の最初の側面図を示す。 基板の裏に厚さ２００Åと１０，０００Åとの間のチタンの均一被覆をＤＣスパッタする側面図を示す。 基板の裏に銅接地面を電気メッキする側面図を示す。銅接地面は、基板の裏に厚さ０．５μｍと１０μｍとの間であるべきである。 光画定可能なガラス基板を露光する三角形又は台形の透明領域を伴うクロムマスクを使用して形成されるデバイスの上面図を示す。基板は直径が６”である。露光は３１０ｎｍ光のおおよそ２０Ｊ／ｃｍ２による。長さＬが１００μｍ〜２００μｍであり、幅Ｗ２が１０μｍであり、幅Ｗ１が５０μｍである。次に、露光された光画定可能なガラスを６０分間４５０°Ｃに加熱する。 図２Ｅ−１は、露光された光画定可能なガラスを１０％ＨＦ溶液で銅／金属接地面までエッチングする上面図を示す。 図２Ｅ−２は、図２Ｅ−１に図示される同じデバイスの側面図を示す。 図２Ｆ−１は、エッチングされた領域を、APEX（登録商標）ガラスとは異なる誘電率である低損失正接材料で充填する上面図を示す。 図２Ｆ−２は、図２Ｆ−１に図示される同じデバイスの側面図を示す。 フォトレジストを塗布し、パターン現像を露光し、露光されたパターンを除去してマイクロ波ストリップ線路を得た後のデバイスの上面図を示す。 基板／フォトレジストの表に厚さ２００Åと１０，０００Åとの間のチタンの被覆をＤＣスパッタした後の上面図を示す。 溶剤を使用してフォトレジストを除去して光画定可能なガラス基板にチタンパターンを露出させた後の上面図である。 パターン化されたチタンに銅を電気メッキした後の上面図である。銅は、基板の裏に厚さ０．５μｍと１０μｍとの間であるべきである。 インピーダンス整合マイクロストリップ線路がここでデバイス１及びデバイス２として描かれる各種のデバイスを接続するために使用された後の上面図である。 本発明の伝送線路の横断面図を示す。 標準ガラスと比較したときの、本発明の低損失マイクロ伝送線路の損失の比較を図示するグラフである。
本発明の様々な実施形態の作製及び使用を以下に詳細に説明するが、本発明が、多種多様な具体的な局面で具現化されることができる多くの応用可能な発明概念を提供することが認められるべきである。本明細書で説明する具体的な実施形態は単に本発明を作製及び使用する具体的な方法の例示であり、本発明の範囲を限定するものではない。
本発明の理解を容易にするために、幾つかの用語を以下に定義する。本明細書で定義する用語は、本発明に関する当業者によって通例理解される意味を有する。「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」などの用語は、単数の実体だけを指すのでなく、例示のために具体例が使用され得る一般分類を含むと意図される。本明細書における技術用語は、本発明の具体的な実施形態を記載するために使用されるが、それらの使用法は、請求項において概説される場合を除いて、本発明を限定しない。
本発明は、同じ基板上のＲＦデバイス間のインピーダンス整合をとることに関する。フィルタ、インダクタ、コンデンサ、抵抗器、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びダイプレクサ、バラン、電力合成器／分割器並びに電力増幅器などのデバイスは異なるインピーダンスを有する。これらのデバイスは、しばしば伝導構造によって接続される。伝導構造は、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路及び同軸導波管から構成されることができる。我々は、便宜及び簡潔さのために、これらの潜在的な伝導構造の全てをマイクロストリップ線路と称することにする。マイクロストリップ線路上の異なるデバイス間でＲＦ信号が伝送されるとき、インピーダンス差が損失又は反射信号を生じさせることがある。インピーダンス整合構造を作成することで、損失を低減させ、信号品質を改善し（データ速度及び伝送距離を増加させ）、損失を低減させ、且つ電池寿命を改善する。
感光性ガラス構造が、他の素子、システム又はサブシステムと併せて集積電子素子などの幾つかの微細加工及び微細製作プロセスのために提案されてきた。半導体、絶縁又は導電性基板への薄膜アディティブ法を使用する半導体微細製作は、低歩留り及び性能の高変動性により高価である。付加マイクロ伝送の一例を論文Semiconductor Microfabrication Processes by Tian et al.に見ることができるが、高価な資本設備、一般に各々１００万ドル以上を要するフォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチング又はイオンビームミリングツールに依存し、且つさらに数１００万〜数１０億を要するウルトラクリーンな高生産シリコン製作施設を必要とする。本発明は、費用効果的なガラスセラミック電子個別デバイスを、又は大広帯域低損失伝送構造にわたる均一応答を伴うデバイスのアレイとして提供する。
マイクロストリップ伝送線路は、以下の図に図示されるように厚さ「Ｈ」の誘電体層（別称「基板」）によって分離される、幅「Ｗ」及び厚さ「ｔ」の伝導ストリップ並びにより幅広い接地面からなる。マイクロストリップは、特にマイクロ波集積回路及びＭＭＩＣのために断然普及しているマイクロ波伝送線路である。ストリップ線路に勝るマイクロストリップの大きな利点は、全ての能動部品が基板の上に搭載されることができるということである。不利点は、フィルタ又はスイッチにおいてなど、高分離が必要とされるときに、何らかの外部遮蔽を考えなければならない場合があるということである。機会があれば、マイクロストリップ回路が放射して、意図されていない回路応答をもたらし得る。マイクロストリップに関する小さな問題点は、それが分散的であるということであり、異なる周波数の信号が僅かに異なる速度で進行することを意味する。マイクロストリップは、その充填率のため、ＴＥＭモードを支持しない。結合線路の場合、偶及び奇モードは同じ位相速度を有しないことになる。この性質は、例えば、マイクロストリップ帯域通過フィルタの非対称周波数をもたらすものである。
マイクロストリップ。図１Ａ及び１Ｂは、埋込マイクロストリップ及び被覆マイクロストリップを含む２つの異形のマイクロストリップを図示し、その両方ともマイクロストリップ導体の上方に何らかの誘電体が付加される。
実効誘電率。マイクロストリップ導体からの磁界の一部が空気中に存在するので、実効誘電率「Ｋｅｆｆ」は基板の誘電率（比誘電率としても知られている）より幾分小さい。マイクロストリップの実効誘電率εｅｆｆは以下によって計算される：
Figure 2021509767
実効誘電率は、基板材料の誘電率と同様に、基板の高さに対するマイクロストリップ線路の幅の比率（Ｗ／Ｈ）の関数であると見られる。
特性インピーダンス。マイクロストリップの特性インピーダンスＺ０も伝送線路の高さと幅の比率Ｗ／Ｈ（及び幅と高さの比率Ｈ／Ｗ）の関数であり、同じくＷ／Ｈの値に応じて別々の解を有する。マイクロストリップの特性インピーダンスＺ０は以下によって計算される：
Figure 2021509767
インピーダンス整合ＲＦ回路には以下を最適化することを必要とする：
ａ．マイクロストリップ線路の下方の基板の厚さＨ；
ｂ．マイクロストリップ線路の下方の基板の誘電率；及び
ｃ．マイクロストリップ線路の幅。
本発明は、光画定可能なガラスセラミック基板にＲＦインピーダンス整合デバイス構造ＲＦデバイスを伴う基板を製作する方法を含む。一般に、インピーダンス整合デバイスは、光画定可能なガラスセラミックを通して三角形のバイアをエッチングし、次いで光画定可能なガラスセラミック基板と異なる、異なる誘電率を持つ非伝導媒体で充填することによって形成される。ＲＦデバイスを接続する金属線路は、充填された三角形状の領域の長さを狭い端から広い端へ横切る。
これらの必要性に対処するために、本発明者らは、半導体、ＲＦエレクトロニクス、マイクロ波エレクトロニクス及び光学イメージングのための新規なパッケージング及び基板材料としてガラスセラミック（APEX（登録商標）ガラスセラミック）を開発した。APEX（登録商標）ガラスセラミックは単純な３ステッププロセスで第一世代半導体機器を使用して加工され、そして最終材料は、ガラスかセラミックに仕上げられる又はガラスとセラミックの両方の領域を含むことができる。フォトエッチング可能なガラスは、多種多様なマイクロシステム部品の製作に対する幾つかの利点を有する。
これらのガラスにより、従来の半導体処理機器を使用して微細構造が比較的安価に生産されてきた。一般に、ガラスは、高温度安定性、良好な機械的及び電気的性質を有し、且つプラスチック及び多くの金属より良好な耐薬品性を有する。フォトエッチング可能なガラスが、微量の銀イオンを含有するリチウム−アルミニウム−シリケートガラスから構成される。酸化セリウムの吸収帯内のＵＶ光に露光されると、酸化セリウムは増感剤として作用して、光子を吸収し且つ電子を失って、例えば、隣接する酸化銀を還元して銀原子を形成させる。例えば、
Ｃｅ３＋＋Ａｇ＋＝Ｃｅ４＋＋Ａｇ０
銀原子は、焼成プロセス中に銀ナノクラスタに凝集して、周囲のガラスの結晶化のための核形成部位を誘発する。マスクを通してＵＶ光に露光された場合、ガラスの露光領域だけが続く熱処理中に結晶化することになる。
この熱処理は、ガラス転移温度に近い温度（例えば空気中で４６５°Ｃより高い）で実施されなければならない。結晶相は、未露光のガラス質の非晶領域より、フッ化水素酸（ＨＦ，hydrofluoric acid）などのエッチング液に溶解する。結晶領域は、１０％ＨＦ中で非晶領域より２０倍を超えて速くエッチングして、露光領域が除去されるときに約２０：１の壁傾斜比の微細構造を可能にした。関連部分が参照により本明細書に組み込まれる、T.R. Dietrich, et al., "Fabrication Technologies for Microsystems utilizing Photoetchable Glass", Microelectronic Engineering 30,497 (1996)を参照されたい。
一般に、フォトエッチング可能なガラスは、７５〜８５重量％の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、７〜１１重量％の酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、３〜６重量％の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、１〜２重量％の酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、０．２〜０．５重量％の三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）又は酸化ヒ素（Ａｓ２Ｏ３）、０．０５〜０．１５重量％の酸化銀（Ａｇ２Ｏ）及び０．０１〜０．０４重量％の酸化セリウム（ＣｅＯ２）から構成される。本明細書で使用する場合、用語「APEX（登録商標）ガラスセラミック」、「APEXガラス」又は単に「APEX」は、本発明のガラスセラミック組成物の一実施形態を表すために使用される。
APEX組成物は、その拡張性能として３つの主要なメカニズムを提供する：（１）より多量の銀が、粒界でより速くエッチングされる、より小さなセラミック結晶の形成に至る、（２）シリカ含有量（ＨＦ酸によってエッチングされる主体）の減少が未露光材料の不所望のエッチングを減少させる、並びに（３）アルカリ金属及び酸化ホウ素のより高い総重量パーセントが製造時に一層均質なガラスを生産する。
本発明は、電磁伝送及びフィルタ用途に使用される傾斜構造、ミラー及びガラスセラミック材料を形成する際に使用するためのAPEXガラス構造に低損失ＲＦインピーダンス整合構造を製作するための方法を含む。本発明は、ガラスセラミック基板の複数平面に作成される傾斜構造を含んでおり、そのようなプロセスは、（ａ）基板の向きかエネルギー源の向きかを変えることによって露光が様々な角度で発生するような励起エネルギーへの露光、（ｂ）焼成ステップ及び（ｃ）エッチングステップを利用する。角度の大きさは鋭角でも鈍角でもあることができる。湾曲デジタル構造は、大抵のガラス、セラミック又はシリコン基板に作成するのが、実行不可能でなくとも、困難である。本発明は、ガラスセラミック基板に対して垂直面にも水平面にもそのような構造を作成する能力を創出した。
ガラスのセラミック化は、APEXガラス基板の領域を３１０ｎｍ光のおおよそ２０Ｊ／ｃｍ２に露光することによって達成される。一実施形態において、本発明は、異径を持つ各種の同心円を含む石英／クロムマスクを提供する。
本発明は、感光性ガラスに製作される又は取り付けられる異なる電子デバイスを接続するために使用されるＲＦインピーダンス整合マイクロストリップ線路を製作するための方法を含む。ＲＦインピーダンス整合マイクロストリップ線路は、フィルタ、インダクタ、コンデンサ、抵抗器、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びダイプレクサ、バラン、電力合成器／分割器並びに電力増幅器を含むがこれに限定されないデバイスを接続することができる。感光性ガラス基板は、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏで、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せが６重量％〜１６重量％；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３で、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２を含むがこれに限定されない多数の組成変動を有することができる。この及び他の種々の組成物は一般にAPEXガラスと称される。
露光部分は、ガラス基板をガラス転移温度に近い温度に加熱することによって結晶材料に変換されてもよい。フッ化水素（ＨＦ）酸などのエッチング液中でガラス基板をエッチングするとき、ガラスが広域スペクトル中間紫外線（約３０８〜３１２ｎｍ）投光ランプに露光されて、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する成形ガラス構造を提供する、及びレンズ形状のガラス構造を提供すると、露光部分と未露光部分の異方性エッチング比は少なくとも３０：１である。露光のためのマスクは、露光に連続グレースケールを提供してマイクロレンズ用の湾曲構造を形成するハーフトーンマスクであることができる。フラッド露光と使用されるデジタルマスクは、回折光学素子又はフレネルレンズを生産するために使用されることができる。露光されたガラスは次いで、典型的には２ステッププロセス、すなわち銀イオンの銀ナノ粒子への凝集のため、１０分〜２時間の間にわたって４２０°Ｃ〜５２０°Ｃ間に加熱される温度範囲、及び銀ナノ粒子の周辺に酸化リチウムが形成することを許容する、１０分と２時間との間にわたって５２０°Ｃ〜６２０°Ｃ間に加熱される温度範囲で焼成される。ガラス板は次いでエッチングされる。ガラス基板は、典型的には５容量％〜１０容量％の、ＨＦ液の、エッチング液中でエッチングされており、未露光部分に対する露光部分のエッチング比は少なくとも３０：１である。インピーダンス整合ストリップ線路構造を作成することは、この一般の処理手法を必要とする。
図２Ａは、ラップ及びポリッシュ加工された光画定可能なガラス基板１０、例えば３００μｍ厚のラップ及びポリッシュ加工された光画定可能なガラスが使用される、本方法の最初の側面図を示す。
図２Ｂは、光画定可能なガラス基板１０の裏に厚さ２００Åと１０，０００Åとの間のチタンの均一被覆１２をＤＣスパッタする側面図を示す。
図２Ｃは、基板の裏に銅接地面を電気メッキする側面図を示す。銅接地面１４は、光画定可能なガラス基板１０の裏に厚さ０．５μｍと１０μｍとの間であるべきである。
図２Ｄは、光画定可能なガラス基板１０を露光する三角形又は台形の透明領域を伴うクロムマスク１６を使用して形成されるデバイスの上面図を示す。基板は直径が６”である。露光は３１０ｎｍ光のおおよそ２０Ｊ／ｃｍ２による。長さＬが１００μｍ〜２００μｍであり、幅Ｗ２が１０μｍであり、幅Ｗ１が５０μｍである。次に、露光された光画定可能なガラスを６０分間４５０°Ｃに加熱する。
図２Ｅ−１は、露光された光画定可能なガラス基板１０を１０％ＨＦ溶液で銅／金属接地面１８までエッチングする上面図を示し、図２Ｅ−２は、図２Ｅ−１に図示される同じデバイスの側面図を示す。
図２Ｇ−１は、エッチングされた領域を、APEXガラスとは異なる誘電率である低損失正接材料で充填する上面図を示し、図２Ｇ−２は、図２Ｇ−１に図示される同じデバイスの側面図を示す。低誘電率要件のため、パターン化された構造は、Allied Signal社製のスピンオンガラス（メチルシロキサンスピンオンガラス）で充填されることができる。高誘電体要件のため、パターン化された構造は、例えば、Advance Materials社製のＢａＴｉＯ３ペーストで充填されることができる。次に、フィーチャは、光画定可能なガラス基板１０上で１時間の間６００°Ｃに熱処理される。
図２Ｈは、フォトレジスト２０を塗布し、パターン現像を露光し、露光されたパターンを除去してマイクロ波ストリップ線路を得た後のデバイスの上面図を示す。
図２Ｉは、基板／フォトレジスト１０の表に厚さ２００Åと１０，０００Åとの間のチタンの被覆２２をＤＣスパッタした後の上面図を示す。
図２Ｊは、溶剤を使用してフォトレジストを除去して光画定可能なガラス基板にチタンパターン２４を露出させた後の上面図である。
図２Ｋは、パターン化されたチタンに銅を電気メッキした後の上面図である。銅は、基板の裏に厚さ０．５μｍと１０μｍとの間であるべきである。用途によりエアギャップを必要とする場合、ウエハは０．５％ＨＦエッチングに暴露されて、スピンオンガラスを除去する。
図２Ｌは、インピーダンス整合マイクロストリップ線路がここでデバイス１及びデバイス２として描かれる各種のデバイスをコンタクト２６で接続するために使用された後の上面図である。
図３Ａ上は、接地３０、導体３２、光画定可能なガラス基板３４及び接地３６を含む本発明の伝送線路の横断面図を示す。図３Ｂ（下）は、エアギャップを含む本発明の伝送線路の別の例を図示し、図は、接地３０、導体３２、光画定可能なガラス基板３４、接地３６及びエアギャップ（誘電体）３８を図示する。
図３Ｂは、標準ガラスと比較したときの、本発明の低損失マイクロ伝送線路の損失の比較を図示するグラフである。
したがって、本発明は、誘電材料として空気を使用してマイクロストリップ線路を構築及びシミュレートしたが、誘電体台形の幅Ｗ１は１００ｕｍであり、Ｗ２に至るまで５０ｕｍに減少される。再度、APEXガラスに対する損失正接は、６０ＧＨｚで．０２であると定められる。全ての金属は５００ÅのＴｉ接着層を伴う１０μｍ厚のＣｕであるが、しかしながら、当業者は、デバイスの要件（全電力、電流、抵抗等）が、上記明細書及び式に鑑みて当業者に知られることになるように、デバイスの具体的な要件に対応する、使用される材料、デバイスの厚さ及び長さ、並びに信号対雑音比の許容差等を指示することになることを認識するであろう。この例で使用される光画定可能なガラス基板は６”の直径及び３００μｍの厚さを有するが、しかしながら、当業者に知られることになるように、それらは両方とも容易に変更され得る。この１ｃｍ長の線路に対する挿入損失は６０ＧＨｚで０．４９５ｄＢである。このレベルの挿入損失は、特にＰＣＢベースのＲＦ製品と比較してＲＦデバイスにおいて前例がない。
本発明者らは、半導体、ＲＦエレクトロニクス、マイクロ波エレクトロニクス、電子部品及び／又は光学素子のための新規な基板材料として、光画定可能なガラスセラミック（APEX（登録商標））ガラスセラミック又は他の光画定可能なガラスを使用した。一般に、光画定可能なガラスは単純な３ステッププロセスで第一世代半導体機器を使用して加工され、そして最終材料は、ガラスかセラミックに仕上げられる又はガラスとセラミックの両方の領域を含むことができる。低損失マイクロ伝送伝送線路が、例えば、ＭＨｚ〜ＴＨｚデバイスの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びダイプレクサ、バラン、電力合成器／分割器並びに電力増幅器を可能にするベースライン構造であり、それによって効率及び性能を劇的に改善する。低損失マイクロ伝送伝送線路は、例えば、ＭＨｚ〜ＴＨｚデバイスの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びダイプレクサ、バラン、電力合成器／分割器並びに電力増幅器を可能にするベースライン構造である一方で、サイズを減少させる。代替的に、低損失マイクロ伝送伝送線路は、ＭＨｚ〜ＴＨｚデバイスの周波数で、それによって効率及び性能を劇的に改善し且つサイズを減少させることができる。
本明細書で説明するいかなる実施形態も本発明のいかなる方法、キット、試薬又は組成物に関しても実装されることができ、逆も同じであることが企図される。さらには、本発明の組成物は、本発明の方法を達成するために使用されることができる。
本明細書に記載する特定の実施形態が本発明の限定としてではなく例示として示されることが理解されるであろう。本発明の主要な特徴は、本発明の範囲から逸脱することなく様々な実施形態に利用されることができる。当業者は、ルーチン的な実験さえ使用すれば、本明細書に記載する具体的な手順の多くの等価物を認識する又は確認することができるであろう。そのような等価物は本発明の範囲内であると考えられ且つ請求項によって包含される。
本明細書に挙げた全ての刊行物及び特許出願は、本発明が関連する当業者の技術水準を示すものである。全ての刊行物及び特許出願は、各３０個別の刊行物又は特許出願が具体的かつ個別に参照により組み込まれると示される場合と同程度に参照により本明細書に組み込まれる。
単語「ａ」又は「ａｎ」の使用は、請求項及び／又は本明細書において用語「〜を備える（comprising）」と併用されると、「１つ」を意味し得るが、それは「１又は２以上（one or more）」、「少なくとも１つ（at least one）」及び「１又は２以上（one or more than one）」の意味とも一貫している。請求項における用語「又は（or）」の使用は、代替だけを指すと明示されない限り又は代替が相互排除でない限り、「及び／又は（and/or）」を意味するために使用されるが、本開示は、代替だけ及び「及び／又は」を指す定義を支持する。本出願を通して、用語「約」は、値がデバイスに対する誤差の固有の変動を含むことを示すために使用され、本方法は、値又は研究主題の中に存在する変動を測定するために利用されている。
本明細書及び請求項で使用する場合、単語「〜を備える（comprising）」（並びに「comprise」及び「comprises」など、「comprising」の任意の形態）、「〜を有する（having）」（並びに「have」及び「has」など、「having」の任意の形態）、「〜を含む（including）」（並びに「includes」及び「include」など、「including」の任意の形態）又は「〜を含む（containing）」（並びに「contains」及び「contain」など、「containing」の任意の形態）は包括的又はオープンエンドであり、追加の、列記されていない要素又は方法ステップを除外しない。本明細書で提供される組成物及び方法のいずれかの実施形態において、「〜を備える（comprising）」は「〜から基本的になる（consisting essentially of）」又は「〜からなる（consisting of）」と置き換えられてもよい。本明細書で使用する場合、句「〜から基本的になる（consisting essentially of）」は、指定の完全体又はステップの他に特許請求された発明の性状又は機能に著しく影響を及ぼさないものを必要とする。本明細書で使用する場合、用語「なる（consisting）」は、列記した完全体（例えば、特徴、要素、特性、性質、方法／プロセスステップ又は限定）又は完全体の群（例えば、特徴、要素、特性、性質、方法／プロセスステップ又は限定）だけの存在を示すために使用される。
用語「又はその組合せ」は、本明細書で使用する場合、同用語に先行する列記された項目の全ての順列及び組合せを指す。例えば、「Ａ、Ｂ、Ｃ又はその組合せ」は、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＡＢ、ＡＣ、ＢＣ又はＡＢＣの、及び特定の局面において順序が重要であれば、さらにＢＡ、ＣＡ、ＣＢ、ＣＢＡ、ＢＣＡ、ＡＣＢ、ＢＡＣ又はＣＡＢの少なくとも１つを含むと意図される。この例を続けると、明らかに含まれるのは、ＢＢ、ＡＡＡ、ＡＢ、ＢＢＣ、ＡＡＡＢＣＣＣＣ、ＣＢＢＡＡＡ、ＣＡＢＡＢＢ等といった、１又は２以上の項目又は用語の繰返しを含む組合せである。当業者は、特に状況から明白でない限り、いかなる組合せでも項目又は用語の数に制限はないことを理解するであろう。
本明細書で使用する場合、限定することなく、「約」、「相当な」又は「実質的に」などの近似の語は、それで修飾されると、必ずしも絶対又は完全であるわけでないと理解されるが、状態が存在すると指摘することを保証するのに、当業者にとって十分に近いと考えられ得る状態を指す。記載が変動し得る範囲は、変化がどれくらい大きく引き起こされ得るか、且つ修飾されていない特徴の必要とされる特性及び能力を修飾された特徴がまだ有していると当業者に認識させるかに依存することになる。一般には、上記の説明を前提として、「約」などの近似の語によって修正される本明細書における数値は、言及した値から少なくとも±１、２、３、４、５、６、７、１０、１２又は１５％変動し得る。
本明細書に開示及び特許請求される組成物及び／又は方法の全てが、本開示に鑑みて不当な実験なしで作製及び実行されることができる。本発明の組成物及び方法を好適な実施形態に関して記載したが、本発明の概念、趣旨及び範囲から逸脱することなく、組成物及び／又は方法に並びに本明細書に記載される方法のステップに又は一連のステップに変形が適用されてもよいことが当業者にとって明らかであろう。当業者にとって明らかな全てのそのような類似の代替及び変更は、添付の請求項によって定められる本発明の趣旨、範囲及び概念内であるとみなされる。
特許局、及び本出願で発行される任意の特許の任意の読者が本明細書に添付される請求項を解釈するのを援助するため、出願人らは、米国特許法第１１２条第６段落、米国特許法第１１２条（ｆ）又は等価物が本明細書の出願日に存在する以上、単語「〜ための手段（means for）」又は「〜ためのステップ（step for）」が特定の請求項に明示的に使用されない限り、添付の請求項のいずれもそれを行使するとは意図しないことを注記することを望む。
請求項の各々に関して、各従属請求項は、先行請求項が請求項用語又は要素に適当な先行詞を提供する限り独立請求項からも、各請求項に対する先行従属請求項の各々からも従属することができる。

Claims (38)

  1. ＲＦインピーダンス整合デバイスを作製する方法であって、
    感光性ガラス基板上に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成する１又は２以上の構造を備える設計レイアウトをマスキングするステップと、
    前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、
    前記感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて少なくとも１０分間加熱するステップと、
    前記感光性ガラス基板を冷却して、前記露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換してガラス結晶基板を形成するステップと、
    前記ガラス結晶基板をエッチング溶液でエッチングして前記デバイスの前記傾斜電気伝導チャネルを形成するステップと、
    前記１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップと、
    電気分離構造の全部又は一部を金属媒体で被覆するステップと
    を含み、
    前記金属が回路網に接続される、前記方法。
  2. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、前記ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項１に記載の方法。
  4. ＲＦインピーダンス整合デバイスと前記基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項１に記載の方法。
  5. 前記エッチングするステップが、前記基板と前記ＲＦインピーダンス整合デバイスとの間にエアギャップを形成し、かつ前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが他のＲＦ電子素子に接続される、請求項１に記載の方法。
  6. トレンチに隣接した前記ガラス結晶基板がセラミック相に変換されてもよい、請求項１に記載の方法。
  7. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスの接地面以外の伝導構造が、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
  8. 前記１又は２以上の金属が、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄから選択される、請求項１に記載の方法。
  9. 前記金属が、表面、埋込コンタクト、ブラインドバイア、ガラスバイア、直線コンタクト、矩形コンタクト、多角形コンタクト又は円形コンタクトを通して前記回路網に接続される、請求項１に記載の方法。
  10. 前記感光性ガラス基板が、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏであって、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せが６重量％〜１６重量％である；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３で、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である、請求項１に記載の方法。
  11. 前記感光性ガラス基板が、３５〜７６重量％のシリカ、３〜１６重量％のＫ２Ｏ、０．００３〜１重量％のＡｇ２Ｏ、０．７５〜１３重量％のＢ２Ｏ３、８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ及び０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である、請求項１に記載の方法。
  12. 前記感光性ガラス基板が、
    光画定可能なガラス基板が少なくとも０．３重量％のＳｂ２Ｏ３又はＡｓ２Ｏ３を含む；光画定可能なガラス基板が０．００３〜１重量％のＡｕ２Ｏを含む；光画定可能なガラス基板が、１〜１８重量％の、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ及びＢａＯからなる群から選択される酸化物を含む；並びに任意で露光部分と未露光部分の異方性エッチング比が１０〜２０：１；２１〜２９：１；３０〜４５：１；２０〜４０：１；４１〜４５：１；及び３０〜５０：１の少なくとも１つである、
    の少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
  13. 前記感光性ガラス基板が、少なくともシリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムを含む感光性ガラスセラミック複合基板である、請求項１に記載の方法。
  14. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、信号入力対信号出力の５０、４０、３０、２５、２０、１５又は１０％未満の損失を有する、請求項１に記載の方法。
  15. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスを、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴に形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  16. ＲＦインピーダンス整合デバイスのための伝導構造を作製する方法であって、
    感光性ガラス基板上に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成する１又は２以上の伝導構造を備える設計レイアウトをマスキングするステップと、
    前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、
    前記感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて少なくとも１０分の加熱相に処理するステップと、
    前記感光性ガラス基板を冷却して、前記露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換してガラス結晶基板を形成するステップと、
    前記ガラス結晶基板をエッチング溶液でエッチングして前記デバイスに前記１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを形成するステップであって、トレンチに隣接した前記ガラス結晶基板がセラミック相に変換されてもよく、かつ前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、前記感光性ガラス基板によって前記ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有するステップと、
    前記１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを１又は２以上の金属で被覆するステップと、
    電気分離構造の全部又は一部を金属媒体で被覆するステップであり、前記金属が表面又は埋込コンタクトを通して回路網に接続されるステップと
    を含む、前記方法。
  17. 前記１又は２以上の伝導構造が、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項１６に記載の方法。
  19. 伝送線路と前記基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項１６に記載の方法。
  20. 前記エッチングするステップが、前記基板と前記ＲＦインピーダンス整合デバイスとの間にエアギャップを形成し、かつ前記伝送線路が他のＲＦ電子素子に接続される、請求項１６に記載の方法。
  21. 前記１又は２以上の金属が、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄから選択される、請求項１６に記載の方法。
  22. 前記感光性ガラス基板が、６０〜７６重量％のシリカ；少なくとも３重量％のＫ２Ｏであって、Ｋ２Ｏ及びＮａ２Ｏの組合せが６重量％〜１６重量％である；０．００３〜１重量％の、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物；０．００３〜２重量％のＣｕ２Ｏ；０．７５重量％〜７重量％のＢ２Ｏ３及び６〜７重量％のＡｌ２Ｏ３で、Ｂ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない；８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ；並びに０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である、請求項１６に記載の方法。
  23. 前記感光性ガラス基板が、３５〜７６重量％のシリカ、３〜１６重量％のＫ２Ｏ、０．００３〜１重量％のＡｇ２Ｏ、０．７５〜１３重量％のＢ２Ｏ３、８〜１５重量％のＬｉ２Ｏ及び０．００１〜０．１重量％のＣｅＯ２の組成を備えるガラス基板である、請求項１６に記載の方法。
  24. 前記感光性ガラス基板が、光画定可能なガラス基板が少なくとも０．３重量％のＳｂ２Ｏ３又はＡｓ２Ｏ３を含む；光画定可能なガラス基板が０．００３〜１重量％のＡｕ２Ｏを含む；光画定可能なガラス基板が、１〜１８重量％の、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ及びＢａＯからなる群から選択される酸化物を含む；並びに任意で露光部分と未露光部分の異方性エッチング比が１０〜２０：１；２１〜２９：１；３０〜４５：１；２０〜４０：１；４１〜４５：１；及び３０〜５０：１の少なくとも１つである、の少なくとも１つである、請求項１６に記載の方法。
  25. 前記感光性ガラス基板が、少なくともシリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム及び酸化セリウムを含む感光性ガラスセラミック複合基板である、請求項１６に記載の方法。
  26. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、信号入力対信号出力の５０、４０、３０、２５、２０、１５又は１０％未満の損失を有する、請求項１６に記載の方法。
  27. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスを、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴に形成するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
  28. ＲＦインピーダンス整合デバイスであって、光画定可能なガラス基板上に形成される前記ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満で機械的に支持される、前記ＲＦインピーダンス整合デバイス。
  29. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、感光性ガラス基板上に１又は２以上の傾斜電気伝導チャネルを備える、請求項２８に記載のデバイス。
  30. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、前記ＲＦインピーダンス整合デバイスの長さ又は幅の５０％未満の機械的支持体を有する、請求項２８に記載のデバイス。
  31. 前記機械的支持体の高さが１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項２８に記載のデバイス。
  32. 伝送線路と前記基板との間の横方向距離が１０μｍより大きく、ＲＦ損失を低減させる、請求項２８に記載のデバイス。
  33. エアギャップ伝送が他のＲＦ電子素子に接続される、請求項２８に記載のデバイス。
  34. トレンチに隣接したガラス結晶基板がセラミック相に変換されてもよい、請求項２８に記載のデバイス。
  35. １又は２以上の金属が、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄから選択される、請求項２８に記載のデバイス。
  36. 金属が、表面、埋込コンタクト、ブラインドバイア、ガラスバイア、直線コンタクト、矩形コンタクト、多角形コンタクト又は円形コンタクトを通して回路網に接続される、請求項２８に記載のデバイス。
  37. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、ＭＨｚ〜ＴＨｚの周波数で、時間遅延ネットワーク、方向性結合器、バイアスティー、固定結合器、位相アレイアンテナ、フィルタ及びデュプレクサ、バラン、電力合成器／分割器又は電力増幅器のうち少なくとも１つの特徴を備える、請求項２８に記載のデバイス。
  38. 前記ＲＦインピーダンス整合デバイスが、マイクロストリップ、ストリップ線路、コプレーナ導波路、接地コプレーナ導波路又は同軸導波管の少なくとも１つを含む１又は２以上の伝導構造を備える、請求項２８に記載のデバイス。
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CA (1) CA3082624C (ja)
WO (1) WO2019136024A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112022002926T5 (de) 2021-08-12 2024-03-14 Ngk Insulators, Ltd. Wellenleiterelement

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3920200A1 (en) 2014-05-05 2021-12-08 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
CA3067812C (en) 2017-07-07 2023-03-14 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates
CA3084818C (en) 2017-12-15 2023-01-17 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate rf filter
KR102600200B1 (ko) 2018-01-04 2023-11-10 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조
WO2019231947A1 (en) 2018-05-29 2019-12-05 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
CA3112608C (en) 2018-09-17 2021-12-28 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency compact slotted antenna with a ground plane
AU2019416327B2 (en) 2018-12-28 2021-12-09 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor RF, microwave and MM wave systems
CA3107810A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 3D Glass Solutions, Inc. Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates
EP4046187A4 (en) * 2019-10-14 2022-12-07 3D Glass Solutions, Inc. HIGH TEMPERATURE PRINTED CIRCUIT BOARD SUBSTRATE
US20240014794A1 (en) * 2020-05-26 2024-01-11 3D Glass Solutions, Inc. Impedence Matching Conductive Structure for High Efficiency RF Circuits
EP4274740A4 (en) * 2021-01-11 2024-02-21 Hewlett Packard Development Co MATCHING ELECTRICALLY CONDUCTIVE LINE RESISTORS AND SWITCHES IN FLUIDIC CHIPS

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027605A1 (ja) * 2003-09-09 2005-03-24 Hoya Corporation 両面配線ガラス基板の製造方法
US20150277047A1 (en) * 2012-09-12 2015-10-01 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
JP2016528735A (ja) * 2013-09-27 2016-09-15 インテル・コーポレーション 受動素子用のスーパーポーザ基板を備えるダイパッケージ
US20170094794A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 3D Glass Solutions, Inc Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane

Family Cites Families (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR957663A (ja) 1943-12-08 1950-02-23
BE478714A (ja) 1946-09-09
US2515941A (en) 1946-09-09 1950-07-18 Corning Glass Works Photosensitive opal glass
BE493137A (ja) 1949-01-07
US2628160A (en) 1951-08-30 1953-02-10 Corning Glass Works Sculpturing glass
BE513836A (ja) 1951-08-30
US2971853A (en) 1953-03-05 1961-02-14 Corning Glass Works Ceramic body and method of making it
US3281264A (en) 1963-01-31 1966-10-25 Coast Metals Inc Method of gold-plating aluminum
US3292115A (en) 1964-09-11 1966-12-13 Hazeltine Research Inc Easily fabricated waveguide structures
JPS5321827B2 (ja) 1973-02-12 1978-07-05
US4028329A (en) 1974-07-24 1977-06-07 Hooker Chemicals & Plastics Corporation Process for the bulk polymerization of vinyl halide polymers showing reduced reactor scale formation
US3993401A (en) 1975-02-10 1976-11-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective material including geometric fresnel zone plates
US3985531A (en) 1975-03-19 1976-10-12 Corning Glass Works Spontaneously-formed fluormica glass-ceramics
US4029605A (en) 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4131516A (en) 1977-07-21 1978-12-26 International Business Machines Corporation Method of making metal filled via holes in ceramic circuit boards
US4413061A (en) 1978-02-06 1983-11-01 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
JPS56155587A (en) 1980-05-02 1981-12-01 Fujitsu Ltd Printed circuit board
JPS57200042A (en) 1981-06-02 1982-12-08 Hoya Corp Exposure method for chemically machinable photosensitive glass
US4537612A (en) 1982-04-01 1985-08-27 Corning Glass Works Colored photochromic glasses and method
JPS5939949U (ja) 1982-09-08 1984-03-14 アルプス電気株式会社 高周波回路装置
US4647940A (en) 1982-09-27 1987-03-03 Rogers Corporation Parallel plate waveguide antenna
US5078771A (en) 1989-02-07 1992-01-07 Canyon Materials, Inc. Method of making high energy beam sensitive glasses
US4514053A (en) 1983-08-04 1985-04-30 Corning Glass Works Integral photosensitive optical device and method
JPS61149905A (ja) 1984-12-25 1986-07-08 Fujitsu Ltd 光合分波器
JPS61231529A (ja) 1985-04-08 1986-10-15 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ装置
JPS62202840A (ja) 1986-03-03 1987-09-07 Toshiba Corp 感光性ガラスの加工方法
US4692015A (en) 1986-03-14 1987-09-08 Xerox Corporation Short focal lens array with multi-magnification properties
JPS63128699A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 株式会社日立製作所 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板
US4788165A (en) 1987-10-07 1988-11-29 Corning Glass Works Copper-exuding, boroaluminosilicate glasses
CA1320507C (en) 1987-10-07 1993-07-20 Elizabeth A. Boylan Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses
US4942076A (en) 1988-11-03 1990-07-17 Micro Substrates, Inc. Ceramic substrate with metal filled via holes for hybrid microcircuits and method of making the same
JP2737292B2 (ja) 1989-09-01 1998-04-08 富士通株式会社 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法
US5147740A (en) 1990-08-09 1992-09-15 Rockwell International Corporation Structure and process for fabricating conductive patterns having sub-half micron dimensions
US5215610A (en) 1991-04-04 1993-06-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating superconductor packages
BE1004844A7 (fr) 1991-04-12 1993-02-09 Laude Lucien Diego Methodes de metallisation de surfaces a l'aide de poudres metalliques.
US5212120A (en) 1991-06-10 1993-05-18 Corning Incorporated Photosensitive glass
US5395498A (en) 1991-11-06 1995-03-07 Gombinsky; Moshe Method for separating biological macromolecules and means therfor
JPH05139787A (ja) 1991-11-19 1993-06-08 Seikosha Co Ltd 感光性ガラスの加工方法
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
JPH05206706A (ja) 1992-01-30 1993-08-13 Reader Denshi Kk インターデジタル型バンドパスフィルタ
US5371466A (en) 1992-07-29 1994-12-06 The Regents Of The University Of California MRI RF ground breaker assembly
US6258497B1 (en) 1992-07-29 2001-07-10 International Business Machines Corporation Precise endpoint detection for etching processes
US6017681A (en) 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
GB2290171B (en) 1994-06-03 1998-01-21 Plessey Semiconductors Ltd Inductor chip device
JPH0826767A (ja) 1994-07-13 1996-01-30 Nippon Glass Kk ソーダ石灰シリカ系感光性ガラス及びその製造方法
JPH08179155A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Ricoh Co Ltd レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法
JP3438383B2 (ja) 1995-03-03 2003-08-18 ソニー株式会社 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
US6066448A (en) 1995-03-10 2000-05-23 Meso Sclae Technologies, Llc. Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5733370A (en) 1996-01-16 1998-03-31 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium
JPH107435A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラスセラミック配線基板およびその製造方法
DE69739716D1 (de) 1996-09-26 2010-02-04 Asahi Glass Co Ltd Schutzplatte für ein Plasma-Display und Verfahren zur Herstellung derselben
US6562523B1 (en) 1996-10-31 2003-05-13 Canyon Materials, Inc. Direct write all-glass photomask blanks
JPH10199728A (ja) 1997-01-07 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜型コイル部品及びその製造方法
US5850623A (en) 1997-03-14 1998-12-15 Eastman Chemical Company Method for standardizing raman spectrometers to obtain stable and transferable calibrations
EP0951724A2 (en) 1997-04-25 1999-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an enveloped multilayer capacitor and an envelope multilayer capacitor
US5998224A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Abbott Laboratories Magnetically assisted binding assays utilizing a magnetically responsive reagent
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
JPH11176815A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置
US6598291B2 (en) 1998-03-20 2003-07-29 Viasystems, Inc. Via connector and method of making same
US6115521A (en) 1998-05-07 2000-09-05 Trw Inc. Fiber/waveguide-mirror-lens alignment device
EP1001439A4 (en) 1998-05-29 2001-12-12 Nissha Printing PRINTED RING-SHAPED COIL, AND PRODUCTION METHOD
US6171886B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Eastman Kodak Company Method of making integrated hybrid silicon-based micro-actuator devices
JP2000199827A (ja) 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法
US6136210A (en) 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
JP2000228615A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Tokin Corp Ｌｃバンドパスフィルタ
JP3360065B2 (ja) 1999-03-24 2002-12-24 エルジー電子株式会社 感光性ガラス基板を利用したマイクロ構造物の製造方法
US6485690B1 (en) 1999-05-27 2002-11-26 Orchid Biosciences, Inc. Multiple fluid sample processor and system
JP3756041B2 (ja) 1999-05-27 2006-03-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
JP2001033664A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Hitachi Cable Ltd 光ファイバブロック
US6278352B1 (en) 1999-07-26 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency thin film inductor
US7179638B2 (en) 1999-07-30 2007-02-20 Large Scale Biology Corporation Microarrays and their manufacture by slicing
US6538775B1 (en) 1999-09-16 2003-03-25 Reveo, Inc. Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings
US6403286B1 (en) 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
JP2001206735A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Central Glass Co Ltd めっき方法
US6579817B2 (en) 2000-04-26 2003-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same
US6329702B1 (en) 2000-07-06 2001-12-11 Tyco Electronics Corporation High frequency carrier
US6495411B1 (en) 2000-07-13 2002-12-17 Promos Technology Inc. Technique to improve deep trench capacitance by increasing surface thereof
US6510264B2 (en) 2000-07-31 2003-01-21 Corning Incorporated Bulk internal bragg gratings and optical devices
US7829348B2 (en) 2000-09-22 2010-11-09 Iowa State University Research Foundation, Inc. Raman-active reagents and the use thereof
EP1330306A2 (en) 2000-10-10 2003-07-30 BioTrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US7033821B2 (en) 2000-11-08 2006-04-25 Surface Logix, Inc. Device for monitoring cell motility in real-time
KR100392956B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
US6824974B2 (en) 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
US6771860B2 (en) 2001-06-29 2004-08-03 Xanoptix, Inc. Module mounted aligning optical connector
JP2004534226A (ja) 2001-06-29 2004-11-11 メソ スケイル テクノロジーズ，エルエルシー 発光試験測定用のアッセイプレート、リーダシステム及び方法
WO2003007379A1 (fr) 2001-07-12 2003-01-23 Hitachi, Ltd. Composant de circuit electronique
US6843902B1 (en) 2001-07-20 2005-01-18 The Regents Of The University Of California Methods for fabricating metal nanowires
US20030025227A1 (en) 2001-08-02 2003-02-06 Zograph, Llc Reproduction of relief patterns
WO2003026733A2 (en) 2001-09-28 2003-04-03 Biovalve Technologies, Inc. Microneedle with membrane
KR100814806B1 (ko) 2001-10-15 2008-03-19 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 제조 방법 및 이 스페이서를 갖는 평판 표시 소자
JP2003209411A (ja) 2001-10-30 2003-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法
US20040171076A1 (en) 2001-12-20 2004-09-02 Dejneka Matthew J. Detectable micro to nano sized structures, methods of manufacture and use
US7064103B2 (en) 2002-01-04 2006-06-20 Becton, Dickinson And Company Binding protein as biosensors
US6867089B2 (en) 2002-01-28 2005-03-15 Nanya Technology Corporation Method of forming a bottle-shaped trench in a semiconductor substrate
US7470518B2 (en) 2002-02-12 2008-12-30 Cellectricon Ab Systems and method for rapidly changing the solution environment around sensors
US20030156819A1 (en) 2002-02-15 2003-08-21 Mark Pruss Optical waveguide
JP2005520202A (ja) 2002-03-14 2005-07-07 コーニング インコーポレイテッド ファイバーアレイおよびファイバーアレイ作製方法
WO2003093809A1 (en) 2002-04-30 2003-11-13 University Of Maryland, Baltimore Fluorescence sensing
JP2003329877A (ja) 2002-05-14 2003-11-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光モジュール
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
JP2005538377A (ja) 2002-09-11 2005-12-15 シナメム コーポレイション 膜ベースアッセイ
US6875544B1 (en) 2002-10-03 2005-04-05 Sandia Corporation Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography
US20040184705A1 (en) 2003-01-08 2004-09-23 Mikihiro Shimada Optical waveguide component and method of manufacturing the same
US6783920B2 (en) 2003-01-15 2004-08-31 The Aerospace Corporation Photosensitive glass variable laser exposure patterning method
DE10304606B3 (de) 2003-02-05 2004-06-03 Magnet-Physik Dr. Steingroever Gmbh Transformator zur Erzeugung hoher elektrischer Ströme
US7601491B2 (en) 2003-02-06 2009-10-13 Becton, Dickinson And Company Pretreatment method for extraction of nucleic acid from biological samples and kits therefor
WO2004073039A2 (en) 2003-02-11 2004-08-26 Oplink Communications, Inc. Ultra broadband inductor assembly
US7150569B2 (en) 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
CN1784807B (zh) 2003-03-04 2013-03-20 诺福特罗尼有限公司 同轴波导微结构及其形成方法
US20040198582A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Borrelli Nicholas F. Optical elements and methods of making optical elements
US6909137B2 (en) 2003-04-07 2005-06-21 International Business Machines Corporation Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode
US7579077B2 (en) 2003-05-05 2009-08-25 Nanosys, Inc. Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications
EP1487019A1 (en) 2003-06-12 2004-12-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and method of manufacturing thereof
KR100495219B1 (ko) 2003-06-25 2005-06-14 삼성전기주식회사 Ｉｃ칩 내장형 파워 엠프 모듈
US7335972B2 (en) 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
US20050170670A1 (en) 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US6830221B1 (en) 2003-12-19 2004-12-14 The Aerospace Corporation Integrated glass ceramic spacecraft
US7316063B2 (en) 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via
JP4153442B2 (ja) 2004-02-02 2008-09-24 シャープ株式会社 光モジュールの製造方法
EP1738378A4 (en) 2004-03-18 2010-05-05 Nanosys Inc NANOFIBRE SURFACE BASED CAPACITORS
JP4394999B2 (ja) 2004-04-12 2010-01-06 大日本印刷株式会社 受動素子内蔵配線基板およびその製造方法
CN1262500C (zh) 2004-04-16 2006-07-05 武汉理工大学 制备纳米孔微晶玻璃/玻璃载体材料的方法
DE202004019052U1 (de) 2004-06-09 2005-10-27 Schott Ag Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung
US7176152B2 (en) 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
JP4622359B2 (ja) 2004-07-22 2011-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
US7064045B2 (en) 2004-08-30 2006-06-20 Miradia Inc. Laser based method and device for forming spacer structures for packaging optical reflection devices
US7132054B1 (en) 2004-09-08 2006-11-07 Sandia Corporation Method to fabricate hollow microneedle arrays
US20060147344A1 (en) 2004-09-30 2006-07-06 The University Of Cincinnati Fully packed capillary electrophoretic separation microchips with self-assembled silica colloidal particles in microchannels and their preparation methods
JP4843611B2 (ja) 2004-10-01 2011-12-21 デ，ロシェモント，エル．，ピエール セラミックアンテナモジュール及びその製造方法
JP4795677B2 (ja) 2004-12-02 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法
JP2006179564A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Nec Corp 半導体接続基板、半導体装置、半導体デバイス及び半導体基板並びに半導体接続基板の製造方法
DE102005003594B4 (de) 2004-12-31 2016-02-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils, verfahrensgemäß hergestelltes Bauteil sowie derartige Bauteile umfassende Einrichtung
KR100682919B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩
US7714688B2 (en) 2005-01-20 2010-05-11 Avx Corporation High Q planar inductors and IPD applications
US7964380B2 (en) 2005-01-21 2011-06-21 Argylia Technologies Nanoparticles for manipulation of biopolymers and methods of thereof
JP2006236516A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Ltd 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法
JP4020159B2 (ja) 2005-04-18 2007-12-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US7355704B2 (en) 2005-06-13 2008-04-08 Solaris Nanosciences, Inc. Chemical and biological sensing using metallic particles in amplifying and absorbing media
JP2006352750A (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Denso Corp アンテナコイル、それを用いた共振アンテナ及びカード型無線機
US7755291B2 (en) 2005-06-27 2010-07-13 Osram Sylvania Inc. Incandescent lamp that emits infrared light and a method of making the lamp
DE102005039323B4 (de) 2005-08-19 2009-09-03 Infineon Technologies Ag Leitbahnanordnung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7410763B2 (en) 2005-09-01 2008-08-12 Intel Corporation Multiplex data collection and analysis in bioanalyte detection
JP2006032982A (ja) 2005-09-02 2006-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜の加熱処理方法
TW200721064A (en) 2005-11-29 2007-06-01 Novatek Microelectronics Corp Timing controller chip
US8003408B2 (en) 2005-12-29 2011-08-23 Intel Corporation Modification of metal nanoparticles for improved analyte detection by surface enhanced Raman spectroscopy (SERS)
GB2434913A (en) 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Support for wafer singulation
US7812416B2 (en) 2006-05-22 2010-10-12 Cardiomems, Inc. Methods and apparatus having an integrated circuit attached to fused silica
JP2007318002A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
TW200815278A (en) 2006-06-28 2008-04-01 Univ Northwestern DPN generated hole nanoarrays
US7990679B2 (en) 2006-07-14 2011-08-02 Dais Analytic Corporation Nanoparticle ultracapacitor
US8061017B2 (en) 2006-08-28 2011-11-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods of making coil transducers
US7965180B2 (en) 2006-09-28 2011-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless sensor device
US7847669B2 (en) 2006-12-06 2010-12-07 Georgia Tech Research Corporation Micro-electromechanical switched tunable inductor
US7556440B2 (en) 2006-12-22 2009-07-07 Lightwire Inc. Dual-lensed unitary optical receiver assembly
WO2008099772A1 (ja) 2007-02-14 2008-08-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR100849791B1 (ko) 2007-03-12 2008-07-31 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 인쇄회로기판
JP2008225339A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Hitachi Cable Ltd 光学系接続構造、光学部材及び光伝送モジュール
WO2008119080A1 (en) 2007-03-28 2008-10-02 Life Bioscience Inc. Compositions and methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP4458296B2 (ja) 2007-03-30 2010-04-28 Ｔｄｋ株式会社 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
WO2008154931A1 (en) 2007-06-18 2008-12-24 Danmarks Tekniske Universitet (Technical University Of Denmark) Adsorbent beads suitable for use in separation of biological molecules
TW200905703A (en) 2007-07-27 2009-02-01 Delta Electronics Inc Magnetic device and manufacturing method thereof
WO2009029733A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Life Biosciences, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
US8211625B2 (en) 2007-11-07 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a locally periodic 3D structure with larger-scale variation in periodic properties and applications thereof
JP5133047B2 (ja) 2007-12-28 2013-01-30 太陽誘電株式会社 電子部品の製造方法
US7792823B2 (en) 2008-01-15 2010-09-07 International Business Machines Corporation Maintained symbol table only index
WO2009111583A1 (en) 2008-03-04 2009-09-11 The Regents Of The University Of California Microlens arrays for enhanced light concentration
US8603626B2 (en) 2008-03-12 2013-12-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Decorative sheet for three-dimensional work
WO2009126649A2 (en) 2008-04-07 2009-10-15 Life Bioscience, Inc. Method of providing particles having biological-binding areas for biological applications
US7948342B2 (en) 2008-07-24 2011-05-24 Cutt-A-Watt Enterprises, Llc Electromotive rectification system
WO2010011939A2 (en) 2008-07-25 2010-01-28 Life Bioscience, Inc. Assay plates, methods and systems having one or more etched features
KR101031134B1 (ko) 2008-09-11 2011-04-27 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 컨택 및 그 제조 방법
US20100237462A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Benjamin Beker Package Level Tuning Techniques for Propagation Channels of High-Speed Signals
EP2417427A4 (en) 2009-04-03 2012-08-08 Res Triangle Inst OPTICAL MEMS SCANNING DEVICE WITH SUPPORT ARM AND SYSTEM AND METHOD THEREFOR
KR100941691B1 (ko) 2009-04-10 2010-02-12 (주)제이스 감광성 유리 기판, 이의 제조 방법 및 반도체 프로브 칩
US7989248B2 (en) 2009-07-02 2011-08-02 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures
UA108856C2 (uk) 2009-07-24 2015-06-25 Пунікалін (punicalin) та пунікалагін (punicalagin) для захисту здоров'я головного мозку при нейродегенеративних розладах
TWI410380B (zh) 2009-11-11 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 光敏玻璃微結構之製造方法及用以製造該微結構之系統
US8479375B2 (en) 2010-01-13 2013-07-09 The Aerospace Corporation Method of making an embedded electromagnetic device
US20110217657A1 (en) 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
CN102869630A (zh) 2010-02-10 2013-01-09 生命生物科学有限公司 制造适合微细加工的光敏基底的方法
JP5904556B2 (ja) 2010-03-03 2016-04-13 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 無機インターポーザ上のパッケージ貫通ビア（ｔｐｖ）構造およびその製造方法
JP5868574B2 (ja) 2010-03-15 2016-02-24 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8492818B2 (en) 2010-09-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation High capacitance trench capacitor
JP5644340B2 (ja) 2010-10-04 2014-12-24 株式会社デンソー キャパシタ構造体およびその製造方法
WO2012075267A1 (en) 2010-12-03 2012-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Inks and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films
US8502340B2 (en) 2010-12-09 2013-08-06 Tessera, Inc. High density three-dimensional integrated capacitors
US8835217B2 (en) 2010-12-22 2014-09-16 Intel Corporation Device packaging with substrates having embedded lines and metal defined pads
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP2012194455A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Enplas Corp レンズアレイ
US8247269B1 (en) 2011-06-29 2012-08-21 Fairchild Semiconductor Corporation Wafer level embedded and stacked die power system-in-package packages
US8497558B2 (en) 2011-07-14 2013-07-30 Infineon Technologies Ag System and method for wafer level packaging
KR101167691B1 (ko) 2011-08-09 2012-07-20 주식회사 비티엔아이티솔루션스 감광성 유리 기판을 구비한 적층형 캐패시터, 이의 제조방법 및 이의 용도
US9287614B2 (en) 2011-08-31 2016-03-15 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined millimeter-wave frequency scanning array
JP2013062473A (ja) 2011-09-15 2013-04-04 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
WO2013108651A1 (ja) 2012-01-16 2013-07-25 株式会社村田製作所 Ｒｆ信号用遮断装置
US9293269B2 (en) 2012-02-08 2016-03-22 Dais Analytic Corporation Ultracapacitor tolerating electric field of sufficient strength
US9285554B2 (en) 2012-02-10 2016-03-15 International Business Machines Corporation Through-substrate optical coupling to photonics chips
JP6011958B2 (ja) 2012-03-28 2016-10-25 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
JP2013217989A (ja) 2012-04-04 2013-10-24 Hitachi Chemical Co Ltd 光ファイバコネクタ
US8896521B2 (en) 2012-04-24 2014-11-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates
US20130308906A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 LaXense, Inc. System and method for dense coupling between optical devices and an optical fiber array
US8815638B2 (en) 2012-06-19 2014-08-26 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing thick-film electrode
US10115671B2 (en) 2012-08-03 2018-10-30 Snaptrack, Inc. Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package
US20140035935A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passives via bar
US9755305B2 (en) 2012-08-16 2017-09-05 Ethertronics, Inc. Active antenna adapted for impedance matching and band switching using a shared component
WO2014028022A1 (en) 2012-08-16 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US8872349B2 (en) 2012-09-11 2014-10-28 Intel Corporation Bridge interconnect with air gap in package assembly
US20140104284A1 (en) 2012-10-16 2014-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Through substrate via inductors
CN104884243B (zh) 2012-10-19 2017-07-18 新泽西鲁特格斯州立大学 制备石墨烯补强的聚合物基质复合材料的原位剥离法
US20140144681A1 (en) 2012-11-27 2014-05-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adhesive metal nitride on glass and related methods
US9035457B2 (en) 2012-11-29 2015-05-19 United Microelectronics Corp. Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same
TWI565989B (zh) 2012-12-14 2017-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器
US20140247269A1 (en) 2013-03-04 2014-09-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High density, low loss 3-d through-glass inductor with magnetic core
US20140272688A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Photronics, Inc. Grayscale lithography of photo definable glass
JP6015567B2 (ja) 2013-06-12 2016-10-26 株式会社デンソー 貫通型コンデンサ
US9202888B2 (en) 2013-06-18 2015-12-01 Stephen P. Barlow Trench high electron mobility transistor device
WO2015019989A1 (ja) 2013-08-07 2015-02-12 Hoya株式会社 感光性ガラス成形体およびその製造方法
US9093975B2 (en) 2013-08-19 2015-07-28 Harris Corporation Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
JPWO2015033826A1 (ja) 2013-09-04 2017-03-02 Hoya株式会社 ケイ酸塩セラミックス、板状基板および板状基板の製造方法
SG11201602499TA (en) 2013-10-07 2016-04-28 Koninkl Philips Nv Precision batch production method for manufacturing ferrite rods
JP2017504828A (ja) 2013-12-19 2017-02-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー マルチモード光学コネクタ
KR101519760B1 (ko) 2013-12-27 2015-05-12 전자부품연구원 금속 배선의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선 기판
US20150201495A1 (en) 2014-01-14 2015-07-16 Qualcomm Incorporated Stacked conductive interconnect inductor
US20170003421A1 (en) 2014-01-24 2017-01-05 3D Glass Solutions, Inc Methods of Fabricating Photoactive Substrates for Micro-lenses and Arrays
US9548350B2 (en) 2014-02-10 2017-01-17 Qualcomm Incorporated High quality factor capacitors and methods for fabricating high quality factor capacitors
EP3920200A1 (en) 2014-05-05 2021-12-08 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
US10201901B2 (en) 2015-01-29 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Robot apparatus, method for controlling robot, program, and recording medium
US9647306B2 (en) 2015-03-04 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. RF filter comprising N coaxial resonators arranged in a specified interdigitation pattern
US20160265974A1 (en) 2015-03-09 2016-09-15 Corning Incorporated Glass waveguide spectrophotometer
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
US9853624B2 (en) 2015-06-26 2017-12-26 Qorvo Us, Inc. SAW resonator with resonant cavities
US9712131B2 (en) 2015-09-15 2017-07-18 Karl L. Thorup High isolation power combiner/splitter and coupler
US20180310399A1 (en) 2015-12-21 2018-10-25 Intel Corporation Microelectronic devices with embedded substrate cavities for device to device communications
US9935004B2 (en) 2016-01-21 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Process and chemistry of plating of through silicon vias
KR102144780B1 (ko) 2016-01-31 2020-08-14 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 통합 디바이스를 갖는 다층 광 정의형 유리
JP7071609B2 (ja) * 2016-02-25 2022-05-19 スリーディー グラス ソリューションズ，インク ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ
US9819991B1 (en) 2016-02-29 2017-11-14 Amazon Technologies, Inc. Adaptive impedance matching interface
WO2017177171A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
US9635757B1 (en) 2016-08-11 2017-04-25 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
EP3327806B1 (en) 2016-11-24 2021-07-21 Murata Integrated Passive Solutions Integrated electronic component suitable for broadband biasing
US10453913B2 (en) 2017-04-26 2019-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device
US11101532B2 (en) 2017-04-28 2021-08-24 3D Glass Solutions, Inc. RF circulator
JP6503408B2 (ja) 2017-05-02 2019-04-17 オリンパス株式会社 導波管、導波管を有する画像伝送装置、導波管を有する内視鏡および内視鏡システム
US10367243B2 (en) 2017-05-02 2019-07-30 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Miniature LTCC coupled stripline resonator filters for digital receivers
JP7083600B2 (ja) 2017-05-25 2022-06-13 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法
CA3067812C (en) 2017-07-07 2023-03-14 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates
TW201909245A (zh) 2017-07-24 2019-03-01 美商康寧公司 精密結構玻璃物件、積體電路封裝、光學元件、微流體元件及其製造方法
US20190093233A1 (en) 2017-09-27 2019-03-28 3D Glass Solutions, Inc Non-Seed Layer Electroless Plating of Ceramic
JP2019106429A (ja) 2017-12-11 2019-06-27 凸版印刷株式会社 ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置
CA3084818C (en) * 2017-12-15 2023-01-17 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate rf filter
KR102600200B1 (ko) 2018-01-04 2023-11-10 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조
EP3643148A4 (en) 2018-04-10 2021-03-31 3D Glass Solutions, Inc. RF INTEGRATED POWER STATE CAPACITOR
WO2019231947A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-05 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
CN210668058U (zh) 2019-12-09 2020-06-02 梅州市成就电子科技有限公司 一种宽频锥形电感

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027605A1 (ja) * 2003-09-09 2005-03-24 Hoya Corporation 両面配線ガラス基板の製造方法
US20150277047A1 (en) * 2012-09-12 2015-10-01 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
JP2016528735A (ja) * 2013-09-27 2016-09-15 インテル・コーポレーション 受動素子用のスーパーポーザ基板を備えるダイパッケージ
US20170094794A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 3D Glass Solutions, Inc Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112022002926T5 (de) 2021-08-12 2024-03-14 Ngk Insulators, Ltd. Wellenleiterelement

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