JP2001206735A - めっき方法 - Google Patents
めっき方法Info
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- JP2001206735A JP2001206735A JP2000015416A JP2000015416A JP2001206735A JP 2001206735 A JP2001206735 A JP 2001206735A JP 2000015416 A JP2000015416 A JP 2000015416A JP 2000015416 A JP2000015416 A JP 2000015416A JP 2001206735 A JP2001206735 A JP 2001206735A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解めっき法において、活性化処理に際し
て高価なパラジウムを用いることなく、基材との密着力
の高いめっき膜を形成する。 【解決手段】 非金属基体表面にめっき用金属の析出を
容易とすべき錫イオン(Sn2+) を含む増感溶液を接触さ
せる増感処理工程、引き続き前記非金属基材表面にめっ
きの始動核となる金属粒子を析出させる活性化溶液と接
触させる活性化処理工程を含む無電解めっき工程におい
て、前記増感溶液が還元性化合物を含み、且つ前記活性
化溶液が銀イオン(Ag+）を含むめっき方法。
て高価なパラジウムを用いることなく、基材との密着力
の高いめっき膜を形成する。 【解決手段】 非金属基体表面にめっき用金属の析出を
容易とすべき錫イオン(Sn2+) を含む増感溶液を接触さ
せる増感処理工程、引き続き前記非金属基材表面にめっ
きの始動核となる金属粒子を析出させる活性化溶液と接
触させる活性化処理工程を含む無電解めっき工程におい
て、前記増感溶液が還元性化合物を含み、且つ前記活性
化溶液が銀イオン(Ag+）を含むめっき方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非金属基材表面に
無電解めっき法により所要の金属を膜付けする方法であ
って、活性化処理に際して溶液中にパラジウムイオンを
含有させることなく、安価かつ容易に基材との密着力の
高いめっき膜を得るためのめっき方法、特にガラス基材
に適用しためっき方法に関する。
無電解めっき法により所要の金属を膜付けする方法であ
って、活性化処理に際して溶液中にパラジウムイオンを
含有させることなく、安価かつ容易に基材との密着力の
高いめっき膜を得るためのめっき方法、特にガラス基材
に適用しためっき方法に関する。
【０００２】
【従来技術および解決すべき課題】非金属基材に無電解
法により所要の金属種のめっきを施す場合、増感処理、
更に活性化処理を経て、めっき溶液を基材に接触させて
めっきを施すことは既に知られている。
法により所要の金属種のめっきを施す場合、増感処理、
更に活性化処理を経て、めっき溶液を基材に接触させて
めっきを施すことは既に知られている。
【０００３】増感処理においては、通常錫イオン（S
n2+）を含む溶液を基材に接触させ、基材上に上記イオ
ンを吸着させる。これは錫(II)イオン（Sn2+）から錫(I
V)イオン（Sn4+）への酸化作用により、めっきすべき所
要の金属種のイオン（Men+）を、該金属（Me0）として
基材上に析出させる作用も有するが、より重要なこと
は、引き続く活性化処理により、基材に所要の金属を沈
着させるための始動核を形成するうえでの前段処理とし
ての作用がある。
n2+）を含む溶液を基材に接触させ、基材上に上記イオ
ンを吸着させる。これは錫(II)イオン（Sn2+）から錫(I
V)イオン（Sn4+）への酸化作用により、めっきすべき所
要の金属種のイオン（Men+）を、該金属（Me0）として
基材上に析出させる作用も有するが、より重要なこと
は、引き続く活性化処理により、基材に所要の金属を沈
着させるための始動核を形成するうえでの前段処理とし
ての作用がある。
【０００４】活性化処理においては、貴金属イオン、通
常パラジウムイオン（Pd2+）を含む溶液を上記基材に接
触させ、Sn2+との以下に示す置換反応により、パラジウ
ム（Pd0）が生成する。パラジウムは、次ぎの膜付け処
理の際の始動核として作用し、所要金属の膜付けを容易
にするものである。 Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0
常パラジウムイオン（Pd2+）を含む溶液を上記基材に接
触させ、Sn2+との以下に示す置換反応により、パラジウ
ム（Pd0）が生成する。パラジウムは、次ぎの膜付け処
理の際の始動核として作用し、所要金属の膜付けを容易
にするものである。 Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0
【０００５】なお、基材に強酸性のパラジウム−錫コロ
イド溶液を接触させ、基材上に当該コロイドを吸着させ
た後、酸あるいはアルカリの処理で前記コロイドからパ
ラジウムのめっき始動核を発現させる方法も広く利用さ
れている。
イド溶液を接触させ、基材上に当該コロイドを吸着させ
た後、酸あるいはアルカリの処理で前記コロイドからパ
ラジウムのめっき始動核を発現させる方法も広く利用さ
れている。
【０００６】膜付け処理においては、めっき用金属イオ
ン溶液および還元剤溶液を同時に基材に接触させたり、
あるいはめっき用金属イオン溶液と還元剤溶液を混合し
た溶液に基材を浸漬する等の手段により、基材上に金属
を沈着させる。
ン溶液および還元剤溶液を同時に基材に接触させたり、
あるいはめっき用金属イオン溶液と還元剤溶液を混合し
た溶液に基材を浸漬する等の手段により、基材上に金属
を沈着させる。
【０００７】めっき工程は以上の処理工程からなるが、
上記めっき始動核を発現させるめっき前処理にパラジウ
ムのごとき高価な材料を用いると、めっきコストを高騰
するという不具合がある。
上記めっき始動核を発現させるめっき前処理にパラジウ
ムのごとき高価な材料を用いると、めっきコストを高騰
するという不具合がある。
【０００８】特開平７−316826号公報には、ガラス質基
材上に銀被覆を形成する方法であって、基材面に例えば
塩化錫(II）を含む増感溶液と接触させる増感工程、次
いで例えば塩化パラジウム(II）を含む活性化溶液と接
触させる活性化工程、さらに銀めっき溶液と接触させる
銀めっき工程が開示されているが、前記一般的なめっき
処理工程を、ガラス基材に銀を膜付けすることに特定し
たに過ぎず、前記したようにめっきコストの高騰は避け
られない。
材上に銀被覆を形成する方法であって、基材面に例えば
塩化錫(II）を含む増感溶液と接触させる増感工程、次
いで例えば塩化パラジウム(II）を含む活性化溶液と接
触させる活性化工程、さらに銀めっき溶液と接触させる
銀めっき工程が開示されているが、前記一般的なめっき
処理工程を、ガラス基材に銀を膜付けすることに特定し
たに過ぎず、前記したようにめっきコストの高騰は避け
られない。
【０００９】一方、パラジウムを用いないで活性化処理
を行う方法として、特開平１−68478号公報、特開平11
−241170号公報には、銀塩や、鉄塩、ニッケル塩、コバ
ルト塩などの安価な遷移金属塩を用いる方法が開示され
ている。しかしながら、これらの金属はパラジウムと比
べて触媒活性が低く、形成されためっき膜の密着力が十
分に得られないという問題点があった。
を行う方法として、特開平１−68478号公報、特開平11
−241170号公報には、銀塩や、鉄塩、ニッケル塩、コバ
ルト塩などの安価な遷移金属塩を用いる方法が開示され
ている。しかしながら、これらの金属はパラジウムと比
べて触媒活性が低く、形成されためっき膜の密着力が十
分に得られないという問題点があった。
【００１０】本発明は、所要の金属を容易かつ安価な手
段で、効率的かつめっきの基材との密着力を格段と向上
しためっき方法を提供することを目的とする。
段で、効率的かつめっきの基材との密着力を格段と向上
しためっき方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、非金属基体表
面にめっき用金属の析出を容易とすべき錫イオン(Sn2 +)
を含む増感溶液を接触させる増感処理工程、引き続き
前記非金属基材表面にめっきの始動核となる金属粒子を
析出させる活性化溶液と接触させる活性化処理工程を含
む無電解めっき工程において、前記増感溶液が還元性化
合物を含み、且つ前記活性化溶液が銀イオン(Ag+) を含
むめっき方法である。
面にめっき用金属の析出を容易とすべき錫イオン(Sn2 +)
を含む増感溶液を接触させる増感処理工程、引き続き
前記非金属基材表面にめっきの始動核となる金属粒子を
析出させる活性化溶液と接触させる活性化処理工程を含
む無電解めっき工程において、前記増感溶液が還元性化
合物を含み、且つ前記活性化溶液が銀イオン(Ag+) を含
むめっき方法である。
【００１２】上記において、増感溶液に含まれる還元性
化合物が、亜リン酸又はその塩、次亜リン酸又はその
塩、Ｌ−アスコルビン酸又はその塩、シュウ酸又はその
塩のうちの１種以上であること、上記増感溶液中の還元
性化合物が、0.01〜100ｇ／L の濃度範囲であること、
上記非金属基材がガラスであること、を包含する。
化合物が、亜リン酸又はその塩、次亜リン酸又はその
塩、Ｌ−アスコルビン酸又はその塩、シュウ酸又はその
塩のうちの１種以上であること、上記増感溶液中の還元
性化合物が、0.01〜100ｇ／L の濃度範囲であること、
上記非金属基材がガラスであること、を包含する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明において、増感溶液におけ
る錫イオン(Sn2+）源として塩化錫、フッ化錫、臭化錫
等のハロゲン化錫が好適に採用できる。前記増感溶液に
含まれる還元性化合物は、液中のSn2+イオンを安定した
状態に保ち、また該Sn2+イオンを基体に効果的に吸着さ
せる作用効果を有する。基体に吸着されたSn2+イオン
は、次の活性化処理において、活性化剤（始動核形成
剤）としてのAg+イオンとの以下の反応、すなわち、 Sn2+＋Ag+→Sn4+＋Ag0 によりめっきの始動核(Ag0）を形成する源となる。
る錫イオン(Sn2+）源として塩化錫、フッ化錫、臭化錫
等のハロゲン化錫が好適に採用できる。前記増感溶液に
含まれる還元性化合物は、液中のSn2+イオンを安定した
状態に保ち、また該Sn2+イオンを基体に効果的に吸着さ
せる作用効果を有する。基体に吸着されたSn2+イオン
は、次の活性化処理において、活性化剤（始動核形成
剤）としてのAg+イオンとの以下の反応、すなわち、 Sn2+＋Ag+→Sn4+＋Ag0 によりめっきの始動核(Ag0）を形成する源となる。
【００１４】このような処理をした後、めっき（膜付け
処理）に際しては、通常のめっき用金属イオン溶液およ
び還元剤溶液により、例えば銀イオン溶液と銀イオンを
還元する還元剤溶液とを同時に基材に接触させ、基材上
に銀を密着力高く沈着させることができる。また、その
密着力は触媒活性の高いパラジウムを活性化処理に用い
た場合に匹敵するものであり、活性化剤としての高価な
パラジウムを採用する必要はない。
処理）に際しては、通常のめっき用金属イオン溶液およ
び還元剤溶液により、例えば銀イオン溶液と銀イオンを
還元する還元剤溶液とを同時に基材に接触させ、基材上
に銀を密着力高く沈着させることができる。また、その
密着力は触媒活性の高いパラジウムを活性化処理に用い
た場合に匹敵するものであり、活性化剤としての高価な
パラジウムを採用する必要はない。
【００１５】さらに、増感溶液における還元性化合物の
酸化防止作用により、増感溶液中のSn2+を安定な状態に
保つため、該増感溶液の可使時間を長期に保つことが可
能である。本発明者の実験によれば、作成後24時間放置
した増感溶液で増感処理したものでも、その後の活性化
処理を経てめっきした際に、めっき膜は基材に対し良好
に膜形成でき、前記したようにその密着力はきわめて高
い。
酸化防止作用により、増感溶液中のSn2+を安定な状態に
保つため、該増感溶液の可使時間を長期に保つことが可
能である。本発明者の実験によれば、作成後24時間放置
した増感溶液で増感処理したものでも、その後の活性化
処理を経てめっきした際に、めっき膜は基材に対し良好
に膜形成でき、前記したようにその密着力はきわめて高
い。
【００１６】前記増感溶液に含まれる還元性化合物とし
ては、硫化水素、過酸化水素、亜硫酸ナトリウム、亜硫
酸カリウム等の亜硫酸塩、ジメチルアミンボラン、水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化
ホウ素化合物、ヒドラジン誘導体、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、還元糖類等のアルデヒド誘導体、亜
リン酸、亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム等の亜
リン酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜リ
ン酸カリウム等の次亜リン酸塩、アスコルビン酸、アス
コルビン酸ナトリウム、アスコルビン酸カリウム等のア
スコルビン酸塩、シュウ酸、シュウ酸ナトリウム、シュ
ウ酸カリウム等のシュウ酸塩などが挙げられるが、特に
亜リン酸、亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム等の
亜リン酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜
リン酸カリウム等の次亜リン酸塩、Ｌ−アスコルビン
酸、Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム、Ｌ−アスコルビン
酸カリウム等のＬ−アスコルビン酸塩、シュウ酸、シュ
ウ酸ナトリウム、シュウ酸カリウム等のシュウ酸塩のう
ちの１種以上を採用するのが好ましい。また、増感溶液
中の前記還元性化合物は0.01〜100ｇ／L の濃度範囲で
あることが好ましく、0.01ｇ／L 未満では遷移金属イオ
ンを安定した状態に維持するのが困難であり、100ｇ／L
を越えても、始動核を形成するうえでの更なる効果は
認められない。
ては、硫化水素、過酸化水素、亜硫酸ナトリウム、亜硫
酸カリウム等の亜硫酸塩、ジメチルアミンボラン、水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化
ホウ素化合物、ヒドラジン誘導体、ホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、還元糖類等のアルデヒド誘導体、亜
リン酸、亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム等の亜
リン酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜リ
ン酸カリウム等の次亜リン酸塩、アスコルビン酸、アス
コルビン酸ナトリウム、アスコルビン酸カリウム等のア
スコルビン酸塩、シュウ酸、シュウ酸ナトリウム、シュ
ウ酸カリウム等のシュウ酸塩などが挙げられるが、特に
亜リン酸、亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム等の
亜リン酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜
リン酸カリウム等の次亜リン酸塩、Ｌ−アスコルビン
酸、Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム、Ｌ−アスコルビン
酸カリウム等のＬ−アスコルビン酸塩、シュウ酸、シュ
ウ酸ナトリウム、シュウ酸カリウム等のシュウ酸塩のう
ちの１種以上を採用するのが好ましい。また、増感溶液
中の前記還元性化合物は0.01〜100ｇ／L の濃度範囲で
あることが好ましく、0.01ｇ／L 未満では遷移金属イオ
ンを安定した状態に維持するのが困難であり、100ｇ／L
を越えても、始動核を形成するうえでの更なる効果は
認められない。
【００１７】活性化剤としての銀イオン(Ag+) は、いわ
ゆる自己触媒型めっきににおける始動核形成剤として作
用し、該核形成後、銀、ニッケル、銅、コバルト、カド
ミウム、鉛、金、錫、白金、パラジウム、ロジウム、ル
テニウム等の各種金属をめっきすることができる。
ゆる自己触媒型めっきににおける始動核形成剤として作
用し、該核形成後、銀、ニッケル、銅、コバルト、カド
ミウム、鉛、金、錫、白金、パラジウム、ロジウム、ル
テニウム等の各種金属をめっきすることができる。
【００１８】それら金属をめっきすることにより、基板
に対し装飾性、光反射性、電気特性（導電性、抵抗加熱
性）、撥水性、耐摩耗性等を付与し、あるいは基板の耐
酸化性、耐食性、耐擦傷性を向上することができる。
に対し装飾性、光反射性、電気特性（導電性、抵抗加熱
性）、撥水性、耐摩耗性等を付与し、あるいは基板の耐
酸化性、耐食性、耐擦傷性を向上することができる。
【００１９】また、被めっき基体はガラスであることが
本発明の特徴を十分に引き出せるが、別に各種プラスチ
ックスやセラミックス、木質材、繊維質材、その他半導
体特性を有する材料等であってもよく、形状も各種成形
物、シート状物、繊維状物、織物等いずれの基体にも適
応可能である。なお、ガラスのようなきわめて平滑な面
ではなく、凹凸粗面を有する基体に対しては、その投錨
作用により密着力が更に増大することはいうまでもな
い。
本発明の特徴を十分に引き出せるが、別に各種プラスチ
ックスやセラミックス、木質材、繊維質材、その他半導
体特性を有する材料等であってもよく、形状も各種成形
物、シート状物、繊維状物、織物等いずれの基体にも適
応可能である。なお、ガラスのようなきわめて平滑な面
ではなく、凹凸粗面を有する基体に対しては、その投錨
作用により密着力が更に増大することはいうまでもな
い。
【００２０】
【実施例】以下実施例を示し、本発明を説明する。ソー
ダ石灰シリカ系ガラス板を洗浄、研磨した後、以下の各
実施例、比較例、参考例に示す条件で前処理液による増
感処理，活性化処理を行い、銀，ニッケル，銅の無電解
めっきを施した。
ダ石灰シリカ系ガラス板を洗浄、研磨した後、以下の各
実施例、比較例、参考例に示す条件で前処理液による増
感処理，活性化処理を行い、銀，ニッケル，銅の無電解
めっきを施した。
【００２１】銀めっきは、水溶液１Ｌに硝酸銀12ｇ、28
％（質量％、以下濃度は質量％で示す）水酸化アンモニ
ウム21mlを含む銀溶液と、水溶液１Ｌにグルコン酸ナト
リウム 0.015mol、苛性ソーダ 8.4ｇを含む還元性溶液
を23℃のガラス基板上で接触させて行った。
％（質量％、以下濃度は質量％で示す）水酸化アンモニ
ウム21mlを含む銀溶液と、水溶液１Ｌにグルコン酸ナト
リウム 0.015mol、苛性ソーダ 8.4ｇを含む還元性溶液
を23℃のガラス基板上で接触させて行った。
【００２２】ニッケルめっきは、水溶液１Ｌに次亜リン
酸ニッケル25ｇ，ホウ酸10ｇ，硫酸アンモニウム2.5
ｇ，酢酸ナトリウム5.0ｇを含む20℃のめっき浴にガラ
ス基板を５分間浸漬させて行った。
酸ニッケル25ｇ，ホウ酸10ｇ，硫酸アンモニウム2.5
ｇ，酢酸ナトリウム5.0ｇを含む20℃のめっき浴にガラ
ス基板を５分間浸漬させて行った。
【００２３】銅めっきは、水溶液１Ｌに硝酸銅15ｇ，炭
酸水素ナトリウム10ｇ，酒石酸ナトリウム30ｇ，水酸化
ナトリウム20ｇ，ホルムアルデヒド60ｇを含む25℃のめ
っき浴にガラス基板を２分間浸漬させて行った。なお、
各試料ともめっき膜の厚みは80〜90nmの範囲である。
酸水素ナトリウム10ｇ，酒石酸ナトリウム30ｇ，水酸化
ナトリウム20ｇ，ホルムアルデヒド60ｇを含む25℃のめ
っき浴にガラス基板を２分間浸漬させて行った。なお、
各試料ともめっき膜の厚みは80〜90nmの範囲である。
【００２４】また、それらめっき後の試料については、
めっき膜の鍍着状況について外観観察して良否判定し、
下記の方法でガラス−めっき膜の密着力を測定した。す
なわちめっき膜上にアクリルウレタン樹脂からなる高膜
厚（50μｍ）の膜を形成し、該膜付け表面よりカッター
ナイフで10mm間隔で短冊状切り込みを入れ、短冊の一端
から塗料塗膜をめっき膜とともに基材表面から引き剥が
した際の引き剥がし強度を引張強度試験機で測定し、密
着力値を得た。
めっき膜の鍍着状況について外観観察して良否判定し、
下記の方法でガラス−めっき膜の密着力を測定した。す
なわちめっき膜上にアクリルウレタン樹脂からなる高膜
厚（50μｍ）の膜を形成し、該膜付け表面よりカッター
ナイフで10mm間隔で短冊状切り込みを入れ、短冊の一端
から塗料塗膜をめっき膜とともに基材表面から引き剥が
した際の引き剥がし強度を引張強度試験機で測定し、密
着力値を得た。
【００２５】〔実施例１〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、10分
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、10分
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
【００２６】〔実施例２〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、L−アスコルビン酸C6H8O6 1.0ｇ、35
％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、１０分間放置
した後にガラス基板にスプレーして増感処理をし、続い
て水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニウム2
1mlを含む活性化処理液で上記同様の手段により活性化
処理した後、前記した条件で銀めっきを行った。観察、
測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、L−アスコルビン酸C6H8O6 1.0ｇ、35
％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、１０分間放置
した後にガラス基板にスプレーして増感処理をし、続い
て水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニウム2
1mlを含む活性化処理液で上記同様の手段により活性化
処理した後、前記した条件で銀めっきを行った。観察、
測定結果を表１に示す。
【００２７】〔実施例３〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、シュウ酸 (COOH)2 0.25ｇ、35％塩酸
0.3mlを含む増感処理液を作成後１０分間放置した後に
ガラス基板にスプレーして増感処理をし、続いて水溶液
１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニウム21mlを含
む活性化処理液で上記同様の手段により活性化処理した
後、前記した条件で銀めっきを行った。観察、測定結果
を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、シュウ酸 (COOH)2 0.25ｇ、35％塩酸
0.3mlを含む増感処理液を作成後１０分間放置した後に
ガラス基板にスプレーして増感処理をし、続いて水溶液
１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニウム21mlを含
む活性化処理液で上記同様の手段により活性化処理した
後、前記した条件で銀めっきを行った。観察、測定結果
を表１に示す。
【００２８】〔実施例４〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、６時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、６時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
【００２９】〔実施例５〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様の手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
【００３０】〔実施例６〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段によ
り活性化処理した後、前記した条件でニッケルめっきを
行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段によ
り活性化処理した後、前記した条件でニッケルめっきを
行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３１】〔実施例７〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銅めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、次亜リン酸ナトリウムNaH2PO2・H2O 0.
64ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、24時
間放置した後にガラス基板にスプレーして増感処理を
し、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アン
モニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段によ
り活性化処理した後、前記した条件で銅めっきを行っ
た。観察、測定結果を表１に示す。
【００３２】〔比較例１〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、10分間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、10分間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３３】〔比較例２〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３４】〔比較例３〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件でニッケル
めっきを行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件でニッケル
めっきを行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３５】〔比較例４〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銅めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水
酸化アンモニウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な
手段により活性化処理した後、前記した条件で銅めっき
を行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３６】〔比較例５〕還元性化合物のみを含む液を
ガラス基板に接触させ、次いで還元剤化合物を含まない
増感処理液、更に活性化処理液で処理後、銀めっきする
手順とした。すなわち、水溶液１Ｌに次亜燐酸ナトリウ
ム0.64ｇを含む還元性化合物含有溶液でガラス基板にス
プレーし、次いで水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl2・２H2O
を1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、10
分間放置した後に上記同様な手段により増感処理をし、
続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニ
ウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段により活
性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行った。観
察、測定結果を表１に示す。
ガラス基板に接触させ、次いで還元剤化合物を含まない
増感処理液、更に活性化処理液で処理後、銀めっきする
手順とした。すなわち、水溶液１Ｌに次亜燐酸ナトリウ
ム0.64ｇを含む還元性化合物含有溶液でガラス基板にス
プレーし、次いで水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl2・２H2O
を1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作成し、10
分間放置した後に上記同様な手段により増感処理をし、
続いて水溶液１Ｌに硝酸銀1.2ｇ、28％水酸化アンモニ
ウム21mlを含む活性化処理液で上記同様な手段により活
性化処理した後、前記した条件で銀めっきを行った。観
察、測定結果を表１に示す。
【００３７】〔参考例１〕水溶液１Ｌに塩化第一錫SnCl
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに塩化パラジウム0.06
ｇ、35％塩酸0.02mlを含む活性化処理液で上記同様な手
段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを
行った。観察、測定結果を表１に示す。
2・２H2Oを1.0ｇ、35％塩酸0.3mlを含む増感処理液を作
成し、24時間放置した後にガラス基板にスプレーして増
感処理をし、続いて水溶液１Ｌに塩化パラジウム0.06
ｇ、35％塩酸0.02mlを含む活性化処理液で上記同様な手
段により活性化処理した後、前記した条件で銀めっきを
行った。観察、測定結果を表１に示す。
【００３８】 〔表１〕 ─────────────────────────────────── めっき種類 還元性化合物 活性化剤 めっきの めっき膜の (基体:カ゛ラス) 外観 密着力(N/m) ─────────────────────────────────── 実施例１ 銀 次亜リン酸ナトリウム 銀 良好 108 実施例２ 銀 L-アスコルヒ゛ン酸 銀 良好 98 実施例３ 銀 シュウ酸 銀 良好 118 実施例４ 銀 次亜リン酸ナトリウム 銀 良好 108 実施例５ 銀 次亜リン酸ナトリウム 銀 良好 69 実施例６ ニッケル 次亜リン酸ナトリウム 銀 良好 59 実施例７ 銅 次亜リン酸ナトリウム 銀 良好 78 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−-−−−−−−−−−− 比較例１ 銀 無し 銀 良好 22 比較例２ 銀 無し 銀 良好 15 比較例３ ニッケル 無し 銀 良好 18 比較例４ 銅 無し 銀 良好 8 比較例５ 銀 次亜リン酸ナトリウム※1 銀 良好 19 参考例１ 銀 無し ハ゜ラシ゛ウム※2 良好 98 ─────────────────────────────────── ※1増感処理に先立ち、還元性化合物溶液の基板への接触 ※2パラジウムの採用は処理コストを高騰する。
【００３９】以上のとおり、本実施例によれば安価かつ
容易な手段で密着力の高いめっき膜を得ることができ
る。
容易な手段で密着力の高いめっき膜を得ることができ
る。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば安価かつ容易な手段によ
り、密着力の高いめっき膜を得ることができる。
り、密着力の高いめっき膜を得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】非金属基体表面にめっき用金属の析出を容
易とすべき錫イオン(Sn2+) を含む増感溶液を接触させ
る増感処理工程、引き続き前記非金属基材表面にめっき
の始動核となる金属粒子を析出させる活性化溶液と接触
させる活性化処理工程を含む無電解めっき工程におい
て、前記増感溶液が還元性化合物を含み、且つ前記活性
化溶液が銀イオン(Ag+) を含むことを特徴とするめっき
方法。 - 【請求項２】増感溶液に含まれる還元性化合物が、亜リ
ン酸又はその塩、次亜リン酸又はその塩、Ｌ−アスコル
ビン酸又はその塩、シュウ酸又はその塩のうちの１種以
上であることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。 - 【請求項３】増感溶液中の還元性化合物が、0.01〜100
ｇ／L の濃度範囲であることを特徴とする請求項１また
は２記載のめっき方法。 - 【請求項４】非金属基材がガラスであることを特徴とす
る請求項１、２または３記載のめっき方法。
Priority Applications (1)
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| JP2000015416A JP2001206735A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | めっき方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015416A JP2001206735A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | めっき方法 |
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|---|---|
| JP2001206735A true JP2001206735A (ja) | 2001-07-31 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN100372795C (zh) * | 2005-05-30 | 2008-03-05 | 秦皇岛玻璃工业研究设计院 | 一种银镜还原制剂 |
| JP2012256580A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-12-27 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 導電用銀被覆硝子粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト |
| CN106623908A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-05-10 | 齐鲁工业大学 | 一种镍包覆六方氮化硼复合粉体的制备方法 |
| US10903545B2 (en) | 2018-05-29 | 2021-01-26 | 3D Glass Solutions, Inc. | Method of making a mechanically stabilized radio frequency transmission line device |
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| US11139582B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-10-05 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency compact slotted antenna with a ground plane |
| US11161773B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-11-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
| US11264167B2 (en) | 2016-02-25 | 2022-03-01 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3D capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
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-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000015416A patent/JP2001206735A/ja active Pending
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