JP4458296B2 - 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法に関する。

携帯電話機で採用されているＢＴ/Ｗ−ＬＡＮなどの近距離無線通信システムにおいて用いられる誘電体フィルタとして、誘電体基体の内部に、キャパシタ電極などを構成する平面電極と共に、インダクタンスを生じる縦導体とを内蔵させた積層タイプのものが、知られている。インダクタンスを生じる縦導体は、スルーホール導体、又は、ビアホール導体と称されることもあり、一般には、平面電極膜の膜面に対して、垂直になるように配置される。

これらの誘電体共振器や誘電体フィルタは、携帯電話機の小型化、薄型化の進展に伴い、より一層の小型化、低背化が要求されるようになっている。

しかし、インダクタンスを生じる縦導体が、平面電極膜の膜面に対して、垂直になるように配置されている従来の誘電体共振器では、低背化すると、インダクタンスを生じる縦導体の長さが短くならざるを得ず、反射的にＱ値が下がり、フィルタの伝送品質が劣化する。

また、誘電体フィルタでは、誘電体共振器数を選択することによって、所望の周波数帯域幅を確保するのが普通である。

ところが、小型化の要請から外形寸法が制限されており、このような制限のもとでは、周波数帯域幅を拡大するべく、誘電体共振器数を増すほどに、誘電体共振器が高密度で配置されることになり、誘電体共振器相互の電磁結合が強くなりすぎる傾向にある。インダクタンスを生じる縦導体が、平面電極膜の膜面に対して、垂直になるように配置されている従来の誘電体共振器では、その傾向が特に強く現れる。そこで、所望のフィルタ特性を得るべく、誘電体共振器相互の電磁結合を適切に調整する必要がある。

誘電体共振器相互の電磁結合を調整するもっとも簡易な手法は、誘電体共振器の間隔を調整することである。しかし、取りえる外形寸法が決まっている誘電体フィルタでは、誘電体共振器の間隔を調整するなどの処理をすることができない。

低背化に伴う誘電体共振器の損失を低減させる技術として、特許文献１は、層状に配置された内部電極のうち、最も外側に配置された内部電極を幅広にする技術を開示しているが、上述した要求に充分には応えることができない。
特開２００１−２３７６１９号公報

本発明の課題は、低背化された場合でも、インダクタンス値及びＱ値を容易に所望値に調整しえる誘電体共振器及びその調整方法を提供することである。

本発明のもう一つの課題は、共振器間の電磁結合を容易に調整しえる誘電体フィルタ及びその調整方法を提供することである。

上述した課題を解決するため、本発明は、誘電体共振器、誘電体フィルタ、及び、特性調整方法を開示する。

１．誘電体共振器及びその特性調整方法
本発明に係る誘電体共振器は、誘電体基体と、内部電極と、縦導体とを含んでおり、前記内部電極は、膜面が前記誘電体基体の厚さ方向と直交する平面にあり、前記縦導体は、インダクタンスを生じる部分であって、少なくとも一端が前記内部電極に接続されている。前記縦導体は、前記平面に対して傾斜し、前記誘電体基体の厚さ方向に延びている。

上述したように、本発明に係る誘電体共振器では、前記縦導体が、前記誘電体基体の厚さ方向と直交する平面に対して傾斜し、前記誘電体基体の厚さ方向に延びているので、低背化された場合でも、インダクタンスを生じる縦導体の長さを拡大することができる。このため、低背化された場合でも、インダクタンス値及びＱ値を容易に所望値に調整しえる。

前記インダクタンス値又はＱ値の調整は、前記縦導体の前記平面に対する傾斜角度を調整することによって、容易に実行することができる。傾斜角度は、６０度以上９０度未満の範囲に設定することが好ましい。

前記縦導体は、一本のピン状導体であってもよいし、前記誘電体基体の所定厚さ毎の導体膜を、積層して構成されたものであってもよい。

後者の場合、セラミックグリーンシートで構成される誘電体基体に、あらかじめ、縦導体充填用の貫通孔を開けておき、この貫通孔内にスクリーン印刷などの手段によって導電性ペーストを注入し、こうして得られたセラミックグリーンシートを、少しずつずらして積層することにより、所定の傾斜角度を有する縦導体を形成することができる。こうして得られた縦導体は、セラミックグリーンシートのずらし量によって制御された傾斜角度を持つことになる上、ずらし量と貫通孔の形状選定によって、縦導体にエッジ部分が生じるのを極力回避し、エッジ効果によるＱ値の低下や、損失の増大が抑えられることなどの利点をもたらす。

たとえば、セラミックグリーンシート毎の導体膜の形状を、底面が小面積で上面が大面積で、底面と上面との間の外周面が傾斜する形状とし、セラミックグリーンシートを積層する場合に、一方のセラミックグリーンシートに備えられた導体膜の上面側外周縁に、他方のセラミックグリーンシートに備えられた導体膜の底面外周縁を位置合わせするなどして、導体膜の傾斜が前記導体膜全体の傾斜角度に反映されているような構成をとることができる。このような構成の場合には、縦導体の全長にわたって、エッジ部分の発生が極力抑制されることになるので、縦導体におけるエッジ効果によるＱ値の低下や、損失の増大が抑えられる。

一般的な誘電体共振器では、前記内部電極は、少なくとも２つであり、互いに間隔をおいて、前記誘電体基体の内部に埋設され、前記縦導体は、両端が前記内部電極のそれぞれに接続される。前記２つの内部電極の一方は、通常は、キャパシタ電極を構成する。これにより、縦導体によるインダクタンスと、キャパシタ電極によるキャパシタンス成分とによるＬＣ共振回路を有する誘電体共振器が得られる。

２．誘電体フィルタ及びその特性調整方法
本発明に係る誘電体フィルタは、基本的には、本発明によって、教示され、示唆された誘電体共振器の複数を順次に接続することによって構成される。複数の誘電体共振器のそれぞれは、誘電体基体を共有して一体化される。これにより、極限まで小型化、低背化された誘電体フィルタが実現される。

誘電体基体の共有による一体化に当たっては、前記複数の誘電体共振器は、一方向に順次に配列される。その場合、前記複数の誘電体共振器のそれぞれは、前記縦導体が、配列方向と直交する方向に配置される。

上記構造の誘電体フィルタによれば、誘電体共振器それぞれについて上述した本発明の作用効果が得られるのに加えて、誘電体共振器間では、誘電体基体の厚さ方向と直交する平面に対する傾斜角度に応じた電磁結合を得ることができる。

誘電体共振器間の電磁結合は、誘電体基体の厚さ方向と直交する平面に対する傾斜角度を調整することにより、容易に調整しえる。

以上説明したように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）低背化された場合でも、インダクタンス値及びＱ値を容易に所望値に調整しえる誘電体共振器及びその調整方法を提供することができる。
（ｂ）共振器間の電磁結合を容易に調整しえる誘電体フィルタ及びその調整方法を提供することができる。

本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。

１．誘電体共振器及びその特性調整方法
図１は、本発明に係る誘電体共振器の内部電極構造を示す透視斜視図、図２は、図１に示した誘電体共振器の拡大断面図、図３は、図１及び図２に示した誘電体共振器の電気回路図である。図示の誘電体共振器は、誘電体基体１、内部電極２１〜２５、縦導体３及び端子電極４１〜４４を含んでいる。

誘電体基体１は、セラミック誘電体でなる六面体状ブロックである。用いられるセラミック誘電体材料は、周知のものでよい。例えば、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）などはその一例である。

内部電極２１〜２４は、膜面が誘電体基体１の厚さ方向Ｚと直交する平面を構成している。厚さ方向Ｚと直交する平面とは、図示の場合、誘電体基体１において、その幅方向Ｘと長さ方向Ｙの作るＸＹ平面である。内部電極２１〜２４を構成する電極材料としは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇなどを用いることができる。誘電体基体１として、ＬＴＣＣを用いた場合は、電極材料として、Ｃｕ、Ａｇなど、高周波特性に優れた低抵抗材料を用いることができる。

内部電極２１〜２４のうち、内部電極２１は、その一端縁が、誘電体基体１の幅方向Ｘの一端面に設けられた端子電極４１に接続されており、誘電体基体１の内部では、内部電極２２に対して、所与の厚みを有する誘電体層を介して対向する。これにより、内部電極２１と内部電極２２との間には、これらをキャパシタ電極とするキャパシタンスＣ１（図３参照）が発生する。

内部電極２２は、内部電極２３と誘電体層を介して対向しており、これにより、内部電極２２と内部電極２３との間には、これらをキャパシタ電極とするキャパシタンスＣ２（図３参照）が取得される。内部電極２２の一端は、誘電体基体１の長さ方向Ｙの一端面に設けられた端子電極４２に接続されている。

内部電極２３は、その一端が、誘電体基体１の幅方向Ｘの他端、即ち、端子電極４１の設けられた一端面とは反対側の他端面に付与された端子電極４３に接続されている。この内部電極２３及び端子電極４３はアースに接続される。内部電極２３は、更に、誘電体基体１の長さ方向Ｙの一端面に設けられた端子電極４４にも接続されている。

縦導体３は、インダクタンスＬ１（図３参照）を生じる部分であって、一端が内部電極２３の一面上に接続されている。縦導体３の他端側は、誘電体基体１の厚み方向Ｚで見て、上側に配置された内部電極２４に接続されている。内部電極２４は、一端が端子電極４３に接続され、更に、長さ方向Ｙで見た他端が端子電極４４に接続されている。

上述した構造により、図３に示す誘電体共振回路が構成される。もっとも、図３の誘電体共振回路に限らず、内部電極２１〜２４の数、形状、配置位置や、それに対する縦導体３の接続構造に応じた異なる共振回路を構成することができる。また、内部電極２１〜２４のうち、内部電極２３、２４は、アース電極となるものであるから、必ずしも、誘電体基体１の内部に埋設する必要はない。

本発明の特徴は、縦導体３を有する誘電体共振器において、縦導体３が、内部電極２１〜２４の膜面に対して、傾斜角度θ１で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びていることにある。図示実施例の場合、内部電極２１〜２４の膜面は、誘電体基体１において、厚み方向Ｚに対して直交するＸＹ平面とみてよい。従って、縦導体３が、内部電極２１〜２４の膜面に対して、傾斜角度θ１で傾斜しているという意味は、縦導体３が、誘電体基体１において、厚み方向Ｚに対して直交するＸＹ平面に対して傾斜角度θ１で傾斜していることと同義である。傾斜角度θ１の取り方としては、縦導体３の中心軸線Ｏ１を基準にしてもよいし、縦導体３の外周線を基準にしてもよい。また、ＸＹ平面に対する法線（垂線）を基準とし、これに対する中心軸線Ｏ１の傾斜を、傾斜角度としてもよい。

上述したように、本発明に係る誘電体共振器では、縦導体３が、内部電極２１〜２４の膜面に対して傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びているので、低背化された場合でも、インダクタンスＬ１を生じる縦導体３の長さを拡大することができる。このため、低背化された場合でも、インダクタンス値及びＱ値を容易に所望値に調整しえる。

インダクタンス値又はＱ値の調整は、縦導体３の傾斜角度θ１を調整することによって、容易に実行することができる。傾斜角度θ１は、９０度未満であることは当然であるが、６０度以上の範囲に設定することが好ましい。

縦導体３は、一本のピン状導体であってもよいし、誘電体基体１の所定厚さ毎の導体膜を、積層して構成されたものであってもよい。

後者の場合、セラミックグリーンシートで構成される誘電体基体１に、あらかじめ、縦導体３を充填する貫通孔を開けておき、この貫通孔内にスクリーン印刷などの手段によって導電性ペーストを注入し、得られたセラミックグリーンシートを、少しずつ、ずらして積層することにより、所定の傾斜角度θ１を有する縦導体３を形成することができる。こうして得られた縦導体３は、セラミックグリーンシートのずらし量によって制御された傾斜角度θ１を持つことになる上、ずらし量と貫通孔の形状選定によって、縦導体３にエッジ部分が生じるのを極力回避し、エッジ効果によるＱ値の低下や、損失の増大が抑えられることなどの利点をもたらす。

たとえば、セラミックグリーンシート毎の導体膜の形状を、底面が小面積で上面が大面積で、底面と上面との間の外周面が傾斜する形状とし、セラミックグリーンシートを積層する場合に、一方のセラミックグリーンシートに備えられた導体膜の上面側外周縁に、他方のセラミックグリーンシートに備えられた導体膜の底面外周縁を位置合わせするなどして、導体膜の傾斜が導体膜全体の傾斜角度θ１に反映されているような構成をとることができる。このような構成の場合には、縦導体３の全長にわたって、エッジ部分の発生が極力抑制されることになるので、縦導体３におけるエッジ効果によるＱ値の低下や、損失の増大が抑えられる。この点については、後述の製造方法において、更に具体的に説明する。

表１は、外形形状、共振周波数及び縦導体の傾斜角度θの異なるサンプルＳ１〜Ｓ６について、Ｑ値の測定データを示す。

本発明に係るサンプルＳ５、Ｓ６と、従来品に属するサンプルＳ１〜Ｓ４とを対比すると、本発明によれば、同一外形形状を保って、共振周波数を低下させると共に、高いＱ値を保つことができる。

図４は、本発明に係る誘電体共振器の別の実施例を示す図である。この実施例の特徴は、内部電極２３、２４の間に、複数の縦導体３１、３２を併設したことである。縦導体３１は、内部電極２１〜２４の膜面、即ちＸＹ平面に対して、傾斜角度θ１で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。縦導体３２は、内部電極２１〜２４の膜面に対して、傾斜角度θ１２で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。これにより、誘電体基体１の形状の大型化、及び、厚み増大を招くことなく、増大されたインダクタンス値を得ることができる。縦導体３１、３２の個数は、更に増加することができる。

２．誘電体フィルタ及びその特性調整方法
本発明に係る誘電体フィルタは、基本的には、図１〜図４に図示され、教示され、示唆された誘電体共振器の複数を、順次に接続することによって構成される。複数の誘電体共振器のそれぞれは、誘電体基体１を共有して一体化される。これにより、極限まで小型化、低背化された誘電体フィルタが実現される。図５〜図１１にその一例を示す。

図５は実現しようとする誘電体フィルタ（バンドパスフィルタ）の電気回路図、図６は図５の電気回路を有する誘電体フィルタの外観斜視図、図７は図５及び図６に示した誘電体フィルタの内部電極構造を示す分解図、図８は図７に示した分解図のうち、重要な部分を拡大して示す図、図９は図６の９−９線断面図、図１０は図６の１０−１０線断面図、図１１は図６の１１−１１線断面図である。

まず、図５を参照すると、実施例の誘電体フィルタは、複数（３つ）の誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３を、順次に配置した回路構成をもつ。誘電体共振器Ｑ１は、インダクタンスＬ１の一端にキャパシタンスＣ１１の一端を接続した回路構成であり、誘電体共振器Ｑ２は、インダクタンスＬ２の一端にキャパシタンスＣ１２の一端を接続した回路構成であり、誘電体共振器Ｑ３は、インダクタンスＬ３の一端にキャパシタンスＣ１３の一端を接続した回路構成である。インダクタンスＬ１〜Ｌ３のうち、インダクタンスＬ１の一端は、入出力端子４１に導かれ、インダクタンスＬ３の一端は、入出力端子４２に導かれている。
インダクタンスＬ１〜Ｌ３は、他端が共通に接続され、端子４３、４４に導かれている。端子４３、４４はアースされる。

誘電体共振器Ｑ１と誘電体共振器Ｑ２はキャパシタンスＣ２１によって結合され、誘電体共振器Ｑ２と誘電体共振器Ｑ３は、キャパシタンスＣ２２によって結合されている。また、誘電体共振器Ｑ１と終段の誘電体共振器Ｑ３との間には、キャパシタンスＣ３１が接続されている。キャパシタンスＣ１１〜Ｃ１３の他端は共通に接続され、端子４５、４６に導かれている。端子４５、４６はアースされる。

誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３のそれぞれは、基本的には、図１〜図４に示した構造を有し、誘電体基体１を共有して一体化されている。誘電体基体１の共有による一体化に当たっては、誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３は、長さ方向Ｙに順次に配列される。その場合、誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３のそれぞれの縦導体は、配列方向である長さ方向Ｙと直交する幅方向Ｘに配置される。

誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３の個別的構造については、図５〜図１１、特に、図９〜図１１を参照して述べる。誘電体共振器Ｑ１〜Ｑ３は誘電体基体１を共用し、その長さ方向Ｙに順次に配列されている。誘電体基体１の外形形状は、標準的には、長さＹ＝２．０ｍｍ，幅Ｘ＝１.２５ｍｍ、厚さＺ＝０.５ｍｍであるが、より小型のもの、例えば、長さＹ＝１．６ｍｍ，幅Ｘ＝０.８ｍｍ、厚さＺ＝０.５ｍｍ、更に小型化された長さＹ＝１．０ｍｍ，幅Ｘ＝０.５ｍｍ、厚さＺ＝０.５ｍｍのものであってもよい。

まず、誘電体共振器Ｑ１は、図９に図示するように、アース電極となる内部電極２４と内部電極２２１との間に配置された縦導体３１１、３２１を有している。縦導体３１１は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ１１で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。縦導体３２１は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ２１で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。内部電極２２１は、連結導体３３１により、内部電極２１１に接続されている。

次に、誘電体共振器Ｑ２は、図１０に図示するように、アース電極となる内部電極２４と内部電極２２２との間に配置された縦導体３１２、３２２を有している。縦導体３１２は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ１２で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。縦導体３２２は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ２２で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。内部電極２１１は、その上に間隔を隔てて配置された内部電極２４１と対向する。

誘電体共振器Ｑ３は、図１１に図示するように、内部電極２４と内部電極２２３との間に配置された縦導体３１３、３２３を有している。縦導体３１３は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ１３で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。縦導体３２３は、ＸＹ平面に対して、傾斜角度θ２３で傾斜し、誘電体基体１の厚さ方向Ｚに延びている。内部電極２２３は、連結導体３３２により内部電極２１２と接続され、内部電極２１２は、その上に間隔を隔てて配置された内部電極２４２と対向する。

上述した電極構造により、図５に示した電気回路が構成される。図５のキャパシタンスＣ３１は、内部電極２１１と内部電極２４１の間に発生するキャパシタンス、及び、内部電極２１２と内部電極２４２の間に発生するキャパシタンスによるものである。

上記構造の誘電体フィルタによれば、誘電体共振器それぞれについて上述した本発明の作用効果が得られるのに加えて、誘電体共振器間では、縦導体３１１〜３１３、３２１〜３２３のＸＹ平面に対する傾斜角度θ１１〜θ１３、θ２１〜θ２３に応じた電磁結合を得ることができる。

具体例として、誘電体基体１の外形形状が、長さＹ＝１．６ｍｍ，幅Ｘ＝０.８ｍｍ、厚さＺ＝０.５ｍｍであって、図５〜図１１に示す３段構造の誘電体フィルタについて、傾斜角度θと結合係数ｋとの関係を求めたところ、表２のような結果が得られた。表２において、ｆeは偶モードの共振周波数（ＧＨｚ）、ｆ０は奇モードの共振周波数（ＧＨｚ）、ｋは結合係数である。結合係数ｋは、ｋ＝２（ｆ１〜ｆ２）／（ｆ１＋ｆ２）として求められる。

図１２は、表２の結果に基づいて、傾斜角度θ（度）と、誘電体共振器間の結合係数ｋとの関係をグラフ化して示すデータである。図示するように、縦導体の傾斜角度θを変えると、それに対応して、誘電体共振器間の結合係数ｋを調整することができる。

図１３は、図５〜図１１に示した誘電体フィルタの周波数と、リターンロス特性S11及び伝送特性Ｓ２１を示すグラフである。横軸に周波数（GHz）をとり、縦軸にリターンロス及び伝送量（ｄＢ)をとってある。

上述したように、本発明によれば、傾斜角度θを調整することにより、誘電体共振器間の結合係数を調整することができるので、それに対応して、フィルタ特性をも調整できることになる。

３．製造方法
次に、図１４〜図１８を参照し、本発明に係る誘電体共振器及び誘電体フィルタについて、縦導体の製造を中心とした製造方法について説明する。まず、図１４に示すように、誘電体セラミックペーストを用いて形成した厚さｄ１０のセラミックグリーンシート１０に、必要とする適当な孔径を有する貫通孔１０１を形成する。このような貫通孔１０１は、パンチング穿孔、又は、レーザ穿孔などの手段によって形成することができる。貫通孔１０１は、いわゆるすり鉢状に形成することが好ましい。即ち、図１５に図示するように、底面の孔径Ｗ１１が、上面側の孔径Ｗ１２よりも小さくなるように形成する。これにより、貫通孔１０１の内壁面Ｏが、セラミックグリーンシート１０の表面に対して、孔径Ｗ１１と孔径Ｗ１２との差に応じた傾斜角度θを持つようになる。

次に、図１５に図示するように、セラミックグリーンシート１０を、支持台５０の上に載置し、印刷製版６０を用いてスクリーン印刷を行う。スクリーン印刷においては、印刷製版６０の上で、スキージ６１を矢印Ｆ１の方向に移動させ、導電性ペースト６２を押出す。これにより、図１７に示すように、貫通孔１０１の内部に導電性ペースト６２が押出され、貫通孔１０１の内部に導体膜３０１が形成される。導体膜３０１は、貫通孔１０１の全体を満たすのではなく、少し空間的余裕が生じる量に設定することが好ましい。

上述のようにして得られた複数枚のセラミックグリーンシート１０１〜１０４を乾燥させるなどした後、図１７に示すように、セラミックグリーンシート１０１〜１０４を、支持台５０の上で順次に積層し、プレス装置８０によって押圧Ｐ１して圧着させる。これにより、図１８に示すように、導体膜３０１〜３０４を一体化した縦導体３が得られる。

セラミックグリーンシート１０１〜１０４の積層に当たっては、一方のセラミックグリーンシート１０１〜１０４に備えられた導体膜３０１〜３０４の上面側外周縁に、他方のセラミックグリーンシート１０２〜１０４に備えられた導体膜３０２〜３０４の底面外周縁を位置合わせするなどして、導体膜３０２〜３０４の持つ傾斜角度、つまり、貫通孔の内壁面の傾斜角度θが、導体膜３の全体の傾斜角度θ１に反映されているような構成をとることができる。これにより、縦導体３の全長にわたって、エッジ部分の発生が極力抑制されることになるので、縦導体におけるエッジ効果によるＱ値の低下や、損失の増大が抑えられる。この後、分割、焼成し、端子電極付与などの必要な工程を経て、目的とする誘電体共振器又は誘電体フィルタが得られる。なお、上述した工程のうち、分割工程までは、多数の誘電体共振器要素又は誘電体フィルタ要素を、例えば格子状に配列した大判の誘電体基体の上で実行される。

以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、例えば、図１４で貫通孔１０１をパンチングにより穿孔する場合はＷ１１＝Ｗ１２となる。この場合は孔を少しずつずらすことにより傾斜角度θの導体形状を実現できる。本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。

本発明に係る誘電体共振器の内部電極構造を示す透視斜視図である。 図１に示した誘電体共振器の拡大断面図である。 図１及び図２に示した誘電体共振器の電気回路図である。 本発明に係る誘電体共振器の別の一実施例を示す斜視図である。 誘電体フィルタの電気回路図である。 図５の電気回路を有する誘電体フィルタの外観斜視図である。 本発明に係る誘電体共振器を製造する工程の一実施例を示す工程図である。 図７に示した分解図のうち、重要な部分を拡大して示す図である。 図６の９−９線断面図である。 図６の１０−１０線断面図である。 図６の１１−１１線断面図である。 表2の結果に基づいて、傾斜角度θ（度）と、誘電体共振器間の結合係数ｋとの関係をグラフ化して示すデータである。 図５〜図１１に示した誘電体フィルタの周波数と、リターンロス特性及び伝送特性を示すグラフである。 本発明に係る誘電体共振器又は誘電体フィルタの製造方法を示す図である。 図１４に示した工程の後の工程を示す図である。 図１５に示した工程の後の工程を示す図である。 図１６に示した工程の後の工程を示す図である。 図１７に示した工程の後の工程を示す図である。

符号の説明

１ 誘電体基体
２１〜２４ 内部電極
３１、３２ 縦導体

Claims (9)

1. 誘電体基体と、内部電極と、縦導体とを含む誘電体共振器であって、
   前記内部電極は、膜面が前記誘電体基体の厚さ方向と直交する平面にあり、
   前記縦導体は、インダクタンスを生じる部分であって、前記誘電体基体の所定厚さ毎の導体膜を積層して構成され、少なくとも一端が前記内部電極に接続され、前記平面に対して傾斜し、前記誘電体基体の厚さ方向に延びている、
   誘電体共振器。
2. 請求項１に記載された誘電体共振器であって、前記縦導体は、前記平面を基準にした傾斜角度が、６０度以上９０度未満である、誘電体共振器。
3. 請求項１又は２に記載された誘電体共振器であって、前記導体膜のそれぞれは、底面が小面積で上面が大面積であり、底面と上面との間の外周面が傾斜しており、その傾斜が前記導体膜の傾斜角度に反映されている、誘電体共振器。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載された誘電体共振器であって、
   前記内部電極は、少なくとも２つであり、互いに間隔をおいて、前記誘電体基体の内部に埋設されており、
   前記縦導体は、両端が前記内部電極のそれぞれに接続されている、
   誘電体共振器。
5. 請求項４に記載された誘電体共振器であって、前記２つの内部電極の一方は、キャパシタ電極を構成する、誘電体共振器。
6. 複数の誘電体共振器を含む誘電体フィルタであって、
   前記複数の誘電体共振器は、請求項１乃至５の何れかに記載されたものであり、それぞれは、前記誘電体基体を共有して一体化されている、
   誘電体フィルタ。
7. 請求項６に記載された誘電体フィルタであって、
   前記複数の誘電体共振器は、一方向に順次に配列されており、
   前記複数の誘電体共振器のそれぞれは、前記縦導体が、配列方向と直交する方向に位置する、
   誘電体フィルタ。
8. 誘電体共振器のインダクタンス値又はＱ値を調整する方法であって、
   前記誘電体共振器は、誘電体基体と、内部電極と、縦導体とを含んでおり、
   前記内部電極は、膜面が前記誘電体基体の厚さ方向と直交する平面にあり、
   前記縦導体は、インダクタンスを生じる部分であって、少なくとも一端が前記内部電極に接続され、前記膜面に対して傾斜し、前記誘電体基体の厚さ方向に延びており、
   前記縦導体の前記平面に対する傾斜角度を調整することによって、前記インダクタンス値又はＱ値を調整する、
   方法。
9. 複数の誘電体共振器を含む誘電体フィルタにおいて、前記誘電体共振器間の結合を調整する方法であって、
   前記誘電体共振器のそれぞれは、誘電体基体と、内部電極と、縦導体とを含んでおり、
   前記内部電極は、膜面が前記誘電体基体の厚さ方向と直交する平面にあり、
   前記縦導体は、インダクタンスを生じる部分であって、前記誘電体基体の所定厚さ毎の導体膜を積層して構成され、少なくとも一端が前記内部電極に接続され、前記平面に対して傾斜し、前記誘電体基体の厚さ方向に延びており、
   前記複数の誘電体共振器は、一方向に順次に配列されており、
   前記複数の誘電体共振器のそれぞれは、前記縦導体が、配列方向と直交する方向に位置しており、
   前記縦導体の前記平面に対する傾斜角度を調整することによって、前記誘電体共振器間の結合を調整する、
   方法。

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