JP2003209411A - 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 - Google Patents
高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法Info
- Publication number
- JP2003209411A JP2003209411A JP2002302946A JP2002302946A JP2003209411A JP 2003209411 A JP2003209411 A JP 2003209411A JP 2002302946 A JP2002302946 A JP 2002302946A JP 2002302946 A JP2002302946 A JP 2002302946A JP 2003209411 A JP2003209411 A JP 2003209411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency module
- conductor
- high frequency
- dielectric substrate
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 170
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 144
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 31
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 241001147149 Lucina Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2088—Integrated in a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/16153—Cap enclosing a plurality of side-by-side cavities [e.g. E-shaped cap]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導波管を内蔵した高周波におけるモジュール
を高性能かつ安価に実現する。 【解決手段】 第１の誘電体基板１０１の2つの主面に
開口した矩形状の貫通孔１１４を形成し、各主面上にそ
れぞれ貫通孔１１４の開口を覆う接地のための導体１０
３、１０４を形成し、貫通孔１１４内における誘電体基
板１０１の対向する壁面上に導電体層１０２を形成す
る。各導体１０３、１０４および導電体層１０２とで囲
まれた空間で導波管を構成する。この導波管は結合スロ
ット１０５を通じて、第２の誘電体基板１０６上の入出
力線路１０７と電磁結合させる。誘電体基板１０１中に
壁面が連続した導波管を作成できることから、損失の小
さい導波管が実現でき、高性能な高周波モジュールを実
現することができる。
を高性能かつ安価に実現する。 【解決手段】 第１の誘電体基板１０１の2つの主面に
開口した矩形状の貫通孔１１４を形成し、各主面上にそ
れぞれ貫通孔１１４の開口を覆う接地のための導体１０
３、１０４を形成し、貫通孔１１４内における誘電体基
板１０１の対向する壁面上に導電体層１０２を形成す
る。各導体１０３、１０４および導電体層１０２とで囲
まれた空間で導波管を構成する。この導波管は結合スロ
ット１０５を通じて、第２の誘電体基板１０６上の入出
力線路１０７と電磁結合させる。誘電体基板１０１中に
壁面が連続した導波管を作成できることから、損失の小
さい導波管が実現でき、高性能な高周波モジュールを実
現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信に使用す
る高周波半導体集積回路を実装するための高周波モジュ
ールおよび高周波モジュールの製造方法に関するもので
ある。
る高周波半導体集積回路を実装するための高周波モジュ
ールおよび高周波モジュールの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層基板中に導波管を形成した高
周波モジュールとしては、非特許文献１に記載されたも
のが知られている。図１９に従来の導波管内蔵の高周波
モジュールの構造を示す。誘電体基板７０１を多層化
し、導波管の壁面にあたる部分にスルーホール７０２と
層間に層間の接地導体７０３を設け、スルーホール７０
２と接地導体７０３を用いて格子状の導波管壁面を形成
したものである。誘電体が上部の接地導体７０４と下部
の接地導体７０５と格子状の壁面に囲まれた導波管とし
て高周波を伝搬させる。
周波モジュールとしては、非特許文献１に記載されたも
のが知られている。図１９に従来の導波管内蔵の高周波
モジュールの構造を示す。誘電体基板７０１を多層化
し、導波管の壁面にあたる部分にスルーホール７０２と
層間に層間の接地導体７０３を設け、スルーホール７０
２と接地導体７０３を用いて格子状の導波管壁面を形成
したものである。誘電体が上部の接地導体７０４と下部
の接地導体７０５と格子状の壁面に囲まれた導波管とし
て高周波を伝搬させる。
【０００３】
【非特許文献１】ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓマイクロ波国際
シンポジウムダイジェスト １９９９年４５３頁〜４５
６頁
シンポジウムダイジェスト １９９９年４５３頁〜４５
６頁
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この高周波モジュール
においては、導波管の壁面をスルーホールと多層化した
端面に形成した導体により格子状に形成している。導波
管の基本伝搬モードであるＴＥ１０は、導波管の壁面に
対して電波の進行方向に並行に電流が流れるため壁面の
不連続性が、導体損の増加につながる点が課題であっ
た。波長に対して十分短い間隔のスルーホールを設けた
り、多層基板の層数を増やすことにより損失を低減する
ことができるが、ミリ波帯においては自由空間における
波長が１０ミリメートルから１ミリメートルであり、壁
面の不連続性は波長に対して無視できる大きさではなく
損失の増加が避けられない。特に誘電体基板中における
波長は実効的な比誘電率の平方根に反比例するため,そ
の影響はさらに大きくなる。
においては、導波管の壁面をスルーホールと多層化した
端面に形成した導体により格子状に形成している。導波
管の基本伝搬モードであるＴＥ１０は、導波管の壁面に
対して電波の進行方向に並行に電流が流れるため壁面の
不連続性が、導体損の増加につながる点が課題であっ
た。波長に対して十分短い間隔のスルーホールを設けた
り、多層基板の層数を増やすことにより損失を低減する
ことができるが、ミリ波帯においては自由空間における
波長が１０ミリメートルから１ミリメートルであり、壁
面の不連続性は波長に対して無視できる大きさではなく
損失の増加が避けられない。特に誘電体基板中における
波長は実効的な比誘電率の平方根に反比例するため,そ
の影響はさらに大きくなる。
【０００５】また、従来の矩形導波管は優れた低損失性
が広く知られていたが、金属加工により製造されていた
ため、材料費が高く、加工に要する時間が多大になる課
題があった。
が広く知られていたが、金属加工により製造されていた
ため、材料費が高く、加工に要する時間が多大になる課
題があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、壁面に流れる高周波電流の損失を低減し、他の回路
との接続性にも優れると共に、低コストで高性能な導波
管回路を有する高周波モジュールおよびその製造方法を
提供することを目的とする。
り、壁面に流れる高周波電流の損失を低減し、他の回路
との接続性にも優れると共に、低コストで高性能な導波
管回路を有する高周波モジュールおよびその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波モジュー
ルは、第１、第２の主面、および前記第１、第２の主面
に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板と、前記
第１、第２の主面上にそれぞれ設けられ、前記貫通孔の
開口を覆う接地のための第１、第２の導体と、前記貫通
孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上に形成さ
れた導電体層とを備え、前記第１、第２の接地導体と前
記導電体層とで導波管構造を構成したものである。
ルは、第１、第２の主面、および前記第１、第２の主面
に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板と、前記
第１、第２の主面上にそれぞれ設けられ、前記貫通孔の
開口を覆う接地のための第１、第２の導体と、前記貫通
孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上に形成さ
れた導電体層とを備え、前記第１、第２の接地導体と前
記導電体層とで導波管構造を構成したものである。
【０００８】この高周波モジュールによれば、誘電体を
使用した導波管の壁面を連続した導体材料で囲んだ構成
とすることにより、壁面に流れる高周波電流の損失を低
減することができる。誘電体基板そのものは平面的な構
造であることから、他の回路との接続性にも優れると共
に、壁面導体を形成する際にスルーホール形成や、基板
の多層化をする必要がないため、低コストで高性能な導
波管回路を有する高周波モジュールを実現することがで
きる。
使用した導波管の壁面を連続した導体材料で囲んだ構成
とすることにより、壁面に流れる高周波電流の損失を低
減することができる。誘電体基板そのものは平面的な構
造であることから、他の回路との接続性にも優れると共
に、壁面導体を形成する際にスルーホール形成や、基板
の多層化をする必要がないため、低コストで高性能な導
波管回路を有する高周波モジュールを実現することがで
きる。
【０００９】また、本発明の高周波モジュールの製造方
法は、片面に接地のための導体が形成されている第１の
誘電体基板にレーザ加工により互いに連結された複数の
矩形状の孔部を有し前記導体に達する貫通孔を形成し、
この貫通孔の内側壁面に金属膜を形成し、金属膜を形成
した第１の誘電体基板の他方の面に、片面に接地のため
の導体が形成され他面に入出力線路を形成した第２の誘
電体基板の前記接地のための導体面を、貫通孔の形状の
透孔が加工された導電性両面粘着シートを介して接着す
ることを特徴とする。
法は、片面に接地のための導体が形成されている第１の
誘電体基板にレーザ加工により互いに連結された複数の
矩形状の孔部を有し前記導体に達する貫通孔を形成し、
この貫通孔の内側壁面に金属膜を形成し、金属膜を形成
した第１の誘電体基板の他方の面に、片面に接地のため
の導体が形成され他面に入出力線路を形成した第２の誘
電体基板の前記接地のための導体面を、貫通孔の形状の
透孔が加工された導電性両面粘着シートを介して接着す
ることを特徴とする。
【００１０】この製造方法によれば、誘電体基板中に形
成した導波管構造において、導体損を低減する連続した
壁面構造を一般的な加工プロセスにより安価で大量に実
現することができる。
成した導波管構造において、導体損を低減する連続した
壁面構造を一般的な加工プロセスにより安価で大量に実
現することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の高周波
モジュールは、第１、第２の主面、および前記第１、第
２の主面に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板
と、前記第１、第２の主面上にそれぞれ設けられ、前記
貫通孔の開口を覆う接地のための第１、第２の導体と、
前記貫通孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上
に形成された導電体層とを備え、前記第１、第２の導体
と前記導電体層とで囲まれた空間で導波管構造を構成し
たものであり、誘電体基板中に形成した導波管構造にお
いて、導体損を低減する連続した壁面構造を実現するこ
とができるため、低損失の導波管回路を誘電体基板中に
実現できるという作用を有する。
モジュールは、第１、第２の主面、および前記第１、第
２の主面に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板
と、前記第１、第２の主面上にそれぞれ設けられ、前記
貫通孔の開口を覆う接地のための第１、第２の導体と、
前記貫通孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上
に形成された導電体層とを備え、前記第１、第２の導体
と前記導電体層とで囲まれた空間で導波管構造を構成し
たものであり、誘電体基板中に形成した導波管構造にお
いて、導体損を低減する連続した壁面構造を実現するこ
とができるため、低損失の導波管回路を誘電体基板中に
実現できるという作用を有する。
【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の高周波モジュールにおいて、第１、第２の導
体および導電体層で囲まれた空間が空気が充満した空間
であるので、導波管内部の誘電率が小さく、低損失の導
波管回路を誘電体基板中に実現できるという作用を有す
る。
１に記載の高周波モジュールにおいて、第１、第２の導
体および導電体層で囲まれた空間が空気が充満した空間
であるので、導波管内部の誘電率が小さく、低損失の導
波管回路を誘電体基板中に実現できるという作用を有す
る。
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２に記載の高周波モジュールにおいて、第１、第２の導
体および導電体層で囲まれた空間が空気の代わりに真空
または不活性ガスもしくは窒素ガスを充填した空間であ
るので、高周波モジュール内の導波管壁面が酸化される
おそれがないため高周波モジュールの長期信頼性が確保
できるという作用を有する。
２に記載の高周波モジュールにおいて、第１、第２の導
体および導電体層で囲まれた空間が空気の代わりに真空
または不活性ガスもしくは窒素ガスを充填した空間であ
るので、高周波モジュール内の導波管壁面が酸化される
おそれがないため高周波モジュールの長期信頼性が確保
できるという作用を有する。
【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１に記載の高周波モジュールにおいて、誘電体基板の一
部が第１、第２の導体および導電体層で囲まれた空間を
構成したので、導波管内部の誘電率が大きく、導波管回
路の大きさを小型に構成することができるという作用を
有する。
１に記載の高周波モジュールにおいて、誘電体基板の一
部が第１、第２の導体および導電体層で囲まれた空間を
構成したので、導波管内部の誘電率が大きく、導波管回
路の大きさを小型に構成することができるという作用を
有する。
【００１５】本発明の請求項５に記載の高周波モジュー
ルは、貫通孔を有する金属板と、前記金属板の第１、第
２の主面に各々設けられた接地のための第１、第２の導
体とを有し、前記接地のための第１、第２の導体および
貫通孔の壁面で囲まれた空間とで導波管構造を構成す
る。このような構造とすることにより、高性能かつ安価
な高周波モジュールを実現するという作用を有する。
ルは、貫通孔を有する金属板と、前記金属板の第１、第
２の主面に各々設けられた接地のための第１、第２の導
体とを有し、前記接地のための第１、第２の導体および
貫通孔の壁面で囲まれた空間とで導波管構造を構成す
る。このような構造とすることにより、高性能かつ安価
な高周波モジュールを実現するという作用を有する。
【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１から５のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、第１の導体が前記誘電体基板に設けた貫通孔直上の
領域にスロットを有し、前記第１の導体上にさらに他の
誘電体基板が積層され、前記他の誘電体基板上の前記ス
ロットと電磁界結合が得られる位置に入出力用のマイク
ロストリップ線路を有する。このような構造とすること
により導波管回路とマイクロストリップ回路を混載し
た、高周波モジュールを実現するという作用を有する。
１から５のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、第１の導体が前記誘電体基板に設けた貫通孔直上の
領域にスロットを有し、前記第１の導体上にさらに他の
誘電体基板が積層され、前記他の誘電体基板上の前記ス
ロットと電磁界結合が得られる位置に入出力用のマイク
ロストリップ線路を有する。このような構造とすること
により導波管回路とマイクロストリップ回路を混載し
た、高周波モジュールを実現するという作用を有する。
【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１から６のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、誘電体基板中に導波管構造で形成した空洞共振器を
複数個結合させたフィルタ回路を有するる。このような
構造とすることにより第１の誘電体基板中に低損失の導
波管フィルタを内蔵した高周波モジュールを実現すると
いう作用を有する。
１から６のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、誘電体基板中に導波管構造で形成した空洞共振器を
複数個結合させたフィルタ回路を有するる。このような
構造とすることにより第１の誘電体基板中に低損失の導
波管フィルタを内蔵した高周波モジュールを実現すると
いう作用を有する。
【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
１から６のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、第１の導体と第２の導体の両方にスロットを有し、
第１の導体に設けたスロットにはマイクロストリップ線
路、第２の導体に設けたスロットには導波管を結合させ
た構造を有し、他の回路との接続に導波管、マイクロス
トリップ線路どちらでも可能とする作用を有する。
１から６のいずれかに記載の高周波モジュールにおい
て、第１の導体と第２の導体の両方にスロットを有し、
第１の導体に設けたスロットにはマイクロストリップ線
路、第２の導体に設けたスロットには導波管を結合させ
た構造を有し、他の回路との接続に導波管、マイクロス
トリップ線路どちらでも可能とする作用を有する。
【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
６に記載の高周波モジュールにおいて、他の誘電体基板
として多層の誘電体フィルムを用い、前記誘電体フィル
ムの任意の位置に埋め込みスルーホールを有し、前記埋
め込みスルーホール上に集積回路を実装し、周辺部に電
極とバンプ、封止キャップを実装した構造を有する。こ
のような構造とすることにより、気密性を保った高周波
モジュールを実現するという作用を有する。
６に記載の高周波モジュールにおいて、他の誘電体基板
として多層の誘電体フィルムを用い、前記誘電体フィル
ムの任意の位置に埋め込みスルーホールを有し、前記埋
め込みスルーホール上に集積回路を実装し、周辺部に電
極とバンプ、封止キャップを実装した構造を有する。こ
のような構造とすることにより、気密性を保った高周波
モジュールを実現するという作用を有する。
【００２０】本発明の請求項１０に記載の高周波モジュ
ールは、任意の位置に貫通孔を有する銅板と多層の誘電
体フィルムを有し、前記誘電体フィルムの任意の位置に
埋め込みスルーホールを有し、前記埋め込みスルーホー
ル上に集積回路を実装し、前記貫通孔の上にアンテナま
たはフィルタ回路を形成し、周辺に電極とバンプおよび
金属キャップを実装した構造を有する。このような構造
とすることにより、薄膜導体が中空に浮いた構造を容易
に実現できるため、誘電体損失の影響が少ない、低損失
のアンテナ、またはフィルタ回路を実現するという作用
を有する。
ールは、任意の位置に貫通孔を有する銅板と多層の誘電
体フィルムを有し、前記誘電体フィルムの任意の位置に
埋め込みスルーホールを有し、前記埋め込みスルーホー
ル上に集積回路を実装し、前記貫通孔の上にアンテナま
たはフィルタ回路を形成し、周辺に電極とバンプおよび
金属キャップを実装した構造を有する。このような構造
とすることにより、薄膜導体が中空に浮いた構造を容易
に実現できるため、誘電体損失の影響が少ない、低損失
のアンテナ、またはフィルタ回路を実現するという作用
を有する。
【００２１】本発明の請求項１１に記載の発明は、第１
の主面に接地のための導体が形成されている第１の誘電
体基板にレーザ加工により互いに連結された複数の矩形
状部を有し前記導体に達する貫通孔を形成し、前記貫通
孔の内側壁面に金属膜を形成し、前記金属膜を形成した
第１の誘電体基板の第２の主面に、片面に接地のための
導体が形成され他面に入出力線路を形成した第２の誘電
体基板の導体が形成された面を、前記貫通孔の形状の空
孔が加工された導電性両面粘着シートを介して接着する
高周波モジュールの製造方法であり、誘電体基板中に形
成した導波管構造において、導体損を低減する連続した
壁面構造を一般的な加工プロセスにより安価で大量に実
現することができるという作用を有する。
の主面に接地のための導体が形成されている第１の誘電
体基板にレーザ加工により互いに連結された複数の矩形
状部を有し前記導体に達する貫通孔を形成し、前記貫通
孔の内側壁面に金属膜を形成し、前記金属膜を形成した
第１の誘電体基板の第２の主面に、片面に接地のための
導体が形成され他面に入出力線路を形成した第２の誘電
体基板の導体が形成された面を、前記貫通孔の形状の空
孔が加工された導電性両面粘着シートを介して接着する
高周波モジュールの製造方法であり、誘電体基板中に形
成した導波管構造において、導体損を低減する連続した
壁面構造を一般的な加工プロセスにより安価で大量に実
現することができるという作用を有する。
【００２２】本発明の請求項１２に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、レーザ加工がエキシマレ
ーザまたはＹＡＧレーザの第３高調波もしくは第４高調
波を用いる加工であるので、誘電体基板の樹脂を熱加工
でなく、アブレーション加工で除去するため、樹脂およ
び下地の導体膜にダメージの少ない加工が可能となると
いう作用を有する。
項１１に記載の発明において、レーザ加工がエキシマレ
ーザまたはＹＡＧレーザの第３高調波もしくは第４高調
波を用いる加工であるので、誘電体基板の樹脂を熱加工
でなく、アブレーション加工で除去するため、樹脂およ
び下地の導体膜にダメージの少ない加工が可能となると
いう作用を有する。
【００２３】本発明の請求項１３に記載の発明は、請求
項１１に記載の発明において、貫通孔の内側壁面の凹凸
を除去する工程を含み、前記工程の後金属膜を形成する
ので、高周波モジュールの導波管内における損失を一層
低減させることができるという作用を有する。
項１１に記載の発明において、貫通孔の内側壁面の凹凸
を除去する工程を含み、前記工程の後金属膜を形成する
ので、高周波モジュールの導波管内における損失を一層
低減させることができるという作用を有する。
【００２４】本発明の請求項１４に記載の発明は、第１
の主面に接地のための導体が形成されている液晶ポリマ
ー基板にレーザ加工により互いに連結された複数の矩形
状誘電体部を残して前記導体に達する溝を形成し、前記
溝の内側壁面に金属メッキ膜を形成し、前記金属メッキ
膜を形成した液晶ポリマー基板の第２の主面にメッキに
より導体膜を形成し、前記導体膜の入出力線路に対応す
る位置にスロットを形成し、その上に入出力線路が形成
されている第２の液晶ポリマー基板を重ねて加熱、加圧
する製造方法である。したがって、導電性両面粘着シー
トを使用することなく、高周波モジュールを製作するこ
とができる。また、液晶ポリマーは高周波特性が良好な
材料であるので、高周波特性の良好な高周波モジュール
を構成することができるという作用を有する。
の主面に接地のための導体が形成されている液晶ポリマ
ー基板にレーザ加工により互いに連結された複数の矩形
状誘電体部を残して前記導体に達する溝を形成し、前記
溝の内側壁面に金属メッキ膜を形成し、前記金属メッキ
膜を形成した液晶ポリマー基板の第２の主面にメッキに
より導体膜を形成し、前記導体膜の入出力線路に対応す
る位置にスロットを形成し、その上に入出力線路が形成
されている第２の液晶ポリマー基板を重ねて加熱、加圧
する製造方法である。したがって、導電性両面粘着シー
トを使用することなく、高周波モジュールを製作するこ
とができる。また、液晶ポリマーは高周波特性が良好な
材料であるので、高周波特性の良好な高周波モジュール
を構成することができるという作用を有する。
【００２５】本発明の請求項１５に記載の発明は、請求
項１４に記載の高周波モジュールの製造方法において、
加熱、加圧前に第１および第２の液晶ポリマーの接着面
をプラズマクリーニングまたはオゾンクリーニングする
工程を含むので、きわめて良好な接合を行うことができ
るという作用を有する。
項１４に記載の高周波モジュールの製造方法において、
加熱、加圧前に第１および第２の液晶ポリマーの接着面
をプラズマクリーニングまたはオゾンクリーニングする
工程を含むので、きわめて良好な接合を行うことができ
るという作用を有する。
【００２６】本発明の請求項１６に記載の発明は、第１
の液晶ポリマー基板にレーザ加工または型抜き加工によ
り互いに連結された複数の矩形状部を有する貫通孔を形
成する工程と、前記貫通孔の内側壁面に金属メッキ膜を
形成する工程と、第２の液晶ポリマー基板の一方の主面
に入出力線路を形成する工程と、前記第２の液晶ポリマ
ー基板の前記入出力線路に対応する位置の他方の主面に
接地のための導体を形成する工程と、前記導体板上に前
記第１の液晶ポリマー基板および第２の液晶ポリマー基
板を重ねて加熱、加圧する工程を有する高周波モジュー
ルの製造方法である。したがって、導電性両面粘着シー
トを使用することなく、高周波モジュールを製作するこ
とができる。また、液晶ポリマーは高周波特性が良好な
材料であるので、高周波特性の良好な高周波モジュール
を構成することができるという作用を有する。
の液晶ポリマー基板にレーザ加工または型抜き加工によ
り互いに連結された複数の矩形状部を有する貫通孔を形
成する工程と、前記貫通孔の内側壁面に金属メッキ膜を
形成する工程と、第２の液晶ポリマー基板の一方の主面
に入出力線路を形成する工程と、前記第２の液晶ポリマ
ー基板の前記入出力線路に対応する位置の他方の主面に
接地のための導体を形成する工程と、前記導体板上に前
記第１の液晶ポリマー基板および第２の液晶ポリマー基
板を重ねて加熱、加圧する工程を有する高周波モジュー
ルの製造方法である。したがって、導電性両面粘着シー
トを使用することなく、高周波モジュールを製作するこ
とができる。また、液晶ポリマーは高周波特性が良好な
材料であるので、高周波特性の良好な高周波モジュール
を構成することができるという作用を有する。
【００２７】本発明の請求項１７に記載の発明は、請求
項１６に記載の高周波モジュールの製造方法において、
第１の液晶ポリマー基板の貫通孔の内側壁面に金属メッ
キ膜を形成する際に、メッキの析出速度を制御すること
により柔らかいメッキ皮膜を析出させるので、金属メッ
キ膜を接地導体よりも柔らかくすることができ、両者の
接着性を向上させることができるという作用を有する。
項１６に記載の高周波モジュールの製造方法において、
第１の液晶ポリマー基板の貫通孔の内側壁面に金属メッ
キ膜を形成する際に、メッキの析出速度を制御すること
により柔らかいメッキ皮膜を析出させるので、金属メッ
キ膜を接地導体よりも柔らかくすることができ、両者の
接着性を向上させることができるという作用を有する。
【００２８】本発明の請求項１８に記載の高周波モジュ
ールの製造方法は、第１の主面に接地のための導体を有
する金属板に機械加工またはウェットエッチングにより
互いに連結された複数の矩形状部を残し接地導体に達す
る貫通孔を形成する工程と、誘電体基板の第１の主面に
入出力線路を形成する工程と、前記誘電体基板の第２の
主面に前記入出力線路に対応する位置に接地のための導
体を形成する工程と、前記金属板の第２の主面と前記誘
電体基板の前記導体が形成された面とを対向させて真空
チャンバー内に配置し、真空または不活性ガスもしくは
窒素ガス雰囲気で加熱、加圧して接合する工程を有する
ものである。この構成により２００℃以下の温度で高周
波モジュールを直接製作することが可能であり、また、
長期信頼性のある高周波モジュールを製作することがで
きる。
ールの製造方法は、第１の主面に接地のための導体を有
する金属板に機械加工またはウェットエッチングにより
互いに連結された複数の矩形状部を残し接地導体に達す
る貫通孔を形成する工程と、誘電体基板の第１の主面に
入出力線路を形成する工程と、前記誘電体基板の第２の
主面に前記入出力線路に対応する位置に接地のための導
体を形成する工程と、前記金属板の第２の主面と前記誘
電体基板の前記導体が形成された面とを対向させて真空
チャンバー内に配置し、真空または不活性ガスもしくは
窒素ガス雰囲気で加熱、加圧して接合する工程を有する
ものである。この構成により２００℃以下の温度で高周
波モジュールを直接製作することが可能であり、また、
長期信頼性のある高周波モジュールを製作することがで
きる。
【００２９】本発明の請求項１９に記載の発明は、請求
項１８に記載の高周波モジュールの製造方法において、
加熱、加圧前に金属板と誘電体基板の接合面をプラズマ
クリーニング、アトムビームクリーニングまたはイオン
ビームクリーニングのいずれかの工程を含むので、金属
板と誘電体基板の接地導体面とをきわめて良好に接合さ
せることができるという作用を有する。
項１８に記載の高周波モジュールの製造方法において、
加熱、加圧前に金属板と誘電体基板の接合面をプラズマ
クリーニング、アトムビームクリーニングまたはイオン
ビームクリーニングのいずれかの工程を含むので、金属
板と誘電体基板の接地導体面とをきわめて良好に接合さ
せることができるという作用を有する。
【００３０】本発明の請求項２０に記載の発明は、誘電
体基板を互いに連結された複数の矩形状部を有する形状
に切断し、切断後の前記誘電体基板の外周側壁面に金属
膜を形成し、前記金属膜を形成した誘電体基板の外周を
合成樹脂物質で囲繞する高周波モジュールの製造方法
で、導波管内部の誘電率が大きく、導波管回路の大きさ
が小型の高周波モジュールを簡単な方法で製造すること
ができる。
体基板を互いに連結された複数の矩形状部を有する形状
に切断し、切断後の前記誘電体基板の外周側壁面に金属
膜を形成し、前記金属膜を形成した誘電体基板の外周を
合成樹脂物質で囲繞する高周波モジュールの製造方法
で、導波管内部の誘電率が大きく、導波管回路の大きさ
が小型の高周波モジュールを簡単な方法で製造すること
ができる。
【００３１】本発明の請求項２１から２４に記載の発明
は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の高周波モジュ
ールまたは、請求項１１乃至２０のいずれかに記載の製
造方法で製造された高周波モジュールを無線端末装置、
無線基地局装置、無線計測装置、レーダ装置に用いたの
で、小型かつ安価な高周波モジュールを用いることによ
り小型かつ安価な装置を提供することができるという作
用を有する。
は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の高周波モジュ
ールまたは、請求項１１乃至２０のいずれかに記載の製
造方法で製造された高周波モジュールを無線端末装置、
無線基地局装置、無線計測装置、レーダ装置に用いたの
で、小型かつ安価な高周波モジュールを用いることによ
り小型かつ安価な装置を提供することができるという作
用を有する。
【００３２】以下、本発明の実施の形態について、図面
とともに詳細に説明する。
とともに詳細に説明する。
【００３３】（実施の形態１）図１は本発明の高周波モ
ジュールにおける第１の実施の形態の立体的な構造を示
したものである。図２は図１の高周波モジュールの各要
素を貼り合わせた状態におけるＡ−Ａ線に沿った断面図
である。図１、図２において誘電体基板１０１は２つの
主面を有し、一方の主面に接地のための導体（以下接地
導体と記す）１０３が形成されている。誘電体基板１０
１の中央部分にこれら主面に開口するほぼ矩形状の接地
導体１０３に達する貫通孔１１４を備える。貫通孔１１
４は、矩形状の孔部１１１、１１２、１１３が一定の間
隔をおいて並設され、さらに孔部１１１と１１２間、お
よび孔部１１２と１１３間の隔壁部分はそれらを連結す
るように切除されて結合窓１０８が形成された構造をし
ている。この貫通孔１１４の壁面上には導電体層１０２
が形成されている。貫通孔１１４は、その形状と実質的
に同じ形状の窓をもつ金属マスクを介在させてレーザ光
を照射し、窓部分に対応する部分を除去することで容易
に形成することができる。１０４は誘電体基板１０１の
接地導体で、矩形状の孔部１１１および１１３に対応す
る位置の一部の導体を除去して導波管と結合するための
結合スロット１０５を形成する。１０６は第２の誘電体
基板でその上面の結合スロット１０５に対応する位置に
入出力線路１０７を形成している。
ジュールにおける第１の実施の形態の立体的な構造を示
したものである。図２は図１の高周波モジュールの各要
素を貼り合わせた状態におけるＡ−Ａ線に沿った断面図
である。図１、図２において誘電体基板１０１は２つの
主面を有し、一方の主面に接地のための導体（以下接地
導体と記す）１０３が形成されている。誘電体基板１０
１の中央部分にこれら主面に開口するほぼ矩形状の接地
導体１０３に達する貫通孔１１４を備える。貫通孔１１
４は、矩形状の孔部１１１、１１２、１１３が一定の間
隔をおいて並設され、さらに孔部１１１と１１２間、お
よび孔部１１２と１１３間の隔壁部分はそれらを連結す
るように切除されて結合窓１０８が形成された構造をし
ている。この貫通孔１１４の壁面上には導電体層１０２
が形成されている。貫通孔１１４は、その形状と実質的
に同じ形状の窓をもつ金属マスクを介在させてレーザ光
を照射し、窓部分に対応する部分を除去することで容易
に形成することができる。１０４は誘電体基板１０１の
接地導体で、矩形状の孔部１１１および１１３に対応す
る位置の一部の導体を除去して導波管と結合するための
結合スロット１０５を形成する。１０６は第２の誘電体
基板でその上面の結合スロット１０５に対応する位置に
入出力線路１０７を形成している。
【００３４】導電体層１０２は貫通孔１１４に対しメッ
キを施し導体膜を形成することにより形成する。接地導
体１０４および第２の誘電体基板１０６、入出力線路の
形成は通常の多層基板積層プロセスを用いることで容易
に形成できる。また、第１の誘電体基板１０１と接地導
体１０４とは、導電性両面粘着シートを介して接着する
ことにより簡単に一体化することができる。
キを施し導体膜を形成することにより形成する。接地導
体１０４および第２の誘電体基板１０６、入出力線路の
形成は通常の多層基板積層プロセスを用いることで容易
に形成できる。また、第１の誘電体基板１０１と接地導
体１０４とは、導電性両面粘着シートを介して接着する
ことにより簡単に一体化することができる。
【００３５】本実施の形態においては、導電体層１０２
を形成するための貫通孔１１４を掘るためにレーザ加工
を行い、その他加工には通常の多層基板積層プロセスで
導波管を作成することができるので量産性に優れ、複雑
な形状加工も容易とするものである。
を形成するための貫通孔１１４を掘るためにレーザ加工
を行い、その他加工には通常の多層基板積層プロセスで
導波管を作成することができるので量産性に優れ、複雑
な形状加工も容易とするものである。
【００３６】導波管の基本伝搬モードであるＴＥ１０モ
ードは、波の進行方向(ｘ軸方向)に対し伝搬路の幅（ｙ
軸方向)で伝搬可能な周波数が決定される。伝搬可能な
周波数は管内寸法のうち幅のみで決定されるため、伝搬
路の高さ(ｚ軸方向)方向については伝搬周波数に格別の
影響を与えない。例えば５０ＧＨｚから７５ＧＨｚを伝
搬するためのＷＲ−１５規格の導波管では管内寸法が幅
３．８ｍｍ、高さ１．９ｍｍとしているが、管内寸法の
高さを１．９ｍｍ未満としても伝搬は可能である。
ードは、波の進行方向(ｘ軸方向)に対し伝搬路の幅（ｙ
軸方向)で伝搬可能な周波数が決定される。伝搬可能な
周波数は管内寸法のうち幅のみで決定されるため、伝搬
路の高さ(ｚ軸方向)方向については伝搬周波数に格別の
影響を与えない。例えば５０ＧＨｚから７５ＧＨｚを伝
搬するためのＷＲ−１５規格の導波管では管内寸法が幅
３．８ｍｍ、高さ１．９ｍｍとしているが、管内寸法の
高さを１．９ｍｍ未満としても伝搬は可能である。
【００３７】しかしながら電波が伝搬する際に電流は壁
面に集中して流れるため、厚さを薄くするにつれて電流
密度が高くなり、導体損失が大きくなる。このため、壁
面の平坦度や連続性が損なわれると損失がさらに大きく
なる。本実施の形態においては、導電体層１０２を連続
的に形成することにより金属加工の導波管同様に連続し
た導体壁面となるため、導体損失による特性劣化が少な
いという特長がある。さらに基板材料として用いる誘電
体の比誘電率により導波管内の波長が短縮できるため、
小型の導波管が実現できる。
面に集中して流れるため、厚さを薄くするにつれて電流
密度が高くなり、導体損失が大きくなる。このため、壁
面の平坦度や連続性が損なわれると損失がさらに大きく
なる。本実施の形態においては、導電体層１０２を連続
的に形成することにより金属加工の導波管同様に連続し
た導体壁面となるため、導体損失による特性劣化が少な
いという特長がある。さらに基板材料として用いる誘電
体の比誘電率により導波管内の波長が短縮できるため、
小型の導波管が実現できる。
【００３８】本実施の形態においては、導波管回路の一
例として帯域通過フィルタの構成方法を示している。導
電体層１０２で囲まれた３つの矩形状の孔部１１１、１
１２、１１３で共振器を形成し、結合窓１０８により段
間を結合させたもので、３段フィルタの例を示してい
る。入出力結合は接地導体１０４に結合スロット１０５
を設けることで実現している。結合スロット１０５はエ
ッチングにより容易に実現できる。
例として帯域通過フィルタの構成方法を示している。導
電体層１０２で囲まれた３つの矩形状の孔部１１１、１
１２、１１３で共振器を形成し、結合窓１０８により段
間を結合させたもので、３段フィルタの例を示してい
る。入出力結合は接地導体１０４に結合スロット１０５
を設けることで実現している。結合スロット１０５はエ
ッチングにより容易に実現できる。
【００３９】さらに第２の誘電体基板１０６の上部に形
成した入出力線路１０７は接地導体１０４との間でマイ
クロストリップ線路構造をとっており、結合スロット１
０５の上部に各々配置することで、共振器と磁界結合に
よる結合が得られる。入出力線路１０７を高周波回路で
一般的に用いられているマイクロストリップ線路構造と
していることから、他の高周波回路との接続も容易であ
る。
成した入出力線路１０７は接地導体１０４との間でマイ
クロストリップ線路構造をとっており、結合スロット１
０５の上部に各々配置することで、共振器と磁界結合に
よる結合が得られる。入出力線路１０７を高周波回路で
一般的に用いられているマイクロストリップ線路構造と
していることから、他の高周波回路との接続も容易であ
る。
【００４０】なお本実施の形態において、導電体層１０
２を形成するための貫通孔１１４の形成をレーザ加工と
したが、エッチングやミリングなどの他の方法でもよい
ことは言うまでもない。
２を形成するための貫通孔１１４の形成をレーザ加工と
したが、エッチングやミリングなどの他の方法でもよい
ことは言うまでもない。
【００４１】本実施の形態1においては、導体損を低減
する連続した壁面構造を実現することができるため、低
損失の導波管回路を誘電体基板中に実現できるという作
用を有する。
する連続した壁面構造を実現することができるため、低
損失の導波管回路を誘電体基板中に実現できるという作
用を有する。
【００４２】また、比誘電率が１の空気中を電波が伝搬
するため、誘電体損失が存在しないので低損失化が実現
できる。
するため、誘電体損失が存在しないので低損失化が実現
できる。
【００４３】（実施の形態２）図３は本発明による高周
波モジュールの第２の実施の形態における第１の誘電体
基板および下面側の接地導体部分の斜視図で、図１の分
解斜視図における最下部分に対応する。図４は第２の実
施の形態における高周波モジュールの断面図で、図２の
対応する部分の断面図に対応する。図３、図４におい
て、図１、図２と異なる部分は、３つの矩形状の孔部１
１１、１１２、１１３および結合窓１０８に対応する部
分に第１の誘電体基板１０１が残されている点である。
そのほかの部分は図１、図２と同一であるのでそれら各
部には同一符号を付して説明を省略する。
波モジュールの第２の実施の形態における第１の誘電体
基板および下面側の接地導体部分の斜視図で、図１の分
解斜視図における最下部分に対応する。図４は第２の実
施の形態における高周波モジュールの断面図で、図２の
対応する部分の断面図に対応する。図３、図４におい
て、図１、図２と異なる部分は、３つの矩形状の孔部１
１１、１１２、１１３および結合窓１０８に対応する部
分に第１の誘電体基板１０１が残されている点である。
そのほかの部分は図１、図２と同一であるのでそれら各
部には同一符号を付して説明を省略する。
【００４４】実施の形態１における高周波モジュール
は、導波管内部が空気であるが、本実施の形態２では導
波管内部に空気の代わりに誘電体が充填されている。誘
電体の誘電率は空気より大きいので、誘電体損失は若干
あるが、導波管全体の大きさを小さく構成することがで
きる。
は、導波管内部が空気であるが、本実施の形態２では導
波管内部に空気の代わりに誘電体が充填されている。誘
電体の誘電率は空気より大きいので、誘電体損失は若干
あるが、導波管全体の大きさを小さく構成することがで
きる。
【００４５】（実施の形態３）図５は本発明による高周
波モジュールの第３の実施の形態の立体的な構造を示す
分解斜視図、図６は図５の高周波モジュールの各要素を
貼り合わせた状態におけるＢ−Ｂ線断面図である。図
５、図６において、実施の形態１と異なる点は、導波管
を形成するために、第１の誘電体基板１０１の代わり
に、３つの矩形状の孔部２１１、２１２、２１３および
それらの結合窓２０８に相当する位置の材料を選択的に
くり抜いた貫通孔２１５を有する銅板２０１を用いた点
である。銅板２０１の下面には銅製の接地導体２０３を
貼り付け、一方、銅板２０１の上面には、結合スロット
２０５を設けた銅製の接地導体２０４を形成した誘電体
基板２０６を貼り付けることで、矩形状の孔部２１１、
２１２、２１３における空気２０９を銅板２０１の金属
で囲んだ導波管ができる。
波モジュールの第３の実施の形態の立体的な構造を示す
分解斜視図、図６は図５の高周波モジュールの各要素を
貼り合わせた状態におけるＢ−Ｂ線断面図である。図
５、図６において、実施の形態１と異なる点は、導波管
を形成するために、第１の誘電体基板１０１の代わり
に、３つの矩形状の孔部２１１、２１２、２１３および
それらの結合窓２０８に相当する位置の材料を選択的に
くり抜いた貫通孔２１５を有する銅板２０１を用いた点
である。銅板２０１の下面には銅製の接地導体２０３を
貼り付け、一方、銅板２０１の上面には、結合スロット
２０５を設けた銅製の接地導体２０４を形成した誘電体
基板２０６を貼り付けることで、矩形状の孔部２１１、
２１２、２１３における空気２０９を銅板２０１の金属
で囲んだ導波管ができる。
【００４６】銅板２０１の貫通孔２１５は板厚が１ｍｍ
程度であれば、通常のウェットエッチング工程で容易に
形成できる。実施の形態１と同様に結合スロット２０５
を通じて、入出力線路２０７と結合する構造としてい
る。
程度であれば、通常のウェットエッチング工程で容易に
形成できる。実施の形態１と同様に結合スロット２０５
を通じて、入出力線路２０７と結合する構造としてい
る。
【００４７】なお、銅板２０１に形成した貫通孔２１５
内に実施の形態２のように合成樹脂などの誘電体材料を
充填することもできる。この場合は、誘電体材料による
誘電体損失があるものの、全体の形状を小型にすること
ができる。
内に実施の形態２のように合成樹脂などの誘電体材料を
充填することもできる。この場合は、誘電体材料による
誘電体損失があるものの、全体の形状を小型にすること
ができる。
【００４８】本実施の形態において銅板２０１に貫通孔
２１５を形成する工法として、ウェットエッチング工程
としたが、深絞り加工やエンドミル加工による方法でも
よいことは言うまでもない。また、銅板２０１の代わり
に、成型した樹脂材料の表面に導体をメッキしたもので
も同様の効果が得られる。
２１５を形成する工法として、ウェットエッチング工程
としたが、深絞り加工やエンドミル加工による方法でも
よいことは言うまでもない。また、銅板２０１の代わり
に、成型した樹脂材料の表面に導体をメッキしたもので
も同様の効果が得られる。
【００４９】（実施の形態４）図７は本発明の高周波モ
ジュールにおける第４の実施の形態の立体的な構造を示
した図である。図７において実施の形態３で説明した図
５と異なる点は、入出力の結合スロット２０５を２つに
分離し、一方の結合スロット２０５ａは接地導体２０４
に、他方の結合スロット２０５ｂは接地導体２０３に各
々設け、接地導体２０３に設けた結合スロット２０５ｂ
に対して矩形導波管２１０を結合させている点である。
その他の構成は図５の各部と同一である。このような構
造とすることによりアンテナ等の導波管インターフェー
スを持ったデバイスとの接続が容易となる。
ジュールにおける第４の実施の形態の立体的な構造を示
した図である。図７において実施の形態３で説明した図
５と異なる点は、入出力の結合スロット２０５を２つに
分離し、一方の結合スロット２０５ａは接地導体２０４
に、他方の結合スロット２０５ｂは接地導体２０３に各
々設け、接地導体２０３に設けた結合スロット２０５ｂ
に対して矩形導波管２１０を結合させている点である。
その他の構成は図５の各部と同一である。このような構
造とすることによりアンテナ等の導波管インターフェー
スを持ったデバイスとの接続が容易となる。
【００５０】なお本実施の形態４においては、入出力の
インターフェースを片側を入出力線路２０７によるマイ
クロストリップ構成、もう片側を矩形導波管２１０とし
たが、両方を導波管としても同様の効果が得られる。
インターフェースを片側を入出力線路２０７によるマイ
クロストリップ構成、もう片側を矩形導波管２１０とし
たが、両方を導波管としても同様の効果が得られる。
【００５１】（実施の形態５）図８は本発明の高周波モ
ジュールにおける第５の実施の形態の断面構造を示した
図である。図８において実施の形態４で説明した図７と
異なる点は、誘電体基板２０６の代わりに、多層化した
誘電体多層フィルム３０６を用い、導体を埋め込んだス
ルーホール３０７を設け、スルーホール３０７上に集積
回路（ＭＭＩＣ）３０８をフェースアップ実装すると共
に、ＭＭＩＣ３０８の周辺部には気密を保つための樹脂
キャップ３０９を固定し、周辺に他の回路と接続するた
めの電極およびハンダボール３１０を形成した点であ
る。その他の構成は図７の各部と同一である。
ジュールにおける第５の実施の形態の断面構造を示した
図である。図８において実施の形態４で説明した図７と
異なる点は、誘電体基板２０６の代わりに、多層化した
誘電体多層フィルム３０６を用い、導体を埋め込んだス
ルーホール３０７を設け、スルーホール３０７上に集積
回路（ＭＭＩＣ）３０８をフェースアップ実装すると共
に、ＭＭＩＣ３０８の周辺部には気密を保つための樹脂
キャップ３０９を固定し、周辺に他の回路と接続するた
めの電極およびハンダボール３１０を形成した点であ
る。その他の構成は図７の各部と同一である。
【００５２】矩形導波管２１０の材料として用いている
銅板は熱伝導性に優れるため、導波管回路と放熱の両者
の役割を果たすため、ＭＭＩＣ３０８としては高出力の
ＭＭＩＣを実装することもできる。
銅板は熱伝導性に優れるため、導波管回路と放熱の両者
の役割を果たすため、ＭＭＩＣ３０８としては高出力の
ＭＭＩＣを実装することもできる。
【００５３】なお本実施の形態５においてはＭＭＩＣ３
０８の実装をフェースアップ実装としたが、フリップチ
ップ実装でもよいことは言うまでもない。また導波管回
路の低損失性や放熱性を高めるために１ｍｍ以上の銅板
あるいはアルミなどの導体を切削または金型加工により
加工したものを用いてもよい。
０８の実装をフェースアップ実装としたが、フリップチ
ップ実装でもよいことは言うまでもない。また導波管回
路の低損失性や放熱性を高めるために１ｍｍ以上の銅板
あるいはアルミなどの導体を切削または金型加工により
加工したものを用いてもよい。
【００５４】（実施の形態６）図９は本発明の高周波モ
ジュールにおける第６の実施の形態の立体的な構造を示
した図である。図１０は図９のＣ-Ｃ断面構造を示した
図である。本実施の形態６は銅板４０１に貫通孔４０２
を形成しその上に誘電体多層フィルム４０６を貼ること
により形成した回路を中空に浮かせたサスペンデッド構
造を採用して低損失化を実現したモノポールアンテナ４
１２を形成するものである。
ジュールにおける第６の実施の形態の立体的な構造を示
した図である。図１０は図９のＣ-Ｃ断面構造を示した
図である。本実施の形態６は銅板４０１に貫通孔４０２
を形成しその上に誘電体多層フィルム４０６を貼ること
により形成した回路を中空に浮かせたサスペンデッド構
造を採用して低損失化を実現したモノポールアンテナ４
１２を形成するものである。
【００５５】図９、図１０において、銅板４０１には貫
通孔４０２が形成される。誘電体多層フィルム４０６は
図８における誘電体多層フィルム３０６と同一な構成
で、導体を埋め込んだスルーホール４０７、スルーホー
ル４０７上に実装されたＭＭＩＣ４１１および周辺に他
の回路と接続するための電極およびハンダボール４１３
が形成される。ＭＭＩＣ４１１の周辺部には気密を保つ
ための金属キャップ４１４が固定されている。
通孔４０２が形成される。誘電体多層フィルム４０６は
図８における誘電体多層フィルム３０６と同一な構成
で、導体を埋め込んだスルーホール４０７、スルーホー
ル４０７上に実装されたＭＭＩＣ４１１および周辺に他
の回路と接続するための電極およびハンダボール４１３
が形成される。ＭＭＩＣ４１１の周辺部には気密を保つ
ための金属キャップ４１４が固定されている。
【００５６】４１２はマイクロストリップ線路の伝搬モ
ードを矩形導波管の伝搬モードに変換するためのモノポ
ールアンテナである。モノポールアンテナ４１２の上部
には金属キャップ４１４をくり抜いた空間４１５を有し
ている。銅板４０１と誘電体多層フィルム４０６は接着
剤などで接着される。モノポールアンテナ４１２からの
信号は貫通孔４０２を通じて導波管の伝搬モードに変換
される。
ードを矩形導波管の伝搬モードに変換するためのモノポ
ールアンテナである。モノポールアンテナ４１２の上部
には金属キャップ４１４をくり抜いた空間４１５を有し
ている。銅板４０１と誘電体多層フィルム４０６は接着
剤などで接着される。モノポールアンテナ４１２からの
信号は貫通孔４０２を通じて導波管の伝搬モードに変換
される。
【００５７】本実施の形態６ではサスペンデッド構造上
にマイクロストリップ線路と導波管変換を行うためのモ
ノポールアンテナ４１２を形成した例を説明したが、フ
ィルタを形成してもよいことは言うまでもない。
にマイクロストリップ線路と導波管変換を行うためのモ
ノポールアンテナ４１２を形成した例を説明したが、フ
ィルタを形成してもよいことは言うまでもない。
【００５８】（実施の形態７）図１１は本発明の高周波
モジュールにおける第７の実施の形態における誘電体基
板を示す斜視図である。本実施の形態７は、実施の形態
１における第１の誘電体基板１０１を図１１の構成によ
る誘電体基板構造体５００に置き換えたものである。図
５における貫通孔２１５の形状に対応する形状に成形し
た誘電体基板５０１の全側面に金属メッキ層５０２を形
成し、その周囲に図１における誘電体基板１０１の外周
と同様な形状になるように合成樹脂枠５０３を形成した
構成をしている。
モジュールにおける第７の実施の形態における誘電体基
板を示す斜視図である。本実施の形態７は、実施の形態
１における第１の誘電体基板１０１を図１１の構成によ
る誘電体基板構造体５００に置き換えたものである。図
５における貫通孔２１５の形状に対応する形状に成形し
た誘電体基板５０１の全側面に金属メッキ層５０２を形
成し、その周囲に図１における誘電体基板１０１の外周
と同様な形状になるように合成樹脂枠５０３を形成した
構成をしている。
【００５９】合成樹脂枠５０３は、金属メッキ層５０２
を形成した誘電体基板５０１の底面に金属板５０４を接
着し、金属板５０４上に筒状の矩形枠体を誘電体基板５
０１の外側を囲んで配置し、誘電体基板５０１の外側に
合成樹脂物質を充填して囲繞し、その後矩形枠体を除去
することにより形成することができる。その他の構成お
よび作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略す
る。
を形成した誘電体基板５０１の底面に金属板５０４を接
着し、金属板５０４上に筒状の矩形枠体を誘電体基板５
０１の外側を囲んで配置し、誘電体基板５０１の外側に
合成樹脂物質を充填して囲繞し、その後矩形枠体を除去
することにより形成することができる。その他の構成お
よび作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略す
る。
【００６０】（実施の形態８）つぎに、実施の形態１〜
７で説明した高周波モジュールの製造方法について、本
実施の形態８に詳細に説明する。
７で説明した高周波モジュールの製造方法について、本
実施の形態８に詳細に説明する。
【００６１】図１２は図１、図２で説明した実施の形態
1における高周波モジュールの製造方法を示すものであ
る。図１２において、図１と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。１１７は第１の誘電体基板１０１
と第２の誘電体基板１０６を接合させるための導電性両
面粘着シートで、矩形状の孔部１１１、１１２、１１３
および結合窓１０８に対応した透孔１１８が形成されて
いる。
1における高周波モジュールの製造方法を示すものであ
る。図１２において、図１と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。１１７は第１の誘電体基板１０１
と第２の誘電体基板１０６を接合させるための導電性両
面粘着シートで、矩形状の孔部１１１、１１２、１１３
および結合窓１０８に対応した透孔１１８が形成されて
いる。
【００６２】図１２に示した高周波モジュールの各要素
部品は以下のようにして製作される。誘電体基板１０６
は、一般の回路基板製造方法と同様に、入出力線路１０
７および接地導体１０４を形成するための銅箔などの導
体膜が両面に形成された樹脂基板に対し、両面にレジス
トを形成した後、露光機でパターニングを実施し、導体
膜のウェットエッチングを行い、レジストを除去するこ
とにより製作することができる。
部品は以下のようにして製作される。誘電体基板１０６
は、一般の回路基板製造方法と同様に、入出力線路１０
７および接地導体１０４を形成するための銅箔などの導
体膜が両面に形成された樹脂基板に対し、両面にレジス
トを形成した後、露光機でパターニングを実施し、導体
膜のウェットエッチングを行い、レジストを除去するこ
とにより製作することができる。
【００６３】導電性両面粘着シート１１７は材料自身が
市販されており、これにレーザ加工、または型抜き加工
により透孔１１８を有する所定の形状に加工することが
できる。
市販されており、これにレーザ加工、または型抜き加工
により透孔１１８を有する所定の形状に加工することが
できる。
【００６４】誘電体基板１０１は、図１３の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）で示す工程にて製作が可能である。図１
３（ａ）は、片面に銅などの接地導体１０３が形成され
ている誘電体基板１０１に対し、レーザ加工により３つ
の矩形状の孔部１１１、１１２、１１３を有する貫通孔
１１４を製作した工程を示している。接地導体表面１１
９は誘電体基板１０１をレーザ加工したことにより露出
した接地導体１０３の表面を示している。
（ｂ）、（ｃ）で示す工程にて製作が可能である。図１
３（ａ）は、片面に銅などの接地導体１０３が形成され
ている誘電体基板１０１に対し、レーザ加工により３つ
の矩形状の孔部１１１、１１２、１１３を有する貫通孔
１１４を製作した工程を示している。接地導体表面１１
９は誘電体基板１０１をレーザ加工したことにより露出
した接地導体１０３の表面を示している。
【００６５】この加工に用いるレーザの種類としては、
エキシマレーザやＹＡＧレーザであって、第３高調波あ
るいは第４高調波を用いるものが望ましい。この理由
は、これらのレーザが誘電体基板１０１の樹脂を熱加工
でなく、アブレーション加工で除去するため、樹脂およ
び接地導体１０３にダメージの少ない加工が可能となる
からである。誘電体基板１０１に対する貫通孔１１４の
加工は、ドライエッチングを用いても可能であるが、樹
脂の厚みが２００μｍ程度以上と厚い場合には、エッチ
ング時に使用するレジストマスクを厚く（おおむね基板
厚と同程度以上）する必要が生じ、現実的な加工ではな
くなる。
エキシマレーザやＹＡＧレーザであって、第３高調波あ
るいは第４高調波を用いるものが望ましい。この理由
は、これらのレーザが誘電体基板１０１の樹脂を熱加工
でなく、アブレーション加工で除去するため、樹脂およ
び接地導体１０３にダメージの少ない加工が可能となる
からである。誘電体基板１０１に対する貫通孔１１４の
加工は、ドライエッチングを用いても可能であるが、樹
脂の厚みが２００μｍ程度以上と厚い場合には、エッチ
ング時に使用するレジストマスクを厚く（おおむね基板
厚と同程度以上）する必要が生じ、現実的な加工ではな
くなる。
【００６６】図１３（ｂ）は、図１３（ａ）で示した誘
電体基板１０１のレーザ加工後に、メッキ処理前のレジ
ストマスクを形成する工程を示している。図１３（ｂ）
の１２１はメッキ用のレジストマスクであり、ラミネー
ターでレジスト形成後、露光および現像により所定のパ
ターンを得ることができる。メッキ用レジストマスク１
２１を形成した後は、デスミア処理と呼ばれる表面処理
を行なった後、無電解メッキおよび電解メッキを組み合
わせることで、貫通孔１１４の内壁面に銅などの金属膜
による導電体層１０２を形成することができ、これと接
地導体１０３の露出部分により導波管を構成することが
できる。金属膜の厚みは一般的に１５〜５０μｍ程度で
ある。図１３（ｃ）は、メッキ処理終了後、レジストマ
スク１２１を除去した工程を示している。
電体基板１０１のレーザ加工後に、メッキ処理前のレジ
ストマスクを形成する工程を示している。図１３（ｂ）
の１２１はメッキ用のレジストマスクであり、ラミネー
ターでレジスト形成後、露光および現像により所定のパ
ターンを得ることができる。メッキ用レジストマスク１
２１を形成した後は、デスミア処理と呼ばれる表面処理
を行なった後、無電解メッキおよび電解メッキを組み合
わせることで、貫通孔１１４の内壁面に銅などの金属膜
による導電体層１０２を形成することができ、これと接
地導体１０３の露出部分により導波管を構成することが
できる。金属膜の厚みは一般的に１５〜５０μｍ程度で
ある。図１３（ｃ）は、メッキ処理終了後、レジストマ
スク１２１を除去した工程を示している。
【００６７】以上のように製作された第1の誘電体基板
１０１に第２の誘電体基板１０６を図１２に示す貫通孔
１１４の形状の透孔１１８が加工された導電性両面粘着
シート１１７により接着することにより高周波モジュー
ルを製作することができる。
１０１に第２の誘電体基板１０６を図１２に示す貫通孔
１１４の形状の透孔１１８が加工された導電性両面粘着
シート１１７により接着することにより高周波モジュー
ルを製作することができる。
【００６８】なお、以上の説明では、図１３（ａ）で示
す誘電体基板１０１のレーザ加工の後に図１３（ｂ）の
ようにメッキ用レジストマスクを形成したが、メッキ用
レジストの形成をレーザ加工の前に実施し、露光および
現像を行なうことなく、レジストを誘電体のレーザ加工
と同時に除去する方法を用いれば、工程の簡略化が図れ
る。
す誘電体基板１０１のレーザ加工の後に図１３（ｂ）の
ようにメッキ用レジストマスクを形成したが、メッキ用
レジストの形成をレーザ加工の前に実施し、露光および
現像を行なうことなく、レジストを誘電体のレーザ加工
と同時に除去する方法を用いれば、工程の簡略化が図れ
る。
【００６９】また、図１３（ｃ）に示した状態で、さら
に微細放電加工機（たとえば松下電器産業（株）製ＭＧ
−ＥＤ７２Ｗなど）を使って仕上げ加工を行い、メッキ
表面の凹凸を除去する加工を行なうと、高周波モジュー
ルの導波管内における損失低減を図ることができる。こ
の場合、放電加工は通常油中で加工を実施するが、メッ
キ表面の凹凸の除去を目的とした本発明の場合は、油中
に砥粒を適量まぜて放電加工を実施すると、砥粒が加工
面の磨き作用を起こすため、さらに加工面をきれいに仕
上げることが可能となり、より損失のない高周波モジュ
ールを製作することができる。
に微細放電加工機（たとえば松下電器産業（株）製ＭＧ
−ＥＤ７２Ｗなど）を使って仕上げ加工を行い、メッキ
表面の凹凸を除去する加工を行なうと、高周波モジュー
ルの導波管内における損失低減を図ることができる。こ
の場合、放電加工は通常油中で加工を実施するが、メッ
キ表面の凹凸の除去を目的とした本発明の場合は、油中
に砥粒を適量まぜて放電加工を実施すると、砥粒が加工
面の磨き作用を起こすため、さらに加工面をきれいに仕
上げることが可能となり、より損失のない高周波モジュ
ールを製作することができる。
【００７０】（実施の形態９）図１４は図３、図４で説
明した実施の形態２における高周波モジュールの製造方
法を示すものである。
明した実施の形態２における高周波モジュールの製造方
法を示すものである。
【００７１】図１４（ａ）は、一方の主面に接地導体１
０３が形成された第１の誘電体基板１０１をレーザによ
り溝加工を行なう工程で、１２２は形成された溝を示し
ている。溝１２２は導波管の誘電体となるべき部分１２
３、１２４、１２５および結合窓１２６を残して形成さ
れる。図１４（ｂ）は図１４（ａ）で形成された溝１２
２を含め、誘電体基板１０１の全面をメッキにより導体
膜を形成する工程で、１２７は形成されたメッキ膜を示
している。メッキ膜１２７は市販のメッキ液およびメッ
キ添加剤を用いて容易に得ることができる。たとえば、
奥野製薬工業（株）より市販されている硫酸銅メッキ添
加剤（商品名：トップルチナ）を硫酸銅溶液に配合し、
電解メッキを実施すると、溝１２２は銅によって埋め込
みが実施され、ボイドのない銅メッキが実施できる。
０３が形成された第１の誘電体基板１０１をレーザによ
り溝加工を行なう工程で、１２２は形成された溝を示し
ている。溝１２２は導波管の誘電体となるべき部分１２
３、１２４、１２５および結合窓１２６を残して形成さ
れる。図１４（ｂ）は図１４（ａ）で形成された溝１２
２を含め、誘電体基板１０１の全面をメッキにより導体
膜を形成する工程で、１２７は形成されたメッキ膜を示
している。メッキ膜１２７は市販のメッキ液およびメッ
キ添加剤を用いて容易に得ることができる。たとえば、
奥野製薬工業（株）より市販されている硫酸銅メッキ添
加剤（商品名：トップルチナ）を硫酸銅溶液に配合し、
電解メッキを実施すると、溝１２２は銅によって埋め込
みが実施され、ボイドのない銅メッキが実施できる。
【００７２】なお、この電解メッキは連続的にメッキ浴
に電流を流す通常の方法よりも、パルスメッキと呼ばれ
る電流を間欠的に流すメッキ方法を用いると、溝１２２
を埋め込む銅形成が良好となり、より良いメッキが実施
される。またメッキ処理の後、メッキ膜１２７の表面を
研磨すると、面内の厚み精度が確保されたメッキ膜を得
ることができる。
に電流を流す通常の方法よりも、パルスメッキと呼ばれ
る電流を間欠的に流すメッキ方法を用いると、溝１２２
を埋め込む銅形成が良好となり、より良いメッキが実施
される。またメッキ処理の後、メッキ膜１２７の表面を
研磨すると、面内の厚み精度が確保されたメッキ膜を得
ることができる。
【００７３】図１４（ｃ）はメッキ膜１２７の任意の部
分に結合スロット１０５を形成する工程を示している。
結合スロット１０５は、通常のウェットエッチングにて
形成可能である。
分に結合スロット１０５を形成する工程を示している。
結合スロット１０５は、通常のウェットエッチングにて
形成可能である。
【００７４】図１４（ｄ）は、入出力線路１０７が形成
されている第２の誘電体基板１０６（裏面に接地導体な
し）と、図１４（ｃ）までの工程で製作した第１の誘電
体基板１０１を接合する工程を示している。接合の方法
としては、実施例８で説明した導電性両面粘着シートに
よっても可能であるが、本実施例では別の接合方法につ
いて説明する。
されている第２の誘電体基板１０６（裏面に接地導体な
し）と、図１４（ｃ）までの工程で製作した第１の誘電
体基板１０１を接合する工程を示している。接合の方法
としては、実施例８で説明した導電性両面粘着シートに
よっても可能であるが、本実施例では別の接合方法につ
いて説明する。
【００７５】本実施の形態９の特徴は、第１の誘電体基
板１０１および第２の誘電体基板１０６の材料として熱
可塑性樹脂である液晶ポリマーを使用する点にある。液
晶ポリマーはプレスにより、液晶ポリマー同士の接合だ
けでなく、液晶ポリマーと銅との接合が可能な材料であ
る。本発明者の実験によれば、接合する部材を２５０〜
３５０℃に加熱し、１０〜５０kgf/cm2の圧力でプレス
を行なうと部材同士が良好に接合できることを確認して
いる。なお、部材同士を接合する前には、各部材の表面
をプラズマクリーニングまたはオゾンクリーニングを実
施することが良好な接合を行なう上で重要である。
板１０１および第２の誘電体基板１０６の材料として熱
可塑性樹脂である液晶ポリマーを使用する点にある。液
晶ポリマーはプレスにより、液晶ポリマー同士の接合だ
けでなく、液晶ポリマーと銅との接合が可能な材料であ
る。本発明者の実験によれば、接合する部材を２５０〜
３５０℃に加熱し、１０〜５０kgf/cm2の圧力でプレス
を行なうと部材同士が良好に接合できることを確認して
いる。なお、部材同士を接合する前には、各部材の表面
をプラズマクリーニングまたはオゾンクリーニングを実
施することが良好な接合を行なう上で重要である。
【００７６】本実施の形態９による高周波モジュール製
造方法を用いると導電性両面粘着シートを使用すること
なく、高周波モジュールを製作することができる。な
お、液晶ポリマーは、１０ＧＨｚ帯域での測定で比誘電
率３．０、誘電損失０．００３という極めて高周波特性
が良好な材料であり、液晶ポリマーの誘電損失がきわめ
て小さいため、導波管内部での大きな損失を発生させる
ものではなく、高周波特性の良好な高周波モジュールを
構成できることに変わりはない。
造方法を用いると導電性両面粘着シートを使用すること
なく、高周波モジュールを製作することができる。な
お、液晶ポリマーは、１０ＧＨｚ帯域での測定で比誘電
率３．０、誘電損失０．００３という極めて高周波特性
が良好な材料であり、液晶ポリマーの誘電損失がきわめ
て小さいため、導波管内部での大きな損失を発生させる
ものではなく、高周波特性の良好な高周波モジュールを
構成できることに変わりはない。
【００７７】（実施の形態１０）図１５および図１６
は、図１、図２で説明した実施の形態1における高周波
モジュールの他の製造方法の実施例を示すものである。
は、図１、図２で説明した実施の形態1における高周波
モジュールの他の製造方法の実施例を示すものである。
【００７８】図１５はプレス前の各部材の状態を表して
いる。誘電体基板１０６は液晶ポリマーを材料とし、そ
の表面には銅を材料とする入出力線路１０７、裏面には
銅を材料とする接地導体１０４が形成されている。接地
導体１０４には結合スロット１０５が形成されている。
誘電体基板１０１は液晶ポリマーを材料とし、図１３の
貫通孔１１４に対応する高周波モジュールの導波管とな
る矩形孔１２８が形成されている。この矩形孔１２８の
製作はレーザ加工を用いても可能であるが、型抜きの加
工を実施したほうが生産タクト、生産コストの点で優れ
る。矩形孔１２８の周辺には、導電体層１０２が形成さ
れている。この導電体層１０２は実施の形態８で述べた
メッキ法により簡単に形成できる。
いる。誘電体基板１０６は液晶ポリマーを材料とし、そ
の表面には銅を材料とする入出力線路１０７、裏面には
銅を材料とする接地導体１０４が形成されている。接地
導体１０４には結合スロット１０５が形成されている。
誘電体基板１０１は液晶ポリマーを材料とし、図１３の
貫通孔１１４に対応する高周波モジュールの導波管とな
る矩形孔１２８が形成されている。この矩形孔１２８の
製作はレーザ加工を用いても可能であるが、型抜きの加
工を実施したほうが生産タクト、生産コストの点で優れ
る。矩形孔１２８の周辺には、導電体層１０２が形成さ
れている。この導電体層１０２は実施の形態８で述べた
メッキ法により簡単に形成できる。
【００７９】以上の構成による第２の誘電体基板１０６
と第１の誘電体基板１０１、および銅箔を材料とする接
地導体１０３を実施の形態９で説明した加熱と加圧によ
るプレス加工を行なうことにより高周波モジュールを製
作することができる。
と第１の誘電体基板１０１、および銅箔を材料とする接
地導体１０３を実施の形態９で説明した加熱と加圧によ
るプレス加工を行なうことにより高周波モジュールを製
作することができる。
【００８０】図１６は接地導体１０４と導電体層１０
２、および接地導体１０３と導電体層１０２の金属同士
の結合箇所の拡大工程図である。図１６（ａ）は接合前
の状態、図１６（ｂ）は金属同士が接触した瞬間、図１
６（ｃ）は接合が完了した状態を表している。
２、および接地導体１０３と導電体層１０２の金属同士
の結合箇所の拡大工程図である。図１６（ａ）は接合前
の状態、図１６（ｂ）は金属同士が接触した瞬間、図１
６（ｃ）は接合が完了した状態を表している。
【００８１】図１６（ａ）において、誘電体基板１０１
の貫通孔１１４に形成されている導電体層１０２は、誘
電体基板１０１の端部を断面コ字状に被覆した状態にな
っている。図１６（ａ）のように接地導体１０３、誘電
体基板１０１および誘電体基板１０６をこの順に重ね、
加熱しながら上下方向に加圧すると、図１６（ｂ）のよ
うに接地導体１０４と導電体層１０２、および接地導体
１０３と導電体層１０２の金属同士が接触する。この状
態からさらに加熱および加圧をすると、図１６（ｃ）の
ように導電体層１０２が変形し良好な接続が実現する。
の貫通孔１１４に形成されている導電体層１０２は、誘
電体基板１０１の端部を断面コ字状に被覆した状態にな
っている。図１６（ａ）のように接地導体１０３、誘電
体基板１０１および誘電体基板１０６をこの順に重ね、
加熱しながら上下方向に加圧すると、図１６（ｂ）のよ
うに接地導体１０４と導電体層１０２、および接地導体
１０３と導電体層１０２の金属同士が接触する。この状
態からさらに加熱および加圧をすると、図１６（ｃ）の
ように導電体層１０２が変形し良好な接続が実現する。
【００８２】このように導電体層１０２を変形させて接
合を行わせるためには、導電体層１０２を形成する際の
メッキの析出速度をある程度早くするように制御し、メ
ッキで形成した導電体層（銅）１０２を接地導体（銅
箔）１０３よりも柔らかくすることにより達成できる。
合を行わせるためには、導電体層１０２を形成する際の
メッキの析出速度をある程度早くするように制御し、メ
ッキで形成した導電体層（銅）１０２を接地導体（銅
箔）１０３よりも柔らかくすることにより達成できる。
【００８３】なお、図１６（ｃ）においては、導電体層
１０２が液晶ポリマーを材料とする誘電体基板１０１中
にもぐりこむような形態で図示しているが、液晶ポリマ
ーは熱可塑性樹脂であるので、２５０〜３５０℃の温度
のとき導電体層１０２よりも柔らかい状態となっている
ため、導電体層１０２のメッキ速度を早めることで導電
体層１０２を柔らかくしても図１６（ｃ）で示した形態
を容易に達成できる。
１０２が液晶ポリマーを材料とする誘電体基板１０１中
にもぐりこむような形態で図示しているが、液晶ポリマ
ーは熱可塑性樹脂であるので、２５０〜３５０℃の温度
のとき導電体層１０２よりも柔らかい状態となっている
ため、導電体層１０２のメッキ速度を早めることで導電
体層１０２を柔らかくしても図１６（ｃ）で示した形態
を容易に達成できる。
【００８４】（実施の形態１１）図１７は、図５、図６
で説明した実施の形態３における高周波モジュールの製
造方法の実施例を示すものである。
で説明した実施の形態３における高周波モジュールの製
造方法の実施例を示すものである。
【００８５】図１７において、図５と同一部分には同一
符号を付して説明を省略する。銅板２０１に形成される
貫通孔２１５は、汎用の機械加工または銅のウェットエ
ッチングにて形成することができる。銅板２０１の接地
導体２０３はあらかじめ銅板２０１に結合しているが、
銅板２０１に貫通孔２１５を形成後に結合するようにし
てもよい。誘電体基板２０６および銅板２０１の接合
は、実施の形態８で説明した導電性両面粘着シートを用
いても達成できるが、本実施の形態１１では、導電性両
面粘着シートによらない接合方法を説明する。
符号を付して説明を省略する。銅板２０１に形成される
貫通孔２１５は、汎用の機械加工または銅のウェットエ
ッチングにて形成することができる。銅板２０１の接地
導体２０３はあらかじめ銅板２０１に結合しているが、
銅板２０１に貫通孔２１５を形成後に結合するようにし
てもよい。誘電体基板２０６および銅板２０１の接合
は、実施の形態８で説明した導電性両面粘着シートを用
いても達成できるが、本実施の形態１１では、導電性両
面粘着シートによらない接合方法を説明する。
【００８６】図１８は、本実施例における接合方法を実
施する接着装置の概念図である。銅板２０１および誘電
体基板２０６は図１７で説明したものである。６０２は
銅板２０１を設置するヒータステージ、６０３は誘電体
基板２０６を吸着保持するヒータ付チャックで真空チャ
ンバー６０１内に設置されており、ヒータ付チャック６
０３は真空チャンバー６０１内で上下に昇降・加圧でき
る構造となっている。ヒータステージ６０２には整合回
路を含む高周波電源６０４に接続されており、高周波
（たとえば１３．５６ＭＨｚ）が供給できる構造になっ
ている。
施する接着装置の概念図である。銅板２０１および誘電
体基板２０６は図１７で説明したものである。６０２は
銅板２０１を設置するヒータステージ、６０３は誘電体
基板２０６を吸着保持するヒータ付チャックで真空チャ
ンバー６０１内に設置されており、ヒータ付チャック６
０３は真空チャンバー６０１内で上下に昇降・加圧でき
る構造となっている。ヒータステージ６０２には整合回
路を含む高周波電源６０４に接続されており、高周波
（たとえば１３．５６ＭＨｚ）が供給できる構造になっ
ている。
【００８７】この装置で真空チャンバー６０１内にアル
ゴンなどの不活性ガス、窒素ガスまたは酸素ガスを導入
し、真空チャンバー６０１内の排気量を調整することに
より真空チャンバー６０１を任意の減圧下にした状態
で、ヒータステージ６０２に高周波を印加すると、銅板
２０１および誘電体基板２０６間にプラズマ６０５が発
生する。このプラズマ６０５は銅板２０１および誘電体
基板２０６の表面を洗浄する効果を発揮する。この工程
の後、ヒータステージ６０２およびチャック６０３を加
熱し、チャック６０３を下降させ、誘電体基板２０６を
銅板２０１に押し付けると、銅板２０１と誘電体基板２
０６の接地導体２０４である銅製金属板の銅同士が直接
接合される。
ゴンなどの不活性ガス、窒素ガスまたは酸素ガスを導入
し、真空チャンバー６０１内の排気量を調整することに
より真空チャンバー６０１を任意の減圧下にした状態
で、ヒータステージ６０２に高周波を印加すると、銅板
２０１および誘電体基板２０６間にプラズマ６０５が発
生する。このプラズマ６０５は銅板２０１および誘電体
基板２０６の表面を洗浄する効果を発揮する。この工程
の後、ヒータステージ６０２およびチャック６０３を加
熱し、チャック６０３を下降させ、誘電体基板２０６を
銅板２０１に押し付けると、銅板２０１と誘電体基板２
０６の接地導体２０４である銅製金属板の銅同士が直接
接合される。
【００８８】本発明者の実験によると、アルゴンガス、
窒素ガスまたは酸素ガスを用いて、５０sccmのガス流量
で、４０Ｐａの減圧下とし、３００ｍＷの高周波（１
３．５６ＭＨｚ）パワーを印加し、１分間プラズマを発
生した後、ヒータステージ６０２およびチャック６０３
を１５０℃に昇温させ、１５０kgf/cm2の条件で接合さ
せると良好に銅同士が直接接合された。この接合方法
は、実施の形態９および実施の形態１０で説明した接合
方法よりも低温で直接接合が可能である。
窒素ガスまたは酸素ガスを用いて、５０sccmのガス流量
で、４０Ｐａの減圧下とし、３００ｍＷの高周波（１
３．５６ＭＨｚ）パワーを印加し、１分間プラズマを発
生した後、ヒータステージ６０２およびチャック６０３
を１５０℃に昇温させ、１５０kgf/cm2の条件で接合さ
せると良好に銅同士が直接接合された。この接合方法
は、実施の形態９および実施の形態１０で説明した接合
方法よりも低温で直接接合が可能である。
【００８９】この接合方法は、プラズマ６０５を発生さ
せた後ガス供給を止め、真空チャンバー６０１内を高真
空にし、そのまま銅板２０１と誘電体基板２０６を直接
接合すると高周波モジュールの導波管内の空間を真空状
態にさせた高周波モジュールが製作可能である。高周波
モジュール内の空間が真空状態であると高周波モジュー
ル内の導波管壁面が長期間酸化されるおそれがないため
高周波モジュールの長期信頼性が確保できる。
せた後ガス供給を止め、真空チャンバー６０１内を高真
空にし、そのまま銅板２０１と誘電体基板２０６を直接
接合すると高周波モジュールの導波管内の空間を真空状
態にさせた高周波モジュールが製作可能である。高周波
モジュール内の空間が真空状態であると高周波モジュー
ル内の導波管壁面が長期間酸化されるおそれがないため
高周波モジュールの長期信頼性が確保できる。
【００９０】また、この方法を用いれば、導波管内の空
間を真空状態のほかに、真空チャンバー６０１内の真空
排気後、真空チャンバー６０１内に窒素ガスや不活性ガ
スを導入することで、導波管内を窒素ガスや不活性ガス
で満たすことも可能であり、真空状態と同様に高周波モ
ジュールを長期間、高信頼性にたもつことができる。
間を真空状態のほかに、真空チャンバー６０１内の真空
排気後、真空チャンバー６０１内に窒素ガスや不活性ガ
スを導入することで、導波管内を窒素ガスや不活性ガス
で満たすことも可能であり、真空状態と同様に高周波モ
ジュールを長期間、高信頼性にたもつことができる。
【００９１】以上の説明では、プラズマ６０５により銅
板２０１および誘電体基板２０６の表面を洗浄したが、
アトムビームやイオンビームを用いても同様な効果を達
成することができる。
板２０１および誘電体基板２０６の表面を洗浄したが、
アトムビームやイオンビームを用いても同様な効果を達
成することができる。
【００９２】本実施の形態１１によれば、２００℃以下
の温度で高周波モジュールを直接製作することが可能で
あり、また、長期間にわたって信頼性の高い高周波モジ
ュールを製作することができる。
の温度で高周波モジュールを直接製作することが可能で
あり、また、長期間にわたって信頼性の高い高周波モジ
ュールを製作することができる。
【００９３】
【発明の効果】以上のように本発明の高周波モジュール
によれば、誘電体基板中に溝を設け、この溝内に導電体
層を形成し、上下に接地導体を貼り合わせることで、誘
電体基板中に壁面が連続した導波管を内蔵することがで
きるため、安価で高性能な高周波モジュールを実現する
という効果が得られる。
によれば、誘電体基板中に溝を設け、この溝内に導電体
層を形成し、上下に接地導体を貼り合わせることで、誘
電体基板中に壁面が連続した導波管を内蔵することがで
きるため、安価で高性能な高周波モジュールを実現する
という効果が得られる。
【００９４】また、本発明の高周波モジュールの製造方
法によれば、誘電体基板中に形成した導波管構造におい
て、導体損を低減する連続した壁面構造を一般的な加工
プロセスにより安価で大量に実現することができる。
法によれば、誘電体基板中に形成した導波管構造におい
て、導体損を低減する連続した壁面構造を一般的な加工
プロセスにより安価で大量に実現することができる。
【００９５】また本発明による高周波モジュールを搭載
すれば、高周波特性の良い通信端末装置、基地局装置、
無線計測装置、レーダ装置を製作することが可能とな
る。
すれば、高周波特性の良い通信端末装置、基地局装置、
無線計測装置、レーダ装置を製作することが可能とな
る。
【図１】本発明の実施の形態１による高周波モジュール
構造を示す分解斜視図
構造を示す分解斜視図
【図２】図１の高周波モジュールのＡ−Ａ線に沿った断
面図
面図
【図３】本発明の実施の形態２による高周波モジュール
の要部の斜視図
の要部の斜視図
【図４】図２に示した高周波モジュールの要部の断面図
【図５】本発明の実施の形態３による高周波モジュール
構造を示す分解斜視図
構造を示す分解斜視図
【図６】図５の高周波モジュールのＢ−Ｂ線に沿った断
面図
面図
【図７】本発明の実施の形態４による高周波モジュール
構造を示す分解斜視図
構造を示す分解斜視図
【図８】本発明の実施の形態５による高周波モジュール
構造を示す断面図
構造を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態６による高周波モジュール
構造を示す分解斜視図
構造を示す分解斜視図
【図１０】図９の高周波モジュールのＣ−Ｃ線に沿った
断面図
断面図
【図１１】本発明の実施の形態７による高周波モジュー
ル構造を示す斜視図
ル構造を示す斜視図
【図１２】本発明の実施の形態８による高周波モジュー
ルの製造方法の一例を示す斜視図
ルの製造方法の一例を示す斜視図
【図１３】（ａ）図１２における高周波モジュールの要
部のレーザ加工により凹型溝を製作した工程図 （ｂ）（ａ）のレーザ加工後メッキ処理前のレジストマ
スクを形成する工程図 （ｃ）（ａ）のレーザ加工後メッキ処理後のレジストマ
スクを除去した工程図
部のレーザ加工により凹型溝を製作した工程図 （ｂ）（ａ）のレーザ加工後メッキ処理前のレジストマ
スクを形成する工程図 （ｃ）（ａ）のレーザ加工後メッキ処理後のレジストマ
スクを除去した工程図
【図１４】（ａ）本発明の実施の形態９による高周波モ
ジュールの接地導体が形成された誘電体をレーザにより
溝加工を行なう工程図 （ｂ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
誘電体の全面にメッキにより導体膜を形成する工程図 （ｃ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
メッキ膜に結合スロットを形成する工程図 （ｄ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
第２の誘電体と第１の誘電体を接合する工程図
ジュールの接地導体が形成された誘電体をレーザにより
溝加工を行なう工程図 （ｂ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
誘電体の全面にメッキにより導体膜を形成する工程図 （ｃ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
メッキ膜に結合スロットを形成する工程図 （ｄ）本発明の実施の形態９による高周波モジュールの
第２の誘電体と第１の誘電体を接合する工程図
【図１５】本発明の実施の形態１０による高周波モジュ
ールの分解斜視図
ールの分解斜視図
【図１６】（ａ）本発明の実施の形態１０による高周波
モジュールの製造方法における接地導体膜の金属同士の
結合箇所の接合前の状態を示す拡大工程図 （ｂ）本発明の実施の形態１０による高周波モジュール
の製造方法における接地導体膜の金属同士が接触した瞬
間の状態を示す拡大工程図 （ｃ）本発明の実施の形態１０による高周波モジュール
の製造方法における接地導体膜の金属同士の接合が完了
した状態を示す拡大工程図
モジュールの製造方法における接地導体膜の金属同士の
結合箇所の接合前の状態を示す拡大工程図 （ｂ）本発明の実施の形態１０による高周波モジュール
の製造方法における接地導体膜の金属同士が接触した瞬
間の状態を示す拡大工程図 （ｃ）本発明の実施の形態１０による高周波モジュール
の製造方法における接地導体膜の金属同士の接合が完了
した状態を示す拡大工程図
【図１７】本発明の実施の形態１１による高周波モジュ
ールの製造方法の工程を説明するための斜視図
ールの製造方法の工程を説明するための斜視図
【図１８】本発明の実施の形態１１による接合方法を説
明するための概念図
明するための概念図
【図１９】従来の導波管内蔵の高周波モジュールの構造
を示す斜視図
を示す斜視図
１０１、１０６、 ２０６、 ５０１ 誘電体基板
１０２ 導電体層
１０３、１０４、２０３、２０４、４０４、 接地導体
１０５、２０５、２０５ａ、２０５ｂ 結合スロット
１０７、２０７ 入出力線路
１０８、２０８ 結合窓
１１１、１１２、１１３、２１１、２１２、２１３ 孔
部 １１４、 ２１５、４０２ 貫通孔 １１７ 導電性両面粘着シート １１８ 透孔 １１９ 接地導体表面 １２１ レジストマスク １２２ 溝 １２３、１２４、１２５ 誘電体 １２７ メッキ膜 １２８ 矩形孔 ２０１、４０１ 銅板 ２０９ 空気 ２１０ 矩形導波管 ３０６、４０６ 誘電体多層フィルム ３０７、４０７ スルーホール ３０８、４１１ ＭＭＩＣ ３０９ 樹脂キャップ ３１０、４１３ ハンダボール ４１４ 金属キャップ ４１２ モノポールアンテナ ４１５ 空間 ５００ 誘電体基板構造体 ５０２ 金属メッキ層 ５０３ 合成樹脂枠 ５０４ 金属板 ６０１ 真空チャンバー ６０２ ヒータステージ ６０３ チャック ６０４ 高周波電源 ６０５ プラズマ ７０１ 誘電体基板 ７０２ スルーホール ７０３ 層間の接地導体 ７０４ 接地導体 ７０５ 接地導体
部 １１４、 ２１５、４０２ 貫通孔 １１７ 導電性両面粘着シート １１８ 透孔 １１９ 接地導体表面 １２１ レジストマスク １２２ 溝 １２３、１２４、１２５ 誘電体 １２７ メッキ膜 １２８ 矩形孔 ２０１、４０１ 銅板 ２０９ 空気 ２１０ 矩形導波管 ３０６、４０６ 誘電体多層フィルム ３０７、４０７ スルーホール ３０８、４１１ ＭＭＩＣ ３０９ 樹脂キャップ ３１０、４１３ ハンダボール ４１４ 金属キャップ ４１２ モノポールアンテナ ４１５ 空間 ５００ 誘電体基板構造体 ５０２ 金属メッキ層 ５０３ 合成樹脂枠 ５０４ 金属板 ６０１ 真空チャンバー ６０２ ヒータステージ ６０３ チャック ６０４ 高周波電源 ６０５ プラズマ ７０１ 誘電体基板 ７０２ スルーホール ７０３ 層間の接地導体 ７０４ 接地導体 ７０５ 接地導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｄ
(72)発明者 藤田 卓
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5J006 JB02 LA02 LA21 LA25 NA01
NA06 NA09 PA03 PA04
5J014 DA06
Claims (24)
- 【請求項１】 第１、第２の主面、および前記第１、第
２の主面に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板
と、前記第１、第２の主面上にそれぞれ設けられ、前記
貫通孔の開口を覆う接地のための第１、第２の導体と、
前記貫通孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上
に形成された導電体層とを備え、前記第１、第２の導体
と前記導電体層とで囲まれた空間で導波管構造を構成し
た高周波モジュール。 - 【請求項２】 第１、第２の導体および導電体層で囲ま
れた空間が空気が充満した空間である請求項１記載の高
周波モジュール。 - 【請求項３】 第１、第２の導体および導電体層で囲ま
れた空間が空気の代わりに真空または不活性ガスもしく
は窒素ガスを充填した空間である請求項２記載の高周波
モジュール。 - 【請求項４】 誘電体基板の一部が第１、第２の導体お
よび導電体層で囲まれた空間を構成した請求項１記載の
高周波モジュール。 - 【請求項５】 貫通孔を有する金属板と、前記金属板の
第１、第２の主面に各々設けられた接地のための第１、
第２の導体とを有し、前記接地のための第１、第２の導
体および貫通孔の壁面で囲まれた空間とで導波管構造を
構成した高周波モジュール。 - 【請求項６】 第１の導体が前記誘電体基板に設けた貫
通孔直上の領域にスロットを有し、前記第１の導体上に
さらに他の誘電体基板が積層され、前記他の誘電体基板
上の前記スロットと電磁界結合が得られる位置に入出力
用のマイクロストリップ線路を有する請求項１から５の
いずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項７】 誘電体基板中に導波管構造で形成した空
洞共振器を複数個結合させたフィルタ回路を有する請求
項１から６のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項８】 第１の導体と第２の導体の両方にスロッ
トを有し、第１の導体に設けたスロットにはマイクロス
トリップ線路、第２の導体に設けたスロットには導波管
を結合させた請求項１から６のいずれかに記載の高周波
モジュール。 - 【請求項９】 他の誘電体基板として多層の誘電体フィ
ルムを用い、前記誘電体フィルムの任意の位置に埋め込
みスルーホールを有し、前記埋め込みスルーホール上に
集積回路を実装し、周辺部に電極とバンプ、封止キャッ
プを実装した構造を有する請求項６記載の高周波モジュ
ール。 - 【請求項１０】 任意の位置に貫通孔を有する銅板と多
層の誘電体フィルムを有し、前記誘電体フィルムの任意
の位置に埋め込みスルーホールを有し、前記埋め込みス
ルーホール上に集積回路を実装し、前記貫通孔の上にア
ンテナまたはフィルタ回路を形成し、周辺に電極とバン
プおよび金属キャップを実装したことを特徴とする高周
波モジュール。 - 【請求項１１】 第１の主面に接地のための導体が形成
されている第１の誘電体基板にレーザ加工により互いに
連結された複数の矩形状部を有し前記導体に達する貫通
孔を形成し、前記貫通孔の内側壁面に金属膜を形成し、
前記金属膜を形成した第１の誘電体基板の第２の主面
に、片面に接地のための導体が形成され他面に入出力線
路を形成した第２の誘電体基板の導体が形成された面
を、前記貫通孔の形状の空孔が加工された導電性両面粘
着シートを介して接着することを特徴とする高周波モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項１２】 レーザ加工がエキシマレーザまたはＹ
ＡＧレーザの第３高調波もしくは第４高調波を用いる加
工である請求項１１記載の高周波モジュールの製造方
法。 - 【請求項１３】 貫通孔の内側壁面の凹凸を除去する工
程を含み、前記工程の後金属膜を形成する請求項１１記
載の高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項１４】 第１の主面に接地のための導体が形成
されている液晶ポリマー基板にレーザ加工により互いに
連結された複数の矩形状誘電体部を残して前記導体に達
する溝を形成し、前記溝の内側壁面に金属メッキ膜を形
成し、前記金属メッキ膜を形成した液晶ポリマー基板の
第２の主面にメッキにより導体膜を形成し、前記導体膜
の入出力線路に対応する位置にスロットを形成し、その
上に入出力線路が形成されている第２の液晶ポリマー基
板を重ねて加熱、加圧することを特徴とする高周波モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項１５】 加熱、加圧前に第１および第２の液晶
ポリマーの接着面をプラズマクリーニングまたはオゾン
クリーニングする工程を含む請求項１４に記載の高周波
モジュールの製造方法。 - 【請求項１６】 第１の液晶ポリマー基板にレーザ加工
または型抜き加工により互いに連結された複数の矩形状
部を有する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側
壁面に金属メッキ膜を形成する工程と、第２の液晶ポリ
マー基板の一方の主面に入出力線路を形成する工程と、
前記第２の液晶ポリマー基板の前記入出力線路に対応す
る位置の他方の主面に接地のための導体を形成する工程
と、前記導体板上に前記第１の液晶ポリマー基板および
第２の液晶ポリマー基板を重ねて加熱、加圧する工程を
有することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項１７】 第１の液晶ポリマー基板の貫通孔の内
側壁面に金属メッキ膜を形成する際に、メッキの析出速
度を制御することにより柔らかいメッキ皮膜を析出させ
ることを特徴とする請求項１６に記載の高周波モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項１８】 第１の主面に接地のための導体を有す
る金属板に機械加工またはウェットエッチングにより互
いに連結された複数の矩形状部を残し接地導体に達する
貫通孔を形成する工程と、誘電体基板の第１の主面に入
出力線路を形成する工程と、前記誘電体基板の第２の主
面に前記入出力線路に対応する位置に接地のための導体
を形成する工程と、前記金属板の第２の主面と前記誘電
体基板の前記導体が形成された面とを対向させて真空チ
ャンバー内に配置し、真空または不活性ガスもしくは窒
素ガス雰囲気で加熱、加圧して接合する工程を有するこ
とを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項１９】 加熱、加圧前に金属板と誘電体基板の
接合面をプラズマクリーニング、アトムビームクリーニ
ングまたはイオンビームクリーニングのいずれかの工程
を含む請求項１８に記載の高周波モジュールの製造方
法。 - 【請求項２０】 誘電体基板を互いに連結された複数の
矩形状部を有する形状に切断し、切断後の前記誘電体基
板の外周側壁面に金属膜を形成し、前記金属膜を形成し
た誘電体基板の外周を合成樹脂物質で囲繞することを特
徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
高周波モジュールまたは、請求項１１乃至２０のいずれ
かに記載の製造方法で製造された高周波モジュールを用
いた無線端末装置。 - 【請求項２２】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
高周波モジュールまたは、請求項１１乃至２０のいずれ
かに記載の製造方法で製造された高周波モジュールを用
いた無線基地局装置。 - 【請求項２３】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
高周波モジュールまたは、請求項１１乃至２０のいずれ
かに記載の製造方法で製造された高周波モジュールを用
いた無線計測装置。 - 【請求項２４】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
高周波モジュールまたは、請求項１１乃至２０のいずれ
かに記載の製造方法で製造された高周波モジュールを用
いたレーダ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002302946A JP2003209411A (ja) | 2001-10-30 | 2002-10-17 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
| US10/282,696 US6791438B2 (en) | 2001-10-30 | 2002-10-28 | Radio frequency module and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332219 | 2001-10-30 | ||
| JP2001-332219 | 2001-10-30 | ||
| JP2002302946A JP2003209411A (ja) | 2001-10-30 | 2002-10-17 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209411A true JP2003209411A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=26624197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002302946A Pending JP2003209411A (ja) | 2001-10-30 | 2002-10-17 | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6791438B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003209411A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078854A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-25 | Tdk Corporation | 高周波モジュール |
| JP2007134897A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 導波管スロット結合を用いた電力分配器 |
| JP2007536064A (ja) * | 2004-05-10 | 2007-12-13 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 瞳孔検出方法及びシステム |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP2009516446A (ja) * | 2005-11-14 | 2009-04-16 | ブイグ テレコム | 直接アクセス用導波管を備えた平面アンテナ装置 |
| WO2010114078A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 京セラ株式会社 | 導波構造体、ならびに、導波構造体を含む高周波モジュールおよびレーダ装置 |
| JP5171819B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-03-27 | 京セラ株式会社 | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| JP2015126025A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| CN106602188A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 一种基于多层开槽介质板堆叠的环形腔体滤波器 |
| JP2019054515A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | アンテナが実装されるｐｃｂ及びこれを含む電子装置 |
| KR102061649B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2020-01-02 | 현대모비스 주식회사 | 차량용 레이더장치 |
| CN110867634A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 罗森伯格技术（昆山）有限公司 | 一种电磁混合耦合滤波器 |
| JP2020115619A (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-30 | 三菱電機株式会社 | 導波管−伝送線路変換器、導波管スロットアンテナ、および導波管スロットアレーアンテナ |
| WO2020241831A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板及び印刷配線板の製造方法 |
| JP2022524646A (ja) * | 2019-04-05 | 2022-05-09 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | ガラスベースの空基板集積導波路デバイス |
Families Citing this family (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3839410B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2006-11-01 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタおよび共振器の配置方法 |
| JP3820234B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2006-09-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
| US7626179B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-01 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electron beam induced resonance |
| US7586097B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Switching micro-resonant structures using at least one director |
| US7791290B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Ultra-small resonating charged particle beam modulator |
| US7335534B2 (en) * | 2005-01-10 | 2008-02-26 | Hvvi, Semiconductors, Inc. | Semiconductor component and method of manufacture |
| US7470920B2 (en) | 2006-01-05 | 2008-12-30 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Resonant structure-based display |
| US7443358B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Integrated filter in antenna-based detector |
| US7646991B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-01-12 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Selectable frequency EMR emitter |
| US7876793B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-01-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Micro free electron laser (FEL) |
| US7492868B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-02-17 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Source of x-rays |
| US7718977B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-18 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Stray charged particle removal device |
| US8188431B2 (en) | 2006-05-05 | 2012-05-29 | Jonathan Gorrell | Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit |
| US7443577B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-28 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Reflecting filtering cover |
| US7728397B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupled nano-resonating energy emitting structures |
| US20070258492A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Light-emitting resonant structure driving raman laser |
| US7728702B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material |
| US7741934B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-22 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling a signal through a window |
| US7342441B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-03-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Heterodyne receiver array using resonant structures |
| US7436177B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-14 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | SEM test apparatus |
| US7746532B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-29 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electro-optical switching system and method |
| US7710040B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Single layer construction for ultra small devices |
| US7986113B2 (en) | 2006-05-05 | 2011-07-26 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
| US7442940B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Focal plane array incorporating ultra-small resonant structures |
| US7359589B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-04-15 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling electromagnetic wave through microcircuit |
| US7723698B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Top metal layer shield for ultra-small resonant structures |
| US7732786B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam |
| US7476907B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-01-13 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Plated multi-faceted reflector |
| US7656094B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-02-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electron accelerator for ultra-small resonant structures |
| US7679067B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-03-16 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Receiver array using shared electron beam |
| US7655934B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-02 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Data on light bulb |
| SE530361C2 (sv) * | 2006-09-14 | 2008-05-13 | Powerwave Technologies Sweden | En RF-filtermodul |
| US7450794B2 (en) * | 2006-09-19 | 2008-11-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microcircuit using electromagnetic wave routing |
| EP1923950A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-21 | Siemens S.p.A. | SMT enabled microwave package with waveguide interface |
| US7659513B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-02-09 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Low terahertz source and detector |
| WO2008129923A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Kyocera Corporation | 高周波回路基板、高周波回路モジュールおよびレーダ装置 |
| US7990336B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-08-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays |
| EP2166613A4 (en) * | 2007-07-05 | 2010-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | TRANSMISSION LINE CONVERTER |
| US7791053B2 (en) | 2007-10-10 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures |
| JP2010252092A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Tyco Electronics Japan Kk | 導波管 |
| US9142889B2 (en) * | 2010-02-02 | 2015-09-22 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Compact tapered slot antenna |
| US8742666B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-06-03 | Lam Research Corporation | Radio frequency (RF) power filters and plasma processing systems including RF power filters |
| US8587482B2 (en) | 2011-01-21 | 2013-11-19 | International Business Machines Corporation | Laminated antenna structures for package applications |
| US9502382B2 (en) * | 2011-09-26 | 2016-11-22 | Regents Of The University Of Minnesota | Coplaner waveguide transition |
| US9142497B2 (en) * | 2011-10-05 | 2015-09-22 | Harris Corporation | Method for making electrical structure with air dielectric and related electrical structures |
| CN103296354A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种滤波器 |
| KR20150075347A (ko) * | 2013-12-25 | 2015-07-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 패키지, 반도체 모듈 및 반도체 디바이스 |
| JP2015149649A (ja) | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| JP2015149650A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| EP3140838B1 (en) | 2014-05-05 | 2021-08-25 | 3D Glass Solutions, Inc. | Inductive device in a photo-definable glass structure |
| EP3293814B1 (de) * | 2016-09-13 | 2020-04-29 | Dyconex AG | Schaltungssubstrat und elektronisches höchstfrequenz-bauteil |
| CN106571506B (zh) * | 2016-11-09 | 2019-11-08 | 深圳三星通信技术研究有限公司 | 一种介质波导滤波器 |
| US10498001B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Launch structures for a hermetically sealed cavity |
| US10775422B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-09-15 | Texas Instruments Incorporated | Molecular spectroscopy cell with resonant cavity |
| US10589986B2 (en) | 2017-09-06 | 2020-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Packaging a sealed cavity in an electronic device |
| US10551265B2 (en) | 2017-09-07 | 2020-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensing using quantum molecular rotational state transitions |
| US10131115B1 (en) | 2017-09-07 | 2018-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Hermetically sealed molecular spectroscopy cell with dual wafer bonding |
| US10549986B2 (en) | 2017-09-07 | 2020-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Hermetically sealed molecular spectroscopy cell |
| US10424523B2 (en) | 2017-09-07 | 2019-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Hermetically sealed molecular spectroscopy cell with buried ground plane |
| US10444102B2 (en) | 2017-09-07 | 2019-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Pressure measurement based on electromagnetic signal output of a cavity |
| US10544039B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Methods for depositing a measured amount of a species in a sealed cavity |
| KR102614826B1 (ko) | 2017-12-15 | 2023-12-19 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 결합 전송 라인 공진 rf 필터 |
| JP7226832B2 (ja) | 2018-01-04 | 2023-02-21 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | 高効率ｒｆ回路のためのインピーダンス整合伝導構造 |
| CN108428975B (zh) * | 2018-02-12 | 2019-10-11 | 北京理工大学 | 一种基于介质集成波导异面馈电的内埋式w波段波导滤波器 |
| WO2020139951A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates |
| CN111384541A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 滤波器及通信设备 |
| CN110165345B (zh) * | 2019-05-31 | 2021-01-22 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种容性耦合结构及其制备方法 |
| WO2021051229A1 (en) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | Commscope Technologies Llc | Radio frequency filters having reduced size |
| KR20220164800A (ko) | 2020-04-17 | 2022-12-13 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 광대역 인덕터 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3292115A (en) * | 1964-09-11 | 1966-12-13 | Hazeltine Research Inc | Easily fabricated waveguide structures |
| US3501706A (en) * | 1967-02-20 | 1970-03-17 | North American Rockwell | Broadband microwave parametric amplifier |
| FR2032034A5 (ja) * | 1969-02-17 | 1970-11-20 | Thomson Csf | |
| JPS5390741A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-09 | Nec Corp | Band pass filter |
| IT1206330B (it) * | 1983-10-19 | 1989-04-14 | Telettra Lab Telefon | Filtri per microonde a piu'cavita'. |
| JPH07105645B2 (ja) | 1989-08-19 | 1995-11-13 | 富士通株式会社 | 誘電体フィルタ |
| GB9506866D0 (en) * | 1995-04-03 | 1995-05-24 | Cameron Richard J | Dispersion compensation technique and apparatus for microwave filters |
| US5821836A (en) * | 1997-05-23 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Miniaturized filter assembly |
| EP0959517A1 (fr) * | 1998-05-18 | 1999-11-24 | TRT Lucent Technologies (SA) | Duplexeur sans réglage à faibles pertes |
| SE514630C2 (sv) * | 1999-07-09 | 2001-03-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Metod för framställning av mikrovågsfilter, samt mikrovågsfilter framställt enligt denna metod |
-
2002
- 2002-10-17 JP JP2002302946A patent/JP2003209411A/ja active Pending
- 2002-10-28 US US10/282,696 patent/US6791438B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078854A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-25 | Tdk Corporation | 高周波モジュール |
| JP4799550B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2011-10-26 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 瞳孔検出方法及びシステム |
| JP2007536064A (ja) * | 2004-05-10 | 2007-12-13 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 瞳孔検出方法及びシステム |
| JP2008524887A (ja) * | 2004-12-20 | 2008-07-10 | ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス | マイクロ波用途のための小型電子部品 |
| JP4618726B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-01-26 | 三菱重工業株式会社 | 導波管スロット結合を用いた電力分配器 |
| JP2007134897A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 導波管スロット結合を用いた電力分配器 |
| JP2009516446A (ja) * | 2005-11-14 | 2009-04-16 | ブイグ テレコム | 直接アクセス用導波管を備えた平面アンテナ装置 |
| JP5171819B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-03-27 | 京セラ株式会社 | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| WO2010114078A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 京セラ株式会社 | 導波構造体、ならびに、導波構造体を含む高周波モジュールおよびレーダ装置 |
| JP5309209B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-10-09 | 京セラ株式会社 | 導波構造体、ならびに、導波構造体を含む高周波モジュールおよびレーダ装置 |
| US8922425B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-12-30 | Kyocera Corporation | Waveguide structure, high frequency module including waveguide structure, and radar apparatus |
| KR102061649B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2020-01-02 | 현대모비스 주식회사 | 차량용 레이더장치 |
| JP2015126025A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| CN106602188A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 一种基于多层开槽介质板堆叠的环形腔体滤波器 |
| CN106602188B (zh) * | 2017-01-16 | 2019-10-18 | 华南理工大学 | 一种基于多层开槽介质板堆叠的环形腔体滤波器 |
| JP2019054515A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | アンテナが実装されるｐｃｂ及びこれを含む電子装置 |
| JP7339730B2 (ja) | 2017-09-14 | 2023-09-06 | 三星電子株式会社 | アンテナが実装されるｐｃｂ及びこれを含む電子装置 |
| CN110867634A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 罗森伯格技术（昆山）有限公司 | 一种电磁混合耦合滤波器 |
| CN110867634B (zh) * | 2018-08-28 | 2022-06-24 | 罗森伯格技术有限公司 | 一种电磁混合耦合滤波器 |
| JP2020115619A (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-30 | 三菱電機株式会社 | 導波管−伝送線路変換器、導波管スロットアンテナ、および導波管スロットアレーアンテナ |
| JP7162540B2 (ja) | 2019-01-18 | 2022-10-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管－伝送線路変換器、導波管スロットアンテナ、および導波管スロットアレーアンテナ |
| JP2022524646A (ja) * | 2019-04-05 | 2022-05-09 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | ガラスベースの空基板集積導波路デバイス |
| JP7140435B2 (ja) | 2019-04-05 | 2022-09-21 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | ガラスベースの空基板集積導波路デバイス |
| WO2020241831A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板及び印刷配線板の製造方法 |
| US11903146B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-02-13 | Kyocera Corporation | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6791438B2 (en) | 2004-09-14 |
| US20030107459A1 (en) | 2003-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003209411A (ja) | 高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法 | |
| EP1614184B1 (en) | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates | |
| JP2003086728A (ja) | 高周波回路の製作方法及びそれを用いた装置 | |
| JP3649183B2 (ja) | フィルタ回路装置及びその製造方法 | |
| CN110572926A (zh) | 部件承载件中的rf功能和电磁辐射屏蔽 | |
| JPH08274513A (ja) | 複合マイクロ波回路モジュール及びその製造方法 | |
| JPH11312881A (ja) | 基板の接合方法、及び高周波回路、アンテナ、導波管、線路変換器、線路分岐回路、並びに通信システム | |
| JPH02154497A (ja) | マイクロ波集積回路基板およびその製造法 | |
| JP4734723B2 (ja) | 同軸ビアホールを用いた多層配線基板の製造方法 | |
| US20240292518A9 (en) | Component Carrier For Waveguide Applications | |
| EP3764759A1 (en) | Opposing planar electrically conductive surfaces connected for establishing a two-dimensional electric connection area between component carrier stacks | |
| US6667549B2 (en) | Micro circuits with a sculpted ground plane | |
| JP4448461B2 (ja) | 半導体パッケージの作製方法 | |
| US20220248532A1 (en) | Opposing Planar Electrically Conductive Surfaces Connected for Establishing a Two-Dimensional Electric Connection Area Between Component Carrier Stacks | |
| WO2000031821A1 (en) | Microwave mixer with baluns having rectangular coaxial transmission lines | |
| JP2003332517A (ja) | マイクロ波集積回路及びその製造方法並びに無線装置 | |
| JP7573040B2 (ja) | 配線基体および電子装置 | |
| JP3389985B2 (ja) | 配線基板、半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2005252079A (ja) | 多層セラミック基板、高周波モジュール、及び多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH01207937A (ja) | 半導体装置のリード構造 | |
| JP7383215B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2002222894A (ja) | 半導体用パッケージ | |
| JP4885618B2 (ja) | 高周波回路チップの実装構造を有した電子装置 | |
| JP2002246508A (ja) | 半導体用パッケージ | |
| CN117241466A (zh) | 一种内埋器件的液冷电路板及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050518 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050614 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |