JP2003086728A - 高周波回路の製作方法及びそれを用いた装置 - Google Patents

高周波回路の製作方法及びそれを用いた装置

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Japan
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frequency circuit
metal substrate
manufacturing
insulating material
high frequency
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English (en)
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Hiroshi Ogura
洋 小倉
Kazuaki Takahashi
和晃 高橋
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メンブレン型高周波回路を精密且つ簡易に製
作する。 【解決手段】 空孔を有する金属基板１と、絶縁材料２
と、伝送線路３と、能動素子６と、隔壁を設けた蓋８か
ら構成されるメンブレン構造の高周波回路構造におい
て、第１の工程として、両面もしくは片面銅貼りの絶縁
材料２を使って回路を形成し、第２の工程として、空孔
５を設けた金属基板１と第１の工程で製作した回路を接
合し、第３の工程として、能動素子６を実装し、第４の
工程として蓋８を第３の工程で製作した回路に接続させ
ることにより、金属基板１をウエットエッチングしない
ため、金属基板１の空孔部の寸法制御が容易且つ精密に
行うことができ、さらに空孔部の加工時間を短くするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅やアルミニウム
などの金属基板を用いて製作する高周波回路に関するも
ので、特に、マイクロ波帯及びミリ波帯の高い周波数帯
域を対象とした高周波回路の製作方法およびそれを用い
た装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅やアルミニウムなどの金属基板に絶縁
材料を積層したメタルコア基板は、高周波回路用基板と
して知られており、たとえば三菱樹脂株式会社よりダイ
アコアという商品名で市販されている。このメタルコア
基板を用いて高周波回路を製作すると、金属基板から放
熱が可能なため、高い放熱特性を持つ高周波回路の製作
が可能となる。メタルコア基板を用いて高周波回路を製
作する場合、銅やアルミニウムの厚みは、高周波回路を
収納する筐体との接続関係で、おおむね１００μｍ以
上、一般的には５００μｍ〜３ｍｍ程度の厚みのものが
使われる。
【０００３】図１７は、メタルコア基板の一例を示すも
のである。図１７において、１０１は銅やアルミニウム
などの金属基板、１０２は低誘電体損失の絶縁材料、１
０３は伝送線路、１０４は金属基板１０１と伝送線路１
０３とを電気的にあるいは熱伝導的に接続するために導
体が形成されているスルーホールを示している。マイク
ロ波及びミリ波帯の高い周波数帯域を対象とした高周波
回路を製作するときには、絶縁材料１０２は伝送線路上
の誘電損失を低減させるため、ポリイミドやテフロンな
ど低誘電損失（低誘電正接）を特性として持つ材料が選
ばれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１７に示したような
メタルコア基板を用いた構造の高周波回路は、量産性に
優れてはいるが、メンブレン構造と呼ばれる基板の一部
を空孔とした回路を製作する際に、以下に示すような課
題を生じる。
【０００５】図１８は、メンブレン構造にした高周波回
路の構成の一例を示す断面図である。図１７と図１８の
相違は、金属基板１０１に空孔１０５が形成されている
点である。空孔１０５の作用は、空孔１０５の領域だけ
空気を誘電体（絶縁体）として用いることができるの
で、空孔１０５上の絶縁材料１０２を介して配置される
伝送線路１０３の部分に、たとえばフィルターやコイル
などの素子を構成させると、高周波特性に優れた素子と
させることができる。この理由は、空気が誘電損失０の
理想的な誘電体であるためである。また、アンテナより
入力する信号を伝送する導波管と空孔１０５を接続し、
メンブレン構造の回路部分を導波管から平面回路に変換
させる変換器を構成させることも可能である。
【０００６】しかしながら、金属基板１０１に空孔１０
５を形成する場合、一般に基板１０１に対し、溶液を用
いたエッチングを行うことにより空孔１０５を形成する
が、この工程を実施する際に、空孔１０５を所望の形状
にさせることが困難である。
【０００７】図１９は、図１７に示した金属基板１０１
にエッチングにより空孔１０５を設ける際の工程の概要
を示したものである。図１９において、１０６は金属基
板１０１をエッチングするの際のマスク、１０７はエッ
チング液を吐出するノズル、１０８はエッチング液を示
している。金属基板１０１に対しエッチング液１０８を
用いてエッチングすると、空孔１０５の形状は等方的な
ものとなるとともに、マスク１０６よりも内側に入りこ
んだ状態となり、図１８で示した垂直形状の空孔１０５
を得ることが難しい。またエッチングを行なうためには
マスク１０６を形成、露光、現像する手間がかかる。さ
らに、たとえば金属基板１０１の厚みが１ｍｍであると
きは金属基板１０１のエッチングレートが５μｍ／ｍｉ
ｎとすると、３時間２０分の加工時間を要することとな
り、効率的な加工方法とは言い難い。
【０００８】メンブレン構造をもつ高周波回路の別の製
作方法として、あらかじめ金属基板に空孔を設けてお
き、空孔のある金属基板と誘電体材料を加熱・プレスし
て形成する方法もあるが、この方法も図２０に示すよう
な課題を抱えている。
【０００９】図２０は、空孔１０５を持つ金属基板１０
１と誘電体材料１０３を加熱・プレスする工程を示して
おり、図２０（a）は金属基板１０１上に誘電体材料１
０３を配置した状態、（b）は金属基板１０１に誘電体
材料１０３を加熱・プレスを行なっている初期の状態、
（ｃ）は（ｂ）の状態より時間が経過した状態を示し、
誘電体材料１０３が、金属基板１０１の空孔１０５中に
流れ込んでいる状況を示している。
【００１０】図２０に示したように空孔１０５を持つ金
属基板１０１と誘電体材料１０３を加熱・プレスして接
合させると、良好なメンブレン構造を得るのが難しい。
この現象は、熱硬化型の誘電体材料でも起こるが、熱可
塑型の誘電体材料を用いる場合、顕著に起こる現象であ
る。この理由は、熱可塑型の誘電体材料は一般に、熱硬
化型の誘電体材料に比べて、ガラス転移温度が低く軟化
し易いためである。
【００１１】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、容易にメンブレン構造型の高周波回路を作製でき
る方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の高周波回路の製作方法は、空孔を有する金属基板と、
絶縁材料と、伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋
とを有するメンブレン構造の高周波回路の製作方法であ
って、両面もしくは片面銅貼りの絶縁材料を用いて回路
を形成する第１の工程と、空孔を設けた金属基板と第１
の工程で製作した回路を接合する第２の工程と、前記回
路に能動素子を実装する第３の工程と、第３の工程で製
作した回路に隔壁を設けた蓋を接続する第４の工程とを
有することを特徴とする高周波回路の製作方法である。
【００１３】この構成によれば、精密な形を有するメン
ブレン構造の高周波回路を簡易に製作することが可能と
なる。
【００１４】本発明の請求項２に記載の高周波回路の製
作方法は、空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、伝送
線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメンブ
レン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基板の
一部に空孔を形成する第１の工程と、両面または片面銅
貼りの絶縁材料を用いて回路を形成する第２の工程と、
空孔を形成した金属基板と第２の工程で製作した回路を
接合する第３の工程と、絶縁材料の空孔部分に能動素子
を実装する第４の工程と、第４の工程で製作した回路に
隔壁を設けた蓋を接続する第５の工程とを有することを
特徴とする高周波回路の製作方法である。
【００１５】この構成によれば、メンブレン構造を精密
に形成することともに、能動素子の放熱効率が高い高周
波回路の製作が可能となる。
【００１６】本発明の請求項３に記載の高周波回路の製
作方法は、空孔を有する金属基板と、２層以上からなる
絶縁材料と、伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋
とを有するメンブレン構造の高周波回路の製作方法であ
って、蓋の外周に前記高周波回路を取り囲む隔壁を設け
る第１の工程と、両面または片面銅貼りの絶縁材料を用
いて回路を形成する第２の工程と、空孔を有する金属基
板と第２の工程で製作した回路を接合する第３の工程
と、前記回路に能動素子を実装する第４の工程と、第１
の工程で隔壁を設けた蓋を第４の工程で製作した回路に
接続させる第５の工程を有することを特徴とする高周波
回路の製作方法である。
【００１７】この構成によれば、外気から遮断できるた
め大気中の湿度を原因とする能動素子他の劣化を抑制す
ることができる。
【００１８】また請求項４に記載の高周波回路の製作方
法は、請求項１から３のいずれかに記載の高周波回路の
製作方法において、隔壁を設けた蓋の内部を真空にする
工程もしくは不活性ガスまたは窒素ガスを充填する工程
を有する。
【００１９】この構成によれば、外気から遮断できるた
め大気中の湿度を原因とする能動素子他の劣化を抑制す
ることができる。
【００２０】本発明の請求項５に記載の高周波回路の製
作方法は、金属基板と、絶縁材料と、伝送線路と、能動
素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメンブレン構造の高
周波回路の製作方法であって、金属基板に内部が空孔で
凸型の突起部分を形成する第１の工程と、両面または片
面銅貼りの絶縁材料を用いて回路を形成する第２の工程
と、第１の工程で作成した金属基板に第２の工程で製作
した回路を接合する第３の工程と、前記回路に能動素子
を実装する第４の工程と、隔壁を設けた蓋を第４の工程
で製作した回路に接続する第５の工程を有する。
【００２１】この構成によれば、金属基板の材料使用効
率を高めることが可能となる。
【００２２】本発明の請求項６に記載の高周波回路の製
作方法は、請求項１から５のいずれかに記載の発明にお
いて、更に、導波管を含む筐体を接続する工程と、アン
テナを接続する工程とを有するものである。
【００２３】この構成によれば、小型で高機能な高周波
回路の製作が可能となる。
【００２４】本発明の請求項７に記載の高周波回路の製
作方法は、請求項１から６のいずれかに記載の高周波回
路の製作方法において、絶縁材料の１ＧＨｚにおける誘
電正接の値が０．００３以下であるものである。
【００２５】この構成によれば、マイクロ波やミリ波領
域の高周波帯においても伝送損失が少ない回路を製作す
ることが可能となる。
【００２６】本発明の請求項８に記載の高周波回路の製
作方法は、請求項１から７のいずれかに記載の発明にお
いて、金属基板の材料が銅または銅含有合金であるもの
である。
【００２７】この構成によれば、リサイクル効率の高い
高周波回路を製作することができる。
【００２８】本発明の請求項９に記載の高周波回路の製
作方法は、空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、伝送
線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメンブ
レン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基板を
型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程と、型に
より打ち抜かれた金属小板に表面処理を行う第２の工程
と、表面処理をした金属小板を前記金属基板の空孔に挿
入する第３の工程と、前記金属基板上に絶縁材料を配置
後加熱プレスして貼り合わせる第４の工程を有するもの
である。
【００２９】このような構成によれば、精密な形を有す
るメンブレン構造の高周波回路を簡易に製作することが
可能となる。
【００３０】本発明の請求項１０に記載の高周波回路の
製作方法は、空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、伝
送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメン
ブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基板
を型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程と、空
孔を形成した金属基板板にプラズマにより洗浄する第２
の工程と、型により打ち抜かれた金属小板を前記金属基
板の空孔に挿入する第３の工程と、前記金属基板上に絶
縁材料を配置後加熱プレスして貼り合わせる第４の工程
を有するものである。
【００３１】このような構成によれば、精密な形を有す
るメンブレン構造の高周波回路を簡易に製作することが
可能となる。
【００３２】本発明の請求項１１に記載の高周波回路の
製作方法は、空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、伝
送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメン
ブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基板
を型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程と、空
孔を形成した金属基板板にオゾンにより洗浄する第２の
工程と、型により打ち抜かれた金属小板を前記金属基板
の空孔に挿入する第３の工程と、前記金属基板上に絶縁
材料を配置後加熱プレスして貼り合わせる第４の工程を
有するものである。
【００３３】このような構成によれば、精密な形を有す
るメンブレン構造の高周波回路を簡易に製作することが
可能となる。
【００３４】本発明の請求項１２に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項９から１１のいずれかに記載の高周
波回路の製作方法において、絶縁材料の一部にドリル加
工、レーザー加工またはドライエッチング加工によりス
ルーホールを形成する工程を有するものである。
【００３５】このような構成によれば、伝送線路の電気
的層間接続を果たし、信頼性の高い高周波回路を製作す
ることが可能となる。
【００３６】本発明の請求項１３に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項９から１１のいずれかに記載の高周
波回路の製作方法において、絶縁材料の一部にドリル加
工、レーザー加工またはドライエッチング加工によりス
ルーホールおよび能動素子の設置部を形成する工程を有
すルものである。
【００３７】このような構成によれば、伝送線路の電気
的層間接続を果たせるとともに、能動素子が発生する熱
を拡散できるため、信頼性の高い高周波回路を製作する
ことが可能となる。
【００３８】本発明の請求項１４に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項１２または１３いずれかに記載の高
周波回路の製作方法において、レーザーの発振波長が紫
外光であるものである。
【００３９】この構成によれば、絶縁材料にダメージな
く加工が施されるため、加工劣化のない高周波回路を製
作することができる。
【００４０】本発明の請求項１５に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項９から１４のいずれかに記載の高周
波回路の製作方法において、絶縁材料の１ＧＨｚにおけ
る誘電正接の値が０．００３以下であるものである。
【００４１】この構成によれば、マイクロ波やミリ波領
域の高周波帯においても伝送損失が少ない回路を製作す
ることが可能となる。
【００４２】本発明の請求項１６に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項９から１５のいずれかに記載の高周
波回路の製作方法において、絶縁材料が液晶ポリマー、
ベンゾシクロブテンまたはテフロン含有のポリイミドの
いずれかであるものである。
【００４３】この構成によれば、マイクロ波やミリ波領
域の高周波帯においても伝送損失が少ない回路を製作す
ることが可能となる。
【００４４】本発明の請求項１７に記載の高周波回路の
製作方法は、請求項９から１６のいずれかに記載の高周
波回路の製作方法において、金属基板の材料が銅または
銅含有合金であるものである。
【００４５】この構成によれば、銅がリサイクル性に優
れた金属材料であるため、リサイクル効率の高い高周波
回路を製作することができる。
【００４６】本発明の請求項１８に記載の高周波回路
は、内部が空孔で凸型の突起部分を有する金属基板と、
絶縁材料基板に伝送線路と能動素子とを形成した回路要
素と、前記回路回路要素を覆う隔壁を設けた蓋と、前記
空孔部に形成された導波管と、前記導波管に結合された
アンテナとを有するものである。
【００４７】この構成によれば、小型で高機能な高周波
回路の製作が可能となる。
【００４８】本発明の請求項１９に記載の高周波回路
は、請求項１８記載の高周波回路において、絶縁材料の
１ＧＨｚにおける誘電正接の値が０．００３以下である
この構成によれば、マイクロ波やミリ波領域の高周波帯
においても伝送損失が少ない回路を製作することが可能
となる。
【００４９】本発明の請求項２０に記載の高周波回路
は、請求項１８または１９のいずれかに記載の高周波回
路において絶縁材料が液晶ポリマー、ベンゾシクロブテ
ンまたはテフロン含有のポリイミドのいずれかであるも
のである。
【００５０】この構成によれば、マイクロ波やミリ波領
域の高周波帯においても伝送損失が少ない回路を製作す
ることが可能となる。
【００５１】本発明の請求項２１に記載の高周波回路
は、請求項１８１から２０のいずれかに記載の発明にお
いて、金属基板の材料が銅または銅含有合金であるもの
である。
【００５２】この構成によれば、リサイクル効率の高い
高周波回路を製作することができる。
【００５３】本発明の請求項２２に記載の高周波回路
は、請求項１から１７のいずれかに記載の高周波回路の
製作方法を用いて製造されたものである。また、本発明
の請求項２３に記載の無線端末装置は、請求項１８から
２２のいずれかに記載の高周波回路を備えたものであ
る。
【００５４】また、本発明の請求項２４に記載の基地局
装置は、請求項１８から２２のいずれかに記載の高周波
回路を備えたものである。
【００５５】また、本発明の請求項２５に記載の無線計
測装置は、請求項１８から２２のいずれかに記載の高周
波回路を備えたものである。
【００５６】また、本発明の請求項２６に記載のレーダ
ー装置は、請求項１８から２２のいずれかに記載の高周
波回路を備えたものである。
【００５７】これらの構成によれば、信頼性の高い高周
波回路、通信端末装置、基地局装置、及びレーダー装置
を製造することが出来る。
【００５８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面と共に説明する。
【００５９】（実施の形態１）図１は、本発明による高
周波回路の製作方法を用いて製作した高周波回路の断面
構造の一例を示している。図１において、１は厚みが１
００μｍ以上、一般的には５００μｍ以上ある銅などの
金属基板、２は低誘電体損失（おおむね誘電損失が０．
０５以下）の絶縁材料である。
【００６０】マイクロ波及びミリ波帯の高い周波数帯域
を対象とした高周波回路を製作するときには、絶縁材料
２が材料特性として具備する誘電正接の値は、測定周波
数１ＧＨｚでおおむね０．００３以下の値であることが
望ましく、それ以上の値であると本発明の適用を想定し
ているマイクロ波及びミリ波帯の高い周波数帯域を対象
とした高周波回路に対して、誘電損失の観点から有用な
回路を構成することが難しくなる。たとえば、一般的な
回路基板用絶縁材料であるＦＲ−４と呼ばれるガラスエ
ポキシ材を主成分とする絶縁材料は１ＧＨｚの測定周波
数で誘電正接が０．０２程度であるので、マイクロ波お
よびミリ波帯の高周波回路を製作する絶縁材料としては
好ましくない。したがって、絶縁材料２としては伝送線
路上の誘電損失を低減させるため、ポリイミドやテフロ
ン、液晶ポリマー、ベンゾシクロブテンなど低誘電損失
（低誘電正接）を特性として持つ材料が選ばれる。
【００６１】３は絶縁材料２の両面に形成された、マイ
クロストリップライン、コプレーナーストリップライ
ン、スロットライン、グランドライン等の伝送線路、４
は絶縁材料２の両面における伝送線路３を電気的あるい
は熱伝導的に接続するための導体が形成されているスル
ーホールである。５は導波管として作用する空孔であり
この高周波回路がメンブレン構造であることを示してい
る。６はＭＭＩＣ（millimeter-wave(or microwave) mo
nolithic integrated circuit）やＨＢＴ（heterojunct
ion bipolar transistor）あるいはＨＥＭＴ（high ele
ctron mobility transistor）などの能動素子、７は能
動素子６と伝送線路３をつなぐワイヤー、８は電磁シー
ルドを目的とした蓋である。
【００６２】図２は、図１で示した高周波回路の蓋８を
取りはずしたときの平面図で、図２（ａ）は、蓋８を下
面から見た平面図、図２（ｂ）は蓋８を取りはずした高
周波回路を上から見た平面図である。斜線部は図１にお
ける伝送線路３を示し、点線５は図１における金属基板
１に形成された空孔５が絶縁材料２の下の領域に存在し
ていることを表している。１９-は導波管としての空孔
５からの電波を平面線路に変換するスロットラインであ
る。この導波管として空孔５とスロットライン１９及び
蓋８により導波管・平面線路変換器を構成している。
【００６３】図２（ａ）の蓋８を斜視図で表したものが
図３である。図２（ａ）および図３における斜線部は、
図２（ｂ）における高周波回路に対して直接接触する部
分である。この部分は、伝送線路３や能動素子６に対応
した隔壁９を構成している。この隔壁９は特に能動素子
６が外部へ放出する不要電磁波を抑制する働きを持って
おり、図１で示した高周波回路の外部への不要電磁波放
出の防止のみならず、能動素子６間での電磁波相互干渉
を防ぐことが可能となり、高周波回路全体の信頼性を向
上させることができる。
【００６４】また必要に応じて、図示はしていないが、
隔壁９の底面の部分に電波吸収体を配置させることによ
りさらに機器の信頼性向上を果たすことも可能となる。
【００６５】つぎに、図１〜図３で説明した高周波回路
の製作方法について述べる。
【００６６】図４は本発明の回路製作方法を示してお
り、図４（ａ）は第１の工程、図４（ｂ）は第２の工
程、図４（ｃ）は第３の工程、図４（ｄ）は第４の工程
を表すものである。
【００６７】図４（ａ）は低損失の絶縁材料２の両面に
形成する伝送線路３と、両面の伝送線路３を電気的ある
いは熱伝導的接続のためにつなぐ導体が形成されるスル
ーホール４を形成して回路基板を製作する工程を示して
いる。絶縁材料２および伝送線路３としては、両面銅貼
り積層板と呼ばれ市販されているシート状の材料を使用
し、これにドリル、レーザー、エッチングなどによりス
ルーホール４に対応する位置に貫通孔を穿ち、その貫通
孔に接続導体を埋め込んでスルーホール４を形成する。
【００６８】図４（ｂ）は空孔５をあらかじめ設けてあ
る金属基板１に図４（ａ）の工程で製作した回路基板を
接合する工程を示している。金属基板１に空孔５を形成
する方法は、フライスなどを用いた機械加工やプレスに
よる打ち抜き、あるいはエッチング加工を用いればよい
が、加工効率から見るとプレスによる打ち抜き加工を用
いる方法がもっとも効果的である。
【００６９】図４（ａ）の回路基板と金属基板１を接合
する方法としては、導電性あるいは熱伝導性の高い粘着
材あるいは接着材を使用して貼り合わせる方法や、熱と
加圧により直接あるいは層間に導電性あるいは熱伝導性
を持つ熱可塑型もしくは熱硬化型のフィルムを介して接
合させればよい。
【００７０】このように空孔５を設けた金属基板１と図
４（ａ）で示した回路基板を別々に製作し、両者を接合
させることにより短時間で金属基板に所望の形状の空孔
５が形成できるだけでなく、エッチングが不要となるた
め高周波回路製作に要する製作時間を大幅に短縮させる
ことが可能となる。
【００７１】図４（ｃ）は能動素子６をワイヤーボンデ
ィング法を用いて伝送線路３に電気的に接続させる工程
を示している。なお、能動素子６と伝送線路３の電気的
な接続は、ワイヤーボンディング法以外にフリップチッ
プ実装工法を用いて接続しても良い。
【００７２】図４（ｄ）は、回路基板に蓋８を接合させ
る工程を示している。この接合は、導電性あるいは熱伝
導性の高い粘着材あるいは接着材を使用して貼り合わせ
る方法や、熱と加圧により直接あるいは層間に導電性あ
るいは熱伝導性を持つ熱可塑型もしくは熱硬化型のフィ
ルムを介して接合させる方法などで行われる。中でも効
率的な接合方法は、図３で示した蓋８の斜線部分である
隔壁９にペースト状のエポキシ系接着材をディスペンサ
により塗布し、接合のあとに熱硬化させる方法である。
【００７３】以上のように、実施の形態１によれば、メ
タルコア基板を用いる際の課題となっている精密な形状
のメンブレン構造型高周波回路を簡便に製作することが
可能となるとともに、高周波回路製作の効率を高めるこ
とが可能となる。
【００７４】そして、このような製作方法により作製し
た高周波回路は、無線端末装置や基地局装置、無線計測
装置、レーダー装置等に用いることが可能であり、信頼
性の高い装置を製造することが可能となる。
【００７５】（実施の形態２）図５は、本発明の実施の
形態２による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。実施の形態２による高周波回路は、スルーホール４
により伝送線路３を金属基板１に接地する例である。図
１で示す高周波回路と異なる点は、金属基板１と絶縁材
料２との間に伝送線路３が存在していない点である。製
作方法は、図４（ａ）で説明した実施の形態１における
両面銅貼り積層板の代わりに片面銅貼り積層板を使用す
る点以外は実施の形態１と同様であるので説明を省略す
る。
【００７６】（実施の形態３）図６は、本発明の実施の
形態３による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。図６において、図５と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略する。１８は能動素子６と伝送線路３を接
合する導電性接着剤である。１０は装置外部へ電波を入
出力するアンテナを示しており、図中のＡ部は導波管・
平面線路変換器となっている。なお、Ａ部は空孔５上に
誘電体材料２が存在する形態となっており、この構造は
一般的にメンブレン構造と呼ばれている。伝送線路３
は、スルーホール４を介して導体である金属基板１と電
気的に接続され、このとき金属基板１は伝送線路３のグ
ランドとして作用する。また、能動素子６が発生する熱
は、スルーホール４を介して金属基板１に拡散され、金
属基板１は外部への熱の放熱体として作用し、導波管・
平面線路変換器を含むマイクロ波やミリ波装置を冷却す
る機能を有している。
【００７７】図６に示す高周波回路は、空孔５部にアン
テナ１０を接続することにより回路全体を小型化した導
波管・平面線路変換器を構成することができる。
【００７８】（実施の形態４）図７は、本発明の実施の
形態４による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。図１で示した回路とほぼ同等の回路であるが、Ｂ部
に示した部分、すなわち、能動素子６が絶縁材料２の下
の伝送線路３と直接接触している点で図１と異なる。図
７に示した構造の高周波回路は、能動素子６より発生す
る熱が直接伝送線路３または金属基板１から拡散するの
で放熱効果の高い高周波回路を構成することができる。
この高周波回路の製作方法は、図４（ａ）の工程におい
て、スルーホール４の代わりに能動素子６設置用の空孔
を設け、図４（ｃ）の工程において能動素子６をその空
孔内に設置する点が実施の形態１と異なるが、その他は
実施の形態１で説明した製作方法と同様な方法で製作す
ることが可能である。
【００７９】実施の形態4によれば、放熱特性の優れた
精密な形状のメンブレン構造型高周波回路を簡便に製作
することが可能となる。
【００８０】（実施の形態５）図８は、本発明の実施の
形態５による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。図１で示した回路とほぼ同等の回路であるが、Ｃ部
に示した部分が図１と異なる。図８では、絶縁材料２
１、２２が２層となっている点、伝送線路３０１、３０
２、３０３が３層となっている点、蓋８に形成される隔
壁９の周辺部の形状が図９の斜視図のように蓋８の全外
周部となっている点が図１と異なる。
【００８１】絶縁材料２を２層構造とすることによっ
て、蓋８で覆われた内部の伝送線路３３がスルーホール
４１、下段の絶縁材料２２上の伝送線路３２、スルーホ
ール４２を介して蓋８の外側の伝送線路３３から取り出
すことにより、蓋８に接触することなく外部に引き出せ
る。したがって、蓋８の全外周部を高周波回路に直接接
合させる面とすることができる。そのため、蓋８の凹部
内に真空状態やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガス、あ
るいは窒素（Ｎ2）などを封入することにより、高周波
回路が外界の大気から遮断され、能動素子６の酸素との
反応や大気中の湿度との反応による経時的な劣化を防ぐ
ことができる。この高周波回路の製作方法は、図４
（ａ）〜（ｄ）で示した回路製作方法がそのまま適用で
きる。
【００８２】実施の形態５によれば、信頼性の高い精密
な形状のメンブレン構造型高周波回路とすることが可能
となる。
【００８３】（実施の形態６）図１０は、本発明の実施
の形態６による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。図１で示した回路とほぼ同等の回路であるが、高周
波回路のメンブレン部の金属基板１１に凸型部１２が形
成されている点が異なる。図１１は図１０を底面側から
見た斜視図である。凸型部１２を有する金属基板１１の
製作方法としては、削り出しによる機械加工や、エッチ
ング加工にても達成されるが、プレスを用いた深絞り加
工が材料使用効率の点及び作業時間効率の点で優れてい
る。その他の高周波回路製作方法は図４（ａ）〜（ｄ）
と同様にして製作することが出来る。
【００８４】図１０、１１に示す金属基板１１の構成を
有する高周波回路は、他の高周波回路素子との接続に都
合の良い構造となっている。図１２は、図１０で示した
高周波回路に他の高周波回路を接続した形態の一例を示
した図である。
【００８５】図１２において、１３はアンテナを示し、
１４は導波管１５を内蔵する接続筐体、１６は電波を示
している。接続筐体１４は金属基板１１の凸形部１２が
筐体１４の導波管部１５と接合するように金属基板１１
に接続する。これにより金属基板１１はアンテナ１３か
ら入力もしくは出力される電波１６の導波管の一部とし
て作用することが可能となる。
【００８６】この時、メンブレン構造部分の回路は、ア
ンテナ１３で送受する電波１６に対して、導波管１５を
絶縁材料２、伝送線路３、スルーホール４、能動素子
６、蓋８から構成される平面回路に変換する導波管-平
面回路変換素子として作用する。
【００８７】以上のように実施の形態６によれば、図１
２の例で示したように他の高周波要素部品と容易に接続
し、回路全体の小型化が達成させることができる。
【００８８】（実施の形態７）図１３は、導波管・平面
線路変換器を含むマイクロ波やミリ波装置を作製するた
めの高周波回路作製方法の一部の工程を示したものであ
り、金属基板と誘電体材料を貼り合せメンブレン構造を
作製する工程を表している。
【００８９】図１３において、（ａ）は金属基板２１の
みの状態、（ｂ）は金属基板２１に対し金型を用いたプ
レス加工によって貫通孔２２を形成した状態で、２３は
金属基板２１よりプレス加工にて打ち抜かれた金属小板
を示している。（ｃ）は、打ち抜いた金属小板２３の上
面に表面処理を施し表面処理層２４を形成した状態を示
している。この表面処理層２４はシリコン系あるいはテ
フロン系の表面処理材を塗布しても形成可能であるし、
ポリイミドなどの有機膜をコーティングあるいは蒸着等
で形成しても良い。この表面処理の目的は、後工程の誘
電体材料と金属基板の貼り合わせの際に、表面処理層２
４を持つ金属小板２３が誘電体材料に貼り付きにくいよ
うにすることを目的としたものである。（ｄ）は表面処
理層２４を形成した金属小板２３を、金属基板２１に挿
入する工程を表し、（e）は誘電体材料２５を加熱・プ
レスして金属基板２１に貼り合わせる工程を示してい
る。
【００９０】このとき誘電体材料２５は、金属小板２３
があるため金属基板２１に存在する貫通孔２２に流れ込
むことなく形成することができる。この工程で使用され
る誘電体材料２５は、本発明がマイクロ波及びミリ波帯
の高い周波数帯域を対象としているため、誘電体材料２
５の誘電損失を低減させることが必須であり、ポリイミ
ドやテフロン、あるいはテフロンとポリイミドの重合
体、または液晶ポリマー、ベンゾシクロブテンなど低誘
電損失（低誘電正接）を特性として持つ材料が選ばれ
る。これらの誘電体材料は、材料の特性として誘電正接
の値が、測定周波数１ＧＨｚでおおむね０．００３以下
の値である。誘電体材料２５が持つ誘電正接が測定周波
数１ＧＨｚで０．００３以上の値であると、マイクロ波
及びミリ波帯の高い周波数帯域を対象とした高周波回路
に対して誘電損失の観点から有用な回路を構成すること
が難しくなる。たとえば、一般的な回路基板用絶縁材料
であるＦＲ−４と呼ばれるガラスエポキシ材を主成分と
する絶縁材料は、１ＧＨｚの測定周波数で誘電正接が
０．０２程度であるので、マイクロ波およびミリ波の高
周波回路を製作する絶縁材料としては適用が難しい。
【００９１】図１３（ｆ）は表面処理層２４を持つ金属
小板２３を金属基板２１から取り出す工程であり、金属
小板２３は表面処理２４が施されているため、誘電体材
料２５と貼り合わされることなく容易に金属基板1より
取り除くことが可能である状態を示している。
【００９２】図１３（ａ）〜（ｆ）で示した工程を実施
することで、貫通孔２２を持つ金属基板２１に誘電体材
料２５を形成し良好な形状のメンブレン構造を製作する
ことが可能となり、小型高機能なマイクロ波やミリ波装
置を作製することが可能となる。
【００９３】（実施の形態８）図１４は、金属基板２１
と誘電体材料を貼り合せメンブレン構造を作製する工程
の第２の方法である。図１４（ａ）、（ｂ）は、図１３
（ａ）、（ｂ）と同様な工程であるが、それ以降の工程
が図１３と異なる。図１４（ｃ）は、金属基板２１の表
面に対しプラズマ洗浄処理またはオゾン洗浄処理を施す
工程を示しており、２６は金属基板２１の表面にプラズ
マ洗浄またはオゾン洗浄処理を施した処理層を表してい
る。本発明者は、金属基板２１と誘電体材料２５を加熱
・プレスする前に、プラズマ洗浄処理またはオゾン洗浄
処理を施すことで、金属基板２１と誘電体材料２５とを
加熱・プレスした後の両者の密着力が格段に向上するこ
とを見出した。また更に、誘電体材料２５の金属基板２
１貼り合わせ面にもプラズマ処理すると更に密着力が増
すことを実験により確認した。この性質を利用すること
によって、金属小板２３への表面処理を施すことなく、
貫通孔２２を有する金属基板２１のみにプラズマ洗浄処
理またはオゾン洗浄処理を行なうことで、後工程（図１
４（ｆ））の誘電体材料２５を形成した金属基板２１か
らの金属小板２２の分離を容易にならしめることが可能
となる。
【００９４】プラズマ洗浄処理の方法としては、プラズ
マを大気中で直接照射する大気圧プラズマ方式や、真空
中でプラズマ処理をする平行平板型プラズマエッチング
方式、または反応性イオンエッチング方式などがある
が、発明者の具体的な検討結果として、これらのプラズ
マ洗浄方法中では、反応性プラズマエッチング法方式が
最も洗浄効果が高い。プラズマ洗浄方式の一例として反
応性プラズマエッチング方式を用いた際の洗浄条件を挙
げると、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスを混合比４：１として、ガ
ス総流量；５０ｓｃｃｍ、真空度；２０Ｐａ、ＲＦパワ
ー（１３．５６ＭＨｚ）；１．２Ｗ/ｃｍ2、プラズマ照
射時間；３０秒を実施すると、貫通孔２２を持つ金属基
板２１にプラズマ洗浄すると、図１４（ｅ）での金属基
板２１と誘電体材料２５の密着力を確保することができ
る。密着力が向上する理由は、金属基板２１が大気にさ
らされることにより表面中にカーボンなどの汚染物が付
着している状態をプラズマにより除去することができる
ためと考えられる。
【００９５】なお、反応性プラズマエッチング方式以外
に誘導結合型プラズマエッチング方式などを用いても良
い。
【００９６】また、プラズマを用いた洗浄の他に、オゾ
ンを用いた洗浄も有効である。オゾンを用いた洗浄と
は、Ｏ2ガスを充満させた容器内に被洗浄物である金属
基板と誘電体材料を設置した後、紫外光をＯ2ガスに照
射しＯ2ガスをオゾン化することにより活性化し、カー
ボンなどの金属基板や誘電体材料の付着物と反応させ取
り除く方法である。
【００９７】図１４（ｄ）以降は、図１３（ｄ）以降と
ほぼ同じ工程で、図１４（ｄ）は金属小板２３を金属基
板２１に戻す工程、図１４（ｅ）は金属基板２１と誘電
体材料２５を加熱・プレスして貼りわせる工程、図１４
（ｆ）は金属小板２３を取り外す工程を示している。図
１４（ｆ）において金属基板２１にはプラズマ洗浄処理
あるいはオゾン洗浄処理が施されていないため、誘電体
材料２５に貼りつくことなく容易に分離することが可能
である。
【００９８】（実施の形態９）図１５は、本発明の実施
の形態９による高周波回路の断面構造の一例を示してい
る。（ａ）は、図１３または図１４で説明した工程によ
り製作した金属基板２１に誘電体材料２５を形成したメ
ンブレン構造を表している。（ｂ）は、誘電体材料２５
に対し、ドリル加工もしくはレーザー加工またはドライ
エッチング加工によりスルーホールのための貫通孔２７
を形成する工程を示している。この貫通孔２７の形成方
法としては、レーザーの発振波長が紫外光であるレーザ
ー加工を用いることが望ましい。その理由は、ドリル加
工では０．０３ｍｍ以下のスルーホール径を実現するこ
とが難しく、ドライエッチングではエッチングレートが
おおむね０．５〜２μｍ/min程度であるため、誘電体材
料が１００μmであるとき、５０〜２００分の加工時間
を要し、またマスク形成工程も必要なことから、実用的
な加工方法とは言い難いためである。レーザー加工にお
いては一般的な炭酸ガスレーザーを用いて加工すること
も可能であるが、炭酸ガスレーザーを用いた加工は熱加
工であるため、誘電体膜に熱的な加工変質層を形成させ
てしまう欠点がある。一方、エキシマレーザーやＹＡＧ
レーザーの第３高調波など、レーザーの発振波長が紫外
光であるレーザー加工方法では、加工のメカニズムとし
て誘電体材料のアブレーションが支配的となるため、誘
電体材料の熱的損傷を押さえることが可能となる。
【００９９】（ｃ）は貫通孔２７内への導体形成を含む
伝送線路２８を形成する工程を示している。この伝送線
路形成には、メッキ加工、金属膜スパッタリング、レジ
スト形成・露光・現像、導電ペースト形成等を組み合わ
せて行うことができる。２９は誘電体材料２５に形成さ
れた貫通孔２７内に形成されたスルーホールである。
【０１００】（ｄ）は、ＭＭＩＣやＨＢＴあるいはＨＥ
ＭＴなどの能動素子３０を実装する工程を示しており、
伝送線路２８上（電気的に他の伝送線路とは接続されて
いない）に導電性接着材３１を形成した後、能動素子３
０を搭載し、導電性接着材３１を熱硬化等して固め、ワ
イヤー３２で他の伝送線路２８と電気的に接続する工程
を表している。
【０１０１】（ｅ）は、シールドとなる蓋３３を導電性
ペースト等を用いて図１５（ａ）〜（ｄ）で作製した回
路に搭載する工程を示している。
【０１０２】以上のような工程を実施することで、図６
に示した導波管・平面線路変換器を含むマイクロ波やミ
リ波装置のアンテナ部分を除いて製作することができ、
これにアンテナ１０を接続することによって、図６に示
した導波管・平面線路変換器を含むマイクロ波やミリ波
装置が完成する。
【０１０３】（実施の形態１０）図１６（ａ）〜（ｅ）
は、図１５（ａ）〜（ｅ）に示した工程とほぼ同様な高
周波回路製作方法であるが、能動素子３０を直接金属基
板２１に実装する点において図１５と異なる。
【０１０４】図１６（ａ）は図１５（ａ）と同じであ
り、図１３または図１４で説明した工程により製作した
金属基板２１に誘電体材料２５を形成したメンブレン構
造を表している。（ｂ）は、誘電体材料２５にドリル加
工もしくはレーザー加工またはドライエッチング加工に
よりスルーホールのための貫通孔２７および能動素子３
０を実装するスペース３５を形成する工程を示してい
る。貫通孔２７およびスペース３５の形成方法は、実施
の形態９で説明した理由で、レーザーの発振波長が紫外
光であるレーザー加工を用いることが望ましい。
【０１０５】（ｃ）は、図１５（ｃ）と同じ方法で伝送
線路２８を形成する工程、（ｄ）は、能動素子３０を直
接金属基板２１に実装する工程である。実装方法は図１
５（ｄ）と同じである。
【０１０６】このように金属基板２１に能動素子３０を
直接実装する形態を取ることにより、導波管・平面線路
変換器を含むマイクロ波やミリ波装置にしたときに能動
素子３０が発生する熱を直接熱拡散の良い金属基板に放
熱することができ、信頼性の高いマイクロ波やミリ波装
置とすることができる。また、能動素子３０を直接金属
基板２１に実装することで、例えば誘電体材料２５の厚
みが１００μmであって、能動素子３０の厚みも１００
μmである場合、ワイヤー３２の長さを実質的に短くす
ることができる。ワイヤー３２の長さを短くすると、回
路のインピーダンス変調を抑制できるため、高品位なマ
イクロ波やミリ波装置を作製することができる。
【０１０７】（実施の形態１１）実施の形態１〜１０に
おいて、金属基板１、１１、２１の素材として銅または
銅含有合金を用いると環境配慮の点で有効となる。その
理由は、銅が塩化銅、塩化鉄などを用いて容易に回収可
能であるからである。近年、電子機器のリサイクル化の
推進が求められるようになってきており、回収が容易な
銅を金属基板として用いれば、導波管・平面線路変換器
を含むマイクロ波やミリ波装置や、その装置を用いた通
信端末装置、基地局装置、無線計測装置、レーダー装置
のリサイクル性を高めることが可能となる。
【０１０８】また、実施の形態６における金属基板１１
の素材として銅を用いた場合は、銅の延性が高いため容
易に深絞り加工をすることができる。
【０１０９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、メタルコ
ア基板を用いる際の課題となっているメンブレン構造型
高周波回路を精密かつ簡易に製作することができ、信頼
性およびリサイクル性の高い高周波回路やその回路を用
いた通信端末装置、基地局装置、無線計測装置、レーダ
ー装置を製作することが可能となる。
【０１１０】また、金属基板と誘電体材料によるメンブ
レン構造型高周波回路を、精密かつ簡易に製作可能と
し、信頼性およびリサイクル性の高い高周波回路やその
回路を用いた通信端末装置、基地局装置、無線計測装
置、レーダー装置を製作することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による高周波回路を
示す断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による高周波回路の
蓋を取りはずしたときの平面図で、（ａ）は、蓋を下面
から見た平面図 （ｂ）は、蓋を取りはずした高周波回路の平面図
【図３】本発明の第１の実施の形態による高周波回路の
蓋の斜視図
【図４】本発明の第１の実施の形態による高周波回路の
回路製作工程を示す断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態による高周波回路の
断面図
【図６】本発明の第３の実施の形態による高周波回路の
断面図
【図７】本発明の第４の実施の形態による高周波回路の
断面図
【図８】本発明の第５の実施の形態による高周波回路の
断面図
【図９】本発明の第５の実施の形態による高周波回路の
蓋の斜視図
【図１０】本発明の第６の実施の形態による高周波回路
の断面図
【図１１】本発明の第６の実施の形態による高周波回路
の底面側の斜視図
【図１２】本発明の第６の実施の形態による高周波回路
に他の高周波回路を接続した時の断面図
【図１３】本発明の第７の実施の形態によ高周波回路製
作方法の工程を示す断面図
【図１４】本発明の第８の実施の形態による高周波回路
製作方法の工程を示す断面図
【図１５】本発明の第９の実施の形態による高周波回路
製作方法の工程を示す断面図
【図１６】本発明の第１０の実施の形態による高周波回
路製作方法の工程を示す断面図
【図１７】従来のメタルコア基板を用いた高周波回路の
断面図
【図１８】従来のメタルコア基板を用いてメンブレン構
造とした高周波回路の断面図
【図１９】従来のメンブレン構造の高周波回路を製作工
程を示す断面図
【図２０】従来のメンブレン構造の高周波回路の他の製
作工程を示す断面図
【符号の説明】
１、１１、２１ 金属基板 ２ 絶縁材料 ３、２８ 伝送線路 ４、２９ スルーホール ５ 空孔 ６、３０ 能動素子 ７、３２ ワイヤー ８、３３ 蓋 ９ 隔壁 １０、１３ アンテナ １２ 凸型部 １４ 接続筐体 １５ 導波管 １６ 電波 １９ スロットライン ２２ 貫通孔 ２３ 金属小板 ２４ 表面処理層 ２５ 誘電体材料 ２６ 処理層 ３１ 導電性接着材 ３５ スペース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 5/107 Ｈ０１Ｐ 5/107 Ｂ

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、
    伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメ
    ンブレン構造の高周波回路の製作方法であって、両面も
    しくは片面銅貼りの絶縁材料を用いて回路を形成する第
    １の工程と、空孔を設けた金属基板と第１の工程で製作
    した回路を接合する第２の工程と、前記回路に能動素子
    を実装する第３の工程と、第３の工程で製作した回路に
    隔壁を設けた蓋を接続する第４の工程とを有することを
    特徴とする高周波回路の製作方法。
  2. 【請求項２】 空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、
    伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメ
    ンブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基
    板の一部に空孔を形成する第１の工程と、両面または片
    面銅貼りの絶縁材料を用いて回路を形成する第２の工程
    と、空孔を形成した金属基板と第２の工程で製作した回
    路を接合する第３の工程と、絶縁材料の空孔部分に能動
    素子を実装する第４の工程と、第４の工程で製作した回
    路に隔壁を設けた蓋を接続する第５の工程とを有するこ
    とを特徴とする高周波回路の製作方法。
  3. 【請求項３】 空孔を有する金属基板と、２層以上から
    なる絶縁材料と、伝送線路と、能動素子と、隔壁を設け
    た蓋とを有するメンブレン構造の高周波回路の製作方法
    であって、蓋の外周に前記高周波回路を取り囲む隔壁を
    設ける第１の工程と、両面または片面銅貼りの絶縁材料
    を用いて回路を形成する第２の工程と、空孔を有する金
    属基板と第２の工程で製作した回路を接合する第３の工
    程と、前記回路に能動素子を実装する第４の工程と、第
    １の工程で隔壁を設けた蓋を第４の工程で製作した回路
    に接続させる第５の工程を有することを特徴とする高周
    波回路の製作方法。
  4. 【請求項４】 隔壁を設けた蓋の内部を真空にする工程
    もしくは不活性ガスまたは窒素ガスを充填する工程を有
    することを特徴とする請求項３記載の高周波回路の製作
    方法。
  5. 【請求項５】 金属基板と、絶縁材料と、伝送線路と、
    能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメンブレン構造
    の高周波回路の製作方法であって、金属基板に内部が空
    孔で凸型の突起部分を形成する第１の工程と、両面また
    は片面銅貼りの絶縁材料を用いて回路を形成する第２の
    工程と、第１の工程で作成した金属基板に第２の工程で
    製作した回路を接合する第３の工程と、前記回路に能動
    素子を実装する第４の工程と、隔壁を設けた蓋を第４の
    工程で製作した回路に接続する第５の工程を有すること
    を特徴とする高周波回路の製作方法。
  6. 【請求項６】 更に、導波管を含む筐体を接続する工程
    と、アンテナを接続する工程とを有することを特徴とす
    る請求項１から５のいずれかに記載の高周波回路の製作
    方法。
  7. 【請求項７】 絶縁材料の１ＧＨｚにおける誘電正接の
    値が０．００３以下であることを特徴とする請求項１か
    ら６のいずれかに記載の高周波回路の製作方法。
  8. 【請求項８】 金属基板の材料が銅または銅含有合金で
    あることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載
    の高周波回路の製作方法。
  9. 【請求項９】 空孔を有する金属基板と、絶縁材料と、
    伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有するメ
    ンブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金属基
    板を型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程と、
    型により打ち抜かれた金属小板に表面処理を行う第２の
    工程と、表面処理をした金属小板を前記金属基板の空孔
    に挿入する第３の工程と、前記金属基板上に絶縁材料を
    配置後加熱プレスして貼り合わせる第４の工程を有する
    ことを特徴とする高周波回路の製作方法。
  10. 【請求項１０】 空孔を有する金属基板と、絶縁材料
    と、伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有す
    るメンブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金
    属基板を型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程
    と、空孔を形成した金属基板にプラズマにより洗浄する
    第２の工程と、型により打ち抜かれた金属小板を前記金
    属基板の空孔に挿入する第３の工程と、前記金属基板上
    に絶縁材料を配置後加熱プレスして貼り合わせる第４の
    工程を有することを特徴とする高周波回路の製作方法。
  11. 【請求項１１】 空孔を有する金属基板と、絶縁材料
    と、伝送線路と、能動素子と、隔壁を設けた蓋とを有す
    るメンブレン構造の高周波回路の製作方法であって、金
    属基板を型により打ち抜いて空孔を形成する第１の工程
    と、空孔を形成した金属基板板にオゾンにより洗浄する
    第２の工程と、型により打ち抜かれた金属小板を前記金
    属基板の空孔に挿入する第３の工程と、前記金属基板上
    に絶縁材料を配置後加熱プレスして貼り合わせる第４の
    工程を有することを特徴とする高周波回路の製作方法。
  12. 【請求項１２】 絶縁材料の一部にドリル加工、レーザ
    ー加工またはドライエッチング加工によりスルーホール
    を形成する工程を有することを特徴とする請求項９から
    １１のいずれかに記載の高周波回路の製作方法。
  13. 【請求項１３】 絶縁材料の一部にドリル加工、レーザ
    ー加工またはドライエッチング加工によりスルーホール
    および能動素子の設置部を形成する工程を有することを
    特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の高周波
    回路の製作方法。
  14. 【請求項１４】 レーザーの発振波長が紫外光であるこ
    とを特徴とする請求項１２または１３のいずれかに高周
    波回路製作方法。
  15. 【請求項１５】 絶縁材料の１ＧＨｚにおける誘電正接
    の値が０．００３以下であることを特徴とする請求項９
    から１４のいずれかに記載の高周波回路の製作方法。
  16. 【請求項１６】 絶縁材料が液晶ポリマー、ベンゾシク
    ロブテンまたはテフロン（登録商標）含有のポリイミド
    のいずれかであることを特徴とする請求項項９から１５
    のいずれかに記載の高周波回路の製作方法。
  17. 【請求項１７】 金属基板の材料が銅または銅含有合金
    であることを特徴とする請求項９から１６のいずれかに
    記載の高周波回路の製作方法。
  18. 【請求項１８】 内部が空孔で凸型の突起部分を有する
    金属基板と、絶縁材料基板に伝送線路と能動素子とを形
    成した回路要素と、前記回路回路要素を覆う隔壁を設け
    た蓋と、前記空孔部に形成された導波管と、前記導波管
    に結合されたアンテナとを有することを特徴とするメン
    ブレム構造の高周波回路。
  19. 【請求項１９】 絶縁材料の１ＧＨｚにおける誘電正接
    の値が０．００３以下であることを特徴とする請求項１
    ８記載の高周波回路。
  20. 【請求項２０】 絶縁材料が液晶ポリマー、ベンゾシク
    ロブテンまたはテフロン含有のポリイミドのいずれかで
    あることを特徴とする請求項１８または１９のいずれか
    に記載の高周波回路。
  21. 【請求項２１】 金属基板の材料が銅または銅含有合金
    であることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか
    に記載の高周波回路。
  22. 【請求項２２】 請求項１から１７のいずれかに記載の
    高周波回路の製作方法を用いて製造された高周波回路。
  23. 【請求項２３】 請求項１８から２２のいずれかに記載
    の高周波回路を備えたことを特徴とする無線端末装置。
  24. 【請求項２４】 請求項１８から２２のいずれかに記載
    の高周波回路を備えたことを特徴とする基地局装置。
  25. 【請求項２５】 請求項１８から２２のいずれかに記載
    の高周波回路を備えたことを特徴とする無線計測装置。
  26. 【請求項２６】 請求項１８から２２のいずれかに記載
    の高周波回路を備えたことを特徴とするレーダー装置。
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