JPS6271301A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents

マイクロ波集積回路装置

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JPS6271301A
JPS6271301A JP60211455A JP21145585A JPS6271301A JP S6271301 A JPS6271301 A JP S6271301A JP 60211455 A JP60211455 A JP 60211455A JP 21145585 A JP21145585 A JP 21145585A JP S6271301 A JPS6271301 A JP S6271301A
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JP
Japan
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semiconductor chip
chip element
dielectric substrate
microstrip line
bonding wire
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JP60211455A
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Koichi Ogawa
晃一 小川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロ波帯あるいはミリ波帯の通信機やレ
ーダー等に用いられるマイクロ波集積回路装置に関する
ものである。
従来の技術 近年、マイクロ波帯あるいはミリ波帯の通信機やレーダ
ー等は、従来の導波管による構成から誘電体基板上に形
成したマイクロストリップラインを伝送路として用いる
マイクロ波集積回路に置き替わりつつある。マイクロ波
集積回路によって増幅器あるいは発振器等を構成する場
合、トランジスタあるいはダイオード等の半導体素子を
誘電体基板上に装置し、マイクロストリンブラインと電
気的に接続する必要がある。この際、ケース入りの半導
体素子を用いるよりはチップ素子を基板に付着させ、チ
ップ素子の電極とマイクロストリレブラインをボンディ
ングワイヤーによって直接接続するほうが小型化、高効
率化、高倍転性等、装置の高性能化に有利である。
以下、図面に従って従来の半導体チップ素子とマイクロ
ストリップラインのボンディングワイヤーの接続構造に
ついて説明する。第３図は従来のマイクロ波集積回路に
おいて半導体チップ素子を付着させ、半導体チップ素子
の電極とマイクロストリップラインをボンディングワイ
ヤーによって電気的に接続した場合の斜視図、第４図は
断面図を示す、ここで、１４は誘電体基板、１５は誘電
体基板の裏面全面に金属薄膜を密着させて形成したアー
ス面、１０は誘電体基板の表面の一部に金属薄膜を密着
させて形成したマイクロストリップライン、１１は半導
体チップ素子、１３はボンディングワイヤー、１２は半
導体チップ素子の電極をあられしている。これらの構成
は、例えば電子技術臨時増刊号（マイクロ接合技術５８
年７月号）にも見られる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、ボンディングワ
イヤー１３はマイクロストリップライン１０の上に直接
ボンディングすることによって半導体チップ素子１１と
電気的に接続されているので、その長さは半導体チップ
素子１１の高さを考慮して設定しなければならない。
加えてマイクロストリップライン１０へのボンディング
を半導体チップ素子１１の近傍に行なうことができない
場合はボンディングワイヤー１３の長さは橿めて長くな
り、ボンディングワイヤ−１３自体のインダクタンスお
よび漂遊容量が大きくなるので、回路の動作に悪影響を
及ぼすようになる。
本発明は上記問題点に鑑み、半導体チップ素子とマイク
ロストリップラインを極めて短いボンデインクワイヤー
によって接続することのできるマイクロ波集積回路装置
を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明のマイクロ波集積回
路装置は、誘電体基板の一面の全面に金属薄膜を密着さ
せたアース面と、前記誘電体基板の他面の一部に金属薄
膜を密着させたマイクロストリップラインと、このマイ
クロストリップラインの近傍に設けた前記誘電体基板を
貫通する貫通孔と、この貫通孔内に前記アース面が面が
一致するように置かれた金属片と、この金属片上に置か
れた半導体チップ素子を有し、この半導体チップ素子と
前記金属片を導電性の接着剤を用いて前記誘電体基板に
固定し、前記半導体チップ素子の電極と前記マイクロス
トリップラインとを電気的に接続した１本または複数本
のボンディングワイヤーとからなる手段を用いた。
作用 上記手段において、マイクロストリップラインは半導体
チップ素子への回路上の配線を行っている。マイクロ波
はインダクタンス等の悪影響を受けやすいので、半導体
チップ素子とマイクロストリップラインとを電気的に接
続する場合、ボンディングワイヤーはできるだけ短くす
るのがよい。
本発明では半導体チップ素子は誘電体基板内に埋め込ま
れた状態で固定され、かつ半導体素子表面と誘電体基板
表面をほぼ一致させることができるので、ボンティング
ワイヤーは水平距離だけを考えて結線すればよく、最短
距離の結線ができ、インダクタンスや漂誘容量を小さく
することができる。
実施例 以下、本発明のマイクロ波集積回路装置の一実施例につ
いて、図面に従って説明する。第１図はマイクロ波集積
回路装置の斜視図、第２図は断面図を示す、ここで、８
は誘電体基板、９は誘電体基板の一面全面に金属薄膜を
密着させて形成したアース面、１は誘電体基板の他面の
一部に金属薄膜を密着させて形成したマイクロストリッ
プライン、３は半導体チップ素子、４は半導体チップ素
子の電極、５はボンディングワイヤー、６は金属片であ
る。誘電体基板８にあけられた貫通孔２の形状は、半導
体チップ素子３が入れば任意の形状でよいが、金属片６
は金属片と誘電体基板８との間のすきま１６ができるだ
け小さくなるように形状を決める。半導体チップ素子３
と金属片６は導電性接着剤７によって誘電体基板８に固
定される。
この場合、すきま１６を小さくすることによって接着剤
が外部にはみでることを防ぐと共に接着強度を高めてい
る。半導体チップ素子３の高さが、誘電体基板８の厚さ
よりも小さい場合には、金属片６の高さを加減すること
によって、半導体チップ素子の表面を誘電体基板の表面
とほぼ一致させることができる。
以上のように本実施例によれば、マイクロストリップラ
イン１と半導体チップ素子の電極４はほぼ同一平面上に
並べることができる。従って、半導体チップ素子３とマ
イクロストリップライン１との間隔を小さくすることに
よって半導体チップ素子３と掻めて隣接してボンディン
グすることができ、ボンディングワイヤーの長さを短く
することができる。すなわち、ボンディングワイヤー５
のインダクタンスおよび漂遊容量が従来に比較して極め
て小さくなるので、回路をより理想的な状態で動作させ
ることが可能となる。
尚、上記実施例においてはいずれも半導体チップ素子３
とマイクロストリップライン１とを接続するボンディン
グワイヤー５は１本のみで表現されているが、それぞれ
の接続について２本以上の本数としてもよい、ボンディ
ングワイヤーの数をふやした場合には、さらにインダク
タンスを減らすごとができ、高効率化を図ることができ
る。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体チップ素子をマイクロス
トリップラインに隣接して誘電体基板内に埋め込まれた
状態で固定してボンディングワイヤーの両端をボンディ
ングしているので、半導体チップ素子の高さに応じて長
めのボンディングワイヤーを使用するという必要がなく
、半導体チップ素子とマイクロストリップラインを極め
て短いボンディングワイヤーによって接続できる。従っ
て、ボンディングワイヤーによるインダクタンスおよび
漂遊容量を掻めて小さな値にして悪影響を防止すること
ができるので、回路の動作が安定し、且つ回路性能の高
いマイクロ波集積回路装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波集積回路装置の
斜視図、第２図は第１図の断面図、第３図は従来例の斜
視図、第４図は第３図の断面図である。 ■・・・・・・マイクロストリップライン、３・・・・
・・半導体チップ素子、４・・・・・・半導体チップ素
子の電極、５・・・・・・ボンディングワイヤー、６・
・・・・・金属片、７・・・・・・導電性接着剤、８・
・・・・・誘電体基板、９・・・・・・アース。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第２図　　
　　　５

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　誘電体基板の一面の全面に金属薄膜を密着させたアー
    ス面と、前記誘電体基板の他面の一部に金属薄膜を密着
    させたマイクロストリップラインと、このマイクロスト
    リップラインの近傍に設けた前記誘電体基板を貫通する
    貫通孔と、この貫通孔内に前記アース面と面が一致する
    ように置かれた金属片と、この金属片上に置かれた半導
    体チップ素子を有し、この半導体チップ素子と前記金属
    片を導電性の接着剤を用いて前記誘電体基板に固定し、
    前記半導体チップ素子の電極と前記マイクロストリップ
    ラインとを１本または複数本のボンディングワイヤーに
    よって電気的に接続したことを特徴とするマイクロ波集
    積回路装置。
JP60211455A 1985-09-25 1985-09-25 マイクロ波集積回路装置 Pending JPS6271301A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03286611A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波増幅器
FR2764116A1 (fr) * 1997-06-03 1998-12-04 Telecommunications Sa Dispositif de connexion et protection de circuit micro-electronique hyperfrequence
EP1274149A3 (en) * 2001-07-05 2003-10-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio frequency circuit manufacturing method and radio frequency circuit
US7196909B2 (en) 2003-02-04 2007-03-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AC coupling circuit having a large capacitance and a good frequency response
US8866312B2 (en) 2011-02-25 2014-10-21 Fujitsu Limited Semiconductor apparatus, method for manufacturing the same and electric device

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