JP3114676B2 - 高周波線路構造体 - Google Patents
高周波線路構造体Info
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- insulators
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を伝送
するための複数の高周波線路を含む高周波線路構造体に
関するものである。
するための複数の高周波線路を含む高周波線路構造体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のフェーズドアレイアンテナ
装置を示す分解斜視図である。このフェーズドアレイア
ンテナ装置１０２は、給電回路部１０４、受信モジュー
ル部１０６、アンテナ部１０８から成り、これらを導電
性材料から成るベースプレート１１０上に配置し、相互
に電気的に接続して構成されている。受信モジュール部
１０６は、増幅器用のＧａＡｓ（ガリウムヒ素）チップ
および制御用ＩＣが実装された高周波デバイス１１２を
この例では１６個配列して構成され、各高周波デバイス
１１２の両端にはそれぞれ高周波線路としてマイクロス
トリップ線路１１３が基板上に延設されている。
装置を示す分解斜視図である。このフェーズドアレイア
ンテナ装置１０２は、給電回路部１０４、受信モジュー
ル部１０６、アンテナ部１０８から成り、これらを導電
性材料から成るベースプレート１１０上に配置し、相互
に電気的に接続して構成されている。受信モジュール部
１０６は、増幅器用のＧａＡｓ（ガリウムヒ素）チップ
および制御用ＩＣが実装された高周波デバイス１１２を
この例では１６個配列して構成され、各高周波デバイス
１１２の両端にはそれぞれ高周波線路としてマイクロス
トリップ線路１１３が基板上に延設されている。
【０００３】給電回路部１０４は、１ポートを４回分岐
させることで１６ポートを形成しており、この分岐は基
板上で高周波線路としてのマイクロストリップ線路１１
３を分岐させることで行っている。形成された各ポート
は、受信モジュール部１０６の給電回路部１０４側に延
設されたマイクロストリップ線路１１３にそれぞれ接続
される。また、アンテナ部１０８の基板上にも、受信モ
ジュール部１０６のアンテナ部１０８側に延設されたマ
イクロストリップ線路１１３にそれぞれ接続する高周波
線路としてのマイクロストリップ線路１１３が延設され
ている。
させることで１６ポートを形成しており、この分岐は基
板上で高周波線路としてのマイクロストリップ線路１１
３を分岐させることで行っている。形成された各ポート
は、受信モジュール部１０６の給電回路部１０４側に延
設されたマイクロストリップ線路１１３にそれぞれ接続
される。また、アンテナ部１０８の基板上にも、受信モ
ジュール部１０６のアンテナ部１０８側に延設されたマ
イクロストリップ線路１１３にそれぞれ接続する高周波
線路としてのマイクロストリップ線路１１３が延設され
ている。
【０００４】このように各部の基板上に形成されたマイ
クロストリップ線路１１３は、互いに影響を受けないよ
うにするため、相互に十分に絶縁されている必要があ
る。そこで、隣接するマイクロストリップ線路１１３間
の間隔は線路幅の５倍程度の間隔とされ、さらに、線路
間に導電性材料から成るシールド壁１１４が挿入されて
いる。また、シールド効果を高めるため、全体は導電性
材料から成るシールドケース１１６により覆われ、シー
ルドケース１１６は、ベースプレート１１０と低抵抗で
電気的に接続して十分なシールド能力が得られるように
するため導電性ゴム１１８介してベースプレート１１０
に接続されている。
クロストリップ線路１１３は、互いに影響を受けないよ
うにするため、相互に十分に絶縁されている必要があ
る。そこで、隣接するマイクロストリップ線路１１３間
の間隔は線路幅の５倍程度の間隔とされ、さらに、線路
間に導電性材料から成るシールド壁１１４が挿入されて
いる。また、シールド効果を高めるため、全体は導電性
材料から成るシールドケース１１６により覆われ、シー
ルドケース１１６は、ベースプレート１１０と低抵抗で
電気的に接続して十分なシールド能力が得られるように
するため導電性ゴム１１８介してベースプレート１１０
に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は基板
上にマイクロストリップ線路１１３を延設して高周波線
路としていたので、線路間の絶縁性を高めるために、シ
ールド壁１１４を設けなければならず、また、シールド
能力を高めるためにシールドケース１１６もわざわざ導
電性ゴム１１８を用いてベースプレート１１０との導通
を図るといったことが必要であった。その結果、部品コ
ストおよび組み立てコストが嵩み、また、装置の小型化
の点で不利であった。
上にマイクロストリップ線路１１３を延設して高周波線
路としていたので、線路間の絶縁性を高めるために、シ
ールド壁１１４を設けなければならず、また、シールド
能力を高めるためにシールドケース１１６もわざわざ導
電性ゴム１１８を用いてベースプレート１１０との導通
を図るといったことが必要であった。その結果、部品コ
ストおよび組み立てコストが嵩み、また、装置の小型化
の点で不利であった。
【０００６】そこで本発明は、高周波線路間の高い絶縁
性および高周波線路に対する十分なシールド能力を備え
て上記問題を解決する高周波線路構造体を提供すること
にある。
性および高周波線路に対する十分なシールド能力を備え
て上記問題を解決する高周波線路構造体を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波線路構造
体は上記目的を達成するため、第１および第２の基板を
張り合わせて構成され、前記第１の基板は、導電性材料
から成る第１の薄膜と、前記第１の薄膜の上に間隔をお
き略平行に延設された帯状の複数の第１の絶縁体と、隣
接する前記第１の絶縁体の間にそれぞれ前記第１の絶縁
体との間に間隔をおき前記第１の絶縁体と略平行に延設
された帯状の線路絶縁体と、前記線路絶縁体の上面上に
被着して前記線路絶縁体と同じ方向に延在する導電性材
料の薄膜から成る高周波線路と、前記第１の絶縁体の上
面および側面に被着され前記第１の薄膜に電気的に接続
された導電性材料から成る第１の帯状薄膜とを含み、前
記第２の基板は、導電性材料から成る第２の薄膜と、前
記第２の薄膜の上に、前記第１の絶縁体とほぼ同じ間隔
で略平行に延設された帯状の複数の第２の絶縁体と、前
記第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２の
薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の帯
状薄膜とを含み、前記第１および第２の基板を、前記第
１および第２の絶縁体を内側にして対向させ、前記第１
の絶縁体と前記第２の絶縁体の上面どうしを導電性接着
材により接合したことを特徴とする。
体は上記目的を達成するため、第１および第２の基板を
張り合わせて構成され、前記第１の基板は、導電性材料
から成る第１の薄膜と、前記第１の薄膜の上に間隔をお
き略平行に延設された帯状の複数の第１の絶縁体と、隣
接する前記第１の絶縁体の間にそれぞれ前記第１の絶縁
体との間に間隔をおき前記第１の絶縁体と略平行に延設
された帯状の線路絶縁体と、前記線路絶縁体の上面上に
被着して前記線路絶縁体と同じ方向に延在する導電性材
料の薄膜から成る高周波線路と、前記第１の絶縁体の上
面および側面に被着され前記第１の薄膜に電気的に接続
された導電性材料から成る第１の帯状薄膜とを含み、前
記第２の基板は、導電性材料から成る第２の薄膜と、前
記第２の薄膜の上に、前記第１の絶縁体とほぼ同じ間隔
で略平行に延設された帯状の複数の第２の絶縁体と、前
記第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２の
薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の帯
状薄膜とを含み、前記第１および第２の基板を、前記第
１および第２の絶縁体を内側にして対向させ、前記第１
の絶縁体と前記第２の絶縁体の上面どうしを導電性接着
材により接合したことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の高周波線路構造体は、第１
および第２の基板を張り合わせて構成され、前記第１の
基板は、導電性材料から成る第１の薄膜と、前記第１の
薄膜の上に間隔をおき略平行に延設された帯状の複数の
第１の絶縁体と、隣接する前記第１の絶縁体の間にそれ
ぞれ前記第１の絶縁体との間に間隔をおき前記第１の絶
縁体と略平行に延設された帯状の線路絶縁体と、前記線
路絶縁体の上面上に被着して前記線路絶縁体と同じ方向
に延在する導電性材料の薄膜から成る高周波線路と、前
記第１の絶縁体の上面および側面に被着され前記第１の
薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第１の帯
状薄膜とを含み、前記第２の基板は、導電性材料から成
る第２の薄膜と、前記第２の薄膜の上に、前記第１の絶
縁体と同じ間隔で略平行に延設された帯状の複数の第２
の絶縁体と、隣接する前記第２の絶縁体の間にそれぞれ
前記第２の絶縁体との間に間隔をおき前記第２の絶縁体
と略平行に延設された帯状の第２の線路絶縁体と、前記
第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２の薄
膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の帯状
薄膜とを含み、前記第１および第２の基板を、前記第１
および第２の絶縁体、ならびに前記第１および第２の線
路絶縁体を内側にして対向させ、前記第１および第２の
絶縁体の上面どうし、および第１の線路絶縁体上の前記
高周波線路と前記第２の線路絶縁体の上面とを導電性接
着材により接合したことを特徴とする。
および第２の基板を張り合わせて構成され、前記第１の
基板は、導電性材料から成る第１の薄膜と、前記第１の
薄膜の上に間隔をおき略平行に延設された帯状の複数の
第１の絶縁体と、隣接する前記第１の絶縁体の間にそれ
ぞれ前記第１の絶縁体との間に間隔をおき前記第１の絶
縁体と略平行に延設された帯状の線路絶縁体と、前記線
路絶縁体の上面上に被着して前記線路絶縁体と同じ方向
に延在する導電性材料の薄膜から成る高周波線路と、前
記第１の絶縁体の上面および側面に被着され前記第１の
薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第１の帯
状薄膜とを含み、前記第２の基板は、導電性材料から成
る第２の薄膜と、前記第２の薄膜の上に、前記第１の絶
縁体と同じ間隔で略平行に延設された帯状の複数の第２
の絶縁体と、隣接する前記第２の絶縁体の間にそれぞれ
前記第２の絶縁体との間に間隔をおき前記第２の絶縁体
と略平行に延設された帯状の第２の線路絶縁体と、前記
第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２の薄
膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の帯状
薄膜とを含み、前記第１および第２の基板を、前記第１
および第２の絶縁体、ならびに前記第１および第２の線
路絶縁体を内側にして対向させ、前記第１および第２の
絶縁体の上面どうし、および第１の線路絶縁体上の前記
高周波線路と前記第２の線路絶縁体の上面とを導電性接
着材により接合したことを特徴とする。
【０００９】本発明の高周波線路構造体では、隣接する
第１の絶縁体と、これらの第１の絶縁体の上面に上面が
接合された第２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁体の間
に延在する第１の薄膜の箇所と、隣接する第２の絶縁体
の間に延在する第２の薄膜の箇所とによって形成された
空間内に、各高周波線路は線路絶縁体上に支持されて収
容されている。そして、前記空間は、導電性材料から成
る第１および第２の薄膜および第１および第２の帯状薄
膜により囲まれている。したがって、各高周波線路は相
互に確実に絶縁され、また外部から効果的にシールドさ
れている。
第１の絶縁体と、これらの第１の絶縁体の上面に上面が
接合された第２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁体の間
に延在する第１の薄膜の箇所と、隣接する第２の絶縁体
の間に延在する第２の薄膜の箇所とによって形成された
空間内に、各高周波線路は線路絶縁体上に支持されて収
容されている。そして、前記空間は、導電性材料から成
る第１および第２の薄膜および第１および第２の帯状薄
膜により囲まれている。したがって、各高周波線路は相
互に確実に絶縁され、また外部から効果的にシールドさ
れている。
【００１０】また、本発明の高周波線路構造体では、隣
接する第１の絶縁体と、これらの第１の絶縁体の上面に
上面が接合された第２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁
体の間に延在する第１の薄膜の箇所と、隣接する第２の
絶縁体の間に延在する第２の薄膜の箇所とによって形成
された空間内に、各高周波線路は第１および第２の線路
絶縁体に挟まれた状態で収容されている。そして、前記
空間は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜およ
び第１および第２の帯状薄膜により囲まれている。した
がって、各高周波線路は相互に確実に絶縁され、また外
部から効果的にシールドされている。
接する第１の絶縁体と、これらの第１の絶縁体の上面に
上面が接合された第２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁
体の間に延在する第１の薄膜の箇所と、隣接する第２の
絶縁体の間に延在する第２の薄膜の箇所とによって形成
された空間内に、各高周波線路は第１および第２の線路
絶縁体に挟まれた状態で収容されている。そして、前記
空間は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜およ
び第１および第２の帯状薄膜により囲まれている。した
がって、各高周波線路は相互に確実に絶縁され、また外
部から効果的にシールドされている。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る高周波線路構造体の一例を示す要部分解斜視図、図２
は同部分斜視図である。この高周波線路構造体２は、第
１および第２の基板４、６を張り合わせて構成される。
まず、第１の基板４は導電性材料から成る第１の薄膜８
を含み、第１の薄膜８の上に間隔をおき略平行に帯状の
複数の第１の絶縁体１０が延設され、また、隣接する第
１の絶縁体１０の間にそれぞれ第１の絶縁体１０との間
に間隔をおき第１の絶縁体１０と略平行に帯状の線路絶
縁体１２が延設されている。そして、線路絶縁体１２の
上面上には、導電性材料の薄膜から成る高周波線路１４
が被着され、線路絶縁体１２と同じ方向に延在してい
る。さらに、第１の絶縁体１０の上面および側面には、
第１の薄膜８に電気的に接続された導電性材料から成る
第１の帯状薄膜１６が被着されている。
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る高周波線路構造体の一例を示す要部分解斜視図、図２
は同部分斜視図である。この高周波線路構造体２は、第
１および第２の基板４、６を張り合わせて構成される。
まず、第１の基板４は導電性材料から成る第１の薄膜８
を含み、第１の薄膜８の上に間隔をおき略平行に帯状の
複数の第１の絶縁体１０が延設され、また、隣接する第
１の絶縁体１０の間にそれぞれ第１の絶縁体１０との間
に間隔をおき第１の絶縁体１０と略平行に帯状の線路絶
縁体１２が延設されている。そして、線路絶縁体１２の
上面上には、導電性材料の薄膜から成る高周波線路１４
が被着され、線路絶縁体１２と同じ方向に延在してい
る。さらに、第１の絶縁体１０の上面および側面には、
第１の薄膜８に電気的に接続された導電性材料から成る
第１の帯状薄膜１６が被着されている。
【００１２】一方、第２の基板６は導電性材料から成る
第２の薄膜１８を含み、第２の薄膜１８を下にして配置
した状態（図１、図２とは逆向きに配置した状態）で第
２の薄膜１８の上に、帯状の複数の第２の絶縁体２０
が、第１の絶縁体１０とほぼ同じ間隔で略平行に延設さ
れている。そして、第２の絶縁体２０の上面および側面
には、第２の薄膜１８に電気的に接続された導電性材料
から成る第２の帯状薄膜２２が被着されている。
第２の薄膜１８を含み、第２の薄膜１８を下にして配置
した状態（図１、図２とは逆向きに配置した状態）で第
２の薄膜１８の上に、帯状の複数の第２の絶縁体２０
が、第１の絶縁体１０とほぼ同じ間隔で略平行に延設さ
れている。そして、第２の絶縁体２０の上面および側面
には、第２の薄膜１８に電気的に接続された導電性材料
から成る第２の帯状薄膜２２が被着されている。
【００１３】高周波線路構造体２は、このような構造の
第１および第２の基板４、６を、第１および第２の絶縁
体１０、２０を内側にして対向させ、第１の絶縁体１０
と第２の絶縁体２０の上面どうしを導電性接着材２４に
より、図２に示したように接合することで構成されてい
る。
第１および第２の基板４、６を、第１および第２の絶縁
体１０、２０を内側にして対向させ、第１の絶縁体１０
と第２の絶縁体２０の上面どうしを導電性接着材２４に
より、図２に示したように接合することで構成されてい
る。
【００１４】なお、第１および第２の薄膜８、１８、第
１および第２の帯状薄膜１６、２２は具体的には本実施
例では銅により形成され、また、第１および第２の絶縁
体１０、２０、ならびに線路絶縁体１２はポリイミドに
より形成されている。また、本実施例では、第１および
第２の絶縁体１０、２０、ならびに線路絶縁体１２は横
断面形状が台形に形成されている。
１および第２の帯状薄膜１６、２２は具体的には本実施
例では銅により形成され、また、第１および第２の絶縁
体１０、２０、ならびに線路絶縁体１２はポリイミドに
より形成されている。また、本実施例では、第１および
第２の絶縁体１０、２０、ならびに線路絶縁体１２は横
断面形状が台形に形成されている。
【００１５】第１の基板４の作製においては、例えば厚
さが数十〜数百μｍの板状のポリイミドに銅をメッキし
て第１の薄膜８とし、その後、第１の絶縁体１０および
線路絶縁体１２の箇所を除いてポリイミドを、露光、現
像、エッチングの各工程を行って除去することで第１の
絶縁体１０および線路絶縁体１２を形成できる。そし
て、第１の薄膜８と反対側の面全体に銅をメッキし、つ
づいて、露光、現像、エッチングの各工程により線路絶
縁体１２の側面に被着した銅を除去することで、第１の
帯状薄膜１６および高周波線路１４を形成することがで
きる。
さが数十〜数百μｍの板状のポリイミドに銅をメッキし
て第１の薄膜８とし、その後、第１の絶縁体１０および
線路絶縁体１２の箇所を除いてポリイミドを、露光、現
像、エッチングの各工程を行って除去することで第１の
絶縁体１０および線路絶縁体１２を形成できる。そし
て、第１の薄膜８と反対側の面全体に銅をメッキし、つ
づいて、露光、現像、エッチングの各工程により線路絶
縁体１２の側面に被着した銅を除去することで、第１の
帯状薄膜１６および高周波線路１４を形成することがで
きる。
【００１６】一方、第２の基板６の作製においては、例
えば厚さが数十〜数百μｍの板状のポリイミドに銅をメ
ッキして第２の薄膜１８とし、その後、第２の絶縁体２
０の箇所を除いてポリイミドを、露光、現像、エッチン
グの各工程を行って除去することで第２の絶縁体２０を
形成できる。そして、第２の薄膜１８と反対側の面全体
に銅をメッキして第２の帯状薄膜２２を形成することが
できる。
えば厚さが数十〜数百μｍの板状のポリイミドに銅をメ
ッキして第２の薄膜１８とし、その後、第２の絶縁体２
０の箇所を除いてポリイミドを、露光、現像、エッチン
グの各工程を行って除去することで第２の絶縁体２０を
形成できる。そして、第２の薄膜１８と反対側の面全体
に銅をメッキして第２の帯状薄膜２２を形成することが
できる。
【００１７】本実施例の高周波線路構造体２は上述のよ
うに形成されているので、隣接する第１の絶縁体１０
と、これらの第１の絶縁体１０の上面に上面が接合され
た第２の絶縁体２０と、隣接する第１の絶縁体１０の間
に延在する第１の薄膜８の箇所と、隣接する第２の絶縁
体２０の間に延在する第２の薄膜１８の箇所とによって
形成された空間２６内に、各高周波線路１４は線路絶縁
体１２上に支持されて収容されている。そして、空間２
６は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜８、１
８および第１および第２の帯状薄膜１６、２２により囲
まれている。したがって、各高周波線路１４は相互に確
実に絶縁され、また外部から効果的にシールドされてい
る。そして、高周波線路１４は空間２６内に配置されて
いるので、低損失で信号を伝送することができる。
うに形成されているので、隣接する第１の絶縁体１０
と、これらの第１の絶縁体１０の上面に上面が接合され
た第２の絶縁体２０と、隣接する第１の絶縁体１０の間
に延在する第１の薄膜８の箇所と、隣接する第２の絶縁
体２０の間に延在する第２の薄膜１８の箇所とによって
形成された空間２６内に、各高周波線路１４は線路絶縁
体１２上に支持されて収容されている。そして、空間２
６は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜８、１
８および第１および第２の帯状薄膜１６、２２により囲
まれている。したがって、各高周波線路１４は相互に確
実に絶縁され、また外部から効果的にシールドされてい
る。そして、高周波線路１４は空間２６内に配置されて
いるので、低損失で信号を伝送することができる。
【００１８】次に、このような高周波線路構造体２を用
いて構成したフェーズドアレイアンテナ装置について説
明する。図３は実施例の高周波線路構造体２を用いて構
成したフェーズドアレイアンテナ装置を示す分解斜視図
である。なお、図中、図７と同一の要素には同一の符号
が付されており、それらに関する説明はここでは省略す
る。このフェーズドアレイアンテナ装置２８は、基本的
には図７に示した従来のフェーズドアレイアンテナ装置
１０２と同様に構成されており、給電回路部３０、受信
モジュール部３２、アンテナ部３４から成り、これらを
導電性材料から成るベースプレート１１０上に配置し、
相互に電気的に接続して構成されている。
いて構成したフェーズドアレイアンテナ装置について説
明する。図３は実施例の高周波線路構造体２を用いて構
成したフェーズドアレイアンテナ装置を示す分解斜視図
である。なお、図中、図７と同一の要素には同一の符号
が付されており、それらに関する説明はここでは省略す
る。このフェーズドアレイアンテナ装置２８は、基本的
には図７に示した従来のフェーズドアレイアンテナ装置
１０２と同様に構成されており、給電回路部３０、受信
モジュール部３２、アンテナ部３４から成り、これらを
導電性材料から成るベースプレート１１０上に配置し、
相互に電気的に接続して構成されている。
【００１９】受信モジュール部３２、給電回路部３０、
ならびにアンテナ部３４はいずれも機能的には図７に示
したものと同じである。図７におけるマイクロストリッ
プ線路１１３の箇所が本実施例の高周波線路構造体２に
置き換えられている。なお、各部の高周波線路構造体２
の各高周波線路１４どうしは端部において例えばリボン
ボンディングにより接続することができる。また、高周
波線路構造体２を構成する上記第１および第２の薄膜
８、１８、ならびに第１および第２の帯状薄膜１６、２
２は装置のグランド電位点に接続する。
ならびにアンテナ部３４はいずれも機能的には図７に示
したものと同じである。図７におけるマイクロストリッ
プ線路１１３の箇所が本実施例の高周波線路構造体２に
置き換えられている。なお、各部の高周波線路構造体２
の各高周波線路１４どうしは端部において例えばリボン
ボンディングにより接続することができる。また、高周
波線路構造体２を構成する上記第１および第２の薄膜
８、１８、ならびに第１および第２の帯状薄膜１６、２
２は装置のグランド電位点に接続する。
【００２０】したがって、このフェーズドアレイアンテ
ナ装置２８では、高周波線路構造体２内の各高周波線路
１４が上述のように確実に絶縁され、そして効果的にシ
ールドされているので、従来のようにシールド壁１１４
（図７）を設ける必要がなく、また、シールドケース１
１６は導電性ゴム１１８を用いることなく簡易的にベー
スプレート１１０に接続するのみで十分である。そのた
め、部品コストおよび組み立てコストを低減でき、ま
た、小型化を実現できる。さらに、各部間の信号伝送を
低損失で行えるのでＳＮ比を向上させることができる。
また、第１および第２の基板４、６を、柔軟性の高いポ
リイミド基板により形成した場合には、図４に示したよ
うに、例えばアンテナ部３８を、その一部を曲げた形状
とすることも可能となり、形状上の設計の自由度が増大
する。なお、図中、３６はベースプレートである。
ナ装置２８では、高周波線路構造体２内の各高周波線路
１４が上述のように確実に絶縁され、そして効果的にシ
ールドされているので、従来のようにシールド壁１１４
（図７）を設ける必要がなく、また、シールドケース１
１６は導電性ゴム１１８を用いることなく簡易的にベー
スプレート１１０に接続するのみで十分である。そのた
め、部品コストおよび組み立てコストを低減でき、ま
た、小型化を実現できる。さらに、各部間の信号伝送を
低損失で行えるのでＳＮ比を向上させることができる。
また、第１および第２の基板４、６を、柔軟性の高いポ
リイミド基板により形成した場合には、図４に示したよ
うに、例えばアンテナ部３８を、その一部を曲げた形状
とすることも可能となり、形状上の設計の自由度が増大
する。なお、図中、３６はベースプレートである。
【００２１】次に、第２の実施例について説明する。図
５は第２の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜視図
である。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付さ
れており、それらに関する説明はここでは省略する。こ
の高周波線路構造体４０は、第２の線路絶縁体４２が設
けられている点で上記高周波線路構造体２と異なってい
る。すなわち、高周波線路構造体４０では、第２の基板
６において、隣接する第２の絶縁体２０の間にそれぞれ
第２の絶縁体２０との間に間隔をおき第２の絶縁体２０
と略平行に延設された帯状の第２の線路絶縁体４２が形
成されている。第２の線路絶縁体４２は本実施例では他
の絶縁体と同様、ポリイミドにより形成され、また横断
面形状は台形となっている。そして、第２の線路絶縁体
４２の上面（図５では下向きになっている）は導電性接
着剤２４により絶縁体上の高周波線路１４に接合されて
いる。なお、第２の線路絶縁体４２は、他の絶縁体と同
様、ポリイミドの基板に対して露光、現像、エッチング
の各工程を行って形成することができる。
５は第２の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜視図
である。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付さ
れており、それらに関する説明はここでは省略する。こ
の高周波線路構造体４０は、第２の線路絶縁体４２が設
けられている点で上記高周波線路構造体２と異なってい
る。すなわち、高周波線路構造体４０では、第２の基板
６において、隣接する第２の絶縁体２０の間にそれぞれ
第２の絶縁体２０との間に間隔をおき第２の絶縁体２０
と略平行に延設された帯状の第２の線路絶縁体４２が形
成されている。第２の線路絶縁体４２は本実施例では他
の絶縁体と同様、ポリイミドにより形成され、また横断
面形状は台形となっている。そして、第２の線路絶縁体
４２の上面（図５では下向きになっている）は導電性接
着剤２４により絶縁体上の高周波線路１４に接合されて
いる。なお、第２の線路絶縁体４２は、他の絶縁体と同
様、ポリイミドの基板に対して露光、現像、エッチング
の各工程を行って形成することができる。
【００２２】以上のような構造であるから、この高周波
線路構造体４０でも、隣接する第１の絶縁体１０と、こ
れらの第１の絶縁体１０の上面に上面が接合された第２
の絶縁体２０と、隣接する第１の絶縁体１０の間に延在
する第１の薄膜８の箇所と、隣接する第２の絶縁体２０
の間に延在する第２の薄膜１８の箇所とによって形成さ
れた空間２６内に、各高周波線路１４は線路絶縁体１２
および第２の線路絶縁体４２に挟まれた状態で収容され
ている。そして、空間２６は、導電性材料から成る第１
および第２の薄膜８、１８および第１および第２の帯状
薄膜１６、２２により囲まれている。その結果、各高周
波線路１４は相互に確実に絶縁され、また外部から効果
的にシールドされている。そして、高周波線路１４は空
間２６内に配置されているので、低損失で信号を伝送す
ることができる。
線路構造体４０でも、隣接する第１の絶縁体１０と、こ
れらの第１の絶縁体１０の上面に上面が接合された第２
の絶縁体２０と、隣接する第１の絶縁体１０の間に延在
する第１の薄膜８の箇所と、隣接する第２の絶縁体２０
の間に延在する第２の薄膜１８の箇所とによって形成さ
れた空間２６内に、各高周波線路１４は線路絶縁体１２
および第２の線路絶縁体４２に挟まれた状態で収容され
ている。そして、空間２６は、導電性材料から成る第１
および第２の薄膜８、１８および第１および第２の帯状
薄膜１６、２２により囲まれている。その結果、各高周
波線路１４は相互に確実に絶縁され、また外部から効果
的にシールドされている。そして、高周波線路１４は空
間２６内に配置されているので、低損失で信号を伝送す
ることができる。
【００２３】次に第３の実施例について説明する。図６
は第３の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜視図で
ある。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付され
ており、それらに関する説明はここでは省略する。図６
に示した高周波線路構造体４４が図１に示した高周波線
路構造体２と異なるのは、線路絶縁体１２の側面に、第
１の薄膜８に電気的に接続された導電性の薄膜４６が、
高周波線路１４と電気的に絶縁された状態で被着されて
いる点である。高周波線路構造体４４ではこのように線
路絶縁体１２の側面にも導電性の薄膜４６が被着されて
いるので、各高周波線路１４間の絶縁性は一層高まり、
また、各高周波線路１４は外部からさらに強固にシール
ドされる。
は第３の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜視図で
ある。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付され
ており、それらに関する説明はここでは省略する。図６
に示した高周波線路構造体４４が図１に示した高周波線
路構造体２と異なるのは、線路絶縁体１２の側面に、第
１の薄膜８に電気的に接続された導電性の薄膜４６が、
高周波線路１４と電気的に絶縁された状態で被着されて
いる点である。高周波線路構造体４４ではこのように線
路絶縁体１２の側面にも導電性の薄膜４６が被着されて
いるので、各高周波線路１４間の絶縁性は一層高まり、
また、各高周波線路１４は外部からさらに強固にシール
ドされる。
【００２４】以上、本発明について実施例をもとに説明
したが、本発明はこれらの例に限定されることなく種々
の形態で実施することができる。例えば、第１および第
２の絶縁体１０、２０、線路絶縁体１２、第２の線路絶
縁体４２はいずれもポリイミドにより形成されていると
したが、絶縁材料としてポリイミド以外のものを用いる
ことも無論可能である。また、第１および第２の薄膜
８、１８、第１および第２の帯状薄膜１６、２２、高周
波線路１４は銅により形成されているとしたが、銅以外
の金属、望ましくは導電率の高い金属を用いることも可
能である。
したが、本発明はこれらの例に限定されることなく種々
の形態で実施することができる。例えば、第１および第
２の絶縁体１０、２０、線路絶縁体１２、第２の線路絶
縁体４２はいずれもポリイミドにより形成されていると
したが、絶縁材料としてポリイミド以外のものを用いる
ことも無論可能である。また、第１および第２の薄膜
８、１８、第１および第２の帯状薄膜１６、２２、高周
波線路１４は銅により形成されているとしたが、銅以外
の金属、望ましくは導電率の高い金属を用いることも可
能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の高周波線路
構造体では、隣接する第１の絶縁体と、これらの第１の
絶縁体の上面に上面が接合された第２の絶縁体と、隣接
する第１の絶縁体の間に延在する第１の薄膜の箇所と、
隣接する第２の絶縁体の間に延在する第２の薄膜の箇所
とによって形成された空間内に、各高周波線路は線路絶
縁体上に支持されて収容されている。そして、前記空間
は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜および第
１および第２の帯状薄膜により囲まれている。また、本
発明の高周波線路構造体では、隣接する第１の絶縁体
と、これらの第１の絶縁体の上面に上面が接合された第
２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁体の間に延在する第
１の薄膜の箇所と、隣接する第２の絶縁体の間に延在す
る第２の薄膜の箇所とによって形成された空間内に、各
高周波線路は第１および第２の線路絶縁体に挟まれた状
態で収容されている。そして、前記空間は、導電性材料
から成る第１および第２の薄膜および第１および第２の
帯状薄膜により囲まれている。したがって、各高周波線
路は相互に確実に絶縁され、また外部から効果的にシー
ルドされている。さらに、高周波線路は空間内に配置さ
れているので、低損失で信号を伝送することができる。
そして、本発明の高周波線路構造体を用いて高周波信号
を扱う装置を構成した場合には、従来のようにシールド
壁を設けたり、十分なシールドのために特殊な部品を用
いたりする必要がなくなるので、装置の部品コストおよ
び組み立てコストを低減でき、また、小型化を実現でき
る。さらに、低損失で信号を伝送できるのでＳＮ比を向
上させることができる。
構造体では、隣接する第１の絶縁体と、これらの第１の
絶縁体の上面に上面が接合された第２の絶縁体と、隣接
する第１の絶縁体の間に延在する第１の薄膜の箇所と、
隣接する第２の絶縁体の間に延在する第２の薄膜の箇所
とによって形成された空間内に、各高周波線路は線路絶
縁体上に支持されて収容されている。そして、前記空間
は、導電性材料から成る第１および第２の薄膜および第
１および第２の帯状薄膜により囲まれている。また、本
発明の高周波線路構造体では、隣接する第１の絶縁体
と、これらの第１の絶縁体の上面に上面が接合された第
２の絶縁体と、隣接する第１の絶縁体の間に延在する第
１の薄膜の箇所と、隣接する第２の絶縁体の間に延在す
る第２の薄膜の箇所とによって形成された空間内に、各
高周波線路は第１および第２の線路絶縁体に挟まれた状
態で収容されている。そして、前記空間は、導電性材料
から成る第１および第２の薄膜および第１および第２の
帯状薄膜により囲まれている。したがって、各高周波線
路は相互に確実に絶縁され、また外部から効果的にシー
ルドされている。さらに、高周波線路は空間内に配置さ
れているので、低損失で信号を伝送することができる。
そして、本発明の高周波線路構造体を用いて高周波信号
を扱う装置を構成した場合には、従来のようにシールド
壁を設けたり、十分なシールドのために特殊な部品を用
いたりする必要がなくなるので、装置の部品コストおよ
び組み立てコストを低減でき、また、小型化を実現でき
る。さらに、低損失で信号を伝送できるのでＳＮ比を向
上させることができる。
【図１】本発明による高周波線路構造体の一例を示す要
部分解斜視図である。
部分解斜視図である。
【図２】本発明による高周波線路構造体の一例を示す部
分斜視図である。
分斜視図である。
【図３】実施例の高周波線路構造体を用いて構成したフ
ェーズドアレイアンテナ装置を示す分解斜視図である。
ェーズドアレイアンテナ装置を示す分解斜視図である。
【図４】本発明による高周波線路構造体の他の例を示す
部分斜視図である。
部分斜視図である。
【図５】第２の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜
視図である。
視図である。
【図６】第３の実施例の高周波線路構造体を示す部分斜
視図である。
視図である。
【図７】従来のフェーズドアレイアンテナ装置を示す分
解斜視図である。
解斜視図である。
２、４０、４４……高周波線路構造体、４……第１の基
板、６……第２の基板、８……第１の薄膜、１０……第
１の絶縁体、１２……線路絶縁体、１４……高周波線
路、１６……第１の帯状薄膜、１８……第２の薄膜、２
０……第２の絶縁体、２２……第２の帯状薄膜、２４…
…導電性接着材、２８、１０２……フェーズドアレイア
ンテナ装置、３０、１０４……給電回路部、３２、１０
６……受信モジュール部、３４、３８、１０８……アン
テナ部、３６、１１０……ベースプレート、４２……第
２の線路絶縁体、４６……薄膜。
板、６……第２の基板、８……第１の薄膜、１０……第
１の絶縁体、１２……線路絶縁体、１４……高周波線
路、１６……第１の帯状薄膜、１８……第２の薄膜、２
０……第２の絶縁体、２２……第２の帯状薄膜、２４…
…導電性接着材、２８、１０２……フェーズドアレイア
ンテナ装置、３０、１０４……給電回路部、３２、１０
６……受信モジュール部、３４、３８、１０８……アン
テナ部、３６、１１０……ベースプレート、４２……第
２の線路絶縁体、４６……薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/06 H05K 3/46 H05K 1/00 - 1/02
Claims (7)
- 【請求項１】 第１および第２の基板を張り合わせて構
成され、 前記第１の基板は、 導電性材料から成る第１の薄膜と、 前記第１の薄膜の上に間隔をおき略平行に延設された帯
状の複数の第１の絶縁体と、 隣接する前記第１の絶縁体の間にそれぞれ前記第１の絶
縁体との間に間隔をおき前記第１の絶縁体と略平行に延
設された帯状の線路絶縁体と、 前記線路絶縁体の上面上に被着して前記線路絶縁体と同
じ方向に延在する導電性材料の薄膜から成る高周波線路
と、 前記第１の絶縁体の上面および側面に被着され前記第１
の薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第１の
帯状薄膜とを含み、 前記第２の基板は、 導電性材料から成る第２の薄膜と、 前記第２の薄膜の上に、前記第１の絶縁体とほぼ同じ間
隔で略平行に延設された帯状の複数の第２の絶縁体と、 前記第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２
の薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の
帯状薄膜とを含み、 前記第１および第２の基板を、前記第１および第２の絶
縁体を内側にして対向させ、前記第１の絶縁体と前記第
２の絶縁体の上面どうしを導電性接着材により接合し
た、 ことを特徴とする高周波線路構造体。 - 【請求項２】 第１および第２の基板を張り合わせて構
成され、 前記第１の基板は、 導電性材料から成る第１の薄膜と、 前記第１の薄膜の上に間隔をおき略平行に延設された帯
状の複数の第１の絶縁体と、 隣接する前記第１の絶縁体の間にそれぞれ前記第１の絶
縁体との間に間隔をおき前記第１の絶縁体と略平行に延
設された帯状の線路絶縁体と、 前記線路絶縁体の上面上に被着して前記線路絶縁体と同
じ方向に延在する導電性材料の薄膜から成る高周波線路
と、 前記第１の絶縁体の上面および側面に被着され前記第１
の薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第１の
帯状薄膜とを含み、 前記第２の基板は、 導電性材料から成る第２の薄膜と、 前記第２の薄膜の上に、前記第１の絶縁体と同じ間隔で
略平行に延設された帯状の複数の第２の絶縁体と、 隣接する前記第２の絶縁体の間にそれぞれ前記第２の絶
縁体との間に間隔をおき前記第２の絶縁体と略平行に延
設された帯状の第２の線路絶縁体と、 前記第２の絶縁体の上面および側面に被着され前記第２
の薄膜に電気的に接続された導電性材料から成る第２の
帯状薄膜とを含み、 前記第１および第２の基板を、前記第１および第２の絶
縁体、ならびに前記第１および第２の線路絶縁体を内側
にして対向させ、前記第１および第２の絶縁体の上面ど
うし、および第１の線路絶縁体上の前記高周波線路と前
記第２の線路絶縁体の上面とを導電性接着材により接合
した、 ことを特徴とする高周波線路構造体。 - 【請求項３】 前記絶縁体はポリイミドにより形成され
ていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周
波線路構造体。 - 【請求項４】 前記絶縁体は、横断面形状がほぼ台形に
形成されていることを特徴とする請求項１または２に記
載の高周波線路構造体。 - 【請求項５】 前記高周波線路が被着した前記線路絶縁
体の側面に、前記第１の薄膜に電気的に接続された導電
性材料から成る薄膜が、前記高周波線路と電気的に絶縁
された状態で被着されていることを特徴とする請求項１
記載の高周波線路構造体。 - 【請求項６】 前記高周波線路は、フェイズドアレイア
ンテナ装置の送受信回路における高周波線路を構成して
いることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波
線路構造体。 - 【請求項７】 導電性材料から成る前記薄膜は銅により
形成されていることを特徴とする請求項１または２に記
載の高周波線路構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09316099A JP3114676B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 高周波線路構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09316099A JP3114676B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 高周波線路構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11136008A JPH11136008A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3114676B2 true JP3114676B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=18073237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09316099A Expired - Fee Related JP3114676B2 (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 高周波線路構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3114676B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9877596B2 (en) | 2014-03-28 | 2018-01-30 | Lewon Schaarschmidt | Small child and baby carrier |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100836967B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2008-06-10 | 몰렉스 인코포레이티드 | 다채널 도파관 구조물 |
| JP5375319B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2013-12-25 | 株式会社村田製作所 | 信号線路及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP09316099A patent/JP3114676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9877596B2 (en) | 2014-03-28 | 2018-01-30 | Lewon Schaarschmidt | Small child and baby carrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11136008A (ja) | 1999-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |