JPH03286611A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH03286611A JPH03286611A JP2088533A JP8853390A JPH03286611A JP H03286611 A JPH03286611 A JP H03286611A JP 2088533 A JP2088533 A JP 2088533A JP 8853390 A JP8853390 A JP 8853390A JP H03286611 A JPH03286611 A JP H03286611A
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- hole
- high frequency
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 高周波集積回路基板（以下ＭＩＣ基板という
）と半導体増幅素子を備えた高周波増幅器に関するもの
である。
）と半導体増幅素子を備えた高周波増幅器に関するもの
である。
従来の技術
返電 マイクロ波帯を中心に高周波増幅器の小型化 高
性能化が進展するなかで、電界効果トランジスタ（以下
ＦＥＴという）やＨＥＭＴの半導体増幅素子をチップ状
態で使用することが多くなっていも これは 半導体増
幅素子を収納するパッケージの寄生リアクタンスによる
帯域特性の劣化を避けるためである。
性能化が進展するなかで、電界効果トランジスタ（以下
ＦＥＴという）やＨＥＭＴの半導体増幅素子をチップ状
態で使用することが多くなっていも これは 半導体増
幅素子を収納するパッケージの寄生リアクタンスによる
帯域特性の劣化を避けるためである。
以下に従来のマイクロ波増幅器について説明する。
第３は 第４図は従来のマイクロ波増幅器の構成を示す
平面図と断面図である。図において、 １゜２はそれぞ
れマイクロストリップ線路用の入力ＭＩＣ基板、出力Ｍ
ＩＣ基板であり高周波にて誘電体損の小さいテフロン、
アルミナ、石英が用いられる。３．４はそれぞれこのＭ
ＩＣ基板の裏面にクロムや金を蒸着またはメツキした基
板接地筒５、６はそれぞれ３、４と同様の金属膜からな
るゲート電極マイクロストリップ線取 ドレイン電極マ
イクロストリップ線取 ７は入力回路の特性インピーダ
ンスをＦＥＴ入力インピーダンスに整合させるための人
力整合用スタス ８は出力回路の特性インピーダンスを
ＦＥＴ出力インピーダンスに整合させるための出力整合
用スタブ、 ９、１０はそれぞれＦＥＴに直流バイアス
を供給するためのゲート電極バイアス線区 ドレイン電
極バイアス線路であ、＆ １１は接地導Ｅ １２は
前記接地導体１１にはんだや導電性の接着剤を用いてマ
ウントされたＦＥＴベアチップ、１３、１４および１５
はそれぞれこのＦＥＴ１２のゲート電極ドレイン電極
ソース電極であり、 １６、１７および１８はそれぞれ
ゲート電極１３とゲート電極マイクロストリップ線路５
の肌 ドレイン電極１４とドレイン電極マイクロストリ
ップ線路６の肌ソース電極１５と接地導体１１の間を接
続するゲートボンディングワイヤ、 ドレインボンディ
ングワイヤ、ソースボンディングワイヤであム従来のマ
イクロ波増幅器は上記のように構成され 入力整合用ス
タブ７と出力整合用スタブ８は使用目的によって最適に
調整される。この調整方法としてｇｌ 整合回路パタ
ーンの近傍にあらかじめ島状のパターンを形成しておき
、整合回路と島状パターンをボンディングワイヤや余情
で仮接続して整合回路を最適にし 回路のパターン化を
図る。この作業の繰り返しにより整合の精度をあげてい
も 整合状態ζ上 スタブ７．８の幅と長さおよびＦＥ
Ｔ１２からの距離により決定されも発明が解決しよとす
る課題 しかしながら上記の従来の構成では接地導体１１に入力
ＭＩＣ基板１と出力ＭＩＣ基板２を正確な位置にかつ再
現性よく取り付けることが難しく、ゲート電極１３とゲ
ート電極マイクロストリップ線路５を結ぶゲートボンデ
ィングワイヤ１６、 ドレイン電極１４とドレイン電極
マイクロストリップ線路６を結ぶドレインボンディング
ワイヤＩ７の長さがそれぞれ変化し 高周波増幅器の量
産時に整合回路の再調整が必要となる。特に 増幅器の
使用周波数が高くなればなるほど、入出力ＭＩＣ基板の
取付精度が要求され この問題が顕著になる。
平面図と断面図である。図において、 １゜２はそれぞ
れマイクロストリップ線路用の入力ＭＩＣ基板、出力Ｍ
ＩＣ基板であり高周波にて誘電体損の小さいテフロン、
アルミナ、石英が用いられる。３．４はそれぞれこのＭ
ＩＣ基板の裏面にクロムや金を蒸着またはメツキした基
板接地筒５、６はそれぞれ３、４と同様の金属膜からな
るゲート電極マイクロストリップ線取 ドレイン電極マ
イクロストリップ線取 ７は入力回路の特性インピーダ
ンスをＦＥＴ入力インピーダンスに整合させるための人
力整合用スタス ８は出力回路の特性インピーダンスを
ＦＥＴ出力インピーダンスに整合させるための出力整合
用スタブ、 ９、１０はそれぞれＦＥＴに直流バイアス
を供給するためのゲート電極バイアス線区 ドレイン電
極バイアス線路であ、＆ １１は接地導Ｅ １２は
前記接地導体１１にはんだや導電性の接着剤を用いてマ
ウントされたＦＥＴベアチップ、１３、１４および１５
はそれぞれこのＦＥＴ１２のゲート電極ドレイン電極
ソース電極であり、 １６、１７および１８はそれぞれ
ゲート電極１３とゲート電極マイクロストリップ線路５
の肌 ドレイン電極１４とドレイン電極マイクロストリ
ップ線路６の肌ソース電極１５と接地導体１１の間を接
続するゲートボンディングワイヤ、 ドレインボンディ
ングワイヤ、ソースボンディングワイヤであム従来のマ
イクロ波増幅器は上記のように構成され 入力整合用ス
タブ７と出力整合用スタブ８は使用目的によって最適に
調整される。この調整方法としてｇｌ 整合回路パタ
ーンの近傍にあらかじめ島状のパターンを形成しておき
、整合回路と島状パターンをボンディングワイヤや余情
で仮接続して整合回路を最適にし 回路のパターン化を
図る。この作業の繰り返しにより整合の精度をあげてい
も 整合状態ζ上 スタブ７．８の幅と長さおよびＦＥ
Ｔ１２からの距離により決定されも発明が解決しよとす
る課題 しかしながら上記の従来の構成では接地導体１１に入力
ＭＩＣ基板１と出力ＭＩＣ基板２を正確な位置にかつ再
現性よく取り付けることが難しく、ゲート電極１３とゲ
ート電極マイクロストリップ線路５を結ぶゲートボンデ
ィングワイヤ１６、 ドレイン電極１４とドレイン電極
マイクロストリップ線路６を結ぶドレインボンディング
ワイヤＩ７の長さがそれぞれ変化し 高周波増幅器の量
産時に整合回路の再調整が必要となる。特に 増幅器の
使用周波数が高くなればなるほど、入出力ＭＩＣ基板の
取付精度が要求され この問題が顕著になる。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、ＦＥＴ１
２に対する入力ＭＩＣ基板１１ 出力ＭＩＣ基板２の
取付位置を正確にし 入出力整合回路の調整を不用にし
生産効率アップとそれによる低コスト化が可能な高周
波増幅器を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 この目的を遠戚するために本発明の高周波増幅器Ｃヨ
入力ＭＩＣ基板と出力ＭＩＣ基板を一体化した一枚の
ＭＩＣ基板からなり、半導体増幅素子をマウントするた
めに 接地導体には突起部方丈ＭＩＣ基板には前記突起
部と同型の貫通穴が設けられた構造を有していも 作用 この構造においては 接地導体上の突起部をＭＩＣ基板
の貫通穴を挿入することで基板取付位置を正確にするこ
とができる。
２に対する入力ＭＩＣ基板１１ 出力ＭＩＣ基板２の
取付位置を正確にし 入出力整合回路の調整を不用にし
生産効率アップとそれによる低コスト化が可能な高周
波増幅器を提供することを目的とすム 課題を解決するための手段 この目的を遠戚するために本発明の高周波増幅器Ｃヨ
入力ＭＩＣ基板と出力ＭＩＣ基板を一体化した一枚の
ＭＩＣ基板からなり、半導体増幅素子をマウントするた
めに 接地導体には突起部方丈ＭＩＣ基板には前記突起
部と同型の貫通穴が設けられた構造を有していも 作用 この構造においては 接地導体上の突起部をＭＩＣ基板
の貫通穴を挿入することで基板取付位置を正確にするこ
とができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも 第１図は本発明のマイクロ波増幅器の平面は第２図は断
面図であも 第１は 第２図において、５〜１８は 第
３は 第４図に示すものと同一であり、ＦＥＴ１２の入
力回路と出力回路は一枚のＭＩＣ基板１９からなる。２
０Ｕ 前記ＭＩＣ基板１９の裏面に形成された基板接
地面である。
明すも 第１図は本発明のマイクロ波増幅器の平面は第２図は断
面図であも 第１は 第２図において、５〜１８は 第
３は 第４図に示すものと同一であり、ＦＥＴ１２の入
力回路と出力回路は一枚のＭＩＣ基板１９からなる。２
０Ｕ 前記ＭＩＣ基板１９の裏面に形成された基板接
地面である。
以上のように構成されたマイクロ波増幅器においては
接地導体１１のＦＥＴをマウントする四角形突起部とＭ
ＩＣ基板の貫通穴は完全に一致しており、お互いをはめ
込むことにより、ＦＥＴとＭＩＣ基板の位置は突起部と
貫通穴の寸法精度内で安定に保たれる。この結果 高周
波増幅器を量産する際の入出力整合回路の調整は不用と
なり、高周波増幅器の生産効率アップとそれによる低コ
スト化が図られる。
接地導体１１のＦＥＴをマウントする四角形突起部とＭ
ＩＣ基板の貫通穴は完全に一致しており、お互いをはめ
込むことにより、ＦＥＴとＭＩＣ基板の位置は突起部と
貫通穴の寸法精度内で安定に保たれる。この結果 高周
波増幅器を量産する際の入出力整合回路の調整は不用と
なり、高周波増幅器の生産効率アップとそれによる低コ
スト化が図られる。
さらに この接地導体突起部をＦＥＴベアチップの大き
さに近ずければ ゲート電極とゲート電極マイクロスト
リップ線路間のゲートボンディングワイヤ、 ドレイン
電極とドレイン電極マイクロストリップ線路間のドレイ
ンボンディングワイヤの長さが短くなり、高周波での帯
域特性の劣化を改善することができる。
さに近ずければ ゲート電極とゲート電極マイクロスト
リップ線路間のゲートボンディングワイヤ、 ドレイン
電極とドレイン電極マイクロストリップ線路間のドレイ
ンボンディングワイヤの長さが短くなり、高周波での帯
域特性の劣化を改善することができる。
また上記の実施例でｉｌ 接地導体突起部は四角形と
した列上 突起部は円形や多角熱 あるいは両者を組合
せた構造としてもよ賎 半導体増幅素子もＦＥＴとした
力＜、ＨＥＭＴやバイポーラトランジスタとしてもよ賎 発明の効果 以上のように本発明は 半導体増幅素子のマウント部分
に基板貫通穴を設ζす、この穴を利用して半導体増幅素
子とＭＩＣ基板の位置を正確にすることにより、量産時
の入出力整合回路の調整が不用で、生産性が高く低コス
トな高周波増幅器を実現するものであも
した列上 突起部は円形や多角熱 あるいは両者を組合
せた構造としてもよ賎 半導体増幅素子もＦＥＴとした
力＜、ＨＥＭＴやバイポーラトランジスタとしてもよ賎 発明の効果 以上のように本発明は 半導体増幅素子のマウント部分
に基板貫通穴を設ζす、この穴を利用して半導体増幅素
子とＭＩＣ基板の位置を正確にすることにより、量産時
の入出力整合回路の調整が不用で、生産性が高く低コス
トな高周波増幅器を実現するものであも
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波増幅器の平面＠
第２図は第１図の断面は 第３図は従来のマイクロ波
増幅器の平面＠ 第４図は第３図の断面図であも ５・・・ゲート電極マイクロストリップ線区 ６・・・
ドレイン電極マイクロストリップ線区 ７・・・入力整
合用スタブ、 ８・・・出力整合用スタブ、９・・・ゲ
ート電極バイアス線取 １０・・・ドレイン電極バイア
ス線ｍ １１・・・接地導体 １２・・・Ｆ Ｅ Ｔ
。 １３ゲート電Ｋ １４・・・ドレイン電機 １５．・
。 ソース電極 １６・・・ゲートボンディングワイヤ、１
７・・・ドレインボンディングワイヤ、 １８・・・ソ
ースボンディングワイヤ、 １９・・・ＭＩＣ基に２０
・・・基板接地胤
第２図は第１図の断面は 第３図は従来のマイクロ波
増幅器の平面＠ 第４図は第３図の断面図であも ５・・・ゲート電極マイクロストリップ線区 ６・・・
ドレイン電極マイクロストリップ線区 ７・・・入力整
合用スタブ、 ８・・・出力整合用スタブ、９・・・ゲ
ート電極バイアス線取 １０・・・ドレイン電極バイア
ス線ｍ １１・・・接地導体 １２・・・Ｆ Ｅ Ｔ
。 １３ゲート電Ｋ １４・・・ドレイン電機 １５．・
。 ソース電極 １６・・・ゲートボンディングワイヤ、１
７・・・ドレインボンディングワイヤ、 １８・・・ソ
ースボンディングワイヤ、 １９・・・ＭＩＣ基に２０
・・・基板接地胤
Claims (1)
- 半導体増幅素子のマウント部に貫通穴を設けた高周波
集積回路基板と前記高周波集積回路基板の貫通穴と嵌合
する突起部を有する接地導体を具備し、前記接地導体の
突起部に半導体増幅素子をマウントし、更に前記高周波
集積回路基板の貫通穴に前記接地導体の突起部を挿入し
てなることを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088533A JPH03286611A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088533A JPH03286611A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286611A true JPH03286611A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13945476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2088533A Pending JPH03286611A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286611A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
| JP2008252804A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 整合回路、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| JP2013118571A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Toshiba Corp | パッケージ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271301A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路装置 |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2088533A patent/JPH03286611A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271301A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
| JP2008252804A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 整合回路、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| JP2013118571A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Toshiba Corp | パッケージ装置 |
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