JPH02161738A - Tab用テープキャリア - Google Patents

Tab用テープキャリア

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JPH02161738A
JPH02161738A JP31711288A JP31711288A JPH02161738A JP H02161738 A JPH02161738 A JP H02161738A JP 31711288 A JP31711288 A JP 31711288A JP 31711288 A JP31711288 A JP 31711288A JP H02161738 A JPH02161738 A JP H02161738A
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護 御田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、実装される半導体集積回路素子(以下、IC
素子という)の複数の電極に接合可能な長いインナーリ
ードを有するTAB用テープキャリアに関する。
〈従来の技術〉 従来のTAB用テープキャリアにおいては、1木のイン
ナーリードとIC素子の電極1個とを接合するように構
成されていた。 第4図に従来構造のTAB用テープキ
ャリア、の平面図を示す。 同図に示すように、従来の
TAB用テープキャリア30は、中央にIC素子取付用
デバイスホール14、両側に所定間隔で空けられたパイ
ロットホール18を有する有機絶縁性フィルム12と、
その上に所定のリードパターンで形成されたり−ド16
からなり、リード16のインナーリード26はデバイス
ホール14に延伸しており、アウターリード28は有機
絶縁性フィルム12に貼着されている。
TAB用テープキャリアの構造は、第4図に示すように
インナーリード26のデバイスホール14への延伸長さ
は各リード共、同じ長さに設計されている。 この延伸
長さは通常0.05〜0110mmの突き出しであり、
リードの幅は0.05〜0.08mm、  リードの厚
さは0. 018〜0. 035mmの銅箔からなるフ
ィンガー状である。 第5図にはIC素子20の取付の
構造を示すが、同図に示すようにIC素子20の外周に
配列された電極22に対して位置合せして接合されてい
る。 電極22は約20μmの厚さのAuめつ咎電極で
あり、これと半田あるいは錫めっきされたインナーリー
ド26が加熱ツールにより接合される構造となっている
〈発明が解決しようとする課題〉 現在、TAB用パッケージは高速化が進んでおり、発熱
が問題となるが、従来のモールド型のパッケージと比較
して薄型で熱放散性が良いため、パソコン用等の高速の
論理演算素子等への応用が広まって来た。
これは有機絶縁性フィルムであるポリイミドの誘電率が
小さいため伝送の遅延時間が小さく高速化に有利なため
でもある。 この伝送遅延時間は回路のインピーダンス
に比例するので、発熱によるインピーダンスの上昇は高
速化に不利となる。 この点TAB用テープキャリアは
薄型パッケージで発熱を小さくおさえることができる面
でも、高速比に有利である。
しかし、コンピューターの論理演算素子用として用いる
場合には、素子の高集積化により駆動電圧を益々高くす
る必要があり電源供給用のIC素子電極を多数設ける必
要がでてきた。
この電源供給用の電極はIC素子の外周に配置するより
もIC素子の内側にも集約して何点かに分散させた方が
、配線抵抗を小さくできることから好ましい。 これに
は従来構造のTAB用テープキャリアでは1リード1電
極の1=1の接合点しか取れず都合が悪かった。
ところで、IC素子の複数の電源用電極と接合させるた
めに、リードの幅を広くして大り一層34を用い、第3
図の様な配列ももちろん考えられるが電極を外周に集め
る分、素子が大ぎくなり、かつ電源電極を分散出来ない
制約がある。
また、IC素子のモールド型パッケージではTABテー
プキャリアの代りにリードフレームを用いているが、こ
の場合も複数の電源電極からリードフレームのインナー
リード1本に複数のAuワイヤをボンディングすること
が考えられる。 しかし、この場合も、IC素子の電極
をIC素子の内側に設けるとボンディングAuワイヤの
長さが長くなってしまい、樹脂モールド時前記ワイヤが
切れやすくなる。 一方、ボンディングAuワイヤの長
さを長くしないためには、第3図に示すように、電極は
IC素子の外周にしか設けることができず、IC素子を
大きくしなければならなくなってしまう。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、イン
ナーリードの長さを長くしであるいは形状を変えて、1
本のインナーリードとIC素子の複数の電極とを接合す
ることにより、IC素子の駆動用電源電極のIC素子の
内側配列に対応でき、また入出力の信号を複数の電極か
ら取り出すことのできるTAB用テープキャリアを提供
するにある。
く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明は、半導体集積回路
素子組み込み用デバイスホールを有する有機絶縁性フィ
ルムテープと、該有機絶縁性フィルム上に所定のリード
パターンで形成された複数の金属箔リードとを備え、 前記金属箔リードのうち少なくとも1木の金属箔リード
のインナーリードを前記半導体集積回路素子の複数の電
極に接合できるように他の金属箔リードより長くしたこ
とを特徴とするTAB用テープキャリアを提供するもの
である。
前記複数の金属箔リードは、全金属箔リードの10%以
上が他よりも長いインナーリードを有するものであるの
が好ましい。
また、前記有機絶縁性フィルムは、ポリイミドフィルム
またはガラスエポキシフィルムであるのが好ましい。
また、前記金属箔は、銅箔または銅合金箔であるのが好
ましい。
以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に用いられる有機絶縁性フィルムは、所定幅の長
尺のテープであって、加工性がよく、耐熱性、耐放射線
性、耐湿性などを有し、絶縁性に優れた有機高分子材料
製フィルムであれば何でもよく、有機絶縁材料としては
、例えば、代表的にポリイミド、ガラスエポキシ、エポ
キシ樹脂、エポキシポリイミド、ポリイミドシリコーン
、感光性ポリイミドなどを挙げることができる。 この
テープの厚さはTAB用テープキャリアに用いられるテ
ープ厚を有していればよく、特に限定されないが、例え
ば、通常75〜125μm程度とすればよい。
また、本発明に用いられる金属箔としては、導電性のよ
い金属製でフすトエッチング法などにより、リードパタ
ーンを形成できる金属箔であれば、いかなるものでもよ
く、例えば代表的に銅箔、銅合金箔などが挙げられる。
また、この金属箔の厚さは特に限定的ではなく、TAB
用テープキャリアとして必要な厚さを両面の金属箔のリ
ードパターン、剛性等により適宜選択すればよいが、例
えば、18〜35μm程度とすればよい。
本発明のTAB用テープキャリアは、テープ状の有機絶
縁性フィルム上に接着剤により金属箔を貼着し、フォト
エツチング等により、IC素子に対応するリードパター
ンを形成したものであるが、デバイスホール内のインナ
ーリードを除き、従来のTAB用テープキャリアと同じ
である。 従って、金属箔層に形成されるリートパター
ンは第1図および第2図に示すリードパターンに限定さ
れるものではなく、搭載されるIC素子に応じて適宜必
要なリードパターンとすればよい。
本発明の最も特徴とするところは、デバイスホール内に
延伸するインナーリードの長さを長くして、IC素子の
複数の電極と接合できるようにしたことにある。 この
長いインナーリードの長さや形状は、接合するIC素子
の複数の電極に応じて定めればよいが、長いインナーリ
ードは全リードの10%以上とするのが好ましい。
本発明においては、この長いインナーリードは、発熱等
が問題となる電源供給電極を2点あるいは3点以上の複
数点に分けて設け、この複数点と接合するのに用いる。
IC素子の複数の電極に同一の信号を入力したい場合あ
るいは出力信号を複数の電極から時間を置いて順次取出
すような場合、本発明の長インナーリードの多点接合が
有利である。 ここで、本発明の長インナーリードの多
点接合可能なTAB用テープキャリアでは、インナーリ
ードが平面の銅箔などの金属箔であり、上述したような
、ワイヤボンディングするリードフレームのボンディン
グワイヤが長いために生じる断線等の問題が少ないばか
りか、封止する際に、液状レンジで封止するためにリー
ド切れなどの心配がない。
本発明に用いられる接着剤は、金属箔を有機絶縁性フィ
ルムに好適に貼り付けることができればどのようなもの
でもよく、絶縁性を有し、耐熱性、耐湿性を有するもの
が好ましく、例えば、代表的にエポキシ系接着剤、ウレ
タン系接着剤、シリコーン樹脂系接着剤などが挙げられ
る。
〈実施例〉 以下に、本発明に係るTAB用テープキャリアを添付の
図面に示す好適実施例に基づいてさらに詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるわけではない。
第1図および第2図は、本発明のTAB用テープキャリ
アの部分平面図である。
同図に示すように、本発明のテープキャリア10は、中
央にデバイスホール14を有する有機絶縁性フィルム1
2と、有機絶縁性フィルム12上に接着剤層を介して所
定のリードパターンで、形成された複数の金属箔リード
16(第1図、第2図には一部のみ示す。)とを有して
いる。 フィルム12は両側に所定間隔で連続する搬送
用のパイロットホール18が設けられている。
リード16は本発明の最も特徴とする部分で、IC素子
20組み込み用デバイスホール14に延伸し、IC素子
電極22と接合される多電極接合用の長いインナーリー
ド24または1電極接続用の短いインナーリード26と
配線基板に接続されるアウターリード28から構成され
る。
ここで多電極接合用の長インナーリード24は全リード
16の10%以上とするのが好ましい。
この理由は、10%以上とすると、電源電極用として分
散させた時の熱放散効果が犬で、同一信号を多数の電極
へ入力したり、多数の出力を同時にあるいは時間差で多
数順次取り出す場合のIC素子の小型化が図れるからで
ある。
長インナーリード24を電源供給電極用とする場合には
電源電圧の上昇に対応できるように、短インナーリード
26より幅を太くしてもよい。
(実施例1) 第2図に示すTAB用テープキャリアを、有機絶縁性フ
ィルム12として0.125mm厚、幅35mmのポリ
イミドテープを用い、金属箔として圧延銅箔を用いて作
製した。
このポリイミドテープの表面にはエポキシ系の熱融着型
の接着剤が塗布されており、このテープにデバイスホー
ル14をプレスパンチングにより開口させた後、35μ
mの厚さの圧延銅箔26.3mm幅を貼付けた後、フォ
トエツチング法によりインナーリド10ビンのTABテ
ープキャリア10を作製した。
インナーリードの形状は幅0.65mmであり、長さは
短インナーリード26がデバイスホール14の壁面から
の突き出しが0.45mm、長インナーリード24は1
.1mmに設計した。 第2図では、電極パッド22の
数とインナーリード24.26の数は省略して図示しで
あるがインナーリード24.26のピッチは1.50m
mである。
(実施例2) 実施例1において長インナーリード24のリード幅を0
.95mmと太くして電源入力のアップに対応できる構
造とした。
実施例1.2の両方共電極との接合はインナーリードへ
の0.5μmの無電解錫めっきを施して、従来通りの方
法でギヤングボンディング(Gang Bonding
 ニー括接合)した。
この結果、実施例1.2共rc素子の小型化が図れ、約
10%小さくできた。 また、発熱を分散させて、小さ
くできた。
〈発明の効果〉 以上、詳述したように、本発明によれば、インナーリー
ドの一部を多電極接合可能なインナーリードとしたので
、電源供給用として用いた場合、IC素子電極の発熱を
分散させることができるので、電極当りの発熱を小さく
できるTAB用テープキャリアを提供できる。
また、本発明によれば、この多電極接合周長インナーリ
ードを用いるので、IC素子の外周のみならず、内部に
もIC素子電極を配置できるので、IC素子の小型化を
図ることができる。  ここで、上記長インナーリード
の割合を全リードの10%以上とすると、約10%のI
C素子の小型化が可能となる。
また、本発明によれば、出力信号を複数のIC素子電極
から取り出すことができ、人力信号を複数のIC素子電
極に送ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るTAB用テープキャリアの部分
平面図である。 第2図は、本発明に係るTAB用テープキャリアの平面
図である。 第3図は、従来のTAB用テープキャリアの部分平面図
である。 第4図は、従来のTAB用テープキャリアの部分平面図
である。 第5図は、IC素子が取り付けられた従来のTAB用テ
ープキャリアの斜視図である。 符号の説明 10.30,32・・・ TAB用テープキャリア、 12・・・有機絶縁性フィルム、 14・・・デバイスホール、 16・・・リード、 18・・・パイロットホール、 20・・・IC素子、 22・・・IC素子電極、 24・・・長インナーリード、 26・・・(短)インナーリード、 28・・・アウターリード、 34・・・太いリード FIG、1

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路素子組み込み用デバイスホールを
    有する有機絶縁性フィルムテープと、該有機絶縁性フィ
    ルム上に所定のリードパターンで形成された複数の金属
    箔リードとを備え、前記金属箔リードのうち少なくとも
    1本の金属箔リードのインナーリードを前記半導体集積
    回路素子の複数の電極に接合できるように他の金属箔リ
    ードより長くしたことを特徴とするTAB用テープキャ
    リア。
  2. (2)前記複数の金属箔リードは、全金属箔リードの1
    0%以上が他よりも長いインナーリードを有するもので
    ある請求項1に記載のTAB用テープキャリア。
  3. (3)前記有機絶縁性フィルムは、ポリイミドフィルム
    またはガラスエポキシフィルムである請求項1または2
    に記載のTAB用テープキャリア。
  4. (4)前記金属箔は、銅箔または銅合金箔である請求項
    1ないし3のいずれかに記載のTAB用テープキャリア
JP31711288A 1988-12-15 1988-12-15 Tab用テープキャリア Granted JPH02161738A (ja)

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JPH02161738A true JPH02161738A (ja) 1990-06-21
JPH0586065B2 JPH0586065B2 (ja) 1993-12-09

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0498446A2 (en) * 1991-02-08 1992-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same
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