JP2019068037A5 - - Google Patents
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- 多結晶体を含む半導体焼結体であって、
前記多結晶体は、シリコン、又はシリコン合金を含み、
前記多結晶体を構成する結晶粒の平均粒径が１μｍ以下であり、
電気伝導率が１０，０００Ｓ／ｍ以上である、半導体焼結体。 - リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選択される１つ以上のドーパントを含有する、請求項１に記載の半導体焼結体。
- ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムから選択される１つ以上のドーパントを含有する、請求項１に記載の半導体焼結体。
- ゼーベック係数が−１５０〜５０μＶ／Ｋである、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体焼結体。
- 請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体焼結体を含む電気・電子部材。
- シリコン又はシリコン合金を含み、平均粒径が１μｍ以下である粒子を準備する粒子準備ステップと、
前記粒子の表面に、ドーパント元素を含む被膜を形成する被膜形成ステップと、
前記被膜が表面に形成された粒子を焼結して、半導体焼結体を得る焼結ステップと
を含む、半導体焼結体の製造方法。 - 前記ドーパント元素が、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選択される１つ以上を含む、請求項６に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記ドーパント元素が、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムから選択される１つ以上を含む、請求項６に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記焼結ステップを、９００℃以上の温度で行う、請求項６から８のいずれか一項に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記焼結ステップが、放電プラズマ焼結を行うことを含む、請求項６から９のいずれか一項に記載の半導体焼結体の製造方法。
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