KR101774649B1

KR101774649B1 - 나노복합체형 열전소재 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR101774649B1
Application number: KR1020150143638A
Authority: KR
Inventors: 김병욱; 송경화; 이한샘; 곽진우; 여인웅; 노수정; 이우영; 김관식; 조성미
Original assignee: 현대자동차주식회사; 연세대학교 산학협력단
Priority date: 2015-10-14
Filing date: 2015-10-14
Publication date: 2017-09-04
Also published as: KR20170043938A; CN106601900A; US10644214B2; JP6727033B2; DE102016206156B4; CN106601900B; US20170110644A1; JP2017076775A; DE102016206156A1

Abstract

본 발명은 Mg, Si, Al 및 Bi를 포함하는 기지상 및 Bi 및 Mg를 포함하는 2차상을 포함하는 나노복합체형 열전소재를 제공한다.
본 발명의 나노복합체형 열전소재는 증대된 제벡계수를 나타냄과 동시에 감소된 열전도도를 나타내어 우수한 성능지수 증대 효과를 나타냄으로써 효율이 높은 열전소자 구현에 유용하게 사용될 수 있다.

Description

나노복합체형 열전소재 및 이의 제조방법 {Thermoelectric nanocomposite and process for producing the same}

본 발명은 열전기 변환 효율이 높은 고성능 나노복합체형 열전소재에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전소재 기지 및 나노크기의 2차상을 포함하는 나노복합체형 열전소재에 관한 것이다.

열전현상은 고체상태의 소재를 통한 열과 전기의 가역적이고 직접적인 에너지 변환 현상으로서, 열전소재 내부의 전자(electron) 또는 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상이다.

외부로부터 전류를 인가하여 열이 방출되거나 흡수되는 펠티어 효과(Peltier effect)와 소재 양단의 온도차로부터 기전력이 발생하는 제벡 효과(Seebeck effect), 및 소정의 온도 기울기를 가지는 소재에 전류가 흐르면 열이 방출되거나 흡수되는 톰슨 효과(Thomson effect)를 포함한다.

펠티어 효과를 이용하면 가스압축기 및 냉매가스가 필요 없는 냉각 시스템 구현이 가능하다. 또한 제벡 효과를 이용하면 컴퓨터, 자동차 엔진 등에서 발생하는 열이나 각종 산업 폐열 등을 전기 에너지로 변환할 수 있다. 최근 차량 연비 증대를 포함하여 에너지 사용 효율 증대 기술에 대한 필요성의 증가로 열전소재를 이용한 발전시스템에 대한 관심도 함께 높아지고 있다. 열전냉각 및 열전발전 효율은 열전소재의 성능과 직결되어 현재 소형 및 특수 냉각분야에 제한적으로 응용되는 한계 극복을 위해서는 고성능 소재개발이 핵심이다.

열전소재의 성능을 나타내는 열전기 에너지 변환 효율은 하기 수학식 1의 무차원 성능지수(Dimensionless figure of merit, ZT)에 의하여 정의된다.

<수학식 1>

상기 식에서, S는 제벡계수, σ는 전기전도도, T는 절대온도, κ는 열전도도이다.

열전성능 즉, ZT 증대를 위해서는 높은 제벡계수, 높은 전기전도도 및 낮은 열전도도를 동시에 발현하는 열전소재가 필요하나, 일반적으로 제벡계수, 전기전도도는 전하농도(carrier concentration)에 대해 상충(trade-off) 관계를 나타내고 및 전기전도도와 열전도도는 독립적인 변수가 아니고 상호 영향을 받기 때문에 높은 ZT의 소재를 구현하는 것은 용이하지 않다.

열전소재 성능 증대를 위한 중요한 전략 중 하나는 나노구조체를 제조하는 것으로 그레인(grain)의 크기를 나노크기로 작게하여 입계(grain boundary)의 밀도를 증가한 나노그레인 구조체를 제조하거나 나노크기의 2차상을 도입하여 열전소재 기지(matrix)와 2차상 간의 상경계(phase boundary)를 형성한 나노복합체를 제조하는 것으로, 입계 및 상경계에서 포논(phonon) 산란이 증가함에 의하여 열전도도가 감소하고, 캐리어 필터링(carrier filtering) 효과로부터 제백계수와 전기전도도의 상충관계가 붕괴됨에 의하여 ZT가 향상될 수 있다.

나노구조체는 0차원 양자점(quantum dot), 1차원 나노선(nanowire), 2차원 나노플레이트(nano plate) 및 초격자(superlattice) 박막을 통하여 제조가 가능하나 실제 응용을 위해서는 벌크(bulk) 형태에서 높은 ZT를 제공하는 나노구조체 소재가 요구된다.

Mg-Si계 열전소재는 무독성, 저가 원료, 낮은 밀도 등의 특징으로 중온용 특히 차량용 열전발전소재로의 적용 가능성이 높은 소재이다. 낮은 열전도도와 높은 파워팩터(전기전도도와 제백계수의 제곱을 곱한 값)를 동시에 구현하여 열전성능이 향상될 수 있는 Mg-Si계 열전소재에 대하여, Mg, Si, Al, Bi를 특정 조성으로 구성하는 기지상 및 Bi 및 Mg를 특정 조성으로 구성하는 나노크기의 2차상을 포함하는 나노복합체형 열전소재를 제공한다.

따라서, 본 발명은 상기의 나노복합체형 열전소재 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 구현예에 따라, Mg, Si, Al 및 Bi를 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 기지상; 및 Bi 및 Mg를 포함하고, 하기 화학식 2로 표시되는 2차상을 포함하는 나노복합체형 열전소재가 제공된다.

<화학식 1>

Mg2-xAlxSi1-yBiy (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04)

<화학식 2>

Bi2Mg3±z (0 ≤ z ≤ 0.1)

상기 기지상은 Sn을 추가로 포함할 수 있으며, 이 경우 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.

<화학식 3>

Mg2-xAlxSi1-y-wBiySnw (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04, 0 ≤ w < 0.5)

일 구현예에서, 상기 2차상은 평균입경 1 내지 500 nm 크기일 수 있으며, 기지상 100 중량부에 대하여 0.1 내지 4.0 중량부로 포함될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따라, (a) 나노복합체 원료 분말을 준비하는 단계 및 (b) 단계(a)에서 얻어진 상기 나노복합체 원료 분말을 소결하여 나노복합체형 열전소재를 제조하는 단계를 포함하는 나노복합체형 열전소재의 제조방법이 제공된다.

본 발명에 의해, Mg, Si, Al 및 Bi를 특정 조성으로 구성하는 기지상 및 Bi 및 Mg를 특정 조성으로 구성하는 2차상을 포함하는 나노복합체형 열전소재가, 기지상인 매트릭스 내에 2차상이 나노게재물(nanoinclusion) 형태로 형성되어 있어 기지상과 2차상 사이에 고밀도의 상경계(phase boundary)를 형성하며, 이러한 상경계에서 밴드 벤딩(band bending)에 의한 캐리어 필터링(carrier filtering) 효과로 증대된 제벡계수를 나타낼 뿐만 아니라, 이러한 상경계에서의 포논 산란으로 감소된 격자열전도도를 나타냄으로써, 제벡계수 증대 및 격자열전도도 저감을 동시에 구현하여 증대된 성능지수 특성을 나타낸다는 것이 밝혀졌다.

따라서, 본 발명의 나노복합체형 열전소재는 높은 열전효율이 요구되는 열전디바이스에 유용하게 사용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 나노복합체형 열전소재의 기지상인 Mg2-xAlxSi1-yBiy 및 2차상인 Bi2Mg3 나노게재물(nanoinclusion) 구조를 개략적으로 나타낸 개략도이다.
도 2는 실시예 1에서 제조된 열전소재의 미세 구조(Mg2-xAlxSi1-yBiy 기지 및 Bi2Mg3 나노게재물)를 나타내는 주사전자현미경(SEM) 이미지이다.
도 3은 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 전기전도도(electrical conductivity) 측정 결과이다.
도 4는 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 제벡계수(Seebeck coefficient) 측정 결과이다.
도 5는 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 파워팩터(Power factor) 측정 결과이다.
도 6은 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 전하밀도와 제벡계수의 관계를 나타낸 Pisarenko plot이다.
도 7은 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 열전도도(thermal conductivity) 측정 결과이다.
도 8은 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 격자열전도도(lattice thermal conductivity) 측정 결과이다.
도 9는 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 성능지수(ZT) 측정 결과이다.

<화학식 1>

Mg₂ _- _xAl_xSi₁ _- _yBi_y (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04)

<화학식 2>

Bi₂Mg_3±z (0 ≤ z ≤ 0.1)

상기 나노복합체형 열전소재는 n-형 반도체 특성의 기지상에 나노 크기의 나노게재물인 2차상이 내포(embedding)된 상태로 분산됨으로써 새로운 계면이 형성되어 실질적으로 나노구조가 도입되는 효과를 가져 온다. 따라서, 상기 계면에서 포논의 산란이 증가되어 격자열전도도를 낮출 수 있다. 또한, 상기 나노복합체형 열전소재에서 기지상과 2차상의 조성이 서로 다르므로, 상기 기지상과 2차상의 조성을 조절하여 캐리어의 선택적 수송을 가능하게 할 수 있다. 즉, 상기 기지상과 2차상의 조성을 조절함에 의하여 기지상/2차상 계면에서 에너지 장벽(barrier)의 크기를 조절할 수 있다. 상기 에너지 장벽의 크기를 조절함에 의하여 파워팩터(S²σ)에 대한 기여도가 큰 캐리어만을 선택적으로 수송하는 캐리어 필터링(carrier filtering) 효과가 얻어질 수 있다. 상기 캐리어 필터링 효과에 의하여, 제벡계수가 증가되며, 결과적으로 성능지수가 향상될 수 있다.

상기 나노복합체형 열전소재에서 2차상은 기지상의 입내(intragrain)에 존재할 수 있다. 또한 상기 2차상이 기지상의 입계(grain boundary)에도 존재할 수 있다. 상기 2차상은 원료 분말을 열처리 하는 과정에서 Mg가 휘발되는 과정 중에 형성될 수 있다.

일 구현예에서, 상기 2차상은 Bi₂Mg₃로 표시될 수 있다.

상기 나노복합체형 열전소재에서 나노크기의 2차상은 평균입경 1 ㎛ 미만의 크기를 가지는 2차상을 의미한다. 예를 들어, 상기 2차상의 평균입경은 1 내지 900 nm일 수 있으며, 바람직하게는 평균입경 1 내지 700 nm일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 기지상의 carrier 평균 자유행로(mean free path) 보다 작은 입경 1 내지 500 nm일 수 있다. 2차상이 기지상의 carrier 평균 자유행로(mean free path) 보다 클 경우에는 포논 뿐 아니라 carrier도 산란하여 전기전도도에 저하가 발생할 수 있어 ZT 증대 효과가 제한될 수 있다.

일 구현예에서, 상기 2차상은 기지상 100 중량부에 대하여 0.1 내지 4.0 중량부로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 나노복합체형 열전소재가 더욱 향상된 성능지수를 제공할 수 있다.

상기 나노복합체형 열전소재는 상술한 기지상 내에 분산된 나노 크기의 2차상 구조 및 상기 특정 조성에 의하여 종래의 열전소재에 비하여 현저히 향상된 ZT 값을 제공할 수 있다. 즉, 상기 나노복합체형 열전소재는 873K에서 1.0 이상의 성능지수(ZT)를 가질 수 있다.

본 발명의 나노복합체형 열전소재는 기지상인 매트릭스 내에 2차상이 나노게재물 형태로 형성되어 있어 기지상과 2차상 사이에 고밀도의 상경계를 형성한다. 상경계밀도는 350 내지 4200 cm²/cm³ 일 수 있다.

본 발명의 나노복합체형 열전소재는 상경계에서 밴드벤딩에 의한 캐리어 필터링 효과로 증대된 제벡계수를 나타낼 뿐만 아니라, 이러한 상경계에서의 포논 산란으로 감소된 격자열전도도를 나타냄으로써, 제벡계수 증대 및 열전도도 저감을 동시에 구현하여 증대된 성능지수 특성을 나타낸다.

상기 나노복합체형 열전소재는 벌크상(bulk)일 수 있다. 상기 벌크상 나노복합체형 열전소재는 복합체 원료 분말(composite base material powder)의 가압소결에 의하여 제조되는 가압소결체일 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따라, (a) 나노복합체 원료 분말을 준비하는 단계; 및 (b) 단계(a)에서 얻어진 상기 나노복합체 원료 분말을 소결하여 나노복합체형 열전소재를 수득하는 단계를 포함하는 나노복합체형 열전소재의 제조방법이 제공된다.

상기 단계(a)는 나노복합체형 열전소재를 제조하기 위한 나노복합체 원료 분말을 준비하는 단계이다.

구체적으로, 열전소재의 전구체(예를 들어, 원료 금속)를 소정의 비율로 혼합한 후 10 내지 90 MPa의 압력에서 냉간 압축하여 전구체의 팰릿을 제작할 수 있다. 이 후, 전구체 팰릿은 진공에서 2 내지 10 시간동안 열처리를 통해 나노복합체형 열전소재를 제조할 수 있으나, 반드시 이러한 조건으로 한정되지 않으며, 열전소재의 성능지수를 향상시킬 수 있는 범위 내에서 적절히 변경될 수 있다.

이 후, 상기 복합체 원료는 볼 밀링(ball milling), 어트리션 밀링(attrition milling), 고에너지 밀링(high energy milling), 제트 밀링(zet milling), 막자 사발 등에서 분쇄하는 방법 등으로 분쇄될 수 있으나, 반드시 이들로 한정되지 않으며, 건식으로 원료를 분쇄하여 분말을 제조하는 방법으로서 당해 기술분야에서 사용할 수 있는 것이라면 모두 가능하다.

상기 단계(b)는 단계(a)에서 얻어진 상기 나노복합체 원료 분말을 소결하여 나노복합체형 열전소재를 제조하는 단계이다.

상기 소결은 통상적으로 사용되는 소결 공정에 의하여 수행될 수 있으며, 예를 들어, 가압소결되어 얻어질 수 있다. 구체적으로, 복합체 원료 분말을 소정 형상의 몰드에 가하고 고온, 예를 들어 약 500 내지 900℃ 및 고압, 예를 들어 약 30 내지 300 MPa에서 성형하는 핫 프레스 법에 의하여 제조할 수 있다. 예를 들어, 복합체 원료 분말에 고압의 조건에서 고전압 전류, 예를 들어 약 30 내지 300 MPa의 압력조건에서 약 50 내지 500 A를 통전하여 짧은 시간에 재료를 소결하는 스파크 플라즈마 소결법에 의하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 나노복합체형 열전소재 원료 분말에 가압 성형시 고온, 예를 들어 약 500 내지 900 ℃을 가하여 압출소결하여 가공하는 핫 포징법에 의하여 제조될 수 있다.

또한, 상기 소결은 스파크 플라즈마 소성법(Spark Plasma Sintering method) 등을 이용하여 소결이 600 내지 800℃의 온도, 1 내지 100 MPa의 압력 및 진공에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있으나, 반드시 이러한 조건으로 한정되지 않으며, 상기 나노복합체형 열전소재의 성능지수를 향상시킬 수 있는 범위 내에서 적절히 변경될 수 있다.

상기 소결 공정에 의해 제조된 나노복합체형 열전소재는 이론치 밀도의 약 70 내지 100%에 달하는 밀도를 가질 수 있다. 상기 이론치 밀도는 분자량을 원자부피로 나뉘어 계산되며, 격자상수로 평가될 수 있다. 예를 들어, 약 95 내지 100%의 밀도를 갖게 되고, 그에 따라 보다 증가된 전기전도도를 나타낼 수 있다.

상기 벌크상 나노복합체형 열전소재는 다양한 형태로 제조될 수 있으므로 1 mm 이하의 얇은 고효율 열전소자를 구현할 수 있다. 상기 나노복합체형 열전소재는 벌크상으로 제조가 용이하며, 벌크상에서도 높은 성능지수를 제공하므로 상업적 적용 가능성이 높다.

상기 소결과정에서 2차상이 석출되어 나노복합체형 열전소재가 형성될 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예 및 시험예를 통하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 하기 실시예 및 시험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다.

실시예 1. Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.03 + Bi₂Mg₃(Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.03의 2.6% 중량비)의 제조

열전소재의 전구체(예를 들어, 원료 금속)를 소정의 비율로 혼합한 후 막자 사발에서 10 내지 30 분간 섞어준다. 섞어준 원료의 분말을 10 내지 90 MPa의 압력에서 냉간 압축하여 전구체의 팰릿을 제작한다. 이 후, 압축한 전구체 팰릿을 보트형 쿼츠에 장입하고 이를 원형 퍼니스에서 진공 하에 4 내지 10 시간동안 열처리하여 Mg-Si계 나노복합체형 열전소재 분체를 제조한다.

이 후, 상기 복합체 원료는 막자 사발에서 분쇄를 통해 50㎛ 이하의 분말을 제조한다.

또한, 스파크 플라즈마 소성법(Spark Plasma Sintering method)을 이용하여 600 내지 800 ℃의 온도, 1 내지 100 MPa의 압력 및 진공에서 1 내지 10분 동안 수행한다.

도 2에 나타난 바와 같이, 제조된 열전소재에서는 Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.03 매트릭스 및 매트릭스 내에 존재하는 Bi₂Mg₃ 나노게재물의 구조를 확인할 수 있다. 제조된 열전소재의 전체 조성은 유도 결합 플라즈마(Inductive Coupled Plasma, ICP) 분석을 통하여 확인한 결과, Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.03 + Bi₂Mg₃(Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.03의 2.6% 중량비)였다.

실시예 2. Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _.04 + Bi₂Mg₃(Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.96Bi₀ _.04의 4.0% 중량비)의 제조

실시예 1과 동일한 방법으로 복합 열전소재를 제조하였다.

실시예 3. Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.97Bi₀ _.03 + Bi₂Mg₃(Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.97Bi₀ _.03의 1.7% 중량비)의 제조

실시예 1과 동일한 방법으로 복합 열전소재를 제조하였다.

실시예 4. Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.96Bi₀ _.04 + Bi₂Mg₃(Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.96Bi₀ _.04의 2.4% 중량비)의 제조

실시예 1과 동일한 방법으로 복합 열전소재를 제조하였다.

비교예 1. Journal of Physics and Chemistry of Solids 75 (2014) 984

열전소재의 전구체(예를 들어, 원료 금속)를 소정의 비율로 혼합한 후 1시간 볼밀링을 한다. 이 후, 500 MPa의 압력에서 냉간 압축하여 전구체의 팰릿을 제작한다. 진공에서 1 시간동안 열처리하여 Mg-Si계 열전소재 분체를 제조한다.

이 후, 상기 원료는 핫 프레스 소성법(Hot Press Sintering method)을 이용하여 700 내지 900 ℃의 온도, 1 내지 100 MPa의 압력 및 진공에서 30 내지 100분 동안 수행한다.

시험예 1. 전기전도도, 제벡계수 및 파워팩터의 측정

ULVAC-RIKO사 ZEM-3를 이용하여 비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 전기전도도 및 제벡계수를 측정하여, 그 결과를 각각 도 3 및 도 4에 나타내었다. 전기전도도와 제벡계수 측정결과로부터 파워팩터를 산출하여 도 5에 나타내었다.

실시예 1 내지 4는 비교예와 비교했을 때 전기전도도는 낮으나, 제벡계수가 높은 값을 나타내었다. 이는 밴드 밴딩에 의한 캐리어 필터링 효과에 의한 것으로 판단할 수 있다. 따라서 도 5와 같이 파워팩터를 산출하였을 때 실시예 1내지 4에서 제조된 열전소재가 비교예에서 제조된 열전소재 대비 약 20%의 증가를 나타내었다.

시험예 2. 열전도도, 파워팩터 및 성능지수( ZT )의 측정

Netzsch LFA-457(Laser Flash 법)을 이용하여 측정된 열확산율(Thermal Diffusivity)로부터 열전도도를 계산하여 도 7에 나타내었다. 상기 결과로부터 계산된 격자열전도도 및 열전 성능지수(ZT)는 각각 도 8 및 9에 나타내었다.

도 7, 8에서 볼 수 있듯이 비교예 대비 실시예 1 내지 4에서 감소된 열전도도를 확인할 수 있다. 이는 상경계에서의 포논 산란으로 인해 감소된 것이라고 판단할 수 있다. 따라서 최종적으로 도 9에서 열전성능지수를 산출하였을 때 실시예 1내지 4에서 제조된 열전소재와 비교예에서 제조된 열전소재를 비교하면, 파워팩터의 증가와 열전도도의 감소를 통해 열전성능지수 약 45%의 증가를 나타내었다.

분석예 1. Pisarenko plot 의 도출

van der Pauw configuration 방법을 이용하여 측정된 캐리어 농도로부터 제벡 계수와의 상관관계를 보인 Pisarenko plot을 도출하여 도 6에 나타내었다.

비교예, 실시예 1 내지 4에서 제조된 열전소재의 전자 구조의 변형에 의해 전자의 유효 질량 값이 변화하는 것을 확인할 수 있다.

Claims

n-형 반도체 특성의 기지상인 매트릭스; 및
Bi 및 Mg를 포함하고 상기 매트릭스 내에 임베딩된 2차상의 나노게재물을 포함하되,
상기 매트릭스는 Mg_2-xAl_xSi_1-YBi_Y (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04)인 나노복합체형 열전소재.
제 1항에 있어서,
상기 나노게재물은 Bi₂Mg₃ _±z (0 ≤ z ≤ 0.1)인 나노복합체형 열전소재.
삭제
제 1항에 있어서,
상기 매트릭스는,
Mg_2-XAl_xSi_1-Y-WBi_YSn_W (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04, 0 ≤ w < 0.5)인 나노복합체형 열전소재.
제1항에 있어서,
상기 나노게재물이 평균입경 1 내지 500 nm 크기인 것을 특징으로 하는 나노복합체형 열전소재.
제1항에 있어서,
상기 나노게재물이 상기 매트릭스 100 중량부에 대하여 0.1 내지 4.0 중량부인 것을 특징으로 하는 나노복합체형 열전소재.
제 6항에 있어서,
상기 매트릭스는 Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _. ₀₃ 이고, 상기 나노게재물은 Bi₂Mg₃ 이며, 상기 나노게재물은 상기 매트릭스에 대하여 중량비 2.6% 인 나노복합체형 열전소재.
제 6항에 있어서,
상기 매트릭스는 Mg₁ _.98Al₀ _.02Si₀ _.97Bi₀ _. ₀₄ 이고, 상기 나노게재물은 Bi₂Mg₃ 이며, 상기 나노게재물은 상기 매트릭스에 대하여 중량비 4.0% 인 나노복합체형 열전소재.
제 6항에 있어서,
상기 매트릭스는 Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.97Bi₀ _. ₀₃ 이고, 상기 나노게재물은 Bi₂Mg₃ 이며, 상기 나노게재물은 상기 매트릭스에 대하여 중량비 1.7% 인 나노복합체형 열전소재.
제 6항에 있어서,
상기 매트릭스는 Mg₁ _.96Al₀ _.04Si₀ _.96Bi₀ _. ₀₄ 이고, 상기 나노게재물은 Bi₂Mg₃ 이며, 상기 나노게재물은 상기 매트릭스에 대하여 중량비 2.4% 인 나노복합체형 열전소재.
제 1항에 있어서,
상기 기지상과 상기 2차상 사이의 상경계밀도는 350 내지 4200 cm2/cm3 인 나노복합체형 열전소재.
제 1항에 있어서,
상기 나노게재물은 상기 매트릭스의 평균 자유행로(mean free path) 보다 입경이 작은 나노복합체형 열전소재.
(a) 나노복합체 원료 분말을 준비하는 단계; 및
(b) 단계(a)에서 얻어진 상기 나노복합체 원료 분말을 소결하여, n-형 반도체 특성의 기지상인 Mg_2-xAl_xSi_1-YBi_Y (0 ≤ x ≤ 0.04, 0 ≤ y ≤ 0.04) 매트릭스와, Bi 및 Mg를 포함하고 상기 매트릭스 내에 임베딩된 2차상의 나노게재물을 포함하는 나노복합체형 열전소재를 수득하는 단계를 포함하는 나노복합체형 열전소재의 제조방법.