KR102183258B1 - SiC 소재 및 이의 제조방법 - Google Patents
SiC 소재 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102183258B1 KR102183258B1 KR1020190045602A KR20190045602A KR102183258B1 KR 102183258 B1 KR102183258 B1 KR 102183258B1 KR 1020190045602 A KR1020190045602 A KR 1020190045602A KR 20190045602 A KR20190045602 A KR 20190045602A KR 102183258 B1 KR102183258 B1 KR 102183258B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plane
- thermal conductivity
- peak intensity
- sic
- less
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 81
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title description 81
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000004176 azorubin Substances 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/30—Processes for preparing, regenerating, or reactivating
- B01J20/32—Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating
- B01J20/3202—Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating characterised by the carrier, support or substrate used for impregnation or coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0009—Forming specific nanostructures
- B82B3/0033—Manufacture or treatment of substrate-free structures, i.e. not connected to any support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02609—Crystal orientation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은, SiC 소재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 평균 결정립 크기가 3.5 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 저열전도도 영역;이 적어도 일부분에 형성된 SiC 층을 포함하는, SiC 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은, SiC 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존 CVD SiC 소재는 3 ㎛ ~ 15 ㎛의 크고 작은 결정립, 및 7 ㎛ ~ 8 ㎛의 평균 결정립 크기로 치밀하게 형성되어 있으므로, 적은 결정립계를 형성하고 있다. 따라서 결정립에 의한 열전도도가 주를 이루게 되어 열전도도가 높은 값을 나타내게 된다. 이러한 CVD SiC 소재의 높은 열전도도는 일부 반도체 에칭공정에서 사용되는 높은 공정온도에 대한 반도체 장비의 손상을 최소화하기 위한 열방출에는 유리하다.
LSI(Large scale integrated circuit) 등의 낮은 공정온도를 사용하는 반도체 공정에서는 반도체 칩 수율을 높이기 위해 웨이퍼 에지의 균일 식각이 필요하므로, 웨이퍼의 균일한 온도의 형성이 요구된다. 이러한 공정에서는 기존의 높은 열전도도 CVD SiC소재를 사용하는 경우에, 열손실에 의한 웨이퍼 내의 온도 불균일을 증가시키는 문제점이 있다.
본 발명은, 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 평균 결정립 크기의 미세화에 의해 열전도도를 조절하고, 낮은 온도를 요구하는 반도체 제조 공정에 효과적으로 적용할 수 있는, SiC 소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 평균 결정립 크기가 3.5 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 저열전도도 영역;을 포함하는, SiC 소재에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기는 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것일 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역은, 하기의 식 2에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것일 수 있다.
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 회절 강도비(I)는 0.001 내지 0.3인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역의 열전도도는 200 W/mk 이하인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역은 CVD 법에 의해 증착된 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 소재는 반도체 비메모리 제조용 플라즈마 처리 장치에 이용되는 부품의 소재인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 소재는 웨이퍼 안착용 링이고, 상기 저열전도도 영역은 웨이퍼가 안착되는 영역에 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역의 온도 편차는 1 ℃ 이하인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 저열전도도 영역은, 상기 SiC층의 면적의 50 % 이상 및 100 % 미만으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC층의 두께는, 2 mm 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 평균 결정립 크기가 3.5 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 SiC 층을 포함하는 SiC 소재에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 층의 열전도도는 200 W/mk 이하인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 층은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것일 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311) 면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 층은, 하기의 식 2에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것일 수 있다.
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC층의 두께는, 2 mm 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 CVD법을 이용하여 SiC 층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 SiC 층은, 평균 결정립 크기가 3.5 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 저열전도도 영역;이 적어도 일부분에 형성된 것인, SiC 소재의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 평균 결정립 크기를 조절하여 기존의 CVD SiC 소재 대비 낮은 열전도도 특성을 나타내는, CVD SiC 소재를 제공할 수 있다.
본 발명은, 공정 조건의 변화에 따라 열전도도를 간단한 방법으로 조절할 수 있으므로, 낮은 공정온도가 요구되는 반도체 공정에 적용 가능한 CVD SiC 소재를 경제적인 방법으로 제공할 수 있다.
본 발명은, LSI와 같은 미세공정의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼에 균일한 온도분포를 형성시킬 수 있으므로, 웨이퍼 에지까지 균일한 에칭을 달성할 수 있고, 웨이퍼 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예 2에서 제조된 SiC 소재의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 1b는 본 발명의 실시예 2에서 제조된 SiC 소재의 XRD 패턴 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 2a는 본 발명의 비교예 1에서 제조된 SiC 소재의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명의 비교예 1에서 제조된 SiC 소재의 XRD 패턴 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 SiC 소재의 평균 결정립 크기 및 열전도도의 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 1b는 본 발명의 실시예 2에서 제조된 SiC 소재의 XRD 패턴 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 2a는 본 발명의 비교예 1에서 제조된 SiC 소재의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명의 비교예 1에서 제조된 SiC 소재의 XRD 패턴 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 SiC 소재의 평균 결정립 크기 및 열전도도의 측정 결과를 나타낸 것이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은, SiC 소재에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 SiC 소재는, 적어도 일부분에 저열전도도 영역이 형성된 SiC층을 포함할 수 있다. 상기 SiC층은, 상기 저열전도도 영역의 형성으로 균일한 온도 분포를 갖는 영역을 제공할 수 있다.
상기 저열전도도 영역은, 상기 SiC 층의 면적의 50 % 이상 및 100 % 미만 으로 형성될 수 있다.
상기 저열전도도 영역은, 상기 SiC층 내에서 평균 결정립 크기의 조절에 의해서 형성될 수 있으며, 예를 들어, CVD 법에 의한 증착 공정에서 공정온도, 원료 공급 속도 등과 같은 공정변화를 통한 성장속도의 조절에 의해 평균 결정립 크기를 미세하게 조절하고, 열전도도를 낮출 수 있다. 즉, 상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기를 줄임으로써, 결정립계의 형성을 증가시켜 열전달을 억제하는 구조를 형성하고, 낮은 열전도도를 나타낼 수 있다.
상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기는, 상기 SiC층 전체의 평균 결정립 크기 또는 최대 결정립 크기에 비하여 낮은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기는, 3.5 ㎛ 이하; 0.01 ㎛ 내지 3.5 ㎛; 0.1 ㎛ 내지 3.5 ㎛; 또는 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛일 수 있다. 상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기의 범위 내에 포함되면 낮은 열전도도를 형성하고, 상기 저열전도도 영역 내에서 균일한 온도 분포를 형성할 수 있다. 상기 결정립 크기는, 결정립의 면적, 길이, 입자 크기, 직경 등을 의미할 수 있다.
상기 저열전도도 영역은, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선성장된 것이며, (111) 면 우선성장에 따라 플라즈마 환경 등에서 SiC 소재의 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 저열전도도 영역을 형성할 수 있다. 즉, 상기 SiC층 내에서 상기 저열전도도 영역을 제외한 영역에 비하여 상대적으로 높은 (111) 면 우선성장이 이루어질 수 있다.
예를 들어, 하기의 식 1 및/또는 식 2에 따른 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)를 나타낼 수 있다. 상기 선 회절 분석의 회절 강도비(I)는 0.5 이하; 0.001 내지 0.3 이하; 0.01 내지 0.3; 또는 0.1 내지 0.2일 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
상기 저열전도도 영역의 열전도도는, 상기 SiC층 전체의 최대 열전도도 또는 평균 열전도도에 비하여 낮은 열전도도를 가질 수 있으며, 예를 들어, 200 W/mk 이하; 20 W/mk 내지 200 W/mk; 또는 80 내지 200 W/mk일 수 있다. 상기 저열전도도 영역의 온도 편차는, 1 ℃ 이하; 0.8 ℃ 이하; 또는 0.5 ℃ 이하인 것일 수 있다. 상기 열전도도 및 온도 편차 범위 내에 포함되면 균일한 온도 분포를 나타내고, 반도체 제조 공정에서 제품의 품질, 수율 등을 향상시킬 수 있다.
상기 SiC층은, 2 mm 이상; 10 mm 이상; 또는 50 mm 이상의 두께로 형성되고, CVD 법에 의해 단일 또는 복수층을 증착될 수 있다. 상기 복수층의 형성 시 동일하거나 또는 상이한 구성의 층이 형성될 수 있는데, 복수층의 성분, 두께, 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기, 열전도도, 결정면의 성장 방향 등이 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 이 때, 상기 복수층을 형성하는 SiC 층에 저열전도도 영역을 형성할 경우, 저항 편차가 줄어들고 조직이 균일해짐으로써 층간의 뚜렷한 경계가 희미해지는 효과를 기대할 수 있다.
상기 SiC 소재는, 반도체 제조용 플라즈마 처리 장치에 이용되는 부품의 소재이며, 예를 들어, 낮은 공정 온도가 요구되는 비메모리의 제조공정, 즉 LSI 반도체 제조 공정에 적용되는 웨이퍼 안착용 웨이퍼 안착용 링일 수 있다. 상기 SiC 소재는, 균일한 온도 분포의 형성이 필요한 부분에 저열전도도 영역을 형성할 수 있으며, 상기 웨이퍼 안착용 링에서 웨이퍼와 직접 접촉하게 되는 영역에 저열전도도 영역이 형성될 수 있다. 이는 LSI 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 온도 분포를 형성하므로, 웨이퍼 에지까지 균일한 식각이 가능하고, 반도체 칩의 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 저열전도도 특성을 갖는 SiC 층을 포함하는 SiC 소재에 관한 것이다.
상기 SiC 층의 평균 결정립 크기는, 3.5 ㎛ 이하; 또는 0.01 ㎛ 내지 3.5 ㎛; 0.1 ㎛ 내지 3.5 ㎛; 또는 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛일 수 있다. 상기 평균 결정립 크기의 범위 내에 포함되면 낮은 열전도도를 형성하고, 균일한 온도 분포를 형성할 수 있다.
상기 SiC 층의 열전도도는, 200 W/mk 이하; 20 W/mk 내지 200 W/mk; 또는 80 내지 200 W/mk일 수 있다. 또는, 상기 SiC 층의 온도 편차는, 1 ℃ 이하; 0.8 ℃ 이하; 또는 0.5 ℃ 이하인 것일 수 있다. 상기 열전도도 및 온도 편차 범위 내에 포함되면 균일한 온도 분포를 나타내고, 반도체 제조 공정에서 제품의 품질, 수율 등을 향상시킬 수 있다.
상기 SiC 층은, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선성장된 것이며, (111) 면 우선성장에 따라 플라즈마 환경에서 안정적인 저열전도도 소재를 제공할 수 있다. 예를 들어, 하기의 식 1 및/또는 식 2에 따른 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)를 나타낼 수 있다. 상기 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)는 0.5 이하; 0.001 내지 0.3 이하; 0.01 내지 0.3; 또는 0.1 내지 0.2일 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
상기 SiC층은, 2 mm 이상; 10 mm 이상; 또는 50 mm 이상의 두께로 형성되고, CVD 법에 의해 단일 또는 복수층을 증착될 수 있다. 상기 복수층의 형성 시 동일하거나 또는 상이한 층이 형성되고, 이는 층의 성분, 두께, 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기, 열전도도, 결정면의 성장 방향 등이 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 이 때, 상기 복수층을 형성하는 SiC 층에 저열전도도 영역을 형성할 경우, 저항 편차가 줄어들고 조직이 균일해짐으로써 층간의 뚜렷한 경계가 희미해지는 효과를 기대할 수 있다.
본 발명은, 본 발명에 의한 SiC 소재의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따라, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 CVD법을 이용하여 SiC 층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 기판을 준비하는 단계는, SiC 층 또는 SiC 소재의 제조에 적용 가능한 것이라면 제한 없이 적용될 수 있다.
상기 기판 상에 CVD법을 이용하여 SiC 층을 형성하는 단계는, SiC 층 전체가 저열전도도 특성을 갖거나 또는 적어도 일부분에 저열전도도 영역이 형성될 수 있다. 즉, CVD 법 증착 공정 조건, 예를 들어, 공정온도 및 원료 공급 유량 등을 조절하여 성장속도의 제어를 통하여 평균 결정립 크기를 미세하게 조절하고, 결정립계를 증가(예를 들어, 30 % 이상)시켜 열전도도를 낮출 수 있다.
상기 공정온도는, 평균 결정립 크기의 조절을 위해 적절하게 선택할 수 있고, 예를 들어, 기존의 CVD법에 의한 SiC 층의 증착 온도에 비하여 낮은 온도 또는 상기 SiC 층을 형성하는 단계의 최대 또는 평균 공정 온도에 비하여 낮은 온도일 수 있다. 상기 원료 공급 유량은, 평균 결정립 크기의 조절을 위해서 적절하게 선택할 수 있고, 예를 들어, 기존의 CVD법에 의한 SiC 층의 증착 시 적용된 공급 유량 또는 상기 SiC 층을 형성하는 단계의 최대 또는 평균 공급 유량에 비하여 90 % 이하; 60 % 이하; 또는 50 % 이하일 수 있다.
상기 기판 상에 CVD법을 이용하여 SiC 층을 형성하는 단계는, 기존의 CVD법에 의한 SiC 층의 증착 시 적용된 성장속도 보다 낮은 성장속도 또는 상기 SiC 층을 형성하는 단계의 최대 또는 평균 성장속도에 비하여 낮은 성장속도일 수 있다.
실시예 1
기판 상에 SiC 층(2 mm 두께)를 CVD 법으로 증착하여 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 결정립 크기(평균 결정립 크기: 0.82 ㎛, ASTM E112 측정방법 적용)를 갖는 SiC 층이 형성된 CVD SiC 소재를 제조하였다.
실시예 2
기판 상에 SiC 층(2 mm 두께)를 CVD 법으로 증착하여 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 결정립 크기(평균 결정립 크기: 2.2 ㎛, ASTM E112 측정방법 적용)를 갖는 SiC 층이 형성된 CVD SiC 소재를 제조하였다.
비교예 1
기판 상에 SiC 층(2 mm 두께)를 CVD 법으로 증착하여 3 ㎛ 내지 15 ㎛ 결정립 크기(평균 결정립 크기: 7.4 ㎛, ASTM E112 측정방법 적용)를 갖는 SiC 층이 형성된 CVD SiC 소재를 제조하였다.
비교예 2
기판 상에 SiC 층(2 mm 두께)를 CVD 법으로 증착하여 3 ㎛ 내지 15 ㎛ 결정립 크기(평균 결정립 크기: 9.07 ㎛, ASTM E112 측정방법 적용)를 갖는 SiC 층이 형성된 CVD SiC 소재를 제조하였다.
평가예 1
실시예 2 및 비교예 1의 CVD SiC 소재의 SEM 및 XRD를 측정하여 도 1(도 1(a) 및 도 1(b), 실시예 2), 도 2(도 2(a) 및 도 2(b), 비교예 1) 에 나타내었다.
XRD는, “Rigaku DMAX200” 장비를 이용하고, 측정 범위 10~80°, scan speed 10 및 scan step 0.05로 측정하였다.도 1을 살펴보면, 실시예 2의 CVD SiC 소재의 결정립 크기는 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛ 범위를 갖고, (111) 면이 우선성장되어 식 1에 따른 회절 강도비(I)가 0.01인 것을 확인할 수 있다.
반면에, 비교예 1의 CVD SiC 소재는 통상적으로 사용되는 소재이며, 3 내지 15 ㎛의 결정립 크기(평균 7.4 ㎛)를 갖고, (111) 면이 우선성장되었으나, (200), (220), (311) 면의 피크 강도가 5000 cps 이상이므로, 본 발명의 식 1에 따른 회절 강도비(I)의 범위를 벗어나는 것을 확인할 수 있다.
평가예 2
실시예 및 비교예에 제조된 CVD SiC 소재의 열전도도를 측정하여 도 3 및 표 1에 나타내었다. CVD SiC 소재의 결정립크기는 ASTM E122 방법으로 측정하였다. 열전도도는, "NETZSCH사, 모델명 LFA 447 NanoFlash" 분선 장비를 이용하여 KS규격을 기준으로 시편을 준비하여 측정하였다.
도 3을 살펴보면, 평균 결정립 크기가 2.2 ㎛ 이하일 경우에 저열전도성 특성을 나타내고, 평균 결정립 크기가 5 ㎛ 이상에서 200 W/mK를 초과하고, 8 ㎛ 이상에서는 300 W/mK를 초과하여 결정립 크기의 증가에 따라 열전도도가 증가되는 것을 확인할 수 있다.
실시예 1 | 실시예 2 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
열전도도(W/mK) | 94 | 153 | 247 | 329 |
평균 결정립 크기(㎛) |
0.82 | 2.2 | 7.4 | 9.07 |
본 발명은, CVD 증착 과정에서 공정변화를 통하여 비교예에 비하여 성장속도를 낮추어 3 ㎛ 이하의 평균 결정립 크기로 미세화하고, (111) 우선성장을 유도하여 80 W/mK 내지 200 W/mK로 낮은 열전도도를 갖는 CVD SiC 소재를 제공할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.
Claims (18)
- 평균 결정립 크기가 3.0 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 저열전도도 영역;을 포함하는 SiC 층
을 포함하고,
상기 저열전도도 영역은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것인, SiC 소재.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역의 평균 결정립 크기는 0.5 ㎛ 내지 3.5 ㎛인 것인, SiC 소재.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역은, 하기의 식 2에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것인, SiC 소재.
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
- 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 회절 강도비(I)는 0.001 내지 0.3인 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역의 열전도도는 200 W/mk 이하인 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역은 CVD 법에 의해 증착된 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 SiC 소재는 반도체 비메모리 제조용 플라즈마 처리 장치에 이용되는 부품의 소재인 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 SiC 소재는 웨이퍼 안착용 링이고,
상기 저열전도도 영역은 웨이퍼가 안착되는 영역에 형성된 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역의 온도 편차는 1 ℃ 이하인 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 저열전도도 영역은, 상기 SiC층의 면적의 50 % 이상 및 100 % 미만으로 형성되는 것인, SiC 소재.
- 제1항에 있어서,
상기 SiC층의 두께는, 2 mm 이상인 것인, SiC 소재.
- 평균 결정립 크기가 3.0 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 SiC 층
을 포함하고,
상기 SiC 층은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것인, SiC 소재.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311) 면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
- 제13항에 있어서,
상기 SiC 층의 열전도도는 200 W/mk 이하인 것인, SiC 소재.
- 삭제
- 제13항에 있어서,
상기 SiC 층은, 하기의 식 2에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것인, SiC 소재.
[식 2]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
- 제13항에 있어서,
상기 SiC층의 두께는, 2 mm 이상인 것인, SiC 소재.
- 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 CVD법을 이용하여 SiC 층을 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 SiC 층은, 평균 결정립 크기가 3.0 ㎛ 이하이고, X선 회절 분석에서 (111) 면 우선 성장인 저열전도도 영역;이 적어도 일부분에 형성되고,
상기 저열전도도 영역은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X선 회절 분석의 회절 강도비(I)가 0.5 이하인 것인, SiC 소재의 제조방법.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면의 피크 강도 + (220)면의 피크 강도 + (311)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190045602A KR102183258B1 (ko) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
JP2021559358A JP7430199B2 (ja) | 2019-04-18 | 2020-03-25 | SiC素材及びその製造方法 |
US17/604,533 US11658060B2 (en) | 2019-04-18 | 2020-03-25 | SiC material and method for manufacturing same |
CN202080015359.XA CN113424298B (zh) | 2019-04-18 | 2020-03-25 | 碳化硅材料及其制备方法 |
SG11202110438WA SG11202110438WA (en) | 2019-04-18 | 2020-03-25 | Sic material and method for manufacturing same |
PCT/KR2020/004075 WO2020213847A1 (ko) | 2019-04-18 | 2020-03-25 | Sic 소재 및 이의 제조방법 |
TW109113115A TWI747238B (zh) | 2019-04-18 | 2020-04-17 | 碳化矽材料及其製備方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190045602A KR102183258B1 (ko) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200122648A KR20200122648A (ko) | 2020-10-28 |
KR102183258B1 true KR102183258B1 (ko) | 2020-11-26 |
Family
ID=72838316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190045602A KR102183258B1 (ko) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11658060B2 (ko) |
JP (1) | JP7430199B2 (ko) |
KR (1) | KR102183258B1 (ko) |
CN (1) | CN113424298B (ko) |
SG (1) | SG11202110438WA (ko) |
TW (1) | TWI747238B (ko) |
WO (1) | WO2020213847A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102183258B1 (ko) * | 2019-04-18 | 2020-11-26 | 주식회사 티씨케이 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5792372A (en) | 1987-01-30 | 1998-08-11 | Baxter International, Inc. | Enhanced yield collection systems and methods for obtaining concentrated platelets from platelet-rich plasma |
US5879450A (en) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | City University Of Hong Kong | Method of heteroepitaxial growth of beta silicon carbide on silicon |
JPH1179846A (ja) | 1997-09-01 | 1999-03-23 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素成形体 |
JP3790029B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2006-06-28 | 東海カーボン株式会社 | SiCダミーウエハ |
JPH11199323A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Tokai Carbon Co Ltd | ダミーウエハ |
US6562183B1 (en) | 1999-04-07 | 2003-05-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Anti-corrosive parts for etching apparatus |
JP2000355779A (ja) | 1999-04-07 | 2000-12-26 | Ngk Insulators Ltd | エッチング装置用耐蝕部品 |
JP4071919B2 (ja) | 2000-06-20 | 2008-04-02 | 東海カーボン株式会社 | SiC被覆黒鉛部材およびその製造方法 |
US8409351B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-04-02 | Sic Systems, Inc. | Production of bulk silicon carbide with hot-filament chemical vapor deposition |
CN103270203B (zh) | 2010-12-24 | 2016-05-25 | 东洋炭素株式会社 | 单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法 |
JP5267709B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-08-21 | 株式会社豊田中央研究所 | 高耐熱部材、その製造方法、黒鉛ルツボおよび単結晶インゴットの製造方法 |
JP2016204735A (ja) | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
US10273190B2 (en) * | 2015-09-03 | 2019-04-30 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Focus ring and method for producing focus ring |
KR101866869B1 (ko) | 2016-08-18 | 2018-06-14 | 주식회사 티씨케이 | SiC 소재 및 SiC 복합 소재 |
KR20180071695A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 주식회사 티씨케이 | 층간 경계를 덮는 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
CN106835071A (zh) | 2017-01-23 | 2017-06-13 | 武汉理工大学 | 一种cvd碳化硅材料的制备方法 |
KR102579987B1 (ko) | 2017-05-19 | 2023-09-18 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 소결체, 전기·전자 부재 및 반도체 소결체 제조방법 |
JP6832800B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102183258B1 (ko) * | 2019-04-18 | 2020-11-26 | 주식회사 티씨케이 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
-
2019
- 2019-04-18 KR KR1020190045602A patent/KR102183258B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-03-25 JP JP2021559358A patent/JP7430199B2/ja active Active
- 2020-03-25 CN CN202080015359.XA patent/CN113424298B/zh active Active
- 2020-03-25 WO PCT/KR2020/004075 patent/WO2020213847A1/ko active Application Filing
- 2020-03-25 SG SG11202110438WA patent/SG11202110438WA/en unknown
- 2020-03-25 US US17/604,533 patent/US11658060B2/en active Active
- 2020-04-17 TW TW109113115A patent/TWI747238B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI747238B (zh) | 2021-11-21 |
JP7430199B2 (ja) | 2024-02-09 |
TW202039914A (zh) | 2020-11-01 |
US11658060B2 (en) | 2023-05-23 |
US20220148907A1 (en) | 2022-05-12 |
SG11202110438WA (en) | 2021-10-28 |
KR20200122648A (ko) | 2020-10-28 |
JP2022522223A (ja) | 2022-04-14 |
WO2020213847A1 (ko) | 2020-10-22 |
CN113424298A (zh) | 2021-09-21 |
CN113424298B (zh) | 2022-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9978582B2 (en) | Methods for improving wafer planarity and bonded wafer assemblies made from the methods | |
US10934634B2 (en) | Polycrystalline SiC substrate and method for manufacturing same | |
JP3975414B2 (ja) | スパッタリング用銅ターゲットおよびその製造方法 | |
DE102006056812B4 (de) | Heizvorrichtung mit verbesserter thermischer Gleichförmigkeit, Halbleiter-Prozesskammer mit derselben, Verfahren zum Regeln der Oberflächentemperatur mit derselben und Verwendung der Heizvorrichtung | |
CN101503820B (zh) | 用于制造半导体晶圆的方法和设备 | |
CN109153571B (zh) | 碳化钽涂层碳材料 | |
KR102201523B1 (ko) | 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품 및 이의 제조방법 | |
CN103160928A (zh) | 一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法 | |
KR102183258B1 (ko) | SiC 소재 및 이의 제조방법 | |
US9620461B2 (en) | Laminar structure of semiconductor and manufacturing method thereof | |
EP1553215B1 (en) | Diamond single crystal composite substrate and method for manufacturing the same | |
KR100763467B1 (ko) | 단결정 질화갈륨 기판의 제조방법 | |
US11699587B2 (en) | Method for manufacturing diamond substrate | |
JP6317056B2 (ja) | アルミニウム膜被着方法 | |
Nakamura et al. | Porosity-controlled multilayer TaC coatings prepared via wet powder process for multi-functional reactor components in GaN crystal growth system | |
CN109562948B (zh) | SiC材料及SiC复合材料 | |
JPH09102562A (ja) | 高熱伝導性基板及びその製造方法 | |
WO2020111790A1 (ko) | 다이아몬드 기판 제조 방법 | |
CN106876248B (zh) | 8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用 | |
WO2022201986A1 (ja) | AlN単結晶基板 | |
US20240239716A1 (en) | Electrostatic chuck, electrostatic chuck heater comprising same, and semiconductor holding device | |
US8334194B2 (en) | Methods and apparatus for manufacturing semiconductor wafers | |
WO2020044571A1 (ja) | 熱伝導異方性SiC材 | |
CN117642524A (zh) | 用于工具的金刚石结构 | |
JP2023147721A (ja) | 耐熱部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right |