JP2019064899A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019064899A5 JP2019064899A5 JP2018095174A JP2018095174A JP2019064899A5 JP 2019064899 A5 JP2019064899 A5 JP 2019064899A5 JP 2018095174 A JP2018095174 A JP 2018095174A JP 2018095174 A JP2018095174 A JP 2018095174A JP 2019064899 A5 JP2019064899 A5 JP 2019064899A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- semiconductor sintered
- body according
- producing
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 5
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N Magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
Claims (10)
- 多結晶体を含む半導体焼結体であって、
前記多結晶体は、マグネシウムシリサイド、又はマグネシウムシリサイドを含む合金を含み、
前記多結晶体を構成する結晶粒の平均粒径が１μｍ以下であり、
電気伝導率が１０，０００Ｓ／ｍ以上である、半導体焼結体。 - リン、アルミニウム、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選択される１つ以上のドーパントを含有する、請求項１に記載の半導体焼結体。
- リチウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムから選択される１つ以上のドーパントを含有する、請求項１に記載の半導体焼結体。
- ゼーベック係数が−１５０〜５０μＶ／Ｋである、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体焼結体。
- 請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体焼結体を含む電気・電子部材。
- マグネシウムシリサイド又はマグネシウムシリサイドを含む合金を含み、平均粒径が１μｍ以下である粒子を準備する粒子準備ステップと、
前記粒子の表面に、ドーパント元素を含む被膜を形成する被膜形成ステップと、
前記被膜が表面に形成された粒子を焼結して、半導体焼結体を得る焼結ステップと
を含む、半導体焼結体の製造方法。 - 前記ドーパント元素が、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選択される１つ以上を含む、請求項６に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記ドーパント元素が、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムから選択される１つ以上を含む、請求項６に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記焼結ステップを、６００℃以上の温度で行う、請求項６から８のいずれか一項に記載の半導体焼結体の製造方法。
- 前記焼結ステップが、放電プラズマ焼結を行うことを含む、請求項６から９のいずれか一項に記載の半導体焼結体の製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017100107 | 2017-05-19 | ||
| JP2017100108 | 2017-05-19 | ||
| JP2017100107 | 2017-05-19 | ||
| JP2017100108 | 2017-05-19 | ||
| JP2017199057 | 2017-10-13 | ||
| JP2017199057 | 2017-10-13 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019064899A JP2019064899A (ja) | 2019-04-25 |
| JP2019064899A5 true JP2019064899A5 (ja) | 2021-07-26 |
| JP7137963B2 JP7137963B2 (ja) | 2022-09-15 |
Family
ID=64273988
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018095174A Active JP7137963B2 (ja) | 2017-05-19 | 2018-05-17 | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 |
| JP2018095172A Pending JP2019068037A (ja) | 2017-05-19 | 2018-05-17 | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 |
| JP2018095173A Pending JP2019068038A (ja) | 2017-05-19 | 2018-05-17 | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018095172A Pending JP2019068037A (ja) | 2017-05-19 | 2018-05-17 | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 |
| JP2018095173A Pending JP2019068038A (ja) | 2017-05-19 | 2018-05-17 | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11508893B2 (ja) |
| EP (3) | EP3627573B1 (ja) |
| JP (3) | JP7137963B2 (ja) |
| KR (3) | KR102579525B1 (ja) |
| CN (3) | CN110622328B (ja) |
| TW (3) | TWI822679B (ja) |
| WO (3) | WO2018212295A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7010474B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2022-02-10 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 断熱材料、その製造方法および内燃機関 |
| KR102183258B1 (ko) * | 2019-04-18 | 2020-11-26 | 주식회사 티씨케이 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
| JP7506388B2 (ja) * | 2019-12-18 | 2024-06-26 | 株式会社テックスイージー | 熱電素子の製造方法 |
| JP7449549B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2024-03-14 | 株式会社テックスイージー | 熱電素子及びその製造方法 |
| CN117069500A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-11-17 | 陕西科技大学 | 一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941562B2 (ja) * | 1977-06-23 | 1984-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 赤外線フイルタ |
| JPH0738156A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Materials Corp | 熱発電材料およびその製造方法 |
| WO1999022410A1 (en) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Thermoelectric transducing material and method of producing the same |
| JP2001068744A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換材料と熱電変換素子 |
| JP2000261045A (ja) | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換材料の製造方法 |
| JP2000261044A (ja) | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換材料とその製造方法 |
| CN100385694C (zh) * | 1999-03-10 | 2008-04-30 | 日立金属株式会社 | 热电转换材料及其制作方法 |
| US6759587B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-07-06 | Hokushin Corporation | Thermoelectric materials, thermoelectric device, and method for producing thermoelectric materials |
| JP4296236B2 (ja) | 2001-04-27 | 2009-07-15 | 学校法人東京理科大学 | 熱電材料及び熱電素子並びに熱電材料の製造方法 |
| US7465871B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-12-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocomposites with high thermoelectric figures of merit |
| US8865995B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-10-21 | Trustees Of Boston College | Methods for high figure-of-merit in nanostructured thermoelectric materials |
| US9865790B2 (en) | 2004-12-07 | 2018-01-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
| JP2006176859A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Canon Anelva Corp | シリコンナノ結晶構造体の作製方法 |
| JP4726747B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2011-07-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 |
| KR20090107491A (ko) | 2006-12-20 | 2009-10-13 | 소와 케이디이 가부시키가이샤 | 열전변환 재료, 그 제조 방법 및 열전변환 소자 |
| JP2009117729A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ドーパントホストおよびその製造方法 |
| CN101226983B (zh) | 2008-02-22 | 2010-06-02 | 浙江大学 | 一种原位纳米复合Mg-Si-Sn基热电材料及其制备方法 |
| TWI485266B (zh) | 2009-07-27 | 2015-05-21 | Univ Tokyo Sci Educ Found | Aluminum-magnesium-silicon composite material and method for manufacturing the same, and thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module using the composite material |
| JP2011116575A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マグネシウムシリサイドの製造方法、マグネシウムシリサイド、電極部材および熱電素子 |
| JP5598792B2 (ja) | 2010-05-28 | 2014-10-01 | 株式会社三徳 | マグネシウム−シリコン系熱電変換材料およびその製造方法 |
| US8435429B2 (en) * | 2010-07-22 | 2013-05-07 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Process for optimum thermoelectric properties |
| JP5206768B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2013-06-12 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
| JP6099304B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2017-03-22 | 帝人株式会社 | 半導体積層体、半導体デバイス、及びそれらの製造方法 |
| JP5737566B2 (ja) | 2011-03-10 | 2015-06-17 | 日立化成株式会社 | マグネシウムシリサイド焼結体の製造方法及びそれを用いた熱電変換素子の製造方法 |
| US20120282435A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-11-08 | University Of Massachusetts | Nanostructured Silicon with Useful Thermoelectric Properties |
| US10811160B2 (en) * | 2011-05-27 | 2020-10-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of producing thermoelectric material |
| US10672966B2 (en) * | 2011-05-27 | 2020-06-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of producing thermoelectric material |
| JP5637075B2 (ja) | 2011-06-03 | 2014-12-10 | トヨタ自動車株式会社 | ナノ複合材料の製造方法 |
| JP5838050B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-12-24 | 直江津電子工業株式会社 | マグネシウムシリコン合金の製造方法 |
| KR102001062B1 (ko) | 2012-01-16 | 2019-10-01 | 삼성전자주식회사 | 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치 |
| JP6054606B2 (ja) * | 2012-01-26 | 2016-12-27 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電半導体 |
| JP6189582B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2017-08-30 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
| JP2014022731A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc | 熱電材料 |
| US20140116491A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Alphabet Energy, Inc. | Bulk-size nanostructured materials and methods for making the same by sintering nanowires |
| US10043963B2 (en) * | 2013-01-31 | 2018-08-07 | Hitachi, Ltd. | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
| US20140360546A1 (en) | 2013-06-08 | 2014-12-11 | Alphabet Energy, Inc. | Silicon-based thermoelectric materials including isoelectronic impurities, thermoelectric devices based on such materials, and methods of making and using same |
| JP2015056491A (ja) | 2013-09-11 | 2015-03-23 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法 |
| JP2015115476A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱電材料とその製造方法 |
| CN104103750B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-01-25 | 太原理工大学 | 镁硅基硅纳米线复合热电材料的制备方法 |
| JP2016131232A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-07-21 | 小林 光 | 半導体基板、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、太陽電池および太陽電池の製造方法並びに太陽電池の製造装置。 |
| US9793461B2 (en) * | 2014-09-05 | 2017-10-17 | Mossey Creek Technologies, Inc. | Nano-structured porous thermoelectric generators |
| US9472745B2 (en) * | 2015-02-20 | 2016-10-18 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | CVD nanocrystalline silicon as thermoelectric material |
| JP2016219666A (ja) | 2015-05-22 | 2016-12-22 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電材料及びその製造方法 |
| JP6504602B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2019-04-24 | 国立大学法人広島大学 | 熱電変換薄膜形成用組成物及び熱電変換薄膜の製造方法 |
| KR101997203B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2019-07-05 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 반도체 열전 재료 및 그 제조방법 |
| JP6417050B2 (ja) | 2015-08-31 | 2018-10-31 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換モジュール |
| JP2017057237A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 日油株式会社 | 熱可塑性エラストマー |
| JP6470422B2 (ja) | 2015-10-02 | 2019-02-13 | セントラル硝子株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| KR101774649B1 (ko) * | 2015-10-14 | 2017-09-04 | 현대자동차주식회사 | 나노복합체형 열전소재 및 이의 제조방법 |
| JP2017100108A (ja) | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社日本トリム | 電解水生成装置 |
| JP6568785B2 (ja) | 2015-12-04 | 2019-08-28 | 太陽工業株式会社 | 廃棄物処分場、廃棄物処分場の遮水シートの破損検知システム |
| JP2017199057A (ja) | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 京セラ株式会社 | 電子機器、電子機器の制御方法、電子機器の制御装置、制御プログラムおよび電子機器システム |
-
2018
- 2018-05-17 EP EP18803228.8A patent/EP3627573B1/en active Active
- 2018-05-17 JP JP2018095174A patent/JP7137963B2/ja active Active
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019159 patent/WO2018212295A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 CN CN201880031803.XA patent/CN110622328B/zh active Active
- 2018-05-17 KR KR1020197033738A patent/KR102579525B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019160 patent/WO2018212296A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 US US16/612,466 patent/US11508893B2/en active Active
- 2018-05-17 EP EP18803227.0A patent/EP3627572B1/en active Active
- 2018-05-17 US US16/612,850 patent/US11616182B2/en active Active
- 2018-05-17 CN CN201880031777.0A patent/CN110622326B/zh active Active
- 2018-05-17 CN CN201880031799.7A patent/CN110622327B/zh active Active
- 2018-05-17 JP JP2018095172A patent/JP2019068037A/ja active Pending
- 2018-05-17 JP JP2018095173A patent/JP2019068038A/ja active Pending
- 2018-05-17 US US16/613,561 patent/US11404620B2/en active Active
- 2018-05-17 EP EP18802437.6A patent/EP3627571B1/en active Active
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019161 patent/WO2018212297A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 KR KR1020197033739A patent/KR102579986B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 KR KR1020197033740A patent/KR102579987B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-18 TW TW107117015A patent/TWI822679B/zh active
- 2018-05-18 TW TW107117012A patent/TWI802573B/zh active
- 2018-05-18 TW TW107117013A patent/TWI776897B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019064899A5 (ja) | ||
| JP2019068037A5 (ja) | ||
| Pan et al. | Thermoelectric performance enhancement in n-type Bi2 (TeSe) 3 alloys owing to nanoscale inhomogeneity combined with a spark plasma-textured microstructure | |
| Neophytou et al. | Simultaneous increase in electrical conductivity and Seebeck coefficient in highly boron-doped nanocrystalline Si | |
| Son et al. | n-type nanostructured thermoelectric materials prepared from chemically synthesized ultrathin Bi2Te3 nanoplates | |
| JP5024393B2 (ja) | ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法 | |
| Sun et al. | Enhanced thermoelectric properties of n-type Bi2Te2. 7Se0. 3 thin films through the introduction of Pt nanoinclusions by pulsed laser deposition | |
| WO2008149871A1 (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
| Li et al. | Fine‐Grained and Nanostructured AgPbmSbTem+ 2 Alloys with High Thermoelectric Figure of Merit at Medium Temperature | |
| JP7137963B2 (ja) | 半導体焼結体、電気・電子部材、及び半導体焼結体の製造方法 | |
| WO2014196475A1 (ja) | ナノ粒子の製造方法、熱電材料の製造方法および熱電材料 | |
| Brockway et al. | Engineering efficient thermoelectrics from large-scale assemblies of doped ZnO nanowires: nanoscale effects and resonant-level scattering | |
| JP7310871B2 (ja) | 熱電変換材料、熱電変換素子および熱電変換材料の製造方法 | |
| Gayner et al. | Development of nanostructured Bi2Te3 with high thermoelectric performance by scalable synthesis and microstructure manipulations | |
| Hwang et al. | Thermoelectric transport properties of interface-controlled p-type bismuth antimony telluride composites by reduced graphene oxide | |
| EP3675191B1 (en) | Thermoelectric material and thermoelectric module | |
| KR102242915B1 (ko) | 균일한 열전특성을 갖는 열전소재 제조방법 | |
| WO2018038285A1 (ko) | 열전소자 및 이를 포함하는 열전모듈 | |
| Ahmed et al. | Optimizing the structural, electrical and thermoelectric properties of antimony telluride thin films deposited on aluminum nitride-coated stainless steel foil | |
| JP6981094B2 (ja) | マグネシウム系熱電変換材料、マグネシウム系熱電変換素子、及び、マグネシウム系熱電変換材料の製造方法 | |
| Ao et al. | Texture and Se vacancy optimization induces high thermoelectric performance in Bi2Se3 flexible thin films | |
| JP6869590B2 (ja) | 熱電構造体、熱電素子及びその製造方法 | |
| KR101302490B1 (ko) | 양봉분포하는 입자를 가진 열전분말을 원료로 한 열전후막의 제조 방법 | |
| RU174676U1 (ru) | Теплопроводящая прокладка для охлаждения изделий электроники | |
| TW201619419A (zh) | 保護膜與其鍍膜方法 |