JP5838050B2 - マグネシウムシリコン合金の製造方法 - Google Patents
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Description
それにより、工程数が多くて製造に時間を要するとともに、長時間の熱処理も必要になることから、エネルギーの消費量も多くなって、大量生産に不向きでコスト高になるという問題があった。
さらに、溶成工程に用いる加熱炉など設備が必要になるため、製造設備が高価になってコスト高になるという問題もあった。
その結果、溶成工程や粉砕成型工程が必要な従来の方法に比べ、工程数が減少して製造時間を短縮化できるとともに、溶成工程や粉砕成型に必要なエネルギーも削減できてコストの低減化が図れ、より大量に生産することが可能となる。
さらに、溶成工程や粉砕成型工程に用いる製造設備が必要ないから更なるコストの低減化も図れる。
本発明の実施形態に係るマグネシウムシリコン合金の製造方法は、粒径が500μm以下のマグネシウム粉と粒径が100μm以下のシリコン粉を所定比で焼結型内に充填する充填工程と、前記焼結型内に充填された前記粉末を加圧しながら加熱して焼結する焼結工程とを含んでいる。
詳しくは、マグネシウム粉として平均粒径が10〜400μmのものを使用することが好ましい。シリコン粉としては、平均粒径が0.1〜100μmのものを使用することが好ましい。
マグネシウム粉とシリコン粉の混合比率は、モル比でMg:Si=2:1である。
パルス通電焼結装置の一例としては、チャンバー内に設置されている焼結型と、この焼結型内に充填される前記混合粉体を加圧するための加圧機構と、前記混合粉体に直流パルス電流を流すための電極とを備えている。この電極を介して電源から前記混合粉体に直流パルス電流を流すことにより、前記混合粉体の粒子間にプラズマ放電が生起されて、粒子間で加熱焼結を行う。
前記電極による前記混合粉末の加熱温度としては、例えば500℃以上で800℃以下の範囲、好ましくは600〜800℃に温度制御することが好ましい。
さらに、前記焼結型の焼結環境としては、例えば10Pa以下に減圧するか、若しくは不活性ガス中で焼結することが好ましい。
実験によれば、パルス通電焼結装置又はホットプレス装置のいずれか一方を使用しても、1プロセスでマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の焼結体が得られた。
また、粒径500μmよりも大きなマグネシウム粉と粒径が100μmよりも大きなのシリコン粉を同様に加圧・加熱しても、1プロセスでマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の焼結体を得ることができなかった。
したがって、前述した特許文献1では不可欠であった溶成工程や粉砕成型工程を省略しても、高純度のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を生産することができる。
特に、シリコン粉として、Siのインゴットからウエハを切断分離する際に排出される、その平均粒径が0.1〜10μmの切りくずを使用した場合には、例えばボールミルや遊星ボールミルなどの粉砕機を使用する必要がないため、容易にしかも安価で得られるとともに、原料として廃材を有効利用できるから環境に優しく経済的であるという利点がある。
これと同様に、マグネシウム粉して、Mgの成型品を作製する際に排出される、その平均粒径が100〜500μmの切りくずを使用した場合には、粉砕機が必要ないとともに原料として廃材を有効利用できるから環境に優しく経済的であるという利点がある。
すなわち、ドープ材が添加された前記混合粉末を加圧しながら加熱焼結すると、前記焼結体にp/n接合が直接成形される。
それにより、工程を増やすことなくp型又はn型半導体を生産することができるという利点がある。
すなわち、前記焼結体の表面にドープ材を塗布した後に熱処理すると、n型又はp型半導体が形成される。
それにより、p型又はn型半導体を生産することができるという利点がある。
Claims (1)
- 原料としてマグネシウム粉とシリコン粉を所定比で焼結型内に充填する充填工程と、
前記焼結型内に充填された前記マグネシウム粉及び前記シリコン粉の混合粉末を所定圧力以上に加圧しながら所定温度で加熱して焼結する焼結工程と、を含み、
前記シリコン粉が、Siのインゴットからウエハを切断分離する際に排出される平均粒径が0.1〜10μmの切りくずであることを特徴とするマグネシウムシリコン合金の製造方法。
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