JP5960654B2 - マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 - Google Patents
マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5960654B2 JP5960654B2 JP2013154394A JP2013154394A JP5960654B2 JP 5960654 B2 JP5960654 B2 JP 5960654B2 JP 2013154394 A JP2013154394 A JP 2013154394A JP 2013154394 A JP2013154394 A JP 2013154394A JP 5960654 B2 JP5960654 B2 JP 5960654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- germanium
- tin
- silicon
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/06—Metal silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C23/00—Alloys based on magnesium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
- B22F2301/40—Intermetallics other than rare earth-Co or -Ni or -Fe intermetallic alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0408—Light metal alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
・Mg2Si+Ag1at% ZT=0.1(560K):非特許文献1参照
・Mg2Si0.6Ge0.4+Ga0.8% ZT=0.36(625K):非特許文献2参照
・Mg2Si0.25Sn0.75+Ag20000Li5000ppm ZT=0.32(600K):特許文献1参照
がある。
Mg2(SiSn)、Mg2(SiGe)
について研究がなされているが、これまでに実用化レベルにまで達したものは知られていない。ところでp型半導体Mg2(SiSn)、Mg2(SiGe)は、Mg2Siとの固溶体であり、GeおよびSnがp型伝導に寄与していることが推測される。そこで、ベース組成のSiサイトを変えることができる元素はMgと逆蛍石構造を形成しなければならず、このような金属元素としては14族の珪素(Si),ゲルマニウム(Ge),錫(Sn),鉛(Pb)に限られるが、Pbは有害金属であることから除外し、
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X≧0、Y≧0、Z≧0」
の4元系にすることでp型熱電半導体の性能向上を図ることを試みた。
ところで3元系のMg2SiSnであればMg2SiとMg2Snの二つの状態図を考慮すればよいが、前記4元系とした場合、さらにMg2Ge,Mg2(SiSn),Mg2(SiGe),Mg2(SnGe)の四つの状態図を考慮しなければならず、また前記4元系の単相試料の作成自体、難しいという問題があり、ここに本発明の解決すべき課題がある。
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X>0、Y>0、Z>0」
で示される半導体を焼結して製造するにあたり、該半導体は、室温においてp型であって、
Xについては、0.00<X≦0.25の範囲であり、このときにZは、
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10 :但しZ>0.00
で囲まれる範囲であり、また
Yについては、0.60≦Y≦0.95の範囲であり、このときにZは、
−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.60≦Y≦0.90、Z>0.00
−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.90≦Y≦0.95、Z>0.00
で囲まれる範囲であることの何れかであることを特徴とするマグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体の製造方法である。
請求項2の発明は、マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体であって、該p型半導体は、一般化学式
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X>0、Y>0、Z>0」
で示される金属間化合物の焼結体からなり、該p型半導体は、室温においてp型であって、
Xについては、0.00<X≦0.25の範囲であり、このときにZは、
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10 :但しZ>0.00
で囲まれる範囲であり、また
Yについては、0.60≦Y≦0.95の範囲であり、このときにZは、
−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.60≦Y≦0.90、Z>0.00
−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.90≦Y≦0.95、Z>0.00
で囲まれる範囲であることの何れかであることを特徴とするマグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体である。
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X>0、Y>0、Z>0」
で示されるものを容易に製造できることになる。
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X≧0、Y≧0、Z≧0」
で示される金属間化合物の焼結体であるが、まず、該金属間化合物の焼結体の製造については次のようにした。
Mg、Snについては約2〜10mm程度の大きさの粒状のものを用意し、またSi、Geについては粒径数十μm程度のパウダー状のものを用意し、これらを所定量秤量したものをカーボンボードに入れる。カーボンボードをカーボン蓋で蓋をし、0.1MPa(メガパスカル)のAr(アルゴン)−H2(水素3重量%)の雰囲気下で絶対温度1173Kで4時間加熱し、液−固相反応をさせる。得られた固溶体を粉砕して粒径38〜75μmのパウダー状にし、これをホットプレスにて焼結する。焼結圧力は50MPa、焼結時間は1時間として統一し、焼結温度についてはそれぞれのSnの組成量Yによって決めた。焼結温度は、Y=0では1190K、Y=0.60、0.65では1040K、Y=0.75、0.90では930Kとした。
Zmax=−1.00X+0.40
Zmin=−2.00X+0.10 :但しZmin>0.00
となり、p型半導体としては図6の斜線で示される範囲、つまり、
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10 :但しZ>0.00
で囲まれる範囲となることが確認される。
Zmax=−1.00Y+1.00 :但し0.60≦Y≦0.90
Zmax=−2.00Y+1.90 :但し0.90≦Y≦0.95
Zmin=−1.00Y+0.75 :但しZmin>0.00
となり、p型半導体としては図7の斜線で示される範囲、つまり、
−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.60≦Y≦0.90、Z>0.00
−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.90≦Y≦0.95、Z>0.00
で囲まれる範囲であることが確認される。
Claims (2)
- 原料のマグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムを液−固相反応せしめて一般化学式
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X>0、Y>0、Z>0」
で示される半導体を焼結して製造するにあたり、該半導体は、室温においてp型であって、
Xについては、0.00<X≦0.25の範囲であり、このときにZは、
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10 :但しZ>0.00
で囲まれる範囲であり、また
Yについては、0.60≦Y≦0.95の範囲であり、このときにZは、
−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.60≦Y≦0.90、Z>0.00
−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.90≦Y≦0.95、Z>0.00
で囲まれる範囲であることの何れかであることを特徴とするマグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体の製造方法。 - マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体であって、該p型半導体は、一般化学式
Mg2SiXSnYGeZ :但し「X+Y+Z=1」、「X>0、Y>0、Z>0」
で示される金属間化合物の焼結体からなり、該p型半導体は、室温においてp型であって、
Xについては、0.00<X≦0.25の範囲であり、このときにZは、
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10 :但しZ>0.00
で囲まれる範囲であり、また
Yについては、0.60≦Y≦0.95の範囲であり、このときにZは、
−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.60≦Y≦0.90、Z>0.00
−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75 :但し0.90≦Y≦0.95、Z>0.00
で囲まれる範囲であることの何れかであることを特徴とするマグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013154394A JP5960654B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 |
EP14830133.6A EP3026718B1 (en) | 2013-07-25 | 2014-07-10 | P-type semiconductor comprising magnesium, silicon, tin, and germanium, and process for producing same |
PCT/JP2014/068401 WO2015012113A1 (ja) | 2013-07-25 | 2014-07-10 | マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 |
US14/900,439 US9666782B2 (en) | 2013-07-25 | 2014-07-10 | P-type semiconductor composed of magnesium, silicon, tin, and germanium, and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013154394A JP5960654B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015026672A JP2015026672A (ja) | 2015-02-05 |
JP5960654B2 true JP5960654B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=52393160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013154394A Active JP5960654B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9666782B2 (ja) |
EP (1) | EP3026718B1 (ja) |
JP (1) | JP5960654B2 (ja) |
WO (1) | WO2015012113A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3203536B1 (en) * | 2014-10-03 | 2020-07-15 | Mitsuba Corporation | P-type thermoelectric material, thermoelectric element and method for producing p-type thermoelectric material |
US10930834B2 (en) * | 2015-02-09 | 2021-02-23 | University Of Houston System | Synthesis of N-type thermoelectric materials, including Mg—Sn—Ge materials, and methods for fabrication thereof |
JP7251187B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2023-04-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換材料の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE790787R (fr) * | 1971-01-04 | 1973-04-30 | Nicolaou Michael C | Materiau pour la conversion directe a haut rendement d'energie thermo-electrique, procede de fabrication et convertisseur comportantun tel |
JP2008160077A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Fdk Corp | Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス |
JP5079559B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-11-21 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | マグネシウム、珪素、スズからなる熱電半導体およびその製造方法 |
JP5274146B2 (ja) | 2008-08-08 | 2013-08-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | マグネシウム、珪素、スズからなる熱電半導体およびその製造方法 |
JP2010050185A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Fdk Corp | Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス |
EP2770069A1 (en) * | 2013-02-20 | 2014-08-27 | University Of Cyprus | Quinary Mg2Si-based n-type thermoelectric materials, methods for their preparation and thermoelectric devices using such materials |
-
2013
- 2013-07-25 JP JP2013154394A patent/JP5960654B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-10 US US14/900,439 patent/US9666782B2/en active Active
- 2014-07-10 WO PCT/JP2014/068401 patent/WO2015012113A1/ja active Application Filing
- 2014-07-10 EP EP14830133.6A patent/EP3026718B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015026672A (ja) | 2015-02-05 |
WO2015012113A1 (ja) | 2015-01-29 |
US9666782B2 (en) | 2017-05-30 |
EP3026718A1 (en) | 2016-06-01 |
EP3026718A4 (en) | 2017-04-12 |
US20160149110A1 (en) | 2016-05-26 |
EP3026718B1 (en) | 2018-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tan et al. | High thermoelectric performance SnTe–In2Te3 solid solutions enabled by resonant levels and strong vacancy phonon scattering | |
Li et al. | Enhanced thermoelectric performance of Yb-single-filled skutterudite by ultralow thermal conductivity | |
Park et al. | Colloidal synthesis and thermoelectric properties of La-doped SrTiO3 nanoparticles | |
Peng et al. | Structure and thermoelectric performance of β-Cu2Se doped with Fe, Ni, Mn, In, Zn or Sm | |
JP6219386B2 (ja) | 熱電装置のための四面銅鉱構造に基づく熱電材料 | |
Zhou et al. | Thermoelectric properties of Zintl phase YbMg2Sb2 | |
JP4745183B2 (ja) | 熱電変換材料とそれを用いた熱電変換モジュール | |
Zhang et al. | Promising Zintl-phase thermoelectric compound SrAgSb | |
Yang et al. | Enhanced thermoelectric performance of Zr1–x Ta x NiSn half-heusler alloys by diagonal-rule doping | |
Zhang et al. | Balancing the anionic framework polarity for enhanced thermoelectric performance in YbMg2Sb2 Zintl compounds | |
Kabir et al. | Thermoelectric properties of Yb and Nb codoped CaMnO3 | |
Li et al. | Defect engineering for realizing p-type AgBiSe2 with a promising thermoelectric performance | |
JP5960654B2 (ja) | マグネシウム、珪素、錫、ゲルマニウムからなるp型半導体およびその製造方法 | |
Jeong et al. | Effects of Cu incorporation as an acceptor on the thermoelectric transport properties of CuxBi2Te2. 7Se0. 3 compounds | |
Hu et al. | The effect of Ni/Sn doping on the thermoelectric properties of BiSbTe polycrystalline bulks | |
Zhang et al. | Enhanced thermoelectric properties of Ag-doped compounds CuAgxGa1− xTe2 (0⩽ x⩽ 0.05) | |
CN103130200A (zh) | 热电材料化合物及其制备方法 | |
Li et al. | Charge Compensation Modulation of the Thermoelectric Properties in AgSbTe2 via Mn Amphoteric Doping | |
Gayner et al. | Development of Nanostructured Bi2Te3 with High Thermoelectric Performance by Scalable Synthesis and Microstructure Manipulations | |
Yang et al. | Thermoelectric properties of Bi 1− x Sn x CuSeO solid solutions | |
Zhao et al. | Effects of process parameters on electrical properties of n-type Bi2Te3 prepared by mechanical alloying and spark plasma sintering | |
US20160141480A1 (en) | A HIGH FIGURE OF MERIT P-TYPE FeNbTiSb THERMOELECTRIC MATERIAL AND THE PREPARATION METHOD THEREOF | |
Jung et al. | Thermoelectric properties of Cu-doped Bi 2− x Sb x Te 3 prepared by encapsulated melting and hot pressing | |
Du et al. | Enhanced Thermoelectric Performance of Mg-Doped AgSbTe2 by Inhibiting the Formation of Ag2Te | |
Li et al. | Enhanced thermoelectric performance in CdO by nano-SiO2 inclusions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5960654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |