JP2015046601A - 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多様性に富んだ照明条件を実現することができ、且つ露光装置に適用した場合にデバイスの生産性の向上を達成する。
【解決手段】 光源(1)からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系は、回折光学素子(6)が、その第1位置に配置され得る第1光路と、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素(3a)を有する空間光変調器(3)が、その第2位置に配置され得る第2光路と、第1光路および第2光路のうちの少なくとも一方を経た光の光路であり、分布形成光学系(11)が配置された第3光路と、を備える。分布形成光学系(11)は、第1及び第2光路のうち少なくとも一方を経た光に基づいて第3光路中に位置する照明瞳に所定の光強度分布を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 光源(1)からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系は、回折光学素子(6)が、その第1位置に配置され得る第1光路と、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素(3a)を有する空間光変調器(3)が、その第2位置に配置され得る第2光路と、第1光路および第2光路のうちの少なくとも一方を経た光の光路であり、分布形成光学系(11)が配置された第3光路と、を備える。分布形成光学系(11)は、第1及び第2光路のうち少なくとも一方を経た光に基づいて第3光路中に位置する照明瞳に所定の光強度分布を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法に関し、特に半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置に好適な照明光学系に関するものである。また、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをリソグラフィー工程で製造するための露光装置用の照明光学系と共に用いられる光学素子に関するものである。
この種の典型的な露光装置においては、光源から射出された光束が、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズを介して、多数の光源からなる実質的な面光源としての二次光源(一般には照明瞳における所定の光強度分布)を形成する。以下、照明瞳での光強度分布を、「照明瞳輝度分布」という。また、照明瞳とは、照明瞳と被照射面(露光装置の場合にはマスクまたはウェハ)との間の光学系の作用によって、被照射面が照明瞳のフーリエ変換面となるような位置として定義される。
二次光源からの光束は、コンデンサーレンズにより集光された後、所定のパターンが形成されたマスクを重畳的に照明する。マスクを透過した光は、投影光学系を介してウェハ上に結像する。こうして、ウェハ上には、マスクパターンが投影露光(転写)される。なお、マスクに形成されたパターンは高集積化されており、ウェハ上において均一な照度分布を得ることで、この微細パターンをウェハ上に正確に転写することができる。
従来、照明瞳輝度分布(ひいては照明条件)を連続的に変更することのできる照明光学装置が提案されている(特許文献1を参照)。
特開2002−353105号公報に開示された従来の照明光学装置では、アレイ状に配列され且つ傾斜角および傾斜方向が個別に駆動制御される多数の微小な要素ミラーにより構成された可動マルチミラーを用いて、入射光束を反射面毎の微小単位に分割して偏向させることにより、光束の断面を所望の形状または所望の大きさに変換している。
しかしながら、可動マルチミラーのような空間光変調器は光照射により劣化し易く、劣化した場合には空間光変調器の交換作業が必要になる。この空間光変調器の交換作業の間は露光装置を使用することができないため、デバイスの生産性が低下する。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、多様性に富んだ照明条件を実現することができ、且つ露光装置に適用した場合にデバイスの生産性の向上を達成することのできる照明光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系を用いて、パターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、例えば露光装置に適用された場合に、パターン特性に応じた適切な照明条件を実現することができ、且つデバイスの生産性の向上を達成することのできる、照明光学系と共に用いられる光学素子を提供することを目的とする。
本発明の第1実施形態では、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、回折光学素子が、その第1位置に配置され得る第1光路と、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器が、その第2位置に配置され得る第2光路と、前記第1光路および前記第2光路のうちの少なくとも一方を経た光の光路であり、分布形成光学系が配置された第3光路と、を備え、前記分布形成光学系は、前記第1及び第2光路のうち少なくとも一方を経た光に基づいて前記第3光路中に位置する照明瞳に所定の光強度分布を形成することを特徴とする照明光学系を提供する。
本発明の第2実施形態では、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、前記空間光変調器を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系とを備え、前記空間光変調器の前記複数の光学要素は、前記照明光学系の光路内の位置および前記照明光学系の光路外の位置の間で選択的に位置することを特徴とする照明光学系を提供する。
本発明の第3実施形態では、光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、前記照明光学系の光路中の第1位置に挿入可能な回折光学素子と、前記第1位置または前記第1位置と光学的に共役な第2位置に挿入可能で、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、前記回折光学素子および前記空間光変調器のうちの少なくとも一方を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系とを備えていることを特徴とする照明光学系を提供する。
本発明の第4実施形態では、所定のパターンを照明するための第1実施形態〜第3実施形態の何れかの照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第5実施形態では、光源からの光に基づいて所定の照明瞳輝度分布を形成するための光学素子であって、前記所定の照明瞳輝度分布からの光によって所定のパターンを基板に露光する露光装置に適用される光学素子の製造方法において、前記所定のパターンを前記露光装置内に設定する第1工程と;所要の照明瞳輝度分布を形成するために、空間光変調器を用いて前記光源からの光を変調する第2工程と;前記空間光変調器で変調された光に基づいて、前記露光装置内に設定された前記所定のパターンを前記基板に露光する第3工程と;前記基板に露光された被露光パターンを計測する第4工程と;前記第4工程で計測された前記被露光パターンに基づいて、照明瞳輝度分布を調節する第5工程と;前記被露光パターンを露光する際に用いた照明瞳輝度分布の情報に基づいて、前記光学素子を製造する第6工程とを備えることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
本発明の第6実施形態では、第5実施形態の光学素子を介した照明光を用いて所定のパターンを照明するための照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第7実施形態では、第6実施形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本発明の実施形態に係る照明光学系では、例えば露光装置に適用された場合、空間光変調器を用いて照明瞳輝度分布を変化させつつ実際の露光を繰り返すことにより、転写すべきパターンの特性に応じた適切な照明瞳輝度分布を迅速に見出すことができる。そして、空間光変調器に代えて、適切な照明瞳輝度分布を形成するように設計され且つ製造された回折光学素子を用いることにより、デバイスの量産のための露光を開始する。その結果、空間光変調器を用いて適切な照明瞳輝度分布を迅速に決定することにより照明条件の調整からデバイスの量産へ移行する時間を短縮することができるとともに、空間光変調器よりも耐久性の高い回折光学素子を用いてデバイスの量産を行うことによりデバイスの生産性の向上を達成することができる。
こうして、本発明の実施形態に係る照明光学系では、多様性に富んだ照明条件を実現することができ、且つ露光装置に適用した場合にデバイスの生産性の向上を達成することができる。
また、本発明の実施形態に係る露光装置では、多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系を用いて、パターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができ、ひいては良好なデバイスを高い生産性をもって製造することができる。
本発明の実施形態に係る光学素子の製造方法では、空間光変調器を用いて照明瞳輝度分布を変化させつつ実際の露光を繰り返すことにより、転写すべきパターンの特性に応じた適切な照明瞳輝度分布を迅速に見出して、見出された適切な照明瞳輝度分布を形成するように、光学素子を製造することにより、デバイスの量産のための露光を開始する。その結果、空間光変調器を用いて適切な照明瞳輝度分布を迅速に決定することにより照明条件の調整からデバイスの量産へ移行する時間を短縮することができるとともに、空間光変調器よりも耐久性の高い光学素子を用いてデバイスの量産を行うことによりデバイスの生産性の向上を達成することができる。
こうして、本発明の実施形態に係る光学素子の製造方法では、パターン特性に応じた照明条件を実現することができ、且つデバイスの生産性の向上を達成することができる。換言すれば、本発明の実施形態に係る露光装置では、本発明の実施形態にしたがって製造された光学素子を介した照明光を用いて所定のパターンを照明する照明光学系を用いて、パターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができ、ひいては良好なデバイスを高い生産性をもって製造することができる。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1において、感光性基板であるウェハWの法線方向に沿ってZ軸を、ウェハWの面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、ウェハWの面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。図1を参照すると、本実施形態の露光装置には、光源1からの露光光(照明光)が供給される。
光源1として、たとえば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源や248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源などを用いることができる。光源1から射出された光は、整形光学系2により所要の断面形状の光束に拡大され、空間光変調器3に入射する。空間光変調器3は、二次元的に配列された複数のミラー要素(一般には光学要素)3aと、複数のミラー要素3aの姿勢を個別に制御駆動する駆動部3bとを有する。駆動部3bは、制御部4からの指令にしたがって、複数のミラー要素3aの姿勢を個別に制御駆動する。空間光変調器3の構成および作用については後述する。
空間光変調器3は、照明光路に対して挿脱可能に構成され、平面ミラー(またはプリズムミラー)PMと交換可能である。空間光変調器3および平面ミラーPMの照明光路に対する挿脱は、制御部4からの指令にしたがって行われる。空間光変調器3または平面ミラーPMで反射された光は、リレー光学系5および回折光学素子6を介して、アフォーカルレンズ7に入射する。回折光学素子6は、照明光路に対して挿脱自在に構成され、そのファーフィールドに異なる光強度分布を形成する他の回折光学素子と交換可能に構成されている。回折光学素子6の照明光路に対する挿脱は、制御部4からの指令にしたがって行われる。
一般に、回折光学素子は、基板に露光光(照明光)の波長程度のピッチを有する段差を形成することによって構成され、入射ビームを所望の角度に回折する作用を有する。以下、露光装置の基本的な動作の理解を容易にするために、照明光路中には空間光変調器3に代えて平面ミラーPMが配置され、回折光学素子6として輪帯照明用の回折光学素子が配置されているものとする。リレー光学系5は、平面ミラーPMまたは空間光変調器3が配置される位置(厳密には平面ミラーPMまたは空間光変調器3の反射面が光軸AXと交差する位置)と、回折光学素子6が配置される位置(厳密には回折光学素子6の回折面の位置)とが光学的に共役になるように構成されている。
輪帯照明用の回折光学素子6は、矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、この光束を波面分割すると共にそのファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に輪帯状の光強度分布を形成する機能を有する。アフォーカルレンズ7は、その前側焦点位置と回折光学素子6の位置とがほぼ一致し且つその後側焦点位置と図中破線で示す所定面8の位置とがほぼ一致するように設定されたアフォーカル系(無焦点光学系)である。したがって、回折光学素子6に入射したほぼ平行光束は、アフォーカルレンズ7の瞳面に輪帯状の光強度分布を形成した後、輪帯状の角度分布でアフォーカルレンズ7から射出される。
アフォーカルレンズ7の前側レンズ群7aと後側レンズ群7bとの間の光路中においてその瞳面の位置またはその近傍の位置には、円錐アキシコン系9が配置されている。円錐アキシコン系9の構成および作用については後述する。アフォーカルレンズ7を介した光束は、σ値(σ値=照明光学装置のマスク側開口数/投影光学系のマスク側開口数)可変用のズームレンズ10を介して、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11に入射する。
シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11は、図2に示すように、光源側に配置された第1フライアイ部材11aとマスク側に配置された第2フライアイ部材11bとから構成されている。第1フライアイ部材11aの光源側の面および第2フライアイ部材11bの光源側の面には、X方向に並んで配列されたシリンドリカルレンズ群11aaおよび11baがそれぞれピッチp1で形成されている。
一方、第1フライアイ部材11aのマスク側の面および第2フライアイ部材11bのマスク側の面には、Z方向に並んで配列されたシリンドリカルレンズ群11abおよび11bbがそれぞれピッチp2(p2>p1)で形成されている。シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11のX方向に関する屈折作用(すなわちXY平面に関する屈折作用)に着目すると、光軸AXに沿って入射した平行光束は、第1フライアイ部材11aの光源側に形成されたシリンドリカルレンズ群11aaによってX方向に沿ってピッチp1で波面分割され、その屈折面で集光作用を受けた後、第2フライアイ部材11bの光源側に形成されたシリンドリカルレンズ群11baのうちの対応するシリンドリカルレンズの屈折面で集光作用を受け、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の後側焦点面上に集光する。
一方、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11のZ方向に関する屈折作用(すなわちYZ平面に関する屈折作用)に着目すると、光軸AXに沿って入射した平行光束は、第1フライアイ部材11aのマスク側に形成されたシリンドリカルレンズ群11abによってZ方向に沿ってピッチp2で波面分割され、その屈折面で集光作用を受けた後、第2フライアイ部材11bのマスク側に形成されたシリンドリカルレンズ群11bbのうちの対応するシリンドリカルレンズの屈折面で集光作用を受け、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の後側焦点面上に集光する。
このように、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11は、シリンドリカルレンズ群が両側面に配置された第1フライアイ部材11aと第2フライアイ部材11bとにより構成されているが、X方向にp1のサイズを有しZ方向にp2のサイズを有する多数の矩形状の微小屈折面が縦横に且つ稠密に一体形成されたマイクロフライアイレンズと同様の光学的機能を発揮する。シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11では、微小屈折面の面形状のばらつきに起因する歪曲収差の変化を小さく抑え、たとえばエッチング加工により一体的に形成される多数の微小屈折面の製造誤差が照度分布に与える影響を小さく抑えることができる。
所定面8の位置はズームレンズ10の前側焦点位置の近傍に配置され、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の入射面はズームレンズ10の後側焦点位置の近傍に配置されている。換言すると、ズームレンズ10は、所定面8とシリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に配置し、ひいてはアフォーカルレンズ7の瞳面とシリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の入射面とを光学的にほぼ共役に配置している。
したがって、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の入射面上には、アフォーカルレンズ7の瞳面と同様に、たとえば光軸AXを中心とした輪帯状の照野が形成される。この輪帯状の照野の全体形状は、ズームレンズ10の焦点距離に依存して相似的に変化する。シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11における波面分割単位としての矩形状の微小屈折面は、マスクM上において形成すべき照野の形状(ひいてはウェハW上において形成すべき露光領域の形状)と相似な矩形状である。
シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11に入射した光束は二次元的に分割され、その後側焦点面またはその近傍(ひいては照明瞳)には、入射光束によって形成される照野とほぼ同じ光強度分布を有する二次光源、すなわち光軸AXを中心とした輪帯状の実質的な面光源からなる二次光源が形成される。シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍に形成された二次光源からの光束は、その近傍に配置された開口絞りASに入射する。
開口絞りASは、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍に形成される輪帯状の二次光源に対応した輪帯状の開口部(光透過部)を有する。開口絞りASは、照明光路に対して挿脱自在に構成され、且つ大きさおよび形状の異なる開口部を有する複数の開口絞りと切り換え可能に構成されている。開口絞りの切り換え方式として、たとえば周知のターレット方式やスライド方式などを用いることができる。開口絞りASは、後述する投影光学系PLの入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、二次光源の照明に寄与する範囲を規定する。
開口絞りASにより制限された二次光源からの光は、コンデンサー光学系12を介して、マスクブラインド13を重畳的に照明する。こうして、照明視野絞りとしてのマスクブラインド13には、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の波面分割単位である矩形状の微小屈折面の形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形成される。マスクブラインド13の矩形状の開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学系14の集光作用を受けた後、所定のパターンが形成されたマスクMを重畳的に照明する。すなわち、結像光学系14は、マスクブラインド13の矩形状開口部の像をマスクM上に形成することになる。
マスクステージMS上に保持されたマスクMを透過した光束は、投影光学系PLを介して、ウェハステージWS上に保持されたウェハ(感光性基板)W上にマスクパターンの像を形成する。こうして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハステージWSを二次元的に駆動制御しながら、ひいてはウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うことにより、ウェハWの各露光領域にはマスクMのパターンが順次露光される。
なお、輪帯照明用の回折光学素子6に代えて、たとえば複数極照明用(2極照明用、4極照明用、8極照明用など)の回折光学素子や円形照明用の回折光学素子のように適当な特性を有する回折光学素子を照明光路中に設定することによって、様々な形態の変形照明を行うことができる。回折光学素子の切り換え方式として、たとえば周知のターレット方式やスライド方式などを用いることができる。
円錐アキシコン系9は、光源側から順に、光源側に平面を向け且つマスク側に凹円錐状の屈折面を向けた第1プリズム部材9aと、マスク側に平面を向け且つ光源側に凸円錐状の屈折面を向けた第2プリズム部材9bとから構成されている。そして、第1プリズム部材9aの凹円錐状の屈折面と第2プリズム部材9bの凸円錐状の屈折面とは、互いに当接可能なように相補的に形成されている。また、第1プリズム部材9aおよび第2プリズム部材9bのうち少なくとも一方の部材が光軸AXに沿って移動可能に構成され、第1プリズム部材9aの凹円錐状の屈折面と第2プリズム部材9bの凸円錐状の屈折面との間隔が可変に構成されている。以下、理解を容易にするために、輪帯状の二次光源に着目して、円錐アキシコン系9の作用およびズームレンズ10の作用を説明する。
第1プリズム部材9aの凹円錐状屈折面と第2プリズム部材9bの凸円錐状屈折面とが互いに当接している状態では、円錐アキシコン系9は平行平面板として機能し、形成される輪帯状の二次光源に及ぼす影響はない。しかしながら、第1プリズム部材9aの凹円錐状屈折面と第2プリズム部材9bの凸円錐状屈折面とを離間させると、輪帯状の二次光源の幅(輪帯状の二次光源の外径と内径との差の1/2)を一定に保ちつつ、輪帯状の二次光源の外径(内径)が変化する。すなわち、輪帯状の二次光源の輪帯比(内径/外径)および大きさ(外径)が変化する。
ズームレンズ10は、輪帯状の二次光源の全体形状を相似的に拡大または縮小する機能を有する。たとえば、ズームレンズ10の焦点距離を最小値から所定の値へ拡大させることにより、輪帯状の二次光源の全体形状が相似的に拡大される。換言すると、ズームレンズ10の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比が変化することなく、その幅および大きさ(外径)がともに変化する。このように、円錐アキシコン系9およびズームレンズ10の作用により、輪帯状の二次光源の輪帯比と大きさ(外径)とを制御することができる。
本実施形態では、空間光変調器3として、たとえば二次元的に配列された複数のミラー要素3aの向きを連続的にそれぞれ変化させる空間光変調器を用いている。このような空間光変調器としては、たとえば特表平10−503300号公報およびこれに対応する欧州特許公開第779530号公報、特開2004−78136号公報およびこれに対応する米国特許第6,900,915号公報、特表2006−524349号公報およびこれに対応する米国特許第7,095,546号公報、並びに特開2006−113437号公報に開示される空間光変調器を用いることができる。
以下、図3を参照して、回折光学素子の製造方法にかかる実施形態について説明する。図3は、光学素子(回折光学素子)の製造工程を示すフローチャートである。図3に示すように、量産デバイスを露光するためのパターンを備えたマスクMを露光装置内に設定する(ステップS101)。言い換えると、量産デバイスを露光するためのパターンを備えたマスクMを、露光装置内のマスクステージMS上に載置する。なお、このマスクMのパターンは、OPCパターン(光学近接効果補正のためのパターン)を有していても良く、また、露光面(像面)に形成される光パターンとほぼ相似なパターンでなくとも良い。
次に、デバイスの量産のための露光に先立つ照明瞳輝度分布の調整すなわち照明条件の調整に際して、平面ミラーPMに代えて空間光変調器3を照明光路に挿入し、回折光学素子6を照明光路から退避させる。空間光変調器3では、制御部4からの制御信号に応じて、複数のミラー要素3aの姿勢がそれぞれ変化し、各ミラー要素3aがそれぞれ所定の向きに設定される。空間光変調器3の複数のミラー要素3aによりそれぞれ所定の角度で反射された光は、制御部4から複数のミラー要素3aへの制御信号に応じた光強度分布を、リレー光学系5の瞳面に形成する。
リレー光学系5の瞳面に所定の光強度分布を形成した光は、アフォーカルレンズ7の瞳面、シリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の入射面、およびシリンドリカルマイクロフライアイレンズ11の後側焦点面またはその近傍の照明瞳(開口絞りASが配置されている位置)に、同様の光強度分布(すなわち照明瞳輝度分布)を形成する(ステップS102)。すなわち、リレー光学系5、アフォーカルレンズ7、ズームレンズ10、およびシリンドリカルマイクロフライアイレンズ11は、空間光変調器3を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系を構成している。
一方、アフォーカルレンズ7、ズームレンズ10、およびシリンドリカルマイクロフライアイレンズ11は、回折光学素子6を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系を構成している。なお、回折光学素子6を用いる場合、その回折パターンに応じて照明瞳に形成される光強度分布すなわち照明瞳輝度分布は固定的である。これに対し、空間光変調器3を用いる場合、制御部4から複数のミラー要素3aへの制御信号に応じて、照明瞳輝度分布を自在に且つ迅速に変化させることができる。すなわち、空間光変調器3は、照明瞳に所定の光強度分布を形成する点において回折光学素子6と類似しているが、照明瞳に光強度分布を可変的に形成する点において回折光学素子6と相違している。
露光装置では、マスクMのパターンをウェハWに高精度に且つ忠実に転写するために、パターン特性に応じた適切な照明条件のもとで露光を行うことが重要であり、とりわけパターン特性に応じた適切な照明瞳輝度分布を見出すことが重要である。本実施形態では、平面ミラーPMに代えて空間光変調器3を照明光路に挿入し、且つ回折光学素子6を照明光路から退避させた状態で、空間光変調器3を用いて照明瞳輝度分布を変化させつつ実際の露光を繰り返すことにより、マスクMのパターン特性に応じた適切な照明瞳輝度分布を迅速に見出す。
具体的には、平面ミラーPMに代えて空間光変調器3を照明光路に挿入し、且つ回折光学素子6を照明光路から退避させた状態で、空間光変調器3を用いて照明瞳輝度分布を形成し、この照明瞳輝度分布からの光により、レジスト(感光性材料)が塗布されたウェハWに実際の露光を行う(ステップS103)。
そして、露光されたウェハWを現像し、現像されたレジストパターンを計測する(ステップS104)。なお、このステップS104では、現像されたレジストパターンを計測したが、レジストパターンをハードマスクとしてウェハWの表面を加工し、加工されたウェハW上のパターンを計測しても良い。この加工には、例えばウェハWの表面のエッチング及び金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。
その後、被露光パターン(レジストパターンおよび加工されたウェハW上のパターンの少なくとも一方のパターン)が、得ようとする実デバイスパターンに対して許容範囲内か否かを判断する(ステップS105)。ここで、許容範囲は、得ようとする実デバイスパターンと被露光パターンとの形状誤差の許容範囲としても良い。また、露光工程に引き続いて行われるウェハWの表面への加工処理時の誤差等を考慮して許容範囲を決定するために、被露光パターンとして、加工されたウェハW上のパターンを用いても良い。
このステップS105において、被露光パターンが許容範囲外であると判断した場合には、空間光変調器3により照明瞳輝度分布を調節した後にステップS103へ移行する(ステップS108)。そして、被露光パターンが許容範囲内と判断されるまで、ステップS103〜S105,S108を繰り返して実行する。
こうして、ステップS105において、被露光パターンが許容範囲内であると判断した場合には、照明瞳輝度分布の調節を終了し(ステップS106)、この許容範囲内の被露光パターンを露光する際に用いた照明瞳輝度分布の情報に基づいて、光学素子を製造する(ステップS107)。なお、光学素子として回折光学素子を用いる場合には、例えば米国特許第5,850,300号公報及び米国特許公開第2008/0074746号公報に開示される製造方法に従って光学素子を製造することができる。
そして、上述したように、空間光変調器3を用いて見出された適切な照明瞳輝度分布を形成するための特性を有する回折光学素子6を設計・製造して照明光路に挿入し、且つ空間光変調器3に代えて平面ミラーPMを照明光路に挿入した状態で、デバイスの量産のための露光を開始する。その結果、空間光変調器3を用いて適切な照明瞳輝度分布を迅速に決定することにより照明条件の調整からデバイスの量産へ移行する時間を短縮することができるとともに、空間光変調器3よりも耐久性の高い回折光学素子6を用いてデバイスの量産を行うことによりデバイスの生産性の向上を達成することができる。ちなみに、回折光学素子の設計および製造には時間がかかるため、特性の異なる回折光学素子を切り換えつつ適切な照明瞳輝度分布を見出す手法では、照明条件の調整からデバイスの量産へ移行するのに非常に多くの時間を要することになる。
ここで、回折光学素子6が配置され得る照明光路を第1光路であり、回折光学素子6が挿入可能な位置を第1位置と見なすことができる。なお、本明細書において「光路」とは、使用状態において、光が通ることが意図されている経路のことをいう。
空間光変調器3が配置され得る照明光路を第2光路と見なすことができ、空間光変調器3が挿入可能な位置を第2位置と見なすことができる。本実施形態では、第2位置は、第1位置と光学的に共役な位置である。なお、実用上差し支えない範囲で、第2位置を第1位置と光学的に共役な位置から外すことができる。
分布形成光学系が配置される照明光路を第3光路と見なすことができる。第3光路は、第1光路および前記第2光路のうちの少なくとも一方を経た光の光路とすることができる。
また、本実施形態においては、空間光変調器3が挿入され、回折光学素子6が光路外に退避している場合、空間光変調器3に代えて平面ミラーPMが挿入され、回折光学素子6が照明光路中に挿入されている場合、及び、空間光変調器3が挿入され、且つ回折光学素子6が挿入されている場合の何れの場合においても、整形光学系2からアフォーカルレンズ7の前側レンズ群7aまでの光路を第1光路と見なすことができ、整形光学系2からアフォーカルレンズ7の前側レンズ群7aまでの光路を第2光路と見なすことができ、円錐アキシコン系9以降の光学系の光路を第3光路と見なすことができる。
平面ミラーPMは、その第2位置への挿脱によって、光源1からの光に対し、第1光路に配置された回折光学素子6へ導く場合と、第2位置に配置された空間光変調器3へ導く場合とを切り換えて選択可能な選択部として機能することができる。すなわち、平面ミラーPMを第2位置に挿入し、且つ空間光変調器3を第2位置から退避することで、光源1からの光を第1光路に配置された回折光学素子1へ導くことができる。あるいは、平面ミラーPMを第2位置から退避し、且つ空間光変調器3を第2位置に挿入することで、光源1からの光を第2光路に配置された空間光変調器3へ導くことができる。
以上のように、本実施形態の照明光学系(2〜14)では、多様性に富んだ照明条件を実現することができ、且つ露光装置に適用した場合にデバイスの生産性の向上を達成することができる。また、本実施形態の露光装置(2〜WS)では、多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学系(2〜14)を用いて、マスクMのパターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができ、ひいては良好なデバイスを高い生産性をもって製造することができる。また、本実施形態の露光装置では、空間光変調器3を用いて照明瞳輝度分布を調整し、古い露光装置の経時的に変化した照明条件とほぼ同じ照明条件を実現することにより、古い露光装置とのマッチング露光を行うことができる。
なお、本実施形態では、古い露光装置とのマッチングを行えるだけではなく、同じ種類の露光装置間のマッチングも行うことができる。特に同じ種類の露光装置であってもOPE(光学近接効果)が異なる場合に有効である。マスクMのパターンがOPCパターン(光学近接効果補正のためのパターン)を含んでいる場合には、照明瞳輝度分布の誤差に対する被露光パターンの形状誤差の感度が高くなりがちなので、本実施形態の手法は特に有効である。
なお、上述の説明では、デバイスの量産に際して、回折光学素子6を照明光路に挿入し、且つ空間光変調器3に代えて平面ミラーPMを照明光路に挿入している。しかしながら、平面ミラーPMの設置を省略し、空間光変調器3を照明光路中に固定的に配置することもできる。この場合、デバイスの量産に際して、空間光変調器3が平面ミラーの機能を果たすように複数のミラー要素3aの姿勢が調整される。あるいは、デバイスの量産に際して、空間光変調器3と回折光学素子6とのコンボリューションにより所要の照明瞳輝度分布が形成されるように複数のミラー要素3aの姿勢が調整される。
また、上述の説明では、空間光変調器3と回折光学素子6とがリレー光学系5を挟んで光学的に共役な位置に配置されるように構成されている。しかしながら、これに限定されることなく、空間光変調器3が照明光路中に配置される位置と回折光学素子6が照明光路中に配置される位置とを一致させる構成も可能である。具体的には、平面ミラーPMを照明光路中に固定的に配置し、リレー光学系5の設置を省略して、図1において回折光学素子6が配置されている位置に空間光変調器3および回折光学素子6のいずれか一方を挿入する構成も可能である。ただし、この場合には、空間光変調器3および回折光学素子6のうちのいずれか一方だけが照明光路中に配置されることになり、空間光変調器3と回折光学素子6とのコンボリューションにより所要の照明瞳輝度分布を形成することはできない。
また、上述の説明では、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器として、二次元的に配列された複数の反射面の向き(傾き)を個別に制御可能な空間光変調器を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、たとえば二次元的に配列された複数の反射面の高さ(位置)を個別に制御可能な空間光変調器を用いることもできる。このような空間光変調器としては、たとえば特開平6−281869号公報及びこれに対応する米国特許第5,312,513号公報、並びに特表2004−520618号公報およびこれに対応する米国特許第6,885,493号公報の図1dに開示される空間光変調器を用いることができる。これらの空間光変調器では、二次元的な高さ分布を形成することで回折面と同様の作用を入射光に与えることができる。
なお、上述した二次元的に配列された複数の反射面を持つ空間光変調器を、たとえば特表2006−513442号公報およびこれに対応する米国特許第6,891,655号公報や、特表2005−524112号公報およびこれに対応する米国特許公開第2005/0095749号公報の開示に従って変形しても良い。また、上述の説明では、複数のミラー要素3aを有する反射型の空間光変調器3を用いているが、これに限定されることなく、たとえば米国特許第5,229,872号公報に開示される透過型の空間光変調器を用いても良い。
上述の実施形態では、回折光学素子6を光学素子とみなしたが、入射ビームを所望の角度に屈折してそのファーフィールドに所望の光強度分布を形成する屈折光学素子を光学素子とみなしても良い。この屈折光学素子も、例えば矩形状の断面を有する平行光束が入射した場合に、この光束を波面分割すると共にそのファーフィールド(またはフラウンホーファー回折領域)に所望(例えば輪帯状、多極状)の光強度分布を形成する機能を有する。
なお、上述の実施形態では、空間光変調器3を構成する複数のミラー要素3aの配列面が光軸AXに対して45度配置されているため、光軸AXと交差する中心部のミラー要素3aはリレー光学系5を介して回折光学素子6と共役な位置に配置されているが、中心部以外の他のミラー要素3aは回折光学素子6との共役位置から位置ずれしている。この場合、回折光学素子6との共役位置からのミラー要素3aの位置ずれが照明瞳輝度分布の形成に及ぼす影響を小さく抑えるために、リレー光学系5として比較的暗い光学系(小さな開口数を持つ光学系)を用いてもよい。
なお、リレー光学系5として比較的明るい光学系(高い開口数を持つ光学系)を用いる場合には、図4に示すように空間光変調器3の直前に光路折曲げ反射ミラー21を付設して、空間光変調器3を構成する複数のミラー要素3aへの光の入射角度を所定の角度以下にすることにより、空間光変調器3のミラー要素3aの位置ずれが照明瞳輝度分布の形成に及ぼす影響を小さく抑えることができる。
また、この図4に示すように、空間光変調器3の入射側に位置する光学系の光軸AX1と、空間光変調器3の複数のミラー要素3aの配列面の法線とのなす角度を45度よりも小さくすることによって、空間光変調器3の複数のミラー要素3aへの入射光をほぼ垂直入射に近づけることが可能である。このときには、射出側に位置する光学系から見た際に空間光変調器3の複数のミラー要素3aの縦横比が圧縮または伸張されない利点がある。
また、上述の実施形態では、空間光変調器3を構成する複数のミラー要素3aが光軸AXに対して45度配置されているが、図5に示すように空間光変調器3の複数のミラー要素3aの配列面を光軸AXに対して90度配置する構成も可能である。図5の変形例では、整形光学系2と空間光変調器3との間の光路中に配置された偏光ビームスプリッター31と、偏光ビームスプリッター31と空間光変調器3の複数のミラー要素3aとの間の光路中に配置された1/4波長板32とを備えている。
したがって、整形光学系2を介して偏光ビームスプリッター31の偏光分離面に対してS偏光状態で入射した光は、偏光ビームスプリッター31で反射され、1/4波長板32により円偏光に変換された後、空間光変調器3の複数のミラー要素3aに入射する。空間光変調器3の複数のミラー要素3aで反射された円偏光状態の光は、1/4波長板32によりP偏光に変換された後、偏光ビームスプリッター31を透過し、リレー光学系5に入射する。なお、空間光変調器3は、平面ミラーPMと交換可能に構成されている。
図5の変形例では、空間光変調器3の複数のミラー要素3aの配列面が光軸AXと直交するように位置決めされているので、すべてのミラー要素3aがリレー光学系5を介して回折光学素子6と共役になっている。その結果、図1の実施形態および図4の変形例とは異なり、回折光学素子6との共役位置からのミラー要素3aの位置ずれが照明瞳輝度分布の形成に影響を及ぼすという不都合が発生しない。
また、上述の実施形態並びに変形例では、空間光変調器3の位置に平面ミラーPMを挿入している。しかしながら、図6に示すように、空間光変調器3を固定的に配置し、平面ミラーPMを空間光変調器の複数のミラー要素3aの直前に挿入する構成も可能である。
ここで、図6(a)は図1の実施形態における空間光変調器3の複数のミラー要素3aの入射側(射出側)光路に平面ミラーPMを挿脱可能に設けた変形例を示し、図6(b)は図4の変形例における空間光変調器3の複数のミラー要素3aの入射側(射出側)光路に平面ミラーPMを挿脱可能に設けた変形例を示し、図6(c)は図5の変形例における空間光変調器3の複数のミラー要素3aの入射側(射出側)光路に平面ミラーPMを挿脱可能に設けた変形例を示す。
このように、空間光変調器3を固定的に配置し、平面ミラーPMを空間光変調器の複数のミラー要素3aの直前に挿入することによっても、空間光変調器3の複数の光学要素3aを、照明光学系の光路内の位置と照明光学系の光路外の位置との間で選択的に位置させることができる。
また、図6(a)〜図6(c)に示す変形例においては、平面ミラーPM及び回折光学素子6の双方が照明光路外に退避している場合、平面ミラーPM及び回折光学素子6の双方が照明光路内に挿入されている場合、並びに、平面ミラーPMが照明光路から退避し且つ回折光学素子6が照明光路内に挿入されている場合の何れにおいても、整形光学系2からアフォーカルレンズ7の前側レンズ群7aまでの光路を第1光路と見なすことができ、整形光学系2からアフォーカルレンズ7の前側レンズ群7aまでの光路を第2光路と見なすことができ、円錐アキシコン系9以降の光学系の光路を第3光路と見なすことができる。
平面ミラーPMは、空間光変調器3の直前の位置への挿脱によって、光源1からの光に対し、第1光路に配置された回折光学素子6へ導く場合と、第2位置に配置された空間光変調器3へ導く場合とを切り換えて選択可能な選択部として機能することができる。すなわち、平面ミラーPMを空間光変調器3の直前の位置に挿入することで、光源1からの光を第1光路に配置された回折光学素子6へ導くことができる。あるいは、平面ミラーPMを空間光変調器3の直前の位置から退避することで、光源1からの光を第2光路に配置された空間光変調器3へ導くことができる。
また、上述の実施形態並びに変形例において、平面ミラーPMの代わりに、プリズムミラーPM1を用いてもよい。図9は、実施形態に係る露光装置において、平面ミラーPMの代わりにプリズムミラーPM1を用いた場合の変形例の構成を概略的に示す図であるを示す。
なお、上述の実施形態並びに変形例において、空間光変調器3を用いて照明瞳輝度分布を形成する際に、瞳輝度分布計測装置で照明瞳輝度分布を計測しつつこの計測結果に応じて空間光変調器3を制御してもよい。このような技術は、たとえば特開2006−54328号公報や特開2003−22967号公報およびこれに対応する米国特許公開第2003/0038225号公報に開示されている。また、瞳輝度分布計測装置として、米国特許公開第2008/0030707号公報に開示されるものを用いてもよい。
なお、上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置を用いれば、パターン面が縦置きでも同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)を用いることができる。DMDを用いた露光装置は、例えば特開2004−304135号公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレットに開示されている。また、DMDのような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。なお、パターン面が横置きの場合であっても可変パターン形成装置を用いても良い。
また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、国際公開番号WO99/49504号公報に開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平6−124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平10−303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。
また、上述の実施形態において、米国特許公開第2006/0203214号公報、米国特許公開第2006/0170901号公報、及び米国特許公開第2007/0146676号公報に開示される偏光照明方法を適用しても良い。
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことができる。
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図7は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図7に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。
ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを、感光性基板つまりプレートPとしてパターンの転写を行う。
図8は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図8に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。
ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。
ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
なお、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光(波長:193nm)やKrFエキシマレーザ光(波長:248nm)を用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえば波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。
また、上述の実施形態では、露光装置においてマスクを照明する照明光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、マスク以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本発明を適用することもできる。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。また、上記実施形態の各構成要素等は、いずれの組み合わせ等も可能とすることができる。
1…光源、3…空間光変調器、3a…空間光変調器の複数のミラー要素、4…制御部、5…リレー光学系、6…回折光学素子、7…アフォーカルレンズ、9…円錐アキシコン系、10…ズームレンズ、11…シリンドリカルマイクロフライアイレンズ、12…コンデンサー光学系、13…マスクブラインド、14…結像光学系、AS…開口絞り、M…マスク、PL…投影光学系、W…ウェハ。
Claims (29)
- 光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
回折光学素子が、その第1位置に配置され得る第1光路と、
二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器が、その第2位置に配置され得る第2光路と、
前記第1光路および前記第2光路のうちの少なくとも一方を経た光の光路であり、分布形成光学系が配置された第3光路と、を備え、
前記分布形成光学系は、前記第1及び第2光路のうち少なくとも一方を経た光に基づいて前記第3光路中に位置する照明瞳に所定の光強度分布を形成することを特徴とする照明光学系。 - 前記第2位置は、前記第1位置と同じ位置または前記第1位置と光学的に共役な位置であることを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記光源からの光に対し、前記第1光路に配置された前記回折光学素子へ導く光路と、前記第2位置に配置された前記空間光変調器へ導く光路とを切り換えるための選択手段を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の照明光学系。
- 前記選択手段は、前記第2位置に平面ミラーまたはプリズムミラーを挿脱することにより選択することを特徴とする請求項3に記載の照明光学系。
- 前記選択手段は、前記空間光変調器の直前の位置に挿脱可能な反射鏡を備えていることを特徴とする請求項3に記載の照明光学系。
- 光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系とを備え、
前記空間光変調器の前記複数の光学要素は、前記照明光学系の光路内の位置および前記照明光学系の光路外の位置の間で選択的に位置することを特徴とする照明光学系。 - 前記空間光変調器は、前記照明光学系の光路に対して挿脱可能であることを特徴とする請求項6に記載の照明光学装置。
- 前記空間光変調器の前記複数の光学要素の入射側に挿脱可能に設けられた反射面を備えることを特徴とする請求項6に記載の照明光学装置。
- 光源からの光に基づいて被照射面を照明する照明光学系において、
前記照明光学系の光路中の第1位置に挿入可能な回折光学素子と、
前記第1位置または前記第1位置と光学的に共役な第2位置に挿入可能で、二次元的に配列されて個別に制御される複数の光学要素を有する空間光変調器と、
前記回折光学素子および前記空間光変調器のうちの少なくとも一方を介した光に基づいて照明瞳に所定の光強度分布を形成する分布形成光学系とを備えていることを特徴とする照明光学系。 - 前記空間光変調器は、前記第2位置において平面ミラーまたはプリズムミラーと交換可能であることを特徴とする請求項9に記載の照明光学系。
- 前記空間光変調器の直前に配置されて、前記空間光変調器への光の入射角度を所定の角度以下にする光路折曲げ反射ミラーを備えていることを特徴とする請求項10に記載の照明光学系。
- 前記光源と前記空間光変調器との間の光路中に配置された偏光ビームスプリッターと、該偏光ビームスプリッターと前記空間光変調器との間の光路中に配置された1/4波長板とを備え、前記偏光ビームスプリッターに入射した光を、前記1/4波長板、前記空間光変調器、前記1/4波長板、および前記偏光ビームスプリッターを介して前記被照射面へ導くことを特徴とする請求項10に記載の照明光学系。
- 前記回折光学素子および前記空間光変調器のうちの少なくとも一方の光路中への配置を制御する制御部を備えていることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記制御部は、前記回折光学素子および前記空間光変調器のうちのいずれか一方を前記第1位置に配置することを特徴とする請求項13に記載の照明光学系。
- 前記制御部は、前記回折光学素子を前記第1位置に配置するとともに、前記空間光変調器を前記第2位置に配置することを特徴とする請求項13に記載の照明光学系。
- 前記空間光変調器は、二次元的に配列された複数のミラー要素と、該複数のミラー要素の姿勢を個別に制御駆動する駆動部とを有することを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記駆動部は、前記複数のミラー要素の向きを連続的または離散的に変化させることを特徴とする請求項16に記載の照明光学系。
- 前記被照射面と光学的に共役な面を形成する投影光学系と組み合わせて用いられ、前記照明瞳は前記投影光学系の開口絞りと光学的に共役な位置であることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 所定のパターンを照明するための請求項1乃至18のいずれか1項に記載の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。
- 光源からの光に基づいて所定の照明瞳輝度分布を形成するための光学素子であって、前記所定の照明瞳輝度分布からの光によって所定のパターンを基板に露光する露光装置に適用される光学素子の製造方法において、
前記所定のパターンを前記露光装置内に設定する第1工程と;
所要の照明瞳輝度分布を形成するために、空間光変調器を用いて前記光源からの光を変調する第2工程と;
前記空間光変調器で変調された光に基づいて、前記露光装置内に設定された前記所定のパターンを前記基板に露光する第3工程と;
前記基板に露光された被露光パターンを計測する第4工程と;
前記第4工程で計測された前記被露光パターンに基づいて、照明瞳輝度分布を調節する第5工程と;
前記被露光パターンを露光する際に用いた照明瞳輝度分布の情報に基づいて、前記光学素子を製造する第6工程とを備えることを特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記第5工程では、前記第4工程で計測された前記被露光パターンに基づいて、照明瞳輝度分布を調節した後再度前記第3工程、第4工程、第5工程を実行することを特徴とする請求項20に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第5工程では、前記第4工程で計測された前記被露光パターンに基づいて、照明瞳輝度分布を変更することなく調節することを特徴とする請求項20に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第5工程では、前記第4工程で計測された前記被露光パターンの形状誤差に基づいて、照明瞳輝度分布を調節することを特徴とする請求項20に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第3工程と前記第4工程との間に、前記基板上の感光性材料を現像して前記被露光パターンを得る第7工程を備えていることを特徴とする請求項20〜23の何れか一項に記載の光学素子の製造方法。
- 前記所定のパターンは光学近接効果補正パターンを含んでいることを特徴とする請求項20乃至24のいずれか1項に記載の光学素子の製造方法。
- 前記光学素子は回折光学素子であることを特徴とする請求項20乃至25のいずれか1項に記載の光学素子の製造方法。
- 請求項20乃至26のいずれか1項に記載の製造方法に従って製造された光学素子。
- 請求項27に記載の光学素子を介した照明光を用いて所定のパターンを照明するための照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項19または28に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US96008507P | 2007-09-14 | 2007-09-14 | |
US60/960,085 | 2007-09-14 | ||
US7194908P | 2008-05-27 | 2008-05-27 | |
US61/071,949 | 2008-05-27 | ||
US12/191,821 | 2008-08-14 | ||
US12/191,821 US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2008-08-14 | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013192079A Division JP5626433B2 (ja) | 2007-09-14 | 2013-09-17 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015046601A true JP2015046601A (ja) | 2015-03-12 |
Family
ID=40101133
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226683A Expired - Fee Related JP5428250B2 (ja) | 2007-09-14 | 2008-09-04 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2013192079A Expired - Fee Related JP5626433B2 (ja) | 2007-09-14 | 2013-09-17 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014186426A Pending JP2015046601A (ja) | 2007-09-14 | 2014-09-12 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226683A Expired - Fee Related JP5428250B2 (ja) | 2007-09-14 | 2008-09-04 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2013192079A Expired - Fee Related JP5626433B2 (ja) | 2007-09-14 | 2013-09-17 | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8451427B2 (ja) |
EP (3) | EP2631699B1 (ja) |
JP (3) | JP5428250B2 (ja) |
KR (1) | KR101614958B1 (ja) |
CN (3) | CN101743497A (ja) |
HK (3) | HK1143210A1 (ja) |
TW (2) | TWI556064B (ja) |
WO (1) | WO2009035129A2 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170018113A (ko) * | 2003-04-09 | 2017-02-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI573175B (zh) | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI453795B (zh) * | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
DE102006032810A1 (de) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement |
KR20090021755A (ko) * | 2007-08-28 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 반도체 기판의 노광 방법 |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2009050976A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2179329A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5360057B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2010016288A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5390691B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-01-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2011078070A1 (ja) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
KR101774607B1 (ko) | 2010-02-03 | 2017-09-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치 |
JP5842808B2 (ja) * | 2010-02-20 | 2016-01-13 | 株式会社ニコン | 瞳強度分布を調整する方法 |
US20110205519A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012004465A (ja) * | 2010-06-19 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5366019B2 (ja) | 2010-08-02 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP6120001B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JPWO2013164997A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2015-12-24 | 株式会社ニコン | 瞳輝度分布の評価方法および改善方法、照明光学系およびその調整方法、露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN103278913B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-07-01 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种非球面光刻耦合物镜 |
DE112014002683B4 (de) * | 2013-06-06 | 2024-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Justierverfahren für adaptives Optiksystem, adaptives Optiksystem und Speichermedium, das ein Programm für ein adaptives Optiksystem speichert |
WO2014196450A1 (ja) | 2013-06-06 | 2014-12-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 補償光学システムの対応関係特定方法、波面歪み補償方法、補償光学システム、および補償光学システム用プログラムを記憶する記録媒体 |
CN103744180A (zh) * | 2013-11-18 | 2014-04-23 | 四川星烁光电科技有限公司 | 用能量观点进行微投影照明系统的设计方法 |
EP2876498B1 (en) * | 2013-11-22 | 2017-05-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
EP3021153B1 (en) * | 2014-11-13 | 2018-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus, processing apparatus, and article manufacturing method |
US9625726B2 (en) * | 2014-12-05 | 2017-04-18 | Kla-Tencor Corp. | Lens array-based illumination for wafer inspection |
CN105301781B (zh) * | 2015-10-20 | 2018-12-14 | 浙江科技学院 | 可消除零极点的光学系统及其光场发散角调节方法 |
CN106814548A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 上海微电子装备有限公司 | 自由光瞳照明方法及照明系统 |
CN108885337B (zh) * | 2016-03-30 | 2021-06-04 | 株式会社尼康 | 光束扫描装置及图案描绘装置 |
CN107577108B (zh) * | 2016-07-04 | 2019-09-20 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种显示系统及方法 |
TWI655455B (zh) * | 2017-05-22 | 2019-04-01 | 國立中央大學 | 激發波段可調式之時域聚焦多光子激發螢光顯微鏡系統及其激發光選擇模組 |
JP6972186B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-11-24 | エシロール・アンテルナシオナル | 光造形物の製造方法および光造形装置 |
CN109426091B (zh) | 2017-08-31 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法及光刻方法 |
US11835838B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-12-05 | Exciting Technology LLC | System, method and apparatus for non-mechanical optical and photonic beam steering |
US11112691B2 (en) | 2019-01-16 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Inspection system with non-circular pupil |
WO2021211163A1 (en) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Exciting Technology LLC | High capability, multi-beam, decentered lens light beam steering |
US20230038746A1 (en) | 2020-04-17 | 2023-02-09 | Exciting Technology LLC | System, method, and apparatus for high precision light beam steering using a triplet lens |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176766A (ja) * | 1998-10-29 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明装置及び投影露光装置 |
JP2002353105A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003022967A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品 |
JP2004247737A (ja) * | 2003-02-11 | 2004-09-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置および光リソグラフシミュレーションを用いて照明源を最適化する方法 |
US20060050261A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-03-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
JP2007505488A (ja) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 |
JP2009093175A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Nikon Corp | 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
WO2010016288A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5262063B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-08-14 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (244)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2450470A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique de projection en photorepetition |
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4683420A (en) | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
JP2527807B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1996-08-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学的連想識別装置 |
US5153428A (en) | 1990-06-15 | 1992-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light |
US5251222A (en) * | 1991-04-01 | 1993-10-05 | Teledyne Industries, Inc. | Active multi-stage cavity sensor |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
US5383000A (en) | 1992-11-24 | 1995-01-17 | General Signal Corporation | Partial coherence varier for microlithographic system |
US5461410A (en) * | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Gray scale printing using spatial light modulators |
US5815248A (en) * | 1993-04-22 | 1998-09-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator |
EP0656555B1 (en) | 1993-12-01 | 2003-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display for 3D images |
US5850300A (en) * | 1994-02-28 | 1998-12-15 | Digital Optics Corporation | Diffractive beam homogenizer having free-form fringes |
US5815247A (en) | 1995-09-21 | 1998-09-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
KR100505202B1 (ko) | 1995-09-27 | 2005-11-25 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 줌장치 |
RU2084941C1 (ru) | 1996-05-06 | 1997-07-20 | Йелстаун Корпорейшн Н.В. | Адаптивный оптический модуль |
ATE404906T1 (de) | 1996-11-28 | 2008-08-15 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
AU1504799A (en) | 1997-12-16 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Aligner, exposure method and method of manufacturing device |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
WO1999049366A1 (fr) | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Photomasque et systeme d'exposition par projection |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
AU2958299A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device |
AU4167199A (en) | 1998-06-17 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Method for producing mask |
US6198576B1 (en) | 1998-07-16 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
AU4930099A (en) | 1998-08-18 | 2000-03-14 | Nikon Corporation | Illuminator and projection exposure apparatus |
US6466304B1 (en) | 1998-10-22 | 2002-10-15 | Asm Lithography B.V. | Illumination device for projection system and method for fabricating |
US6406148B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Electronic color switching in field sequential video displays |
AU4143000A (en) | 1999-04-28 | 2000-11-17 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
AU4395099A (en) | 1999-06-30 | 2001-01-22 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
DE10029938A1 (de) | 1999-07-09 | 2001-07-05 | Zeiss Carl | Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett |
US6280034B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-08-28 | Philips Electronics North America Corporation | Efficient two-panel projection system employing complementary illumination |
DE69930398T2 (de) | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
AU6005499A (en) | 1999-10-07 | 2001-04-23 | Nikon Corporation | Substrate, stage device, method of driving stage, exposure system and exposure method |
EP1109067B1 (en) | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
WO2002016993A1 (fr) | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Nikon Corporation | Dispositif de maintien d'element optique |
JP2002231619A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
SE0100336L (sv) * | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
KR20040007444A (ko) | 2001-02-06 | 2004-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법 |
US20020198765A1 (en) | 2001-02-22 | 2002-12-26 | Magrino Susan A. | Human capital management performance capability matching system and methods |
JPWO2002080185A1 (ja) | 2001-03-28 | 2004-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002084850A1 (fr) | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege |
US7015491B2 (en) * | 2001-06-01 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system |
JPWO2002101804A1 (ja) | 2001-06-11 | 2004-09-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置 |
JPWO2002103766A1 (ja) * | 2001-06-13 | 2004-10-07 | 株式会社ニコン | 走査露光方法及び走査型露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
WO2003023832A1 (fr) | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe |
SE0103006D0 (sv) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Micronic Lasersystems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece |
US6819490B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-11-16 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece |
EP1694079B1 (en) | 2001-10-01 | 2008-07-23 | Sony Corporation | Polarization selecting prism for a projection device |
JP3881865B2 (ja) | 2001-10-19 | 2007-02-14 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法 |
US6577379B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
US6900915B2 (en) * | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
JP4307813B2 (ja) | 2001-11-14 | 2009-08-05 | 株式会社リコー | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
US6577429B1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Laser projection display system |
TW200302507A (en) | 2002-01-21 | 2003-08-01 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
TWI253105B (en) * | 2002-03-01 | 2006-04-11 | Nikon Corp | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, recording medium, and device manufacturing method |
JP4352458B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
CN1650401B (zh) | 2002-04-09 | 2010-04-21 | 株式会社尼康 | 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法 |
US6960035B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-11-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method |
CN1659479A (zh) * | 2002-04-10 | 2005-08-24 | 富士胶片株式会社 | 曝光头及曝光装置和它的应用 |
JP2005524112A (ja) | 2002-04-29 | 2005-08-11 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | チップの保護装置およびチップの作動方法 |
US20050095749A1 (en) * | 2002-04-29 | 2005-05-05 | Mathias Krellmann | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
TW200307179A (en) * | 2002-05-27 | 2003-12-01 | Nikon Corp | Lighting device, exposing device and exposing method |
JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP2004051717A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | バイオマスのガス化装置 |
US20050141583A1 (en) | 2002-09-02 | 2005-06-30 | Torbjorn Sandstrom | Method and device for coherence reduction |
EP1395049A1 (en) | 2002-09-02 | 2004-03-03 | Sony International (Europe) GmbH | Illumination unit for a projection system |
JP2004104654A (ja) | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
JP2004111579A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
KR100480620B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
US6958867B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method |
US6665119B1 (en) * | 2002-10-15 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
CN101713932B (zh) * | 2002-11-12 | 2012-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
TWI281099B (en) * | 2002-12-02 | 2007-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100429748C (zh) | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
WO2004053952A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
US20040108973A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Kiser David K. | Apparatus for generating a number of color light components |
WO2004053950A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG157962A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004191660A (ja) | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
US6891655B2 (en) * | 2003-01-02 | 2005-05-10 | Micronic Laser Systems Ab | High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices |
EP1583946B1 (en) * | 2003-01-15 | 2006-11-08 | Micronic Laser Systems Ab | A method to detect a defective pixel |
JP4280509B2 (ja) | 2003-01-31 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 |
JP4366948B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-11-18 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
EP2945184B1 (en) | 2003-02-26 | 2017-06-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
SE0300516D0 (sv) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
EP1610361B1 (en) | 2003-03-25 | 2014-05-21 | Nikon Corporation | Exposure system and device production method |
JP2004304135A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
WO2004091079A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ |
KR101176817B1 (ko) | 2003-04-07 | 2012-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004094940A1 (ja) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
WO2004094301A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Metconnex Canada Inc. | A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
US7095546B2 (en) * | 2003-04-24 | 2006-08-22 | Metconnex Canada Inc. | Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
TW200507055A (en) | 2003-05-21 | 2005-02-16 | Nikon Corp | Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method |
TW201415536A (zh) | 2003-05-23 | 2014-04-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
TWI503865B (zh) | 2003-05-23 | 2015-10-11 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
KR20060009956A (ko) | 2003-05-28 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2004109780A1 (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Nikon Corporation | ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
WO2004114380A1 (ja) | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP2264532B1 (en) | 2003-07-09 | 2012-10-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR101296501B1 (ko) | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JPWO2005008754A1 (ja) | 2003-07-18 | 2007-09-20 | 株式会社ニコン | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
KR101477850B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
DE10343333A1 (de) | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7064880B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projector and projection method |
EP1709405A1 (en) | 2003-09-26 | 2006-10-11 | Tidal Photonics, Inc. | Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems |
JP2005136364A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JPWO2005036619A1 (ja) | 2003-10-09 | 2007-11-22 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JPWO2005036620A1 (ja) | 2003-10-10 | 2006-12-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1679738A4 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
TWI573175B (zh) * | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
US7148952B2 (en) | 2003-10-31 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI387855B (zh) | 2003-11-13 | 2013-03-01 | 尼康股份有限公司 | A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method |
WO2005048325A1 (ja) | 2003-11-17 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置 |
US7982857B2 (en) | 2003-12-15 | 2011-07-19 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and exposure method with recovery device having lyophilic portion |
KR101561727B1 (ko) | 2004-01-05 | 2015-10-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US7697110B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7580559B2 (en) * | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI505329B (zh) * | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
EP1724815B1 (en) | 2004-02-10 | 2012-06-13 | Nikon Corporation | Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method |
US20080151200A1 (en) | 2004-02-19 | 2008-06-26 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
EP1727188A4 (en) | 2004-02-20 | 2008-11-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4864869B2 (ja) | 2004-02-26 | 2012-02-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系 |
US6977718B1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography method and system with adjustable reflector |
JP2005309380A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光装置 |
JP2005302825A (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
KR101258033B1 (ko) | 2004-04-19 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
US7116403B2 (en) | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7259827B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby |
WO2006006730A1 (ja) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
DE102004035489A1 (de) * | 2004-07-19 | 2006-02-16 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Optisches System zur Umwandlung einer primären Intensitätsverteilung in eine vorgegebene, raumwinkelabhängige Intensitätsverteilung |
JP2006049758A (ja) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置 |
JP2006054328A (ja) | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4599936B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP1796143B1 (en) | 2004-09-01 | 2011-11-23 | Nikon Corporation | Substrate holder, stage apparatus, and exposure apparatus |
JPWO2006028188A1 (ja) | 2004-09-10 | 2008-05-08 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
US8130362B2 (en) | 2004-09-14 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Correction method and exposure apparatus |
KR20070054635A (ko) | 2004-09-17 | 2007-05-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광용 기판, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006035775A1 (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法 |
US7177012B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4335114B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-09-30 | 日本碍子株式会社 | マイクロミラーデバイス |
GB2419208A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Qinetiq Ltd | Optical correlation employing an optical bit delay |
WO2006049134A1 (ja) | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20070085214A (ko) | 2004-11-11 | 2007-08-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 및 기판 |
US7333177B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1837896B1 (en) | 2004-12-15 | 2015-09-09 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2006068233A1 (ja) | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Nikon Corporation | 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
US20060138349A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4984893B2 (ja) | 2005-01-21 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置 |
TWI453795B (zh) * | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
JP2006208432A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光方法および装置 |
WO2006080285A1 (ja) | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
KR100664325B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치 |
JP2006216917A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
WO2006085524A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光装置 |
WO2006085626A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2008533728A (ja) | 2005-03-15 | 2008-08-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 投影露光方法及びそのための投影露光システム |
WO2006097101A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Danmarks Tekniske Universitet | Optical manipulation system using a plurality of optical traps |
WO2006100889A1 (ja) | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機el層の形成方法 |
JP4561425B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法 |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317506B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Variable illumination source |
CN101156226B (zh) | 2005-04-27 | 2012-03-14 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法 |
US7400382B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form |
EP1882895A4 (en) | 2005-05-12 | 2012-06-27 | Techno Dream 21 Co Ltd | MEASURING METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL SHAPING AND EQUIPMENT THEREFOR |
JP4771753B2 (ja) | 2005-06-08 | 2011-09-14 | 新光電気工業株式会社 | 面光源制御装置および面光源制御方法 |
KR101302244B1 (ko) | 2005-07-01 | 2013-09-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템 |
DE102005030839A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven |
CN101138070B (zh) | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
TW200719095A (en) | 2005-11-09 | 2007-05-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP2007150295A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
JPWO2007055373A1 (ja) | 2005-11-14 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JPWO2007058188A1 (ja) | 2005-11-15 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TW200725195A (en) | 2005-12-06 | 2007-07-01 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method |
KR101340138B1 (ko) | 2005-12-08 | 2013-12-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 |
KR20080053500A (ko) | 2005-12-21 | 2008-06-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 옵티컬 인테그레이터, 조명광학장치, 노광장치 및디바이스의 제조방법 |
US7532378B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device |
US7525642B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20080104309A (ko) | 2006-02-27 | 2008-12-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 다이크로익 필터 |
JP2007234110A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法 |
WO2007100081A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7215478B1 (en) | 2006-03-06 | 2007-05-08 | Olympus Corporation | Immersion objective optical system |
JPWO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4893112B2 (ja) | 2006-06-03 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 高周波回路コンポーネント |
DE102006032810A1 (de) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement |
WO2008015973A1 (fr) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Nikon Corporation | Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts |
EP2068349A4 (en) | 2006-09-29 | 2011-03-30 | Nikon Corp | STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE |
KR100855628B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법 |
US7804603B2 (en) * | 2006-10-03 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method |
JP4924879B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | エンコーダ |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
WO2008065977A1 (fr) | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
JP4910679B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
KR20090106555A (ko) | 2006-12-27 | 2009-10-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법 |
WO2008090975A1 (ja) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Nikon Corporation | 支持構造体及び露光装置 |
US8937706B2 (en) * | 2007-03-30 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US9250536B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20080259304A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP5345132B2 (ja) | 2007-04-25 | 2013-11-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系 |
EP2146244B1 (en) | 2007-05-09 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Fabricatiion method of a photomask substrate |
US7573564B2 (en) | 2007-06-26 | 2009-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors |
JP2010537414A (ja) | 2007-08-30 | 2010-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム |
DE102007043958B4 (de) | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2009050976A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2179329A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2010004008A (ja) * | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JPWO2009153925A1 (ja) | 2008-06-17 | 2011-11-24 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
KR101504388B1 (ko) | 2008-06-26 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 표시소자의 제조방법 및 제조장치 |
WO2010001537A1 (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置 |
-
2008
- 2008-08-14 US US12/191,821 patent/US8451427B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-04 JP JP2008226683A patent/JP5428250B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 EP EP13156736.4A patent/EP2631699B1/en not_active Not-in-force
- 2008-09-10 WO PCT/JP2008/066803 patent/WO2009035129A2/en active Application Filing
- 2008-09-10 KR KR1020107008059A patent/KR101614958B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-10 EP EP08830323.5A patent/EP2188664B1/en not_active Not-in-force
- 2008-09-10 CN CN200880024806A patent/CN101743497A/zh active Pending
- 2008-09-10 CN CN201110307567.XA patent/CN102385258B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 CN CN201310320160.XA patent/CN103488056B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 EP EP09015719A patent/EP2278380B1/en not_active Not-in-force
- 2008-09-12 TW TW103122813A patent/TWI556064B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-09-12 TW TW097135029A patent/TWI452438B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-10-13 HK HK10109685.9A patent/HK1143210A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-06-01 HK HK12105345.7A patent/HK1165019A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-04-19 US US13/866,447 patent/US9057963B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-17 JP JP2013192079A patent/JP5626433B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-09 HK HK14104414.4A patent/HK1191411A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-08-11 US US14/456,563 patent/US9366970B2/en active Active
- 2014-09-12 JP JP2014186426A patent/JP2015046601A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176766A (ja) * | 1998-10-29 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明装置及び投影露光装置 |
JP2002353105A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003022967A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リトグラフ装置、デバイス製造方法、その方法により製造されたデバイス、制御システム、コンピュータ・プログラムおよびコンピュータ・プログラム製品 |
JP2004247737A (ja) * | 2003-02-11 | 2004-09-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置および光リソグラフシミュレーションを用いて照明源を最適化する方法 |
JP2007505488A (ja) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系 |
US20060050261A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-03-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
JP2009093175A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Nikon Corp | 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP5262063B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-08-14 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
WO2010016288A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2278380A1 (en) | 2011-01-26 |
TWI452438B (zh) | 2014-09-11 |
EP2631699A1 (en) | 2013-08-28 |
TW200923591A (en) | 2009-06-01 |
US20140347645A1 (en) | 2014-11-27 |
CN101743497A (zh) | 2010-06-16 |
WO2009035129A2 (en) | 2009-03-19 |
EP2278380B1 (en) | 2012-05-30 |
US8451427B2 (en) | 2013-05-28 |
JP5626433B2 (ja) | 2014-11-19 |
US9366970B2 (en) | 2016-06-14 |
EP2631699B1 (en) | 2016-11-09 |
CN102385258A (zh) | 2012-03-21 |
KR20100057084A (ko) | 2010-05-28 |
CN102385258B (zh) | 2015-07-01 |
US20130229639A1 (en) | 2013-09-05 |
JP2013251583A (ja) | 2013-12-12 |
TWI556064B (zh) | 2016-11-01 |
KR101614958B1 (ko) | 2016-04-22 |
US9057963B2 (en) | 2015-06-16 |
EP2188664B1 (en) | 2014-08-06 |
US20090073411A1 (en) | 2009-03-19 |
CN103488056B (zh) | 2015-11-25 |
JP2009117801A (ja) | 2009-05-28 |
JP5428250B2 (ja) | 2014-02-26 |
EP2188664A2 (en) | 2010-05-26 |
TW201439690A (zh) | 2014-10-16 |
CN103488056A (zh) | 2014-01-01 |
HK1191411A1 (zh) | 2014-07-25 |
HK1165019A1 (en) | 2012-09-28 |
WO2009035129A3 (en) | 2009-05-07 |
HK1143210A1 (en) | 2010-12-24 |
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---|---|---|---|
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