JP2012514762A - ダブルおよびトリプルパターニングリソグラフィのためのスピンコーティング用スペーサー材料 - Google Patents
ダブルおよびトリプルパターニングリソグラフィのためのスピンコーティング用スペーサー材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012514762A JP2012514762A JP2011544671A JP2011544671A JP2012514762A JP 2012514762 A JP2012514762 A JP 2012514762A JP 2011544671 A JP2011544671 A JP 2011544671A JP 2011544671 A JP2011544671 A JP 2011544671A JP 2012514762 A JP2012514762 A JP 2012514762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- composition
- pattern
- patterned surface
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title abstract description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 title description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 13
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- XMGQYMWWDOXHJM-JTQLQIEISA-N (+)-α-limonene Chemical compound CC(=C)[C@@H]1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-JTQLQIEISA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 aluminum diisopropoxide ethyl acetoacetate Chemical compound 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- DJQULQXOZQDEBV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]-2-methylpropane Chemical compound COCCOCCOCC(C)C DJQULQXOZQDEBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- NLNVUFXLNHSIQH-UHFFFAOYSA-N (2-ethyl-2-adamantyl) prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(CC)(OC(=O)C=C)C2C3 NLNVUFXLNHSIQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1 -dodecene Natural products CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- APLAZHQZHGNZFQ-UHFFFAOYSA-L CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CC(C)O[Ti+2]OC(C)C Chemical compound CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CC(C)O[Ti+2]OC(C)C APLAZHQZHGNZFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229960000473 altretamine Drugs 0.000 claims description 3
- UUVWYPNAQBNQJQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylmelamine Chemical compound CN(C)C1=NC(N(C)C)=NC(N(C)C)=N1 UUVWYPNAQBNQJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GQRTVVANIGOXRF-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-1-adamantyl) prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)C2(OC(=O)C=C)C3 GQRTVVANIGOXRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FDYDISGSYGFRJM-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-2-adamantyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(OC(=O)C(=C)C)(C)C2C3 FDYDISGSYGFRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(methoxymethyl)urea Chemical compound COCNC(=O)NCOC XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NEEAGZFWIFOFCK-UHFFFAOYSA-J 2-oxidopropanoate titanium(4+) dihydroxide Chemical compound CC(O[Ti](O)(O)OC(C)C([O-])=O)C([O-])=O NEEAGZFWIFOFCK-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CXRVNRVRMMXKKA-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti+2]OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Ti+2]OC(C)C CXRVNRVRMMXKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FTPDZHBOVXASGG-YXPRGSJFSA-K [H]\C(C(C)=O)=C(/C)O[Al](O\C(C)=C(\[H])C(=O)OCC)O\C(C)=C(\[H])C(=O)OCC Chemical compound [H]\C(C(C)=O)=C(/C)O[Al](O\C(C)=C(\[H])C(=O)OCC)O\C(C)=C(\[H])C(=O)OCC FTPDZHBOVXASGG-YXPRGSJFSA-K 0.000 claims description 2
- LRAMLJMXTWTRIX-UHFFFAOYSA-N [Hf++].CCCC[O-].CCCC[O-] Chemical compound [Hf++].CCCC[O-].CCCC[O-] LRAMLJMXTWTRIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 claims description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 claims description 2
- NIOLTQNBOYMEQK-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(2+) Chemical compound [Zr+2].CCCC[O-].CCCC[O-] NIOLTQNBOYMEQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 claims description 2
- DUSYNUCUMASASA-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);vanadium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[V+4] DUSYNUCUMASASA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- KOKKJWHERHSKEB-UHFFFAOYSA-N vanadium(3+) Chemical compound [V+3] KOKKJWHERHSKEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims 3
- IVJISJACKSSFGE-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound O=C.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 IVJISJACKSSFGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-amino-4-(4-fluorophenyl)thiophene-3-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=C(N)SC=C1C1=CC=C(F)C=C1 CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MFXWQGHKLXJIIP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-difluoro-2-methoxybenzene Chemical compound COC1=C(F)C=C(F)C=C1Br MFXWQGHKLXJIIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Substances O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- DCTVCFJTKSQXED-UHFFFAOYSA-N (2-ethyl-2-adamantyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(CC)(OC(=O)C(C)=C)C2C3 DCTVCFJTKSQXED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
新規のダブルおよびトリプルパターニング方法が提供される。上記方法は、パターニングされたテンプレート構造(例えば、ラインを有する構造)に収縮性組成物を塗布することと、上記組成物を加熱することと、を含む。上記収縮性組成物は、加熱の間収縮する特性を有するように選択される。その結果、上記収縮性組成物は、パターニングされたテンプレート構造を覆うようにコンフォーマル層を形成する。その後、上記層は、プレスペーサー構造を残すようにエッチングされる。プレスペーサー構造は、隆起物と、隆起物の側壁に隣接した収縮性組成物の残部とを有する。上記隆起物は除去され、2倍になったパターンが残る。別の態様では、テンプレート構造上に隆起物を形成する前に、追加のエッチング工程が行われ、その結果、パターンは2倍ではなく3倍になる。
Description
本発明は、広く、スペーサー構造を形成するために収縮性組成物を利用した、新規な多重パターニング方法に関する。
193nm液浸技術の次世代の開発や、極端紫外線露光装置(EUVL)の開発が遅れていることで、現時点で利用可能なツールを用いたダブルパターニングが、32nmや22nmハーフピッチノードに向けて2008年から2012年の間に利用が想定されている唯一のリソグラフィ技術である。自己整合型スペーサー技術は、広く研究されているダブルパターニング技術の一つである。スペーサーによるアプローチは、露光が一回で足りるという利点があり、連続する露光間のオーバーレイに関する深刻な問題を回避することができる。スペーサーは、予め形成したパターンに皮膜を形成し、その後、水平表面上の皮膜を除去するためにエッチングすることで、スペーサー皮膜層が側壁にのみ並んだ状態で残って得られる。その後、スペーサーのみ残して、最初のパターンは除去される。各ラインに二つのスペーサーが形成されるので、ラインの密度は二倍になる。結果として、32nmやさらに微細で高密度のラインが作製される。
CVD(化学蒸着)プロセスを用いて形成される皮膜をベースとしたスペーサー技術による試みが以前からなされている。上記プロセスは、フォトリソグラフィ前に、フォトレジストの下の層を調製するためのいくつかのCVD工程を含む。フォトリソグラフィの後、テンプレート(型板)を作製するために、下層を取り除くいくつかのエッチング工程が用いられる。テンプレートを作製した後、コンフォーマルコーティングを塗布するためにCVDが用いられる。さらに、コンフォーマルコーティングは、スペーサーを形成するためにエッチングされる。かなり多くの工程を必要とするため、コストが高く、効率の悪いプロセスとなる。さらに、積層するとCD(限界寸法)を制御することができなくなる。
材料および化学的収縮による高分解能化リソグラフィ(RELACS)と呼ばれるプロセスを用いて、微小なパターンの周期やピッチを倍にするための別の試みがなされている。RELACSプロセスは、レジストから拡散する酸によって誘発される架橋反応に基づくものであり、四つのステップ(スピンコーティング、全面露光、ベーキング、現像)を含む。該技術は主にコンタクトホールの縮小に応用されている。ここで、コンタクトホールの縮小はレジストによって誘発される化学的相互作用に依存する。このアプローチは微細なラインの形成には有用ではなく、KrF RELACSのプロセスが比較的穏やかな条件(<120℃)で行われるため、KrF(248nm)技術によって作製された大きなライン(>100nm)の周期を倍にするのに応用できる程度である。一方、32nmのラインの作製は、ArF(193nm)技術をベースとしたものである。ArFレジストにおける酸の運動性は極めて低い。そして、ArF RELACSのプロセスはベーキングに高温を必要とするが(>120℃)、これはレジストの元のラインを変形させるものである。このように、該プロセスは実用性に乏しい。
本発明は、マイクロ電子構造体を形成する方法を提供することによって、上記従来技術の問題に対処するものである。該方法は、パターニングされた表面を有する前駆体構造体の提供を含む。パターニングされた表面は、側壁と上表面を有する隆起物を少なくとも一つ含む。該隆起物の側壁と上表面を覆うために、収縮性組成物がパターニングされた表面に塗布される。パターニングされた表面と隆起物の上に収縮性組成物のコンフォーマル層を形成するため、該組成物は加熱される。隆起物と隆起物の側壁に接触するコンフォーマル層の残部を含むプレスペーサー構造体を形成するために、コンフォーマル層の少なくとも一部は除去される。
<新規な方法>
本発明は、皮膜の収縮に基づく新規の二段階のアプローチを提供するものである。
図1は、本発明の一つの実施態様を図示したものである。ここで、図1(a)はパターニングされた前駆体構造体10を表したものである。構造体10は第一の層12を有し、該層は上表面12aと下表面12bを有する。当然ではあるが、図1に表される態様は、特定のマイクロ電子工学プロセスにおけるある瞬間の模式図である。すなわち、図1に表される各工程は、模式図が作製中の積層体の第一の層を表すように工程の最初にあたるものであってもよく、または、作製される積層体の途中のものであってもよく、または、模式図が形成される積層体を含む最終工程のいくつかを示すように工程における最終段階にあたるものであってもよい。下表面12bは複数の層に接していてもよく、基板13に接していてもよい。該基板としては、例えば、ケイ素、SiGe、SiO2、Si3N4、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、黒ダイヤ、リンやホウ素をドープしたガラス、およびそれらの混合物、からなる群より選択される通常のマイクロ電子工学基板が挙げられる。
本発明は、皮膜の収縮に基づく新規の二段階のアプローチを提供するものである。
図1は、本発明の一つの実施態様を図示したものである。ここで、図1(a)はパターニングされた前駆体構造体10を表したものである。構造体10は第一の層12を有し、該層は上表面12aと下表面12bを有する。当然ではあるが、図1に表される態様は、特定のマイクロ電子工学プロセスにおけるある瞬間の模式図である。すなわち、図1に表される各工程は、模式図が作製中の積層体の第一の層を表すように工程の最初にあたるものであってもよく、または、作製される積層体の途中のものであってもよく、または、模式図が形成される積層体を含む最終工程のいくつかを示すように工程における最終段階にあたるものであってもよい。下表面12bは複数の層に接していてもよく、基板13に接していてもよい。該基板としては、例えば、ケイ素、SiGe、SiO2、Si3N4、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、黒ダイヤ、リンやホウ素をドープしたガラス、およびそれらの混合物、からなる群より選択される通常のマイクロ電子工学基板が挙げられる。
第一の層12は好ましくはスピンオンカーボン層(SOC)またはアモルファスカーボン層であり、従来技術のいかなるプロセスによっても付着・形成させることができるが、通常スピンコーティングが用いられる。スピンオンカーボン層は、組成物中における全固形分中に存在する原子の総数を100%としたときに、好ましくは80%以上の炭素原子を含み、より好ましくは約80%から約95%の炭素原子を含む。当業者であれば、組成物に含まれる固形分の化学構造をもとに上記パーセンテージを容易に計算することができる。第一層12の厚みは、通常、約50nm〜約1,000nmであり、好ましくは、約100nm〜約300nmである。
構造体10は、さらに、上表面12aに隣接する第二の層14を有する。第二の層14は、上表面14aを有し、既知のいかなる塗布法でも塗布することができ、既知の条件で処理することができる。第二の層14は、好ましくはハードマスク層であるが、有機底面反射防止皮膜であってもよい。第二の層14を形成する組成物は既知のいかなる塗布法で塗布することもできるが、組成物を約1,000rpm〜4,000rpm(好ましくは約1,500rpm〜2,500rpm)のスピードで約10秒〜60秒(好ましくは約20秒〜60秒)スピンコーティングにより塗布する方法が好ましい。その後、該組成物は熱架橋させるためにベークされる。ベーキングの温度は、好ましくは約100℃以上であり、より好ましくは120℃〜約250℃であり、さらに好ましくは160℃〜200℃である。ベーキングの時間は、約20秒〜約60秒である。架橋後の第二の層14の厚みは、通常、約20nm〜約150nmであり、好ましくは約30nm〜100nmである。
第二の層14のn値は、好ましくは約1.4〜約2であり、より好ましくは約1.6〜約2である。第二の層14のk値は、使用する波長(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、13.5nm)において、好ましくは約0〜約0.6である。
好都合にも、硬化後の第二の層14は十分に架橋しているので、通常の有機溶媒(例えば、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコール−n−プロピルエーテル(PnP)、シクロヘキサノン、アセトン、γ−ブチルラクトン(GBL)、またはそれらの混合物)には実質的に不溶である。硬化後の第二の層14について剥離試験を行った場合、剥離の割合は約5%よりも少なく、好ましくは約1%よりも少なく、さらに好ましくは約0%である。剥離試験では、まず、硬化させた第二の層14の五つの異なる場所で厚みを測定し、平均することで厚みを決める。これがフィルムの初期の厚みの平均値である。次に、硬化させたフィルムを溶媒(例えば、乳酸エチル)に約20秒間浸し、その後溶媒を除去するために、2000〜3500rpmで約20〜30秒間回転して乾燥させる。偏光解析法により、ウェハー上の異なる五つの点で厚みを測定し、これら測定値の平均を決定する。これがフィルムの最終的な厚みの平均値である。
好都合にも、硬化後の第二の層14は十分に架橋しているので、通常の有機溶媒(例えば、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコール−n−プロピルエーテル(PnP)、シクロヘキサノン、アセトン、γ−ブチルラクトン(GBL)、またはそれらの混合物)には実質的に不溶である。硬化後の第二の層14について剥離試験を行った場合、剥離の割合は約5%よりも少なく、好ましくは約1%よりも少なく、さらに好ましくは約0%である。剥離試験では、まず、硬化させた第二の層14の五つの異なる場所で厚みを測定し、平均することで厚みを決める。これがフィルムの初期の厚みの平均値である。次に、硬化させたフィルムを溶媒(例えば、乳酸エチル)に約20秒間浸し、その後溶媒を除去するために、2000〜3500rpmで約20〜30秒間回転して乾燥させる。偏光解析法により、ウェハー上の異なる五つの点で厚みを測定し、これら測定値の平均を決定する。これがフィルムの最終的な厚みの平均値である。
剥離の量は、フィルムの初期の厚みと最終的な厚みとの差である。剥離の割合は以下の式で求めることができる。
剥離の割合(%)=(剥離の量/フィルムの初期の厚み)×100
剥離の割合(%)=(剥離の量/フィルムの初期の厚み)×100
好ましい態様では、その後、イメージング層(図示なし)を形成するために、感光性組成物を、硬化した第二の層14に塗布する。続いて、パターン16を形成するために、イメージング、露光、現像を行う。既知の方法でこれを行うことができるが、可能なプロセスの一つを以下に記載する。このプロセスでは、感光性組成物を好ましくはスピン塗布し、その後、塗布後ベーク(PAB)を約80℃以上(好ましくは約80℃〜約130℃、より好ましくは約100℃〜約120℃)で行う。ベークの時間は約60秒〜約120秒である。好適な感光性組成物には、市販のフォトレジストやその他の感光性組成物が含まれる。ベーク後のイメージング層の厚みは、通常、約50nm〜約1,000nmであり、好ましくは約60nm〜約400nmである。
その後、イメージング層は、イメージング層の表面上に位置したフォトマスク(図示なし)を通して、露光される。放射がマスクを通って、イメージング層の表面に接触するように、マスクには穴のあいた部分が設計されている。マスクの残部部分は、放射がイメージング層の特定の領域の表面に接触しないようにデザインされている。当業者は、イメージング層、究極的にはイメージング層の下の層、に形成される希望のパターンに基づいて、穴が開いている部分と開いていない部分の調整が設計されることを容易に理解する。本発明のプロセスでは、500nm未満のほとんどの波長の放射を用いることができるが、365nm、248nm、193nm、157nmおよび13.5nmからなる群より選択される波長が好ましい。
露光において、イメージング層の放射に曝された部分は、フォトレジスト現像液に溶解するようになる。露光後、イメージング層について露光後ベーク(PEB)を約80℃〜約180℃で行うことが好ましく、約100℃〜約180℃がより好ましい。時間は約60秒〜約120秒である。イメージング層の露光された部分は、上記プロセスによって可溶になり、その後、露光された部分を除去するためにフォトレジスト現像液に接触され、図1で示されるパターニングされた層16を形成する。
パターニングされた層16は隆起物18(例えば、ライン)を含む。図1は、単に、二つの隆起物18を示したものであるが、当該技術分野における通常の知識によれば、隆起物がいくつ形成されていても構わないことが理解できる。各隆起物18はそれぞれ第一の側壁20aと第二の側壁20bを含む。該側壁は上表面14aと上表面22に対して実質的に垂直である。上表面22は上表面14aと実質的に並行である。さらに、パターン18の幅Wは、約20nm〜約100nmであることが好ましく、約22nm〜約80nmであることがより好ましく、約32nmであることがさらに好ましい。
上記プロセスは感光性組成物から隆起物18を形成するプロセスを表したものである。しかし、隆起物18は、当然、他の複数の組成物から形成することもできる。例えば、隆起物18は、反射防止層、ハードマスク層、非晶質カーボン層、シリコン層および酸化物(例えば、金属酸化物)層からなる群より選択される層中に形成することもできる。どのようなタイプの層に対しても、隆起物18は既知のプロセスによって形成することができる。例えば、ある層を第二の層14の上に形成し、その後、該層の上にイメージング層を形成することができる。その後、イメージング層は上述したようにパターン化され、そのパターンは隆起物18を形成するために別の層に転写される。隆起物18が形成される材料に関わらず、隆起物18を含むパターニングされた構造体10が提供される点が重要である。さらに、隆起物18のピッチ(W:D)は、約1:2〜約1:4であることが好ましく、約1:3(図1(b)参照)であることがより好ましい。特に好ましい態様は、Wが32nm、Dが96nmである。
パターニングされた構造体10が、上述のプロセスまたは当該分野で既知の他のプロセスによって形成された後、収縮性組成物24が、第二の層14の上表面14aならびに隆起物18の側壁20a、20bおよび上表面22に塗布される。収縮性組成物24は、既知のいかなる方法でも塗布することができるが、スピン塗布またはスピンコートが好ましい。
その後、収縮性組成物24は加熱され、加熱により多くの小分子が除去されることで著しく収縮し、図1(c)に示すコンフォーマルコーティング26が形成される。収縮性組成物を加熱する温度は、隆起物18を形成する材料に依存する。例えば、隆起物18がフォトレジスト組成物から形成される場合、収縮性組成物24を加熱する温度は約120℃よりも低く、好ましくは約110℃よりも低く、より好ましくは約80℃〜約100℃である。隆起物18はフォトレジスト組成物以外の材料で形成される場合、収縮性組成物24を加熱する温度は約300℃よりも低く、好ましくは約250℃より低く、より好ましくは約100℃〜約210℃である。
好都合なことに、コンフォーマルコーティング26と隆起物18の側壁20a、20b、上表面22との間に化学的な相互作用はない。したがって、上記プロセスは、どのようなタイプの隆起物18にも用いることができる。さらに、上記加熱温度により、隆起物18を歪ませない穏やかな条件でのプロセスとなる。
好ましくはAとBが等しく(図1(c)参照)、より好ましくはBがAよりも小さい。これにより極めて少しのエッチングでプレスペーサーが形成される。Aは、隆起物18の上のコンフォーマルコーティング26の厚みであり、最も厚い点の厚みを表す。一方、Bは、隆起物18と隆起物18の間の厚みが最も薄い点におけるコンフォーマルコーティング26の厚みを表す(すなわち、パターンの間の谷の最も低い点)。Aの位置とBの位置を基準としたとき、収縮性組成物24は、加熱工程で、少なくとも約25%縮み、好ましくは少なくとも約35%縮み、より好ましくは少なくとも約50%縮み、さらに好ましくは約55%〜約90%縮む。
次に、図1(d)を参照する。プレスペーサー28を形成するために、コンフォーマルコーティング26にエッチング処理を施す。好ましいエッチング剤としては、例えば、Cl2、CF4、CH3FおよびCHF3からなる群より選択されるものがある。通常のエッチングレートは約1オングストローム/秒〜約10オングストローム/秒であり、好ましくは約3オングストローム/秒〜約8オングストローム/秒である。加えて、エッチングは、通常のウェットエッチングプロセスで行うことができる。それぞれのプレスペーサー28は隆起物18と収縮性組成物の残部30を含む。図1(d)に表すように側壁20a、20bに対して残部30が存在する。
その後、隆起物18は各プレスペーサー28から除去され(例えば、O2エッチングによって)、残部30が残る(図1(e))。残部30は非常に小さい隆起物を形成するし、スペーサーとして働く(例えば、約70nmよりも小さいライン、好ましくは約50nmよりも小さいライン、より好ましくは約32nmよりも小さいライン)。すなわち、構造体10にエッチング処理を施し、残部30によって作られたパターンを第二の層14に転写し、第二の層14にライン34を形成する。エッチングプロセスは残部30と、第二の層14のうち残部30で保護されていない部分を除去する。好ましいエッチング剤としては、例えば、Cl2、CF4、CH3FおよびCHF3からなる群より選択されるものが挙げられ、通常のエッチングレートは約1オングストローム/秒〜約10オングストローム/秒であり、好ましくは約3オングストローム/秒〜約8オングストローム/秒である。必要に応じて、パターンはさらに第一の層12および基板13に通常の技術を用いて転写される。
上記プロセスは本発明によるダブルパターニングを表したものである。好都合なことに、ダブルパターニングプロセスは追加のエッチング工程を加えることでトリプルパターニングプロセスに改変することができる。このプロセスは図2に示される。ここで、同種の材料を指定するのに同じ数字を用いる。また、特に断りがない限り、図1で示したプロセス条件と同じ条件(例えば、回転速度、温度、エッチング、時間、等)が用いられる。
図2(a)を見ると、パターニングされた構造体10が上述したのと同じように表されていることが分かる。隆起物18は上述したように幅Wを通常有する。その後、該隆起物18は、それぞれの幅が少なくとも半分にカットされるようにトリミングされる(図2(b))。トリミング後の隆起物18´の幅W´は好ましくは約50nm〜約90nmであり、より好ましくは約60nm〜約80nmであり、さらに好ましくは約70nmである。該トリミングは、既知のいかなる方法によっても行うことができるが、好適な方法の一つとしてプラズマエッチングが挙げられる。
その後、図2(c)に示されるように、アーチ型の隆起物18´´と部分的にエッチングされた第二の層14´になるように、隆起物18´と第二の層14に部分エッチングが施される。部分エッチングされた第二の層14´は、低い隆起物または突起36を有する。部分エッチング工程に好適なエッチング剤としては、例えば、Cl2、CF4、CH3FおよびCHF3からなる群より選択されるものが挙げられ、エッチングレートは通常約1オングストローム/秒〜約10オングストローム/秒であり、好ましくは約3オングストローム/秒〜約7オングストローム/秒である。
その後、アーチ型の隆起物18´´は除去され(例えば、エッチングによって)、図2(d)に示すように、パターニングされた構造38が残る。感光性層40(図2(e))が、上述したような既知のプロセスを用いて、上表面14a´と突起36に塗布される。その後、図2(f)に示すように、感光性層40は、隆起物42になるようにパターン化される(露光および現像)。それぞれの隆起物42は、第一の側壁44aと第二の側壁44bを有する。44aおよび44bは上表面14a´に対して実質垂直であり、上表面14a´と実質並行である上表面46に対して実質垂直である。
次に、収縮性組成物24は、上述したように、また図2(g)に示すように、第二の層14aの上表面14a´ならびに隆起物42の側壁44a、44bおよび上表面46に塗布される。その後、組成物24に対して上述したように収縮プロセスを行い(図2(h))、コンフォーマルコーティング26が形成される。残りの工程である図2(i)〜(k)は図1(d)〜(f)で述べたものと同様である。しかし、図2では、パターンが2倍ではなく、3倍になっていることが特徴である(すなわち、図2の態様では、結果的に、図の態様よりもライン34が50%多い。)。また、好都合なことに、ライン34は、極めて小さく、幅は70nmよりも小さく、好ましくは約50nmよりも小さく、より好ましくは約16nm〜約32nmである。
最後に、図2(l)は、第一の層12にパターンを転写する追加のステップを示す。上述した態様の場合と同様に、必要に応じて、このパターンを基板13に転写することができる。
上記プロセスはフォトレジストとは独立したものであり、上記皮膜と基板の間に相互作用は全く発生しないことが分かる。結果として、上記プロセスはいかなる基板にも応用することができ、元のラインの破壊を抑制できる穏和な条件(<120℃)下で塗布することができる。このように、上記新規なアプローチは、従来技術のアプローチとは異なるメカニズムに基づくものであり、従来技術のアプローチを超える有利な効果を与えるものである。上記プロセスは高密度ラインの頻度を2倍にするのにも用いることができるし、3倍にするのにも用いることができる。ここで、高密度とは、表面の少なくとも約50%以上がパターン18で満たされた領域を指す。
<収縮性組成物24として用いる組成物>
収縮性組成物24として用いる組成物は、好ましくは有機または有機金属の組成物であり、本願に適した特性を発現するものである。例えば、該組成物は、上述した加熱工程において高い収縮性を発現することが必要である。これは、隆起物18がフォトレジストからなる場合、収縮性組成物24は、隆起物18が破壊されることなく該組成物が収縮するように、約120℃よりも低い温度で分解しなければならず、約110℃よりも低い温度で分解することが好ましく、約80℃〜約100℃で分解することがより好ましい、ということである。隆起物18がフォトレジスト以外の材料からなる場合、収縮性組成物24は、隆起物18が破壊されることなく該組成物が収縮するように、約300℃よりも低い温度で分解しなければならず、約250℃よりも低い温度で分解することが好ましく、約100℃〜約210℃で分解することがより好ましい。
収縮性組成物24として用いる組成物は、好ましくは有機または有機金属の組成物であり、本願に適した特性を発現するものである。例えば、該組成物は、上述した加熱工程において高い収縮性を発現することが必要である。これは、隆起物18がフォトレジストからなる場合、収縮性組成物24は、隆起物18が破壊されることなく該組成物が収縮するように、約120℃よりも低い温度で分解しなければならず、約110℃よりも低い温度で分解することが好ましく、約80℃〜約100℃で分解することがより好ましい、ということである。隆起物18がフォトレジスト以外の材料からなる場合、収縮性組成物24は、隆起物18が破壊されることなく該組成物が収縮するように、約300℃よりも低い温度で分解しなければならず、約250℃よりも低い温度で分解することが好ましく、約100℃〜約210℃で分解することがより好ましい。
収縮性組成物24は組成物中の固形分を溶解または分散させるのに使われる有機溶媒を含んでいることが好ましい。溶媒系は、フォトレジストパターンを変形しないように選択することが好ましい。具体的には、メシチレン、メチルイソブチルカルビノール、d−リモネン、およびそれらの混合物からなる群より選択される溶媒が好ましい。隆起物18がフォトレジスト組成物からなる場合、通常他の基板よりも脆くなるので、そのような態様において有機溶媒を含んでいることは特に有効である。隆起物18がフォトレジストからなるものではない態様では、溶媒系は、上記溶媒系および/または乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコール−n−プロピルエーテルからなる群より選択される溶媒を含む。
収縮性組成物は隆起物18よりもゆっくりエッチングすることが極めて望ましい。隆起物18のエッチング選択比に対する収縮性組成物のエッチング選択比は、好ましくは約0.30よりも小さく、より好ましくは約0.25よりも小さく、さらに好ましくは約0.001〜約0.10である。隆起物18がフォトレジスト組成物からなる場合、これらの数値はエッチング剤として酸素を用いることで達成される。隆起物18がフォトレジスト以外の材料からなる場合、これらの数値はエッチング剤としてCl2、CF4、CH3FまたはCHF3を用いることで達成される。
好適な収縮性組成物としては、溶媒系に分散または溶解する橋かけ剤または架橋剤が挙げられる。架橋剤は、自己縮合によりネットワークを形成し、大幅に収縮するため、好ましい。本発明で用いられる好適な架橋剤のうち代表的なものとしては、メチル化ポリ(メラミン−co−ホルムアルデヒド)(Cytec IndustriesよりCymel(登録商標)303の商品名で販売されている)のようなアミノプラストが挙げられる。その他の好適な架橋剤としては、例えば、ポリ(メラミン−co−ホルムアルデヒド)ブチレート/イソブチレート、ヘキサメチルメラミン(HMM)、グリコールウリル(例えば、Cytec IndustriesよりPowderlink(登録商標)の商品名で販売されている)、1,3−ビス(メトキシメチル)−4,5−ビス(メトキシ)−エチレンウレア(BMNU)、1,3−ビス(メトキシメチル)ウレア(BMU)、および次の誘導体からなる群より選択されるものが挙げられる。
収縮の度合いは、放出されるアルコールの分子量およびベーキング温度に依存する。放出されるアルコールとしてブタノールのような大きなモル質量のアルコールを結合し、高温でベークすることで、大きく収縮させることができる。必要に応じて、エッチング選択性を改善するために、橋かけ剤にポリシロキサンのような耐エッチング性ポリマーを混合することができる。
この種の組成物にとって、好適な溶媒系としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、メシチレン、メチルイソブチルカルビトール、d−リモネンおよびそれらの混合物からなる群より選択される一種以上の溶媒が挙げられる。さらに、この態様の組成物の固形分の量は、組成物の総質量を100%としたとき、質量で、約1%〜約15%であることが好ましく、約3%〜約10%であることがより好ましい。架橋剤は、組成物中の固形分の総質量を100%としたとき、質量で、約80%〜約99%のレベルで存在することが好ましく、約90%〜約95%のレベルで存在することがより好ましい。
また、収縮性組成物は酸を含み、酸としては、例えば、p−トルエンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸およびヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸からなる群より選択される酸が挙げられる。酸の量は、組成物中の架橋剤の全質量を100%としたとき、質量で、約1%〜約20%のレベルで存在することが好ましく、約5%〜約10%のレベルで存在することがより好ましい。
隆起物18がフォトレジスト組成物から形成されていない態様では、橋かけ剤を含む組成物がより好ましい。なぜなら、この種の組成物は、高いベーク温度で良好な収縮を実現するからである。
その他の好適な組成物としては、例えば、連鎖重合により合成した、酸に不安定な側鎖を有するポリマーであって、溶媒系に分散または溶解しているもの、が挙げられる。上述したようにスピンコーティングで厚膜を調製し、該膜をベークしたとき、酸に不安定な側鎖が酸により解裂し、揮発性物質が放出する。側鎖が放出されると、フィルムは著しく収縮する。収縮の度合いは、側鎖の大きさと組成物で決まる。側鎖は、酸によって低い温度(例えば120℃よりも低い温度)で開裂するものを選択することができる。そうすることで、この種の組成物は隆起物18がフォトレジストからなる場合でも、隆起物18がフォトレジスト以外の材料からなる場合でも、好適なものとなる。
これらのポリマーに用いられるモノマーとしては、例えば、スチレン、メチルアクリレートおよびアクリレート誘導体からなる群より選択されるモノマーが挙げられる。好適なスチレン系モノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
酸に不安定な側鎖を有する好適なアクリレートモノマーまたはメタクリレートモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
酸に不安定な側鎖としては、例えば、t−ブチル、アセチル類、アダマンチル類およびラクトン類からなる群より選択されるものが挙げられる。必要に応じて、好ましいエッチング耐性を有する共重合体を調製するために、耐エッチング性成分を用いることができる。
この種の組成物において、好ましい溶媒系としては、例えば、メシチレン、メチルイソブチルカルビトール、d−リモネンおよびそれらの混合物からなる群より選択される一種以上の溶媒が挙げられる。さらに、この態様の組成物の固形分量は、組成物の総質量を100%としたとき、質量で、約2%〜約15%であることが好ましく、約3%〜約10%であることがより好ましい。ポリマーは、組成物中の固形分の総質量を100%としたとき、質量で、約85%〜約99%のレベルで存在することが好ましく、約90%〜約95%のレベルで存在することがより好ましい。
また、この態様の収縮性組成物は酸を含み、酸としては、例えば、p−トルエンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸およびヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸からなる群より選択される酸が挙げられる。収縮性組成物に含まれる酸の量は、組成物中のポリマーの全質量を100%としたとき、質量で、約1%〜約10%のレベルで存在することが好ましく、約3%〜約7%のレベルで存在することがより好ましい。
重質溶媒および耐エッチング性ポリマーの混合物は、さらに、好適な収縮性組成物24のもう一つの例である。耐エッチング性ポリマーは、上述した隆起物18と比較してエッチング選択性を有するどのようなポリマーであってもよい。このような耐エッチング性ポリマーとして好適なものは、シリコン含有ポリマーである。
重質溶媒は、単一皮膜を形成するためにスピンコートした後、耐エッチング性ポリマーと一緒に残る。その後、重質溶媒はベーキングの間に完全に蒸発し(ベーキングの温度は約120℃未満であることが好ましい。これにより、フォトレジストの隆起物18に対してもフォトレジストでない隆起物18に対しても、蒸発が適当なものとなる。)、耐エッチング性ポリマーのみがコンフォーマルコーティングを形成するために残る。重質溶媒とは、耐エッチング性ポリマーと相溶し、スピンコーティングの後には残るが、上記収縮時の温度では蒸発するような沸点を有する溶媒、を意味する。重質溶媒の典型例としては、例えば、2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−メチル−アダマンチルアクリレート、1−ドデカンおよびそれらの混合物からなる群より選択されるものが挙げられる。
この種の組成物において、固形分量は、組成物の総質量を100%としたとき、質量で、約2%〜約15%であることが好ましく、約3%から約10%であることがより好ましい。ポリマーは、組成物中の固形分の総質量を100%としたとき、質量で、約20%〜約80%のレベルで存在することが好ましく、約40%〜約60%のレベルで存在することがより好ましい。
さらに、収縮性組成物24として好適な材料の種類としては、例えば、溶媒系に分散または溶解する有機金属化合物が挙げられる。好ましい有機金属化合物は、上記収縮温度で配位子を放出し、金属酸化物を形成するものである。配位子の脱離によりコンフォーマルコーティング26が形成される。配位子は低い温度で放出されるため(例えば、約120℃未満)、この種類の組成物は、隆起物18がフォトレジストからなる場合でも、隆起物18がフォトレジスト以外の材料からなる場合でも、好適なものとなる。
典型例としては、例えば、チタニウム(IV)ビス(エチルアセトアセテート)ジイソプロポキシド、チタニウム(IV)ビス(アンモニウムラクテート)ジヒドロキシド、チタニウム(IV)ジイソプロポキシド(ビス−2,3−ペンタンジオネート)、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、バナジウム(IV)オキシドビス(2,4−ペンタン−ジオネート)、ジルコニウムジブトキシドビス(2,4−ペンタンジオネート)、アルミニウムペンタンジオネートビス(エチルアセト−アセテート)、ハフニウムジブトキシドビス(2,4−ペンタンジオネート)、バナジウム(III)(2,4−ペンタンジオネート)およびポリ(ジブチルチタネート)からなる群より選択されるものが挙げられる。
以下は、有機金属化合物としてチタニウム(IV)ビス(エチルアセトアセテート)ジイソプロポキシドを用いたときに起きる、配位子の脱離を示したものである。
この種類の組成物において、好適な溶媒系としては、例えば、メチルカルビノールイソブチル、メシチレン、1−ドデセンおよびそれらの混合物からなる群より選択される一種以上の溶媒が挙げられる。さらに、組成物の固形分量は、組成物の総質量を100%としたとき、質量で、約2%〜約15%であることが好ましく、約3%〜約10%であることがより好ましい。有機金属化合物は、組成物中の固形分の総質量を100%としたとき、質量で、約40%〜約90%のレベルで存在することが好ましく、約40%〜約80%のレベルで存在することがより好ましい。
以下の実施例で本発明の好適な方法を説明するが、これらの実施例は本発明を説明するためのものであり、発明の範囲がこれらに限定されるものではない。
<実施例1> 架橋剤/極性溶媒
Cymel(登録商標)303(Cytec Industries,West Paterson,NJより入手した架橋剤)10gを極性溶媒であるPGME(General Chemical West LLC,Hollister,CAより入手)90gに溶解することで溶液を調製した。得られた溶液の架橋剤の濃度は0.25wt%であった。次に、p−トルエンスルホン酸(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手したp−TSA)0.025gを触媒として加えた。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。ろ液を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜または塗膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを205℃で60秒間ベークした。該ベークは反応スキームAを伴うものである。収縮量を調べるために、皮膜の厚みを再度測定した。ベークによって厚みは35%減少していた。
Cymel(登録商標)303(Cytec Industries,West Paterson,NJより入手した架橋剤)10gを極性溶媒であるPGME(General Chemical West LLC,Hollister,CAより入手)90gに溶解することで溶液を調製した。得られた溶液の架橋剤の濃度は0.25wt%であった。次に、p−トルエンスルホン酸(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手したp−TSA)0.025gを触媒として加えた。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。ろ液を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜または塗膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを205℃で60秒間ベークした。該ベークは反応スキームAを伴うものである。収縮量を調べるために、皮膜の厚みを再度測定した。ベークによって厚みは35%減少していた。
また、ろ液を、シリコンラインを有するウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、205℃で60秒間ベークした。図3は、シリコンライン上の、得られたコンフォーマルコーティングを示したものである。
<実施例2> 架橋剤/無極性溶媒
10gのCymel(登録商標)303を無極性溶媒であるメシチレン(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)90gに溶解することで溶液を調製した。次に、ジノニルナフタレンスルホン酸溶液(DNNSA、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)0.05gを加え、架橋剤の濃度が0.5wt%の溶液を得た。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。
10gのCymel(登録商標)303を無極性溶媒であるメシチレン(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)90gに溶解することで溶液を調製した。次に、ジノニルナフタレンスルホン酸溶液(DNNSA、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)0.05gを加え、架橋剤の濃度が0.5wt%の溶液を得た。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。
ろ液を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを205℃で60秒間ベークした。収縮量を調べるために、皮膜の厚みを再度測定した。ベークによって皮膜の厚みは35%減少していた。
また、ろ液を、シリコンラインを有するウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、205℃で60秒間ベークした。図4は、シリコンラインウェハー上の、該ろ液から得られたコンフォーマルコーティングを示したものである。
<実施例3> ポリ(アダマンテート EA)
アダマンテート EA(2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、Idemitsu Kosan Co.,Ltd.,Chiba,Japanより入手)10g(40wt%)およびアゾビスイソブチロニトリル(AIBN、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手した開始剤)0.1g(アダマンテート EAに対して1wt%)をメシチレン15gに溶解した。重合を100℃で24時間行い、その後、溶液をメシチレンで7.5wt%に希釈した。次に、DNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)0.05gをポリマー溶液に加えた。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。ろ液を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークによって皮膜の厚みは70%減少していた。スキームBは、ベーク中の揮発性物質の放出を表したものである。
アダマンテート EA(2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、Idemitsu Kosan Co.,Ltd.,Chiba,Japanより入手)10g(40wt%)およびアゾビスイソブチロニトリル(AIBN、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手した開始剤)0.1g(アダマンテート EAに対して1wt%)をメシチレン15gに溶解した。重合を100℃で24時間行い、その後、溶液をメシチレンで7.5wt%に希釈した。次に、DNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)0.05gをポリマー溶液に加えた。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。ろ液を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークによって皮膜の厚みは70%減少していた。スキームBは、ベーク中の揮発性物質の放出を表したものである。
また、ろ液を、フォトレジストのパターンを描いたウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、90℃で60秒間ベークした。図5は、フォトレジストのラインの上表面上の、得られたコンフォーマルコーティングを示したものである。
<実施例4> ポリ(アダマンテート EA−シリコーン)
8g(32wt%)のアダマンテート EAおよび2g(8wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリス(トリメチルシリルオキシ)−シラン、TCI America,Portland,ORより入手)をメシチレン15gに溶解することで溶液を調製した。重合を100℃で24時間行った。溶液を108.3gのメシチレンで7.5wt%に希釈し、その後、0.05gのDNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)を溶液に加えた。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。平らなシリコンウェハー上に1500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークによって、皮膜の厚みは55%減少していた。
8g(32wt%)のアダマンテート EAおよび2g(8wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリス(トリメチルシリルオキシ)−シラン、TCI America,Portland,ORより入手)をメシチレン15gに溶解することで溶液を調製した。重合を100℃で24時間行った。溶液を108.3gのメシチレンで7.5wt%に希釈し、その後、0.05gのDNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)を溶液に加えた。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。平らなシリコンウェハー上に1500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、ウェハーを110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークによって、皮膜の厚みは55%減少していた。
また、ろ液を、フォトレジストをパターニングしたウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、90℃で60秒間ベークした。図6は、フォトレジストのラインの上表面上のコンフォーマルコーティングを示したものである。
種々ガスにおける皮膜のエッチングレートを、Oxford Plasmalab RIEを用いて、以下の条件で測定した。
出力 : 100W
圧力 : 50mTorr
バックサイドヘリウム : 3mTorr
ガス : 50sccm
市販のフォトレジスト(AR1682J、JSR Micro,Sunnyvale,CAより入手)、およびエッチング30秒後の熱酸化物層、に対する皮膜のエッチング選択比を表1に示す。
出力 : 100W
圧力 : 50mTorr
バックサイドヘリウム : 3mTorr
ガス : 50sccm
市販のフォトレジスト(AR1682J、JSR Micro,Sunnyvale,CAより入手)、およびエッチング30秒後の熱酸化物層、に対する皮膜のエッチング選択比を表1に示す。
<実施例5> ポリ(アダマンテート EA−シリコーン)
8g(32wt%)のアダマンテート EAおよび2g(8wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(MCR−M07、モノメタクリレート末端ポリジメチルシロキサン、分子量600〜800g/mol、Gelest Inc,Morrisville,PAより入手)をメシチレン15gに溶解することで溶液を調製した。溶液を108.3gのメチルイソブチルカルビトール(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)で7.5wt%に希釈し、その後、溶液に0.05gのDNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)を加えた。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために皮膜の厚みを再度測定した。ベークによって皮膜の厚みは55%減少していた。
8g(32wt%)のアダマンテート EAおよび2g(8wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(MCR−M07、モノメタクリレート末端ポリジメチルシロキサン、分子量600〜800g/mol、Gelest Inc,Morrisville,PAより入手)をメシチレン15gに溶解することで溶液を調製した。溶液を108.3gのメチルイソブチルカルビトール(Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)で7.5wt%に希釈し、その後、溶液に0.05gのDNNSA(ポリマーに対して0.5wt%)を加えた。該混合物を10分間撹拌し、その後、0.1μmのフィルターでろ過した。平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために皮膜の厚みを再度測定した。ベークによって皮膜の厚みは55%減少していた。
種々ガスにおける皮膜のエッチングレートを、Oxford Plasmalab RIEを用いて、以下の条件で測定した。
出力 : 100W
圧力 : 50mTorr
バックサイドヘリウム : 3mTorr
ガス : 50sccm
市販のフォトレジスト(AR1682J)、およびエッチング30秒後の熱酸化物層、に対する皮膜のエッチング選択比を表2に示す。
出力 : 100W
圧力 : 50mTorr
バックサイドヘリウム : 3mTorr
ガス : 50sccm
市販のフォトレジスト(AR1682J)、およびエッチング30秒後の熱酸化物層、に対する皮膜のエッチング選択比を表2に示す。
レジストをパターニングしたウェハーをテンプレートとして用いた。図7(a)に模式図を示す。有機底面反射防止皮膜(ARC(登録商標)29A、Brewer Science Inc,Rolla,MOより入手)を、パターニングしたフォトレジストと基板との間の層として用いた。上記ろ液を、フォトレジストをパターニングしたウェハー上に1,000rpmで60秒間スピンコートし、その後、90℃で60秒間ベークした。図7(b)はフォトレジストのラインの上表面上の得られたコンフォーマルコーティングを示したものである。
その後、被覆したウェハーを、塩素ガスを用いてエッチングした(塩素:50sccm、アルゴン:20sccm、出力:200W、圧力:50mTorr)。図7(c)は側壁の形成を示したものである。さらに酸素を用いてエッチングし(酸素:50sccm、出力:100W、圧力:100mTorr)、レジストを除去した。しかし、底面層に有機底面反射防止皮膜を用いたことで、該反射防止皮膜が酸素によりスペーサーよりも非常に速くエッチングされ、スペーサーが崩壊した(図7(d))。
崩壊の問題に対処するため、図8(a)に示すような積層の新しいテンプレートを用意した。具体的には、OptiStack SOC 110(スピンオンカーボンまたはSOC、Brewer Science Brewer Science Inc,Rolla,MOより入手)の底面層をシリコンウェハーに貼り付けた。次に、シリコン含有底面反射防止皮膜OPTISTACK(登録商標)HM710(ハードマスクまたはHM、Brewer Science Inc,Rolla,MOより入手)をスピンオンカーボンの上表面に塗布した。フォトレジスト層(Pi6001、TOK,Japanより入手)をハードマスクの上表面に形成し、続いて、パターニングでラインを形成した。
上記ろ液を、フォトレジストをパターニングしたウェハー上に2,000rpmで60秒間スピンコートし、続いて、90℃で60秒間ベークした(図8(b)参照)。被覆されたウェハーを塩素ガスによりエッチングした(塩素:50sccm、アルゴン:20sccm、出力:200W、圧力:50mTorr)。図8(c)は側壁の形成を示したものである。
さらに酸素を用いてエッチングし、レジストを除去した(酸素:50sccm、出力:100W、圧力:100mTorr)。図8(d)は、レジストを除去した後の、立った状態のスペーサーを示したものである。CF4エッチングを用いてパターンを底面のハードマスク層に転写した(図8(e))。
<実施例6> アダマンテート EMおよび有機シリコーン共重合体の混合物
9g(36wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリス(トリメチルシリルオキシ)−シラン、TCI America,Portland,ORより入手)、1g(溶液に対して4wt%)のグリシジルメタクリレートおよび0.1g(モノマーに対して1wt%)のAIBNを15gのメシチレンに溶解することで、溶液を調製した。重合を100℃で24時間行い、溶液はさらに精製することなく用いた。
メシチレンと上記ポリマーの溶液(6wt%)および23.3g(14wt%)の2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート(Idemitsu Kosan Co.,Ltd.,Chiba,Japanよりアダマンテート EMの商品名で販売されている)を用意した。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。該混合物を、平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークにより皮膜の厚みは70%減少していた。
9g(36wt%)のシリコーンメタクリレートモノマー(3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリス(トリメチルシリルオキシ)−シラン、TCI America,Portland,ORより入手)、1g(溶液に対して4wt%)のグリシジルメタクリレートおよび0.1g(モノマーに対して1wt%)のAIBNを15gのメシチレンに溶解することで、溶液を調製した。重合を100℃で24時間行い、溶液はさらに精製することなく用いた。
メシチレンと上記ポリマーの溶液(6wt%)および23.3g(14wt%)の2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート(Idemitsu Kosan Co.,Ltd.,Chiba,Japanよりアダマンテート EMの商品名で販売されている)を用意した。該混合物を10分間撹拌し、0.1μmのフィルターでろ過した。該混合物を、平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークにより皮膜の厚みは70%減少していた。
<実施例7> 有機金属化合物
チタニウム(IV)ビス(エチルアセトアセテート)ジイソプロポキシド(0.5g、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)を9.5gのメチルイソブチルカルビトールに溶解した。該混合物を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークにより皮膜の厚みは80%減少していた。
チタニウム(IV)ビス(エチルアセトアセテート)ジイソプロポキシド(0.5g、Sigma−Aldrich,St.Louis,MOより入手)を9.5gのメチルイソブチルカルビトールに溶解した。該混合物を平らなシリコンウェハー上に1,500rpmで60秒間スピンコートし、皮膜の厚みを測定した。その後、皮膜を110℃で60秒間ベークし、収縮量のデータを得るために再度皮膜の厚みを測定した。ベークにより皮膜の厚みは80%減少していた。
Claims (20)
- マイクロ電子構造体の製造方法であって、
第一の側壁、第二の側壁および上表面を有する隆起物を1以上含むパターニングされた表面を備える前駆体構造体を提供すること、
収縮性組成物が前記隆起物の側壁および上表面を覆うように、前記収縮性組成物を前記パターニングされた表面上に塗布すること、
前記パターニングされた表面上および前記隆起物上に前記収縮性組成物のコンフォーマル層が形成されるように、前記収縮性組成物を加熱すること、および
前記コンフォーマル層の少なくとも一部を除去し、前記隆起物、および、前記隆起物の側壁に接触する前記コンフォーマル層の残部を含むプレスペーサー構造体を得ること、を含むマイクロ電子構造体の製造方法。 - 前記塗布後かつ前記加熱前の前記収縮性組成物の厚みを最初の厚みとし、前記加熱後かつ前記除去前の前記コンフォーマル層の厚みを最後の厚みとしたとき、
前記最後の厚みが前記最初の厚みと比較して約25%以上小さい、請求項1に記載の方法。 - 前記パターニングされた表面上に前記残部を残すように、前記プレスペーサー構造体から前記隆起物を除去すること、をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターニングされた表面が前記塗布前に有するパターンを第一のパターンとし、前記パターニングされた表面が前記隆起物の除去後に有するパターンを第二のパターンとしたとき、
前記第二のパターンが、前記第一のパターンの2倍ある、請求項3に記載の方法。 - 前記パターニングされた表面の下に1以上の層があり、
前記残部によって形成されたパターンを、前記パターニングされた表面の下の前記層に転写することをさらに含む、請求項3に記載の方法。 - 前記パターニングされた表面が、互いに近接した2以上の隆起物を有し、
前記加熱後において、各隆起物の上表面上の前記コンフォーマル層の最大厚みをAとし、前記二つの隆起物の間における前記パターニングされた表面上の前記コンフォーマル層の最小厚みをBとしたとき、BがAと同じであるか、またはAよりも小さい、請求項1に記載の方法。 - 前記前駆体構造体が、上表面を有する第一の層と、前記第一の層の上表面と隣接し、上表面を有する第二の層と、前記第二の層の上表面と隣接する前記パターニングされた表面とを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第一の層が、スピンオンカーボン層を有し、
前記第二の層が、ハードマスク層を有し、
前記パターニングされた表面が、光感光性層を有する、請求項7に記載の方法 - 前記パターニングされた表面が約1:2〜約1:4のピッチで複数の前記隆起物を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記パターニングされた表面が、前記1以上の隆起物の下にさらに第二の隆起物を有し、
前記第二の隆起物が、第一の側壁、第二の側壁および上表面を有し、
前記1以上の隆起物が、前記第二の隆起物の側壁および上表面と接触し、
前記第二の隆起物と前記1以上の隆起物が異なる材料から成る、請求項1に記載の方法。 - 前記パターニングされた表面上に前記残部と前記第二の隆起物が残るように、前記プレスペーサー構造体から前記1以上の隆起物を除去することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記パターニングされた表面が前記塗布前に有するパターンを第一のパターンとし、前記パターニングされた表面が前記隆起物の除去後に有するパターンを第二のパターンとしたとき、
前記第二のパターンが前記第一のパターンの3倍である、請求項11に記載の方法。 - 前記収縮性組成物が次の(a)〜(d)からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
(a) 溶媒系に分散または溶解した架橋剤、を含有する組成物
(b) 溶媒系に分散または溶解したポリマー、を含有し、前記ポリマーが酸に不安定な側鎖を有する、組成物
(c) 重質溶媒を含有する溶媒系に分散または溶解した耐エッチング性ポリマー、を含有する組成物
(d) 溶媒系に溶解または分散した有機金属化合物、を含有する組成物 - 前記収縮性組成物が(a)であり、
前記架橋剤が、メチル化ポリ(メラミン−ホルムアルデヒド共重合体)、ブチル化ポリ(メラミン−ホルムアルデヒド共重合体)、イソブチル化ポリ(メラミン−ホルムアルデヒド共重合体)、ヘキサメチルメラミン、グリコールウリル、1,3−ビス(メトキシメチル)−4,5−ビス(メトキシ)−エチレンウレア、1,3−ビス(メトキシメチル)ウレアおよび以下の誘導体からなる群より選択されるものである、請求項13に記載の方法。
- 前記収縮性組成物が(b)であり、
前記ポリマーが、スチレン、メチルアクリレートおよびアクリレートからなる群より選択されるモノマーを含有し、
前記酸に不安定な側鎖が、t−ブチル、アセチル、アダマンチルおよびラクトンからなる群より選択される、請求項13に記載の方法。 - 前記収縮性組成物が(c)であり、
エッチング剤としてO2を用いた場合に、前記1以上の隆起物に対する前記ポリマーのエッチング選択比が、約0.30よりも小さく、
前記重質溶媒が、2−エチル−2−アダマンチルアクリレート、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート、2−メチル−アダマンチルアクリレート、l−ドデセンおよびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項13に記載の方法。 - 前記収縮性組成物が(d)であり、
前記有機金属化合物が、チタニウム(IV)ビス(エチルアセトアセテート)ジイソプロポキシド、チタニウム(IV)ビス(アンモニウムラクテート)ジヒドロキシド、チタニウム(IV)ジイソプロポキシド(ビス−2,3−ペンタンジオネート)、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、バナジウム(IV)オキシドビス(2,4−ペンタン−ジオネート)、ジルコニウムジブトキシドビス(2,4−ペンタンジオネート)、アルミニウムペンタンジオネートビス(エチルアセトアセテート)、ハフニウムジブトキシドビス(2,4−ペンタンジオネート)、バナジウム(III)(2,4−ペンタンジオネート)およびポリ(ジブチルチタネート)からなる群より選択される、請求項13に記載の方法。 - 前記加熱が、約300℃よりも低い温度での加熱を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱が、約120℃よりも低い温度での加熱を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記パターニングされた表面が、感光性層を含有し、
前記収縮性組成物が、メシチレン、メチルイソブチルカルビトール、d−リモネンおよびそれらの混合物からなる群より選択される溶媒を含有する、請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14301309P | 2009-01-07 | 2009-01-07 | |
US61/143,013 | 2009-01-07 | ||
PCT/US2010/020199 WO2010080789A2 (en) | 2009-01-07 | 2010-01-06 | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012514762A true JP2012514762A (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=42311036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011544671A Withdrawn JP2012514762A (ja) | 2009-01-07 | 2010-01-06 | ダブルおよびトリプルパターニングリソグラフィのためのスピンコーティング用スペーサー材料 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9640396B2 (ja) |
EP (1) | EP2374145A4 (ja) |
JP (1) | JP2012514762A (ja) |
KR (1) | KR20110111473A (ja) |
TW (1) | TW201033739A (ja) |
WO (1) | WO2010080789A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9330931B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (321)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101971102B (zh) | 2008-01-29 | 2012-12-12 | 布鲁尔科技公司 | 用来通过多次暗视场曝光对硬掩模进行图案化的在线法 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9960038B2 (en) | 2010-12-27 | 2018-05-01 | Brewer Science, Inc. | Processes to pattern small features for advanced patterning needs |
US8901016B2 (en) * | 2010-12-28 | 2014-12-02 | Asm Japan K.K. | Method of forming metal oxide hardmask |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
WO2013078211A1 (en) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | Brewer Science Inc. | Assist layers for euv lithography |
US8551690B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9275960B2 (en) * | 2012-09-27 | 2016-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit formed using spacer-like copper deposition |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US8889559B2 (en) | 2012-12-12 | 2014-11-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a pattern on a substrate |
US8889558B2 (en) | 2012-12-12 | 2014-11-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a pattern on a substrate |
US8999852B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-04-07 | Micron Technology, Inc. | Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US8937018B2 (en) | 2013-03-06 | 2015-01-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a pattern on a substrate |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8961807B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions with low solids content and methods related thereto |
CN104078329B (zh) * | 2013-03-28 | 2019-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自对准多重图形的形成方法 |
US9318412B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-04-19 | Nanya Technology Corporation | Method for semiconductor self-aligned patterning |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9129814B2 (en) * | 2013-11-25 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit patterning |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
KR102193680B1 (ko) | 2014-08-14 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10475642B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-11-12 | Applied Materials, Inc. | Doped and undoped vanadium oxides for low-k spacer applications |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10629435B2 (en) * | 2016-07-29 | 2020-04-21 | Lam Research Corporation | Doped ALD films for semiconductor patterning applications |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
US10454029B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-10-22 | Lam Research Corporation | Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate |
US10832908B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11404275B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-08-02 | Lam Research Corporation | Selective deposition using hydrolysis |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
WO2019182872A1 (en) | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Lam Research Corporation | Chamfer-less via integration scheme |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11768435B2 (en) | 2018-11-02 | 2023-09-26 | Brewer Science, Inc. | Bottom-up conformal coating and photopatterning on PAG-immobilized surfaces |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US11393694B2 (en) * | 2018-11-13 | 2022-07-19 | Tokyo Electron Limited | Method for planarization of organic films |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
WO2020263757A1 (en) | 2019-06-27 | 2020-12-30 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
WO2022020507A1 (en) * | 2020-07-23 | 2022-01-27 | Lam Research Corporation | Advanced self aligned multiple patterning using tin oxide |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (225)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4175175A (en) * | 1963-07-16 | 1979-11-20 | Union Carbide Corporation | Polyarylene polyethers |
USB392136I5 (ja) * | 1964-08-26 | |||
US3561962A (en) * | 1966-09-01 | 1971-02-09 | Xerox Corp | Method of image reproduction by photo-polymerization and blushing |
US3629036A (en) * | 1969-02-14 | 1971-12-21 | Shipley Co | The method coating of photoresist on circuit boards |
US3682641A (en) * | 1970-03-23 | 1972-08-08 | Du Pont | Photoresist developer extender baths containing polyoxyalkylene ethers and esters and process of use |
US3615615A (en) * | 1970-04-13 | 1971-10-26 | Eastman Kodak Co | Photographic emulsions including reactive quaternary salts |
US3833374A (en) * | 1970-07-14 | 1974-09-03 | Metalphoto Corp | Coloring of anodized aluminum |
US3894163A (en) * | 1971-03-08 | 1975-07-08 | Western Electric Co | Additives to negative photoresists which increase the sensitivity thereof |
US3856751A (en) * | 1972-06-14 | 1974-12-24 | Eastman Kodak Co | Diacid-xanthylium ion polyester and photographic element comprised thereof |
US3873361A (en) * | 1973-11-29 | 1975-03-25 | Ibm | Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask |
US3976524A (en) * | 1974-06-17 | 1976-08-24 | Ibm Corporation | Planarization of integrated circuit surfaces through selective photoresist masking |
CA1077787A (en) * | 1975-11-21 | 1980-05-20 | National Aeronautics And Space Administration | Abrasion resistant coatings for plastic surfaces |
DE2861696D1 (en) * | 1977-09-07 | 1982-04-29 | Ici Plc | Thermoplastic aromatic polyetherketones, a method for their preparation and their application as electrical insulants |
JPS5471579A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electron beam resist |
US4244799A (en) | 1978-09-11 | 1981-01-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns |
US4244798A (en) * | 1979-10-29 | 1981-01-13 | General Motors Corporation | Exhaust electrode process for exhaust gas oxygen sensor |
US4369090A (en) * | 1980-11-06 | 1983-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching sloped vias in polyimide insulators |
US4430419A (en) * | 1981-01-22 | 1984-02-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
US4397722A (en) * | 1981-12-31 | 1983-08-09 | International Business Machines Corporation | Polymers from aromatic silanes and process for their preparation |
US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
US4526856A (en) * | 1983-05-23 | 1985-07-02 | Allied Corporation | Low striation positive diazoketone resist composition with cyclic ketone(s) and aliphatic alcohol as solvents |
US4996247A (en) * | 1984-02-10 | 1991-02-26 | General Electric Company | Enhancing color stability to sterilizing radiation of polymer compositions |
US4568631A (en) | 1984-04-30 | 1986-02-04 | International Business Machines Corporation | Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone |
JPS60262150A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法 |
DE3425063A1 (de) | 1984-07-07 | 1986-02-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Maske fuer die roentgenlithographie |
US4578328A (en) * | 1984-07-09 | 1986-03-25 | General Electric Company | Photopatternable polyimide compositions and method for making |
US4683024A (en) * | 1985-02-04 | 1987-07-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device fabrication method using spin-on glass resins |
US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
US4742152A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-03 | United Technologies Corporation | High temperature fluorinated polyimides |
US5091047A (en) * | 1986-09-11 | 1992-02-25 | National Semiconductor Corp. | Plasma etching using a bilayer mask |
US4808513A (en) * | 1987-04-06 | 1989-02-28 | Morton Thiokol, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
US4927736A (en) * | 1987-07-21 | 1990-05-22 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom |
JP2557898B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1996-11-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5137780A (en) * | 1987-10-16 | 1992-08-11 | The Curators Of The University Of Missouri | Article having a composite insulative coating |
US4803147A (en) * | 1987-11-24 | 1989-02-07 | Hoechst Celanese Corporation | Photosensitive polyimide polymer compositions |
US4847517A (en) * | 1988-02-16 | 1989-07-11 | Ltv Aerospace & Defense Co. | Microwave tube modulator |
US4845265A (en) * | 1988-02-29 | 1989-07-04 | Allied-Signal Inc. | Polyfunctional vinyl ether terminated ester oligomers |
US4891303A (en) * | 1988-05-26 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Trilayer microlithographic process using a silicon-based resist as the middle layer |
US5304626A (en) * | 1988-06-28 | 1994-04-19 | Amoco Corporation | Polyimide copolymers containing 3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride (BPDA) moieties |
KR910000832A (ko) * | 1988-06-28 | 1991-01-30 | 랄프 챨스 메더스트 | 인터레벨 유전체 및 기질 피복물용의 저유전상수 및 저수분흡수율을 갖는 폴리이미드 및 코폴리이미드 |
DE3835737A1 (de) * | 1988-10-20 | 1990-04-26 | Ciba Geigy Ag | Positiv-fotoresists mit erhoehter thermischer stabilitaet |
US5024922A (en) * | 1988-11-07 | 1991-06-18 | Moss Mary G | Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake |
US5169494A (en) * | 1989-03-27 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fine pattern forming method |
US5057399A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-15 | Tony Flaim | Method for making polyimide microlithographic compositions soluble in alkaline media |
US5198153A (en) * | 1989-05-26 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Electrically conductive polymeric |
US5246782A (en) * | 1990-12-10 | 1993-09-21 | The Dow Chemical Company | Laminates of polymers having perfluorocyclobutane rings and polymers containing perfluorocyclobutane rings |
KR950011927B1 (ko) * | 1989-12-07 | 1995-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 감광성 조성물 및 수지봉지형 반도체장치 |
US5132774A (en) * | 1990-02-05 | 1992-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including interlayer insulating film |
US5126231A (en) * | 1990-02-26 | 1992-06-30 | Applied Materials, Inc. | Process for multi-layer photoresist etching with minimal feature undercut and unchanging photoresist load during etch |
US5066566A (en) * | 1990-07-31 | 1991-11-19 | At&T Bell Laboratories | Resist materials |
JPH04151155A (ja) | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3041972B2 (ja) * | 1991-01-10 | 2000-05-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH05326358A (ja) | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Sony Corp | 微細パターン形成方法 |
EP0580108B1 (en) | 1992-07-22 | 1997-03-12 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A photosensitive polyimide composition |
US5370969A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Trilayer lithographic process |
JPH06230574A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
US5443941A (en) * | 1993-03-01 | 1995-08-22 | National Semiconductor Corporation | Plasma polymer antireflective coating |
JPH06295064A (ja) | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Kansai Paint Co Ltd | 感光性組成物及びパターンの製造方法 |
US5397684A (en) * | 1993-04-27 | 1995-03-14 | International Business Machines Corporation | Antireflective polyimide dielectric for photolithography |
JPH07183194A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
US5691101A (en) * | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
SG54108A1 (en) | 1994-03-31 | 1998-11-16 | Catalysts & Chem Ind Co | Coating solution for formation of coating and use thereof |
US5667940A (en) | 1994-05-11 | 1997-09-16 | United Microelectronics Corporation | Process for creating high density integrated circuits utilizing double coating photoresist mask |
JPH07335884A (ja) | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Sony Corp | サイドウォールスペーサの形成方法 |
JP3033443B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2000-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料 |
US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
JP3325715B2 (ja) | 1994-08-24 | 2002-09-17 | ホーヤ株式会社 | 反射防止性を有する光学部材の製造方法 |
JPH08110638A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
US5688987A (en) * | 1994-11-09 | 1997-11-18 | Brewer Science, Inc. | Non-subliming Mid-UV dyes and ultra-thin organic arcs having differential solubility |
US5554473A (en) * | 1994-11-23 | 1996-09-10 | Mitsubishi Chemical America, Inc. | Photoreceptor having charge transport layers containing a copolycarbonate and layer containing same |
US5542971A (en) * | 1994-12-01 | 1996-08-06 | Pitney Bowes | Bar codes using luminescent invisible inks |
US5545588A (en) * | 1995-05-05 | 1996-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of using disposable hard mask for gate critical dimension control |
EP0753540B1 (en) | 1995-07-12 | 2003-06-11 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation | Polycarbonate resin composition |
US5968324A (en) * | 1995-12-05 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing antireflective coating |
KR100206597B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-07-01 | 김영환 | 반도체 장치의 미세패턴 제조방법 |
KR100223329B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 제조방법 |
EP0824719B1 (en) * | 1996-03-06 | 2001-12-05 | Clariant Finance (BVI) Limited | A process for obtaining a lift-off imaging profile |
KR970071126A (ko) | 1996-04-01 | 1997-11-07 | 김광호 | 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법 |
US5633210A (en) * | 1996-04-29 | 1997-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming damage free patterned layers adjoining the edges of high step height apertures |
US5807790A (en) * | 1996-05-07 | 1998-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective i-line BARL etch process |
US5861231A (en) * | 1996-06-11 | 1999-01-19 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component |
US5739254A (en) * | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Xerox Corporation | Process for haloalkylation of high performance polymers |
JPH10149531A (ja) | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US5952448A (en) * | 1996-12-31 | 1999-09-14 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Stable precursor of polyimide and a process for preparing the same |
TW432257B (en) * | 1997-01-31 | 2001-05-01 | Shinetsu Chemical Co | High molecular weight silicone compound, chemically amplified positive resist composition and patterning method |
US6232386B1 (en) | 1997-02-26 | 2001-05-15 | Integument Technologies, Inc. | Polymer composites having an oxyhalo surface and methods for making same |
JP3766165B2 (ja) | 1997-03-07 | 2006-04-12 | 株式会社ニコン | 画像形成方法及び感光材料 |
JP4350168B2 (ja) | 1997-03-07 | 2009-10-21 | コーニング インコーポレイテッド | チタニアドープ溶融シリカの製造方法 |
JPH10307394A (ja) | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Hitachi Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法並びに電子装置の製法 |
TW473653B (en) | 1997-05-27 | 2002-01-21 | Clariant Japan Kk | Composition for anti-reflective film or photo absorption film and compound used therein |
US6428894B1 (en) | 1997-06-04 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings |
US6054254A (en) * | 1997-07-03 | 2000-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composition for underlying film and method of forming a pattern using the film |
JP3473887B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2003-12-08 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
US6124077A (en) * | 1997-09-05 | 2000-09-26 | Kansai Paint Co., Ltd. | Visible light-sensitive compositions and pattern formation process |
KR100566042B1 (ko) | 1997-10-07 | 2006-05-25 | 간사이 페인트 가부시키가이샤 | 포지티브형전착포토레지스트조성물및패턴의제조방법 |
US6218292B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual layer bottom anti-reflective coating |
US6338936B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-01-15 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and method for formation of resist pattern by use thereof |
US5998569A (en) * | 1998-03-17 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Environmentally stable optical filter materials |
US6156665A (en) | 1998-04-13 | 2000-12-05 | Lucent Technologies Inc. | Trilayer lift-off process for semiconductor device metallization |
US6451498B1 (en) | 1998-05-28 | 2002-09-17 | Atotech Deutschland Gmbh | Photosensitive composition |
JP3673399B2 (ja) | 1998-06-03 | 2005-07-20 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 反射防止コーティング用組成物 |
US6063547A (en) * | 1998-06-11 | 2000-05-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Physical vapor deposition poly-p-phenylene sulfide film as a bottom anti-reflective coating on polysilicon |
US6121098A (en) * | 1998-06-30 | 2000-09-19 | Infineon Technologies North America Corporation | Semiconductor manufacturing method |
US6976904B2 (en) | 1998-07-09 | 2005-12-20 | Li Family Holdings, Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry |
US6103456A (en) * | 1998-07-22 | 2000-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication |
US6071662A (en) * | 1998-07-23 | 2000-06-06 | Xerox Corporation | Imaging member with improved anti-curl backing layer |
TWI250379B (en) | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
US6380611B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Treatment for film surface to reduce photo footing |
US6268282B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
US6410209B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-06-25 | Shipley Company, L.L.C. | Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm |
US6361833B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-03-26 | Henkel Corporation | Composition and process for treating metal surfaces |
US6127070A (en) * | 1998-12-01 | 2000-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thin resist with nitride hard mask for via etch application |
US6162587A (en) | 1998-12-01 | 2000-12-19 | Advanced Micro Devices | Thin resist with transition metal hard mask for via etch application |
US6165695A (en) | 1998-12-01 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thin resist with amorphous silicon hard mask for via etch application |
US6020269A (en) * | 1998-12-02 | 2000-02-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and nitride/oxide hard mask for metal etch |
US6306560B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and SiON/oxide hard mask for metal etch |
US6171763B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and oxide/nitride hard mask for metal etch |
US6156658A (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and silicon/oxide hard mask for metal etch |
US6200907B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-03-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and barrier metal/oxide hard mask for metal etch |
US6309926B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-10-30 | Advanced Micro Devices | Thin resist with nitride hard mask for gate etch application |
US6046112A (en) * | 1998-12-14 | 2000-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Chemical mechanical polishing slurry |
US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
US6251562B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Antireflective polymer and method of use |
KR100363695B1 (ko) | 1998-12-31 | 2003-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 |
US6136511A (en) * | 1999-01-20 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning substrates using multilayer resist processing |
US6136679A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Gate micro-patterning process |
US6316165B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
US6426125B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-07-30 | General Electric Company | Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition |
US6458509B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-10-01 | Toagosei Co., Ltd. | Resist compositions |
US6616692B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-09-09 | Advanced Medical Optics, Inc. | Intraocular lens combinations |
US6890448B2 (en) | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
US6110653A (en) * | 1999-07-26 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Acid sensitive ARC and method of use |
JP4512217B2 (ja) | 1999-08-20 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
AU6790000A (en) | 1999-08-26 | 2001-03-19 | Brewer Science, Inc. | Improved fill material for dual damascene processes |
US6852473B2 (en) | 2000-01-12 | 2005-02-08 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Anti-reflective coating conformality control |
US20020009599A1 (en) | 2000-01-26 | 2002-01-24 | Welch Cletus N. | Photochromic polyurethane coating and articles having such a coating |
TW439118B (en) | 2000-02-10 | 2001-06-07 | Winbond Electronics Corp | Multilayer thin photoresist process |
CA2400157A1 (en) | 2000-02-22 | 2001-08-30 | Ram W. Sabnis | Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition |
US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
JP2001338926A (ja) | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001344732A (ja) | 2000-05-29 | 2001-12-14 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の評価方法 |
TW556047B (en) | 2000-07-31 | 2003-10-01 | Shipley Co Llc | Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition |
KR100917101B1 (ko) | 2000-08-04 | 2009-09-15 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | 플렉시블 금속적층체 및 그 제조방법 |
CN1316315C (zh) | 2000-09-19 | 2007-05-16 | 希普利公司 | 抗反射组合物 |
US6455416B1 (en) | 2000-10-24 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Developer soluble dyed BARC for dual damascene process |
US20030054117A1 (en) | 2001-02-02 | 2003-03-20 | Brewer Science, Inc. | Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6444582B1 (en) | 2001-02-05 | 2002-09-03 | United Microelectronics Corp. | Methods for removing silicon-oxy-nitride layer and wafer surface cleaning |
US6852828B2 (en) | 2001-02-16 | 2005-02-08 | Medtronic, Inc. | Poly amic acid system for polyimides |
US6309955B1 (en) | 2001-02-16 | 2001-10-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for using a CVD organic barc as a hard mask during via etch |
US6383952B1 (en) | 2001-02-28 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation |
TW576859B (en) | 2001-05-11 | 2004-02-21 | Shipley Co Llc | Antireflective coating compositions |
US6680252B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-01-20 | United Microelectronics Corp. | Method for planarizing barc layer in dual damascene process |
AU2002312945A1 (en) | 2001-05-29 | 2002-12-09 | Essilor International Compagnie Generale D'optique | Method for forming on-site a coated optical article |
US6605545B2 (en) | 2001-06-01 | 2003-08-12 | United Microelectronics Corp. | Method for forming hybrid low-K film stack to avoid thermal stress effect |
US6458705B1 (en) | 2001-06-06 | 2002-10-01 | United Microelectronics Corp. | Method for forming via-first dual damascene interconnect structure |
US6548387B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing hole defects in the polysilicon layer |
US6624068B2 (en) | 2001-08-24 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Polysilicon processing using an anti-reflective dual layer hardmask for 193 nm lithography |
US6586560B1 (en) | 2001-09-18 | 2003-07-01 | Microchem Corp. | Alkaline soluble maleimide-containing polymers |
US20040010062A1 (en) | 2001-09-27 | 2004-01-15 | Byeong-In Ahn | Polyimide copolymer and methods for preparing the same |
KR100465866B1 (ko) | 2001-10-26 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
US6916537B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-07-12 | Transitions Optical Inc. | Articles having a photochromic polymeric coating |
JP2003162065A (ja) | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置、露光マスク、露光方法、表示装置及び電子部品 |
JP3773445B2 (ja) | 2001-12-19 | 2006-05-10 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素脂環族ジアミンおよびこれを用いた重合体 |
US20030215736A1 (en) | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
US6844131B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7070914B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
US7261997B2 (en) | 2002-01-17 | 2007-08-28 | Brewer Science Inc. | Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings |
US6488509B1 (en) | 2002-01-23 | 2002-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plug filling for dual-damascene process |
KR20030068729A (ko) | 2002-02-16 | 2003-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법 |
US6911293B2 (en) | 2002-04-11 | 2005-06-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist compositions comprising acetals and ketals as solvents |
US6852474B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-02-08 | Brewer Science Inc. | Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6849293B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-02-01 | Institute Of Microelectronics | Method to minimize iso-dense contact or via gap filling variation of polymeric materials in the spin coat process |
US7265431B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-09-04 | Intel Corporation | Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography |
US6872506B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-03-29 | Brewer Science Inc. | Wet-developable anti-reflective compositions |
US6740469B2 (en) | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
US6638853B1 (en) | 2002-07-03 | 2003-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Method for avoiding photoresist resist residue on semioconductor feature sidewalls |
KR20040009384A (ko) | 2002-07-23 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 현상액에 용해되는 유기 바닥 반사 방지조성물과 이를 이용한 사진 식각 공정 |
US7108958B2 (en) | 2002-07-31 | 2006-09-19 | Brewer Science Inc. | Photosensitive bottom anti-reflective coatings |
US6566280B1 (en) | 2002-08-26 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Forming polymer features on a substrate |
US6821689B2 (en) | 2002-09-16 | 2004-11-23 | Numerical Technologies | Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature |
US20040077173A1 (en) | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Swaminathan Sivakumar | Using water soluble bottom anti-reflective coating |
JP3675789B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2005-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
US7507783B2 (en) | 2003-02-24 | 2009-03-24 | Brewer Science Inc. | Thermally curable middle layer comprising polyhedral oligomeric silsesouioxanes for 193-nm trilayer resist process |
KR100487948B1 (ko) | 2003-03-06 | 2005-05-06 | 삼성전자주식회사 | 이중 다마신 기술을 사용하여 비아콘택 구조체를 형성하는방법 |
KR100539494B1 (ko) | 2003-05-02 | 2005-12-29 | 한국전자통신연구원 | 전기광학 및 비선형 광학 고분자로서의 곁사슬형폴리아미드 에스테르, 그것의 제조 방법 및 그것으로부터제조된 필름 |
US7235348B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
ATE377036T1 (de) | 2003-05-23 | 2007-11-15 | Dow Corning | Siloxan-harz basierte anti- reflektionsbeschichtung mit hoher nassätzgeschwindigkeit |
US7364832B2 (en) | 2003-06-11 | 2008-04-29 | Brewer Science Inc. | Wet developable hard mask in conjunction with thin photoresist for micro photolithography |
JP4173414B2 (ja) | 2003-08-28 | 2008-10-29 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法 |
US7074527B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-07-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating a mask using a hardmask and method for making a semiconductor device using the same |
JP5368674B2 (ja) | 2003-10-15 | 2013-12-18 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法 |
US7636130B2 (en) | 2003-10-22 | 2009-12-22 | Darwin Chang | Television with automatic input switching |
US7064078B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
US20050214674A1 (en) | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20070207406A1 (en) | 2004-04-29 | 2007-09-06 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US20050255410A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
WO2005108491A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Kaneka Corporation | 硬化性組成物 |
US7012028B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Transistor fabrication methods using reduced width sidewall spacers |
US7595141B2 (en) * | 2004-10-26 | 2009-09-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
KR100639680B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
US7390746B2 (en) * | 2005-03-15 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process |
US20070018286A1 (en) | 2005-07-14 | 2007-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, lithographic multiple exposure method, machine readable medium |
US7767498B2 (en) * | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
US7776744B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication spacers and methods of forming the same |
TWI403843B (zh) | 2005-09-13 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
US7824842B2 (en) | 2005-10-05 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of patterning a positive tone resist layer overlaying a lithographic substrate |
KR20070087356A (ko) | 2006-02-23 | 2007-08-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US20070212649A1 (en) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic patterning |
US20090102971A1 (en) | 2006-03-08 | 2009-04-23 | Westinghouse Digital Electronics, Llc | Method and apparatus for automatic startup and shutdown including automatic source switching |
US7767385B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-08-03 | International Business Machines Corporation | Method for lithography for optimizing process conditions |
JP5112733B2 (ja) | 2006-04-11 | 2013-01-09 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | フォトリソグラフィ用コーティング組成物 |
US7429533B2 (en) | 2006-05-10 | 2008-09-30 | Lam Research Corporation | Pitch reduction |
US7914974B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-03-29 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
JP4826805B2 (ja) | 2006-08-30 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜材料、フォトレジスト下層膜基板及びパターン形成方法 |
US7862985B2 (en) | 2006-09-22 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method for double patterning a developable anti-reflective coating |
US8168372B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-01 | Brewer Science Inc. | Method of creating photolithographic structures with developer-trimmed hard mask |
TWI374478B (en) | 2007-02-13 | 2012-10-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Electronic device manufacture |
EP2133747A4 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-12 | Jsr Corp | RESIN COMPOSITION FOR MICRO-MOTIF FORMATION AND METHOD FOR FORMING MICRO-MOTIFS |
TWI493598B (zh) | 2007-10-26 | 2015-07-21 | Applied Materials Inc | 利用光阻模板遮罩的倍頻方法 |
CN101971102B (zh) | 2008-01-29 | 2012-12-12 | 布鲁尔科技公司 | 用来通过多次暗视场曝光对硬掩模进行图案化的在线法 |
KR101570551B1 (ko) * | 2008-03-11 | 2015-11-19 | 램 리써치 코포레이션 | 에칭층 내에 피쳐들을 에칭하기 위한 방법 |
US7713818B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-05-11 | Sandisk 3D, Llc | Double patterning method |
US10151981B2 (en) * | 2008-05-22 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming structures supported by semiconductor substrates |
US7745077B2 (en) * | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
US8492282B2 (en) * | 2008-11-24 | 2013-07-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a masking pattern for integrated circuits |
-
2010
- 2010-01-05 US US12/652,464 patent/US9640396B2/en active Active
- 2010-01-06 JP JP2011544671A patent/JP2012514762A/ja not_active Withdrawn
- 2010-01-06 KR KR1020117018434A patent/KR20110111473A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-06 EP EP10729436A patent/EP2374145A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-06 WO PCT/US2010/020199 patent/WO2010080789A2/en active Application Filing
- 2010-01-07 TW TW099100242A patent/TW201033739A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9330931B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110111473A (ko) | 2011-10-11 |
EP2374145A2 (en) | 2011-10-12 |
US9640396B2 (en) | 2017-05-02 |
US20100170868A1 (en) | 2010-07-08 |
WO2010080789A3 (en) | 2010-11-04 |
WO2010080789A2 (en) | 2010-07-15 |
TW201033739A (en) | 2010-09-16 |
EP2374145A4 (en) | 2012-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012514762A (ja) | ダブルおよびトリプルパターニングリソグラフィのためのスピンコーティング用スペーサー材料 | |
KR102245179B1 (ko) | 지향성 자가 조립용 블록 공중합체에 사용하기 위한 고도로 내에칭성인 중합체 블록 | |
KR102364329B1 (ko) | 유도 자가-조립용 하이-카이 블록 공중합체 | |
EP2245512B1 (en) | On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures | |
JP6592243B2 (ja) | Euvリソグラフィのためのアシスト層 | |
US7276327B2 (en) | Silicon-containing compositions for spin-on arc/hardmask materials | |
TWI617890B (zh) | 包含聚合熱酸產生劑之組合物及其方法 | |
JP4852360B2 (ja) | 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法 | |
JP2004054286A (ja) | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 | |
US6569595B1 (en) | Method of forming a pattern | |
WO2010032796A1 (ja) | サイドウォール形成用組成物 | |
WO2008082236A1 (en) | Polymer having antireflective properties, hardmask composition including the same, and process for forming a patterned material layer | |
CN113015940A (zh) | 用于高分辨率图案化的含硅烷醇有机-无机杂化涂层 | |
WO2019241402A1 (en) | Adhesion layers for euv lithography | |
JP6997764B2 (ja) | 自己組織化用途用のポリマー組成物 | |
US7514200B2 (en) | Hard mask composition for lithography process | |
JP2022525533A (ja) | 高厚のスピンオンカーボンハードマスク組成物及びこれを用いたパターニング方法 | |
US11078337B2 (en) | High-χ block copolymers for directed self-assembly | |
CN115427890A (zh) | 一种包含碳材料、金属有机化合物和溶剂的旋涂组合物以及一种在基材上方制造金属氧化物膜的方法 | |
TWI380129B (en) | High etch resistant hardmask composition having antireflective properties, method for forming patterned material layer using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device produced using the method | |
JP2006201361A (ja) | シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
KR100687873B1 (ko) | 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130402 |