JP2004054286A - フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 - Google Patents
フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004054286A JP2004054286A JP2003275002A JP2003275002A JP2004054286A JP 2004054286 A JP2004054286 A JP 2004054286A JP 2003275002 A JP2003275002 A JP 2003275002A JP 2003275002 A JP2003275002 A JP 2003275002A JP 2004054286 A JP2004054286 A JP 2004054286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- organic
- organic bottom
- thermal crosslinking
- bottom anti
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング工程を提供する。
【解決手段】芳香族高分子化合物、熱架橋剤及び有機溶媒を含む有機底部反射防止組成物。芳香族高分子化合物は248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに、熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備し、熱架橋剤は高分子化合物の作用基に反応して熱架橋反応を起こす。また有機底部反射防止組成物はフォトレジスト用現像液に溶解できる。したがって、本発明による有機BARC組成物を使用した写真エッチング工程では、フォトレジスト膜の露光及びPEB後に現像段階でフォトレジスト膜と共に有機BARCを同時に現像できるので工程が単純化され、かつフォトレジスト膜の塗布厚さのマージン及びエッチング工程マージンを増大させうる。
【選択図】図9
【解決手段】芳香族高分子化合物、熱架橋剤及び有機溶媒を含む有機底部反射防止組成物。芳香族高分子化合物は248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに、熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備し、熱架橋剤は高分子化合物の作用基に反応して熱架橋反応を起こす。また有機底部反射防止組成物はフォトレジスト用現像液に溶解できる。したがって、本発明による有機BARC組成物を使用した写真エッチング工程では、フォトレジスト膜の露光及びPEB後に現像段階でフォトレジスト膜と共に有機BARCを同時に現像できるので工程が単純化され、かつフォトレジスト膜の塗布厚さのマージン及びエッチング工程マージンを増大させうる。
【選択図】図9
Description
本発明は有機底部反射防止組成物及び写真エッチング方法に係り、より具体的には新しい物性の有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法に関する。
通常的な写真エッチング工程ではフォトレジストパターニング時に下部膜質の光に対する反射を減らすために反射防止膜を使用する。このような反射防止膜は、反射率を最適化して使用する無機底部反射防止膜(Bottom Antireflective Coatings;以下「BARC」)とフォトレジスト膜を通過した光を吸収する有機BARCとの2種に大別される。無機BARCは下部段差に対する整合度が良い一方、後続工程で除去が容易でなく、かつパターンが浮き上がる現象が多く発生する問題があって、最近は有機BARCが多く使われている。
有機BARCを使用した写真エッチング工程は図1に示したフローチャートによって進められる。まずエッチングのための被エッチング対象、例えば、シリコン基板、絶縁膜または導電膜上に有機BARCを形成(10段階)した後、有機BARCを高温ベーキング(12段階)する。次いで、フォトレジスト膜を有機BARC上に形成した後ソフトベーキング(14段階)し、露光及び露光後にベーキング(16段階)した後、現像(18段階)してフォトレジストパターンを完成させる。以後、生成されたフォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して有機BARCをエッチングする第1エッチング(20段階)を経た後、被エッチング対象をエッチングする第2エッチング(22段階)を実施する。
このような写真エッチング工程において重要な工程変数は、有機BARCを除去するための第1エッチング(20段階)後にどれだけ多くのフォトレジスト膜が残っているかである。図2に示したように、現像(18段階)直後のフォトレジストパターン50の厚さはT1であるが、有機BARC40を除去するための第1エッチング(20段階)時にフォトレジストパターン50も一部エッチングされるのでその厚さがT2に薄くなる(図3)。また、被エッチング対象30をエッチングするための第2エッチング(22段階)時にフォトレジストパターン50はさらにエッチングされてその厚さがT3に薄くなる(図4)。したがって、第1エッチング(20段階)後にT2の厚さで残っているフォトレジストパターン50により下部被エッチング対象30をエッチングしなければならないが、一定の選択比を確保するためには有機BARC40を除去するための第1エッチング(20段階)時に最小限のフォトレジストパターン50の厚さ損失(T1−T2)で有機BARC40を除去できるべきである。
しかし、248nm未満の露光源に使われるフォトレジスト(例:ArFレジストまたはF2レジスト)を利用した写真エッチング工程において、有機BARC40を除去するための第1エッチング(20段階)時にフォトレジストパターンの損失(T1−T2)が非常に激しくて後続の第2エッチング(22段階)時に被エッチング対象30に対するエッチングマスクの役割を行えるほどの十分なエッチング選択比が確保できなくて実際素子を製造するのに難点がある。
したがって、有機BARCを除去するためにエッチング工程を実施する時、フォトレジストパターンに損失が発生することを減らす必要がある。
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記問題点を克服するために、フォトレジスト用現像液に溶解されて有機BARCを除去するためのエッチング工程が別途に必要ない写真エッチング技術に適した有機底部反射防止組成物を提供することである。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物を使用して単純化されかつエッチング選択比が向上した写真エッチング工程(方法)を提供することである。
前記技術的課題を解決するために本発明による有機底部反射防止組成物は、芳香族高分子化合物、熱架橋剤及び有機溶媒を含む。芳香族高分子化合物は248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに、熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備し、熱架橋剤は高分子化合物の作用基に反応して熱架橋反応を起こす。また有機底部反射防止組成物はフォトレジスト用現像液に溶解できる。
前記他の技術的課題を解決するために本発明による写真エッチング方法によれば、まず被エッチング対象上に、248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備する芳香族高分子化合物と、前記作用基に反応して熱架橋反応を起こす熱架橋剤と、有機溶媒とを含み、フォトレジスト用現像液に溶解可能な写真エッチング用有機BARCを形成する。次いで、前記有機BARCをベーキングして熱架橋した後、前記熱架橋された有機BARC上にフォトレジスト膜を形成する。次いで、前記フォトレジスト膜を露光し、露光後にベーキングして前記フォトレジスト膜の露光部で酸加水分解反応と、前記露光部下の有機BARC内で酸による脱架橋反応とを起こした後、前記酸加水分解反応が起きた露光部及び前記脱架橋反応が起きた露光部下の有機BARCをフォトレジスト用現像液により溶解してフォトレジストパターン及び有機BARCパターンを同時に形成する。最後に、前記フォトレジストパターン及び有機BARCパターンをエッチングマスクとして使用して前記被エッチング対象をエッチングする。
本発明において、前記芳香族高分子化合物はノボラック樹脂またはポリヒドロキシスチレン樹脂であることが望ましい。
前記熱架橋剤は下記式で表示される構造のビニルエーテル誘導体であることが望ましい。
式中、xは2〜4のうちから選択される整数であり、RはC1〜C20の炭化水素または重量平均分子量500〜5000のオリゴマーである。
前記熱架橋剤は1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、トリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルまたは1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルであることがさらに望ましい。
前記熱架橋剤は前記高分子化合物の重量を基準に1〜30重量%の量で含まれることが望ましい。
また、前記フォトレジストは光酸発生剤を含むArFエキシマレーザーまたはF2エキシマレーザー用フォトレジストであり、前記フォトレジスト用現像液はTMAH溶液であることが望ましい。
前記有機溶媒は前記フォトレジストと混合反応を起こさない溶媒であることが望ましい。
前記のように、本発明による有機BARC組成物は酸により脱架橋される場合にフォトレジスト用現像液により現像できる。したがって、個別のエッチング工程を必要とした従来の有機BARC組成物とは完全に異なる特性を有する。
したがって、本発明による有機BARC組成物を使用して写真エッチング工程を進める場合に工程を単純化でき、かつ、後続の乾式エッチング工程中のフォトレジストパターンと被エッチング対象とのエッチング選択比を十分に確保できる。したがって、エッチング工程中のマージン増大によって素子製造がより容易になり、かつ製造コスト面でも非常に有利である。
以下、本発明による有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング工程について説明する。しかし、本発明は以下で開示される実施例、評価例及び実験例に限定されずに相異なる多様な形態に具現される。ただし本実施例、評価例及び実験例は本発明の開示を完全にし、当業者に本発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。一方、化学式で同じ文字は同じ置換基を示す。
図5Aないし図10は、本発明の望ましい実施例による有機BARC組成物を使用した写真エッチング工程を説明するために工程順序により示した断面図である。
図5Aを参照すれば、被エッチング対象100上に有機BARC組成物をコーティングして有機BARC110を形成する。被エッチング対象100はトレンチなどを形成するためのシリコン基板であることもあり、半導体製造工程に使われる多様な種類の絶縁膜または導電膜などいかなる膜でもよい。本実施例では被エッチング対象100としてトレンチを形成するためのシリコン基板を例示する。
有機BARC110の形成に使われる有機BARC組成物は、248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに、熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備する芳香族高分子化合物と、作用基に反応して架橋反応を起こす熱架橋剤と、有機溶媒と、を含み、フォトレジスト用塩基性現像液に溶解可能な組成物である。
有機BARC組成物を構成する高分子化合物は、使用しようとする光源、すなわち、248nm未満の短波長露光源を吸収できる化合物でなければならない。したがって、芳香族高分子化合物が適している。特に、容易に使用でき、かつ製造コスト面で有利な既存のI−ライン(365nm)レジストよりなるノボラック樹脂又はKrF(248nm)エキシマレーザーレジストよりなるポリヒドロキシスチレンなどの芳香族高分子化合物が適している。
また、芳香族高分子化合物は、熱架橋剤により高温ベーキング工程で熱架橋反応が容易に起こると同時に酸の触媒作用により脱架橋される作用基を具備しなければならない。
一方、熱架橋剤も芳香族高分子化合物の作用基と容易に熱架橋反応を起こし、酸の触媒作用により容易に分解される構造にする必要がある。熱架橋剤は通常の有機BARCのパフォーマンスに全く影響を及ぼさず、貯蔵寿命などの因子を考慮して選定しなければならない。
したがって、有機BARC組成物に含まれる架橋剤の例には、下記化学式1で表示される構造の多作用基ビニルエーテル誘導体がある。
化学式1中、xは2〜4の整数であり、RはC1〜C20の炭化水素または重量平均分子量500〜5000のオリゴマーである。
前記化学式1で表示されるビニルエーテル誘導体の例には1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、トリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルまたは1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルがある。
前記化学式1で表示される熱架橋剤を前記芳香族高分子化合物と共に有機溶媒に混合して有機BARC組成物を製造する場合に、前記熱架橋剤は前記芳香族高分子化合物の重量を基準に1〜30重量%の量で含まれる。
有機溶媒は有機BARC上に形成されるフォトレジスト膜と混合反応を起こさない溶媒でなければならない。もし、有機BARC上に形成されるフォトレジスト膜と混合反応を起こせばフォトレジスト膜の特性が悪くなるからである。したがって、有機溶媒はフォトレジスト膜の種類によって変わる。望ましい有機溶媒にはイソプロピルアルコールなどがある。
図5Bは、芳香族高分子化合物としてノボラック樹脂を、熱架橋剤としてビニルエーテル誘導体を含む有機BARC組成物で有機BARC110を形成した場合を例示したものである。図5BにおいてZはC3〜C20の炭化水素である。
図6Aは、有機BARC110にベーキング工程を実施して熱架橋された有機BARC110Aを形成する段階を示す。有機BARC110が被エッチング対象100にコーティングされるが、有機BARC110は、図5Bに示したように、反応を起こさない芳香族高分子化合物と熱架橋剤とが均一に混合されている形態になっている。この有機BARC110に対して150〜200℃のベーキング工程を実施すれば、図6Bのように熱架橋剤による芳香族高分子化合物の熱架橋反応が起きる。
図7を参照すれば、熱架橋された有機BARC110A上にフォトレジスト膜120を形成する。フォトレジスト膜120は光酸発生剤を含むArFエキシマレーザー(193nm)またはF2レーザー用フォトレジストをコーティングしてフォトレジスト膜120を形成した後、フォトレジスト膜120内の溶媒を除去し、熱架橋された有機BARC110Aに対する附着力を増大させるためにソフトベーキングを実施する。
ソフトベーキングは90〜150℃範囲内の温度条件下で60〜120秒間実施する。
図8Aを参照すれば、基板210上に所定のパターン220を具備するマスク200を使用し、かつ248nm以下の露光源を使用して露光した後、露光後ベーク(Post−Exposure Baking;以下、PEB)する。PEBは90〜150℃範囲内の温度条件下で60〜120秒間実施する。
露光によりフォトレジスト膜の露光部120B内の光酸発生剤から酸(H+)が発生し、PEBにより前記発生した酸の拡散及び酸加水分解反応が活性化して露光部120Bが現像液に溶解可能な状態になる。この時、露光部120B内の酸のうち一部は露光部120B下の有機BARC110Cにも広がって架橋された有機BARCの脱架橋を起こす。
すなわち、図8Bに示したように、露光部120B下の有機BARC110Cでは酸加水分解により脱架橋反応がおきてフォトレジスト用現像液に溶解可能な物質が多量生成される。
図9を参照すれば、現像により露光部120B及び露光部120B下の有機BARC110Cを溶解してフォトレジストパターン120A及び有機BARCパターン110Bを同時に形成する。
現像はフォトレジスト用現像液、例えば塩基性現像液である2.38重量%のTMAH(tetramethylammonium hydroxide)溶液を使用する。
露光部120B下の有機BARC110Cでも露光及びPEB時に酸による脱架橋反応が起きたために露光部120Bと共に有機BARC110Cも現像液により溶解される。したがって、露光部120B下の有機BARC110Cを除去するための従来のような個別的なエッチング工程が必要ない。したがって、有機BARC110Cを除去するための従来のエッチング工程時に発生したフォトレジストパターン120Aのエッチング損失がない。したがって、フォトレジストパターン120Aの厚さが元のコーティング厚さT1を維持するのでフォトレジストパターン120Aの形成工程マージンが増大する。
図10によれば、1回の現像工程により形成されたフォトレジストパターン120A及び有機BARCパターン110Bをエッチングマスクとして被エッチング対象100をエッチングする。
この時、フォトレジストパターン120Aの厚さがT1からT2に一定程度減少するが、図2ないし図4に示した従来の写真エッチング工程に比べて1回のエッチング工程だけで済むのでフォトレジストパターンのエッチング損失が小さい。したがって、被エッチング対象100に対するエッチング選択比を確保するのにさらに有利である。また、芳香族高分子化合物を主成分とする有機BARCパターン110Bは乾式エッチングに対する耐性が大きい。したがって、被エッチング対象100のエッチング時にフォトレジストパターン120Aと乾式エッチング耐性が大きい有機BARCパターン110Bとが同時にエッチングマスクとして作用するためにエッチング選択比の確保に非常に有利な長所があり、かつフォトレジスト膜の塗布厚さを従来に比べて薄めることができるのでエッチング時の縦横比を減らし、かつ製造コストの節減も達成できる。
本発明に関するより詳細な内容は次の具体的な評価例及び実施例を通じて説明するが、ここに記載されていない内容は当業者であれば十分に技術的に類推できるものであるために説明を省略する。参考のため、本発明を説明するにおいて使われた試薬は特定試薬を除いてはいずれもアルドリッチ社(Aldrich Chemical Co.)から購入したものである。
<評価例1>
本発明による有機BARC組成物に添加された熱架橋剤であるビニルエーテル誘導体の含量がおよぶ影響を次の方法によって評価した。
本発明による有機BARC組成物に添加された熱架橋剤であるビニルエーテル誘導体の含量がおよぶ影響を次の方法によって評価した。
まず、ノボラック樹脂(重量平均分子量=35000)(1g)を芳香族高分子化合物として使用し、熱架橋剤として高分子化合物の重量を基準にそれぞれ0重量%、5重量%、10重量%、20重量%、及び30重量%のトリメチロールプロパントリビニルエーテルを有機溶媒(1〜5%固形分含量)に溶解して有機BARC組成物を製造した。
次いで、有機BARC組成物を5枚のウェーハ上にそれぞれスピンコーティング(rpm=2500〜4000)した後、180℃で90秒間ベーキングして熱架橋反応を起こした。
次いで、熱架橋された有機BARC上にArFレジスト(EPIC−V4,Shipley社製)を厚さ(Tpr)が3000Åになるようにコーティングした後、約120℃で90秒間ソフトベーキングした。以後、ArFエキシマレーザー(ISI,0.6NA)により全面露光した後、110℃で60秒間PEBを実施した。
次いで、2.38重量%のTMAH溶液により約90秒間現像した後、ウェーハ上に残留する有機BARCの残膜率を測定した。
その結果は下記表1の通りである。
前記表1の結果によれば、残膜率及び製造コストを考慮する時に熱架橋剤の含量が30重量%以下であることが望ましい。
次に、本発明による写真エッチング工程を利用した具体的な実験例を説明する。
<実験例1>
市販されているノボラック樹脂(Mw=35,000)(1g)と、熱架橋剤であるトリメチロールプロパントリビニルエーテル(0.3g)と、そして少量のフルオロ界面活性剤とをイソプロピルアルコール溶媒(45g)に溶解して有機BARC組成物を製造した。
市販されているノボラック樹脂(Mw=35,000)(1g)と、熱架橋剤であるトリメチロールプロパントリビニルエーテル(0.3g)と、そして少量のフルオロ界面活性剤とをイソプロピルアルコール溶媒(45g)に溶解して有機BARC組成物を製造した。
次いで、有機BARC組成物をシリコン酸化膜が形成されているウェーハ上にスピンコーティング(rpm=2500〜4000)した後、150℃ないし200℃で90秒間ベーキングして熱架橋反応を起こした。
次いで、熱架橋された有機BARC上にArFレジスト(EPIC−V4,Shipley社製)を厚さ(Tpr)が3000Åになるようにコーティングした後、約120℃で90秒間ソフトベーキングした。以後、ArFエキシマレーザー(ISI,0.6NA)及び0.16×0.16μm大きさのコンタクトホールを定義するマスクを利用して露光し、110℃で60秒間PEBを実施した。
次いで、2.38重量%のTMAH溶液により約90秒間現像した後、走査電子顕微鏡により断面を観察した結果、フォトレジストパターン及び有機BARCパターンが現像工程のみによっても形成されたことが分かった。
その後、フォトレジストパターン及び有機BARCパターンを同時にエッチングマスクとして利用してシリコン酸化膜をプラズマエッチングによりエッチングしてコンタクトホールを形成した。
その結果、所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
<実験例2>
熱架橋剤として1,4ブタンジオールジビニルエーテル(0.2g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールLパターンを容易に形成できた。
熱架橋剤として1,4ブタンジオールジビニルエーテル(0.2g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールLパターンを容易に形成できた。
<実験例3>
熱架橋剤としてトリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル(0.1g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
熱架橋剤としてトリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル(0.1g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
<実験例4>
熱架橋剤として1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(0.2g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
熱架橋剤として1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル(0.2g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
<実験例5>
芳香族高分子化合物として市販されているポリヒドロキシスチレン樹脂(1.0g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
芳香族高分子化合物として市販されているポリヒドロキシスチレン樹脂(1.0g)を使用したことを除いては実験例1と同じ方法により有機BARC組成物を製造し、写真エッチング工程を進めて所望のプロファイルのコンタクトホールパターンを容易に形成できた。
100 被エッチング対象
110 有機BARC
110A 有機BARCパターン
120 フォトレジスト膜
120A フォトレジストパターン
110 有機BARC
110A 有機BARCパターン
120 フォトレジスト膜
120A フォトレジストパターン
Claims (16)
- 248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに、熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備する芳香族高分子化合物と、
前記作用基に反応して熱架橋反応を起こす熱架橋剤と、
有機溶媒と、
を含むことを特徴とするフォトレジスト用現像液に溶解可能な写真エッチング用有機底部反射防止組成物。 - 前記芳香族高分子化合物は、ノボラック樹脂またはポリヒドロキシスチレン樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の有機底部反射防止組成物。
- 前記熱架橋剤は、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、トリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルまたは1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルであることを特徴とする請求項1に記載の有機底部反射防止組成物。
- 前記熱架橋剤は、前記高分子化合物の重量を基準に1〜30重量%の量で含まれていることを特徴とする請求項1に記載の有機底部反射防止組成物。
- 前記フォトレジストは、光酸発生剤を含むArFエキシマレーザーまたはF2エキシマレーザー用フォトレジストであることを特徴とする請求項1に記載の有機底部反射防止組成物。
- 前記有機溶媒は、前記フォトレジストと混合反応を起こさない溶媒であることを特徴とする請求項1または6に記載の有機底部反射防止組成物。
- 前記フォトレジスト用現像液は、TMAH溶液であることを特徴とする請求項1に記載の有機底部反射防止組成物。
- 被エッチング対象上に、248nm未満の短波長露光源を吸収するとともに熱架橋されかつ酸により脱架橋される作用基を具備する芳香族高分子化合物と、前記作用基に反応して熱架橋反応を起こす熱架橋剤と、有機溶媒と、を含む、フォトレジスト用現像液に溶解可能な写真エッチング用有機底部反射防止膜を形成する段階と、
前記有機底部反射防止膜をベーキングして熱架橋する段階と、
前記熱架橋された有機底部反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、
前記フォトレジスト膜を露光し、露光後にベーキングして前記フォトレジスト膜の露光部で酸加水分解反応と、前記露光部下の有機底部反射防止膜内で酸による脱架橋反応とを起こす段階と、
前記酸加水分解反応が起きた露光部及び前記脱架橋反応が起きた露光部下の有機底部反射防止膜をフォトレジスト用現像液により溶解してフォトレジストパターン及び有機底部反射防止膜パターンを同時に形成する段階と、
前記フォトレジストパターン及び有機底部反射防止膜パターンをエッチングマスクとして使用して前記被エッチング対象をエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする写真エッチング方法。 - 前記芳香族高分子化合物は、ノボラック樹脂またはポリヒドロキシスチレン樹脂であることを特徴とする請求項9に記載の写真エッチング方法。
- 前記熱架橋剤は、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、トリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルまたは1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルであることを特徴とする請求項11に記載の写真エッチング方法。
- 前記熱架橋剤は、前記高分子化合物の重量を基準に1〜30重量%の量で含まれていることを特徴とする請求項9に記載の写真エッチング方法。
- 前記フォトレジスト膜を形成する段階は、光酸発生剤を含むArFエキシマレーザーまたはF2エキシマレーザー用フォトレジストを使用して前記フォトレジスト膜を形成する段階であることを特徴とする請求項9に記載の写真エッチング方法。
- 前記有機溶媒は、前記フォトレジストと混合反応を起こさない溶媒であることを特徴とする請求項9または14に記載の写真エッチング方法。
- 前記フォトレジスト用現像液は、TMAH溶液であることを特徴とする請求項9に記載の写真エッチング方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020043314A KR20040009384A (ko) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 포토레지스트용 현상액에 용해되는 유기 바닥 반사 방지조성물과 이를 이용한 사진 식각 공정 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004054286A true JP2004054286A (ja) | 2004-02-19 |
Family
ID=30768165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003275002A Pending JP2004054286A (ja) | 2002-07-23 | 2003-07-15 | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040018451A1 (ja) |
JP (1) | JP2004054286A (ja) |
KR (1) | KR20040009384A (ja) |
CN (1) | CN1484094A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
JP2006259382A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物、積層体およびレジストパターンの形成方法 |
JP2007536389A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-12-13 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | ビニルエーテル架橋剤を用いた反射防止膜 |
JP2008501985A (ja) * | 2004-03-25 | 2008-01-24 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 光結像性ポジ型底面反射防止膜 |
WO2008072624A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 低分子溶解促進剤を含むレジスト下層膜形成組成物 |
JP2010501881A (ja) * | 2006-08-18 | 2010-01-21 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 多重パターニングプロセスのための反射防止結像層 |
JP2010139845A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Nissan Chem Ind Ltd | レジストパターンの形成方法 |
US7862986B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-01-04 | Macronix International Co., Ltd. | Patterning process |
KR101085759B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2011-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2012508911A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | コーティング組成物 |
JP2013507653A (ja) * | 2009-10-09 | 2013-03-04 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | ポジ型光像形成性底面反射防止コーティング |
US8685615B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-04-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Photosensitive resist underlayer film forming composition |
US9436085B2 (en) | 2009-12-16 | 2016-09-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming photosensitive resist underlayer film |
KR20210018750A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 저부 반사 방지 코팅 재료 |
TWI770518B (zh) * | 2019-08-05 | 2022-07-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 形成半導體裝置的方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7108958B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-09-19 | Brewer Science Inc. | Photosensitive bottom anti-reflective coatings |
US7029821B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist and organic antireflective coating compositions |
US7183224B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-02-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Liftoff process for thin photoresist |
JP3878583B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2007-02-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP5368674B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2013-12-18 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法 |
US20070207406A1 (en) * | 2004-04-29 | 2007-09-06 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US7262138B1 (en) * | 2004-10-01 | 2007-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic BARC with adjustable etch rate |
US7368396B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-05-06 | Lexmark International, Inc. | Dry etching methods |
CN1925131B (zh) * | 2005-09-02 | 2011-04-06 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 降低大马士革铜工艺中表面反射率的方法 |
KR100837829B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-06-13 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
US20080102643A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-01 | United Microelectronics Corp. | Patterning method |
US8088548B2 (en) | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
US8206893B2 (en) * | 2007-10-30 | 2012-06-26 | Brewer Science Inc. | Photoimageable branched polymer |
CN101971102B (zh) | 2008-01-29 | 2012-12-12 | 布鲁尔科技公司 | 用来通过多次暗视场曝光对硬掩模进行图案化的在线法 |
KR100837830B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2008-06-13 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
KR100837806B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2008-06-13 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
KR100836872B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2008-06-11 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
EP2216684B1 (en) * | 2009-02-08 | 2015-10-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer |
US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
KR101742815B1 (ko) | 2010-07-23 | 2017-06-01 | 삼성전자 주식회사 | Duv 필터링용 코팅 조성물, 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US8507191B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-08-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same |
CN103632928A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自对准双重图形的形成方法 |
CN104078417A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自对准双构图方法及nand闪存的金属互连结构 |
US9034564B1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-05-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Reader fabrication method employing developable bottom anti-reflective coating |
JP6182381B2 (ja) | 2013-07-29 | 2017-08-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
US9804493B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same |
US9362120B2 (en) * | 2014-03-31 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography process and composition with de-crosslinkable crosslink material |
KR101476973B1 (ko) | 2014-04-23 | 2014-12-29 | 박현준 | 자동 주입식 식물주사기 |
CN104914672B (zh) * | 2015-06-11 | 2020-08-21 | 中国科学院化学研究所 | 基于含多羟基结构分子玻璃的底部抗反射组合物及其应用 |
WO2017191767A1 (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 日産化学工業株式会社 | 特定の架橋剤を含む保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6103845A (en) * | 1996-10-11 | 2000-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemically amplified resist polymers |
KR19990057890A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US6110653A (en) * | 1999-07-26 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Acid sensitive ARC and method of use |
JP3948646B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-07-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US6846612B2 (en) * | 2002-02-01 | 2005-01-25 | Brewer Science Inc. | Organic anti-reflective coating compositions for advanced microlithography |
KR20030068729A (ko) * | 2002-02-16 | 2003-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법 |
-
2002
- 2002-07-23 KR KR1020020043314A patent/KR20040009384A/ko not_active Application Discontinuation
-
2003
- 2003-03-26 US US10/400,029 patent/US20040018451A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-15 JP JP2003275002A patent/JP2004054286A/ja active Pending
- 2003-07-23 CN CNA03133069XA patent/CN1484094A/zh active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011150365A (ja) * | 2004-03-25 | 2011-08-04 | Az Electronic Materials Usa Corp | 光結像性ポジ型底面反射防止膜 |
JP2012103723A (ja) * | 2004-03-25 | 2012-05-31 | Az Electronic Materials Usa Corp | 光結像性ポジ型底面反射防止膜 |
JP2008501985A (ja) * | 2004-03-25 | 2008-01-24 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 光結像性ポジ型底面反射防止膜 |
JP2007536389A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-12-13 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | ビニルエーテル架橋剤を用いた反射防止膜 |
JP4509106B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2010-07-21 | 日産化学工業株式会社 | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
US8501393B2 (en) | 2004-05-14 | 2013-08-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Anti-reflective coating forming composition containing vinyl ether compound |
JPWO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2008-03-27 | 日産化学工業株式会社 | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
WO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
JP4595606B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-12-08 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成用組成物、積層体およびレジストパターンの形成方法 |
JP2006259382A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物、積層体およびレジストパターンの形成方法 |
JP2010501881A (ja) * | 2006-08-18 | 2010-01-21 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 多重パターニングプロセスのための反射防止結像層 |
WO2008072624A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 低分子溶解促進剤を含むレジスト下層膜形成組成物 |
US9645494B2 (en) | 2006-12-13 | 2017-05-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition containing low molecular weight dissolution accelerator |
US7862986B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-01-04 | Macronix International Co., Ltd. | Patterning process |
KR101085759B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2011-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8221961B2 (en) | 2008-01-16 | 2012-07-17 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing semiconductor devices |
JP2016001332A (ja) * | 2008-11-12 | 2016-01-07 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | コーティング組成物 |
JP2014211644A (ja) * | 2008-11-12 | 2014-11-13 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | コーティング組成物 |
US9146467B2 (en) | 2008-11-12 | 2015-09-29 | Merck Patent Gmbh | Coating compositions |
JP2012508911A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | コーティング組成物 |
JP2010139845A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Nissan Chem Ind Ltd | レジストパターンの形成方法 |
JP2013507653A (ja) * | 2009-10-09 | 2013-03-04 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | ポジ型光像形成性底面反射防止コーティング |
US9436085B2 (en) | 2009-12-16 | 2016-09-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming photosensitive resist underlayer film |
US8685615B2 (en) | 2010-06-17 | 2014-04-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Photosensitive resist underlayer film forming composition |
KR20210018750A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 저부 반사 방지 코팅 재료 |
KR102355227B1 (ko) | 2019-08-05 | 2022-01-25 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 저부 반사 방지 코팅 재료 |
TWI770518B (zh) * | 2019-08-05 | 2022-07-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 形成半導體裝置的方法 |
US11782345B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bottom antireflective coating materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040018451A1 (en) | 2004-01-29 |
KR20040009384A (ko) | 2004-01-31 |
CN1484094A (zh) | 2004-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004054286A (ja) | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 | |
KR100696399B1 (ko) | 반사방지 하드 마스크 조성물 | |
KR100908601B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 | |
KR100628824B1 (ko) | 리토그래피 반사방지 하드마스크 조성물 및 그것의 용도 | |
US8609322B2 (en) | Process of making a lithographic structure using antireflective materials | |
JP5220418B2 (ja) | シリコン含有フォトレジストの基層としての低屈折率ポリマー | |
KR970004447B1 (ko) | 반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4336310B2 (ja) | ハードマスク層としてのシリコン含有反射防止層及びその形成方法 | |
JP5956370B2 (ja) | 珪素含有下層膜材料及びパターン形成方法 | |
JP3835545B2 (ja) | フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 | |
US20080305638A1 (en) | Coating compositions for use in forming patterns and methods of forming patterns | |
US7375172B2 (en) | Underlayer compositions containing heterocyclic aromatic structures | |
US20050026078A1 (en) | Resist compositions including thermal crosslinking agents | |
JPH0684789A (ja) | 反射防止コーティング組成物 | |
CN105492972A (zh) | 作为硬掩模和填充材料的稳定的金属化合物、其组合物以及使用方法 | |
JP2007258683A (ja) | 有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法 | |
US20030162120A1 (en) | Compositions for anti-reflective light absorbing layer and method for forming patterns in semiconductor device using the same | |
JP2003249437A (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
US5401613A (en) | Method of manufacturing microelectronic devices having multifunctional photolithographic layers | |
JPH11186243A (ja) | 酸化シリコン層のエッチング方法 | |
JP2002198283A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2005142339A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2013522654A (ja) | 反射防止ハードマスク組成物及びそれを用いたパターン化材料を調製する方法。 | |
WO2004048458A1 (en) | Organic bottom anti-reflective composition and patterning method using the same | |
WO2008075860A1 (en) | High etch resistant hardmask composition having antireflective properties, method for forming patterned material layer using the hardmask composition and semiconductor integrated circuit device produced using the method |