JP2010139845A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。
【選択図】図1
Description
GPC装置:HLC−8220GPC(東ソー(株)製)
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕KF803L,KF802,KF801(昭和電工(株)製)
カラム温度:40℃
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
流量:1.0ml/min
標準試料:ポリスチレン(昭和電工(株)製)
陽イオン交換樹脂(商品名:アンバーリスト15JWET、ローム・アンド・ハース社製)24.80gに対し、下記式(3)、式(4)、式(5)、式(6):
で表されるモノマー(いずれも東京化成工業(株)製)をそれぞれ3.96g、2.96g、5.45g、48.71g、水21.61g及びプロピレングリコールモノメチルエーテル61.09gを加え、室温にて48時間攪拌した。
2−ビニルナフタレン30g、グリシジルメタクリレート3.5g及び1−ブトキシエチルメタクリレート4.5gをシクロヘキサノン112gに溶解させた後、フラスコ内を窒素にて置換し60℃まで昇温した。昇温後、シクロヘキサノン48gに溶解したアゾビスイソブチロニトリル1.9gを窒素加圧下添加し、24時間、60℃で反応させた。反応溶液を冷却後、メタノールに投入し、ポリマーを再沈殿、加熱乾燥して下記式(7)で表されるポリマーを得た。得られたポリマーのGPCによる分子量は、ポリスチレン換算で重量平均分子量が12000であった。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。当該B層は、少なくともその表面にシラノール基(Si原子と結合したヒドロキシ基)を有する。なお、本明細書において、後述する実施例2乃至実施例6、比較例1及び比較例2で形成されるB層も同様に、少なくともその表面にシラノール基を有する。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
式(7)で表されるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚250nmのレジスト下層膜(A層)を形成した。その上に、合成例1のレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で240℃、1分間加熱し、膜厚80nmのレジスト下層膜(B層)を形成した。
レジストのパターニングは、スキャナ(ASML社製、PAS5500/1100、波長193nm、NA:0.75、σ:0.89/0.59(Dipole))を用いて行った。ターゲットは現像後のレジストパターンのライン幅及びそのライン間の幅が0.08μmである、いわゆるラインアンドスペース(デンスライン)であり、ライン本数が9本形成されるように設定されたフォトマスクを通して露光をおこなった。その後、ホットプレート上で105℃、1分間加熱し、冷却後、工業規格の60秒シングルパドル式工程にて現像液(2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液)で現像した。
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フォーカス深度マージン ライン裾形状
(μm)
実施例1 0.3 良好
実施例2 0.4 良好
実施例3 0.5 良好
実施例4 0.5 良好
実施例5 0.4 良好
実施例6 0.4 良好
比較例1 0.2 アンダーカット
比較例2 0.2 アンダーカット
――――――――――――――――――――――――――――――――
101 レジスト下層膜
102 ビニルエーテル類を含有する層
103 単分子層
104 レジストパターン
Claims (5)
- ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、
前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、
前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、
その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、
前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、
少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 - 請求項1において、前記ビニルエーテル類は、下記式(1’)又は式(1”)で表される化合物[式中、R1及びR2はそれぞれ独立に炭素原子数1乃至18の有機基を表す]であるレジストパターンの形成方法。
- 請求項1又は請求項2において、前記ビニルエーテル類を含有する層は、当該ビニルエーテル類を含有する溶液を前記レジスト下層膜の表面上に塗布することによって形成される、レジストパターンの形成方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理は、前記ビニルエーテル類を含有する層を、100℃乃至240℃の範囲の温度で加熱することにより行われる、レジストパターンの形成方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記ビニルエーテル類の洗浄は、当該ビニルエーテル類を溶解可能な有機溶媒を用いて行われる、レジストパターンの形成方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016161886A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス |
CN111694218A (zh) * | 2014-05-21 | 2020-09-22 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂组合物以及电路图案的形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004054286A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 |
WO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
JP2007536389A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-12-13 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | ビニルエーテル架橋剤を用いた反射防止膜 |
WO2008072624A1 (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 低分子溶解促進剤を含むレジスト下層膜形成組成物 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004054286A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 |
JP2007536389A (ja) * | 2004-04-29 | 2007-12-13 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | ビニルエーテル架橋剤を用いた反射防止膜 |
WO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
WO2008072624A1 (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 低分子溶解促進剤を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111694218A (zh) * | 2014-05-21 | 2020-09-22 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂组合物以及电路图案的形成方法 |
CN111694218B (zh) * | 2014-05-21 | 2023-09-08 | 旭化成株式会社 | 感光性树脂组合物以及电路图案的形成方法 |
JP2016161886A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス |
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