TWI449756B - 倍半矽氧烷樹脂 - Google Patents

倍半矽氧烷樹脂 Download PDF

Info

Publication number
TWI449756B
TWI449756B TW098104992A TW98104992A TWI449756B TW I449756 B TWI449756 B TW I449756B TW 098104992 A TW098104992 A TW 098104992A TW 98104992 A TW98104992 A TW 98104992A TW I449756 B TWI449756 B TW I449756B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
value
group
resin
coating composition
antireflective coating
Prior art date
Application number
TW098104992A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200948900A (en
Inventor
Michael L Bradford
Eric Scott Moyer
Sheng Wang
Craig Rollin Yeakle
Original Assignee
Dow Corning
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning filed Critical Dow Corning
Publication of TW200948900A publication Critical patent/TW200948900A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI449756B publication Critical patent/TWI449756B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/28—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen sulfur-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

倍半矽氧烷樹脂
抗反射塗料(ARC)係微影蝕刻製程中所用基本材料之一。預期典型ARC材料可提供以下優點中之至少一種：藉由降低擺動曲線來控制線寬；降低標準波還原、平面化、使反射刻痕最小化。隨著微電子工業中圖案化特徵尺寸縮小至65nm以下，材料工業已迎來關於新材料之巨大變化。新材料之一係193nm抗反射塗料(ARC)，此乃因193nm光阻劑具有極薄層以獲得適宜聚焦深度及解析度且不提供充足光吸收及抗蝕刻性。193nm ARC應用有三種不同材料類型：無機材料、有機材料、及矽基材料。無機材料一般含有氮氧化矽(Si-O-N)、氮化矽(Si-N)、及碳化矽。由於該等化合物在氧電漿中氧化為二氧化矽，因此該等無機材料具有極佳氧抗蝕刻性。然而，由於該等材料係使用化學氣相沈積(CVD)來製造，因此其不能用於圖案平面化。此外，除非使用嚴苛蝕刻條件，否則典型蝕刻劑通常不能移除該等材料。因此，其一般保持於裝置中。另一方面，有機ARC材料係旋塗基材料且由此可用於圖案平面化中。可用典型蝕刻劑對其實施再加工。然而，其不能提供高氧抗蝕刻性。此外，由於光阻劑及有機ARC材料二者皆為有機材料，故有機ARC材料不會提供剝除ARC層所需之基於CFX 電漿之蝕刻選擇性。矽基ARC材料係聚矽氧基旋塗材料。人們預計其同時具有CVD及有機ARC材料二者之優點。
製造Si基ARC材料仍存在許多困難。該等材料需在193nm下具有適宜折射率(n)及吸收係數(k)以與光阻劑相匹配。該等材料需在1min內藉由UV或在低於250℃之溫度下加熱固化以實施快速轉向處理。該等材料需與光阻劑相容但不發生混雜及/或擴散以使得在具有較小特徵尺寸之裝置中不出現浮渣及凸腳。此外，該等材料需在固化後對丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、其他典型光阻劑溶液、及諸如氫氧化四甲銨(TMAH)具有抗性以使得薄膜可經受住後續處理。薄膜亦需具有可移除該等材料之再加工性。最後，在至少三個月期間，該等材料必須於室溫下極穩定，不發生顯著分子量增長。
含Si-H材料主要係鹼且具有HF緩衝溶液可溶性，且因此用於ARC應用之含Si-H材料可有效再加工。諸如TH TMe 及TH TPh 等含Si-H倍半矽氧烷樹脂可在低溫下固化，且諸如TH TMe TPh TR (其中R係聚醚基或酯基)等含Si-H倍半矽氧烷樹脂具有作為抗反射塗料材料之潛力。ARC樹脂中之期望特性包括：具有極性以具有與光阻劑及有機碳底層之較佳相容性，矽含量>30wt%以獲得高氧電漿抗蝕刻性及高CFx 電漿蝕刻選擇性，且樹脂上之官能團需相對較小以緩和除氣問題及多孔性問題。現已發現，具有芳基磺酸酯基之樹脂可用於ARC應用中。
本發明係關於可用於抗反射塗料中之倍半矽氧烷樹脂，其中倍半矽氧烷樹脂包括以下單元：
(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m
(HSiO(3-x)/2 (OR')x )n
(MeSiO(3-x )/2 (OR')x )o
(RSiO(3-x)/2 (OR')x)p
(R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q
其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且。在該等樹脂用於抗反射塗料中時，其可提供良好低溫可固化性及適當TMAH抗性。此外，倍半矽氧烷樹脂中(HSiO3/2 )單元之存在係作為193nm ARC材料所期望固化特性及可剝除性所必需的。此外，該等樹脂在用於ARC塗料中時可提供傑出光學特性、機械特性、及蝕刻選擇性特性，同時可使用旋塗施加技術來施加。
可用於形成抗反射塗料之倍半矽氧烷樹脂包括以下單元：
(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m
(HSiO(3-x)/2 (OR')x )n
(MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o
(RSiO(3-x)/2 (OR')x )p
(R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q
其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.25至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且(其中m、n、o、p及q係莫耳份數)。通常m具有0至0.25之值，或0.0至0.10，或>0至0.10。通常n具有0.15至0.40之值，或0.15至0.3。通常o具有0.25至0.80之值，或0.40至0.75。通常p具有0.025至0.20之值，或0.03至0.15。通常q具有0至0.2之值，或0至0.15，或>0至0.15。諸如SiO4/2 等其他聚矽氧單元亦可存於樹脂中。
R'獨立地為氫原子或具有1至4個碳原子之烴基。R'可例示為H、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、及第三丁基。
在樹脂中R係表示為式R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -之芳基磺酸酯基，其中R2 係具有1至10個碳原子之脂肪族或芳香族烴基且r如上文所定義。R2 可例示為(但不限於)(CH3 )2 CH2 -、CH3 -CH3 CH2 -CH3 CH2 CH2 -、(CH3 )C-、(CH3 )2 CH2 CH2 -及其他基團。由於用於製造具有磺酸酯基之矽烷之材料中存在污染物且在樹脂製備期間發生副反應，R亦可為相對應芳基磺酸基(即HO-SO2 -Ph-(CH2 )r -)。芳基磺酸酯基可例示為(但不限於)(CH3 )2 CHO-SO2 -Ph-(CH2 )r -、CH3 CH2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -、CH3 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -、(CH3 )3 CO-SO2 -Ph-(CH2 )r -、CH3 CH2 CH2 CH2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -及其他基團。
R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團。經取代苯基含有至少一個HO-、MeO-、Me-、Et-、Cl-、及/或其他取代基。酯基可為含有至少一個酯官能團之任一有機取代基。本文可用酯基之實例係-(CH2 )2 -O-C(O)Me及-(CH2 )2 -C(O)-OMe。聚醚基係經由氧原子連接有烴單元之有機取代基，其表示為(但不限於)以下結構：-(CH2 )a [O(CH2 CH2 )b ]c OR'，或：-(CH2 )a [O(CH2 CH(CH3 ))b ]c OR'，其中a=2至12；b=1至6；c=2至200；R'=H、-C(O)CH3 、烷基、或其他有機基團。本文可用聚醚基之實例係-(CH2 )3 -(OCH2 CH2 )c -OMe、-(CH2 )3 -(OCH2 CH2 )c -OH及-(CH2 )3 -(OCH2 CH2 )7 -OAc及-(CH2 )3 -(OCH2 CH2 )c -OC(O)Me、及-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]c OH、-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]c OCH2 。巰基具有通式HS(CH2 )r -，其中r如上文所述。巰基之實例係巰基丙基、巰基乙基及巰基甲基。反應性或可固化有機官能團可例示為(但不限於)烯基，例如乙烯基及烯丙基；環氧基，例如縮水甘油氧基丙基及環氧環己基；丙烯酸酯基，例如甲基丙烯醯氧基丙基、丙烯醯氧基丙基、及其他基團。
製造倍半矽氧烷樹脂之典型方法涉及適宜矽烷之水解及縮合。藉由此方法殘餘-OH及/或-OR'可因不完全水解或縮合保留於倍半矽氧烷樹脂中。若倍半矽氧烷樹脂中含有-OR'基團之單元之總量超過40莫耳%，則樹脂可能出現膠凝及不穩定。倍半矽氧烷樹脂通常含有6-38莫耳%含有-OR'基團之單元，或低於5莫耳%，或低於1莫耳%。
倍半矽氧烷樹脂之重量平均分子量(Mw)在500至200,000範圍內，或在500至100,000範圍內，或在700至30,0000範圍內，如藉由凝膠滲透層析法使用RI檢測及聚苯乙烯標準品所測定。
製備倍半矽氧烷樹脂之方法包含在有機溶劑中使水、HSiX3 、MeSiX3 、RSiX3 、及(視需要)Ph(CH2 )r SiX3 及/或R1 SiX3 反應，其中X係可水解基團，其獨立地選自Cl、Br、CH3 CO2 -、烷氧基-OR'、或其他可水解基團。本文可用矽烷可例示為(但不限於)HSi(OEt)3 、HSiCl3 、PhCH2 CH2 SiCl3 、及PhSiCl3 、MeSi(OMe)3 、MeSiCl3 、R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -SiCl3 、R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -Si(OMe)3 、R1 SiCl3 及R1 Si(OMe3 )3 ，其中R1 如上文所定義，Me代表甲基，Et代表乙基且Ph代表苯基。
含有芳基磺酸酯基之矽烷亦可在製造樹脂之反應期間藉由使用具有通式X-SO2 -Ph-(CH2 )r -SiX3 之矽烷及具有通式ROH之醇原位製造，其中X、r及R如上文所述。舉例而言，可將Cl-SO2 -Ph-(CH2 )r -SiX3 及諸如異丙醇、甲醇、乙醇或第三丁醇等醇類添加至反應混合物中，從而形成R-SO2 -Ph-(CH2 )r -SiX3 ，其隨後水解並與其他矽烷縮合而產生倍半矽氧烷樹脂。
通常在溶劑存在下製造倍半矽氧烷樹脂。可使用任一適宜有機或聚矽氧溶劑來製造倍半矽氧烷樹脂，該溶劑不含可參與水解及/或縮合反應之官能團。以溶劑與矽烷反應物之總重量計，一般以40-98重量%或70-90重量%之量使用溶劑。可以雙相或單相系統實施反應。
可用有機溶劑可例示為(但不限於)飽和脂肪族化合物，例如正戊烷、己烷、正庚烷及異辛烷；環脂族化合物，例如環戊烷及環己烷；芳香族化合物，例如苯、甲苯、二甲苯、三甲苯；醚，例如四氫呋喃、二噁烷、乙二醇二乙醚、乙二醇二甲醚；酮，例如甲基異丁酮(MIBK)及環己酮；經鹵素取代之烷烴，例如三氯乙烷；鹵代芳香族化合物，例如溴苯及氯苯；酯，例如丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、異丁酸異丁酯及丙酸丙酯。可用聚矽氧溶劑可例示為(但不限於)環矽氧烷，例如八甲基環四矽氧烷及十甲基環五矽氧烷。可使用單一溶劑或使用溶劑混合物。
只要不引發倍半矽氧烷樹脂明顯膠凝或固化，則製造該倍半矽氧烷樹脂之反應可在任何溫度下實施。通常反應係在介於5℃至150℃間之溫度下實施，建議於15℃至40℃溫度下實施。
形成倍半矽氧烷樹脂之時間取決於多種因素，例如溫度、矽烷反應物之類型及數量、及觸媒(若存在)之量。通常反應時間為若干分鐘至若干小時。熟悉此項技術者能容易地確定完成反應所需時間。可用於促進反應之觸媒包括(但不限於)硝酸、硫酸、磺酸、鹽酸、及其他。
反應完成後視需要可移除觸媒。移除觸媒之方法為業內人士所熟知且可包括中和、汽提或水洗或其組合。觸媒對聚矽氧樹脂之存架壽命可產生不利影響，尤其在溶液中時，故建議將其移除。
在製備倍半矽氧烷樹脂之過程中，反應完成後，可在減壓下自該倍半矽氧烷樹脂溶液中移除揮發性物質。該等揮發性物質包括醇副產物、過量水、觸媒、鹽酸(氯矽烷途徑)及溶劑。移除揮發性物質之方法已為業內人士所熟知且包括(例如)蒸餾。
在實施製造倍半矽氧烷樹脂之反應後，可實施多個可選步驟以獲得呈期望形式或具有期望濃度之倍半矽氧烷樹脂。舉例而言，可藉由移除溶劑來濃縮倍半矽氧烷樹脂。溶劑移除之方法並不嚴格且多種方法已為業內人士所熟知(例如在加熱條件及/或真空下蒸餾)。在倍半矽氧烷樹脂之濃度到達特定濃度後，可用相同溶劑或另一種溶劑稀釋樹脂以供特定應用。或者，若最終產物期望不同於反應中所用溶劑之不同溶劑，則可藉由添加第二溶劑及經由(例如)蒸餾移除第一溶劑來實施溶劑交換。此外，樹脂於溶劑中之濃度可藉由移除部分溶劑或添加額外量之溶劑來調節。
本發明亦係關於抗反射塗料(ARC)組合物，其包含
(i)包括以下單元之倍半矽氧烷樹脂：
(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m
(HSiO(3-x)/2 (OR')x )n
(MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o
(RSiO(3-x)/2 (OR')x )p
(R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q
其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基或芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.05至0.5之值；q具有0至0.5之值；且m+n+o+p+q；及(ii)溶劑。
可用溶劑(ii)尤其包括(但不限於)1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲基乙基乙酸酯、γ-丁內酯及環己酮。以ARC組合物之總重量計，ARC組合物通常包含10wt%至約99.9wt%或80-95wt%之溶劑。
ARC組合物可包含自由基起始劑或其他添加劑。適宜自由基起始劑包括過氧化物及光起始劑，例如過氧苯甲醯、過氧化二異丙苯、偶氮二異丁腈(AIBN)及其他起始劑。以ARC組合物之總重量計，自由基觸媒通常係以最高1000ppm或10-500ppm之量存在。其他添加劑可包括(但不限於)光酸產生劑及熱酸產生劑、光鹼產生劑及熱鹼產生劑。
抗反射塗料組合物係藉由將倍半矽氧烷樹脂、溶劑、及(視需要)自由基起始劑或其他添加劑混合在一起來形成。通常將自由基起始劑或其他添加劑添加至塗料組合物中，之後立即將其用於防止過早固化。
本發明亦係關於在電子裝置上形成抗反射塗層之方法，其包含
(A)將ARC組合物施加至電子裝置上，該ARC組合物包含
(i)包括以下單元之倍半矽氧烷樹脂：
(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m
(HSiO(3-x)/2 (OR')x )n
(MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o
(RSiO(3-x)/2 (OR')x )p
(R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q
其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.05至0.5之值；q具有0至0.5之值；且；及
(ii)溶劑，及
(B)移除溶劑並固化倍半矽氧烷樹脂以在電子裝置上形成抗反射塗層。
將抗反射塗料組合物施加至電子裝置上以產生經塗佈基板。移除溶劑並固化倍半矽氧烷樹脂以在電子裝置上產生抗反射塗層。
電子裝置通常係半導體裝置，例如意欲用於製造半導體組件之矽基裝置及砷化鎵基裝置。通常，裝置包含至少一個半導體層及複數個包含各種導體、半導體或絕緣材料之其他層。
將ARC組合物施加至電子裝置上之具體方法包括(但不限於)旋轉塗佈、浸塗、噴塗、流塗、絲網印刷及其他方法。較佳施用方法係旋轉塗佈。通常，塗佈涉及以約2000RPM旋轉電子裝置並將ARC組合物添加至該旋轉電子裝置之表面。
移除溶劑並固化倍半矽氧烷樹脂以在電子裝置上形成抗反射塗層。固化通常包含將塗層加熱至足夠高之溫度並保持足夠長持續時間以導致固化。在發生充分交聯時發生固化，從而使得倍半矽氧烷樹脂基本上不溶於施用其之溶劑。例如，可藉由在80℃至450℃下將經塗佈電子裝置加熱0.1-60分鐘來實施固化，或在150℃至275℃下加熱0.5-5分鐘，或在200℃至250℃下加熱0.5至2分鐘。在固化步驟期間可使用任一加熱方法。舉例而言，可將經塗佈電子裝置置於石英管爐、對流爐中或使其立於加熱板上。或者，可在諸如光酸產生劑(PAG)或光鹼產生劑等光活性添加劑存在下於紫外輻照下固化抗反射塗層。
為在固化期間使塗佈組合物之倍半矽氧烷樹脂免於與氧或碳反應，可在惰性氣氛下實施固化步驟。本文可用惰性氣氛包括(但不限於)氮及氬。"惰性"意指環境所含氧低於50ppm且較佳低於10ppm。實施固化及移除步驟之壓力並不嚴格。通常在大氣壓下實施固化步驟，但亦可於亞大氣壓或超大氣壓下實施。
在固化後，包含抗反射塗層之電子裝置可立即用於其他基板處理步驟中，例如光刻。在用於光刻中時，在抗反射塗層上形成抗蝕劑影像。形成抗蝕劑影像之製程包含(a)在抗反射塗層頂部形成抗蝕劑組合物膜；(b)將抗蝕劑膜以成影像方式暴露於輻射中以產生經曝光膜；及(c)使該曝光膜顯影以產生影像。對於以成影像方式暴露於波長157nm至365nm之紫外線輻射或波長157nm或193nm之紫外線輻射之抗蝕劑組合物，電子裝置上之抗反射塗層尤其可用。在於抗蝕膜上形成影像後，之後立即在抗反射塗層上蝕刻圖案。可使用已知蝕刻材料來移除抗反射塗料。可實施其他步驟或移除抗蝕劑膜及保留抗反射塗層以製造具有期望結構之裝置。
ARC塗料組合物可在低溫下固化且其產生可藉由剝除溶液移除之塗層。已發現，本文所製造抗反射塗料具有更佳溶劑(例如PGMEA)及TMAH抗性。此外，該等樹脂在用於ARC塗料中時可提供傑出光學特性、機械特性及蝕刻選擇特性，同時可使用旋塗施加技術來施加。
實例
本發明包括以下實例來闡述本發明實施例。彼等熟習此項技術者應瞭解，下文實例中所揭示技術代表本發明發明者所發現在本發明實踐中可充分發揮作用之技術，且因此可認為該等技術構成本發明實踐之較佳模式。然而，彼等業內熟練技術人員根據本揭示內容應瞭解，在所揭示具體實施例中可進行許多改變且仍可獲得類似結果而不背離本發明之精神及範圍。所有百分比皆以wt.%計。在以下實例中，
TH =HSiO(3-x)/2 (OR')x ，TMe =MeSiO(3-x)/2 (OR')x ，TPh =PhSiO(3-x)/2 (OR')x ，
TR =RSiO(3-x)/2 (OR')x 且TR1 =R1 SiO(3-x)/2 (OR')x 。
實例1：
TH 0.20 TMe 0.65 TR 0.05 TPh 0.10 ，僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將486.9g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、50.72g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.075mol)、31.73g苯基三氯矽烷(0.150mol)、145.74g甲基三氯矽烷(0.975mol)、及40.64g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在20℃下經一小時時間將1123.29g PGMEA、59.4g異丙醇(1.0mol)、及59.4g去離子水(3.30mol)之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在30℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將145g乙醇添加至混濁樹脂溶液後，藉由旋轉蒸發器在40℃下使該混濁溶液(1450g)濃縮至約20wt.%。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將約2200g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且藉由添加PGMEA將其稀釋至600g。使溶液濃縮至11wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至10wt.%。
實例2： TH 0.30 TMe 0.60 TR 0.10
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將738.6g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、101.4g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.150mol)、134.5g甲基三氯矽烷(0.900mol)、60.95g三氯矽烷(0.450mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將891.4g PGMEA、59.4g異丙醇(1.0mol)及59.4g去離子水(3.30mol)之溶液添加至三氯矽烷溶液中，且同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加200g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將164g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下使該混濁溶液(1623g)濃縮為479g溶液(約20wt.%)。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2051g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且藉由添加PGMEA將其稀釋至702g。以非揮發性物質含量計，固體樹脂重量為51.7%。將溶液濃縮至12wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至517g(10wt%)。產率為46%。
實例3： TH 0.20 TMe 0.73 TR 0.070
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將719.6g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、71.0g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.105mol)、163.7g甲基三氯矽烷(1.095mol)、40.64g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將824.3g PGMEA、59.3g(1.0mol)異丙醇及59.6g(3.3mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將169g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下使該混濁溶液(1683g)濃縮至約20wt%(473g)。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將約2200g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至12wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至472g(10%)。產率為41.4%。
實例4： TH 0.30 TMe 0.625 TR 0.075
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH2 CH3 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將717.4g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、76.2g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.113mol)、140.3g甲基三氯矽烷(0.938mol)、61.0g三氯矽烷(0.450mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將826.7g PGMEA、46.3g(1.0mol)乙醇、及59.4g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將164g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1623g)濃縮至約20wt%。將上述溶液(479g)轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2051g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至12wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至517g(10%)。產率為46%。
實例5：
TH 0.20 TMe 0.73 TR 0.070
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH3 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將851.8g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、71.0g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.105mol)、163.8g甲基三氯矽烷(1.095mol)、40.7g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將851.8g PGMEA、32.0g(1.0mol)甲醇、及59.5g(3.3mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將183g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下使該混濁溶液(1822g)濃縮至約20wt%(492g)。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將約1920g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至12wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至375g(10%)。產率為32.8%。
實例6： TH 0.20 TMe 0.73 TR 0.070
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OC(CH3 )3 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形。
在氮氣下將719.5g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、71.0g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.105mol)、163.7g甲基三氯矽烷(1.095mol)、40.6g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在攪拌混合物之同時於15℃下經一小時時間將809.8g PGMEA、74.1g(1.0mol)第三丁醇、及59.5g(3.3mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中。在攪拌下於15℃下使反應物另外稠化一小時。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將196g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下使該混濁溶液(1961g)濃縮至約20wt%(535g)。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將約2200g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至12wt.%。藉由添加PGMEA將溶液稀釋至550g(10%)。產率為48.2%。
實例7： TH 0.30 TMe 0.525 TR 0.075 TR1 0.10
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形，R1 係-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 。
在氮氣下將795.7g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、76.1g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.113mol)、48.6g聚氧化乙烯三氯矽烷(Cl3 Si-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 )、117.7g甲基三氯矽烷(0.788mol)、60.95g三氯矽烷(0.450mol)之混合物轉移至反應器中。在攪拌混合物之同時於15℃下經一小時時間將1144.1g PGMEA、59.4g(1.0mol)異丙醇及59.5g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中。在30℃於攪拌下使反應物另外稠化一小時。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將169g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1690g)濃縮至450g。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將約2000g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至410g(17.5wt%)且之後藉由添加PGMEA將其稀釋至467g(15%)。產率為50%。
實例8： TH 0.20 TMe 0.60 TR 0.03 TR1 0.17
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或同時存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH之情形，R1 係-CH2 CH2 CH2 CH2 SH。
在氮氣下將721.4g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、30.4g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.045mol)、50.1g 3-巰基丙基三甲氧基矽烷((CH3 O)3 Si-CH2 CH2 CH2 CH2 SH(0.255mol)、134.5g甲基三氯矽烷(0.900mol)、40.7g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將907.1g PGMEA、59.5g(1.0mol)異丙醇及59.1g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將150g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1500g)濃縮至436g。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2300g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至407g(10wt%)。產率為34%。
實例9： TH 0.20 TMe 0.60 TR 0.03 TR1 0.17
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形，R1 係-CH=CH2 。
在氮氣下將694.7g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、30.4g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.045mol)、41.3g乙烯基三氯矽烷(Cl3 Si-CH=CH2 )(0.255mol)、134.5g甲基三氯矽烷(0.900mol)、40.7g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將738.6g PGMEA、59.3g(1.0mol)異丙醇及60.0g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將156g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1551g)濃縮至460g。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2300g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至278g(10wt%)。產率為26%。
實例10： TH 0.20 TMe 0.65 TR 0.05 TPh 0.05 TR1 0.05
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形，R1 係-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 。
在氮氣下將756g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、50.8g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.075mol)、24.3g聚氧化乙烯三氯矽烷(Cl3 Si-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 )(0.075mol)、145.7g甲基三氯矽烷(0.975mol)、40.6g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將986g PGMEA、59.4g(1.0mol)異丙醇及59.4g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在15℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將170g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1705g)濃縮至460g。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2300g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至502g(10wt%)。產率為40%。
實例11： TH 0.20 TMe 0.59 TR 0.06 TR1 0.10 Q0.05
僅存在R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 或其與R=-(CH2 )2 Ph-SO2 -OH同時存在之情形，R1 係-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 。
在氮氣下將802.5g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、60.8g 2-(4-氯磺醯基苯基)乙基三氯矽烷甲苯溶液(50%)(0.090mol)、48.5g聚氧化乙烯三氯矽烷(Cl3 Si-(CH2 )3 [O(CH2 CH(CH3 ))]2 OCH3 )(0.150mol)、15.6g原矽酸四乙酯(0.075mol)、132.3g甲基三氯矽烷(0.885mol)、40.6g三氯矽烷(0.300mol)之混合物轉移至反應器中。在15℃下經一小時時間將1097.4g PGMEA、59.4g(1.0mol)異丙醇及59.4g(3.30mol)去離子水之溶液添加至三氯矽烷溶液中，同時攪拌混合物。在30℃下使反應物另外稠化一小時，同時攪拌。藉由添加400g PGMEA來稀釋溶液。然後添加500g去離子水並將混合物攪拌10s。使混合物靜置約5min以使相分離。移除底部水相。向殘留上層相中添加100g PGMEA及500g去離子水且將混合物攪拌10s。使混合物靜置約15min以使相分離。移除底部水相。將該洗滌過程另外重複實施兩次直至水相之pH值高於3。然後在將181g乙醇添加至混濁樹脂溶液中後，藉由旋轉蒸發器在40℃下將該混濁溶液(1798g)濃縮至460g。將上述溶液轉移至5L圓底燒瓶中。在攪拌的同時將2300g己烷添加至溶液中。使混合物靜置5min。將底部黏稠液體排至1L梨形燒瓶中且將其稀釋至600g。將溶液濃縮至572g(10wt%)。產率為42%。
實例12： 薄膜塗佈及表徵
在Karl Suss CT62旋轉塗佈器上處理晶圓上之薄膜塗層。首先經由0.2微米Telfon過濾器過濾樹脂PGMEA溶液，然後將其旋轉塗佈至標準單面4英吋拋光低電阻率晶圓或雙面拋光FTIR晶圓上(旋轉速度2000-4000rpm)。在200至250℃下於加熱板上使薄膜固化60秒。使用J. A. Woollam橢偏計來量測薄膜厚度、折射率及k值。所記錄厚度值係九次量測之平均值。藉由量測用PGMEA沖洗前後之膜厚度變化來確定固化後之PGMEA抗性。用兩種市售濕剝除溶液NE89及CCl來評價濕移除速率。使用水及二碘甲烷作為液體來實施接觸角量測，且根據Zisman方法來計算潤濕之臨界表面張力。結果概述於表1中。

Claims (48)

  1. 一種倍半矽氧烷樹脂，其包括以下單元：(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m (HSiO(3-x)/2 (OR')x )n (MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o (RSiO(3-x)/2 (OR')x )p (R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q 其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係芳基磺酸酯基或芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在該組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在該樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且m+n+o+p+q1。
  2. 如請求項1之樹脂，其中m具有0至0.25之值，n具有0.15至0.40之值，o具有0.25至0.80之值，p具有0.025至0.2之值且q具有0至0.2之值。
  3. 如請求項1之樹脂，其中m具有>0至0.10之值，n具有0.15至0.3之值，o具有0.40至0.75之值，p具有0.03至0.15之值且q具有>0至0.15之值。
  4. 如請求項1之樹脂，其中該磺酸酯基具有式R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -，其中R2 係脂肪族基團或芳香族基團且r具有0、 1、2、3或4之值。
  5. 如請求項4之樹脂，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 。
  6. 如請求項4之樹脂，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH2 CH3 。
  7. 如請求項1之樹脂，其中R1 係聚醚基。
  8. 如請求項1之樹脂，其中R1 係巰基。
  9. 如請求項1之樹脂，其中R1 係烯基。
  10. 如請求項1之樹脂，其中該樹脂含有6-38莫耳%具有-OR'基團之單元。
  11. 如請求項1之樹脂，其中該樹脂之平均分子量(Mw)為700至30,000。
  12. 如請求項1之樹脂，其係藉由包含使水、HSiX3 、MeSiX3 、RSiX3 、及視需要Ph(CH2 )r SiX3 及/或R1 SiX3 在有機溶劑中反應之方法來製造，其中X係可水解基團。
  13. 如請求項12之樹脂，其中該矽烷RSiX3 係原位產生。
  14. 一種抗反射塗料組合物，其包含(i)包括以下單元之倍半矽氧烷樹脂：(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m (HSiO(3-x)/2 (OR')x )n (MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o (RSiO(3-x)/2 (OR')x )p (R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q 其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個 碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在該組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在該樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且m+n+o+p+q1；及(ii)溶劑。
  15. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中m具有0至0.25之值，n具有0.15至0.40之值，o具有0.25至0.80之值，p具有0.025至0.2之值且q具有0至0.2之值。
  16. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中m具有>0至0.10之值，n具有0.15至0.3之值，o具有0.40至0.75之值，p具有0.03至0.15之值且q具有>0至0.15之值。
  17. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中該磺酸酯基具有式R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -，其中R2 係脂肪族基團或芳香族基團且r具有0、1、2、3或4之值。
  18. 如請求項17之抗反射塗料組合物，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 。
  19. 如請求項17之抗反射塗料組合物，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH2 CH3 。
  20. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中R1 係聚醚基。
  21. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中R1 係巰基。
  22. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中R1 係烯基。
  23. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中該樹脂含有6-38莫耳%具有-OR'基團之單元。
  24. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中該樹脂之平均分子量(Mw)為700至30,000。
  25. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中該溶劑係選自1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲基乙基乙酸酯、γ-丁內酯、及環己酮及其混合物。
  26. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中以該抗反射塗料組合物之總重量計存在10wt%至99.9wt%溶劑。
  27. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中以該抗反射塗料組合物之總重量計存在80-95wt%溶劑。
  28. 如請求項14之抗反射塗料組合物，其中該組合物另外含有自由基起始劑、光酸產生劑、熱酸產生劑、光鹼產生劑、熱鹼產生劑及其混合物。
  29. 一種在電子裝置上形成抗反射塗層之方法，其包含(A)將抗反射塗料組合物施加至電子裝置上，該抗反射塗料組合物包含(i)包括以下單元之倍半矽氧烷樹脂：(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m (HSiO(3-x)/2 (OR')x )n (MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o (RSiO(3-x)/2 (OR')x )p (R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q 其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在該組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在該樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且m+n+o+p+q1；及(ii)溶劑，及(B)移除該溶劑並固化該倍半矽氧烷樹脂以在該電子裝置上形成抗反射塗層。
  30. 如請求項29之方法，其中m具有0至0.25之值，n具有0.15至0.40之值，o具有0.25至0.80之值，p具有0.025至0.2之值且q具有0至0.2之值。
  31. 如請求項29之方法，其中m具有>0至0.10之值，n具有0.15至0.3之值，o具有0.40至0.75之值，p具有0.03至0.15之值且q具有>0至0.15之值。
  32. 如請求項29之方法，其中該磺酸酯基具有式R2 O-SO2 -Ph-(CH2 )r -，其中R2 係脂肪族基團或芳香族基團且r具有0、1、2、3或4之值。
  33. 如請求項32之方法，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph-SO2 -OCH(CH3 )2 。
  34. 如請求項32之方法，其中該磺酸酯基具有式-(CH2 )2 Ph- SO2 -OCH2 CH3 。
  35. 如請求項29之方法，其中R1 係聚醚基。
  36. 如請求項29之方法，其中R1 係巰基。
  37. 如請求項29之方法，其中R1 係烯基。
  38. 如請求項29之方法，其中該樹脂含有6-38莫耳%具有-OR'基團之單元。
  39. 如請求項29之方法，其中該樹脂之平均分子量(Mw)為700至30,000。
  40. 如請求項29之方法，其中該溶劑係選自1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲基乙基乙酸酯、γ-丁內酯、及環己酮及其混合物。
  41. 如請求項29之方法，其中以該抗反射塗料組合物之總重量計存在10wt%至99.9wt%溶劑。
  42. 如請求項29之方法，其中以該抗反射塗料組合物之總重量計存在80-95wt%溶劑。
  43. 如請求項29之方法，其中該組合物另外含有自由基起始劑、光酸產生劑、熱酸產生劑、光鹼產生劑、熱鹼產生劑及其混合物。
  44. 如請求項29之方法，其中該抗反射塗料組合物係藉由旋塗、浸塗、噴塗、流塗、或絲網印刷來施加。
  45. 如請求項44之方法，其中該抗反射塗料組合物係藉由旋塗來施加。
  46. 如請求項29之方法，其中移除該溶劑及固化包含將該經塗佈基板加熱至80℃至450℃並保持0.1至60分鐘。
  47. 如請求項29之方法，其中該固化係在惰性氣氛中發生。
  48. 一種在電子裝置上形成具有蝕刻圖案之抗反射塗料方法，其包含(A)將抗反射塗料組合物施加至電子裝置上，該抗反射塗料組合物包含(i)包括以下單元之倍半矽氧烷樹脂：(Ph(CH2 )r SiO(3-x)/2 (OR')x )m (HSiO(3-x)/2 (OR')x )n (MeSiO(3-x)/2 (OR')x )o (RSiO(3-x)/2 (OR')x )p (R1 SiO(3-x)/2 (OR')x )q 其中Ph係苯基，Me係甲基；R'係氫原子或具有1-4個碳原子之烴基；R係選自芳基磺酸酯基及芳基磺酸酯基與相對應芳基磺酸基之組合，前提係在該組合中大多數R為芳基磺酸酯基；且R1 係選自經取代苯基、酯基、聚醚基、巰基、及反應性或可固化有機官能團；且r具有0、1、2、3或4之值；x具有0、1或2之值；其中在該樹脂中m具有0至0.95之值；n具有0.05至0.95之值；o具有0.05至0.95之值；p具有0.025至0.5之值；q具有0至0.5之值；且m+n+o+p+q1；及(ii)溶劑，及(B)移除該溶劑並固化該倍半矽氧烷樹脂以在該電子裝置上形成抗反射塗層；(C)在該抗反射塗層頂部形成抗蝕劑組合物薄膜； (D)將該抗蝕劑薄膜以成影像方式暴露於輻射中以產生經曝光薄膜；(E)使該經曝光薄膜顯影以產生影像；及(F)將該影像蝕刻至該抗反射塗層中。
TW098104992A 2008-03-04 2009-02-17 倍半矽氧烷樹脂 TWI449756B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3349508P 2008-03-04 2008-03-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200948900A TW200948900A (en) 2009-12-01
TWI449756B true TWI449756B (zh) 2014-08-21

Family

ID=41056534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098104992A TWI449756B (zh) 2008-03-04 2009-02-17 倍半矽氧烷樹脂

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8304161B2 (zh)
EP (1) EP2250213B1 (zh)
JP (1) JP5581225B2 (zh)
KR (1) KR20100134578A (zh)
CN (1) CN101990551B (zh)
TW (1) TWI449756B (zh)
WO (1) WO2009111122A2 (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9023433B2 (en) 2008-01-15 2015-05-05 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resins and method of using them to form an antireflective coating
CN101946209B (zh) 2008-02-18 2014-01-22 日产化学工业株式会社 具有环状氨基的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
JP5581224B2 (ja) * 2008-03-05 2014-08-27 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
JP5621982B2 (ja) 2008-08-18 2014-11-12 日産化学工業株式会社 オニウム基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
KR20110096155A (ko) * 2008-12-10 2011-08-29 다우 코닝 코포레이션 습식 에칭가능한 반사방지 코팅
KR20110096063A (ko) 2008-12-10 2011-08-26 다우 코닝 코포레이션 실세스퀴옥산 수지
KR101690159B1 (ko) * 2008-12-10 2016-12-27 다우 코닝 코포레이션 변환가능한 반사방지 코팅
US8835093B2 (en) 2008-12-19 2014-09-16 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition containing silicon having anion group
US9353268B2 (en) 2009-04-30 2016-05-31 Enki Technology, Inc. Anti-reflective and anti-soiling coatings for self-cleaning properties
US9376593B2 (en) * 2009-04-30 2016-06-28 Enki Technology, Inc. Multi-layer coatings
CN102460301B (zh) * 2009-06-02 2014-08-06 日产化学工业株式会社 含有带硫醚键的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
WO2011011142A2 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Dow Corning Corporation Method and materials for reverse patterning
CN102498440B (zh) 2009-09-16 2016-11-16 日产化学工业株式会社 含有具有磺酰胺基的硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
EP2538276A4 (en) 2010-02-19 2015-02-25 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM CONTAINING SILICON HAVING A NITROGEN CORE
US9023583B2 (en) 2010-10-14 2015-05-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Monolayer or multilayer forming composition
JP5929679B2 (ja) 2011-10-12 2016-06-08 セントラル硝子株式会社 シラン系組成物およびその硬化膜、並びにそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法
JP6165775B2 (ja) * 2012-01-04 2017-07-26 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド イオン性シリコーンを含むフリーラジカル重合性組成物
KR101667445B1 (ko) * 2013-11-22 2016-10-18 롯데첨단소재(주) 실란계 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리카보네이트 수지 조성물
US9598586B2 (en) 2014-07-14 2017-03-21 Enki Technology, Inc. Coating materials and methods for enhanced reliability
US9399720B2 (en) 2014-07-14 2016-07-26 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating
CN107075304B (zh) * 2014-07-14 2020-10-16 第一阳光公司 高增益耐久性抗反射涂层
KR101722395B1 (ko) 2014-09-23 2017-04-04 한국과학기술연구원 폴리머캡토계 실세스퀴옥산 및 이를 이용한 기능성 폴리실세스퀴옥산의 제조방법
WO2016111210A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 Jsr株式会社 シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
US9442377B1 (en) * 2015-06-15 2016-09-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Wet-strippable silicon-containing antireflectant
JP6989532B2 (ja) * 2016-06-16 2022-01-05 ダウ シリコーンズ コーポレーション ケイ素豊富なシルセスキオキサン樹脂
WO2018034460A1 (en) * 2016-08-19 2018-02-22 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
WO2018159356A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 Jsr株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン
WO2023053988A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 株式会社カネカ 重合体及び硬化性組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101073038A (zh) * 2004-12-17 2007-11-14 陶氏康宁公司 形成抗反射涂层的方法
TW200830052A (en) * 2006-10-12 2008-07-16 Sekisui Chemical Co Ltd Composition for formation of film, method for production of patterned film, and insulation film for electronic device

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587138A (en) * 1984-11-09 1986-05-06 Intel Corporation MOS rear end processing
JPS62235330A (ja) * 1986-04-03 1987-10-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポリシロキサン化合物
US5010159A (en) * 1989-09-01 1991-04-23 Dow Corning Corporation Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol
US5100503A (en) * 1990-09-14 1992-03-31 Ncr Corporation Silica-based anti-reflective planarizing layer
US5210168A (en) * 1992-04-02 1993-05-11 Dow Corning Corporation Process for forming siloxane bonds
EP0568476B1 (en) * 1992-04-30 1995-10-11 International Business Machines Corporation Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology
JPH0656560A (ja) 1992-08-10 1994-03-01 Sony Corp Ｓｏｇ組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US5484867A (en) * 1993-08-12 1996-01-16 The University Of Dayton Process for preparation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes and systhesis of polymers containing polyhedral oligomeric silsesqioxane group segments
US5412053A (en) * 1993-08-12 1995-05-02 The University Of Dayton Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
JP3499032B2 (ja) * 1995-02-02 2004-02-23 ダウ コーニング アジア株式会社 放射線硬化性組成物、その硬化方法及びパターン形成方法
JP3324360B2 (ja) * 1995-09-25 2002-09-17 信越化学工業株式会社 ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
JPH09124794A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Dow Corning Asia Ltd 有機光機能材を含有するポリシロキサン樹脂組成物及びそれから得られる透明な光機能素子
JP3192947B2 (ja) * 1995-11-16 2001-07-30 東京応化工業株式会社 シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法
JPH09221630A (ja) 1996-02-13 1997-08-26 Showa Denko Kk 塗料組成物及びそれを用いて得られる塗膜
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6057239A (en) * 1997-12-17 2000-05-02 Advanced Micro Devices, Inc. Dual damascene process using sacrificial spin-on materials
US6344284B1 (en) * 1998-04-10 2002-02-05 Organic Display Technology Organic electroluminescent materials and devices made from such materials
US6156640A (en) * 1998-07-14 2000-12-05 United Microelectronics Corp. Damascene process with anti-reflection coating
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
US6177143B1 (en) * 1999-01-06 2001-01-23 Allied Signal Inc Electron beam treatment of siloxane resins
US6461955B1 (en) * 1999-04-29 2002-10-08 Texas Instruments Incorporated Yield improvement of dual damascene fabrication through oxide filling
US6281285B1 (en) * 1999-06-09 2001-08-28 Dow Corning Corporation Silicone resins and process for synthesis
US6509259B1 (en) * 1999-06-09 2003-01-21 Alliedsignal Inc. Process of using siloxane dielectric films in the integration of organic dielectric films in electronic devices
US6268457B1 (en) * 1999-06-10 2001-07-31 Allied Signal, Inc. Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography
CA2374944A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Nigel Hacker Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6824879B2 (en) * 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
WO2003044078A1 (en) 2001-11-15 2003-05-30 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof
US6890448B2 (en) * 1999-06-11 2005-05-10 Shipley Company, L.L.C. Antireflective hard mask compositions
US6329118B1 (en) * 1999-06-21 2001-12-11 Intel Corporation Method for patterning dual damascene interconnects using a sacrificial light absorbing material
US6982006B1 (en) * 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
US6359096B1 (en) * 1999-10-25 2002-03-19 Dow Corning Corporation Silicone resin compositions having good solution solubility and stability
KR100355604B1 (ko) * 1999-12-23 2002-10-12 주식회사 하이닉스반도체 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법
JP3795333B2 (ja) * 2000-03-30 2006-07-12 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物
US6420084B1 (en) * 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Mask-making using resist having SIO bond-containing polymer
US6420088B1 (en) * 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer
US20030176614A1 (en) 2000-06-30 2003-09-18 Nigel Hacker Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP4141625B2 (ja) * 2000-08-09 2008-08-27 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材
TW588072B (en) * 2000-10-10 2004-05-21 Shipley Co Llc Antireflective porogens
TW538319B (en) 2000-10-10 2003-06-21 Shipley Co Llc Antireflective composition, method for forming antireflective coating layer, and method for manufacturing electronic device
JP3931951B2 (ja) 2001-03-13 2007-06-20 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6589711B1 (en) * 2001-04-04 2003-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Dual inlaid process using a bilayer resist
JP5225528B2 (ja) 2001-05-30 2013-07-03 株式会社Ａｄｅｋａ ケイ素含有重合体の製造方法
US6746530B2 (en) * 2001-08-02 2004-06-08 Chunghwa Pictures Tubes, Ltd. High contrast, moisture resistant antistatic/antireflective coating for CRT display screen
US20030096090A1 (en) * 2001-10-22 2003-05-22 Boisvert Ronald Paul Etch-stop resins
AU2002227106A1 (en) 2001-11-15 2003-06-10 Honeywell International Inc. Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
JP2005509710A (ja) 2001-11-16 2005-04-14 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フォトリソグラフィ用のスピンオングラス反射防止性コーティング
US6730454B2 (en) * 2002-04-16 2004-05-04 International Business Machines Corporation Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer
WO2004014924A1 (ja) * 2002-08-07 2004-02-19 Chisso Corporation ケイ素化合物
AU2003295517A1 (en) 2002-11-12 2004-06-03 Honeywell International Inc Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof
KR100639862B1 (ko) * 2002-12-02 2006-10-31 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 반사방지막형성용 조성물
TW200505966A (en) 2003-04-02 2005-02-16 Dow Global Technologies Inc Organosilicate resin formulation for use in microelectronic devices
JP2004361692A (ja) * 2003-04-07 2004-12-24 Dow Corning Asia Ltd 光伝送部材用硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物、オルガノポリシロキサン樹脂硬化物からなる光伝送部材および光伝送部材の製造方法
EP1627007B1 (en) * 2003-05-23 2007-10-31 Dow Corning Corporation Siloxane resin-based anti-reflective coating composition having high wet etch rate
KR100857967B1 (ko) * 2003-06-03 2008-09-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반사 방지막 재료, 이것을 이용한 반사 방지막 및 패턴형성 방법
TW200500630A (en) * 2003-06-18 2005-01-01 Asahi Chemical Ind Antireflective film
WO2005005238A1 (en) 2003-07-02 2005-01-20 Keith Gilstrap Seatpost mounted bicycle wheel holding device
EP1668698A1 (de) 2003-09-29 2006-06-14 Siemens Aktiengesellschaft Plastisch verformbarer kühlkörper für elektrische und/oder elektronische bauelemente
US8101015B2 (en) * 2003-10-07 2012-01-24 Honeywell International Inc. Coatings and hard mask compositions for integrated circuit applications methods of production and uses thereof
SG119201A1 (en) 2003-10-13 2006-02-28 Sportiv Tech Lab Pte Ltd Utility garment
JP2006117867A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Takemoto Oil & Fat Co Ltd 有機シリコーン微粒子、有機シリコーン微粒子の製造方法、高分子材料改質剤及び化粧品原料
US7756384B2 (en) * 2004-11-08 2010-07-13 Dow Corning Corporation Method for forming anti-reflective coating
US7833696B2 (en) * 2004-12-17 2010-11-16 Dow Corning Corporation Method for forming anti-reflective coating
EP1989593A2 (en) * 2006-02-13 2008-11-12 Dow Corning Corporation Antireflective coating material
US20070212886A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Dong Seon Uh Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions
US20070298349A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Ruzhi Zhang Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer
JP5000250B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-15 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
US8653217B2 (en) * 2007-05-01 2014-02-18 Dow Corning Corporation Method for forming anti-reflective coating
KR20110096063A (ko) * 2008-12-10 2011-08-26 다우 코닝 코포레이션 실세스퀴옥산 수지
KR20110096155A (ko) * 2008-12-10 2011-08-29 다우 코닝 코포레이션 습식 에칭가능한 반사방지 코팅

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101073038A (zh) * 2004-12-17 2007-11-14 陶氏康宁公司 形成抗反射涂层的方法
TW200830052A (en) * 2006-10-12 2008-07-16 Sekisui Chemical Co Ltd Composition for formation of film, method for production of patterned film, and insulation film for electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US20110003249A1 (en) 2011-01-06
WO2009111122A2 (en) 2009-09-11
KR20100134578A (ko) 2010-12-23
EP2250213B1 (en) 2013-08-21
US8304161B2 (en) 2012-11-06
WO2009111122A3 (en) 2009-10-29
EP2250213A4 (en) 2011-11-16
JP5581225B2 (ja) 2014-08-27
JP2011515514A (ja) 2011-05-19
EP2250213A2 (en) 2010-11-17
TW200948900A (en) 2009-12-01
CN101990551B (zh) 2012-10-03
CN101990551A (zh) 2011-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI449756B (zh) 倍半矽氧烷樹脂
JP4688882B2 (ja) 反射防止膜の形成方法、レジスト画像の形成方法、パターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
TWI384016B (zh) 矽氧烷樹脂塗料
TWI450931B (zh) 倍半矽氧烷樹脂
TWI406099B (zh) 抗反射塗料材料
TWI642698B (zh) 作為硬光罩及填充材料之穩定金屬化合物、其組合物及其使用方法
JP4995096B2 (ja) 反射防止膜の形成方法、レジスト画像の形成方法、パターンの形成方法、電子デバイスの製造方法及びａｒｃ組成物
TWI437048B (zh) 倍半矽氧烷樹脂
JP5632387B2 (ja) 湿式エッチング可能な反射防止膜
TWI490656B (zh) 可切換之抗反射塗料
TWI460232B (zh) 倍半矽氧烷樹脂
WO2007094849A2 (en) Antireflective coating material

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees