JP6997764B2 - 自己組織化用途用のポリマー組成物 - Google Patents
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Description
a)繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む組成物を基材上にコーティングして層を形成し;
b)任意選択的に、上記の層を約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成する。
a)繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む組成物を基材上にコーティングして層を形成し;
b)任意選択的に、上記の層を約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成し;
d)この架橋された中性層上にブロックコポリマー層を施与し;
e)このブロックコポリマー層をアニールする。
a)中性層として機能するものとして上述された繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む該新規組成物を基材上にコーティングして層を形成し;
b)任意選択的に、上記の層を約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成し;
d)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供し;
e)フォトレジスト中にパターンを形成し;
f)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを前記フォトレジストパターン上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールし; 及び
g)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成する。
a)架橋された中性層のコーティングを基材上に形成して(ここでこの層はブラシ型中性層であるか、または中性層として機能するものとして上述した繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む該新規組成物をコーティングすることによって形成された新規中性層であってよい)層を形成し、次いで任意選択的に約80℃と約180℃との間でベークして溶剤を除去し、次いで約200℃と約350℃との間で非任意選択的の架橋硬化を行って、架橋された中性層を形成し、
b)この架橋された中性層上にネガチューン(negative tune)フォトレジスト層のコーティングを提供し;
c)フォトレジスト中にパターンを形成し;
d)架橋された時にピン止め層として機能するものとして上述した繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む該新規組成物をコーティングして、パターン化されたフォトレジスト層中の全ての空隙を満たすのに丁度十分な厚さの層を形成し;
e)任意選択的に、上記空隙を満たす層を、約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
f)この空隙充填層を、約200℃と約350℃との間の温度で加熱して、充填された空隙中に架橋されたピン止め層を形成し;
g)フォトレジストを除去し;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーの層を施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールし;
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成する。
a)中性層として機能するものとして上述された繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む新規組成物を基材上にコーティングして層を形成し;
b)任意選択的に、上記の層を約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成し;
d)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供し;
e)未露光のフォトレジストを除去してフォトレジスト層中にパターンを形成し、それによって被覆されていない架橋された中性層領域を形成し;
f)被覆されていない中性層を処理し;
g)フォトレジストを除去し;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールし; 及び
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成する。
a)ピン止め層として機能するものとして上述された繰り返し単位(1)を含むランダムコポリマーを含む該新規組成物を基材上にコーティングして層を形成し;
b)任意選択的に、上記の層を約80℃と約180℃との間の温度で加熱して溶剤を除去し;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成し;
d)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供し;
e)フォトレジスト中にパターンを形成し;
f)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去し、
g)フォトレジストを除去し;
h)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成し;
i)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールし; 及び
g)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成する。
一般的に、繰り返し単位(1)または繰り返し単位(2)などの(メタ)アクリレート系繰り返し単位を総量として約60モル%以上含む、構造(1)の少なくとも一種の繰り返し単位を含む該新規ランダムコポリマーの組成物は、基材上にコーティングしそして架橋した場合には、(メタ)アクリレート系繰り返し単位(2a)から誘導されるブロックコポリマードメインに対してピン止め層として機能する傾向がある。構造(1)の少なくとも一種の繰り返し単位を含む該新規ランダムコポリマーのこのような組成物では、繰り返し単位(2)の量は0モル%であってよく、そしてそれの総モル組成は100モル%を超えない。
40gのヨウ化ナトリウム及び0.22gの4-メトキシフェノールを280gの無水アセトン中に溶解した。これに、30.7gの2-クロロエチルメタクリレートをゆっくりと加えた。この反応混合物を、窒素雰囲気下に3日間、還流した。この反応混合物を室温まで冷却した後、10gのメタノール中に溶解した0.22gの水酸化ナトリウム、及び10gの活性炭を加え、そしてこの混合物を2時間攪拌しそして濾過した。アセトンを、ロータリーエバポレータを用いて室温で除去した。得られた液体をクロロホルム中に溶解し、そして先ずは希釈したチオ硫酸ナトリウム水溶液、次いでDI水で洗浄した。硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、ロータリーエバポレータを用いてクロロホルムを室温で除去して、35gの所望の2-ヨードエチルメタクリレートを得た。プロトンNMRはその構造を確証した。
7.6gの4-カルボキシベンゾシクロブテンを、磁気攪拌棒を備えた100mlのフラスコ中で20gのTHF中に溶解した。これに、22gのメタノール中に溶解した8.5gのテトラメチルアンモニウム5水和物を加えた。1時間攪拌した後、45gの硫酸ナトリウム及び10gの活性炭を加え、そして反応混合物を一晩室温で攪拌した。この混合物を濾過し、そして濾液を攪拌しながらジエチルエーテル中に注ぎ入れて黄色帯びた固形物を得、そしてこれを50℃の減圧炉中で一晩乾燥した。この固形物は、4-カルボキシベンゾシクロブテンのテトラメチルアンモニウム塩であった。
上記の製造した13.9gのアンモニウム塩を150gのDMSO中に溶解した。これに、13gのDMSO中に希釈した12gの2-ヨードエチルメタクリレートを加えた。反応混合物を1日間室温で攪拌した後、約500mlのジエチルエーテルを加えた。固形物を濾過した。濾液を、最初は希釈したチオ硫酸ナトリウム水溶液で、次いでDI水で洗浄した。硫酸ナトリウムを用いて乾燥した後、ロータリーエバポレータを用いてジエチルエーテルを室温で除去して、11gの所望のベンゾシクロブテンメタクリレートを得た。プロトンNMRはその構造を確証した。
上記の製造した3.02gのベンゾシクロブテンメタクリレート、6.5gのメチルメタクリレート(MMA)、6gのスチレン及び0.113gの2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオニトリル)(AIBN)を、磁気攪拌棒及び冷水凝縮器を備えた250mlのフラスコ中で25gのテトラヒドロフラン(THF)中に溶解した。30分間窒素パージした後、このフラスコを60℃の油浴中に入れた。この温度で19時間、重合を行い、そしてこの溶液を室温まで放冷した。このポリマー溶液を、攪拌しながら約200mlのメタノール中にゆっくりと注ぎ入れた。析出したポリマーを濾過によって単離した。ポリマーを20gのテトラヒドロフラン(THF)中に溶解し、そして200mlのメタノール中に再析出することによって精製した。このポリマーを最後に、重量が一定となるまで(7.8gが得られた)、50℃の減圧炉中で乾燥した。GPCは、46230のMw及び216161g/モルのMnを示した。ポリマー中のベンゾシクロブテンメタクリレートはプロトンNMRによって14モル%であると見積もられた。
合成例4で得られたコポリマーをPGMEA中に溶解して、0.8重量%溶液を調製した。この溶液を、0.2μmPTFEマイクロフィルタに通して濾過した。この溶液を、6インチケイ素ウェハ上に1500rpmで30秒間スピンキャストし、そしてこのウェハを空気中250℃で2分間ベークした。膜厚は、NanoSpecによって506.4Åと測定された。ウェハをPGMEAを用いて30秒間パドルリンスしそして110℃/1分間ベークした後、膜厚は506.6Åであった。この試験は、ポリマーが完全に架橋されて溶剤からの攻撃に耐えたことを示した。
試験例1からの同じポリマー溶液を、6インチケイ素ウェハ上に、1500rpmで30秒間スピンキャストし、そしてこのウェハを空気中250℃で2分間ベークした。 PGMEA中のポリスチレン-b-ポリ(メチルメタクリレート)のジブロックコポリマー溶液(PSのMn:22000g/モル、及びPMMAのMn:22000g/モル,PDI:1.02)を、上記のウェハ上に1500rpmで30秒間スピンキャストし、そしてこのウェハを空気中250℃で2分間アニールした。ジブロックポリマーの欠陥のないフィンガープリントがNanoSEM下に観察され、硬化したポリマーフィルムがこのジブロックポリマーに対し中性であることを示した。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する:
1.
次の構造(1)の少なくとも一種の繰り返し単位を有する少なくとも一種のランダムコポリマーを含む組成物。
2.
約220℃と約300℃との間の温度に加熱した時に、コーティングされた基材上に架橋された層を形成することができ、かつ有機溶剤及び水性塩基の両方に不溶性であり、かつそれの上面にキャストされそしてアニールされたブロックコポリマーのブロックドメインの自己組織化をもたらすことができる、上記1.に記載の組成物。
3.
前記ランダムコポリマーが、以下の構造(2)の少なくとも一種の繰り返し単位及び以下の構造(3)の少なくとも一種の繰り返し単位を更に含む、上記1.または2.に記載の組成物。
4.
前記ランダムコポリマーが、次の構造(2)を有する少なくとも一種の繰り返し単位を更に含む、上記1.または2.に記載の組成物。
5.
前記ランダムコポリマーが、次の構造(3)を有する少なくとも一種のスチレン系繰り返し単位を更に含む、上記1.または2.に記載の組成物。
6.
R 1 が、H及びメチルからなる群から選択され、かつR 2 がHであり、かつGがC2~C5アルキレン部分である、上記1.~4.のいずれか一つに記載の組成物。
7.
R 1 がHである、上記1.~5.のいずれか一つに記載の組成物。
8.
R 1 がメチルである、上記1.~5.のいずれか一つに記載の組成物。
9.
R 2 がHである、上記1.~5.のいずれか一つに記載の組成物。
10.
GがC2~C5アルキレン部分である、上記1.~5.のいずれか一つに記載の組成物。
11.
上記1.に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてこれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの極性脂肪族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(1)と、他の(メタ)アクリレートから誘導される繰り返し単位とを合わせた総モル%が約60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
12.
上記4.に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの極性脂肪族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(1)と構造(2)とを合わせた総モル%が約60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
13.
上記5.に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの芳香族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(3)の総モル%が約60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
14.
上記5.に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆う芳香族ポリマーブロックドメイン及び極性脂肪族ブロックドメインから構成されるブロックコポリマーのための中性誘導層であって、この中性誘導層は、構造(1)と構造(2)とを合わせた総モル%が約45モル%~約55モル%の範囲であり、かつ構造(3)が約45モル%~約55モル%の範囲であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記中性誘導層。
15.
次の構造(1’’’)のモノマー。
16.
R 1c がHまたはC1~C4アルキルから選択される、上記15.に記載のモノマー。
17.
R 2c がHまたはC1~C8アルキルから選択される、上記15.に記載のモノマー。
18.
G 1c がC2~C10アルキレン部分である、上記15.に記載のモノマー。
19.
次の構造(1)の少なくとも一種の繰り返し単位を有するランダムコポリマー。
20.
R 1 がHまたはC1~C4アルキルから選択される、上記19.に記載のコポリマー。
21.
R 2 がHまたはC1~C8アルキルから選択される、上記19.または20.に記載のコポリマー。
22.
GがC2~C10アルキレン部分である、上記19.~21.のいずれか一つに記載のコポリマー。
23.
次のステップa)~b)
a)上記1.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された層を形成するステップ、
を含む、架橋された層を基材上に形成する方法。
24.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃との間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記23.に記載の方法。
25.
次のステップa)~d)
a)上記1.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された誘導層を形成するステップ;
c)この架橋された誘導層上にブロックコポリマー層を施与するステップ;
d)このブロックコポリマー層をアニールするステップ、
を含む、自己組織化ブロックコポリマーを形成する方法。
26.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記25.に記載の方法。
27.
次のステップa)~f)
a)上記3.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト中にパターンを形成するステップ;
e)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを前記フォトレジストパターン上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
f)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、グラフォエピタキシを用いて画像を形成する方法。
28.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記27.に記載の方法。
29.
次のステップa)~h)
a)架橋された中性層のコーティングを形成するステップ;
b)この架橋された中性層上にネガトーンフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
c)フォトレジスト中にパターンを形成するステップ;
d)パターン化されたフォトレジストフィルム上に上記4.に記載の組成物をコーティングして層を形成し、ここでこの層は、フォトレジストパターン中の空隙をちょうど充填する厚さであるステップ;
e)この層を約200℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーの層を施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ;
h)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、グラフォエピタキシを用いて画像を形成する方法。
30.
ステップd)とe)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記29.に記載の方法。
31.
次のステップa)~h)
a)上記1.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)220℃~350℃の間の温度で中性層を加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)未露光のフォトレジストを除去してフォトレジスト層中にパターンを形成し、それによって被覆されていない架橋された中性層領域を形成するステップ;
e)被覆されていない架橋された中性層を処理するステップ;
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ;
h)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。
32.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記31.に記載の方法。
33.
次のステップa)~i):
a)上記3.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
e)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ;
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。
34.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記33.に記載の方法。
35.
次のステップa)~i):
a)上記4.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
c)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
e)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ;
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。
36.
ステップa)とb)との間に、上記層を約80℃と約180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、上記35.に記載の方法。
37.
次のステップ:
a)上記5.に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)任意選択的に、上記の層を80℃~180℃の間の温度で加熱して溶剤を除去するステップ;
c)この層を約220℃と約350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
d)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
e)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
f)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
g)フォトレジストを除去するステップ;
h)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
i)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
j)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。
Claims (37)
- 220℃と300℃との間の温度に加熱した時に、コーティングされた基材上に架橋された層を形成することができ、かつ有機溶剤及び水性塩基の両方に不溶性であり、かつそれの上面にキャストされそしてアニールされたブロックコポリマーのブロックドメインの自己組織化をもたらすことができる、請求項1に記載の組成物。
- 前記ランダムコポリマーが、以下の構造(2)の少なくとも一種の繰り返し単位及び以下の構造(3)の少なくとも一種の繰り返し単位を更に含む、請求項1または2に記載の組成物。
- R1が、H及びメチルからなる群から選択され、かつR2がHであり、かつGがC2~C5アルキレン部分である、請求項1~4のいずれか一つに記載の組成物。
- R1がHである、請求項1~5のいずれか一つに記載の組成物。
- R1がメチルである、請求項1~5のいずれか一つに記載の組成物。
- R2がHである、請求項1~5のいずれか一つに記載の組成物。
- GがC2~C5アルキレン部分である、請求項1~5のいずれか一つに記載の組成物。
- 請求項1に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてこれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの極性脂肪族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(1)と、他の(メタ)アクリレートから誘導される繰り返し単位とを合わせた総モル%が60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
- 請求項4に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの極性脂肪族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(1)と構造(2)とを合わせた総モル%が60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
- 請求項5に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆うブロックコポリマーの芳香族ポリマーブロックドメインのためのピン止め誘導層であって、このピン止め層は、構造(3)の総モル%が60モル%以上であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記ピン止め誘導層。
- 請求項5に記載の組成物を基材上にコーティングしそしてそれを架橋することによって形成された誘導層を覆う芳香族ポリマーブロックドメイン及び極性脂肪族ブロックドメインから構成されるブロックコポリマーのための中性誘導層であって、この中性誘導層は、構造(1)と構造(2)とを合わせた総モル%が45モル%~55モル%の範囲であり、かつ構造(3)が45モル%~55モル%の範囲であり、かつ更に、ランダムコポリマー中の繰り返し単位の総モル%組成は100モル%を超えない、前記中性誘導層。
- R1cがHまたはC1~C4アルキルから選択される、請求項15に記載のモノマー。
- R2cがHまたはC1~C8アルキルから選択される、請求項15に記載のモノマー。
- G1cがC2~C10アルキレン部分である、請求項15に記載のモノマー。
- R1がHまたはC1~C4アルキルから選択される、請求項19に記載のコポリマー。
- R2がHまたはC1~C8アルキルから選択される、請求項19または20に記載のコポリマー。
- GがC2~C10アルキレン部分である、請求項19~21のいずれか一つに記載のコポリマー。
- 次のステップa)~b)
a)請求項1に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋された層を形成するステップ、
を含む、架橋された層を基材上に形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃との間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項23に記載の方法。
- 次のステップa)~d)
a)請求項1に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋された誘導層を形成するステップ;
c)この架橋された誘導層上にブロックコポリマー層を施与するステップ;
d)このブロックコポリマー層をアニールするステップ、
を含む、自己組織化ブロックコポリマーを形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項25に記載の方法。
- 次のステップa)~f)
a)請求項3に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト中にパターンを形成するステップ;
e)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを前記フォトレジストパターン上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
f)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、グラフォエピタキシを用いて画像を形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項27に記載の方法。
- 次のステップa)~h)
a)架橋された中性層のコーティングを形成するステップ;
b)この架橋された中性層上にネガトーンフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
c)フォトレジスト中にパターンを形成するステップ;
d)パターン化されたフォトレジストフィルム上に請求項4に記載の組成物をコーティングして層を形成し、ここでこの層は、フォトレジストパターン中の空隙をちょうど充填する厚さであるステップ;
e)この層を200℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーの層を施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ;
h)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、グラフォエピタキシを用いて画像を形成する方法。 - ステップd)とe)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項29に記載の方法。
- 次のステップa)~h)
a)請求項1に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)220℃~350℃の間の温度で中性層を加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋された中性層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)未露光のフォトレジストを除去してフォトレジスト層中にパターンを形成し、それによって被覆されていない架橋された中性層領域を形成するステップ;
e)被覆されていない架橋された中性層を処理するステップ;
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ;
h)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項31に記載の方法。
- 次のステップa)~i):
a)請求項3に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋された中性層を形成するステップ;
c)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
e)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ;
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項33に記載の方法。
- 次のステップa)~i):
a)請求項4に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
c)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
d)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
e)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
f)フォトレジストを除去するステップ;
g)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
h)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
i)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ;
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。 - ステップa)とb)との間に、上記層を80℃と180℃の間の温度に加熱して溶剤を除去する、請求項35に記載の方法。
- 次のステップ:
a)請求項5に記載の組成物を基材上にコーティングして層を形成するステップ;
b)任意選択的に、上記の層を80℃~180℃の間の温度で加熱して溶剤を除去するステップ;
c)この層を220℃と350℃との間の温度で加熱して、架橋されたピン止め層を形成するステップ;
d)この架橋されたピン止め層上にフォトレジスト層のコーティングを提供するステップ;
e)フォトレジスト層中にパターンを形成するステップ;
f)エッチングして、フォトレジストが施与されていない領域においてピン止め層を除去するステップ、
g)フォトレジストを除去するステップ;
h)非ピン止め層の領域においてブラシ型中性層を形成するステップ;
i)エッチング耐性ブロックと高エッチング性ブロックとを含むブロックコポリマーを中性層上に施与し、そして誘導自己組織化が起こるまでアニールするステップ; 及び
j)前記ブロックコポリマーをエッチングし、それによって前記コポリマーの高エッチング性ブロックを除去してパターンを形成するステップ、
を含む、ケモエピタキシにより画像を形成する方法。
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