JP5222805B2 - 自己組織化パターン形成方法 - Google Patents
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Description
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・10g
次に、図5(c)に示すように、形成されたブロックコポリマー膜5に対して、温度が180℃で15時間のオーブンによるアニーリング(加熱処理)を行って、図5(d)に示すライン幅が16nmの自己組織化したラメラ構造を有する第1のパターン5a及び第2のパターン5bを得る。
本発明の第1の実施形態に係るブロックコポリマーを用いた自己組織化パターン形成方法について図1(a)〜図1(d)、図2(a)及び図2(b)を参照しながら説明する。
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・10g
次に、図1(d)に示すように、ブロックコポリマー膜105に対して、温度を180℃とし10時間のオーブンによるアニーリングを行う。
以下、本発明の第2の実施形態に係るブロックコポリマーを用いた自己組織化パターン形成方法について図3(a)〜図3(d)、図4(a)及び図4(b)を参照しながら説明する。
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)・・・・・・・・10g
次に、図3(d)に示すように、ブロックコポリマー膜205に対して、温度を200℃とし9時間のオーブンによるアニーリングを行う。
102 中性化膜
103 ガイドパターン
103a 開口部
105 ブロックコポリマー膜
105a 第1のパターン
105b 第2のパターン
201 基板
202 中性化膜
203 ガイドパターン
203a 開口部
205 ブロックコポリマー膜
205a 第1のパターン
205b 第2のパターン
Claims (10)
- 基板の上に、中性化膜を形成する工程と、
前記中性化膜の上に、親水性又は疎水性を有し且つ開口部を有するガイドパターンを形成する工程と、
前記ガイドパターンの少なくとも側面に対して、該ガイドパターンの親水性又は疎水性を増長する表面処理を行う工程と、
前記中性化膜の上であって、表面処理を行った前記ガイドパターンの前記開口部に、ブロックコポリマーからなる膜を形成する工程と、
前記膜をアニーリングすることにより、前記膜を自己組織化する工程と、
自己組織化された前記膜から自己組織化パターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする自己組織化パターン形成方法。 - 前記中性化膜は、ハードベークした有機膜であることを特徴とする請求項1に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記ガイドパターンは、親水性を有する水素化シルセスキオキサン又はポリメチルメタクリレートからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記ガイドパターンは、疎水性を有するポリクロロメチル化スチレン又はクロロメチル化カリックス[4]アレーンからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記ガイドパターンの親水性を増長する表面処理は、水素化処理であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記ガイドパターンの疎水性を増長する表面処理は、フッ素化処理であることを特徴とする請求項1、2及び4のいずれか1項に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記ブロックコポリマーは、親水性ユニットと疎水性ユニットとから構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記親水性ユニットは、メタクリル酸、メチルメタクリレート、ブタジエン、ビニルアセテート、アクリル酸、メチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル、ビニルアルコール、エチレングリコール又はプロピレングリコールであることを特徴とする請求項7に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記疎水性ユニットは、スチレン、キシリエン又はエチレンであることを特徴とする請求項7に記載の自己組織化パターン形成方法。
- 前記自己組織化パターンを形成する工程において、前記自己組織化パターンは、前記親水性ユニットと前記疎水性ユニットとに対するエッチングレートの差を用いて形成することを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の自己組織化パターン形成方法。
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