JP2015115599A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工対象上にガイドパターン15を形成し、ついで、ガイドパターンに対して表面改質処理を施す。その後、ガイドパターンを形成した加工対象上に、ブロックコポリマー16を含む溶液を塗布し、加工対象上でブロックコポリマーを相分離させる。ついで、相分離したブロックコポリマーの一方の成分を現像処理によって除去する。そして、ブロックコポリマーの他方の成分で被覆されたガイドパターンをマスクとして、加工対象をパターニングする。
【選択図】図1−1
Description
図1−1〜図1−3は、第1の実施形態によるパターン形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、加工対象として、NAND型フラッシュメモリまたはReRAM(Resistive Random Access Memory)などの不揮発性記憶装置のメモリセル部に微細な周期パターンを形成する場合について説明する。微細な周期パターンとして、ホール(コンタクトホールまたはビアホール)、ラインアンドスペース状の配線パターンなどを例示することができる。
第1の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンを洗浄処理する場合を説明した。第2の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンの表面に架橋剤からなる被膜を形成する場合を説明する。
第2の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンの表面に架橋剤からなる被膜を形成する場合を説明したが、第3の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンの表面に被膜を形成する場合を説明する。
第1の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンを液体で洗浄処理する場合を説明した。第4の実施形態では、露光・現像後のレジストパターンの表面を酸化性ガスに晒して表面改質処理を行う場合を説明する。
第1〜第4の実施形態では、レジストパターンで物理ガイドを構成する場合を例に挙げた。しかし、レジストパターンをSOCパターンに転写したパターンを物理ガイドとする場合、またはTEOS、アモルファスシリコン、SiCNまたはSiNなどのハードマスクに転写したパターンを物理ガイドとする場合にも、第1〜第4の実施形態で示した表面改質処理を適用することができる。
Claims (5)
- 加工対象上にガイドパターンを形成し、
前記ガイドパターンに対して表面改質処理を施し、
前記ガイドパターンを形成した前記加工対象上に、ブロックコポリマーを含む溶液を塗布し、
前記加工対象上で前記ブロックコポリマーを相分離させ、
前記相分離した前記ブロックコポリマーの一方の成分を現像処理によって除去し、
前記ブロックコポリマーの他方の成分で被覆された前記ガイドパターンをマスクとして、前記加工対象をパターニングするパターン形成方法。 - 前記表面改質処理では、前記ガイドパターンの表面を液体で洗浄する請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記表面改質処理では、前記ガイドパターンに架橋剤を含む薬液を塗布し、架橋処理を行う請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記表面改質処理では、前記ガイドパターンが形成された前記加工対象上に表面改質膜を形成する請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記ガイドパターンは、レジストパターンである請求項1に記載のパターン形成方法。
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