JP5919210B2 - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
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Description
前記レジストパターンは、ArFレジストにより形成されていることを特徴としている。
前記レジストパターン処理装置では、前記レジスト膜の露光領域と未露光領域との中間の領域に存在するレジスト膜を除去して、前記未露光領域のレジスト膜の表面を露出させるようにしてもよい。
2 塗布現像処理装置
3 エッチング処理装置
30 現像装置
31 有機溶剤供給装置
32 反射防止膜形成装置
33 中性層形成装置
34 レジスト塗布装置
35 ブロック共重合体塗布装置
40 熱処理装置
41 紫外線照射装置
42 アドヒージョン装置
43 周辺露光装置
44 ポリマー分離装置
202〜205 エッチング装置
300 制御部
400 反射防止膜
401 中性層
402 レジストパターン
402a ライン部
402b、402c スペース部
404 ブロック共重合体
405 親水性ポリマー
406 疎水性ポリマー
W ウェハ
Claims (19)
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成する中性層形成工程と、
中性層上に形成されたレジスト膜を露光処理し、次いで露光処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンに極性を有する有機溶剤を供給して前記レジストパターンを表面処理するレジストパターン処理工程と、
前記ブロック共重合体を前記中性層上に塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記中性層上の前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記レジストパターン形成工程の後で且つレジストパターン処理工程の前に、前記レジストパターンに紫外線を照射して、当該レジストパターンの表面を改質処理するレジスト改質処理工程と、を有し、
前記レジストパターンは、ArFレジストにより形成されていることを特徴とする、基板処理方法。 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成する中性層形成工程と、
中性層上に形成されたレジスト膜を露光処理し、次いで露光処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンに極性を有する有機溶剤を供給して前記レジストパターンを表面処理するレジストパターン処理工程と、
前記ブロック共重合体を前記中性層上に塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記中性層上の前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有し、
前記レジストパターン形成工程において、現像液に加えて前記極性を有する有機溶剤を露光後のレジスト膜に供給して現像することで、前記レジストパターン形成工程と前記レジストパターン処理工程を並行して行い、
前記レジストパターン処理工程は、前記レジスト膜の露光領域と未露光領域との中間の領域に存在するレジスト膜を除去して、前記未露光領域のレジスト膜の表面を露出させるものであり、
前記レジストパターンは、ArFレジストにより形成されていることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記レジストパターン形成工程の後で且つレジストパターン処理工程の前に、前記レジストパターンに紫外線を照射して、当該レジストパターンの表面を改質処理するレジスト改質処理工程と、をさらに有することを特徴とする、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマー又は前記疎水性ポリマーのいずれかを選択的に除去するポリマー除去工程を有していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記ポリマー除去工程では、プラズマエッチング処理、または有機溶剤の供給により前記親水性ポリマー又は前記疎水性ポリマーのいずれかを選択的に除去することを特徴とする、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記レジストパターンは、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、40%〜60%であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記レジストパターンは、平面視において円形状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、20%〜40%であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、前記疎水性ポリマーはポリスチレンであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理方法。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項9に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成する中性層形成装置と、
中性層上に形成された露光処理後のレジスト膜を現像処理してレジストパターンを形成する現像装置と、
前記現像処理後のレジストパターンに極性を有する有機溶剤を供給して前記レジストパターンを表面処理するレジストパターン処理装置と、
中性層上に形成された露光処理後前記ブロック共重合体を前記中性層上に塗布するブロック共重合体塗布装置と、
前記中性層上の前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、
前記レジストパターン形成後で且つ前記レジストパターンに前記有機溶剤を供給する前に、前記レジストパターンに紫外線を照射して、当該レジストパターンの表面を改質処理するレジスト改質処理装置と、を有し、
前記レジストパターンは、ArFレジストにより形成されていることを特徴とする、基板処理システム。 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成する中性層形成装置と、
中性層上に形成された露光処理後のレジスト膜を現像処理してレジストパターンを形成する現像装置と、
前記現像処理後のレジストパターンに極性を有する有機溶剤を供給して前記レジストパターンを表面処理するレジストパターン処理装置と、
中性層上に形成された露光処理後前記ブロック共重合体を前記中性層上に塗布するブロック共重合体塗布装置と、
前記中性層上の前記ブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、を有し、
前記レジストパターンは、ArFレジストにより形成され、
前記レジストパターン処理装置では、前記レジスト膜の露光領域と未露光領域との中間の領域に存在するレジスト膜を除去して、前記未露光領域のレジスト膜の表面を露出させることを特徴とする、基板処理システム。 - 前記レジストパターン形成後で且つ前記レジストパターンに前記有機溶剤を供給する前に、前記レジストパターンに紫外線を照射して、当該レジストパターンの表面を改質処理するレジスト改質処理装置、さらに有することを特徴とする、請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記現像装置では、現像液に加えて前記極性を有する有機溶剤を露光後のレジスト膜に供給して現像処理することを特徴とする、請求項11〜13のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマー又は前記疎水性ポリマーのいずれかを選択的に除去するポリマー除去装置を有していることを特徴とする、請求項11〜14のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記ポリマー除去装置は、プラズマエッチング処理装置、または有機溶剤を供給して前記親水性ポリマー又は前記疎水性ポリマーのいずれかを選択的に除去する溶剤供給装置であることを特徴とする、請求項15に記載の基板処理システム。
- 前記レジストパターンは、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、40%〜60%であることを特徴とする、請求項11〜16のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記レジストパターンは、平面視において円形状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、20%〜40%であることを特徴とする、請求項11〜16のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、
前記疎水性ポリマーはポリスチレンであることを特徴とする、請求項11〜18のいずれか一項に記載の基板処理システム。
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