JP6081728B2 - 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
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Description
2 塗布現像処理装置
3 エッチング処理装置
30 現像装置
31 洗浄装置
32 反射防止膜形成装置
33 酸付着装置
34 レジスト塗布装置
35 ブロック共重合体塗布装置
40 熱処理装置
202〜205 エッチング装置
300 制御部
400 反射防止膜
401 レジスト膜
402 レジストパターン
402a ライン部
402b、402c スペース部
404 ブロック共重合体
405 親水性ポリマー
406 疎水性ポリマー
410 中性層
411 親水性領域
450 紫外線照射装置
500 中性層形成装置
501 紫外線照射装置
502 親水膜形成装置
510 親水膜
550 疎水膜形成装置
560 疎水膜
A 酸
L 露光部分
W ウェハ
Claims (14)
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
露光処理された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着工程と、
前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理工程と、
前記熱処理工程後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理工程と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を相分離させるポリマー分離工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。 - 前記酸付着工程において、パターン露光後の前記レジスト膜の表面に酸性の液体を供給することで、前記レジスト膜の表面に酸を付着させ、酸付着後の基板を加熱処理して前記レジスト膜の高さを低減することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
露光処理された基板上のレジスト膜の表面に酸を発生させる酸発生工程と、
前記酸を発生させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理工程と、
前記熱処理工程後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理工程と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を相分離させるポリマー分離工程と、を有し、
前記酸発生工程において、パターン露光後の前記レジスト膜の表面に紫外線を照射することで、前記レジスト膜の表面に酸を発生させ、酸発生後の基板を加熱処理して前記レジスト膜の高さを低減することを特徴とする、基板処理方法。 - レジスト処理工程後のレジストパターンが形成された基板上に、中性層を形成する中性層形成工程と、
前記レジストパターンを除去して基板上に中性層のパターンを形成する中性層処理工程と、をさらに有し、
ブロック共重合体塗布工程は、中性層処理工程の後に行われることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 基板上にレジスト膜を形成する前に当該基板上に中性層を形成する中性層形成工程を有していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンから露出した前記中性層の露出面に表面処理を施す中性層処理工程を有し、
ブロック共重合体塗布工程は、前記中性層処理工程後に行われることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に親水性を有する親水膜を形成して、当該露出面を親水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記親水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記親水膜が残っていることを特徴とする、請求項6に記載の基板処理方法。 - 前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に疎水性を有する疎水膜を形成して、当該露出面を疎水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記疎水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記疎水膜が残っていることを特徴とする、請求項6に記載の基板処理方法。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
パターン露光された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着装置と、
前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理装置と、
前記加熱処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理装置と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗装置と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を相分離させるポリマー分離装置と、
を有することを特徴とする、基板処理システム。 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
パターン露光された基板上のレジスト膜の表面に酸を発生させる紫外線照射装置と、
前記酸を発生させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理装置と、
前記加熱処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理装置と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗装置と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を相分離させるポリマー分離装置と、
を有することを特徴とする、基板処理システム。 - レジスト処理工程後のレジストパターンが形成された基板上に、中性層を形成する中性層形成装置と、
前記レジストパターンを除去して基板上に中性層のパターンを形成する中性層処理装置と、をさらに有していることを特徴とする、請求項10または11のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 基板上にレジスト膜を形成する前に当該基板上に中性層を形成する中性層形成装置を有していることを特徴とする、請求項10または11のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンから露出した前記中性層の露出面に表面処理を施す中性層処理装置を有していることを特徴とする、請求項13に記載の基板処理システム。
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