JP6267143B2 - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
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Description
L0:隣り合う前記第1の親水性ポリマーと前記第2の親水性ポリマー間のピッチ
R:前記第2の親水性ポリマーの半径
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴としている。
(1)前記円形状のパターンの直径は、前記ポリマー分離工程後に配列する親水性ポリマー間の所望のピッチの0.8〜1.5倍である
(2)隣り合う最も近い前記円形状のパターン間の距離は、前記所望のピッチの2倍である
(3)前記円形状のパターンを中心とした、半径が前記所望のピッチの2√3倍の円周上に、少なくとも1つの前記円形状のパターンが配置され、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴としている。
(1)前記円形状のパターンの直径は、前記ポリマー分離装置での相分離後に配列する親水性ポリマー間の所望のピッチの0.8〜1.5倍である
(2)隣り合う最も近い前記円形状のパターン間の距離は、前記所望のピッチの2倍である
(3)前記円形状のパターンを中心とした、半径が前記所望のピッチの2√3倍の円周上に、少なくとも1つの前記円形状のパターンが配置される
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴としている。
その後カセットステーション10のウェハ搬送装置23によって所定のカセット載置板21のカセットCに搬送される。
30 現像装置
31 有機溶剤供給装置
32 反射防止膜形成装置
33 中性層形成装置
34 レジスト塗布装置
35 塗布膜形成装置
36 レジスト除去装置
37 ブロック共重合体塗布装置
40 熱処理装置
41 紫外線照射装置
42 アドヒージョン装置
43 周辺露光装置
44 ポリマー分離装置
300 制御部
400 反射防止膜
401 中性層
402 レジスト膜
403 レジストパターン
404 ポリスチレン膜
410 ブロック共重合体
411 親水性ポリマー
412 疎水性ポリマー
W ウェハ
Claims (8)
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記基板上に中性層を形成する中性層形成工程と、
前記中性層形成工程後の基板上の所定の位置に、疎水性の塗布膜により円形状のパターンを複数形成する塗布膜パターン形成工程と、
前記塗布膜のパターンが形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去工程を有し、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離工程後に前記親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように20%〜40%に調整され、
前記ポリマー分離工程において、前記疎水性の塗布膜による円形状の各パターン上に円柱状の第1の親水性ポリマーをそれぞれ相分離させると共に、当該各第1の親水性ポリマーの間に、円柱状の第2の親水性ポリマーを相分離させて、前記第1の親水性ポリマーと前記第2の親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように、前記疎水性の塗布膜による円形状のパターンの直径は、2(L0−R)以下に設定され、
L0:隣り合う前記第1の親水性ポリマーと前記第2の親水性ポリマー間のピッチ
R:前記第2の親水性ポリマーの半径
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴とする、基板処理方法。 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記基板上に中性層を形成する中性層形成工程と、
前記中性層形成工程後の基板上の所定の位置に、疎水性の塗布膜により円形状のパターンを複数形成する塗布膜パターン形成工程と、
前記塗布膜のパターンが形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去工程を有し、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離工程後に前記親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように20%〜40%に調整され、
前記塗布膜パターン形成工程において形成される円形状のパターンは、以下の(1)〜(3)基づいて定められ、
(1)前記円形状のパターンの直径は、前記ポリマー分離工程後に配列する親水性ポリマー間の所望のピッチの0.8〜1.5倍である
(2)隣り合う最も近い前記円形状のパターン間の距離は、前記所望のピッチの2倍である
(3)前記円形状のパターンを中心とした、半径が前記所望のピッチの2√3倍の円周上に、少なくとも1つの前記円形状のパターンが配置される
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴とする、基板処理方法。 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記基板上に中性層を形成する中性層形成工程と、
前記中性層形成工程後の基板上の所定の位置に、疎水性の塗布膜により円形状のパターンを複数形成する塗布膜パターン形成工程と、
前記塗布膜のパターンが形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去工程を有し、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離工程後に前記親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように20%〜40%に調整され、
前記塗布膜パターン形成工程において形成される円形状のパターンは、前記ポリマー分離工程後に配列する親水性ポリマー間の所望のピッチの2倍のピッチを有する正三角形状に配置され、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、
前記疎水性ポリマーはポリスチレンであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記疎水性の塗布膜は、ポリスチレン膜であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項6に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する基板処理システムであって、
基板上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置と、
円形状のパターンの直径を設定して当該円形状のパターンを露光する露光処理後の、基板上のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像処理装置と、
前記レジストパターン形成後の基板に対して疎水性の塗布膜を形成する塗布膜形成装置と、
前記塗布膜形成後の基板から前記レジストパターンを除去するレジスト除去装置と、
前記レジストパターン除去後の基板に対してブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布装置と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去装置を有し、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離装置での相分離後に前記親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように20%〜40%に調整され、
前記ポリマー分離装置において、前記疎水性の塗布膜による円形状の各パターン上に円柱状の第1の親水性ポリマーをそれぞれ相分離させると共に、当該各第1の親水性ポリマーの間に、円柱状の第2の親水性ポリマーを相分離させて、前記第1の親水性ポリマーと前記第2の親水性ポリマーが平面視において六方最密構造に対応する位置に配列するように、前記疎水性の塗布膜による円形状のパターンの直径は、2(L0−R)以下に設定され、
L0:隣り合う前記第1の親水性ポリマーと前記第2の親水性ポリマー間のピッチ
R:前記第2の親水性ポリマーの半径
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴とする、基板処理システム。
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